JPH11302829A

JPH11302829A - 真空装置の真空室汚染防止装置

Info

Publication number: JPH11302829A
Application number: JP10669298A
Authority: JP
Inventors: Kuniaki Horie; 邦明堀江; Yukio Fukunaga; 由紀夫福永; Kiwamu Tsukamoto; 究塚本
Original assignee: Ebara Corp
Current assignee: Ebara Corp
Priority date: 1998-04-16
Filing date: 1998-04-16
Publication date: 1999-11-02

Abstract

(57)【要約】【課題】真空室に内部空間が連通するベローズ又は他
端に開口部を有しないか或いは袋小路状のハウジング内
に存在する微粒物資により、真空室が汚染されることが
ないようにした真空装置の真空室汚染防止装置を提供す
ること。【解決手段】反応室（真空室）１１に内部空間が連通
するベローズ１４（又は他端に開口部を有しないか或い
は袋小路状のハウジング）が接続され、該ベローズ（又
はハウジング）１４の内部空間か反応室（真空室）１１
内に延びる支持部材１５が配置され、該ベローズ（又は
ハウジング）１４の内部空間に存在する微粒物質により
反応室（真空室）１１内が汚染されるのを防止する真空
装置の真空室汚染防止装置であって、ベローズ（又はハ
ウジング）１４と反応室（真空室）１１との境界部に排
気口２０又はガス導入口を設け、該排気口２０を通して
排気するか又は該ガス導入口を通してクリーンガスを供
給する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は各種真空処理を行な
う真空装置の真空室が該真空室に連通するベローズ又は
ハウジングの内部に存在するパーティクル等の微粒物質
により汚染されるのを防止する真空装置の真空室汚染防
止装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来この種の真空装置においては、真空
室内の治具等を真空室外に配置された駆動部により動作
させる必要がある。その一例として、半導体ウエハ等の
基板上に成膜するＣＶＤ装置を例に説明する。図１２は
ＣＶＤ装置の反応室に配置される基板載置台を上下動さ
せる駆動機構の構成を示す図である。図１２において、
１０２は真空室である反応室１０１内に配置された載置
台であり、該載置台１０２はウエハ等の被成膜基板１０
３が載置されている。該載置台１０２は反応室１０１に
内部空間が連通するベローズ１０４から延びている支持
部材１０５に支持されている。

【０００３】また、支持部材１０５はベローズ１０４の
外部に配置したピストン１０６とシリンダ１０７からな
る駆動機構で上下動されるようになっている。ベローズ
１０４は支持部材１０５の上下動部を覆い、且つ該支持
部材１０５の上下動に連動して伸縮し、反応室１０１内
を真空に維持する作用（反応室１０１と大気を区分けす
る作用）を奏している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記のようにベローズ
１０４を介して反応室１０１内を真空に維持する機構に
おいては、初期にベローズ１０４の室内に混入付着して
いる微粒物質或いは反応室１０１から流れ込んで付着堆
積したパーティクル等の微粒物質がベローズ１０４の縮
み時に反応室１０１に排出され、反応室１０１の内部が
該微粒物質で汚染されるという問題があった。

【０００５】また、べローズ１０４は内面の洗浄が困難
なこと、特に図１３に示すように板材１０４ａの縁部１
０４ｂを互いに溶接して構成する溶接型のベローズの場
合は伸縮により、板材１０４ａどうしが擦れパーティク
ルが発生することがあり、該パーティクルが反応室１０
１に排出されるという問題がある。なお、支持部材１０
５の上下動のストロークを大きくとるためには、伸縮ス
トロークの大きい溶接型のベローズ１０４を用いること
が多い。

【０００６】この対策として、図１２に示すように、ベ
ローズ１０４の反応室１０１の反対側の端部に排気口１
０８を設け、ベローズ１０４の室内を排気する方法があ
るが、この方法では、反応室１０１で発生したパーティ
クルをベローズ１０４内に呼び込んでしまう。この呼び
込まれたパーティクルがベローズ１０４の縮み時に反応
室１０１内に排出され、反応室１０１の内部を汚染する
という問題があった。また、このような問題は、伸縮す
るベローズに限らず、真空室に内部空間が連通する他端
に開口部を有しないか或いは袋小路状のハウジング接続
された構成の真空装置において同じように発生する。

