JP6863784B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。基板は、半導体ウエハ、フォトマスク用基板、液晶表示用基板、プラズマディスプレイ用基板、有機ＥＬ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、太陽電池用基板などである。

特許文献１は、基板を熱処理する基板処理装置を開示する。基板処理装置はプレートと蓋を備える。基板はプレートに載置される。プレートは、プレート上の基板を加熱する。プレートの上方の空間は、基板を処理する処理空間である。蓋は上方位置と下方位置とに移動可能である。蓋が上方位置にあるとき、処理空間は開放される。蓋が下方位置にあるとき、処理空間は密閉される。

プレートは貫通孔と凹部とシール部材を有する。貫通孔はプレート内に形成される。凹部は貫通孔の上端に形成される。シール部材は凹部に取り付けられる。シール部材は例えばＯリングである。

基板処理装置は支持ピンと支持ピン昇降機構を備える。支持ピンは貫通孔に配置される。支持ピンは、円板形状を有する先端部を有する。支持ピンは、プレートの下方に位置する基端部を有する。支持ピン昇降機構は支持ピンの基端部と接続する。支持ピン昇降機構は支持ピンを上方位置と下方位置に移動させる。支持ピンが上方位置にあるとき、支持ピンの先端部がプレートよりも上方に位置する。支持ピンが上方位置にあるとき、基板を支持する。支持ピンが下方位置にあるとき、支持ピンの先端部が凹部に収容される。支持ピンが下方位置にあるとき、支持ピンの先端部はシール部材を介して凹部と密着する。支持ピンの先端部とシール部材の密着により、処理空間が貫通孔から遮断される。

基板処理装置は導入口と排気孔を備える。導入孔は処理空間に溶剤および不活性ガスを導入する。排気孔は処理空間の気体を排出する。

基板処理装置が行う熱処理の手順は、以下の通りである。まず、処理空間に基板を搬入する。具体的には、蓋が上方位置に移動する。これにより、処理空間が開放される。支持ピンが上方位置に移動し、外部搬送機構から基板を受け取る。その後、支持ピンが下方位置に移動する。これにより、基板はプレート上に載置される。支持ピンはシール部材を介して凹部と密着する。処理空間は貫通孔から遮断される。その後、蓋が下方位置に移動する。これにより、処理空間が密閉される。

続いて、基板を熱処理する。具体的には、導入孔が処理空間に溶剤を供給し、且つ、プレートが基板を加熱する。プレートが基板を加熱する温度は、常温以上で２５０度以下の範囲で調整される。さらに、排気孔が処理空間から気体を排出する。これにより、処理空間の気体の圧力は負圧になる。

熱処理を開始してから所定時間が経過した後、処理空間の溶剤を不活性ガスに置換する。具体的には、導入孔は、溶剤の供給を停止し、且つ、処理空間に不活性ガスを供給する。

続いて、処理空間から基板を搬出する。具体的には、排気孔は気体の排出を停止する。これにより、処理空間の気体の圧力が常圧に戻る。その後、蓋が上方位置に移動する。これにより、処理空間が開放される。支持ピンが基板を支持しながら上方位置に移動する。外部搬送機構が支持ピンから基板を受け取る。

特開２０１４−２２５７０号公報

従来例の基板処理装置では、処理条件が厳しい場合、処理空間の気密性が低下するおそれがある。

例えば、基板を一層高い温度で加熱する場合、処理空間の気密性が低下するおそれがある。具体的には、プレートが基板を一層高い温度で加熱すると、シール部材が過度に高温になる。シール部材が過度に高温になると、シール部材が劣化する。シール部材が劣化すると、支持ピンの先端は凹部と適切に密着できない。すなわち、シール部材が劣化すると、処理空間の気密性が低下する。

例えば、処理空間の気体の圧力を低くする場合、処理空間の気密性が低下するおそれがある。具体的には、処理空間の気体の圧力が低下すると、貫通孔の気体の圧力が処理空間の気体の圧力に比べて相対的に高くなる。処理空間と貫通孔の間における圧力差によって、支持ピンの先端に上向きの力が働く。処理空間と貫通孔の間における圧力差が大きいほど、支持ピンの先端に働く上向きの力が大きくなる。支持ピンの先端に働く上向きの力が大きくなると、支持ピンの先端はシール部材から浮き上がるおそれがある。支持ピンの先端がシール部材から浮き上がると、処理空間の気密性が低下する。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、処理容器の気密性を高めることができる基板処理装置を提供することを目的とする。

本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、本発明は、基板処理装置であって、第１開口を有し、基板を処理する処理容器と、前記第１開口を通じて前記処理容器の内部と前記処理容器の外部とにわたって配置される第１軸部材であって、前記第１軸部材の軸心方向に往復移動する前記第１軸部材と、前記処理容器の外部に配置され、前記第１開口の周囲において前記処理容器と密着し、且つ、前記第１軸部材の一部を収容する第１シールハウジングと、前記第１シールハウジングの内周面と密着し、且つ、前記第１軸部材と摺動可能に前記第１軸部材の外周面と密着する第１シール部材と、前記第１シールハウジングに連通接続され、前記第１シールハウジング内の気体を排出するための第１排気ポートと、を備える基板処理装置である。

第１シールハウジングは第１軸部材の一部を収容する。第１シールハウジングは第１開口の周囲において処理容器と密着する。さらに、第１シールハウジングは第１シール部材と密着する。第１シール部材は第１軸部材と密着する。このため、処理容器の第１開口は、第１シールハウジングおよび第１シール部材によって密閉される。よって、処理容器の気密性を好適に高めることができる。さらに、第１軸部材が第１シール部材に対して摺動しても、第１軸部材と第１シール部材との密着は維持される。よって、第１軸部材が往復移動しても、処理容器の気密性を好適に維持できる。

第１シールハウジングは処理容器の外部に配置されるので、第１シール部材も処理容器の外部に配置される。第１シール部材が処理容器の外部に配置されるので、第１シール部材は処理容器内の熱を直接的に受けない。すなわち、第１シール部材を処理容器内の熱から好適に保護できる。このため、第１シール部材の劣化を好適に防止できる。すなわち、第１シール部材のシール機能を好適に維持できる。よって、処理容器の気密性を好適に維持できる。

以上のとおり、本基板処理装置によれば、処理容器の気密性を高めることができる。

さらに、第１シールハウジングは第１排気ポートと連通接続する。第１シールハウジング内の気体は、第１排気ポートを通じて、第１シールハウジングの外部に排出される。このため、塵埃や外気などの異物が第１開口を通じて処理容器内に流入することを防止できる。よって、処理容器内の雰囲気を好適に管理できる。

上述の基板処理装置において、前記第１シール部材は金属製であることが好ましい。第１シール部材が金属製であるので、第１シール部材は高い耐熱性を有する。このため、第１シール部材は、シール機能を一層好適に維持できる。よって、処理容器の気密性を一層好適に維持できる。

上述した基板処理装置において、前記処理容器と前記第１シールハウジングとは、前記第１開口を介して連通していることが好ましい。処理容器の内部は、第１シールハウジングの内部と連通している。よって、排気ポートを通じて処理容器内の気体を排出できる。このため、処理容器内を一層容易に減圧できる。さらに、処理容器内の雰囲気を一層好適に管理できる。

上述の基板処理装置において、前記基板処理装置は、前記処理容器の内部に配置され、基板を加熱する加熱部を備え、前記加熱部は、前記加熱部の内部に形成される貫通孔を有し、前記第１軸部材は前記貫通孔に配置されることが好ましい。第１軸部材は加熱部の貫通孔に配置されるので、第１軸部材は加熱部の熱を直接的に受ける。しかしながら、第１シール部材は処理容器の外部に配置されるので、第１シール部材は加熱部の熱を直接的に受けない。すなわち、第１シール部材を加熱部の熱から好適に保護できる。このため、第１軸部材が比較的に高温であっても、第１シール部材は、劣化すること無く、第１軸部材に適切に密着できる。よって、処理容器の気密性を好適に維持できる。このように、第１軸部材が加熱部の貫通孔に配置される場合には、本基板処理装置の有用性が特に高い。

上述した基板処理装置において、前記第１シールハウジングは前記貫通孔と連通していることが好ましい。貫通孔は、第１シールハウジングの内部と連通している。よって、排気ポートを通じて貫通孔の気体を排出できる。このため、貫通孔の気体を好適に管理できる。

上述の基板処理装置において、前記処理容器は第２開口を有し、前記基板処理装置は、前記第２開口を通じて前記処理容器の内部と前記処理容器の外部とにわたって配置される第２軸部材であって、前記第２軸部材の軸心方向に往復移動する前記第２軸部材を備え、前記第１シールハウジングは、前記第２開口の周囲において前記処理容器と密着し、且つ、前記第２軸部材の一部を収容し、前記基板処理装置は、前記第１シールハウジングの内周面と密着し、且つ、前記第２軸部材と摺動可能に前記第２軸部材の外周面と密着する第２シール部材を備えることが好ましい。

第１シールハウジングは第２軸部材の一部を収容する。第１シールハウジングは第２開口の周囲において処理容器と密着する。さらに、第１シールハウジングは第２シール部材と密着する。第２シール部材は第２軸部材と密着する。このため、処理容器の第１開口および第２開口は、第１シールハウジング、第１シール部材および第２シール部材によって密閉される。よって、処理容器の気密性を好適に高めることができる。さらに、第２軸部材が第２シール部材に対して摺動しても、第２軸部材と第２シール部材との密着は維持される。よって、第２軸部材が往復移動しても、処理容器の気密性を好適に維持できる。

１つの第１シールハウジングが２つの軸部材（すなわち、第１軸部材と第２軸部材）を収容する。１つの第１シールハウジングが２つのシール部材（すなわち、第１シール部材および第２シール部材）と密着する。このため、１つの第１シールハウジング内において、２つの軸封（すなわち、第１軸部材の封止と第２軸部材の封止）を行うことができる。よって、基板処理装置の構造を簡素化できる。

第１シールハウジングは処理容器の外部に配置されるので、第２シール部材も処理容器の外部に配置される。第２シール部材が処理容器の外部に配置されるので、第２シール部材を処理容器内の熱から好適に保護できる。このため、第２シール部材の劣化を好適に防止できる。よって、処理容器の気密性を好適に維持できる。

第１シールハウジング内の気体は、第１排気ポートを通じて、第１シールハウジングの外部に排出される。このため、塵埃や外気などの異物が第１開口または第２開口を通じて処理容器内に流入することを防止できる。よって、処理容器内の雰囲気を好適に管理できる。

上述した基板処理装置において、前記第１シールハウジングは、前記第１開口の周囲および前記第２開口の周囲において前記処理容器と密着する集合部と、記集合部に連通接続される第１筒部と、前記集合部に連通接続される第２筒部と、を備え、前記第１軸部材の一部は、前記集合部および前記第１筒部に収容され、前記第２軸部材の一部は、前記集合部および前記第２筒部に収容され、前記第１シール部材は前記第１筒部の内周面と密着し、前記第２シール部材は前記第２筒部の内周面と密着し、前記第１排気ポートは前記集合部に連通接続されることが好ましい。

第１シールハウジングは第１筒部を備えているので、第１シール部材を第１筒部内に適切に設置できる。第１シールハウジングは第２筒部を備えているので、第２シール部材を第２筒部内に適切に設置できる。第１シールハウジングは集合部を備えているので、集合部の内部と第１筒部の内部と第２筒部の内部を好適に連通させることができる。排気ポートは集合部に連通接続されているので、集合部内の気体と第１筒部内の気体と第２筒部内の気体を、１つの第１排気ポートを通じて排出できる。

上述の基板処理装置において、前記第１筒部は前記集合部から分離可能であり、前記第２筒部は前記集合部から分離可能であることが好ましい。第１筒部が集合部から分離可能であるので、第１筒部と第１シール部材と第１軸部材を一体に集合部から分離できる。このため、第１シール部材を第１筒部および第１軸部材から分離せずに、メンテナンスを行うことができる。よって、第１シール部材の交換頻度を低減できる。同様に、第２筒部が集合部から分離可能であるので、第２筒部と第２シール部材と第２軸部材を一体に集合部から分離できる。このため、第２シール部材を第２筒部および第２軸部材から分離せずに、メンテナンスを行うことができる。よって、第２シール部材の交換頻度を低減できる。

上述の基板処理装置において、前記集合部は、前記第１軸部材と前記第２軸部材との間にわたって前記第１軸部材の前記軸心方向と略直交する方向に延びる第１管部を有することが好ましい。第１管部は第１軸部材の軸心方向と略直交する方向に延びるので、第１管部の長さを比較的に短くすることができる。よって、集合部の構造を簡素化できる。

上述の基板処理装置において、前記第１シールハウジングの近傍に配置される冷却部を備えることが好ましい。冷却部は第１シールハウジングを冷却する。第１シールハウジングは第１シール部材と密着しているので、冷却部は第１シール部材も冷却できる。すなわち、第１シール部材の温度が過度に高温になることを抑制できる。このため、第１シール部材の劣化を好適に防止できる。よって、処理容器の気密性を一層好適に維持できる。

本発明は、基板処理装置であって、第１開口を有し、基板を処理する処理容器と、前記第１開口を通じて前記処理容器の内部と前記処理容器の外部とにわたって配置される第１軸部材であって、前記第１軸部材の軸心方向に往復移動する前記第１軸部材と、前記第１軸部材の往復移動を許容しつつ、前記第１開口を密閉する封止機構と、前記封止機構の近傍に配置される冷却部と、を備え、前記封止機構は、前記処理容器の外部に配置され、前記第１開口の周囲において前記処理容器と密着し、且つ、前記第１軸部材の一部を収容する第１シールハウジングと、前記第１シールハウジングの内周面と密着し、且つ、前記第１軸部材と摺動可能に前記第１軸部材の外周面と密着する第１シール部材と、を備える基板処理装置である。

