JPH0778771A - 半導体薄膜気相成長方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 反応容器と内筒との製作上の制約をなくし、
且つ半導体薄膜形成時の内筒の温度を容易に最適値に制
御できる半導体薄膜気相成長法を提供する。 【構成】 反応容器１内にその内壁に沿って内筒９を配
置し、内筒９の内側にサセプタ２を配置し、反応容器１
の外周に冷却ジャケット７を配置し、反応容器１の外周
に冷却ジャケット７を介して高周波誘導加熱コイル６を
配置する。処理すべき半導体基板４を支持したサセプタ
２を高周波誘導加熱コイル６で加熱しつつ、サセプタ２
の外周に原料ガスを流して半導体基板４の表面に半導体
薄膜を気相成長させる。この際に、内筒９の内面と外面
とに沿ってパージガスを流す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体薄膜気相成長法
及び装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図６は、従来のバレル型反応容器を用い
た半導体薄膜気相成長装置の構造を示したものである。
該装置は、石英ガラス等からなる反応容器１を有し、該
反応容器１内にはカーボン等よりなるサセプタ２がシャ
フト３で回転自在に且つ昇降自在に支持されて収容され
ている。サセプタ２は角錐台計形状をしており、その各
面に処理すべきＧａＡｓ等の半導体基板４が支持されて
いる。サセプタ２の上部には、キャップ５が取り付けら
れている。

【０００３】反応容器１の外周には、サセプタ２を例え
ば600 〜800 ℃に高周波誘導加熱する高周波誘導加熱コ
イル６が配置されている。高周波誘導加熱コイル６の内
側で反応容器１の外周には、冷却手段として冷却ジャケ
ット７が取り付けられている。該冷却ジャケット７に
は，下部の入口７ａから冷却水が供給され、上部の出口
７ｂから冷却水を排出させることにより，該反応容器１
の冷却が行なわれるようになっている。反応容器１の上
部には、該反応容器１内に原料ガス及びキャリアガスを
供給するガス供給口８が設けられている。

【０００４】反応容器１内には、その肩部に上端部を接
触部１３で接触させて石英ガラス等からなる内筒９が配
置されている。該内筒９の下部は、反応容器１の下部に
設けられた内筒受け１０により支持されている。

【０００５】反応容器１の下部は、下部容器１１で閉塞
されている。シャフト３は、この下部容器１１の底部を
気密に回転自在に且つ昇降自在に貫通して外部に導出さ
れている。反応容器１と下部容器１１の境界には、反応
容器１内の排気ガスを排出する排気口１２が設けられて
いる。

【０００６】このような半導体薄膜気相成長装置は、サ
セプタ２を高周波誘導加熱コイル６で例えば600 〜800
℃に高周波誘導加熱することにより、該サセプタ２に支
持されている半導体基板４をほぼ同じ温度まで加熱す
る。反応容器１内には、その上部のガス供給口８から原
料ガス及びキャリアガスを供給する。原料ガスとして
は、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）及びアルシン（Ａｓ
Ｈ₃ ）を、純化された水素ガスよりなるキャリアガスで
搬送することにより供給する。

【０００７】反応容器１内に供給された原料ガスは、加
熱されたサセプタ２の近傍にて、熱分解反応を起こし、
有機金属気相成長法により半導体基板４上に半導体薄膜
（ＧａＡｓ）が堆積される。反応後の未反応ガス及び半
導体基板４に堆積しなかった反応生成物は、キャリアガ
スと共に排気ガスとして排気口１２から反応容器１の外
部へ運び出される。

【０００８】反応容器１は、その安全を図るため及び余
分な熱分解反応を抑制するために、冷却ジャケット７内
に冷却水を流して冷却する。

【０００９】一方、反応容器１のみで半導体薄膜の堆積
を行うと、該反応容器１の内壁への反応生成物の付着が
多く、その付着物が剥離して半導体基板４へ付着する
と、該半導体基板４の表面欠陥等の支障を来たすため、
反応容器１内に内筒９を配置している。このように反応
容器１内に内筒９を配置すると、該内筒９はその温度が
反応容器１の温度より高くなる。ところで、浮遊粒子は
温度の低い面に引き付けられて付着され易いが、温度の
高い面には引き付けられにくく、付着されにくいという
性質（サーモフォレシス効果）があるため、該内筒９に
は反応容器１のみの場合に該反応容器１に付着する付着
物の量より付着量が少ない。内筒９が付着物で汚染され
たら、該内筒９を反応容器１から取り出し、清掃する。
このため工数，日数を多く要する反応容器１の清掃周期
を延ばすことができ保守が容易になる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】このように反応容器１
の内部に内筒９を配置することは、半導体基板４上への
不要な反応生成物の付着が少ないという利点があるが、
従来の構造では原料ガスの流れが反応容器１と内筒９の
接触部１３で乱すことのないようにすることが必要であ
る。接触部１３で原料ガスの流れが乱れて渦が生じる
と、原料ガスの切り替えを行った際に、その切り替わり
が遅れ、半導体基板４上の半導体薄膜の界面の急峻性に
支障をきたす問題点があった。

