JPH0297013A - 有機金属気相成長装置 - Google Patents
有機金属気相成長装置Info
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- JPH0297013A JPH0297013A JP24934588A JP24934588A JPH0297013A JP H0297013 A JPH0297013 A JP H0297013A JP 24934588 A JP24934588 A JP 24934588A JP 24934588 A JP24934588 A JP 24934588A JP H0297013 A JPH0297013 A JP H0297013A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、有機金属気相成長装置（以下、Ｍ００ＶＤ
装置と略記する）に関するものである。
装置と略記する）に関するものである。
第２図は、従来のＭ ＯＣＶ Ｄ装置を示す断面図であ
り、図において、（１）は石英反応管、（２）はステン
レス製フランジ、（８）は排気口、（４）は砒素ゴミよ
け、（５）はステンレス製ベローズ、（６）は磁気シー
ル、（γ）はベル） 、（８１はモータ、（９）はサセ
プタ支持棒、叫はカーボン製サセプタ、αυはＧａＡｓ
クエハｕｚは反応ガス導入口である。
り、図において、（１）は石英反応管、（２）はステン
レス製フランジ、（８）は排気口、（４）は砒素ゴミよ
け、（５）はステンレス製ベローズ、（６）は磁気シー
ル、（γ）はベル） 、（８１はモータ、（９）はサセ
プタ支持棒、叫はカーボン製サセプタ、αυはＧａＡｓ
クエハｕｚは反応ガス導入口である。
次に動作について説明する。ガス導入口（Ｌ２から甑の
原料となるトリメチルガリクム（ＴＭＧ）。
原料となるトリメチルガリクム（ＴＭＧ）。
Ａｓの原料となるアルシン（ＡＳＨ３） 、キャリアガ
スの水素が反応管内に流れこむ。カーボン製サセプタ（
至）は高周波加熱によりｓｏｏ’ｃ程度に加熱されてお
り、ＴＭＧやＡｓＨ３はサセプタ近傍で熱分解し、 （
ｈＡｓウェハ（１υ上にＧａＡｓ結晶が成長する。未反
応のガス及びキャリアの水素ガスは、排気口（８）から
出る。成長層のクエハ面内均一性を良くするために、通
常、クエハを回転させながら成長する。
スの水素が反応管内に流れこむ。カーボン製サセプタ（
至）は高周波加熱によりｓｏｏ’ｃ程度に加熱されてお
り、ＴＭＧやＡｓＨ３はサセプタ近傍で熱分解し、 （
ｈＡｓウェハ（１υ上にＧａＡｓ結晶が成長する。未反
応のガス及びキャリアの水素ガスは、排気口（８）から
出る。成長層のクエハ面内均一性を良くするために、通
常、クエハを回転させながら成長する。
クエハの回転は、モータ（８）の回転をベルト（７）で
サセプタ支持棒に伝達して行なう。磁気シール（６）は
フランジ内雰囲気と外気とを分離するためのユニットで
、サセプタ支持棒（９）のように回転する部分に用いら
れ回転軸支持部としての役割もはたす。
サセプタ支持棒に伝達して行なう。磁気シール（６）は
フランジ内雰囲気と外気とを分離するためのユニットで
、サセプタ支持棒（９）のように回転する部分に用いら
れ回転軸支持部としての役割もはたす。
カーボン製すセプタ叫の上下運動は、ベローズ（６）を
伸縮することによシ行なう。
伸縮することによシ行なう。
ところで、Ｔ Ｍ Ｇ ＪＰ ＡＳＨ３が分解２反応す
るとウェハ上に結晶成長する他に、多量の反応生成物が
生じる。反応生成物はカーボンの微粒子、砒素等であシ
、一部は排気口（８）より排出されるが、大部分は、反
応管（１）の壁に付着したシフランジ（２）内にたまっ
たりする。この反応生成物が、磁気シール（６）部に多
量にたまると、カーボン製すセプタ叫回転棒が摩擦で動
かなくなるので砒素ゴミよけ（４）を設けて、反応生成
物が磁気シール部（６）にはいりこむ隙間を減らしてい
る。
るとウェハ上に結晶成長する他に、多量の反応生成物が
生じる。反応生成物はカーボンの微粒子、砒素等であシ
、一部は排気口（８）より排出されるが、大部分は、反
応管（１）の壁に付着したシフランジ（２）内にたまっ
たりする。この反応生成物が、磁気シール（６）部に多
量にたまると、カーボン製すセプタ叫回転棒が摩擦で動
かなくなるので砒素ゴミよけ（４）を設けて、反応生成
物が磁気シール部（６）にはいりこむ隙間を減らしてい
る。
従来の装置は以上のように構成されているので、砒素ゴ
ミよけとサセプタ支持棒の間には、サセプタ回転、上下
運動のためのすき間がわずかに残っており、このすき間
から少しづつ反応生成物が磁気シール部にたまシ、長時
間使用するとサセプタ支持棒が摩擦のために動かなくな
るという問題があった。
ミよけとサセプタ支持棒の間には、サセプタ回転、上下
運動のためのすき間がわずかに残っており、このすき間
から少しづつ反応生成物が磁気シール部にたまシ、長時
間使用するとサセプタ支持棒が摩擦のために動かなくな
るという問題があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、磁気シール部に反応生成物がたまらないで、
長期間使用してもサセプタ回転機構が故障しないＭＯＣ
ＶＤ装置を得ることを目的とする。
たもので、磁気シール部に反応生成物がたまらないで、
長期間使用してもサセプタ回転機構が故障しないＭＯＣ
ＶＤ装置を得ることを目的とする。
この発明に係る１、１００ Ｖ Ｄ装置は、磁気シール
部付近から水素ガスを導入し、ベローズ部に上昇気流を
つくり反応生成物が砒素ゴミよけとサセプタ支持棒のす
き間からはいりこまないようにしたものである。
部付近から水素ガスを導入し、ベローズ部に上昇気流を
つくり反応生成物が砒素ゴミよけとサセプタ支持棒のす
き間からはいりこまないようにしたものである。
この発明において、磁気シール付近から導入された水素
ガスはベローズ部を上昇し、砒素ゴミよけとサセプタ支
持棒のすき間から吹き出し、排気口から排気される。す
き間からガスが吹き出すので、反応生成物がこのすき間
から磁気シールユニット部へはいりこまなくなる。
ガスはベローズ部を上昇し、砒素ゴミよけとサセプタ支
持棒のすき間から吹き出し、排気口から排気される。す
き間からガスが吹き出すので、反応生成物がこのすき間
から磁気シールユニット部へはいりこまなくなる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において（１）〜（ｌｚは、従来例と同一であるので
説明は省略する。（１３）は水素ガス導入口である。
図において（１）〜（ｌｚは、従来例と同一であるので
説明は省略する。（１３）は水素ガス導入口である。
次に作用について説明する。第１図において、反応ガス
の熱分解が生じて、ウェハ上に結晶成長が行なわれる過
程、同時に多量の反応生成物が生じる点は従来例と同様
であるので説明は省略する。
の熱分解が生じて、ウェハ上に結晶成長が行なわれる過
程、同時に多量の反応生成物が生じる点は従来例と同様
であるので説明は省略する。
この発明では磁気シール（６）付近に水素ガス導入口（
１３１を設け、ここから水素ガスを導入する。これによ
りベローズ部（５）に上昇気流が生じ、砒素ゴミよけ（
４）とサセプタ支持棒（９）の隙間から常に水素ガスが
吹き出しており、この水素ガスは排気口（８）から排気
される。問題となる反応生成物はカーボンの微粒子や砒
素微粒子なので軽く、すき間から吹き出した水素ガスに
流されて排気口（８）から排出される。従って、反応生
成物が砒素ゴミよけとサセプタ支持棒のすき間を通って
、磁気シールユニット部にたまることはない。
１３１を設け、ここから水素ガスを導入する。これによ
りベローズ部（５）に上昇気流が生じ、砒素ゴミよけ（
４）とサセプタ支持棒（９）の隙間から常に水素ガスが
吹き出しており、この水素ガスは排気口（８）から排気
される。問題となる反応生成物はカーボンの微粒子や砒
素微粒子なので軽く、すき間から吹き出した水素ガスに
流されて排気口（８）から排出される。従って、反応生
成物が砒素ゴミよけとサセプタ支持棒のすき間を通って
、磁気シールユニット部にたまることはない。
なお、上記実施例では、反応生成物の堆積を防りタメに
磁気シールユニット付近から水素ガスを導入した例を示
したが、窒素ガス、アルゴンガスでも、同様の効果を奏
する。
磁気シールユニット付近から水素ガスを導入した例を示
したが、窒素ガス、アルゴンガスでも、同様の効果を奏
する。
以上のようにこの発明によれば、磁気シール部付近から
水素ガスを導入して上昇気流をつくり、反応生成物が落
下してこないようにしたので、長期間使用してもサセプ
タ回転機構が故障しないという効果がある。
水素ガスを導入して上昇気流をつくり、反応生成物が落
下してこないようにしたので、長期間使用してもサセプ
タ回転機構が故障しないという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による有機金属気相成長装
置を示す断面図、第２図は従来の有機金属気相成長装置
の断面図である。 図において、（４）は砒素ゴミよけ、（５）はステンレ
ス製ベローズ、（６）は磁気シール、（９）はサセプタ
支持棒、１３）は水素ガス導入口である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
置を示す断面図、第２図は従来の有機金属気相成長装置
の断面図である。 図において、（４）は砒素ゴミよけ、（５）はステンレ
ス製ベローズ、（６）は磁気シール、（９）はサセプタ
支持棒、１３）は水素ガス導入口である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- サセプタ支持棒の回転軸支持部における磁気シールユ
ニット付近に水素ガス、窒素ガス、アルゴンガスのいず
れかの導入口を設けたことを特徴とする有機金属気相成
長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24934588A JPH0297013A (ja) | 1988-10-03 | 1988-10-03 | 有機金属気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24934588A JPH0297013A (ja) | 1988-10-03 | 1988-10-03 | 有機金属気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0297013A true JPH0297013A (ja) | 1990-04-09 |
Family
ID=17191644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24934588A Pending JPH0297013A (ja) | 1988-10-03 | 1988-10-03 | 有機金属気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0297013A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105164307A (zh) * | 2013-04-30 | 2015-12-16 | 东京毅力科创株式会社 | 成膜装置 |
-
1988
- 1988-10-03 JP JP24934588A patent/JPH0297013A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105164307A (zh) * | 2013-04-30 | 2015-12-16 | 东京毅力科创株式会社 | 成膜装置 |
| JPWO2014178160A1 (ja) * | 2013-04-30 | 2017-02-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
| CN105164307B (zh) * | 2013-04-30 | 2017-06-27 | 东京毅力科创株式会社 | 成膜装置 |
| US10221478B2 (en) | 2013-04-30 | 2019-03-05 | Tokyo Electron Limited | Film formation device |
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