【０００７】本発明は上述の点に鑑みてなされたもの
で、真空室に内部空間が連通するベローズ又は他端に開
口部を有しないか或いは袋小路状のハウジング内に存在
する微粒物質により、真空室が汚染されることがないよ
うにした真空装置の真空室汚染防止装置を提供すること
を目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項１に記載の発明は、真空室に内部空間が連通する
ベローズ又は他端に開口部を有しないか或いは袋小路状
のハウジングが接続され、該ベローズ又はハウジングの
内部空間に存在する或いは発生する微粒物質により真空
室内が汚染されるのを防止する真空装置の真空室汚染防
止装置であって、ベローズ又はハウジングと真空室との
境界部に排気口又はガス導入口を設け、該排気口を通し
て排気するか又は該ガス導入口を通してクリーンガスを
供給することを特徴とする。

【０００９】また、請求項２に記載の発明は、真空室に
内部空間が連通するベローズ又は他端に開口部を有しな
いか或いは袋小路状のハウジングが接続され、該ベロー
ズ又はハウジングの内部空間に存在する或いは発生する
微粒物質により真空室内が汚染されるのを防止する真空
装置の真空室汚染防止装置であって、ベローズ又はハウ
ジングの片端にガス導入口、他端に排気口を設け、該ガ
ス導入口からクリーンガスを供給すると共に排気口から
排気することを特徴とする。

【００１０】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
又は２に記載の真空装置の真空室汚染防止装置におい
て、ガス導入口をベローズ又はハウジング内と真空室内
とを連通する連通部の断面縮小部に設けたことを特徴と
する。

【００１１】また、請求項４に記載の発明は、請求項１
又は２に記載の真空装置の真空室汚染防止装置におい
て、ベローズ又はハウジング内と真空室内とを連通する
連通部に断面縮小部を設け、該断面縮小部に排気口を設
けたことを特徴とする。

【００１２】また、請求項５に記載の発明は、請求項１
乃至４に記載の真空室汚染防止装置を真空処理室を具備
する真空処理装置の真空処理室と大気を区分けする部分
に設けたことを特徴とする。

【００１３】また、請求項６に記載の発明は請求項１乃
至４に記載の真空室汚染防止装置を基板を処理する反応
室を具備する真空処理装置の該反応室内に配置された基
板載置台を反応室の外から駆動する駆動部に設けたこと
を特徴とする。

【００１４】また、請求項７に記載の発明は請求項１乃
至４に記載の真空室汚染防止装置を真空処理室を具備す
る真空処理装置の前記真空処理室と別室を区別するゲー
ト部分に設けたことを特徴とする。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態例を図
面に基づいて説明する。本実施の形態例では真空装置と
して半導体ウエハ等の基板上に成膜するＣＶＤ装置を例
に説明する。図１はＣＶＤ装置の反応室に配置される基
板載置台を上下動させる駆動部に本発明の真空室汚染防
止装置を適用した場合の構成例を示す図である。図１に
おいて、１２は真空室である反応室１１内に配置された
載置台であり、該載置台１２はウエハ等の被成膜基板１
３が載置される。該載置台１２は反応室１１に内部空間
が連通するベローズ１４から延びている支持部材（駆動
部材）１５に支持されている。

【００１６】また、支持部材１５はベローズ１４の外部
に配置したピストン１６とシリンダ１７からなる駆動機
構で上下動されるようになっている。ベローズ１４は支
持部材１５の上下動部を覆い、且つ該支持部材１５の上
下動に連動して伸縮し、反応室１１内の真空を維持する
作用（反応室と大気を区分けする作用）を奏している。
ベローズ１４と反応室１１との境界に配置された境界部
材１９に排気口２０を設け、該排気口２０から流量制御
弁２１を通して反応室１１内を排気する。

【００１７】上記のように排気口２０をベローズ１４と
反応室１１との境界に配置した境界部材１９に設け、該
排気口２０を通して排気することにより、反応室１１か
らのガスは矢印Ａに示すように、境界部材１９と支持部
材１５との隙間及び排気口２０を通って排出され、反応
室１１内で発生したパーティクルはベローズ１４の室内
に入ってくることは殆どない。但し、ベローズ１４が伸
びた時、ベローズ１４の室内に多少のガスの出入りがあ
る。