【００１１】このような問題点を回避するためには、接
触部１３の形成に非常に高い加工精度が要求される。特
に、反応容器１と内筒９は石英ガラス等で形成されてい
る関係上、接触部１３でガスの流れを乱さないようにす
る加工が難しい問題点があった。

【００１２】また、内筒９の内壁への反応生成物の付着
状況は、該内筒９の取り付け方（その厚さ，反応容器１
との間隔）により決まるものではあるが、それを最適化
するためには多数の内筒９を作製することが必要となる
問題点があった。また、反応容器１の内径が決まってい
ると、内筒９の取り付け方の条件を広い範囲で変えるこ
とができず、内筒９の取り付け方の最適化は実用上困難
であった。

【００１３】更に、内筒９の内壁とサセプタ２との間隔
（内筒９の内径）は、半導体基板４上に堆積する半導体
薄膜の厚さの該半導体基板４上の面内分布を大きく左右
する要因になるので、内筒９の径を変更して堆積する半
導体薄膜の厚さの面内均一性を最適化することが必要で
あるが、この際には接触部１３も精度よく形成すること
が必要となるため、実用上不可能であった。

【００１４】本発明の目的は、反応容器と内筒との製作
上の制約をなくし、且つ半導体薄膜形成時の内筒の温度
を容易に最適値に制御できる半導体薄膜気相成長法及び
装置を提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成する本
発明の手段を説明すると、次の通りである。

【００１６】請求項１に記載の発明は、反応容器内にそ
の内壁に沿って内筒を配置し、前記内筒の内側にサセプ
タを配置し、前記反応容器の外周を冷却媒体で冷却しつ
つ、且つ処理すべき半導体基板を支持した前記サセプタ
を加熱しつつ、前記サセプタの外周に原料ガスを流して
前記半導体基板の表面に半導体薄膜を気相成長させる半
導体薄膜気相成長方法において、前記内筒の内面と外面
とに沿ってパージガスを流しつつ前記気相成長を行わせ
ることを特徴とする。

【００１７】請求項２に記載の発明は、反応容器内にそ
の内壁に沿って内筒が配置され、前記内筒の内側にサセ
プタが配置され、前記反応容器の外周に前記サセプタを
高周波誘導加熱する高周波誘導加熱コイルと前記反応容
器を冷却する冷却手段が設けられ、前記反応容器には前
記サセプタの表面に沿って原料ガスを流す原料ガス導入
口が設けられている半導体薄膜気相成長装置において、
前記内筒はその端部を前記反応容器の肩部から離して設
置され、前記反応容器には前記原料ガスが流れ込む方向
の前記内筒の端部からその内面と外面とに沿ってパージ
ガスを流すためのパージガス導入口が設けられているこ
とを特徴とする。

【００１８】請求項３に記載の発明は、反応容器内にそ
の内壁に沿って内筒が配置され、前記内筒の内側にサセ
プタが配置され、前記反応容器の外周に前記サセプタを
高周波誘導加熱する高周波誘導加熱コイルと前記反応容
器を冷却する冷却手段が設けられ、前記反応容器には前
記サセプタの表面に沿って原料ガスを流す原料ガス導入
口が設けられている半導体薄膜気相成長装置において、
前記内筒はその端部を前記反応容器の肩部から離して設
置され、前記反応容器には前記原料ガスが流れ込む方向
の前記内筒の端部からその内面と外面とに沿ってパージ
ガスを流すためのパージガス導入口が設けられ、且つ前
記反応容器には供給側での原料ガス流とパージガス流と
の衝突を防止してガス流の向きを前記内筒の長手方向に
沿った向きに変える仕切り環体が設けられていることを
特徴とする。

