JP4777173B2 - 基板処理装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
基板処理装置および半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4777173B2 JP4777173B2 JP2006201259A JP2006201259A JP4777173B2 JP 4777173 B2 JP4777173 B2 JP 4777173B2 JP 2006201259 A JP2006201259 A JP 2006201259A JP 2006201259 A JP2006201259 A JP 2006201259A JP 4777173 B2 JP4777173 B2 JP 4777173B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- substrate
- processing chamber
- exhaust duct
- exhaust
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
この成膜方法のメリットとしては(1)膜厚制御の良さ、(2)基板の温度均一性をさほど要求しないこと、(3)理論的にはセルフリミットがかかる成膜工程であるため、ガス流れの影響が少ない、といったことが挙げられる。反対にデメリットとしては原料ガスに含有される成分を膜中に取り込みやすいことが挙げられる。取り込まれる膜中成分を除去して高品位の膜を得るため、成膜後に膜質改善処理が行われるケースがある。
残留ガスの高速排気は、特にALD成膜やサイクリックCVD成膜では、処理室でサイクリックな工程でプロセスが進んでいくため重要となる。
まず、本発明の実施の形態の説明に先立って、その基本構成の一態様を説明する。
[基本構成]
図5および図6は、基本構成の一態様による枚葉式の基板処理装置を説明するための断面図である。図5は基板処理時の縦断面図、図6は基板搬入搬出時の縦断面図である。
サセプタ60は、処理室1内に設けられ、円板状をしており、その上に基板2を略水平姿勢で保持するように構成されている。サセプタ60は、コントローラ50によって制御されるセラミックスヒータなどのヒータ(図示せず)を内蔵して、基板2を所定温度に加熱する。
サセプタ60が、上方にある基板処理位置(図5の図示位置)で成膜処理がなされ、下方にある基板搬送可能位置(図6の図示位置)で基板2の搬送が行われる。サセプタ60は、例えば、石英、カーボン、セラミックス、炭化ケイ素(SiC)、酸化アルミニウム(Al2O3)、又は窒化アルミニウム(AlN)などで構成される。
支持軸59は、処理室1の下容器47の底部中央に設けられた貫通孔58より鉛直方向に処理室1内に挿入され、その上端でサセプタ60を支持している。
サセプタ台9は、支持軸59の下端に設けられ、処理室1外に設けた昇降機構(図示せず)に連結されている。昇降機構によりサセプタ台9を上下動させることにより、支持軸59を介してサセプタ60が昇降可能となっている。
ベローズ12は、サセプタ台9と、支持軸59が貫通する下容器47との間で、支持軸59を包囲することによって処理室1内の真空を保持している。
シャワーヘッド16は、上容器46の中央開口に嵌め込まれて、サセプタ60よりも上方に設けられる。サセプタ60と対向するシャワーヘッド16の中央部は、多数の孔16bを有するシャワープレート16aで構成される。
分散板17は多数の孔17aを有し、シャワープレート16aの上に設けられる。分散板17とシャワープレート16aとの間に分散板17の多数の孔17aから導入されるガスを分散させる下部空間17bが形成される。
ガス導入プレート22は、中央にガスを導入する開口22aを有し、分散板17の上に設けられる。ガス導入プレート22と分散板17との間に上記開口22aから導入されるガスを分散させる上部空間17cが形成される。
ガス導入部23は、上方から供給されるガスと側方から供給される2種類のガスを合流する合流配管で構成され、ガス導入プレート22の開口22aに鉛直に連結される。ガス導入部23の側部開口3より原料ガスが供給される。ガス導入部23の上方開口4より酸化剤が供給され、原料ガスと酸化剤とは交互に供給されるようになっている(ALD)。
コンダクタンスプレート29は、処理室1内の基板処理位置近傍に保持される。ロワープレート7は凹部37を有する凹状部材からなり、サセプタ60の外周にリング状に設けられて、サセプタ60とともに昇降するようになっている。サセプタ60が上昇してロワープレート7が基板処理位置に運ばれたとき、基板処理位置に保持されているコンダクタンスプレート29が、ロワープレート7の凹部39を塞ぐことにより、凹部39内をガス流路領域Aとする排気ダクト35が構成されるようになっている。