【００１８】そこでこのガスの出入りを完全に無くすた
めには、ベローズ１４の室内容積をＶ、圧力をＰ、モル
数をＭ、気体定数をＲ、絶対温度をＴとすると気体の状
態方程式より、ＰＶ＝ＭＲＴとなり、Ｍ＝一定にする必要があり、Ｍ＝ＲＶ／ＲＴか
ら、ＲＴ＝一定のときＰＶは一定であり、（Ｖ_２／Ｖ_１）＝（Ｐ_１／Ｐ_２）となるように、真空計３４の出力により流量制御弁２１
を制御して排気流量を制御するとベローズ１４の室内へ
のガスの出入りを最小にすることができる。ここで、Ｖ
_１、Ｐ_１はベローズ１４の室内容積を最大にした時の容
積及び圧力、Ｖ_２、Ｐ_２はベローズ１４を任意に縮めた
時の容積及び圧力を示す。

【００１９】図２は本発明の真空室汚染防止装置の他の
構成例を示す図である。図２において、図１と同一符号
を付した部分は同一又は相当部分を示す。なお、他の図
面においても同様とする。本例ではベローズ１４と反応
室１１との境界に配置された境界部材１９にガス導入口
２２を設け、流量制御弁２３を通してクリーンガスを該
ガス導入口２２から供給すると、該ガスは矢印Ｂに示す
ように、反応室１１内に流れる。

【００２０】上記のように、ベローズ１４と反応室１１
との境界に配置された境界部材１９に設けたガス導入口
２２を通して、クリーンガスを流すことにより、反応室
１１内のパーティクルがベローズ１４の室内に流入する
機会は少なくなる。ベローズ１４を伸縮した場合は、境
界部材１９と支持部材１５との間の隙間を通して反応室
１１内とベローズ１４の室内との間でガスの出入りの可
能性がある。この場合もベローズ１４が伸びたときの室
内容積の増大速度以上にガス導入口２２から供給するガ
ス流量を多くすればよい。なお、本方法は反応室（又は
真空室）１１に外からガスを入れると不都合な場合は使
えない。

【００２１】図３は本発明の真空室汚染防止装置の他の
構成例を示す図である。本例ではベローズ１４と反応室
１１との境界に配置された境界部材１９にガス導入口２
２を設け、ベローズ１４の反応室１１側とは反対側の端
部に排気口２６を設けている。そしてマスフローコント
ローラ２５から所定流量のクリーンガスを開閉弁２４及
びガス導入口２２を通して供給すると共に、排気口２６
から流量制御弁２７を介して所定流量（前記供給流量よ
り少ない排気流量）のガスを排気する。

【００２２】これにより、ガス導入口２２から供給した
クリーンガスの一部は矢印Ｂに示すように反応室１１内
に流れると共に、一部は矢印Ｃに示すようにベローズ１
４の室内に流れ、排気口２６、流量制御弁２７を通して
排出される。これにより、ベローズ１４の室内には反応
室１１から汚染物質が流れ込むことや、ベローズ１４の
室内から汚染物質が反応室１１内に流入することもな
い。

【００２３】図４は本発明の真空室汚染防止装置の他の
構成例を示す図である。本例が図３と相違する点は、排
気口２８を境界部材１９に設け、該排気口２８から流量
制御弁２９を通して排気できるようにしている点であ
る。この構成において、基本的にはクリーンガスの供給
流量を排気流量より大きくし、下記のように操作する。

【００２４】通常時は排気口２６に連通する流量制御弁
２７を開、排気口２８に連通する流量制御弁２９を閉と
し、マスフローコントローラ２５から排気流量より大き
い所定流量のガスを開閉弁２４、ガス導入口２２を通し
て供給する。また、ベローズ１４が縮まる時は排気口２
６に連通する下の流量制御弁２７を開、排気口２８に連
通する上の流量制御弁２９を開き又は開度を増大（流量
増大）させ、クリーンガスの供給量を絞るか又は停止
し、ベローズ１４が伸びる時は排気口２６に連通する下
の流量制御弁２７を閉じるか又は流量を絞り、排気口２
８に連通する上の流量制御弁２９を閉、上記所定流量の
クリーンガスを注入するか注入流量を増大させる。

【００２５】図５は本発明の真空室汚染防止装置の他の
構成例を示す図である。本例ではベローズ１４の反応室
１１の反対側の端部にガス導入口３０を設けると共に、
境界部材１９に排出口２８を設けている。そしてマスフ
ローコントローラ３２から所定流量のクリーンガスを開
閉弁３１、ガス導入口３０を通して供給すると共に、排
気口２８から流量制御弁３３を通して排気する。

【００２６】図５に示す構成において、ガス導入口３０
から供給するクリーンガスの供給流量より、排気口２８
から排気する排気流量を大きくすると、反応室１１から
のパーティクル等の汚染物質は該排気口２８から直ちに
排気されるのでベローズ１４の室内に流れ込み付着堆積
することはない。