【００１９】請求項４に記載の発明は、請求項２又は請
求項３において、前記内筒はその軸心の回りに回転する
回転手段に連結されていることを特徴とする。

【００２０】請求項５に記載の発明は、請求項２又は請
求項３において、前記パージガス導入口が前記内筒の端
部周方向に分散して前記反応容器に複数設けられている
ことを特徴とする。

【００２１】請求項６に記載の発明は、請求項２又は請
求項３において、前記内筒の長手方向の途中でその外周
から下流方向にパージガスを流すためのパージガス導入
口が前記反応容器に設けられていることを特徴とする。

【００２２】請求項７に記載の発明は、請求項項２，
３，５，６のいずれかにおいて、前記内筒の外周には螺
旋状に整流突起が設けられていることを特徴とする。

【００２３】

【作用】請求項１においては、内筒の内面と外面とに沿
ってパージガスを流しつつ気相成長を行わせる。このと
き、内筒の表面に沿ったパージガスの流れにより、該内
筒への反応生成物の付着を抑制できる。また、該パージ
ガスによる内筒の冷却により、該内筒への反応生成物の
付着力が強くなり、該内筒表面からの反応生成物の剥離
を防止できる。

【００２４】従って、反応容器と内筒の製作上の制約が
なくなる。このため内筒とサセプタとの間隔の最適化が
容易となり、半導体基板の表面に堆積する半導体薄膜の
膜厚の均一性を容易に確保できる。また、半導体薄膜形
成時の内筒内壁の温度を該内筒の表面に沿うパージガス
の流量等の制御により容易に最適値に制御でき、このた
め内筒内表面からの反応生成物の剥離による半導体基板
の表面に堆積した半導体薄膜の表面欠陥の発生を抑制で
きる。

【００２５】請求項２によれば、内筒の端部を反応容器
の肩部から離して設置し、反応容器には原料ガスが流れ
込む方向の内筒の端部からその内面と外面とに沿ってパ
ージガスを流すためのパージガス導入口を設けることに
より、従来問題となった反応容器と内筒の接触部での原
料ガスの流れの乱れを回避できる。

【００２６】請求項３によれば、反応容器内の供給側で
の原料ガス流とパージガス流との衝突を仕切り環体が防
止し、これらガス流の向きを内筒の長手方向に沿った向
きに変える。このため、反応容器内に原料ガスとは別に
パージガスを供給しても原料ガスの流れを乱さない。

【００２７】請求項４によれば、内筒をその軸心の回り
に回転手段にて回転することにより、パージガスが内筒
の表面を均等に流れるようになる。

【００２８】請求項５によれば、パージガス導入口を内
筒の端部周方向に分散して反応容器に複数設けることに
より、パージガスが内筒の表面を均等に流れるようにな
る。請求項６によれば、内筒の長手方向の途中でその外
周から下流方向にパージガスを流すためのパージガス導
入口を反応容器に設けることにより、内筒の温度分布を
長手方向にも調整できる。

【００２９】請求項７によれば、内筒の外周に螺旋状に
整流突起を設けることにより、該内筒の外周に均一にパ
ージガスを流すことができ、該内筒の温度を周方向に均
等にすることができる。

【００３０】

【実施例】以下、本発明の実施例を図を参照して詳細に
説明する。なお、前述した図６と対応する部分には、同
一符号を付けて示している。

【００３１】図１は、本発明の第１実施例を示したもの
である。本実施例の半導体薄膜気相成長装置において
は、内筒９はその上端を反応容器１の肩部から少し離し
て該反応容器１内に同軸状に配置され、シャフト３に支
持された内筒受け１０上に載置されて該シャフト３に支
持されている。内筒９の下部外周には、反応容器１の排
気口１２に対応して排気口１４が設けられている。

【００３２】反応容器１の肩部には、原料ガスが流れ込
む方向の内筒９の端部からその内面と外面とに沿ってパ
ージガスを流すためのパージガス導入口１５が設けられ
ている。

【００３３】また反応容器１の肩部内面には、供給側で
の原料ガス流とパージガス流との衝突を防止してガス流
の向きを内筒９の長手方向に沿った向きに変える仕切り
環体１６が下向きに突設されている。該仕切り環体１６
の両側面には、各ガスの流れが円滑に行われるように流
線形の傾斜がつけられている。

【００３４】このような半導体薄膜気相成長装置におい
ては、サセプタ２をシャフト３で回転し、高周波誘導加
熱コイル６でサセプタ２を介して半導体基板４を加熱
し、ガス供給口８から原料ガス及びキャリアガスを供給
し、内筒９の内面と外面とに沿ってパージガスを流しつ
つ、半導体基板４の表面に気相成長を行わせる。

