JPH0354193A - 有機金属気相成長装置 - Google Patents
有機金属気相成長装置Info
- Publication number
- JPH0354193A JPH0354193A JP18893289A JP18893289A JPH0354193A JP H0354193 A JPH0354193 A JP H0354193A JP 18893289 A JP18893289 A JP 18893289A JP 18893289 A JP18893289 A JP 18893289A JP H0354193 A JPH0354193 A JP H0354193A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- susceptor
- raw material
- wafer
- material gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 title 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 10
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000012800 visualization Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、バレル型サセプタを備えたｆｆ機金属気相成
長装置に関する。
長装置に関する。
（従来の技術）
第５図は従来のバレル型サセプタを備えた有機金屈気相
成長装買の断面図である。この装惟は、ウェハ１を装着
するバレル型サセプタ２を、回転軸３によりチャンバー
４の中央に配Ｚｔ， Ｌ，、有機金属原料ガス等を供給
するためのノズル５を該チャンバーの頂部に】４た、排
気管６を下部にそれぞれ接続し、ウエ／％を成長温度に
加熱するための高周波フイル７を該チャンバーの周囲に
配置し、該高周波コイルの内側のチャンバー外壁に冷却
水のジャケット８付設したものである。
成長装買の断面図である。この装惟は、ウェハ１を装着
するバレル型サセプタ２を、回転軸３によりチャンバー
４の中央に配Ｚｔ， Ｌ，、有機金属原料ガス等を供給
するためのノズル５を該チャンバーの頂部に】４た、排
気管６を下部にそれぞれ接続し、ウエ／％を成長温度に
加熱するための高周波フイル７を該チャンバーの周囲に
配置し、該高周波コイルの内側のチャンバー外壁に冷却
水のジャケット８付設したものである。
結晶成長は、上記サセプタ２上にウエ／％ １を装着し
、チャンバー４の中央で回転させ、高周波コイル７によ
りウェハを成長温度に加熱してから、有機金属原料ガス
等をチャンバー頂部のノズル５より導入し、ウエノ１表
面付近で熱分解等の反応により、ウェハ上に結晶膜をエ
ビタキシャル成長させ、排気ガスはチャンバー下方の排
気管６より排気する。サセプタの回転は、ノズルから導
入される原料ガスの片流れを防止し、ウエ／％の横方向
の膜厚を均一にしている。また、バレル型サセプタの側
壁に傾斜を設けて、原料ガスの流速を下方になるほど増
大させ、原料ガスの経時的な消費に対応させることによ
り、ウエノ＼の縦方向のＦｌＮを均一にしようとしたも
のであＺなお、冷却水ジャケット８はチャンバー内壁を
冷却することにより、内壁付近における熱分解等の反応
を抑えて原料ガスの消費を抑制している。
、チャンバー４の中央で回転させ、高周波コイル７によ
りウェハを成長温度に加熱してから、有機金属原料ガス
等をチャンバー頂部のノズル５より導入し、ウエノ１表
面付近で熱分解等の反応により、ウェハ上に結晶膜をエ
ビタキシャル成長させ、排気ガスはチャンバー下方の排
気管６より排気する。サセプタの回転は、ノズルから導
入される原料ガスの片流れを防止し、ウエ／％の横方向
の膜厚を均一にしている。また、バレル型サセプタの側
壁に傾斜を設けて、原料ガスの流速を下方になるほど増
大させ、原料ガスの経時的な消費に対応させることによ
り、ウエノ＼の縦方向のＦｌＮを均一にしようとしたも
のであＺなお、冷却水ジャケット８はチャンバー内壁を
冷却することにより、内壁付近における熱分解等の反応
を抑えて原料ガスの消費を抑制している。
（発明が解決しようとする課題）
上記装置においてバレル型サセプタ側壁の傾斜角は、ガ
スの流れ方向につい−Ｃの結品膜厚分布を均一にするた
めに、模擬チャンバーにおける司視化実験やコンビュー
タシュミＬ／一シジン、さらには現実の装置により、該
傾斜角の異なるサセプタを交換して試行錯誤的にガス流