【００２７】図３及び図４の構成例の場合の流量制御は
下記のように行なう。排気部のコンダクタンスが決まれ
ばそこからガスの質量流量は圧力と流量で決まる（温度
が一定の時）。クリーンガスの供給流量は上記一定値以
上の流量をマスフローコントローラ２５で供給すればよ
い。ベローズ１４が伸びる場合は、室内容積の増大速度
分だけマスフローコントローラ２５からクリーンガスの
供給流量を増大させればよい。ベローズ１４が縮む場合
は逆にクリーンガスの供給流量を減らしてもよいし、勿
論最大値で一定にしてもよい。また、図５の構成例の場
合も同様であるが、排気口２８からの質量流量が常に大
きくなるように設定すればよい。

【００２８】また、反応室１１内の圧力をＰ１、ベロー
ズ１４の室内圧力をＰ２、クリーンガスの供給圧力をＰ
３とすると、図３及び図４の構成例の場合の圧力制御
は、Ｐ３＞Ｐ１で且つＰ３＞Ｐ２と常になるように制御してもよい。但し、Ｐ１≒Ｐ２Ｐ１＞Ｐ２になるように制御するのが望ましい。図５の構成例の場
合は、Ｐ３＜Ｐ１で且つＰ３＜Ｐ２と常になるように制御してもよいが、やはりＰ１≒Ｐ２Ｐ１＞Ｐ２になるように制御するのが望ましい。

【００２９】ガス導入口２２及び排気口２８は図６に示
すように、ベローズ１４と反応室１１との境界に設けた
境界部材１９に設ける。即ち、境界部材１９の内周と支
持部材１５の外周の隙間間隔ｃは小さく絞り込んで反応
室１１内とベローズ１４内を連通する連通部の断面縮小
部となっており、該縮小部にガス導入口２２及び排気口
２８を設けることにより、上記の効果が向上する。な
お、上記隙間間隔ｃは１ｍｍ以下程度にするとガスの吸
・排気流量が少なくとも大きな効果を得ことができる。

【００３０】上記実施の形態例ではベローズ１４が雌型
の場合を説明したが、図７に示すように、ベローズ１４
が雄型の場合でも、ベローズ１４と反応室１１の境界に
配置した境界部材１９にガス導入口２２及び排気口２８
を設けることにより、本発明は実施できる。

【００３１】また、上記実施の形態例はベローズを対象
に説明したが、本発明はベローズに限定されるものでは
なく、真空室（反応室）に内部空間が連通する他端に開
口部を有しないか或いは袋小路状のハウジングであって
も適用できる。図８は真空室に袋小路状のハウジングが
接続された場合に本発明を適用する例を示す図である。

【００３２】図８において、３５は真空室であり、該真
空室３５には内部空間が真空室３５の内部に連通する袋
小路状のハウジング３６が接続されている。４６は真空
室３５内に配置された被処理物を載置する載置台であ
り、該載置台４６は支持部材４５に支持されている。３
７はモータであり、該モータ３７のステータ４０はハウ
ジング３６の内壁に固定され、ステータ４０の中央部に
ロータ４１が回転軸の上下をベアリング３８、３９で回
転自在に支持されて配置されている。ロータ４１の回転
軸と前記支持部材４５は一体的に接続され、モータ３７
の回転により、載置台４６が回転するようになってい
る。

【００３３】ハウジング３６の下端にはガス導入・排気
口４２が設けられ、真空室３５とハウジング３６の境界
にある境界壁４７にはガス導入・排気口４４が設けられ
ている。また、ベアリング３８を支持するブラケットに
もガス導入・排気口４３が設けられている。ガス導入・
排気口４２を通してクリーンガスをハウジング３６内に
供給すると共に、ガス導入・排気口４４を通して該クリ
ーンガスの供給流量より大きい流量の排気を行なうこと
により、ハウジング３６内に真空室３５からパーティク
ル等の汚染物質が流入することはなく、ハウジング（モ
ータ室）３６内に汚染物質の付着堆積を防止できる。

【００３４】また、ガス導入・排気口４４を通してクリ
ーンガスを供給し、ガス導入・排気口４２を通して該供
給流量より少ない流量の排気を行なうことにより、ハウ
ジング３６内に真空室３５からパーティクル等の汚染物
質が流入することはない。なお、ガス導入・排気口４３
から直接クリーンガスの供給を行ない、ガス導入・排気
口４４から該供給流量より大きい流量の排気を行ない、
またガス導入・排気口４４からクリーンガスを供給し、
ガス導入・排気口４３から直接該供給流量より少ない流
量の排気を行なってもよい。このようにガス導入・排気
口４３から直接クリーンガスの供給・排気を行なうこと
により、ベアリング３８の室内に汚染物質が付着堆積す
るのを防止できる。