【００３５】このとき、仕切り環体１６の存在により、
供給側での原料ガス流とパージガス流との衝突を防止し
てこれらガス流の向きを内筒９の長手方向に沿った向き
に変える。

【００３６】また、このとき、内筒９の表面に沿ったパ
ージガスの流れにより、内筒９を冷却し、且つ該内筒９
への反応生成物の付着を抑制する。この際、パージガス
の流量を調整することにより、内筒９の温度を最適な温
度に設定することが可能となる。該パージガスによる内
筒９の冷却により、該内筒９への反応生成物の付着力が
強くなり、該内筒９の表面からの反応生成物の剥離を防
止する。

【００３７】このようにして気相成長を行うと、反応容
器１と内筒９の製作上の制約がなくなり、このため半導
体基板４の表面に堆積する半導体薄膜の膜厚の均一性を
確保できる。また、半導体薄膜形成時の内筒９の内壁の
温度を容易に最適値に制御できるので、内筒９の内表面
からの反応生成物の剥離による半導体基板４の表面に堆
積した半導体薄膜の表面欠陥の発生を抑制できる。

【００３８】また、内筒９の端部を反応容器１の肩部か
ら離して設置し、反応容器１には原料ガスが流れ込む方
向の内筒９の端部からその内面と外面とに沿ってパージ
ガスを流すためのパージガス導入口１５を設けることに
より、従来問題となった反応容器１と内筒９の接触部１
３での原料ガスの流れの乱れによる渦の発生を回避でき
る。従って、原料ガスの切り替えを行った際に、その切
り替わりが遅れなくなり、半導体基板４上の半導体薄膜
の界面の急峻性を得ることができる。

【００３９】また、仕切り環体１６の存在により、反応
容器１内の供給側での原料ガス流とパージガス流との衝
突を防止し、これらガス流の向きを内筒９の長手方向に
沿った向きに変えることができ、このため反応容器１内
に原料ガスとは別にパージガスを供給しても原料ガスの
流れを乱さないようになる。

【００４０】更に、内筒９をその軸心の回りにシャフト
３で回転することにより、パージガスが内筒９の表面を
一層均等に流れるようになり、内筒９の表面にパージガ
スを流す効果を一層促進することができる。

【００４１】なお、内筒９の回転は、シャフト３に例え
ばエアモータを取り付けて行うこともできる。このよう
にすると、シャフト３の回転とは独立して、最適な回転
数で内筒９を回転することができる。

【００４２】上記のように内筒９の端部を反応容器１の
肩部から離して設置すると、図２（Ａ）（Ｂ）に示すよ
うに、内筒９の内径をその長手方向の途中から大きく、
或いは小さく変えることも容易にできるようになる。こ
のようにすると、サセプタ２と内筒９との間隔を容易に
変更することができ、このため半導体基板４の表面に堆
積する半導体薄膜の厚さの基板面内の均一化も容易に行
える。

【００４３】図３は、本発明の第２実施例を示したもの
である。本実施例の半導体薄膜気相成長装置において
は、内筒９がその上端部を反応容器１の肩部から離して
設置され、反応容器１の肩部には該内筒９の内外表面に
パージガスを流すためのパージガス導入口１５が設けら
れ、反応容器１の肩部内面には供給側での原料ガス流と
パージガス流との衝突を防止してガス流の向きを内筒９
の長手方向に沿った向きに変えるための仕切り環体１６
が下向きに突設されている点は、第１実施例と同様であ
る。

【００４４】本実施例の半導体薄膜気相成長装置におい
ては、下記の点が第１実施例と相違している。即ち、内
筒受け１０が反応容器１に支持され、該内筒９の排気口
１４に対応して内筒受け１０に排気口１７が設けられて
いる。反応容器１の肩部には、該内筒９の内外表面にパ
ージガスを流すためのパージガス導入口１５が、内筒９
の端部周方向に分散して複数設けられている。この場合
のパージガス導入口１５の数は、内筒９の内径が大きい
程多く設けることが好ましく、200 mmφで２ケ以上、30
0 mmφで４ケ以上であることが望ましい。この際に、各
パージガス導入口１５に導入するパージガスを流量を同
一にすることにより、内筒９の冷却を均一にすることが
できる。