ロワープレート7を外周に設けたサセプタ60を、処理室1内での昇降を許容させるためには、処理室側面40bとロワープレート7側面との間に隙間38を確保する必要がある。このため、基板処理時に処理室上部1aに供給されたガスの一部が、排気ダクト35を構成するロワープレート7の凹部37に排出されずに、上記した隙間38を通って処理室下部1bに回り込むおそれがある。
この点で、ロワープレート7を昇降可能に設け、コンダクタンスプレート29を基板処理位置に保持するように構成すれば、サセプタ60と一緒にロワープレート7が基板処理位置に運ばれたときに、基板処理位置に保持したコンダクタンスプレート29によって、上記隙間38を塞ぐことができるので、サセプタ60の昇降を許容する上記隙間38を確保しつつ、基板処理時には上記隙間38を塞ぎ、ガスの一部の処理室下部1bへの回り込みをなくすことができる。
排気ダクト35の一部を構成するロワープレート7は、リング状の凹部37と、凹部37の内側上部に一体的に設けられたフランジ部37aとから構成される。フランジ部37aは、サセプタ60の上部外周縁に係止する係止部として機能する。凹部37は、サセプタ60の側面と処理室側面40bとの間の隙間38を塞ぐように設けられ、基板処理時において処理室上部1a内に供給されたガスを、排気口5へ導く排気路を形成する。
凹部37は、その上部が開口し、その底部の排気口5側にガスを凹部37から排気口5へ流通させるためのプレート排気口28を有するよう構成される。フランジ部37aは、サセプタ60の一部(外周部)を覆ってサセプタ60上に載置され、サセプタ60への膜の堆積を防止するリングで構成される。ロワープレート7は、そのフランジ部37aがサセプタ60上に載置されることにより、サセプタ60とともに昇降可能に設けられる。
コンダクタンスプレート29は一体に形成されているから、段差部41で直接保持されるコンダクタンスプレート29外側部分によってコンダクタンスプレート29内側部分を支える必要上、上記排出口26は連続には形成できず、不連続に形成してある。
下容器47の側面の下方を上方よりも処理室1の内側に設け、下容器47の下方内側面が上方内側面よりも内側に突出する部分を上記段差部41とする。この段差部41上にコンダクタンスプレート29を保持することによって、処理室1の段差部41とコンダクタンスプレート29との隙間38を塞いでいる。
供給口13から供給されるガスは、分散板17、シャワープレート16aで分散されて、処理室上部1a内に導入され、処理室上部1a内のシリコン基板2上を基板径方向外方に向かって放射状に流れる。そして、サセプタ60の外周に設けた排気ダクト35上を径方向外方に向かって放射状に流れて、排気ダクト35の上面に設けられた排出口26から環状のガス流路領域A内に排出される。排出されたガスはガス流路領域A内をサセプタ周方向に流れ、プレート排気口28から排気口5へと排気される。これにより、原料ガスが処理室下部1b内へ、すなわちサセプタ60の裏面や、処理室1の底面42側へ回り込むのを防止している。
また、処理室底面42に膜が堆積するのを有効に防止できるので、処理室1の交換回数を低減でき、装置の生産性が向上し、装置コストも低減することができる。
このようにして接ガス面積を縮小することにより原料ガスの処理室内での付着量を低減し、パーティクルの発生を抑制することができる。
また、流路容積を縮小することにより、処理室内における原料ガス自体の存在量を低減することができ、供給原料ガス量及び残留原料ガス量が減少するので、効率良く原料ガスを供給、又は残留ガスをパージすることができる。したがって、2種類の反応ガスを交互に供給する成膜方法において、短時間で原料ガス供給、残留原料のパージを行うことができる。
その結果、高歩留りで、スループットの高い生産性に優れた半導体製造装置を実現することができる。
しかし、実施の形態では、図6に示すように、サセプタ60を搬入搬出位置に下降させた状態では、排気ダクト35を構成するロワープレート7は、基板搬入搬出の妨げにならないように、基板搬送口10よりも下方に配置できる。また基板処理時は、ロワープレート7を基板搬送口10と重なるように配置することができ、その重なりの分だけ処理室全体の高さを低くすることができる。そのため処理室全体の容積を小さくすることができ、これにより一層パージ効率を高めることが可能となる。
したがって、排出口26の径を大きくすると高速ガス排気は可能になるが、ガス供給の基板面内均一性を確保することが困難になる。逆に、ガス供給の基板面内均一性を確保するために、複数の排出口26のコンダタクンス合計を、排気ダクト35の流路コンダクタンスに比べて十分に小さくすると、高速ガス排気が困難になる。このため、ガス供給の均一性を確保しつつ高速ガス排気を行うことは難しい。
この場合、反応生成物は、排気ガス流路を構成する処理室下部1bの内壁やサセプタ60の裏面等に堆積することになる。堆積する反応生成物が、エッチングレートを稼ぐことが困難な高誘電体膜などの場合は、反応生成物を除去するために、高温にしたフッ素系ガスによるクリーニングを施す必要がある。しかし、高温ガスクリーニングの場合、ガス温度は200℃以上の高温でないとエッチングが困難であることが分かっており、耐高温の石英で構成される排気ダクトと異なって、アルミニウム製の反応容器45は耐熱性が低いため、排気ガス流路のクリーニングが問題となる。
図1、図2は、そのような基本構成を改善した本実施の形態における基板処理装置の断面図を示す。図1が基板処理状態、図2が基板搬送状態を示す。基板処理装置の基本的構成要素は図5、図6に関連して既述した基本構成の一態様と同じであるため説明を省略する。本実施の形態が基本構成の一態様と異なる点は排気ダクト70にある。
排気ダクト70を構成する部材の少なくとも一部であるロワーリング71は昇降可能に構成され、昇降可能に構成された部材であるロワーリング71は、多槽構造に構成されており、ここでは、第1の凹状部材であるアウタロワーリング72と、第2の凹状部材であるインナロワーリング73との二槽構造に構成されている。第1の凹状部材であるアウタロワーリング72と、アウタロワーリング72の凹部76内に少なくとも一部が収容され、アウタロワーリング72に対して相対移動可能に設けられた第2の凹状部材であるインナロワーリング73とにより構成される。
また、インナロワーリング73の凹部77の底部73bの排気口5側には、ガスを凹部77から排気口5へ流通させるための開口73cが設けられる。
また、インナロワーリング73の一部を、アウタロワーリング72の凹部76内に収容するとき、インナロワーリング73の頂部の位置をアウタロワーリング72の頂部の位置と一致させて、インナロワーリング73の頂部がアウタロワーリング72から上部へ突出しないようにする。インナロワーリング73は、アウタロワーリング72の凹部76内に頂部まで収容されるので、下容器47の側壁に開口した基板搬送口10の延長線上にある処理室1内の基板搬入出路の障害とはならない。これにより、基板搬送位置でサセプタ60の貫通孔61から突き出したリフトピン8に保持された処理後の基板2は、基板搬送口10を介して基板移載機構(図示せず)により反応容器45外に円滑に搬出されることになる。また、次に処理する基板2が基板搬送口10を介して反応容器45内に円滑に搬入され、基板搬送位置でサセプタ60の貫通孔61から突き出したリフトピン8上に保持されることとなる。
そして、この排気ダクト70を構成する部材の少なくとも一部であるロワーリング71の高さおよび容積の減少により、ロワーリング71は基板2が搬入出される基板搬入出路の障害とはならない。したがって、基板2は、下容器47の側壁に開口した基板搬送口10を介して基板移載機構(図示せず)により反応容器45外に円滑に搬出される。
基板2に供給されたガスはコンダクタンスプレート29に設けられた排出口26から排気ダクト70内に流入する。排出口26から排気ダクト70内に流入したガスはアウタロワーリング72、インナロワーリング73とコンダクタンスプレート29にて形成されたガス流路領域Bを通過し、インナロワーリング73の排気側に載置した開口73cから排気される。
実施の形態では、基板処理時に、インナロワーリング73がアウタロワーリング72から自重で垂下するので、排気ダクト70の凹部75の流路断面積は拡大する。このことにより、図1におけるガス流路領域Bの排気抵抗は、図5におけるガス流路領域Aの排気抵抗に比べ大幅に減少させることができ、その分、コンダクタンスプレート29上に設けられた排出口26の総コンダクタンスを上げることができる。
このように、排気ダクト70のコンダクタンスを十分大きくとることができるので、排気ダクト70が、複数の排出口26から排出するガスを開口73cに集約して排気するような構成になっていても、ガス供給の基板面内均一性を確保することができる。また、排出口26の総コンダクタンスを上げることができるので、ガスの高速排気を実現することができ、高速ガス置換が可能となる。
これにより本実施の形態では、ガス供給の基板面内均一性を確保したまま、処理室1内のガス濃度を<2.0sec以内に約1/1000に置換することが可能になる。
第1の態様は、基板を処理する処理室と、前記処理室内に昇降可能に設けられ基板を保持する保持具と、前記保持具よりも上方に設けられ前記処理室内にガスを供給する供給口と、前記保持具の周囲に設けられ前記処理室内に供給されたガスを排気する排気ダクトと、基板処理時における前記排気ダクトの上面よりも下方に設けられ前記排気ダクトにより排気されたガスを前記処理室外に排気する排気口と、を有し、前記排気ダクトを構成する部材(コンダクタンスプレート、ロワーリング)の少なくとも一部(ロワーリング)は昇降可能に構成され、前記昇降可能に構成された部材(ロワーリング)は第1の凹状部材(アウタロワーリング)と、前記第1の凹状部材の凹部内に少なくとも一部が収容され前記第1の凹状部材に対して相対移動可能に設けられた第2の凹状部材(インナロワーリング)により構成される。