【００３５】本発明の真空室汚染防止装置は真空室を具
備する種々の真空装置に利用できる。例えば、図９に示
すように、ロボット室５１にゲート弁５２を介して成膜
室等の真空処理室５３、５３やロードロック室５４、５
４が接続されている真空装置において、ゲート弁５２部
に本発明の真空室汚染防止装置を用いることにより、ゲ
ート弁５２から発生するパーティクル等の汚染物質で汚
染されることを防止できる。即ち、図１０に示すよう
に、支持部材１５の先端にはゲートＧを開閉する部材Ｈ
が設けられている。なお、図１０の動作は図１に示すも
のと同じでありその説明は省略する。

【００３６】また、図１１に示すように、シャワーヘッ
ド６２から反応室６１内に配置されている被成膜基板６
４に反応ガスを噴射し、被成膜基板６４を成膜させるＣ
ＶＤ装置において、被成膜基板６４を載置台６３を反応
室６１外部から駆動するための駆動部材６６やベローズ
６５等からなる駆動部に本発明の真空室汚染防止装置を
用いることにより、ベローズ６５の室内に反応室６１か
らのパーティクル等の汚染物質が流入し、付着堆積する
ことを防止できると共に、室内の汚染物が反応室６１に
流出し、該反応室６１内を汚染するのを防止できる。

【００３７】なお、本実施例はＣＶＤ装置を例に説明し
たが、真空処理室内で基板を処理する装置であれば、例
えば、スパッタ装置、エッチング装置、熱処理装置等の
真空処理装置全般に適用できることは言うまでもない。

【００３８】

【発明の効果】以上説明したように各請求項に記載の発
明によれば下記のような優れた効果が得られる。

【００３９】請求項１に記載の発明によれば、ベローズ
又はハウジングと真空室との境界部に排気口又はガス導
入口を設け、該排気口を通して真空室内を排気するか又
は該ガス導入口を通して真空室内及びベローズ又はハウ
ジングにクリーンガスを流すので、ベローズ又はハウジ
ング内に真空室からの汚染物質が流入して付着堆積する
ことがなく、該付着堆積した汚染物質やベローズ又はハ
ウジング内で発生した汚染物質が真空室内に逆流して真
空室内を汚染することがない。

【００４０】また、請求項２に記載の発明によれば、ベ
ローズ又はハウジングの片端にガス導入口、他端に排気
口を設け、該ガス導入口からクリーンガスを供給すると
共に排気口から排出するので、上記真空室の汚染防止の
効果を更に向上させることができる。また、ガス導入口
末端部を軸廻りに周状に空間を作ることにより、貫通部
全周にわたって一様の効果を期待できる。

【００４１】また、請求項３に記載の発明によれば、ベ
ローズ又はハウジング内と真空室内とを連通する連通部
の断面縮小部にガス導入口を設けたので、真空室からベ
ローズ又はハウジング内への汚染物質及びベローズ又は
ハウジングから真空室内への汚染物質の流入を効果的に
阻止でき、上記真空室の汚染防止の効果を更に向上させ
ることができる。また、ガス導入口末端部を軸廻りに周
状に空間を作ることにより、貫通部全周にわたって一様
の効果を期待できる。

【００４２】また、請求項４に記載の発明によれば、ベ
ローズ又はハウジング内と真空室内とを連通する連通部
の断面縮小部に排気口を設けたので、ベローズ又はハウ
ジング内に真空室からの汚染物質の流入及びベローズ又
はハウジング内から真空室への汚染物質の流入を効果的
に阻止でき、上記真空室の汚染防止の効果を更に向上さ
せることができる。また、ガス導入口末端部を軸廻りに
周状に空間を作ることにより、貫通部全周にわたって一
様の効果を期待できる。

【００４３】また、請求項５に記載の発明によれば、請
求項１乃至４に記載の発明を真空処理室と大気を区分す
るゲート弁部に用いるので、真空室からの汚染物質がゲ
ート弁部に流れ込んで付着堆積することなく、該付着堆
積した汚染物質により真空室内を汚染することがない。

【００４４】また、請求項６に記載の発明によれば、請
求項１乃至４に記載の発明を基板を処理する反応室を具
備する真空処理装置に用いるので、反応室からの汚染物
質がベローズ又はハウジング内に流れ込んで付着堆積す
ることなく、該付着堆積した汚染物質により反応室内を
汚染することがない。

【００４５】また、請求項７に記載の発明によれば、請
求項１乃至４に記載の発明を真空処理室を具備する真空
処理装置の該真空処理室と別室を区別けするゲート弁部
分に設けたので、真空処理室又は別室からの汚染物質が
ベローズ又はハウジング内に流れ込んで付着堆積するこ
となく、該付着堆積した汚染物質により真空処理室又は
別室内を汚染することがない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の真空室汚染防止装置の構成例を示す図
である。

【図２】本発明の真空室汚染防止装置の構成例を示す図
である。

【図３】本発明の真空室汚染防止装置の構成例を示す図
である。

【図４】本発明の真空室汚染防止装置の構成例を示す図
である。

【図５】本発明の真空室汚染防止装置の構成例を示す図
である。

【図６】本発明の真空室汚染防止装置の真空室内とベロ
ーズ内の連通部を示す図である。

【図７】本発明の真空室汚染防止装置の構成例を示す図
である。

【図８】本発明の真空室汚染防止装置の構成例を示す図
である。

【図９】本発明の真空室汚染防止装置を用いる真空処理
装置の構成例を示す図である。

【図１０】本発明の真空室汚染防止装置を真空処理装置
のゲート部に用いた構成例を示す図である。

【図１１】本発明の真空室汚染防止装置を用いるＣＶＤ
装置の構成例を示す図である。

【図１２】従来の真空室汚染防止装置の構成例を示す図
である。

【図１３】ベローズの構成例を示す図である。

【符号の説明】

１１反応室１２載置台１３被成膜基板１４ベローズ１５支持部材１６ピストン１７シリンダ１９境界部材２０排気口２１流量制御弁２２ガス導入口２３流量制御弁２４開閉弁２５マスフローコントローラ２６排気口２７流量制御弁２８排気口２９流量制御弁３０ガス導入口３１開閉弁３２マスフローコントローラ３３流量制御弁３４真空計

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＨ０１Ｌ 21/68 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ａ // Ｈ０１Ｌ 21/205 21/205

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空室に内部空間が連通するベローズ又
は他端に開口部を有しないか或いは袋小路状のハウジン
グが接続され、該ベローズ又はハウジングの内部空間に
存在する或いは発生する微粒物質により真空室内が汚染
されるのを防止する真空装置の真空室汚染防止装置であ
って、前記ベローズ又はハウジングと真空室との境界部に排気
口又はガス導入口を設け、該排気口を通して排気するか
又は該ガス導入口を通してクリーンガスを供給すること
を特徴とする真空装置の真空室汚染防止装置。
【請求項２】真空室に内部空間が連通するベローズ又
は他端に開口部を有しないか或いは袋小路状のハウジン
グが接続され、該ベローズ又はハウジングの内部空間に
存在する或いは発生する微粒物質により真空室内が汚染
されるのを防止する真空装置の真空室汚染防止装置であ
って、前記ベローズ又はハウジングの片端にガス導入口、他端
に排気口を設け、該ガス導入口からクリーンガスを供給
すると共に排気口から排気することを特徴とする真空装
置の真空室汚染防止装置。
【請求項３】請求項１又は２に記載の真空装置の真空
室汚染防止装置において、前記ガス導入口を前記ベローズ又はハウジング内と真空
室内とを連通する連通部の断面縮小部に設けたことを特
徴とする真空装置の真空室汚染防止装置。
【請求項４】請求項１又は２に記載の真空装置の真空
室汚染防止装置において、前記ベローズ又はハウジング内と真空室内とを連通する
連通部に断面縮小部を設け、該断面縮小部に排気口を設
けたことを特徴とする真空装置の真空室汚染防止装置。
【請求項５】請求項１乃至４に記載の真空室汚染防止
装置を真空処理室を具備する真空処理装置の前記真空処
理室と大気を区分けする部分に設けたことを特徴とする
真空処理装置。
【請求項６】請求項１乃至４に記載の真空室汚染防止
装置を基板を処理する反応室を具備する真空処理装置の
該反応室内に配置された基板載置台を反応室の外から駆
動する駆動部に設けたことを特徴とする真空処理装置。
【請求項７】請求項１乃至４に記載の真空室汚染防止
装置を真空処理室を具備する真空処理装置の前記真空処
理室と別室を区別けするゲート弁部分に設けたことを特
徴とする真空処理装置。