速の増大を調べ、最適傾斜角を決定してきた。しかし、
原料ガスの導入時の流速によっても、サセプタ側壁の最
適傾斜角は変動するので、これを一義的に決定すること
は非常に困難である。
スの流れ方向につい−Ｃの結品膜厚分布を均一にするた
めに、模擬チャンバーにおける司視化実験やコンビュー
タシュミＬ／一シジン、さらには現実の装置により、該
傾斜角の異なるサセプタを交換して試行錯誤的にガス流
速の増大を調べ、最適傾斜角を決定してきた。しかし、
原料ガスの導入時の流速によっても、サセプタ側壁の最
適傾斜角は変動するので、これを一義的に決定すること
は非常に困難である。
本発明は、」二記の問題点を解消し、チャンバー内の原
料ガス流速の増大する割合を容易に変化させることがで
き、ガスの流れ方同の結晶膜厚分布を均−にすることの
できΣν機金属気相或長装置を提供しようとするもので
ある。
料ガス流速の増大する割合を容易に変化させることがで
き、ガスの流れ方同の結晶膜厚分布を均−にすることの
できΣν機金属気相或長装置を提供しようとするもので
ある。
く課題を解決するための手段）
本発明は、ウェハを装着するサセプタをチャンバーの中
央に配置し、有機金属原料ガスを供給するためのノズル
をチャンバーの一端に、排気管を他端に接続し、ウェハ
を成長温度に加熱するためのヒータを該チャンバーの周
囲に配訳した有機金属気相成長装置において、下流に向
かってチャンバーの断面積を小さくするように、該チャ
ンバー側壁に角度を設け、かつ、該サセプタを下流に移
動する手、段を付設して、ウェハとチャンバー側壁との
距離を調節可能としたことを特徴とする有機金属気相或
長装置である。
央に配置し、有機金属原料ガスを供給するためのノズル
をチャンバーの一端に、排気管を他端に接続し、ウェハ
を成長温度に加熱するためのヒータを該チャンバーの周
囲に配訳した有機金属気相成長装置において、下流に向
かってチャンバーの断面積を小さくするように、該チャ
ンバー側壁に角度を設け、かつ、該サセプタを下流に移
動する手、段を付設して、ウェハとチャンバー側壁との
距離を調節可能としたことを特徴とする有機金属気相或
長装置である。
なお、ウェハを装着するサセプタとして回転軸に支持さ
れたバレル型サセプタを用い、該回転軸を上下移動させ
ることにより、原料ガスの下流に向かう流速の増大する
割合を調整し、ウェハの横方向と合わせて縦方ハ欠つい
ても、膜厚の均一なエビタキシャル成長を行うことを可
能にした。また、バレル型サセプタは、下方に向かって
その断面積を大きくすることにより、ウェハ表面とサセ
プタ側壁との距離を下方に向かって急激に小さくするこ
とができるので、原料ガス流速の増大する割合をより容
易に変化させることができる。
れたバレル型サセプタを用い、該回転軸を上下移動させ
ることにより、原料ガスの下流に向かう流速の増大する
割合を調整し、ウェハの横方向と合わせて縦方ハ欠つい
ても、膜厚の均一なエビタキシャル成長を行うことを可
能にした。また、バレル型サセプタは、下方に向かって
その断面積を大きくすることにより、ウェハ表面とサセ
プタ側壁との距離を下方に向かって急激に小さくするこ
とができるので、原料ガス流速の増大する割合をより容
易に変化させることができる。
また、有機金属原料ガス供給ノズルの先端をチャンバー
内に仲人して、バレル型サセプタ」二端との距離を調節
可能とすることもできる。
内に仲人して、バレル型サセプタ」二端との距離を調節
可能とすることもできる。
（作用）
第１図は、本発明のｌ具体例である有機金属気相成長装
置の断面図である。第５図の装訴との相違点は、下方に
向かってチヤ・ンバー９の断面積を小さくするように、
該チャンバー側壁に角度を設け、かつ、バレル型サセプ
タ２の回転軸３に上下移動手段を付設して、ウェハｌと
チャンバー９側壁との距離を調節ｏＪ能とした点にあり
、第１図中点線から実線に該サセプタを移動することに
より、下−，方に向かって原料ガス流速の増大する割合
を変化させることができる。
置の断面図である。第５図の装訴との相違点は、下方に
向かってチヤ・ンバー９の断面積を小さくするように、
該チャンバー側壁に角度を設け、かつ、バレル型サセプ
タ２の回転軸３に上下移動手段を付設して、ウェハｌと
チャンバー９側壁との距離を調節ｏＪ能とした点にあり
、第１図中点線から実線に該サセプタを移動することに
より、下−，方に向かって原料ガス流速の増大する割合
を変化させることができる。
第２図は、この関係を説明するための図であり、チャン
バーの壁面を角度８．、サセプタの壁面を角度θ，に傾
けたと仮定し、サセプタの位置がＸにあるときに、ウェ
ハ上下端におけるウェハとチャンバーとの距離の比Ｌ，
／Ｉ，，（＝ｋ ＋）は、次式で表すことができる。
バーの壁面を角度８．、サセプタの壁面を角度θ，に傾
けたと仮定し、サセプタの位置がＸにあるときに、ウェ
ハ上下端におけるウェハとチャンバーとの距離の比Ｌ，
／Ｉ，，（＝ｋ ＋）は、次式で表すことができる。
ｋ ＋−１− ｚ／Ｉ− ＋４Ｌ ＋−（！（ｔａｎｌ
ｌ＋＋ｔａｎ＃＊）１／Ｉ， ，ａｓのただし、Ｑはウ
ェハの置かれた上下方向の長さである。
ｌ＋＋ｔａｎ＃＊）１／Ｉ， ，ａｓのただし、Ｑはウ
ェハの置かれた上下方向の長さである。
いま、サセプタをＸ゛の拉置に垂直下方に移動させると
、ウェハとチャンバーとの距離の比Ｌ．／Ｌ３（・ｋｔ
）は、次式で表すことができる。
、ウェハとチャンバーとの距離の比Ｌ．／Ｌ３（・ｋｔ
）は、次式で表すことができる。
ｋ ｔ”Ｌ ４／Ｌ ３”［Ｌ ３−１２（ｔａｎＬ＋
ｊａｎ６ｔ）］／Ｌ ，”■図より明らかなように、 Ｌ ，＞ Ｌ ．であるから ｋ ，＞ ｋ ，
・・・■即ち、サセプタを下方に移動させることによ
り、原料ガス流速の増大の割合を大８：′／することが
でき、実質的にサセプタ側壁の角度を微妙に調整したこ
とになる。このサセプタの移動にともない、チャンバー
−Ｌ方のガス導入部におけるガス流の乱れをなくするた
め、ガス導入ノズルをチャンバー内に挿入して該ノズル
先端とサセプタ上端との距離を調整してＭ流を形成する
ことも可能である。
ｊａｎ６ｔ）］／Ｌ ，”■図より明らかなように、 Ｌ ，＞ Ｌ ．であるから ｋ ，＞ ｋ ，
・・・■即ち、サセプタを下方に移動させることによ
り、原料ガス流速の増大の割合を大８：′／することが
でき、実質的にサセプタ側壁の角度を微妙に調整したこ
とになる。このサセプタの移動にともない、チャンバー
−Ｌ方のガス導入部におけるガス流の乱れをなくするた
め、ガス導入ノズルをチャンバー内に挿入して該ノズル
先端とサセプタ上端との距離を調整してＭ流を形成する
ことも可能である。
以，ヒ、バレル型サセプタを用いた装同について説明し
たが、第４図に示すくさび型サセプタ１０を横型チャン
バー１１内に配ｉ＆ シた装置においても、第１図と同
様に、チャンバー側壁に角度を設け、該サセプタ１０を
横方向に移動することにより、原料ガス流速の増大割合
を調整可能としたものであり、ｌ一記と同様の作用効果
を奏する。
たが、第４図に示すくさび型サセプタ１０を横型チャン
バー１１内に配ｉ＆ シた装置においても、第１図と同
様に、チャンバー側壁に角度を設け、該サセプタ１０を
横方向に移動することにより、原料ガス流速の増大割合
を調整可能としたものであり、ｌ一記と同様の作用効果
を奏する。
（実施例）
第１図の装置を用い、直径２インチのＧａＡｓ基板−Ｌ
にＧａＡｓエビタキシャル居を或長させた。
にＧａＡｓエビタキシャル居を或長させた。
チャンバー側壁の角度を３゜、サセプタ側壁の角度を６
゜に設計し、チャンバーを石英軍ノサセプタをカーボン
でそれぞれ作戊した。原料ガスは、トリメチルガリウム
（ＴＭＧ）を３０ＳＣＣＭで、アルシン（ Ａ ｓ Ｉ
Ｉ ａ ）をＩＳＬＭで流し、全流量を８ＳＬＭとした
。基板の成長温度を８５０℃に、成長圧力をｌＯＴｏｒ
ｒにそれぞれ設定し、サセプタをａｒｐ＠で回転させな
がらエビタキシャル成長させた。
゜に設計し、チャンバーを石英軍ノサセプタをカーボン
でそれぞれ作戊した。原料ガスは、トリメチルガリウム
（ＴＭＧ）を３０ＳＣＣＭで、アルシン（ Ａ ｓ Ｉ
Ｉ ａ ）をＩＳＬＭで流し、全流量を８ＳＬＭとした
。基板の成長温度を８５０℃に、成長圧力をｌＯＴｏｒ
ｒにそれぞれ設定し、サセプタをａｒｐ＠で回転させな
がらエビタキシャル成長させた。
第３図は、戊長じたＧａＡｓ層をステンエッチして測定
した膜厚分布のグラフである。図中（ｂ）は、第２図の
し＋（ウェハの上端におけるチャンバーとの距離）が４
ｃ−のときの、ガス流の方向の膜厚分布を示したもので
、バラツキ（膜厚最大値一膜厚最小値）／（膜厚最大値
一膜厚最小値）（％）は１１．１％と大きいのに対して
、図中（ａ）は、サセプタを下げてＬ１を３ｃｍにした
ときの、膜厚分布を示したもので、バラツキは４．２％
に抑えることができた。なお、サセプタの移動にともな
い、ノズル先端の位置がサセプタ上端から２ｃｍになる
ように、ノズルを下方に移動した。
した膜厚分布のグラフである。図中（ｂ）は、第２図の
し＋（ウェハの上端におけるチャンバーとの距離）が４
ｃ−のときの、ガス流の方向の膜厚分布を示したもので
、バラツキ（膜厚最大値一膜厚最小値）／（膜厚最大値
一膜厚最小値）（％）は１１．１％と大きいのに対して
、図中（ａ）は、サセプタを下げてＬ１を３ｃｍにした
ときの、膜厚分布を示したもので、バラツキは４．２％
に抑えることができた。なお、サセプタの移動にともな
い、ノズル先端の位置がサセプタ上端から２ｃｍになる
ように、ノズルを下方に移動した。
（発明の効果）
本発明は、Ｌ記の構成を採用し、サセプタをガス流の方
向に移動することにより、チャンバー白の原料ガスの流
速の増大割合をｆ！ｔｌＱ１に変化させることができ、
エビタキシャル層の膜淳分布を均一にすることができる
。
向に移動することにより、チャンバー白の原料ガスの流
速の増大割合をｆ！ｔｌＱ１に変化させることができ、
エビタキシャル層の膜淳分布を均一にすることができる
。
第１図は本発明の１具体例であるバレル型サセプタを有
する有機金属気相成長装置の断而図、第２図は第１図の
装置のチャンバー側壁とウェハ表面との位置関係を示し
た説明図、第３図は実施例で得たエビタキシャル層のガ
ス流れ方向の膜厚分布を示したグラフ、第４図は本発明
の別の具体例であるくさび型サセプタを有するｌｌＦ［
型有機金属気相成長装置の断面図、第５図は従来のバレ
ル型サセプタを有するイｆ機金属気相成長装置の断面図
である。
する有機金属気相成長装置の断而図、第２図は第１図の
装置のチャンバー側壁とウェハ表面との位置関係を示し
た説明図、第３図は実施例で得たエビタキシャル層のガ
ス流れ方向の膜厚分布を示したグラフ、第４図は本発明
の別の具体例であるくさび型サセプタを有するｌｌＦ［
型有機金属気相成長装置の断面図、第５図は従来のバレ
ル型サセプタを有するイｆ機金属気相成長装置の断面図
である。
Claims (4)
- （１）ウェハを装着するサセプタをチャンバーの中央に
配置し、有機金属原料ガスを供給するためのノズルをチ
ャンバーの一端に、排気管を他端に接続し、ウェハを成
長温度に加熱するためのヒータを該チャンバーの周囲に
配置した有機金属気相成長装置において、下流に向かっ
てチャンバーの断面積を小さくするように、該チャンバ
ー側壁に角度を設け、かつ、該サセプタを下流に移動す
る手段を付設して、ウェハとチャンバー側壁との距離を
調節可能としたことを特徴とする有機金属気相成長装置
。 - （２）ウェハを装着するサセプタとして回転軸に支持さ
れたバレル型サセプタを用い、該回転軸を上下移動させ
る手段を付設したことを特徴とする請求項（１）記載の
有機金属気相成長装置。 - （３）下方に向かってバレル型サセプタの断面積を大き
くするように、該サセプタの側壁に角度を設けたことを
特徴とする請求項（２）記載の有機金属気相成長装置。 - （４）有機金属原料ガス供給ノズルの先端をチャンバー
内に挿入して、バレル型サセプタ上端との距離を調節可
能としたことを特徴とする請求項（２）又は（３）記載
の有機金属気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18893289A JPH0354193A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 有機金属気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18893289A JPH0354193A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 有機金属気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0354193A true JPH0354193A (ja) | 1991-03-08 |
Family
ID=16232419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18893289A Pending JPH0354193A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 有機金属気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0354193A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5253324A (en) * | 1992-09-29 | 1993-10-12 | North Carolina State University | Conical rapid thermal processing apparatus |
| US20140038421A1 (en) * | 2012-08-01 | 2014-02-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Deposition Chamber and Injector |
| JP2015153983A (ja) * | 2014-02-18 | 2015-08-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
-
1989
- 1989-07-24 JP JP18893289A patent/JPH0354193A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5253324A (en) * | 1992-09-29 | 1993-10-12 | North Carolina State University | Conical rapid thermal processing apparatus |
| US20140038421A1 (en) * | 2012-08-01 | 2014-02-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Deposition Chamber and Injector |
| JP2015153983A (ja) * | 2014-02-18 | 2015-08-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR950012910B1 (ko) | 기상성장장치 | |
| US5158750A (en) | Boron nitride crucible | |
| TW544775B (en) | Chemical vapor deposition apparatus and chemical vapor deposition method | |
| JP2005528777A (ja) | 反転型ｃｖｄのための装置 | |
| WO1992005577A1 (fr) | Procede et appareil pour former par croissance des cristaux de composes semi-conducteurs | |
| US5075055A (en) | Process for producing a boron nitride crucible | |
| JPH0354193A (ja) | 有機金属気相成長装置 | |
| JP3968777B2 (ja) | 気相成長装置及び気相成長方法 | |
| JPH03236221A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2003100642A (ja) | 気相薄膜成長装置および気相薄膜成長方法 | |
| JP3955392B2 (ja) | 結晶成長装置及び結晶成長方法 | |
| JPH1050615A (ja) | 枚葉式気相成長装置 | |
| US20210040645A1 (en) | Silicon carbide single crystal manufacturing apparatus, and manufacturing method of silicon carbide single crystal | |
| JPS6058613A (ja) | エピタキシャル装置 | |
| JPH0520896B2 (ja) | ||
| JP3093716B2 (ja) | 縦型減圧気相成長装置 | |
| JPH0648899A (ja) | 炭化ケイ素単結晶の製造方法 | |
| JPS612318A (ja) | 半導体成長装置 | |
| JPH0362514A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH1145858A (ja) | 化合物半導体気相成長装置および方法 | |
| JPS62158867A (ja) | Ｃｖｄ薄膜形成装置 | |
| JPS61177713A (ja) | 炭化珪素化合物半導体の気相エピタキシヤル成長装置 | |
| KR100839990B1 (ko) | 이중가열방식의 수소화물기상증착 반응기 | |
| JPH0195517A (ja) | 化合物半導体製造装置及び方法 | |
| CN117867652A (zh) | 一种碳化硅外延设备的控制方法 |