このように構成すれば、保持具を昇降させれば、第1の凹状部材もそれに伴い昇降するので、第1の凹状部材を別途独立して昇降させる必要がなく、簡単な構造で、排気ガス流路のクリーニングや基板搬送障害の問題を解消しつつ、ガス供給均一性と残留ガス高速排気とをより確実に実現できる。
このように構成すれば、保持具を昇降させれば、第1の凹状部材もそれに伴い昇降するので、第1の凹状部材を別途独立して昇降させる必要がないばかりか、第1の凹状部材を昇降させる昇降手段が不要となり、簡単な構造で、排気ガス流路のクリーニングや基板搬送障害の問題を解消しつつ、ガス供給均一性と残留ガス高速排気とをより確実に実現できる。
これによれば、第2の凹状部材が第1の凹状部材により支持可能に設けられるので、第2の凹状部材のために第1の凹状部材以外の新規な支持手段を必要としないので、簡単な構造でありながら、排気ガス流路のクリーニングや基板搬送障害の問題を解消しつつ、ガス供給均一性と残留ガス高速排気とをより確実に実現できる。
第1の凹状部材の凹部の底部に設けた開口に第2の凹状部材を挿通させて、第1の凹状部材により第2の凹状部材を支持可能にするという簡単な構造で、排気ガス流路のクリーニングや基板搬送障害の問題を解消しつつ、ガス供給均一性と残留ガス高速排気とをより確実に実現できる。
第2の凹状部材の凹部の底部の排気口側に開口を設けるという簡単な構造で、ガスを凹部から排気口へ流通させることができるので、排気ガス流路のクリーニングや基板搬送障害の問題を解消しつつ、ガス供給均一性と残留ガス高速排気とをより確実に実現できる。
排気ダクトを構成する部材の基板処理位置近傍に配置された他の少なくとも一部が、基板処理時に第1の凹状部材の凹部を塞ぐので、処理室内に供給されたガスを排気する排気ダクトを形成することができ、排気ガス流路のクリーニングや基板搬送障害の問題を解消しつつ、ガス供給均一性と残留ガス高速排気とをより確実に実現できる。
第1の凹状部材の凹部を塞ぐプレートに開口が設けられるので、処理室内に供給されたガスを前記開口から凹部内に流通させることができ、排気ガス流路のクリーニングや基板搬送障害の問題を解消しつつ、ガス供給均一性と残留ガス高速排気とをより確実に実現できる。
2種類以上の反応ガスを間にパージガスの供給を挟んで交互に複数回供給するようなサイクリックな処理を行う場合において、基板処理時に排気ダクトの高さおよび容積を増加できるので、排気ガス流路のクリーニングや基板搬送障害の問題を解消しつつ、ガス供給均一性と残留ガス高速排気とをより確実に実現できる。
このようにシーケンシャルなプロセスを行う場合、高いパージ効率が要求されるが、このようなプロセスを行う場合であっても、保持具より下方の処理室下部へのガスの回り込みを防止でき、また接ガス面積、ガス流路容積を極力小さくできるので、排気ガス流路のクリーニングや基板搬送障害の問題を解消しつつ、ガス供給均一性と残留ガス高速排気とをより確実に実現できる。
このようにシーケンシャルなプロセスを行う場合、高いパージ効率が要求されるが、このようなプロセスを行う場合であっても、保持具より下方の処理室下部へのガスの回り込みを防止でき、また接ガス面積、ガス流路容積を極力小さくできるので、短時間で反応ガスの供給、残留ガスのパージが可能となる。
また、特にALDの場合、処理室内の原料が吸着する箇所全域にわたって、膜が堆積する可能性があり、パーティクル発生の原因となるので、原料ガスの接ガス面積を極力小さくする必要があり、それと同時に、2種類以上の原料ガスの置換時間を短縮するために、原料ガスの流路容積も極力小さくする必要があるが、これらも解決できる。
したがって、排気ガス流路のクリーニングや基板搬送障害の問題を解消しつつ、ガス供給均一性と残留ガス高速排気とをより確実に実現できる。
このようにシーケンシャルなプロセスを行う場合、高いパージ効率が要求されるが、このようなプロセスを行う場合であっても、保持具より下方の処理室下部へのガスの回り込みを防止でき、また接ガス面積、ガス流路容積を極力小さくできるので、短時間で反応ガスの供給、残留ガスのパージが可能となる。
また、特にALDの場合、処理室内の原料が吸着する箇所全域にわたって、膜が堆積する可能性があり、パーティクル発生の原因となるので、原料ガスの接ガス面積を極力小さくする必要があり、それと同時に、2種類以上の原料ガスの置換時間を短縮するために、原料ガスの流路容積も極力小さくする必要があるが、これらも解決できる。
したがって、排気ガス流路のクリーニングや基板搬送障害の問題を解消しつつ、ガス供給均一性と残留ガス高速排気とをより確実に実現できる。
このようにシーケンシャルなプロセスを行う場合、高いパージ効率が要求されるが、このようなプロセスを行う場合であっても、保持具より下方の処理室下部へのガスの回り込みを防止でき、また接ガス面積、ガス流路容積を極力小さくできるので、短時間で反応ガスの供給、残留ガスのパージが可能となる。
したがって、排気ガス流路のクリーニングや基板搬送障害の問題を解消しつつ、ガス供給均一性と残留ガス高速排気とをより確実に実現できる。
このようにシーケンシャルなプロセスを行う場合、高いパージ効率が要求されるが、このようなプロセスを行う場合であっても、保持具より下方の処理室下部へのガスの回り込みを防止でき、また接ガス面積、ガス流路容積を極力小さくできるので、短時間で反応ガスの供給、残留ガスのパージが可能となる。
したがって、排気ガス流路のクリーニングや基板搬送障害の問題を解消しつつ、ガス供給均一性と残留ガス高速排気とをより確実に実現できる。
2 基板
5 排気口
13 供給口
29 コンダクタンスプレート
60 サセプタ(保持具)
70 排気ダクト
71 ロワーリング
72 アウタロワーリング(第1の凹状部材)
73 インナロワーリング(第2の凹状部材)
76 凹部
160 保持具
Claims (2)
- 基板を処理する処理室と、
前記処理室内に昇降可能に設けられ基板を保持する保持具と、
前記保持具よりも上方に設けられ前記処理室内にガスを供給する供給口と、
前記保持具の周囲に設けられ前記処理室内に供給されたガスを排気する排気ダクトと、
基板処理時における前記排気ダクトの上面よりも下方に設けられ前記排気ダクトにより排気されたガスを前記処理室外に排気する排気口と、を有し、
前記排気ダクトを構成する部材の少なくとも一部は昇降可能に構成され、前記昇降可能に構成された部材は第1の凹状部材と、前記第1の凹状部材の凹部内に少なくとも一部が収容され前記第1の凹状部材に対して相対移動可能に設けられた第2の凹状部材により構成される基板処理装置。 - 基板を処理室内に搬入する工程と、
前記処理室内に設けられた保持具を上昇させることにより前記処理室内に搬入した基板を前記保持具上に載置する工程と、
前記保持具上に載置した基板に対してガスを供給しつつ、前記保持具の周囲に設けられた排気ダクトによりガスを排出し、前記排気ダクトにより排出したガスを、前記排気ダクトの上面よりも下方に設けられた排気口より前記処理室外に排気することにより基板を処理する工程と、
前記保持具を下降させることにより処理後の基板を搬出可能な状態にならしめる工程と、
処理後の基板を前記処理室より搬出する工程とを有し、
前記保持具を上昇または下降させる工程では、前記排気ダクトを構成する部材の少なくとも一部が保持具と共に上昇または下降するとともに、前記保持具と共に上昇または下降する部材は第1の凹状部材と、前記第1の凹状部材の凹部内に少なくとも一部が収容された第2の凹状部材により構成され、前記保持具を上昇または下降させる際に、前記第2の凹状部材は前記第1の凹状部材に対して相対移動する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006201259A JP4777173B2 (ja) | 2006-07-24 | 2006-07-24 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006201259A JP4777173B2 (ja) | 2006-07-24 | 2006-07-24 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008025007A JP2008025007A (ja) | 2008-02-07 |
JP4777173B2 true JP4777173B2 (ja) | 2011-09-21 |
Family
ID=39115957
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006201259A Active JP4777173B2 (ja) | 2006-07-24 | 2006-07-24 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4777173B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009197281A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 原子層成膜装置 |
US20100075488A1 (en) * | 2008-09-19 | 2010-03-25 | Applied Materials, Inc. | Cvd reactor with multiple processing levels and dual-axis motorized lift mechanism |