【００４５】このようにすると、内筒９を回転すること
なく、十分に均一に該内筒９の内外表面にパージガスを
流すことができ、該内筒９の温度を制御できるようにな
った。これは内筒９の内面に付着する反応生成物の付着
状況によって確認された。

【００４６】図４は、本発明の第３実施例を示したもの
である。本実施例の半導体薄膜気相成長装置において
は、反応容器１の肩部以外に、内筒９の長手方向の中間
部に対応した位置にもパージガスを流すためのパージガ
ス導入口１８が設けられている。

【００４７】このようにすると、内筒９の内壁の温度を
長手方向にも調整することが可能となった。

【００４８】図５（Ａ）（Ｂ）は、本発明の第４実施例
を示したものである。本実施例の半導体薄膜気相成長装
置においては、内筒９の外周に螺旋状に整流突起１９が
設けられている。

【００４９】このような内筒９を用いると、パージガス
導入口１５が反応容器１の肩部に１個設けられているだ
けであっても、内筒９の外周に均一にパージガスを流す
ことができ、内筒９の内壁の温度を周方向に均等にする
ことができる。このため、最適な温度を内筒９の一部に
しか実現できないという事態を生ずることがない。

【００５０】また、これは、パージガス導入口を複数持
つ反応容器１との組合わせで用いても、パージガスをよ
り均等に流せることはいうまでもない。

【００５１】なお、図４の実施例は、図１，図３，図５
の実施例にも適用することができる。

【００５２】また、図５の実施例は、図１，図３の実施
例にも適用することができる。

【００５３】

【発明の効果】以上説明したように本発明に係る半導体
薄膜気相成長方法及び装置によれば、下記のような優れ
た効果を得ることができる。

【００５４】請求項１に記載の発明では、内筒の内面と
外面とに沿ってパージガスを流しつつ気相成長を行うの
で、該パージガスにより、内筒を冷却し、該内筒の温度
を最適な温度に設定することができる。このように内筒
を冷却すると、該内筒の内面に対する反応生成物の付着
を抑制できると共に、該内筒に対する反応生成物の付着
力が強くなり、該内筒の表面からの反応生成物の剥離を
防止することができる。

【００５５】このため、反応容器と内筒の製作上の制約
がなくなるので、内筒とサセプタとの間隔の最適化が容
易となり、半導体基板の表面に堆積する半導体薄膜の膜
厚の均一性を容易に確保することができる。また、半導
体薄膜形成時の内筒の内壁の温度を、該内筒の表面に沿
って流れるパージガスによる冷却によって容易に最適値
に制御できるので、該内筒への反応生成物の付着力が強
くなり、該内筒の内表面からの反応生成物の剥離による
半導体基板上の半導体薄膜の表面欠陥の発生を抑制する
ことができる。

【００５６】請求項２に記載の発明では、内筒の端部を
反応容器の肩部から離して設置し、反応容器には原料ガ
スが流れ込む方向の内筒の端部からその内面と外面とに
沿ってパージガスを流すためのパージガス導入口を設け
たので、従来問題となった反応容器と内筒の接触部での
原料ガスの流れの乱れによる渦の発生を回避でき、この
ため原料ガスの切り替えを行った際に、その切り替わり
が遅れなくなり、半導体基板上の半導体薄膜の界面の急
峻性を得ることができる。

【００５７】請求項３に記載の発明では、反応容器内の
供給側に仕切り環体を設けたので、供給側での原料ガス
流とパージガス流との衝突を防止して、これらガス流の
向きを内筒の長手方向に沿った向きに変えることがで
き、このため反応容器内に原料ガスとは別にパージガス
を供給しても原料ガスの流れを乱さない利点がある。

【００５８】請求項４に記載の発明では、内筒をその軸
心の回りに回転手段により回転するようにしたので、パ
ージガスを内筒の表面に均等に流すことができる。

【００５９】請求項５に記載の発明では、パージガス導
入口を内筒の端部周方向に分散して反応容器に複数設け
たので、内筒を回転しないでも、パージガスを内筒の表
面に均等に流すことができる。

【００６０】請求項６に記載の発明では、内筒の長手方
向の途中でその外周から下流方向にパージガスを流すた
めのパージガス導入口を反応容器に設けたので、内筒の
温度分布を長手方向にも調整することができる。従っ
て、内筒の温度分布を周方向及び長手方向にも調整する
ことができる。