第１シールハウジングは第１軸部材の一部を収容する。第１シールハウジングは第１開口の周囲において処理容器と密着する。さらに、第１シールハウジングは第１シール部材と密着する。第１シール部材は第１軸部材と密着する。このため、処理容器の第１開口は、第１シールハウジングおよび第１シール部材によって密閉される。よって、処理容器の気密性を好適に高めることができる。さらに、第１軸部材が第１シール部材に対して摺動しても、第１軸部材と第１シール部材との密着は維持される。よって、第１軸部材が往復移動しても、処理容器の気密性を好適に維持できる。

第１シールハウジングは処理容器の外部に配置されるので、第１シール部材も処理容器の外部に配置される。第１シール部材が処理容器の外部に配置されるので、第１シール部材は処理容器内の熱を直接的に受けない。すなわち、第１シール部材を処理容器内の熱から好適に保護できる。このため、第１シール部材の劣化を好適に防止できる。すなわち、第１シール部材のシール機能を好適に維持できる。よって、処理容器の気密性を好適に維持できる。

冷却部は封止機構の近傍に配置されるので、冷却部は第１シールハウジングおよび第１シール部材を冷却できる。すなわち、第１シール部材の温度が過度に高温になることを抑制できる。このため、第１シール部材の劣化を好適に防止できる。よって、処理容器の気密性を一層好適に維持できる。

以上のとおり、本基板処理装置によれば、処理容器の気密性を高めることができる。

上述の基板処理装置において、前記冷却部は前記第１シールハウジングを囲むように配置されることが好ましい。冷却部は前記第１シールハウジングを囲むので、冷却部は第１シールハウジングを広いエリアで冷却できる。よって、冷却部は第１シールハウジングを効果的に冷却できる。

上述した基板処理装置において、前記冷却部は冷却水が流れる冷却流路を含むことが好ましい。冷却部は冷却流路を含むので、第１シールハウジングの熱は冷却水に効率良く伝達される。よって、冷却部は第１シールハウジングを効果的に冷却できる。

上述の基板処理装置において、前記第１シールハウジングは金属製であることが好ましい。第１シールハウジングが金属製であるので、冷却部は第１シールハウジングを効果的に冷却できる。

上述した基板処理装置において、前記第１シール部材は金属製であることが好ましい。第１シール部材が金属製であるので、冷却部は第１シール部材を効果的に冷却できる。さらに、第１シール部材が金属製であるので、第１シール部材は高い耐熱性を有する。このため、第１シール部材は、シール機能を一層好適に維持できる。よって、処理容器の気密性を一層好適に維持できる。

上述の基板処理装置において、前記基板処理装置は、前記処理容器の内部に配置され、基板を加熱する加熱部を備え、前記加熱部は、前記加熱部の内部に形成される貫通孔を有し、前記第１軸部材は前記貫通孔に配置されることが好ましい。第１軸部材は加熱部の貫通孔に配置されるので、第１軸部材は加熱部の熱を直接的に受ける。しかしながら、第１シール部材は処理容器の外部に配置されるので、第１シール部材は加熱部の熱を直接的に受けない。すなわち、第１シール部材を加熱部の熱から好適に保護できる。このため、第１軸部材が比較的に高温であっても、第１シール部材は、劣化すること無く、第１軸部材に適切に密着できる。さらに、冷却部は、第１シール部材と第１軸部材の密着部が過度に高温になることを抑制する。これらのため、第１シール部材の劣化を好適に防止できる。
よって、処理容器の気密性を好適に維持できる。このように、第１軸部材が加熱部の貫通孔に配置される場合には、本基板処理装置の有用性が特に高い。

上述した基板処理装置において、前記処理容器は第２開口を有し、前記基板処理装置は、前記第２開口を通じて前記処理容器の内部と前記処理容器の外部とにわたって配置される第２軸部材であって、前記第２軸部材の軸心方向に往復移動する前記第２軸部材を備え、前記第１シールハウジングは、前記第２開口の周囲において前記処理容器と密着し、且つ、前記第２軸部材の一部を収容し、前記基板処理装置は、前記第１シールハウジングの内周面と密着し、且つ、前記第２軸部材と摺動可能に前記第２軸部材の外周面と密着する第２シール部材を備えることが好ましい。

第１シールハウジングは第２軸部材の一部を収容する。第１シールハウジングは第２開口の周囲において処理容器と密着する。さらに、第１シールハウジングは第２シール部材と密着する。第２シール部材は第２軸部材と密着する。このため、処理容器の第１開口および第２開口は、第１シールハウジング、第１シール部材および第２シール部材によって密閉される。よって、処理容器の気密性を好適に高めることができる。さらに、第２軸部材が第２シール部材に対して摺動しても、第２軸部材と第２シール部材との密着は維持される。よって、第２軸部材が往復移動しても、処理容器の気密性を好適に維持できる。

１つの第１シールハウジングが２つの軸部材（すなわち、第１軸部材と第２軸部材）を収容する。１つの第１シールハウジングが２つのシール部材（すなわち、第１シール部材および第２シール部材）と密着する。このため、１つの第１シールハウジング内において、２つの軸封（すなわち、第１軸部材の封止と第２軸部材の封止）を行うことができる。よって、封止機構の構造を簡素化できる。

第１シールハウジングは処理容器の外部に配置されるので、第２シール部材も処理容器の外部に配置される。第２シール部材が処理容器の外部に配置されるので、第２シール部材を処理容器内の熱から好適に保護できる。このため、第２シール部材の劣化を好適に防止できる。よって、処理容器の気密性を好適に維持できる。

冷却部は封止機構の近傍に配置されるので、冷却部は第２シール部材を冷却できる。すなわち、第２シール部材の温度が過度に高温になることを抑制できる。このため、第２シール部材の劣化を好適に防止できる。よって、処理容器の気密性を一層好適に維持できる。

上述の基板処理装置において、前記第１シールハウジングは、前記第１開口の周囲および前記第２開口の周囲において前記処理容器と密着する集合部と、前記集合部に連通接続される第１筒部と、前記集合部に連通接続される第２筒部と、を備え、前記第１軸部材の一部は、前記集合部および前記第１筒部に収容され、前記第２軸部材の一部は、前記集合部および前記第２筒部に収容され、前記第１シール部材は前記第１筒部の内周面と密着し、前記第２シール部材は前記第２筒部の内周面と密着し、前記冷却部は前記集合部の近傍に配置されることが好ましい。

第１シールハウジングは第１筒部を備えているので、第１シール部材を第１筒部内に適切に設置できる。第１シールハウジングは第２筒部を備えているので、第２シール部材を第２筒部内に適切に設置できる。第１シールハウジングは集合部を備えているので、集合部の内部と第１筒部の内部と第２筒部の内部を好適に連通させることができる。冷却部は集合部の近傍に配置されるので、集合部と第１筒部と第２筒部を好適に冷却できる。

上述した基板処理装置において、前記第１筒部は前記集合部から分離可能であり、前記第２筒部は前記集合部から分離可能であることが好ましい。第１筒部が集合部から分離可能であるので、第１筒部と第１シール部材と第１軸部材を一体に集合部から分離できる。このため、第１シール部材と第１軸部材を分離せずに、メンテナンスを行うことができる。よって、第１シール部材の交換頻度を低減できる。同様に、第２筒部が集合部から分離可能であるので、第２筒部と第２シール部材と第２軸部材を一体に集合部から分離できる。このため、第２シール部材と第２軸部材を分離せずに、メンテナンスを行うことができる。よって、第２シール部材の交換頻度を低減できる。

上述した基板処理装置において、前記集合部は、前記第１軸部材と前記第２軸部材との間にわたって前記第１軸部材の前記軸心方向と略直交する方向に延びる第１管部を有することが好ましい。第１管部は第１軸部材の軸心方向と略直交する方向に延びるので、第１管部の長さを比較的に短くすることができる。よって、集合部の構造を簡素化できる。

なお、本明細書は、次のような基板処理装置に係る発明も開示する。

（１）上述の基板処理装置において、
前記処理容器は第２開口を有し、
前記基板処理装置は、
前記第２開口を通じて前記処理容器の内部と前記処理容器の外部とにわたって配置される第２軸部材であって、前記第２軸部材の軸心方向に往復移動する前記第２軸部材と、
前記処理容器の外部に配置され、前記第２開口の周囲において前記処理容器と密着し、且つ、前記第２軸部材の一部を収容する第２シールハウジングと、
前記第２シールハウジングの内周面と密着し、且つ、前記第２軸部材と摺動可能に前記第２軸部材の外周面と密着する第２シール部材と、
前記第２シールハウジングに連通接続され、前記第２シールハウジング内の気体を排出するための第２排気ポートと、
備える基板処理装置。

前記（１）に記載の基板処理装置によれば、第２シールハウジングは第２軸部材の一部を収容する。第２シールハウジングは第２開口の周囲において処理容器と密着する。さらに、第２シールハウジングは第２シール部材と密着する。第２シール部材は第２軸部材と密着する。このため、処理容器の第２開口は、第２シールハウジングおよび第２シール部材によって密閉される。よって、処理容器の気密性を好適に高めることができる。さらに、第２軸部材が第２シール部材に対して摺動しても、第２軸部材と第２シール部材との密着は維持される。よって、第２軸部材が往復移動しても、処理容器の気密性を好適に維持できる。

さらに、第１シールハウジングは１つのシール部材（すなわち、第１シール部材）と密着する。このため、第１シールハウジングの構造を簡素化できる。第２シールハウジングは１つのシール部材（すなわち、第２シール部材）と密着する。このため、第２シールハウジングの構造を簡素化できる。

第２シールハウジングは処理容器の外部に配置されるので、第２シール部材も処理容器の外部に配置される。第２シール部材が処理容器の外部に配置されるので、第２シール部材を処理容器内の熱から好適に保護できる。このため、第２シール部材の劣化を好適に防止できる。よって、処理容器の気密性を好適に維持できる。

第２シールハウジング内の気体は、第２排気ポートを通じて、第２シールハウジングの外部に排出される。このため、塵埃や外気などの異物が第２開口を通じて処理容器内に流入することを防止できる。よって、処理容器内の雰囲気を好適に管理できる。

（２）上述の基板処理装置において、
前記処理容器は第２開口を有し、
前記基板処理装置は、前記第２開口を通じて前記処理容器の内部と前記処理容器の外部とにわたって配置される第２軸部材であって、前記第２軸部材の軸心方向に往復移動する前記第２軸部材を備え、
前記封止機構は、
前記処理容器の外部に配置され、前記第２開口の周囲において前記処理容器と密着し、且つ、前記第２軸部材の一部を収容する第２シールハウジングと、
前記第２シールハウジングの内周面と密着し、且つ、前記第２軸部材と摺動可能に前記第２軸部材の外周面と密着する第２シール部材と、
備える基板処理装置。

前記（２）に記載の基板処理装置によれば、第２シールハウジングは第２軸部材の一部を収容する。第２シールハウジングは処理容器と密着する。さらに、第２シールハウジングは第２シール部材と密着する。第２シール部材は第２軸部材と密着する。このため、処理容器の第２開口は、第２シールハウジングおよび第２シール部材によって密閉される。よって、処理容器の気密性を好適に高めることができる。さらに、第２軸部材が第２シール部材に対して摺動しても、第２軸部材と第２シール部材との密着は維持される。よって、第２軸部材が往復移動しても、処理容器の気密性を好適に維持できる。

さらに、第１シールハウジングは１つのシール部材（すなわち、第１シール部材）と密着する。このため、第１シールハウジングの構造を簡素化できる。第２シールハウジングは１つのシール部材（すなわち、第２シール部材）と密着する。このため、第２シールハウジングの構造を簡素化できる。

第２シールハウジングは処理容器の外部に配置されるので、第２シール部材も処理容器の外部に配置される。第２シール部材が処理容器の外部に配置されるので、第２シール部材を処理容器内の熱から好適に保護できる。このため、第２シール部材の劣化を好適に防止できる。よって、処理容器の気密性を好適に維持できる。

冷却部は封止機構の近傍に配置されるので、冷却部は第２シールハウジングおよび第２シール部材を冷却できる。すなわち、第２シール部材の温度が過度に高温になることを抑制できる。このため、第２シール部材の劣化を好適に防止できる。よって、処理容器の気密性を一層好適に維持できる。

本発明に係る基板処理装置によれば、処理容器の気密性を高めることができる。

基板処理装置の概略構成を示す図である。 処理容器の一部の分解斜視図である。 処理容器の一部の分解斜視図である。 処理容器内の平面図である。 図４におけるＶ−Ｖ線に沿う断面図である。 加熱部と底板と封止機構とピンの分解斜視図である。 マニホールドの斜視図である。 マニホールドと冷却部の斜視図である。 基板処理装置の動作例の手順を示すフローチャートである。 基板処理装置の要部を模式的に示す図である。 置換工程と加熱工程と冷却工程の手順を例示するタイミングチャートである。 基板の温度および処理容器内の酸素濃度の時間的変化を示すグラフである。 変形実施例に係る基板処理装置の要部の概略構成を示す図である。 変形実施例に係る基板処理装置の要部の概略構成を示す図である。

図面を参照して実施例に係る基板処理装置を説明する。

１．基板処理装置の構成
図１は、基板処理装置の概略構成を示す図である。本実施例に係る基板処理装置１は、基板（例えば、半導体ウエハ）Ｗを処理する。基板処理装置１が行う処理は熱処理である。熱処理は、基板Ｗを加熱する処理と、基板Ｗを冷却する処理を含む。以下、基板処理装置の各部の構成を説明する。

１−１．処理容器と加熱部
基板処理装置１は、基板を処理する処理容器３を備える。処理容器３は１枚の基板Ｗを収容する。処理容器３は、その内部で基板Ｗを熱処理する。

図１−図３を参照する。図２は、処理容器３の一部の分解斜視図である。図２は上方から見た斜視図である。図３は、処理容器３の一部の分解斜視図である。図３は下方から見た斜視図である。

処理容器３は筐体４を備える。筐体４は偏平な略箱形状を有する。筐体４はその前面に搬送口Ａを有する（図２参照）。搬送口Ａは、処理容器３内に基板Ｗを搬入するため、および、処理容器３内から基板Ｗを搬出するための開口である。搬送口Ａは横方向に長い形状を有する。

処理容器３はシャッター５を備える。シャッター５は搬送口Ａを開閉する。シャッター５は筐体４の前部に着脱可能である。シャッター５が筐体４に装着されることによって、搬送口Ａは閉塞される。シャッター５が筐体４から離脱することによって、搬送口Ａは開放される。

筐体４は、その上面に上部開口Ｂを有する（図２参照）。上部開口Ｂは例えば略円形状を有する。

処理容器３は蓋部６を備える。蓋部６は上部開口Ｂを開閉する。蓋部６は筐体４の上部に着脱可能である。蓋部６が筐体４に装着されることによって、上部開口Ｂは閉塞される。蓋部６が筐体４から離脱することによって、上部開口Ｂは開放される。

処理容器３は収容部７を備える。収容部７は筐体４に接続される。具体的には、収容部７は筐体４の下面に接続される。収容部７は例えば略円筒形状を有する。収容部７の内部は筐体４の内部に開放される。すなわち、収容部７の内部は筐体４の内部と連通する。収容部７は筐体４の下面から下方に延びる。収容部７の下端は開放される。収容部７はその下面に下部開口Ｃを有する（図３参照）。下部開口Ｃは例えば略円形状を有する。

処理容器３は底板８を備える。底板８は下部開口Ｃを開閉する。底板８は略水平な板形状を有する。底板８は収容部７の下端に着脱可能である。底板８が収容部７に取り付けられることによって、下部開口Ｃは閉塞される。底板８が収容部７に取り外されることによって、下部開口Ｃは開放される。

基板処理装置１は加熱部１１を備える。加熱部１１は基板Ｗを加熱する。加熱部１１は基板Ｗを比較的に高い温度で加熱可能である。加熱部１１は、例えば、３００度以上で基板Ｗを加熱可能である。さらに、加熱部１１は基板Ｗを加熱する温度を調整する。

加熱部１１は処理容器３内に配置される。加熱部１１は底板８上に載置される。加熱部１１は収容部７の内部に配置される。加熱部１１は略円盤形状を有する。加熱部１１の外径は収容部７の内径よりも僅かに小さい。よって、収容部７と加熱部１１の隙間は十分に小さい。

加熱部１１は略平坦な上面１１ａを有する。加熱部１１の上面１１ａは、筐体４の内部の底面４ｂと略同じ高さ位置に位置する（図１参照）。

加熱部１１は、例えば、温調部とプレート（いずれも不図示）を備えている。温調部は熱を発生する。さらに、温調部は基板Ｗを加熱する温度を調整する。温調部は例えばヒータである。温調部はプレートに取り付けられる。温調部は、例えば、プレートの上部またはプレートの内部に配置される。プレートは基板Ｗを載置する。プレートは、温調部が発した熱をプレート上の基板Ｗに伝達する。プレートは例えば金属製である。

筐体４はその背面に側部排出口Ｄを有する（図３参照）。側部排出口Ｄは処理容器３内の気体を排出するための開口である。側部排出口Ｄは横方向に長い形状を有する。

基板処理装置１は排気ダクト７２を備える。排気ダクト７２は側部排出口Ｄと連通接続される。排気ダクト７２は筐体４の後部に着脱可能である。排気ダクト７２が筐体４に装着されることによって、筐体４は側部排出口Ｄを通じて排気ダクト７２と連通接続する。排気ダクト７２が筐体４から離脱することによって、側部排出口Ｄは開放される。

１−２．シール部材
図１を参照する。基板処理装置１は、シール部材１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃ、１５Ｄを備える。シール部材１５Ａは搬送口Ａを密閉するために用いられる。シール部材１５Ｂは上部開口Ｂを密閉するために用いられる。シール部材１５Ｃは下部開口Ｃを密閉するために用いられる。シール部材１５Ｄは側部排出口Ｄに排気ダクト７２を気密に接続するために用いられる。以下、具体的に説明する。

シール部材１５Ａは筐体４とシャッター５の間に配置される。シール部材１５Ａは搬送口Ａの周囲に配置される。シャッター５はシール部材１５Ａを介して筐体４と密着する。シャッター５が筐体４に密着することによって、搬送口Ａは密閉される。

シール部材１５Ｂは筐体４と蓋部６の間に配置される。シール部材１５Ｂは上部開口Ｂの周囲に配置される。蓋部６はシール部材１５Ｂを介して筐体４と密着する。蓋部６が筐体４に密着することによって、上部開口Ｂは密閉される。

シール部材１５Ｃは収容部７と底板８の間に配置される。シール部材１５Ｃは下部開口Ｃの周囲に配置される。底板８はシール部材１５Ｃを介して収容部７と密着する。底板８が収容部７に密着することによって、下部開口Ｃは密閉される。

シール部材１５Ｄは筐体４と排気ダクト７２の間に配置される。シール部材１５Ｄは側部排出口Ｄの周囲に配置される。排気ダクト７２はシール部材１５Ｄを介して筐体４と密着する。排気ダクト７２が筐体４に密着することによって、排気ダクト７２は側部排出口Ｄと気密に連通接続する。

以下では、シール部材１５Ａ−１５Ｄを特に区別しない場合には、「シール部材１５」と適宜にと呼ぶ。シール部材１５は環形状を有する。シール部材１５は例えば合成樹脂製である。シール部材１５は例えばＯリングである。

シール部材１５Ａは筐体４またはシャッター５に形成された溝（例えば、アリ溝）に配置されることが好ましい。これによれば、シール部材１５Ａの脱落を好適に防止できる。シール部材１５Ｂは筐体４または蓋部６に形成された溝（例えば、アリ溝）に配置されることが好ましい。これによれば、シール部材１５Ｂの脱落を好適に防止できる。シール部材１５Ｃは収容部７または底板８に形成された溝（例えば、アリ溝）に配置されることが好ましい。これによれば、シール部材１５Ｃの脱落を好適に防止できる。シール部材１５Ｄは筐体４または排気ダクト７２に形成された溝（例えば、アリ溝）に配置されることが好ましい。これによれば、シール部材１５Ａの脱落を好適に防止できる。

１−３．冷却部
基板処理装置１は、冷却部１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ、１６Ｄを備える。冷却部１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ、１６Ｄはそれぞれ、シール部材１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃ、１５Ｄを冷却する。

冷却部１６Ａは冷却水を流すための通路である。以下、冷却部１６Ａを適宜に「冷却流路１６Ａ」と呼ぶ。冷却流路１６Ａはシール部材１５Ａの近傍に配置される。冷却流路１６Ａは搬送口Ａの周囲に配置される。例えば、冷却流路１６Ａは筐体４の内部に形成される。冷却流路１６Ａは筐体４の前部に配置される。冷却流路１６Ａは、筐体４を介してシール部材１５Ａと熱的に接続される。シール部材１５Ａの熱は冷却流路１６Ａを流れる冷却水に伝達される。これにより、シール部材１５Ａが冷却される。すなわち、シール部材１５Ａが過度に高温になることが抑制される。

冷却部１６Ｂは冷却水を流すための配管である。以下、冷却部１６Ｂを適宜に「冷却管１６Ｂ」と呼ぶ。冷却管１６Ｂはシール部材１５Ｂの近傍に配置される。冷却管１６Ｂは上部開口Ｂの周囲に配置される。例えば、冷却管１６Ｂは筐体４の上部の近傍に配置される。例えば、冷却管１６Ｂは、筐体４を介してシール部材１５Ｂと熱的に接続される。シール部材１５Ｂの熱は冷却管１６Ｂ内を流れる冷却水に伝達される。これにより、シール部材１５Ｂが冷却される。

冷却部１６Ｃは冷却水を流すための配管である。以下、冷却部１６Ｃを適宜に「冷却管１６Ｃ」と呼ぶ。冷却管１６Ｃはシール部材１５Ｃの近傍に配置される。冷却管１６Ｃは下部開口Ｃの周囲に配置される。例えば、冷却管１６Ｃは収容部７の下端の近傍に配置される。例えば、冷却管１６Ｃは、収容部７を介してシール部材１５Ｃと熱的に接続される。シール部材１５Ｃの熱は冷却管１６Ｃ内を流れる冷却水に伝達される。これにより、シール部材１５Ｃが冷却される。

冷却部１６Ｄは冷却水を流すための通路である。以下、冷却部１６Ｄを適宜に「冷却流路１６Ｄ」と呼ぶ。冷却流路１６Ｄはシール部材１５Ｄの近傍に配置される。冷却流路１６Ｄは側部排出口Ｄの周囲に配置される。例えば、冷却流路１６Ｄは筐体４の内部に形成される。冷却流路１６Ｄは筐体４の後部に配置される。冷却流路１６Ｄは、筐体４を介してシール部材１５Ｄと熱的に接続される。シール部材１５Ｄの熱は冷却流路１６Ｄを流れる冷却水に伝達される。これにより、シール部材１５Ｄが冷却される。

図２を参照する。冷却流路１６Ａは第１端１６Ａ１と第２端１６Ａ２を有する。第１端１６Ａ１と第２端１６Ａ２はそれぞれ、筐体４に形成される。第１端１６Ａ１は、不図示の冷却水供給部（不図示）と接続される。冷却水供給部は冷却流路１６Ａに冷却水を供給する。第２端１６Ａ２は、不図示の冷却水排出部と接続される。冷却水排出部は冷却流路１６Ａから排出された冷却水を受ける。

冷却流路１６Ｄは第１端１６Ｄ１と第２端１６Ｄ２を有する。第１端１６Ｄ１と第２端１６Ｄ２はそれぞれ、筐体４に形成される。第１端１６Ｄ１は、不図示の冷却水供給部（不図示）と接続される。冷却水供給部は冷却流路１６Ｄに冷却水を供給する。第２端１６Ｄ２は、不図示の冷却水排出部と接続される。冷却水排出部は冷却流路１６Ｄから排出された冷却水を受ける。

１−４．シャッター駆動機構
図１を参照する。基板処理装置１はシャッター駆動機構２１を備える。シャッター駆動機構２１は、シャッター５を移動させることによって、シャッター５を筐体４に着脱させる。シャッター駆動機構２１は処理容器３の外部に配置される。シャッター駆動機構２１は例えばエアシリンダを含む。

１−５．基板移動機構
基板処理装置１は基板移動機構２３を備える。基板移動機構２３は、加熱位置ＰＨと冷却位置ＰＣとにわたって基板Ｗを移動させる。

図１は、加熱位置ＰＨにある基板Ｗを実線で示す。図１は、冷却位置ＰＣにある基板Ｗを点線で示す。加熱位置ＰＨは加熱部１１に接触する基板Ｗの位置である。具体的には、加熱位置ＰＨは加熱部１１上に載置される基板Ｗの位置である。基板Ｗが加熱位置ＰＨにあるとき、基板Ｗの下面は加熱部１１の上面１１ａと接触する。冷却位置ＰＣは加熱位置ＰＨに比べて加熱部１１から遠い基板Ｗの位置である。具体的には、冷却位置ＰＣは加熱位置ＰＨの上方の位置である。基板Ｗが冷却位置ＰＣにあるとき、基板Ｗは加熱部１１と接触しない。なお、加熱位置ＰＨおよび冷却位置ＰＣはいずれも、処理容器３内における基板Ｗの位置である。基板Ｗが加熱位置ＰＨおよび冷却位置ＰＣのいずれにあるときも、基板Ｗは略水平姿勢である。

図１、図４を参照する。図４は、処理容器３内の平面図である。基板移動機構２３は、ピン２４ａ、２４ｂ、２４ｃを備える。図１は、ピン２４ｃの図示を省略する。ピン２４ａ、２４ｂ、２４ｃが１枚の基板Ｗの下面と接触する。これにより、ピン２４ａ、２４ｂ、２４ｃが１枚の基板Ｗを支持する。

ピン２４ａ、２４ｂ、２４ｃを区別しない場合には、「ピン２４」と呼ぶ。ピン２４は細長い棒形状を有する。具体的には、ピンは円柱形状を有する。ピン２４は直線的に延びた形状を有する。

図５を参照する。図５は、図４におけるＶ−Ｖ線に沿う断面図である。ピン２４は処理容器３を貫通する。処理容器３は開口９ａ、９ｂ、９ｃを有する。開口９ａ、９ｂ、９ｃを区別しない場合には、「開口９」と呼ぶ。各開口９は底板８に形成される。ピン２４ａは開口９ａに配置される。ピン２４ｂは開口９ｂに配置される。ピン２４ｃは開口９ｃに配置される。各ピン２４はそれぞれ、各開口９を通じて、処理容器３の内部と処理容器３の外部にわたって配置される。各ピン２４は、処理容器３の内部に位置する先端部を有する。各ピン２４は、処理容器３の外部に位置する基端部を有する。各ピン２４の基端部は、処理容器の下方に位置する（図１参照）。

ピン２４はそれぞれ、略鉛直方向に延びるように配置される。ピン２４ａ、２４ｂ、２４ｃの軸心Ｃａ、Ｃｂ、Ｃｃは互いに平行である。軸心Ｃａ、Ｃｂ、Ｃｃを区別しない場合には、「軸心Ｃ」と呼ぶ。ピン２４の軸心Ｃは略鉛直方向と平行である。

開口９と、その開口９に配置されるピン２４との間には、隙間が形成される。具体的には、開口９ａとピン２４ａの間、開口９ｂとピン２４ｂの間、および、開口９ｃとピン２４ｃの間にはそれぞれ、隙間が形成される。隙間は、開口９の内周面とピン２４の外周面とによって区画される。隙間は環形状を有する。

ピン２４は加熱部１１を貫通する。加熱部１１は、ピン孔１２ａ、１２ｂ、１２ｃを有する。ピン孔１２ａ、１２ｂ、１２ｃを区別しない場合には、「ピン孔１２」と呼ぶ。ピン孔１２は加熱部１１の内部に形成される。ピン孔１２は加熱部１１の下面から加熱部１１の上面１１ａにわたって形成される。ピン孔１２ａ、１２ｂ、１２ｃはそれぞれ、開口９ａ、９ｂ、９ｃと連通する。ピン孔１２は、加熱部１１の上方に開放される。ピン２４ａはピン孔１２ａに配置される。ピン２４ｂはピン孔１２ｂに配置される。ピン２４ｃはピン孔１２ｃに配置される。

ピン孔１２と、そのピン孔１２に配置されるピン２４との間には、隙間が形成される。隙間は、ピン孔１２の内周面とピン２４の外周面とによって区画される。隙間は環形状を有する。ピン孔１２とピン２４の隙間は、開口９とピン２４の隙間と連通する。

開口９ａ、９ｂ、９ｃの１つが、本発明における第１開口の例である。開口９ａ、９ｂ、９ｃの他の１つが、本発明における第２開口の例である。ピン孔１２は、本発明における貫通孔の例である。ピン２４ａ、２４ｂ、２４ｃの１つが、本発明における第１軸部材の例である。ピン２４ａ、２４ｂ、２４ｃの他の１つが、本発明における第２軸部材の例である。

図１を参照する。基板移動機構２３はピン駆動機構２５を備える。ピン駆動機構２５は処理容器３の外部に配置される。ピン駆動機構２５は各ピン２４の基端部と接続する。ピン駆動機構２５はピン２４を昇降させる。ピン駆動機構２５は例えばエアシリンダを含む。

ピン駆動機構２５によって、ピン２４は、ピン２４の軸心Ｃの方向に往復移動する。ピン２４は上方位置と下方位置との間で移動する。

ピン２４が上方位置にあるとき、ピン２４の先端部は加熱部１１の上面１１ａより高い。ピン２４が上方位置にあるとき、ピン２４の先端部が基板Ｗの下面と接触する。ピン２４が上方位置にあるとき、ピン２４は基板Ｗを冷却位置ＰＣで支持する。

ピン２４が下方位置にあるとき、ピン２４の先端部は加熱部１１の上面１１ａと同じ高さであるか、または、加熱部１１の上面１１ａより低い。ピン２４が下方位置にあるとき、ピン２４の先端部は基板Ｗと接触してもよいし、接触しなくてもよい。ピン２４が下方位置にあるとき、基板Ｗは加熱位置ＰＨに位置する。

ピン２４が上方位置と下方位置との間で移動することによって、基板Ｗは冷却位置ＰＣと加熱位置ＰＨとの間で移動する。

１−６．封止機構
基板処理装置１は封止機構３１を備える。封止機構３１は、各ピン２４の往復移動を許容しつつ、各開口９を密閉する。厳密に言えば、封止機構３１は、開口９ａとピン２４ａとの隙間、開口９ｂとピン２４ｂとの隙間、および、開口９ｃとピン２４ｃとの隙間をそれぞれ密閉する。

封止機構３１は処理容器３の外部に配置される。封止機構３１は処理容器３の下方に配置される。封止機構３１は、ピン２４の基端部よりも高い位置に配置される。

図６を参照する。図６は、加熱部１１と底板８と封止機構３１とピン２４の分解斜視図である。加熱部１１は底板８の上面に載置される。封止機構３１は底板８の下面に接続される。ピン２４は、封止機構３１と底板８と加熱部１１を貫通する。

封止機構３１は、マニホールド３２と軸封部３７ａ、３７ｂ、３７ｃを備える。軸封部３７ａ、３７ｂ、３７ｃを区別しない場合には、「軸封部３７」と呼ぶ。マニホールド３２は底板８に装着される。軸封部３７はマニホールド３２に接続される。

マニホールド３２は底板８から分離可能である。軸封部３７はマニホールド３２から分離可能である。マニホールド３２と軸封部３７はそれぞれ、金属製である。

図７は、マニホールド３２の斜視図である。マニホールド３２は集合部３３を有する。集合部３３は平面視において略環形状を有する。より具体的には、集合部３３は平面視において略三角環形状を有する。

集合部３３は、開口３４ａ、３４ｂ、３４ｃを有する。開口３４ａ、３４ｂ、３４ｃを区別しない場合には、「開口３４」と呼ぶ。開口３４は、集合部３３の上面３３ａに形成される。集合部３３の上面３３ａは略平坦である。開口３４ａ、３４ｂ、３４ｃは平面視において開口９ａ、９ｂ、９ｃと同じ位置に配置される。ピン２４ａは開口３４ａに配置される。ピン２４ｂは開口３４ｂに配置される。ピン２４ｃは開口３４ｃに配置される。

図５を参照する。集合部３３は、その内部に１つの空間Ｅを有する。空間Ｅは開口３４と連通する。

図７を参照する。集合部３３は、管部３５ａ、３５ｂ、３５ｃを有する。管部３５ａ、３５ｂ、３５ｃは互いにリング状に連通接続する。管部３５ａ、３５ｂ、３５ｃを区別しない場合には、「管部３５」と呼ぶ。管部３５は直線的に延びる。幹部３５は例えば角管である。

管部３５ａは、開口３４ａと開口３４ｂとの間にわたって延びる。すなわち、管部３５ａは、ピン２４ａとピン２４ｂとの間にわたって延びる。同様に、管部３５ｂは、開口３４ｂと開口３４ｃとの間にわたって延びる。すなわち、管部３５ｂは、ピン２４ｂとピン２４ｃとの間にわたって延びる。管部３５ｃは、開口３４ｃと開口３４ａとの間にわたって延びる。すなわち、管部３５ｃは、ピン２４ｃとピン２４ａとの間にわたって延びる。管部３５はそれぞれ略水平方向に延びる。すなわち、管部３５はピン２４の軸心Ｃと略直交する方向に延びる。

マニホールド３２は、継ぎ手３６ａ、３６ｂ、３６ｃを有する。継ぎ手３６ａ、３６ｂ、３６ｃはそれぞれ、軸封部３７ａ、３７ｂ、３７ｃと接合する。継ぎ手３６ａ、３６ｂ、３６ｃを区別しない場合には、「継ぎ手３６」と呼ぶ。継ぎ手３６は例えばフランジ形状を有する。継ぎ手３６は集合部３３に連通接続される。継ぎ手３６は集合部３３の下面に接続される。継ぎ手３６は集合部３３から下方に延びる。

図５を参照する。軸封部３７ａは、１つの筒部３８ａと１つの継ぎ手３９ａとシール部材４３ａを備える。軸封部３７ｂは、１つの筒部３８ｂと１つの継ぎ手３９ｂとシール部材４３ｂを備える。軸封部３７ｃは、１つの筒部３８ｃと１つの継ぎ手３９ｃとシール部材４３ｃを備える。

筒部３８ａ、３８ｂ、３８ｃを区別しない場合には、「筒部３８」と呼ぶ。筒部３８は略円筒形状を有する。筒部３８の両端はそれぞれ開放される。

継ぎ手３９ａ、３９ｂ、３９ｃを区別しない場合には、「継ぎ手３９」と呼ぶ。継ぎ手３９は筒部３８の上端に接続される。継ぎ手３９は例えばフランジ形状を有する。

シール部材４３ａ、４３ｂ、４３ｃを区別しない場合には、「シール部材４３」と呼ぶ。
シール部材４３は金属製である。シール部材４３は円環形状を有する。シール部材４３は筒部３８の内周面と密着する。具体的には、シール部材４３の外周縁は、筒部３８の内周面と密着する。シール部材４３は中央に開口を有する。シール部材４３ａの開口にはピン２４ａが配置される。シール部材４３ｂの開口にはピン２４ｂが配置される。シール部材４３ｃの開口にはピン２４ｃが配置される。

シール部材４３は、ピン２４と摺動可能にピン２４の外周面と密着する。具体的には、シール部材４３の内周縁がピン２４の外周面と密着する。ピン２４の外周面はシール部材４３に対して摺動可能である。ピン２４が軸心Ｃの方向に往復移動するとき、ピン２４はシール部材４３に対して摺動する。ピン２４がシール部材４３に対して摺動しても、シール部材４３とピン２４の密着は維持される。

上述のように、シール部材４３ａ、４３ｂ、４３ｃはそれぞれ、ピン２４ａ、２４ｂ、２４ｃを封止する。その結果、シール部材４３ａは、軸封部３７ａの内部を空間Ｆａ、Ｇａに遮断する。空間Ｆａはシール部材４３ａの上方の空間である。空間Ｇａはシール部材４３ａの下方の空間である。空間Ｆａと空間Ｇａとは相互に連通していない。同様に、シール部材４３ｂは、軸封部３７ｂの内部を空間Ｆｂ、Ｇｂに遮断する。空間Ｆｂと空間Ｇｂとは相互に連通していない。シール部材４３ｃは、軸封部３７ｃの内部を空間Ｆｃ、Ｇｃに遮断する。空間Ｆｃと空間Ｇｃとは相互に連通していない。

空間Ｇａ、Ｇｂ、Ｇｃはそれぞれ、処理容器３および封止機構３１の外部に開放される。したがって、空間Ｆａ、Ｆｂ、Ｆｃはいずれも、外気から遮断される。

封止機構３１は、シール部材４５ａ、４５ｂ、４５ｃを備える。シール部材４５ａ、４５ｂ、４５ｃは、処理容器３とマニホールド３２を密着させる。具体的には、シール部材４５ａ、４５ｂ、４５ｃは、底板８の下面と集合部３３の上面３３ａを密着させる。

シール部材４５ａ、４５ｂ、４５ｃを区別しない場合には、「シール部材４５」と呼ぶ。シール部材４５は環形状を有する。シール部材４５は例えば合成樹脂製である。シール部材４５は例えばＯリングである。

シール部材４５は、底板８の下面と集合部３３の上面３３ａの間に配置される。シール部材４５ａは開口９ａの周囲に配置される。シール部材４５ｂは開口９ｂの周囲に配置される。シール部材４５ｃは開口９ｃの周囲に配置される。集合部３３は、開口９ａの周囲、開口９ｂの周囲、および、開口９ｃの周囲において底板８と密着する。より詳しくは、集合部３３は、開口９ａの周囲における底板８の部位、開口９ｂの周囲における底板８の部位、および、開口９ｃの周囲における底板８の部位と密着する。

シール部材４５は、底板８または集合部３３に形成された溝（例えば、アリ溝）に配置されることが好ましい。これによれば、シール部材４５の脱落を好適に防止できる。

集合部３３と底板８との密着により、開口９ａ、９ｂ、９ｃはそれぞれ、開口３４ａ、３４ｂ、３４ｃと連通する。よって、開口９は集合部３３の内部（すなわち、空間Ｅ）と連通する。ピン孔１２は開口９を通じて空間Ｅと連通する。すなわち、処理容器３の内部は空間Ｅと連通する。

封止機構３１は、シール部材４６ａ、４６ｂ、４６ｃを備える。シール部材４６ａは、マニホールド３２と軸封部３７ａを密着させる。シール部材４６ｂは、マニホールド３２と軸封部３７ｂを密着させる。シール部材４６ｃは、マニホールド３２と軸封部３７ｃを密着させる。

シール部材４６ａ、４６ｂ、４６ｃを区別しない場合には、「シール部材４６」と呼ぶ。シール部材４６は環形状を有する。シール部材４６は例えば合成樹脂製である。シール部材４６は例えばＯリングである。

シール部材４６ａは継ぎ手３６ａと継ぎ手３９ａの間に配置される。継ぎ手３６ａは、シール部材４６ａを介して継ぎ手３９ａと密着する。これにより、筒部３８ａは集合部３３に連通接続される。シール部材４６ｂは継ぎ手３６ｂと継ぎ手３９ｂの間に配置される。継ぎ手３６ｂは、シール部材４６ｂを介して継ぎ手３９ｂが密着する。これにより、筒部３８ｂは集合部３３に連通接続される。シール部材４６ｃは継ぎ手３６ｃと継ぎ手３９ｃの間に配置される。継ぎ手３６ｃは、シール部材４６ｃを介して継ぎ手３９ｃが密着する。これにより、筒部３８ｃは集合部３３に連通接続される。これらの結果、空間Ｅは、空間Ｆａ、Ｆｂ、Ｆｃと連通する。

シール部材４６は、継ぎ手３６または継ぎ手３９に形成された溝（例えば、アリ溝）に配置されることが好ましい。これによれば、シール部材４６の脱落を好適に防止できる。

ここで、マニホールド３２の全部と軸封部３７の一部（すなわち、筒部３８と継ぎ手３９）を、「シールハウジング４０」と呼ぶ。空間Ｅ、Ｆａ、Ｆｂ、Ｆｃの全体がシールハウジング４０の内部に相当する。シールハウジング４０は、開口９の周囲において処理容器３と密着し、且つ、ピン２４の一部を収容する。

厳密には、集合部３３と継ぎ手３６ａと筒部３８ａと継ぎ手３９ａは、ピン２４ａの一部を収容する。集合部３３と継ぎ手３６ｂと筒部３８ｂと継ぎ手３９ｂは、ピン２４ｂの一部を収容する。集合部３３と継ぎ手３６ｃと筒部３８ｃと継ぎ手３９ｃは、ピン２４ｃの一部を収容する。

上述したとおり、開口９は空間Ｅと連通する。空間Ｅは空間Ｆａ、Ｆｂ、Ｆｃと連通する。空間Ｆａ、Ｆｂ、Ｆｃはいずれも、外気から遮断される。よって、空間Ｅおよび開口９も外気から遮断される。すなわち、開口９は密閉される。

管部３５ａ、３５ｂ、３５ｃの１つが、本発明における第１管部の例である。筒部３８ａ、３８ｂ、３８ｃの１つが、本発明における第１筒部の例である。筒部３８ａ、３８ｂ、３８の他の１つが、本発明における第２筒部の例である。シールハウジング４０は、本発明における第１シールハウジングの例である。シール部材４３ａ、４３ｂ、４３ｃの１つが、本発明における第１シール部材の例である。シール部材４３ａ、４３ｂ、４３ｃの他の１つが、本発明における第２シール部材の例である。