JP5944429B2 (ja) * | 2014-03-20 | 2016-07-05 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体 |
CN116288279B (zh) * | 2023-05-23 | 2023-08-18 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种气相沉积装置及基片处理方法 |
-
2006
- 2006-07-24 JP JP2006201259A patent/JP4777173B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008025007A (ja) | 2008-02-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4564498B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法 | |
KR101751094B1 (ko) | 성막 장치 | |
KR101764048B1 (ko) | 성막 장치 | |
US7931749B2 (en) | Shower head and film-forming device using the same | |
TWI442477B (zh) | 半導體裝置之製造方法 | |
US20110309562A1 (en) | Support structure and processing apparatus | |
JP4943536B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP4777173B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
WO2005064041A1 (ja) | 窒化チタン膜の成膜 | |
JP2011058031A (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
KR102023434B1 (ko) | 성막 방법 및 성막 시스템, 그리고 표면 처리 방법 | |
TWI807192B (zh) | 氣體導入構造、熱處理裝置及氣體供給方法 | |
JP2011132568A (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
JP2008255386A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2012136743A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2006274316A (ja) | 基板処理装置 | |
JP5708843B2 (ja) | 支持体構造及び処理装置 | |
JP5568342B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理システム | |
JP2010080737A (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
JP2006186015A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2013044043A (ja) | 基板処理装置 | |
KR20230078781A (ko) | 매립 방법 및 성막 장치 | |
JP2012102404A (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP2008255385A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2011035113A (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090629 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110617 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110623 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110629 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4777173 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140708 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |