JP2715817B2 - 薄膜気相成長装置 - Google Patents
薄膜気相成長装置Info
- Publication number
- JP2715817B2 JP2715817B2 JP19897492A JP19897492A JP2715817B2 JP 2715817 B2 JP2715817 B2 JP 2715817B2 JP 19897492 A JP19897492 A JP 19897492A JP 19897492 A JP19897492 A JP 19897492A JP 2715817 B2 JP2715817 B2 JP 2715817B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tray
- reaction
- chamber
- dust
- susceptor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、反応副生成物を容易に
除去し得る薄膜気相成長装置に関する。
除去し得る薄膜気相成長装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機金属化合物と水素化物の熱分解反応
によりエピタキシャル層を製造する気相成長装置にあっ
ては、熱分解反応により生じた反応副生成物がサセプ
タ、反応管の内壁、回転軸に付着する。この付着物はエ
ピタキシャル層成長を重ねるにつれて厚くなり、ついに
は剥がれ落ちて回転軸のシール部等に入り込むから、頻
繁に内部を清掃保守する必要がある。また、ウエファを
装填する際、ウエファ上に付着物が落下し、その部分が
盛り上がり鏡面成長が得られないという状況が生ずる。
によりエピタキシャル層を製造する気相成長装置にあっ
ては、熱分解反応により生じた反応副生成物がサセプ
タ、反応管の内壁、回転軸に付着する。この付着物はエ
ピタキシャル層成長を重ねるにつれて厚くなり、ついに
は剥がれ落ちて回転軸のシール部等に入り込むから、頻
繁に内部を清掃保守する必要がある。また、ウエファを
装填する際、ウエファ上に付着物が落下し、その部分が
盛り上がり鏡面成長が得られないという状況が生ずる。
【０００３】図４は、かかる反応副生成物が回転軸のシ
ール部に入り込まないようにした薄膜気相成長装置の一
例を示すものである。反応容器である反応管１０１内に
カーボン製サセプタ１０２が回転、昇降可能に回転軸１
０３で支持されており、サセプタ上には単結晶ウエファ
１０４が置かれている。反応管１０１の周囲に配置され
た高周波コイル１０５によってウエファ１０４を所要の
温度に加熱し、成長用ガス導入口１０６から有機金属化
合物と水素化物のガスを送入すると、ウエファ１０４上
で熱分解反応が生じ、エピタキシャル層が成長し、未反
応ガスは排出口１０７から排出される。
ール部に入り込まないようにした薄膜気相成長装置の一
例を示すものである。反応容器である反応管１０１内に
カーボン製サセプタ１０２が回転、昇降可能に回転軸１
０３で支持されており、サセプタ上には単結晶ウエファ
１０４が置かれている。反応管１０１の周囲に配置され
た高周波コイル１０５によってウエファ１０４を所要の
温度に加熱し、成長用ガス導入口１０６から有機金属化
合物と水素化物のガスを送入すると、ウエファ１０４上
で熱分解反応が生じ、エピタキシャル層が成長し、未反
応ガスは排出口１０７から排出される。
【０００４】サセプタ１０２の設置領域より下流側に、
サセプタの外径より大きい直径の内管１０８が回転軸１
０３の周囲に設置されており、サセプタは内管の中を通
して反応管１０１の内部に出し入れされる。内管１０８
の開口部に位置するように、内管の径より僅かに小さい
径の受け皿１０９が回転軸１０３に取り付けられてい
る。気相成長中、内管１０８の内部にパージガス導入口
１１０からパージガス（清浄ガス）を下流側から上流側
に向けて送り込み、同ガスは、内管と受け皿１０９との
隙間から噴き出し、未反応成長ガスと共に反応管１０１
と内管１０８との隙間を通り、排出口１０７から排出さ
れる。
サセプタの外径より大きい直径の内管１０８が回転軸１
０３の周囲に設置されており、サセプタは内管の中を通
して反応管１０１の内部に出し入れされる。内管１０８
の開口部に位置するように、内管の径より僅かに小さい
径の受け皿１０９が回転軸１０３に取り付けられてい
る。気相成長中、内管１０８の内部にパージガス導入口
１１０からパージガス（清浄ガス）を下流側から上流側
に向けて送り込み、同ガスは、内管と受け皿１０９との
隙間から噴き出し、未反応成長ガスと共に反応管１０１
と内管１０８との隙間を通り、排出口１０７から排出さ
れる。
【０００５】気相成長中生じる大部分の反応副生成物は
反応管１０１と内管１０８の間に形成されている隙間に
堆積し、受け皿１０９、パージガスにより内管の内部に
入り込まない。成長回数を重ねるとサセプタ１０２への
付着物が厚くなり、やがて剥がれ落ちるが、受け皿１０
９で受け取られ、内管内部への落下、回転軸１０３のシ
ール部への入り込みを防止している（特開昭６３−１９
０３２７号参照）。
反応管１０１と内管１０８の間に形成されている隙間に
堆積し、受け皿１０９、パージガスにより内管の内部に
入り込まない。成長回数を重ねるとサセプタ１０２への
付着物が厚くなり、やがて剥がれ落ちるが、受け皿１０
９で受け取られ、内管内部への落下、回転軸１０３のシ
ール部への入り込みを防止している（特開昭６３−１９
０３２７号参照）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】かかる構造によれば、
反応副生成物の回転軸１０３のシール部への入り込みは
防止されるが、反応管１０１と内管１０８との隙間に大
部分の副生成物の堆積を許容するのものであり、その除
去に際しては反応管１０１を開放しなければならない。
また、上述の構造では、反応管１０１の内部に対しウエ
ファの搬出入を行うロードロック機構についての対応が
考慮されていない。
反応副生成物の回転軸１０３のシール部への入り込みは
防止されるが、反応管１０１と内管１０８との隙間に大
部分の副生成物の堆積を許容するのものであり、その除
去に際しては反応管１０１を開放しなければならない。
また、上述の構造では、反応管１０１の内部に対しウエ
ファの搬出入を行うロードロック機構についての対応が
考慮されていない。
【０００７】本発明は、反応容器はその固定状態のまま
で反応副生成物、ダストを容易に除去することができ、
かつロードロック機構を考慮した反応副生成物の捕捉機
構を有する薄膜気相成長装置の提供を目的とするもので
ある。
で反応副生成物、ダストを容易に除去することができ、
かつロードロック機構を考慮した反応副生成物の捕捉機
構を有する薄膜気相成長装置の提供を目的とするもので
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、薄膜気相成長
装置において、反応容器と、この反応容器の下部に結合
され、側部にゲ−トバルブを介して搬送チャンバが結合
されている反応室下部チャンバと、このチャンバの下部
に取外し可能に取り付けられる上部フランジを有し、下
端部で、サセプタを昇降、回転させる回転軸を軸支する
べローズ機構部材と、前記回転軸に固定されたトレイ受
けと、このトレイ受けに嵌合、離脱可能に支持されると
共に前記べローズ機構部材の上部フランジ内縁部に載置
され得るダストトレイとを備えてなることを特徴とする
ものである。
装置において、反応容器と、この反応容器の下部に結合
され、側部にゲ−トバルブを介して搬送チャンバが結合
されている反応室下部チャンバと、このチャンバの下部
に取外し可能に取り付けられる上部フランジを有し、下
端部で、サセプタを昇降、回転させる回転軸を軸支する
べローズ機構部材と、前記回転軸に固定されたトレイ受
けと、このトレイ受けに嵌合、離脱可能に支持されると
共に前記べローズ機構部材の上部フランジ内縁部に載置
され得るダストトレイとを備えてなることを特徴とする
ものである。
【０００９】
【作用】ウエファの搬出入時、べローズ機構部材の下端
部を下げることにより、回転軸を下げ、サセプタを搬送
チャンバの設置レベルに下降させる。ゲ−トバルブを開
きフォーク（搬送ロボット）でウエファを搬出入する。
この回転軸の下降により、ダストトレイは、トレイ受け
との嵌合が外れ、べローズ機構部材の上部フランジ内縁
部に載置される。ダストトレイの清掃、メンテナンス
時、ベローズ機構部材の上部フランジをチャンバから取
り外し、同フランジを押し下げてダストトレイを掃除、
保守点検する。
部を下げることにより、回転軸を下げ、サセプタを搬送
チャンバの設置レベルに下降させる。ゲ−トバルブを開
きフォーク（搬送ロボット）でウエファを搬出入する。
この回転軸の下降により、ダストトレイは、トレイ受け
との嵌合が外れ、べローズ機構部材の上部フランジ内縁
部に載置される。ダストトレイの清掃、メンテナンス
時、ベローズ機構部材の上部フランジをチャンバから取
り外し、同フランジを押し下げてダストトレイを掃除、
保守点検する。
【００１０】
【実施例】本発明の一実施例について図面を参照して説
明する。図１は、本発明を有機金属気相成長装置に適用
した場合におけるウエファが成長動作位置にあるときの
構成図であり、図２はウエファ搬出入位置における状況
図であり、図３はメンテナンス位置における状況図であ
る。図１に示すように、縦型の反応容器１は上部に成長
ガス導入口２を有し、その下部に結合された反応室下部
チャンバ３と共に反応室を構成している。反応室下部チ
ャンバ３の側部にゲ−トバルブ４を介してウエファ５の
搬送チャンバ６が結合され、同搬送チャンバにはフォー
ク７を含む搬送機構が備えられている。反応容器１の内
部にＳｉＣコーティングされたカーボン製サセプタ８を
回転、昇降可能に支持する回転軸９が延びており、ウエ
ファ４はＳｉＣコーティングされたカーボン製ウエファ
トレイ１０に載置されてサセプタ上に置かれている。反
応容器１の周囲に、ウエファ５を所要の温度に保持する
ため、サセプタ８及びトレイ１０を加熱する高周波コイ
ル１１が配置されており、また反応容器の冷却のため
に、同容器側部に冷却水が通流する冷却室１２が形成さ
れている。
明する。図１は、本発明を有機金属気相成長装置に適用
した場合におけるウエファが成長動作位置にあるときの
構成図であり、図２はウエファ搬出入位置における状況
図であり、図３はメンテナンス位置における状況図であ
る。図１に示すように、縦型の反応容器１は上部に成長
ガス導入口２を有し、その下部に結合された反応室下部
チャンバ３と共に反応室を構成している。反応室下部チ
ャンバ３の側部にゲ−トバルブ４を介してウエファ５の
搬送チャンバ６が結合され、同搬送チャンバにはフォー
ク７を含む搬送機構が備えられている。反応容器１の内
部にＳｉＣコーティングされたカーボン製サセプタ８を
回転、昇降可能に支持する回転軸９が延びており、ウエ
ファ４はＳｉＣコーティングされたカーボン製ウエファ
トレイ１０に載置されてサセプタ上に置かれている。反
応容器１の周囲に、ウエファ５を所要の温度に保持する
ため、サセプタ８及びトレイ１０を加熱する高周波コイ
ル１１が配置されており、また反応容器の冷却のため
に、同容器側部に冷却水が通流する冷却室１２が形成さ
れている。
【００１１】回転軸９の中程で、反応副生成物、ダスト
を受けるダストトレイ１３がトレイ受け１４によって支
持されており、両者にはその係合部として、ダストトレ
イ１３にはテーパ部１３1と鍔部１３2が、そしてトレイ
受け１４にはテーパ部１４1と段部１４2が設けられてお
り、ダストトレイ１３は回転軸に固定されたトレイ受け
１４に嵌合、離脱可能に支持されている。反応室下部チ
ャンバ３には、ゲ−トバルブ４の設置レベルより上方位
置に複数のガス排気口１５が設けられており、同排気口
設置レベルの直ぐ下方に、ダストトレイ１３のエッジ部
を囲うダストカバー１６が形成されている。ウエファ５
を載せるサセプタ８及び回転軸９を昇降可能とするため
に、反応室下部チャンバ３の下部フランジ１７にべロー
ズ機構部材が結合されており、同機構部材のべローズ１
８の上部フランジ１９は、手で容易に操作できるノブ付
きの複数のボルト２０で反応室下部チャンバ３の下部フ
ランジ１７に取付けられ、べローズ１８の下部フランジ
２１に、回転軸９を軸支するフィードスルー（気密軸
受）２２を設けた底板２３が取り付けられている。
を受けるダストトレイ１３がトレイ受け１４によって支
持されており、両者にはその係合部として、ダストトレ
イ１３にはテーパ部１３1と鍔部１３2が、そしてトレイ
受け１４にはテーパ部１４1と段部１４2が設けられてお
り、ダストトレイ１３は回転軸に固定されたトレイ受け
１４に嵌合、離脱可能に支持されている。反応室下部チ
ャンバ３には、ゲ−トバルブ４の設置レベルより上方位
置に複数のガス排気口１５が設けられており、同排気口
設置レベルの直ぐ下方に、ダストトレイ１３のエッジ部
を囲うダストカバー１６が形成されている。ウエファ５
を載せるサセプタ８及び回転軸９を昇降可能とするため
に、反応室下部チャンバ３の下部フランジ１７にべロー
ズ機構部材が結合されており、同機構部材のべローズ１
８の上部フランジ１９は、手で容易に操作できるノブ付
きの複数のボルト２０で反応室下部チャンバ３の下部フ
ランジ１７に取付けられ、べローズ１８の下部フランジ
２１に、回転軸９を軸支するフィードスルー（気密軸
受）２２を設けた底板２３が取り付けられている。
【００１２】反応室下部チャンバ３の下部フランジ１７
に複数のスライド軸２４を取り付け、またべローズの上
部フランジ１９にはこれと同数の支持片２５が取り付け
られており、同支持片に固定された軸受２６内にスライ
ド軸２４が挿通し、スライド軸２４の下端部には軸受２
６の移動を制限するストッパ２７が設けられている。か
かるスライド機構部材と上述のべローズ機構部材により
サセプタ８の昇降機構を構成している。また、反応室下
部チャンバ３及びべローズ１８内をパージするためのパ
ージガス導入口２８が底板２３に設けられている。
に複数のスライド軸２４を取り付け、またべローズの上
部フランジ１９にはこれと同数の支持片２５が取り付け
られており、同支持片に固定された軸受２６内にスライ
ド軸２４が挿通し、スライド軸２４の下端部には軸受２
６の移動を制限するストッパ２７が設けられている。か
かるスライド機構部材と上述のべローズ機構部材により
サセプタ８の昇降機構を構成している。また、反応室下
部チャンバ３及びべローズ１８内をパージするためのパ
ージガス導入口２８が底板２３に設けられている。
【００１３】ウエファ４は図１の位置においてエピタキ
シャル層の成長、成膜が行われる。この時、ゲ−トバル
ブ４は閉状態にあり、反応容器１上部のガス導入口２か
ら成長用原料ガスが導入され、未反応ガスは排気口１５
から排出される。サセプタ８は回転軸９の駆動により回
転し、ダストトレイ１３も回転する。同ダストトレイは
排気口１５の直ぐ下方位置にあるダストカバー１６に僅
かな隙間をもって近接しており、ダストカバーはダスト
トレイのエッジ部を覆い、反応副生成物、ダストがチャ
ンバ３下方への侵入を防ぎ、ダストは全てダストトレイ
１３上に落ちる。また、パージガス導入口２８から供給
されるパージガス（成長中はＨ2ガス）は、ダストの侵
入を防ぐだけでなく、原料ガスの侵入を防ぐ目的で用い
られている。
シャル層の成長、成膜が行われる。この時、ゲ−トバル
ブ４は閉状態にあり、反応容器１上部のガス導入口２か
ら成長用原料ガスが導入され、未反応ガスは排気口１５
から排出される。サセプタ８は回転軸９の駆動により回
転し、ダストトレイ１３も回転する。同ダストトレイは
排気口１５の直ぐ下方位置にあるダストカバー１６に僅
かな隙間をもって近接しており、ダストカバーはダスト
トレイのエッジ部を覆い、反応副生成物、ダストがチャ
ンバ３下方への侵入を防ぎ、ダストは全てダストトレイ
１３上に落ちる。また、パージガス導入口２８から供給
されるパージガス（成長中はＨ2ガス）は、ダストの侵
入を防ぐだけでなく、原料ガスの侵入を防ぐ目的で用い
られている。
【００１４】サセプタ８を図１の成長位置からウエファ
搬出入位置に下げる場合、図示しない駆動機構により底
板２３を下げる。これに伴い回転軸９が下降し、サセプ
タ及びダストトレイ１３が下がる。ダストトレイは、ト
レイ受け１４に嵌合して支持されており、回転軸９が下
降しダストトレイ１３がべローズ１８の上部フランジ１
９に載置される位置に達するとトレイはトレイ受け１４
との嵌合が外れて離脱し、サセプタ７は図２に示すウエ
ファ搬出入位置に達する。ダストトレイ１３の下面部に
はテーパ部１３3（図１参照）が形成されており、そし
てべローズ１８の上部フランジ１９の内側縁部にはこれ
と係合するテーパ部１９1（図１参照）が所要の精度を
もって形成されており、図２に示すように、上部フラン
ジ１９に対しダストトレイ１３の位置決めが行われる。
搬出入位置に下げる場合、図示しない駆動機構により底
板２３を下げる。これに伴い回転軸９が下降し、サセプ
タ及びダストトレイ１３が下がる。ダストトレイは、ト
レイ受け１４に嵌合して支持されており、回転軸９が下
降しダストトレイ１３がべローズ１８の上部フランジ１
９に載置される位置に達するとトレイはトレイ受け１４
との嵌合が外れて離脱し、サセプタ７は図２に示すウエ
ファ搬出入位置に達する。ダストトレイ１３の下面部に
はテーパ部１３3（図１参照）が形成されており、そし
てべローズ１８の上部フランジ１９の内側縁部にはこれ
と係合するテーパ部１９1（図１参照）が所要の精度を
もって形成されており、図２に示すように、上部フラン
ジ１９に対しダストトレイ１３の位置決めが行われる。
【００１５】ダストトレイ１３内の反応副生成物、ダス
トを清掃、除去するメンテナンス時、図１に示す状態に
おいて、反応容器１、反応室下部チャンバ３及びべロー
ズ１８内を充分に窒素でパージする。そして、べローズ
１８の上部フランジ１９をチャンバ３の下部フランジ１
７に取り付けている複数本のノブ付きボルト２０を外
し、図示しない駆動機構により、底板２３を下げてサセ
プタ８を搬出入位置まで下げる。これに伴い回転軸９、
ダストトレイ１３が下降する。このとき、べローズの上
部フランジ１９は、べローズ１８の自由長（フリーな状
態での長さ）に達した時点より下降し始める。上部フラ
ンジ１９は、スライド軸２４、支持片２５及びスライド
軸受２６によるスライド機構部材で案内されて軸受２６
がスライド軸端部のストッパ２７に当るところ、ダスト
トレイ１２が清掃しやすい図３に示すメンテナンス位置
まで下降する。なお、ダストトレイ１３として、２分割
可能なように半円状の受け皿、トレイをネジで結合させ
た形のものとすることにより、ネジを外し、ダストトレ
イ１２を上部フランジ１８の載置状態から取り外して清
掃することができる。
トを清掃、除去するメンテナンス時、図１に示す状態に
おいて、反応容器１、反応室下部チャンバ３及びべロー
ズ１８内を充分に窒素でパージする。そして、べローズ
１８の上部フランジ１９をチャンバ３の下部フランジ１
７に取り付けている複数本のノブ付きボルト２０を外
し、図示しない駆動機構により、底板２３を下げてサセ
プタ８を搬出入位置まで下げる。これに伴い回転軸９、
ダストトレイ１３が下降する。このとき、べローズの上
部フランジ１９は、べローズ１８の自由長（フリーな状
態での長さ）に達した時点より下降し始める。上部フラ
ンジ１９は、スライド軸２４、支持片２５及びスライド
軸受２６によるスライド機構部材で案内されて軸受２６
がスライド軸端部のストッパ２７に当るところ、ダスト
トレイ１２が清掃しやすい図３に示すメンテナンス位置
まで下降する。なお、ダストトレイ１３として、２分割