【００６１】請求項７に記載の発明では、内筒の外周に
螺旋状に整流突起を設けたので、該内筒の外周に均一に
パージガスを流すことができ、該内筒の温度を周方向に
均等にすることができる。このため、最適な温度を内筒
の一部にしか実現できないという事態の発生を回避する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体薄膜気相成長装置の第１実
施例を示す縦断面図である。

【図２】（Ａ）（Ｂ）は本実施例で用いる内筒の２種の
例を示す縦断面図である。

【図３】本発明に係る半導体薄膜気相成長装置の第２実
施例を示す縦断面図である。

【図４】本発明に係る半導体薄膜気相成長装置の第３実
施例を示す縦断面図である。

【図５】（Ａ）（Ｂ）は本発明に係る半導体薄膜気相成
長装置の第４実施例で用いる内筒の斜視図である。

【図６】従来の半導体薄膜気相成長装置の縦断面図であ
る。

【符号の説明】

１ 反応容器 ２ サセプタ ３ シャフト ４ 半導体基板 ５ キャップ ６ 高周波誘導加熱コイル ７ 冷却ジャケット ８ ガス供給口 ９ 内筒 １０ 内筒受け １１ 下部容器 １２ 排気口 １３ 接触部 １４ 排気口 １５ パージガス導入口 １６ 仕切り環体 １７ 排気口 １８ パージガス導入口 １９ 整流突起

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 反応容器内にその内壁に沿って内筒を配
   置し、前記内筒の内側にサセプタを配置し、前記反応容
   器の外周を冷却媒体で冷却しつつ、且つ処理すべき半導
   体基板を支持した前記サセプタを加熱しつつ、前記サセ
   プタの外周に原料ガスを流して前記半導体基板の表面に
   半導体薄膜を気相成長させる半導体薄膜気相成長方法に
   おいて、 前記内筒の内面と外面とに沿ってパージガスを流しつつ
   前記気相成長を行わせることを特徴とする半導体薄膜気
   相成長方法。
2. 【請求項２】 反応容器内にその内壁に沿って内筒が配
   置され、前記内筒の内側にサセプタが配置され、前記反
   応容器の外周に前記サセプタを高周波誘導加熱する高周
   波誘導加熱コイルと前記反応容器を冷却する冷却手段が
   設けられ、前記反応容器には前記サセプタの表面に沿っ
   て原料ガスを流す原料ガス導入口が設けられている半導
   体薄膜気相成長装置において、 前記内筒はその端部を前記反応容器の肩部から離して設
   置され、 前記反応容器には前記原料ガスが流れ込む方向の前記内
   筒の端部からその内面と外面とに沿ってパージガスを流
   すためのパージガス導入口が設けられていることを特徴
   とする半導体薄膜気相成長装置。
3. 【請求項３】 反応容器内にその内壁に沿って内筒が配
   置され、前記内筒の内側にサセプタが配置され、前記反
   応容器の外周に前記サセプタを高周波誘導加熱する高周
   波誘導加熱コイルと前記反応容器を冷却する冷却手段が
   設けられ、前記反応容器には前記サセプタの表面に沿っ
   て原料ガスを流す原料ガス導入口が設けられている半導
   体薄膜気相成長装置において、 前記内筒はその端部を前記反応容器の肩部から離して設
   置され、 前記反応容器には前記原料ガスが流れ込む方向の前記内
   筒の端部からその内面と外面とに沿ってパージガスを流
   すためのパージガス導入口が設けられ、 且つ前記反応容器には供給側での原料ガス流とパージガ
   ス流との衝突を防止してガス流の向きを前記内筒の長手
   方向に沿った向きに変える仕切り環体が設けられている
   ことを特徴とする半導体薄膜気相成長装置。
4. 【請求項４】 前記内筒はその軸心の回りに回転する回
   転手段に連結されていることを特徴とする請求項２，３
   のいずれかに記載の半導体薄膜気相成長装置。
5. 【請求項５】 前記パージガス導入口が前記内筒の端部
   周方向に分散して前記反応容器に複数設けられているこ
   とを特徴とする請求項２，３のいずれかに記載の半導体
   薄膜気相成長装置。
6. 【請求項６】 前記内筒の長手方向の途中でその外周か
   ら下流方向にパージガスを流すためのパージガス導入口
   が前記反応容器に設けられていることを特徴とする請求
   項２，３のいずれかに記載の半導体薄膜気相成長装置。
7. 【請求項７】 前記内筒の外周には螺旋状に整流突起が
   設けられていることを特徴とする請求項２，３，５，６
   のいずれかに記載の半導体薄膜気相成長装置。