１−７．封止機構３１の冷却
図１を参照する。基板処理装置１は冷却部４７を備える。冷却部４７は、冷却水を流すための配管である。以下、冷却部４７を適宜に「冷却管４７」と呼ぶ。冷却管４７は、冷却水が流れる冷却流路を有する。冷却流路は、冷却管４７の内部に形成される。

冷却管４７は封止機構３１の近傍に配置される。冷却管４７は封止機構３１の側方に配置される。冷却管４７は封止機構３１を囲むように配置される。

冷却管４７はシールハウジング４０の近傍に配置される。冷却管４７はシールハウジング４０の側方に配置される。冷却管４７はシールハウジング４０を囲むように配置される。

図８はマニホールド３２と冷却部４７の斜視図である。冷却管４７は、集合部３３の近傍に配置される。冷却管４７は、集合部３３の側方に配置される。冷却管４７は、集合部３３を囲むように配置される。冷却管４７は、管部３５の近傍に配置される。冷却管４７は、管部３５に沿って配置される。

封止機構３１の熱は、冷却管４７内の冷却水に伝達される。すなわち、冷却管４７は封止機構３１を冷却する。封止機構３１はピン２４と密着する。よって、ピン２４の熱は、封止機構３１を通じて冷却管４７内の冷却水に伝達される。すなわち、冷却管４７はピン２４も冷却する。

冷却部４７は、本発明における冷却部の例である。

１−８．上部供給部５１
基板処理装置１は上部供給部５１を備える。上部供給部５１は処理容器３内に非酸化性ガスを供給する。上部供給部５１は冷却位置ＰＣよりも高い位置から非酸化性ガスを吹き出す。非酸化性ガスは例えば不活性ガスである。不活性ガスは例えば窒素ガスやアルゴンガスである。

上部供給部５１は、配管５２と供給ポート５３と開閉弁５４と流量調整部５５を備える。配管５２の一端は非酸化性ガス供給源６９に接続される。非酸化性ガス供給源６９は非酸化性ガスを供給する。配管５２の他端は供給ポート５３に接続される。供給ポート５３は蓋部６に取り付けられている。供給ポート５３は処理容器３の内部と連通する。開閉弁５４と流量調整部５５はそれぞれ配管５２上に設けられる。開閉弁５４は配管５２内の流路を開閉する。流量調整部５５は配管５２を流れる非酸化性ガスの流量を調整する。流量調整部５５は、例えば、ニードル弁またはマスフローメータの少なくともいずれかを含む。

上部供給部５１は整流板５６を備える。整流板５６は処理容器３内に配置される。整流板５６は上部開口Ｂに配置される。整流板５６は蓋部６の下方に配置される。整流板５６は冷却位置ＰＣの上方に配置される。整流板５６は略水平な板形状を有する。整流板５６は複数の小孔５６ａを有する。小孔５６ａは整流板５６を鉛直方向に貫通する。小孔５６ａは本発明における上部供給口の例である。

ここで、蓋部６と整流板５６によって区画される空間を「導入室Ｓ１」と呼ぶ。筐体４とシャッター５と整流板５６と加熱部１１とによって区画される空間を「処理室Ｓ２」と呼ぶ。導入室Ｓ１は、整流板５６の上方に位置する。処理室Ｓ２は、整流板５６の下方に位置する。導入室Ｓ１と処理室Ｓ２は小孔５６ａを通じて互いに連通している。なお、導入室Ｓ１および処理室Ｓ２はいずれも、処理容器３内の空間である。導入室Ｓ１および処理室Ｓ２は、処理容器３の内部の一部である。

開閉弁５４が開くことによって、非酸化性ガスは非酸化性ガス供給源６９から配管５２および供給ポート５３を通じて導入室Ｓ１に流入する。さらに、非酸化性ガスは、導入室Ｓ１から整流板５６の小孔５６ａを通じて処理室Ｓ２に流れる。小孔５６ａは、非酸化性ガスを下方に吹き出す。流量調整部５５は、供給ポート５３を通じて処理容器３に供給する非酸化性ガスの供給量を調整する。開閉弁５４が閉じることによって、上部供給部５１は非酸化性ガスの供給を停止する。開閉弁５４が閉じることによって、供給ポート５３は密閉される。

１−９．下部供給部６１
基板処理装置１は下部供給部６１を備える。下部供給部６１は処理容器３内に非酸化性ガスを供給する。下部供給部６１は冷却位置ＰＣよりも低い位置から非酸化性ガスを吹き出す。

下部供給部６１は配管６２とポート６３と開閉弁６４と流量調整部６５を備える。配管６２の一端は非酸化性ガス供給源６９に接続される。配管６２の他端はポート６３に接続される。ポート６３は底板８に取り付けられている。ポート６３は処理容器３の内部と連通する。開閉弁６４と流量調整部６５はそれぞれ配管６２上に設けられる。開閉弁６４は配管６２内の流路を開閉する。流量調整部６５は配管６２を流れる非酸化性ガスの流量を調整する。流量調整部６５は、例えば、ニードル弁またはマスフローメータの少なくともいずれかを含む。

ポート６３はガス流通孔１４に連通接続される。ガス流通孔１４は加熱部１１の内部に形成された貫通孔である。ガス流通孔１４は加熱部１１の上面１１ａに達する。ガス流通孔１４は加熱部１１の上方に開放される。

開閉弁６４が開くことによって、非酸化性ガスは非酸化性ガス供給源６９から配管６２およびポート６３を通じて処理容器３内に流入する。さらに、非酸化性ガスはガス流通孔１４を通じて処理室Ｓ２に流れる。ガス流通孔１４は、非酸化性ガスを上方に吹き出す。流量調整部６５は、ポート６３を通じて処理容器３に供給する非酸化性ガスの供給量を調整する。開閉弁６４が閉じることによって、下部供給部６１は非酸化性ガスの供給を停止する。開閉弁６４が閉じることによって、ポート６３は密閉される。

１−１０．側部排出部７１
基板処理装置１は側部排出部７１を備える。側部排出部７１は処理容器３内の気体を処理容器３の外部に排出する。側部排出部７１は冷却位置ＰＣの側方の位置を通じて気体を排出する。

側部排出部７１は上述した排気ダクト７２を備える。排気ダクト７２は側部排出口Ｄに気密に連通接続する。側部排出部７１は、さらに、排気管７３と開閉弁７４と排気機構７５を備える。排気管７３は、排気ダクト７２に連通接続される第１端を有する。開閉弁７４は排気管７３上に設けられる。排気管７３は、排気機構７５に連通接続される第２端を有する。排気機構７５は、気体を吸引し、排出する。排気機構７５は、気体の排出量を調整可能である。より具体的には、排気機構７５は、気体の流量または気体の吸引圧を調整することによって、気体の排出量を調整可能である。排気機構７５は、例えば真空ポンプ、排気ブロアまたはエジェクタである。

開閉弁７４が開放し、且つ、排気機構７５が駆動することによって、処理容器３内の気体は側部排出口Ｄを通じて処理容器３の外部に排出される。これにより、処理室Ｓ２の気体が円滑に排出される。さらに、排気機構７５は、側部排出口Ｄを通じて処理容器３から排出する気体の排出量を調整する。排気機構７５の駆動が停止することによって、側部排出部７１は気体の排出を停止する。開閉弁７４が閉じることによって、側部排出口Ｄは密閉される。

１−１１．下部排出部８１
基板処理装置１は下部排出部８１を備える。下部排出部８１はシールハウジング４０内の気体を排出する。下部排出部８１はさらに、処理容器３内の気体を排出する。下部排出部８１は冷却位置ＰＣよりも低い位置を通じて処理容器３から気体を排出する。

下部排出部８１は、配管８２と排気ポート８３と開閉弁８４と排気機構８５を備える。配管８２の一端は排気ポート８３に接続される。

図１、７を参照する。排気ポート８３はシールハウジング４０に連通接続される。具体的には、排気ポート８３は集合部３３に連通接続される。より具体的には、排気ポート８３は管部３５ａに連通接続される。

図５を参照する。排気ポート８３はシールハウジング４０の内部（すなわち、空間Ｅ、Ｆａ、Ｆｂ、Ｆｃ）と連通する。排気ポート８３はさらに、開口９およびピン孔１２と連通する。すなわち、排気ポート８３は、処理容器３の内部と連通する。なお、図５における排気ポート８３の位置は、図示の便宜上、他の図における排気ポート８３の位置と異なる。

図１を参照する。開閉弁８４は配管８２上に設けられる。開閉弁８４は配管８２内の流路を開閉する。排気機構８５は配管８２の他端と連通接続される。排気機構８５は気体を吸引し、排出する。排気機構８５は気体の排出量を調整可能である。より具体的には、排気機構８５は、気体の流量または気体の吸引圧を調整することによって、気体の排出量を調整可能である。排気機構８５は、例えば真空ポンプ、排気ブロアまたはエジェクタである。

開閉弁８４が開放し、且つ、排気機構８５が駆動することによって、シールハウジング４０内の気体と処理容器３内の気体は、排出される。具体的は、空間Ｆａ、Ｆｂ、Ｆｃの気体は、空間Ｅに流れる。処理容器３内の気体は、ピン孔１２と開口９を通じて空間Ｅに流れる。空間Ｅの気体は、排気ポート８３を通じて配管８２に流れる。これにより、シールハウジング４０内の気体と処理容器３内の気体は、シールハウジング４０および処理容器３の外部に排出される。排気機構８５は、排気ポート８３を通じて処理容器３から排出する気体の排出量を調整する。排気機構８５の駆動が停止すると、下部排出部６１は気体の排出を停止する。開閉弁６４が閉じると、排気ポート６３は密閉される。

排気ポート８３は、本発明における第１排気ポートの例である。

１−１２．センサ９１、９３
基板処理装置１は圧力センサ９１と酸素濃度センサ９３を備える。圧力センサ９１は処理容器３内の気体の圧力を検出する。酸素濃度センサ９３は処理容器３内の酸素濃度を検出する。酸素濃度センサ９３は、例えば、ガルバニ電池式酸素センサまたはジルコニア式酸素センサである。

１−１３．制御部９５
基板処理装置１は制御部９５を備える。制御部９５は、加熱部１１とシャッター駆動機構２１とピン駆動機構２５と開閉弁５４、６４、７４、８４と流量調整部５５、６５と排気機構７５、８５と圧力センサ９１と酸素濃度センサ９３と通信可能に接続されている。制御部９５は、圧力センサ９１の検出結果と酸素濃度センサ９３の検出結果を受信する。制御部９５は、加熱部１１とシャッター駆動機構２１とピン駆動機構２５と開閉弁５４、６４、７４、８４と流量調整部５５、６５と排気機構７５、８５を制御する。制御部９５は、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）、固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。記憶媒体には、基板Ｗを処理するための処理レシピ（処理プログラム）や、酸素濃度の基準値など各種情報を記憶されている。

２．動作
次に、実施例に係る基板処理装置１の動作例を説明する。
本動作例では、基板処理装置１は、自己組織化材料が塗布された基板（例えば、半導体ウエハ）Ｗに熱処理を行う。基板処理装置１は、基板Ｗを加熱することによって、自己組織化材料を相分離させる。相分離した自己組織化材料は規則性の高い構造を有する。さらに、基板処理装置１は、基板Ｗを冷却することによって、相分離した自己組織化材料の構造を劣化や崩壊から保護する。

図９は、基板処理装置１の動作例の手順を示すフローチャートである。基板処理装置１の動作例は、搬入工程（ステップＳ１）と密閉工程（ステップＳ２）と置換工程（ステップＳ３）と加熱工程（ステップＳ４）と冷却工程（ステップＳ５）と開放工程（ステップＳ６）と搬出工程（ステップＳ７）を含む。

搬入工程から搬出工程までの全期間にわたって、下部排出部８１は気体を排出する動作を実行する。さらに、搬入工程から搬出工程までの全期間にわたって、冷却水は冷却部１６Ａ−１６Ｄ、４７を流れる。

以下、各工程を説明する。以下の動作例において、各部材は、制御部９５による制御に従って動作する。

＜ステップＳ１＞ 搬入工程
シャッター駆動機構２１がシャッター５を筐体４から離脱させる。これにより、搬送口Ａが開放される。不図示の基板搬送機構が基板Ｗを処理容器３内に搬入する。具体的は、基板搬送機構が基板Ｗを水平姿勢で保持し、搬送口Ａを通じて処理容器３の内部に進入する。これにより、基板Ｗが搬送口Ａを通じて処理容器３内に搬入される。基板Ｗ上には自己組織化材料が既に塗布されている。ピン駆動機構２５がピン２４を上方位置に移動させる。ピン２４が基板搬送機構から基板Ｗを受け取る。ピン２４が基板Ｗを受け取った後、基板移動機構が処理容器３の外部に退出する。ピン２４は基板Ｗを冷却位置ＰＣで支持する。

ピン２４が上方位置に移動するとき、ピン２４はピン２４の軸心Ｃの方向に上昇する。ピン２４が上昇するとき、ピン２４はシール部材４３に対して摺動する。ピン２４がシール部材４３に対して摺動するときであっても、シール部材４３とピン２４の密着は維持される。

上述したとおり、下部排出部８１は、シールハウジング４０および処理容器３から気体を排出する。

図１０は、基板処理装置の要部を模式的に示す図である。図１０では、シールハウジング４０内および処理容器３内の気体の流れを一点鎖線で模式的に示す。空間Ｆａ、Ｆｂ、Ｆｃの気体はそれぞれ、空間Ｅに流れる。処理室Ｓ２の気体は、ピン孔１２および開口９を通じて空間Ｅに流れる。厳密に言えば、処理室Ｓ２の気体は、ピン孔１２とピン２４の隙間および開口９とピン２４の隙間を通じて空間Ｅに流れる。空間Ｅにおいて、気体は排気ポート８３に向かって流れる。さらに、気体は、空間Ｅから排気ポート８３を通じて配管８２に流れる。このように、シールハウジング４０内の気体および処理容器３内の気体は、排気ポート８３を通じて排出される。

仮にピン２４ａとシール部材４３ａの摺動によって塵埃が空間Ｆａで発生した場合、塵埃は、空間Ｆａから空間Ｅを通って排気ポート８３に流入する。すなわち、空間Ｆａの塵埃も排気ポート８３を通じて排出される。このため、塵埃が処理容器３に進入することを的確に防止できる。さらに、開口９において、気体は、処理容器３（ピン孔１２）からシールハウジング４０（空間Ｅ）に向かって流れる。このような気体の流れは、塵埃がシールハウジング４０から処理容器３に流入することを好適に阻止する。よって、塵埃が処理容器３に進入することを一層的確に防止できる。同様に、仮に塵埃が空間Ｆｂ、Ｆｃに発生した場合も、塵埃は、処理容器３に流入することなく、排気ポート８３を通じて排出される。

仮に外気がピン２４とシール部材４３ａの密着部を通じて空間Ｆａに流入した場合、外気は、空間Ｆａから空間Ｅを通って排気ポート８３に流入する。すなわち、空間Ｆａの外気も排気ポート８３を通じて排出される。このため、外気が処理容器３に進入することを的確に防止できる。さらに、開口９において、気体は、処理容器３（ピン孔１２）からシールハウジング４０（空間Ｅ）に向かって流れる。このような気体の流れは、外気がシールハウジング４０から処理容器３に流入することを好適に阻止する。よって、外気が処理容器３に進入することを一層的確に防止できる。同様に、仮に外気が空間Ｆｂ、Ｆｃに存在する場合も、外気は、処理容器３に流入することなく、排気ポート８３を通じて排出される。

以上のとおり、排気ポート８３を通じてシールハウジング４０内の気体および処理容器３内の気体を排出することにより、塵埃や外気などの異物が処理容器３に入ることを好適に防止できる。

＜ステップＳ２＞ 密閉工程
シャッター駆動機構２１はシャッター５を筐体４に取り付ける。シャッター５はシール部材１５Ａを介して筐体４と密着する。これにより、搬送口Ａは密閉される。すなわち、処理容器３は略密閉される。なお、密閉工程では、ピン２４は上方位置にあり、基板Ｗは冷却位置ＰＣで静止する。また、密閉工程においても、下部排出部８１はシールハウジング４０および処理容器３から気体を排出する。

＜ステップＳ３＞ 置換工程
置換工程は処理容器３内の気体を非酸化性ガスに置換する。具体的には、非酸化性ガスを処理容器３内に供給し、且つ、処理容器３内の気体を排出する。置換工程では、時間の経過に伴って処理容器３内の酸素濃度が低下する。なお、置換工程では、ピン２４は上方位置にあり、基板Ｗは冷却位置ＰＣで静止する。

図１１は、置換工程と加熱工程と冷却工程の手順を例示するタイミングチャートである。図１１に示すように、置換工程は、時刻ｔ０から時刻ｔ３までの期間に実行される。置換工程は第１工程と第２工程と第３工程を含む。第１工程は、時刻ｔ０から時刻ｔ１までの期間に実行される。第２工程は、時刻ｔ１から時刻ｔ２までの期間に実行される。第３工程は、時刻ｔ２から時刻ｔ３までの期間に実行される。

第１工程は、処理容器３内を真空引きする。具体的には、第１工程では、上部供給部５１および下部供給部６１が処理容器３内に非酸化性ガスを供給せず、側部排出部７１が処理容器３内の気体を排出し、下部排出部８１がシールハウジング４０内の気体および処理容器３内の気体を排出する。側部排出部７１は、側部排出口Ｄを通じて、処理容器３内の気体を排出する。側部排出部５１は比較的に大きな排出量ＱＥＨで気体を排出する。第１工程では、処理容器３内の圧力は急速に低下する。時刻ｔ１における処理容器３内の気体の圧力ｐ１は、例えば−３０［ｋＰａ］である。なお、本明細書では、圧力を、大気圧を基準としたゲージ圧で表記する。

ここで、開口９は封止機構３１によって密閉されるので、処理容器３内の真空度を容易に高めることができる。さらに、側部排出口Ｄのみならず、排気ポート８３を通じて処理容器３内の気体を排出するので、処理容器３内の気体の圧力を容易に低減できる。

第２工程では、上部供給部５１が処理容器３内に非酸化性ガスを供給し、下部供給部６１が処理容器３内に非酸化性ガスを供給せず、側部排出部７１が処理容器３から気体を排出し、下部排出部８１がシールハウジング４０および処理容器３から気体を排出する。上部供給部５１は、整流板５６の小孔５６ａを通じて、非酸化性ガスを吹き出す。上部供給部５１は比較的に大きな供給量ＱＳＨで非酸化性ガスを供給する。側部排出部５１は排出量ＱＥＨで気体を排出する。第２工程では、処理容器３内の圧力は圧力ｐ１より高い。ただし、第２工程では、処理容器３内の圧力は依然として負圧である（すなわち、大気圧よりも低い）。時刻ｔ２における処理容器３内の圧力ｐ２は、例えば−１０［ｋＰａ］である。

第３工程では、上部供給部５１が処理容器３内に非酸化性ガスを供給し、下部供給部６１が処理容器３内に非酸化性ガスを供給せず、側部排出部７１が処理容器３内の気体を排出せず、下部排出部８１がシールハウジング４０内の気体および処理容器３内の気体を排出する。上部供給部５１は供給量ＱＳＨで非酸化性ガスを供給する。第３工程では、処理容器３内の圧力は圧力ｐ２より高い。第３工程では、処理容器３内の圧力は正圧である（すなわち、大気圧よりも高い）。

図１２は、基板Ｗの温度および処理容器３内の酸素濃度の時間的変化を示すグラフである。図示するように、置換工程の終了時（すなわち時刻ｔ３）では、処理容器３内の酸素濃度が基準値Ｒ以下に低下する。本明細書では、処理容器３内の酸素濃度が基準値Ｒ以下であることは、処理容器３内が非酸化性ガス雰囲気であることと同義である。

ここで、酸素濃度の基準値Ｒは、例えば１０ｐｐｍから１００００ｐｐｍの範囲内の値である。なお、酸素濃度とは、処理容器３内の気体の体積と、処理容器３内の酸素ガスの体積の比である。

＜ステップＳ４＞ 加熱工程
図１１を参照する。加熱工程は時刻ｔ３から時刻ｔ４までの期間に実行される。加熱工程は処理容器３内を非酸化性ガス雰囲気に保つ。さらに、加熱工程では、上部供給部５１が非酸化性ガスを処理容器３内に供給し、側部排出部７１が処理容器３から気体を排出し、下部排出部８１がシールハウジング４０および処理容器３から気体を排出する。上部供給部５１は供給量ＱＳＨよりも低い供給量ＱＳＬで非酸化性ガスを供給する。側部排出部７１は排出量ＱＥＨよりも低い排出量ＱＥＬで気体を排出する。加熱工程では処理容器３内の圧力は正圧である。

加熱工程は基板Ｗを加熱位置ＰＨに位置させる。具体的には、加熱工程が始まる時（時刻ｔ３）、ピン駆動機構２５はピン２４を下方位置に移動させる。これにより、基板Ｗは冷却位置ＰＣから加熱位置ＰＨに下降する。基板Ｗは加熱部１１の上面１１ａに載置される。

ピン２４が下方位置に移動するとき、ピン２４はピン２４の軸心Ｃの方向に下降する。ピン２４が下降するとき、ピン２４はシール部材４３に対して摺動する。ピン２４がシール部材４３に対して摺動するときであっても、シール部材４３とピン２４の密着は維持される。

さらに、基板Ｗが冷却位置ＰＣから加熱位置ＰＨに移動する期間のみ、下部供給部６１が処理容器３内に非酸化性ガスを供給する。下部供給部６１は、加熱部１１のガス流通孔１４を通じて、非酸化性ガスを吹き出す。これにより、基板Ｗと加熱部１１との隙間に酸素が滞留することを確実に防止する。

基板Ｗが加熱位置ＰＨに到達した後、加熱工程が終了するまで、基板Ｗは加熱位置ＰＨで静止する。加熱部１１は加熱位置ＰＨにある基板Ｗを加熱する。基板Ｗの加熱により、基板Ｗ上の自己組織化材料を相分離させる。

図１２を参照する。加熱工程では、処理容器３内の酸素濃度が基準値Ｒ以下に保たれている。すなわち、加熱工程は非酸化性ガス雰囲気で基板Ｗを加熱する。加熱工程は基板Ｗを温度Ｔ１で加熱する。温度Ｔ１は比較的に高い。温度Ｔ１は例えば３００度以上である。温度Ｔ１は例えば自己組織化材料のガラス転移点以上である。本実施例では、温度Ｔ１は例えば３４０度から３６０度の範囲内の値である。

＜ステップＳ５＞ 冷却工程
図１１を参照する。冷却工程は時刻ｔ４から時刻ｔ５までの期間に実行される。冷却工程も処理容器３内を非酸化性ガス雰囲気に保つ。さらに、冷却工程では、上部供給部５１および下部供給部６１が非酸化性ガスを処理容器３内に供給し、側部排出部７１が処理容器３内の気体を排出し、下部排出部８１がシールハウジング４０内の気体および処理容器３内の気体を排出する。上部供給部５１は供給量ＱＳＨで非酸化性ガスを供給する。側部排出部７１は排出量ＱＥＨで気体を排出する。冷却工程では、処理容器３内の圧力は負圧である。

冷却工程は基板Ｗを冷却位置ＰＣに位置させる。具体的には、冷却工程が始まる時（すなわち、時刻ｔ４）、ピン駆動機構２５がピン２４を上方位置に移動させる。これにより、基板Ｗは加熱位置ＰＨから冷却位置ＰＣに上昇する。基板Ｗが冷却位置ＰＣに到達した後、冷却工程が終了するまで、基板Ｗは冷却位置ＰＣに静止する。

図１２を参照する。冷却工程においても、処理容器３内の酸素濃度が基準値Ｒ以下に保たれている。すなわち、冷却工程は、非酸化性ガス雰囲気で基板Ｗを冷却する。

冷却工程は、基板Ｗの温度を温度Ｔ２以下に低下させる。温度Ｔ２は温度Ｔ１よりも低い。温度Ｔ２は、例えば、基板Ｗが大気と同程度の酸素濃度を有する気体と接触しても、相分離した自己組織化材料の構造が実質的に劣化または崩壊しない基板Ｗの温度であることが好ましい。温度Ｔ２は、例えば、自己組織化材料のガラス転移点と同じ温度以下であることが好ましい。温度Ｔ２は、例えば、自己組織化材料に含まれる重合体のガラス転移点と同じ温度以下であることが好ましい。なお、ガラス転移点を文献値によって特定してもよい。あるいは、ガラス転移点を示差操作熱量計（ＤＳＣ）によって特定してもよい。本実施例では、温度Ｔ２は、例えば２４０度から２６０度の範囲内の値である。

＜ステップＳ６＞ 開放工程
図１を参照する。シャッター駆動機構２１はシャッター５を筐体４から離脱させる。これにより、搬送口Ａが開放される。すなわち、処理容器３が開放される。

＜ステップＳ７＞ 搬出工程
不図示の基板搬送機構が基板Ｗを処理容器３から搬出する。具体的には、基板搬送機構が搬送口Ａを通じて処理容器３の内部に進入する。ピン駆動機構２５がピン２４を下降させる。基板搬送機構はピン２４から基板Ｗを受け取る。その後、基板移動機構が処理容器３の外部に退出する。

３．実施例の効果
実施例に係る基板処理装置１によれば、以下の効果を奏する。

基板処理装置１はシールハウジング４０とシール部材４３を備える。シールハウジング４０は、開口９の周囲において処理容器３と密着し、且つ、ピン２４の一部を収容する。シール部材４３は、シールハウジング４０の内周面と密着し、且つ、ピン２４の外周面と密着する。このため、開口９を好適に密閉できる。よって、処理容器３の気密性を好適に高めることができる。

シール部材４３は、ピン２４と摺動可能にピン２４と密着する。すなわち、ピン２４がシール部材４３に対して摺動しても、シール部材４３とピン２４の密着が維持される。このため、ピン２４が往復移動しても、処理容器３の気密性を好適に維持できる。

シールハウジング４０は処理容器３の外部に配置されるので、シール部材４３も処理容器３の外部に配置される。シール部材４３が処理容器３の外部に配置されるので、シール部材４３は処理容器３内の熱を直接的に受けない。すなわち、シール部材４３を処理容器３内の熱から好適に保護できる。このため、シール部材４３の劣化を好適に防止できる。すなわち、シール部材４３のシール機能を好適に維持できる。よって、処理容器３の気密性を好適に維持できる。

上述のとおり、処理容器３の気密性を好適に高めることができるので、処理容器３内の雰囲気を好適に管理できる。例えば、置換工程のように、処理容器３内における非酸化性ガスの濃度を十分に高めることができる。換言すれば、非酸化性ガスにとっての不純物（例えば、酸素やパーティクル）の濃度を十分に低減できる。例えば、加熱工程および冷却工程のように、処理容器３内を非酸化性ガス雰囲気に容易に維持できる。

さらに、処理容器３の気密性を好適に高めることができるので、処理容器３内の気体の圧力を好適に管理できる。例えば、置換工程の第３工程や加熱工程のように、処理容器３内の気体の圧力を容易に正圧にできる。例えば、置換工程の第１工程、第２工程や冷却工程のように、処理容器３内の気体の圧力を容易に負圧にできる。例えば、置換工程の第１工程のように、処理容器３内の真空度を容易に高めることができる。例えば、処理容器３内の気体の圧力を予め決められた値に精度良く調整できる。

以上の通り、処理容器３内の雰囲気を好適に管理でき、且つ、処理容器３内の気体の圧力を好適に管理できるので、基板処理装置１が基板Ｗに行う処理の品質を好適に高めることができる。

ピン２４は加熱部１１のピン孔１２に配置されるので、ピン２４は加熱部１１の熱を直接的に受ける。しかしながら、シール部材４３は処理容器３の外部に配置されるので、シール部材４３は加熱部１１の熱を直接的に受けない。このため、ピン２４が比較的に高温であっても、シール部材４３は、劣化すること無く、ピン２４に適切に密着できる。よって、処理容器３の気密性を好適に維持できる。このように、ピン２４が加熱部１１を貫通する場合には、封止機構３１の有用性が特に高い。

シール部材４３は金属製であるので、シール部材４３は高い耐熱性を有する。このため、シール部材４３は、シール機能を一層好適に維持できる。よって、処理容器３の気密性を一層好適に維持できる。

シールハウジング４０は、開口９ａの周囲において処理容器３と密着し、開口９ｂの周囲において密着し、且つ、開口９ｃの周囲において処理容器３と密着する。シールハウジング４０は、ピン２４ａの一部と、ピン２４ｂの一部と、ピン２４ｃの一部を収容する。さらに、シールハウジング４０は、シール部材４３ａ、４３ｂ、４３ｃと密着する。このような構成によれば、開口９ａ、９ｂ、９ｃをそれぞれ好適に密閉できる。特に、１つのシールハウジング４０内において、３つの軸封（すなわち、ピン２４ａ、２４ｂ、２４ｃの封止）を行うことができる。よって、封止機構３１の構造を簡素化できる。

シールハウジング４０は筒部３８を備えるので、シール部材４３を適切に設置できる。

シールハウジング４０は集合部３３を備えるので、筒部３８ａの内部と筒部３８ｂの内部と筒部３８ｂの内部とを好適に連通させることができる。すわなち、集合部３３は、空間Ｆａ、Ｆｂ、Ｆｃを好適に連通させることができる。

集合部３３は管部３５ａを有し、管部３５ａは、ピン２４ａとピン２４ｂとの間にわたってピン２４の軸心Ｃの方向と略直交する方向に延びる。このため、管部３５ａの長さを比較的に短くすることができる。よって、集合部３３の構造を簡素化できる。同様に、集合部３３は管部３５ｂを有し、管部３５ｂは、ピン２４ｂとピン２４ｃとの間にわたってピン２４の軸心Ｃの方向と略直交する方向に延びる。集合部３３は管部３５ｃを有し、管部３５ｃは、ピン２４ｃとピン２４ａとの間にわたってピン２４の軸心Ｃの方向と略直交する方向に延びる。よって、集合部３３の構造を一層簡素化できる。

集合部３３は平坦な上面３３ａを有する。よって、集合部３３は処理容器３と好適に密着できる。

封止機構３１はシール部材４５を備える。よって、集合部３３は、シール部材４５を介して処理容器３と好適に密着できる。

筒部３８は集合部３３から分離可能である。具体的には、軸封部３７はマニホールド３２から分離可能である。このため、筒部３８とシール部材４３とピン２４とを一体に集合部３３から分離できる。換言すれば、筒部３８とシール部材４３とピン２４が相互に密着した状態で、筒部３８とシール部材４３とピン２４を集合部３３から分離できる。このため、シール部材４３をピン２４および筒部４３から分離せずに、メンテナンスできる。よって、シール部材４３の交換頻度を低減できる。なお、シール部材４３は金属製であるので、シール部材４３をピン２４または筒部４３から一旦、分離すると、シール部材４３を交換する必要がある。

マニホールド３２は継ぎ手３６を備え、軸封部３７は継ぎ手３９を備える。このため、軸封部３７をマニホールド３２に容易に着脱できる。すなわち、筒部３８を集合部３３に容易に着脱できる。

基板処理装置１は、シールハウジング４０に連通接続され、シールハウジング４０内の気体を排出するための排気ポート８３を備える。このため、シールハウジング４０内の気体を、排気ポート８３を通じて、シールハウジング４０の外部に排出できる。よって、塵埃や外気などの異物が処理容器３内に流入することを好適に防止できる。このため、処理容器３内の雰囲気を一層好適に管理できる。

排気ポート８３は集合部３３と連通接続する。よって、空間Ｅ、Ｆａ、Ｆｂ、Ｆｃの気体を、１つの第１排気ポート８３を通じて効率良く排出できる。

処理容器３とシールハウジング４０とは、開口９を介して連通する。このため、排気ポート８３を通じて、処理容器３内の気体を排出できる。このため、処理容器３内を一層容易に減圧できる。

開口９において、気体は処理容器３からシールハウジング４０に向かって流れる。このため、塵埃や外気等の異物がシールハウジング４０から処理容器３に流入することを好適に阻止できる。よって、処理容器３内の雰囲気を一層好適に管理できる。

シールハウジング４０はさらにピン孔１２と連通する。よって、排気ポート８３を通じてピン孔１２の気体を排出できる。このため、ピン孔１２の気体を一層好適に管理できる。

ピン孔１２は加熱部１１の上方に開放される。よって、ピン孔１２を通じて、加熱部１１の上方の気体を容易に排出できる。よって、加熱部１１の上方の気体を一層好適に管理できる。

冷却部４７は封止機構３１の近傍に配置される。このため、冷却部４７はシールハウジング４０およびシール部材４３を冷却できる。すなわち、シール部材４３が過度に高温になることを抑制できる。このため、シール部材４３の劣化を好適に防止できる。よって、処理容器の気密性を一層好適に維持できる。

冷却部４７は封止機構３１の近傍に配置され、且つ、封止機構３１はピン２４と密着する。このため、冷却部４７はさらにピン２４を冷却できる。これにより、ピン２４が過度に高温になることを抑制できる。このため、ピン２４が損傷することを好適に防止でき、ピン２４の形状が変形することを好適に防止できる。その結果、ピン２４は基板Ｗを適切に支持できる。

冷却部４７はシールハウジング４０の近傍に配置される。このため、冷却部４７はシールハウジング４０およびシール部材４３を好適に冷却できる。

冷却部４７はシールハウジング４０を囲むように配置される。このため、冷却部４７はシールハウジング４０を広いエリアで冷却できる。よって、冷却部４７はシールハウジング４０を効果的に冷却できる。

冷却部４７は集合部３３の近傍に配置される。よって、冷却部４７は集合部３３を好適に冷却できる。さらに、集合部３３は筒部３８と接続される。このため、冷却部４７は、各筒部３８をそれぞれ好適に冷却できる。

冷却部４７は冷却水が流れる冷却流路を含む。このため、シールハウジング４０の熱は冷却水に効率良く伝達される。よって、冷却部４７はシールハウジング４０を効果的に冷却できる。

シールハウジング４０は金属製である。このため、シールハウジング４０の熱伝導率は比較的に高い。よって、冷却部４７はシールハウジング４０を効果的に冷却できる。

シール部材４３は金属製である。このため、シール部材４３の熱伝導率は比較的に高い。よって、冷却部４７はシール部材４３を効果的に冷却できる。

冷却部１６Ａはシール部材１５Ａの近傍に配置される。このため、冷却部１６Ａはシール部材１５Ａを冷却できる。すなわち、シール部材１５Ａが過度に高温になることを抑制できる。このため、シール部材１５Ａの劣化を好適に防止できる。よって、搬送口Ａを好適に密閉できる。

冷却部１６Ｂはシール部材１５Ｂの近傍に配置される。このため、冷却部１６Ｂはシール部材１５Ｂを冷却できる。このため、シール部材１５Ｂの劣化を好適に防止できる。
よって、上部開口Ｂを好適に密閉できる。

冷却部１６Ｃはシール部材１５Ｃの近傍に配置される。このため、冷却部１６Ｃはシール部材１５Ｃを冷却できる。このため、シール部材１５Ｃの劣化を好適に防止できる。
よって、下部開口Ｃを好適に密閉できる。

冷却部１６Ｄはシール部材１５Ｄの近傍に配置される。このため、冷却部１６Ｄはシール部材１５Ｄを冷却できる。このため、シール部材１５Ｄの劣化を好適に防止できる。
よって、側部排出口Ｄを好適に密閉できる。

本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

（１）上述した実施例では、マニホールド３２は継ぎ手３６を備えたが、これに限られない。例えば、継ぎ手３６を省略してもよい。例えば、集合部３３は軸封部３７と直接的に接続されてもよい。本変形実施例の場合、集合部３３と筒部３８と継ぎ手３９が、シールハウジング４０を構成する。

（２）上述した実施例では、軸封部３７は継ぎ手３９を備えたが、これに限られない。例えば、継ぎ手３９を省略してもよい。例えば、筒部３８はマニホールド３２と直接的に接続されてもよい。本変形実施例の場合、集合部３３と継ぎ手３６と筒部３８とが、シールハウジング４０を構成する。

（３）上述した実施例において、集合部３３は筒部３８と間接的に連通接続したが、これに限られない。すなわち、集合部３３は筒部３８と直接的に接続してもよい。例えば、継ぎ手３６、３９を省略してもよい。本変形実施例の場合、集合部３３と筒部３８とが、シールハウジング４０を構成する。

（４）上述した実施例では、封止機構３１はマニホールド３２を備えたが、これに限られない。例えば、マニホールド３２を省略してもよい。例えば、軸封部３７が処理容器３に直接的に接続されてもよい。

図１３は、変形実施例に係る基板処理装置１の要部の概略構成を示す図である。なお、実施例と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。

軸封部３７ａは、開口９ａの周囲において処理容器３と密着する。具体的には、継ぎ手３９ａが、シール部材４５ａを介して底板８と密着する。軸封部３７ｂは、開口９ｂの周囲において処理容器３と密着する。具体的には、継ぎ手３９ｂが、シール部材４５ｂを介して底板８と密着する。軸封部３７ｃは、開口９ｃの周囲において処理容器３と密着する。具体的には、継ぎ手３９ｃが、シール部材４５ｃを介して底板８と密着する。

本閉経実施例では、筒部３８ａと継ぎ手３９ａが、シールハウジング４０ａを構成する。空間Ｆａはシールハウジング４０ａの内部に相当する。シールハウジング４０ａはピン２４ａを収容する。シールハウジング４０ａとシール部材４３ａが、開口９ａを密閉する。

筒部３８ｂと継ぎ手３９ｂが、シールハウジング４０ｂを構成する。空間Ｆｂがシールハウジング４０ｂの内部に相当する。シールハウジング４０ｂはピン２４ｂを収容する。シールハウジング４０ｂとシール部材４３ｂが、開口９ｂを密閉する。

筒部３８ｃと継ぎ手３９ｃが、シールハウジング４０ｃを構成する。空間Ｆｃがシールハウジング４０ｃの内部に相当する。シールハウジング４０ｃはピン２４ｃを収容する。シールハウジング４０ｃとシール部材４３ｃが、開口９ｂを密閉する。

基板処理装置１は冷却部４７ａ、４７ｂ、４７ｃを備える。冷却部４７ａは筒部３８ａの近傍に配置される。冷却部４７ａは筒部３８ａとシール部材４３ａとピン２４ａを冷却する。冷却部４７ｂは筒部３８ｂの近傍に配置される。冷却部４７ｂは筒部３８ｂとシール部材４３ｂとピン２４ｂを冷却する。冷却部４７ｃは筒部３８ｃの近傍に配置される。冷却部４７ｃは筒部３８ｃとシール部材４３ｃとピン２４ｃを冷却する。

基板処理装置１は排気ポート８３ａ、８３ｂ、８３ｃを備える。排気ポート８３ａは筒部３８ａに連通接続される。シールハウジング４０ａ内の気体は、排気ポート８３ａを通じて排出される。排気ポート８３ｂは筒部３８ｂに連通接続される。シールハウジング４０ｂ内の気体は、排気ポート８３ｂを通じて排出される。排気ポート８３ｃは筒部３８ｃに連通接続される。シールハウジング４０ｃ内の気体は、排気ポート８３ｃを通じて排出される。

本変形実施例によっても、実施例と同じ様に、処理容器３の気密性を高めることができる。

さらに、シールハウジング４０ａは１つのシール部材４３ａと密着する。このため、シールハウジング４０ａの構造を簡素化できる。具体的には、シールハウジング４０ａの内部の形状を簡素化できる。同様に、シールハウジング４０ｂは１つのシール部材４３ｂと密着する。このため、シールハウジング４０ｂの構造を簡素化できる。シールハウジング４０ｃは１つのシール部材４３ｃと密着する。このため、シールハウジング４０ｃの構造を簡素化できる。

上述したように、シールハウジング４０ａの内部の形状が簡素である。このため、排気ポート８３ａを通じて、シールハウジング４０ａ内の気体を均一に排気できる。同様に、排気ポート８３ｂを通じて、シールハウジング４０ｂ内の気体を均一に排気できる。同様に、排気ポート８３ｃを通じて、シールハウジング４０ｃ内の気体を均一に排気できる。

冷却部４７ａは筒部３８ａの近傍に配置される。このため、冷却部４７ａは、シール部材４３ａおよびピン２４ａを効果的に冷却できる。同様に、冷却部４７ｂは、シール部材４３ｂおよびピン２４ｂを効果的に冷却できる。冷却部４７ｃは、シール部材４３ｃおよびピン２４ｃを効果的に冷却できる。

シールハウジング４０ａ、４０ｂ、４０ｃの１つが、本発明における第１シールハウジングの例である。シールハウジング４０ａ、４０ｂ、４０ｃの他の１つが、本発明における第２シールハウジングの例である。排気ポート８３ａ、８３ｂ、８３ｃの１つが、本発明における第１排気ポートの例である。排気ポート８３ａ、８３ｂ、８３ｃの他の１つが、本発明における第２排気ポートの例である。冷却部４７ａ、４７ｂ、４７ｃは、本発明における冷却部の例である。

（５）上述した実施例では、封止機構３１は軸封部３７を備えたが、これに限られない。例えば、軸封部３７を省略してもよい。例えば、シール部材４３が集合部３３に直接的に密着してもよい。

図１４は、変形実施例に係る基板処理装置１の要部の概略構成を示す図である。なお、実施例と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。

シール部材４３ａ、４３ｂ、４３ｃはそれぞれ、集合部３３に密着している。具体的には、集合部３３は、その下面に３つの取付口１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃを有する。シール部材４３ａ、４３ｂ、４３ｃはそれぞれ、取付口１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃの内周面に密着している。

本閉経実施例では、集合部３３がシールハウジング４０を構成する。空間Ｅはシールハウジング４０の内部に相当する。シールハウジング４０とシール部材４３ａ、４３ｂ、４３ｃが、開口９ａ、９ｂ、９ｃを密閉する。

本変形実施例によっても、実施例と同じ様に、処理容器３の気密性を高めることができる。

（６）上述した実施例では、集合部３３は処理容器３と直接的に接続したが、これに限られない。すなわち、集合部３３は処理容器３と間接的に接続してもよい。例えば、マニホールド３２は、集合部３３に連通接続され、且つ、処理容器３と密着する継ぎ手を備えてもよい。

（７）上述した実施例では、軸封部３７はマニホールド３２から離脱可能であったが、これに限られない。すなわち、軸封部３７はマニホールド３２から離脱不能であってもよい。本変形実施例によっても、ピン２４と軸封部３７とマニホールド３２とを一体に、処理容器３から離脱することができる。このため、シール部材４３をピン２４および筒部４３から分離せずに、メンテナンスできる。よって、シール部材４３の交換頻度を低減できる。

（８）上述した実施例では、排気ポート８３は集合部３３に連通接続されたが、これに限られない。例えば、排気ポート８３を軸封部３７に連通接続してもよい。

（９）上述した実施例では、排気ポート８３の数は１つであったが、これに限られない。排気ポート８３の数は複数であってもよい。

（１０）上述した実施例では、基板処理装置１は、排気ポート８３を備えたが、これに限られない。例えば、排気ポート８３を省略してもよい。

（１１）上述した実施例では、冷却部４７は、集合部３３の近傍に配置されたが、これに限られない。冷却部４７の配置を適宜に変更してもよい。例えば、冷却部４７を筒部３８の近傍に配置してもよい。あるいは、冷却部４７をシールハウジング４０の内部に配置してもよい。

（１２）上述した実施例では、冷却部４７は冷却管であったが、これに限られない。例えば、冷却部４７は冷却プレートであってもよい。例えば、冷却部４７は、集合部３３の壁内に形成される冷却流路であってもよい。例えば、冷却部４７は、筒部３８の壁内に形成される冷却流路であってもよい。例えば、冷却部４７は、集合部３３の外壁に取り付けられる冷却ジャケットでもよい。例えば、冷却部４７は、筒部３８の外周面に取り付けられる冷却ジャケットでもよい。

（１３）上述した実施例では、冷却部４７は冷却水を使用したが、これに限られない。すなわち、冷却部４７は水以外の熱媒体を使用してもよい。

（１４）上述した実施例では、基板処理装置１は、冷却部４７を備えたが、これに限られない。例えば、冷却部４７を省略してもよい。

（１５）上述した実施例では、ピン２４は基板Ｗを支持するための部材であったが、これに限られない。例えば、ピン２４を、加熱部１１や整流板５６を支持するための軸部材に変更してもよい。例えば、ピン２４を、気体および液体の少なくともいずれかを供給するための軸部材に変更してもよい。例えば、ピン２４を、基板Ｗを吸着保持するための軸部材に変更してもよい。

（１６）上述した実施例では、ピン２４はその内部に中空部を有しなかったが、これに限られない。ピン２４は、その内部に中空部を有してもよい。例えば、ピン２４は、２重管や３重管であってもよい。

（１７）上述した実施例では、ピン２４の数は３つであったが、これに限られない。例えば、ピン２４の数は、１本、２本、あるいは、４本以上でもよい。さらに、ピン２４の数に応じて、開口９の数、ピン孔１２の数、開口３４の数、軸封部３７の数などを変更してもよい。

（１８）上述した実施例では、ピン２４は２つの位置（上方位置と下方位置）に移動可能であったが、これに限られない。例えば、ピン２４は、３つ以上の位置に移動可能であってもよい。

（１９）上述した実施例では、基板処理装置１が行う熱処理は、基板Ｗを加熱する処理と、基板Ｗを冷却する処理を含んだが、これに限られない。例えば、基板処理装置１が行う熱処理は、基板Ｗを加熱する処理および基板Ｗを冷却する処理のいずれか一方のみを含んでもよい。

（２０）上述した実施例では、基板処理装置１が行う処理は熱処理であったが、これに限られない。例えば、基板処理装置１は、熱処理以外の処理を行ってもよい。上述した実施例では、基板処理装置１が行う処理において、処理液を使用しなかったが、これに限られない。例えば、基板処理装置１が行う処理において、処理液（例えば、溶剤や疏水化処理剤など）を使用してもよい。

（２１）上述した実施例では、冷却部１６を例示したが、冷却部１６の構造および配置を適宜に変更してもよい。例えば、冷却部１６Ａはシャッター５の内部に形成される冷却流路であってもよい。冷却部１６Ａは冷却水を流すための配管であってもよい。冷却部１６Ａは、シャッター５を介してシール部材１５Ａと熱的に接続してもよい。同様に、冷却部１６Ｂ−１６Ｄを適宜に変更してもよい。

（２２）上述した実施例では、基板処理装置１は、自己組織化材料が塗布された基板Ｗを熱処理したが、これに限られない。基板処理装置１は、レジスト膜や反射防止膜が形成された基板Ｗを処理してもよい。例えば、基板処理装置１は、下層膜が形成された基板Ｗを処理してもよい。下層膜は、例えば、ＳＯＣ（Spin?on?Carbon）膜やＳＯＧ(Spin On Glass)膜である。

（２３）上述した各実施例および上記（１）から（２２）で説明した各変形実施例については、さらに各構成を他の変形実施例の構成に置換または組み合わせるなどして適宜に変更してもよい。

１ … 基板処理装置
３ … 処理容器
４ … 筐体
５ … シャッター
６ … 蓋部
７ … 収容部
８ … 底板
９、９ａ、９ｂ、９ｃ … 開口（第１開口、第２開口）
１１ … 加熱部
１１ａ … 加熱部の上面
１２、１２ａ、１２ｂ、１２ｃ … ピン孔（貫通孔）
１４ … ガス流通孔
１５、１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃ、１５Ｄ … シール部材
１６、１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ、１６Ｄ … 冷却部
２４、２４ａ、２４ｂ、２４ｃ … ピン（第１軸部材、第２軸部材）
３１ … 封止機構
３２ … マニホールド
３３ … 集合部
３３ａ … 集合部の上面
３５、３５ａ、３５ｂ、３５ｃ … 管部（第１管部）
３８、３８ａ、３８ｂ、３８ｃ … 筒部（第１筒部、第２筒部）
４０ … シールハウジング（第１シールハウジング４０）
４０ａ、４０ｂ、４０ｃ … シールハウジング（第１シールハウジング、第２シールハウジング）
４３、４３ａ、４３ｂ、４３ｃ … シール部材（第１シール部材、第２シール部材）
４７、４７ａ、４７ｂ、４７ｃ … 冷却部
８３ … 排気ポート（第１排気ポート）
８３ａ、８３ｂ、８３ｃ … 排気ポート（第１排気ポート、第２排気ポート）
Ａ … 搬送口
Ｂ … 上部開口
Ｃ … 下部開口
Ｄ … 側部排出口
Ｗ … 基板

Claims (20)

1. 基板処理装置であって、
   第１開口を有し、基板を処理する処理容器と、
   前記第１開口を通じて前記処理容器の内部と前記処理容器の外部とにわたって配置される第１軸部材であって、前記第１軸部材の軸心方向に往復移動する前記第１軸部材と、
   前記処理容器の外部に配置され、前記第１開口の周囲において前記処理容器と密着し、且つ、前記第１軸部材の一部を収容する第１シールハウジングと、
   前記第１シールハウジングの内周面と密着し、且つ、前記第１軸部材と摺動可能に前記第１軸部材の外周面と密着する第１シール部材と、
   前記第１シールハウジングに連通接続され、前記第１シールハウジング内の気体を排出するための第１排気ポートと、
   を備え、
   前記第１シール部材は金属製であり、
   前記第１シール部材は固体である基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   前記処理容器と前記第１シールハウジングとは、前記第１開口を介して連通している基板処理装置。
3. 請求項１または２に記載の基板処理装置において、
   前記基板処理装置は、前記処理容器の内部に配置され、基板を加熱する加熱部を備え、
   前記加熱部は、前記加熱部の内部に形成される貫通孔を有し、
   前記第１軸部材は前記貫通孔に配置される基板処理装置。
4. 請求項３に記載の基板処理装置において、
   前記第１シールハウジングは前記貫通孔と連通している基板処理装置。
5. 請求項１から４のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記処理容器は第２開口を有し、
   前記基板処理装置は、前記第２開口を通じて前記処理容器の内部と前記処理容器の外部とにわたって配置される第２軸部材であって、前記第２軸部材の軸心方向に往復移動する前記第２軸部材を備え、
   前記第１シールハウジングは、前記第２開口の周囲において前記処理容器と密着し、且つ、前記第２軸部材の一部を収容し、
   前記基板処理装置は、前記第１シールハウジングの内周面と密着し、且つ、前記第２軸部材と摺動可能に前記第２軸部材の外周面と密着する第２シール部材を備える基板処理装置。
6. 請求項５に記載の基板処理装置において、
   前記第１シールハウジングは、
   前記第１開口の周囲および前記第２開口の周囲において前記処理容器と密着する集合部と、
   前記集合部に連通接続される第１筒部と、
   前記集合部に連通接続される第２筒部と、
   を備え、
   前記第１軸部材の一部は、前記集合部および前記第１筒部に収容され、
   前記第２軸部材の一部は、前記集合部および前記第２筒部に収容され、
   前記第１シール部材は前記第１筒部の内周面と密着し、
   前記第２シール部材は前記第２筒部の内周面と密着し、
   前記第１排気ポートは前記集合部に連通接続される基板処理装置。
7. 請求項６に記載の基板処理装置において、
   前記第１筒部は前記集合部から分離可能であり、
   前記第２筒部は前記集合部から分離可能である基板処理装置。
8. 請求項６または７に記載の基板処理装置において、
   前記集合部は、前記第１軸部材と前記第２軸部材との間にわたって前記第１軸部材の前記軸方向と略直交する方向に延びる第１管部を有する基板処理装置。
9. 請求項１から８のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記第１シールハウジングの近傍に配置される冷却部を備える基板処理装置。
10. 基板処理装置であって、
    第１開口を有し、基板を処理する処理容器と、
    前記第１開口を通じて前記処理容器の内部と前記処理容器の外部とにわたって配置される第１軸部材であって、前記第１軸部材の軸心方向に往復移動する前記第１軸部材と、
    前記第１軸部材の往復移動を許容しつつ、前記第１開口を密閉する封止機構と、
    前記封止機構の近傍に配置される冷却部と、
    を備え、
    前記封止機構は、
    前記処理容器の外部に配置され、前記第１開口の周囲において前記処理容器と密着し、且つ、前記第１軸部材の一部を収容する第１シールハウジングと、
    前記第１シールハウジングの内周面と密着し、且つ、前記第１軸部材と摺動可能に前記第１軸部材の外周面と密着する第１シール部材と、
    を備え、
    前記第１シール部材は金属製であり、
    前記第１シール部材は固体である基板処理装置。
11. 請求項１０に記載の基板処理装置において、
    前記冷却部は前記第１シールハウジングを囲むように配置される基板処理装置。
12. 請求項１０または１１に記載の基板処理装置において、
    前記冷却部は冷却水が流れる冷却流路を含む基板処理装置。
13. 請求項１０から１２のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記第１シールハウジングは金属製である基板処理装置。
14. 請求項１０から１３のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記基板処理装置は、前記処理容器の内部に配置され、基板を加熱する加熱部を備え、
    前記加熱部は、前記加熱部の内部に形成される貫通孔を有し、
    前記第１軸部材は前記貫通孔に配置される基板処理装置。
15. 請求項１０から１４のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記処理容器は第２開口を有し、
    前記基板処理装置は、前記第２開口を通じて前記処理容器の内部と前記処理容器の外部とにわたって配置される第２軸部材であって、前記第２軸部材の軸心方向に往復移動する前記第２軸部材を備え、
    前記第１シールハウジングは、前記第２開口の周囲において前記処理容器と密着し、且つ、前記第２軸部材の一部を収容し、
    前記基板処理装置は、前記第１シールハウジングの内周面と密着し、且つ、前記第２軸部材と摺動可能に前記第２軸部材の外周面と密着する第２シール部材を備える基板処理装置。
16. 請求項１５に記載の基板処理装置において、
    前記第１シールハウジングは、
    前記第１開口の周囲および前記第２開口の周囲において前記処理容器と密着する集合部と、
    前記集合部に連通接続される第１筒部と、
    前記集合部に連通接続される第２筒部と、
    を備え、
    前記第１軸部材の一部は、前記集合部および前記第１筒部に収容され、
    前記第２軸部材の一部は、前記集合部および前記第２筒部に収容され、
    前記第１シール部材は前記第１筒部の内周面と密着し、
    前記第２シール部材は前記第２筒部の内周面と密着し、
    前記冷却部は前記集合部の近傍に配置される基板処理装置。
17. 請求項１６に記載の基板処理装置において、
    前記第１筒部は前記集合部から分離可能であり、
    前記第２筒部は前記集合部から分離可能である基板処理装置。
18. 請求項１６または１７に記載の基板処理装置において、
    前記集合部は、前記第１軸部材と前記第２軸部材との間にわたって前記第１軸部材の前記軸心方向と略直交する方向に延びる第１管部を有する基板処理装置。
19. 請求項１から１８のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記第１シール部材は、円環形状を有する基板処理装置。
20. 請求項１から１９のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記第１シール部材の全体は固体である基板処理装置。
    

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