可能なように半円状の受け皿、トレイをネジで結合させ
た形のものとすることにより、ネジを外し、ダストトレ
イ１２を上部フランジ１８の載置状態から取り外して清
掃することができる。
【００１６】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成した
ので、ウエファの搬出入は、べローズ機構部材の下端部
を下げることにより、回転軸を下げ、サセプタを搬送チ
ャンバの設置レベルに下降させることにより容易に行う
ことができる。ダストトレイの清掃、メンテナンス時、
反応容器を取り外すことなく、ベローズ機構部材の上部
フランジを反応室下部チャンバから取り外し、同フラン
ジを押し下げることにより容易にダストトレイを掃除、
保守点検することができる。
ので、ウエファの搬出入は、べローズ機構部材の下端部
を下げることにより、回転軸を下げ、サセプタを搬送チ
ャンバの設置レベルに下降させることにより容易に行う
ことができる。ダストトレイの清掃、メンテナンス時、
反応容器を取り外すことなく、ベローズ機構部材の上部
フランジを反応室下部チャンバから取り外し、同フラン
ジを押し下げることにより容易にダストトレイを掃除、
保守点検することができる。
【図１】有機金属薄膜気相成長装置に適用した本発明の
一実施例の構成図である。
一実施例の構成図である。
【図２】図１に示す薄膜気相成長装置のウエファ搬出入
位置における状況図である。
位置における状況図である。
【図３】図１に示す薄膜気相成長装置のメンテナンス位
置における状況図である。
置における状況図である。
【図４】従来の薄膜気相成長装置の一例を示す構成図で
ある。
ある。
1 反応容器 2 成長用ガス導入口 3 反応室下部チャンバ 4 ゲ−トバルブ 5 ウエファ 6 搬送チャンバ 7 フォーク 8 サセプタ 9 回転軸 10 ウエファトレイ 11 高周波コイル 12 冷却室 13 ダストトレイ 14 トレイ受け 15 排気口 16 ダストカバー 17 反応室下部チャンバの下部フランジ 18 べローズ 19 べローズの上部フランジ 20 ノブ付きボルト 21 べローズの下部フランジ 22 フィードスルー 23 底板 24 スライド軸 25 支持片 26 軸受 27 ストッパ 28 パージガス導入口
Claims (1)
- 【請求項１】 反応容器と、この反応容器の下部に結合
され、側部にゲ−トバルブを介して搬送チャンバが結合
されている反応室下部チャンバと、このチャンバの下部
に取外し可能に取り付けられる上部フランジを有し、下
端部でサセプタに結合された回転軸を軸支するべローズ
機構部材と、前記回転軸に固定されたトレイ受けと、こ
のトレイ受けに嵌合、離脱可能に支持されると共に前記
べローズ機構部材の上部フランジ内縁部に載置され得る
ダストトレイとを備えてなることを特徴とする薄膜気相
成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19897492A JP2715817B2 (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 薄膜気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19897492A JP2715817B2 (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 薄膜気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0620957A JPH0620957A (ja) | 1994-01-28 |
| JP2715817B2 true JP2715817B2 (ja) | 1998-02-18 |
Family
ID=16400030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19897492A Expired - Fee Related JP2715817B2 (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 薄膜気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2715817B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101753699B1 (ko) | 2015-09-08 | 2017-07-04 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3723712B2 (ja) | 2000-02-10 | 2005-12-07 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP4496035B2 (ja) * | 2004-07-12 | 2010-07-07 | 株式会社ジェイテック | 遠心分離機 |
| US20120073503A1 (en) * | 2010-09-24 | 2012-03-29 | Juno Yu-Ting Huang | Processing systems and apparatuses having a shaft cover |
| KR101340615B1 (ko) * | 2011-12-26 | 2013-12-11 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 화학기상 증착장치 |
| JP6918146B2 (ja) * | 2017-05-19 | 2021-08-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 液体および固体の排出物を収集して後に反応させて気体の排出物にする装置 |
-
1992
- 1992-07-03 JP JP19897492A patent/JP2715817B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101753699B1 (ko) | 2015-09-08 | 2017-07-04 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0620957A (ja) | 1994-01-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7270715B2 (en) | Chemical vapor deposition apparatus | |
| JPH04308090A (ja) | 気相化学反応生成装置のロードロック機構 | |
| KR900001666B1 (ko) | 화합물 반도체의 에피택셜층 성장용의 화학적 유기 금속 기상 성장장치 | |
| CN113604873B (zh) | 一种气相外延系统及其维护操作方法 | |
| EP0485301B1 (en) | Deposition apparatus for growing a material with reduced hazard | |
| JP2003092335A (ja) | 基板搬送装置、これを用いた基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP2715817B2 (ja) | 薄膜気相成長装置 | |
| US6787373B2 (en) | Method of replacing at least a portion of semiconductor substrate deposition process kit hardware, and method of depositing materials over a plurality of semiconductor substrates | |
| JP2002155366A (ja) | 枚葉式熱処理方法および枚葉式熱処理装置 | |
| EP0476480B1 (en) | Vacuum film forming apparatus | |
| JP2008262967A (ja) | 気相成長方法及び装置 | |
| CN113604874B (zh) | 一种气相外延系统及其维护操作方法 | |
| JPH07283139A (ja) | 薄膜気相成長装置 | |
| JPH071789Y2 (ja) | 縦型気相成長装置 | |
| CN113604875B (zh) | 一种气相外延系统及其维护操作方法 | |
| JPH058672Y2 (ja) | ||
| JPH1143773A (ja) | 薄膜気相成長装置 | |
| JP2005056910A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP4582929B2 (ja) | 成膜装置 | |
| JPH06151324A (ja) | 気相成長装置 | |
| EP0586651A1 (en) | Treatment chamber | |
| JPH06326036A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS6235809B2 (ja) | ||
| JPS63299115A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH10280153A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 11 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081107 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |