KR100350080B1 - 박막 증착 장치 - Google Patents

Abstract

박막 증착 장치에 관해 개시된다. 개시된 장치는: 내부 진공챔버를 구성하는 벽체와; 상기 진공챔버 내에 설치되며, 반응가스가 유동하며, 일측에 기판이 진출입하는 기판 진출입부를 가지는 적어도 하나의 반응챔버를 형성하는 복수의 플레이트와; 상기 반응챔버 일측으로 부터 반응챔버 내로 반응가스를 도입시키는 반응가스공급부와; 상기 반응챔버의 기판 진출입부에 대응하는 벽체의 일측에 마련되는 게이트 벨브와; 상기 진공챔버 내의 일측에 마련되는 배기덕트와; 상기 반응챔버와 상기 게이트 벨브의 사이에 마련되어, 반응챔버를 상기 배기덕트와 선택적으로 연결하여 상기 반응가스를 상기 배기덕트로 안내하는 셔터와; 상기 셔터를 작동시켜, 상기 반응챔버가 배기덕트와 연결하거나, 반응챔버와 상기 게이트 벨브 사이의 기판 진출입경로를 개방하도록 하는 셔터 구동장치를; 구비한다. 따라서, 반응가스에 의한 진공챔버 내의 오염을 최대한으로 억제하여, 진공챔버의 세정에 따른 가동율의 저하 및 이에 따른 소요경비를 절약할 수 있다.

Description

박막 증착 장치{thin film deposition apparatus}

본 발명은 박막 증착 장치에 관한 것으로서, 특히 진공 챔버 내의 오염물질의 오염을 효과적으로 방지할 수 있는 원자층 박막 증착 장치에 관한 것이다.

일반적으로 원자층 박막 증착 장치는 반응가스를 일정한 시간 간격으로 교차하여 주기적으로 반응실 내에 분사시켜 줌으로써, 웨이퍼나 유리 기판 상에 하나의 원자층 단위의 박막을 순차적으로 증착시킨다. 이와 같은 원자층 성장을 위하여 종래에는 화학기상 장치와 같은 구성의 장비를 이용하여 기판 위에서 균일한 기체를 분사시켜 주는 샤워 헤드(shower head)로부터 반응 가스를 분사하였으나, 웨이퍼나 유리 기판의 크기가 점점 커짐에 따라 기판 위에 물질이 균일하게 증착시키는 것이 어려워지게 되고, 또한 반도체 소자 분야에서는 점점 고집적화 되어감에 따라 증착막의 두께가 점점 얇아져 가는 추세에서 기존의 장치로는 균일성이나, 정확한 두께 제어가 어려워지고 있다. 따라서 기판의 크기가 점점 커지더라도 균일한 두께의 박막을 증착시키는데 유리한 트래블링 웨이브(Traveling wave) 방식이 선호되고 있다. 이 트래블링 웨이브 방식은 반응 기체를 기판의 평면방향으로부터 교대로 분사시켜 기판의 평면을 스치면서 화학적 반응이 일어나도록 하는 방식이다. 이러한 방식은 기판이 커지더라도 표면 반응이 스스로 제어되는 특징을 가져 기체를 균일하게 분사시키지 않아도 스스로 제한된 반응만이 일어나 두께의 균일성을 가지는 장점을 가진다.

도 1은 종래의 트래블링 웨이브 방식의 박막 성장 장치의 한 예의 개략적 구조를 보인다.

도 1에 도시된 바와 같이, 벽체(1)에 의해 마련된 진공 챔버(1a) 내에 히이터를 내장한 상하부 플레이트(2a, 2b)가 소정 간격으로 위치하고, 이들의 사이에 반응 챔버(2)가 마련된다. 상기 반응 챔버(2)를 구성하는 상기 상하부 플레이트(2a, 2b)의 각 내면에는 웨이퍼 또는 기판(3a, 3b)이 장착되어 상하부 플레이트(2a, 2b) 사이의 반응 챔버(2)내에 노출된다. 이러한 반응 챔버(2)는 진공 챔버(1a)의 일측에 마련된 진공 배기구(1b)에 연결되어 있고 그 타측에는 반응가스 주입구(21a, 21b)가 마련되어 있다. 상기 반응가스 주입구(21a, 21b)는 상기 상하부 플레이트(2a, 2b)에 형성되며, 이들의 사이에는 반응 가스의 유동을 안내하며, 상호 혼입을 방지하는 분리판(22)가 마련되어 있다. 이러한 구조의 박막 성장 장치는 기판을 로딩/언로딩(loading/unloading)할 때마다 진공 챔버를 개방하고 반응 챔버를 대기 중에 노출시켜 각 기판을 조작해야만 하는 단점이 있었다. 이러한 구조의 증착장치는 구조적으로 기판의 오염 가능성이 높을 뿐 아니라, 자동화되기 어려워 대량 생산에 적합하지 않다.

도 2는 종래의 트래블링 웨이브 방식의 박막 성장 장치의 다른 예의 개략적 구조를 보인다.

도 2에 도시된 바와 같이, 일측에 기판이 출입하는 게이트 벨브(1c)가 진공 챔버(1a)를 형성하는 벽체(1)에 마련되어 있다. 진공 챔버(1a) 내에 히이터를 내장한 상하부 플레이트(2a, 2b)가 소정 간격으로 위치하고, 이들의 사이에 반응 챔버(2)가 마련된다. 기판(3)이 탑재되는 하부 플레이트(2b)에는 기판(3)을 승하강시키는 승하강 핀(4a, 4b)이 마련되어 있고, 상기 상부 플레이트(2a)도 별도의 승하강 장치에 의해 승하강 된다. 상기 반응 챔버(2)는 진공 챔버(1a)의 일측에 마련된 진공 배기구(1b)에 연결되어 있고 그 타측에는 반응가스 주입구(21a, 21b)가 마련되어 있다. 상기 반응가스 주입구(21a, 21b)는 상기 상하 플레이트(2a, 2b)에 형성되며, 이들의 사이에는 반응 가스의 유동을 안내하며, 상호 혼입을 방지하는 분리판(22)가 마련되어 있다.

이러한 구조의 박막 성장 장치는 상기에 기술한 바와 같이, 상부 플레이트(2a)가 상하 이동을 하고, 상기 기판(3)이 승하강 핀(4a, 4b)에 의해 상하 이동될 수 있는 구조를 가지기 때문에 자동화가 가능하다. 그러나, 이러한 구조는 기판(3)을 로딩/언로딩하기 위해 상부 플레이트(2a)가 움직이기 때문에 기판(3) 위에 직접 오염입자가 부착될 가능성이 높다.

본 발명의 제1의 목적은 반응가스에 의한 진공챔버 내의 오염물질 발생을 효과적으로 방지할 수 있는 박막 증착 장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 제2의 목적은 진공챔버 내의 오염물질 발생의 억제로 진공챔버의 세척에 따른 불이익을 효과적으로 억제할 수 있는 박막 증착 장치를 제공하는 것이다.

도 1은 종래의 트래블링 웨이브 방식의 박막 성장 장치의 한 예의 개략적 구조를 보인다.

도 2는 종래의 트래블링 웨이브 방식의 박막 성장 장치의 다른 예의 개략적 구조를 보인다.

도 3은 본 발명의 박막 증착 장치에 따른 제 1 실시예의 개략적 구성을 보인다.

도 4는 도 3에 도시된 본 발명의 박막 증착 장치에 적용되는 셔터 및 이의 구동장치의 개략적 사시도이다.

도 5는 본 발명의 박막 증착 장치에 따른 제 2 실시예의 개략적 구성을 도시한 것으로서 하강된 셔터에 의해 게이트 벨브와 반응챔버 사이의 기판 이동경로가 개방된 상태를 보인다.

도 6은 본 발명의 박막 증착 장치에 따른 제 2 실시예의 개략적 구성을 보인것으로서 상승된 셔터에 의해 게이트 벨브와 반응챔버 사이의 기판 이동경로가 폐쇄된 상태에서 반응챔버와 배기덕트가 직접 연결된 상태를 보인다.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따르면,

내부 진공챔버를 구성하는 벽체와,

상기 진공챔버 내에 설치되며, 반응가스가 유동하며, 일측에 기판이 진출입하는 기판 진출입부를 가지는 적어도 하나의 반응챔버를 형성하는 복수의 플레이트와;

상기 반응챔버 일측으로 부터 반응챔버 내로 반응가스를 도입시키는 반응가스공급부와;

상기 반응챔버의 기판 진출입부에 대응하는 벽체의 일측에 마련되는 게이트 벨브와;

상기 진공챔버 내의 일측에 마련되는 배기덕트와;

상기 반응챔버와 상기 게이트 벨브의 사이에 마련되어, 반응챔버를 상기 배기덕트와 선택적으로 연결하여 상기 반응가스를 상기 배기덕트로 안내하는 셔터와;

상기 셔터를 작동시켜, 상기 반응챔버를 상기 배기덕트와 연결하거나, 반응챔버와 상기 게이트 벨브 사이의 기판 진출입경로를 개방하도록 하는 셔터 구동장치를; 구비하는 박막 증착 장치가 제공된다.

상기 본 발명의 박막 증착 장치에 있어서, 상기 반응챔버의 기판 진출입구와 이에 대응하는 셔터가 셔터의 이동방향에 5°내지 45°범위의 기울기로 접촉되는 접촉부를 가지는 것이 바람직하며, 상기 셔터와 상기 플레이트는 동일한 재료로 형성되는 것이 바람직하다.

또한, 상기 셔터 구동 장치는 상기 벽체의 바깥측에 설치되며, 그 작동축은 상기 진공챔버 내로 연장된 실린더인 것이 바람직하며, 상기 반응챔버는 상기 진공챔버에 비해 낮은 압력을 유지하며, 그리고, 상기 반응가스가 유동하는 셔터 내부의 컨덕턴스가 반응챔버의 컨덕턴스보다 1.5배 이상 크게 유지되는 것이 바람직하다.

한편, 상기 본 발명의 박막 증착 장치에 있어서, 상기 플레이트는 3개 이상 구비되어 적어도 2개의 반응챔버가 마련되며, 상기 셔터 내의 반응가스 유동공간에는 상기 각 반응챔버로 부터 반응가스에 대한 콘덕턴스 조절을 위한 분리판이 마련되어 있는 것이 바람직하다.

박막 증착 장치, 예를 들어, 원자층 증착 장치는 고집적도의 반도체 분야에서나 디스플레이 산업의 미세 구조에서 매우 우수한 장점을 가진 방법으로 원자층 증착 방식은 위에서 균일한 기체의 분포를 가지도록 하는 방식과 기판의 옆면에서 기체가 공급되도록 하는 방식이 있는데 본 발명은 기판의 옆면에서 공급되는 장치에 있어 화학 반응이 최소한의 면적에서 이루어지도록 함으로서 오염 면적을 줄여 미세 입자 발생원을 줄이게 된다.

이러한 본 발명은 반응챔버를 구성하는 상하부 플레이트들의 움직임이 없이 셔터의 움직임만으로 박막의 증착이 진행되는 반응챔버의 용적을 최소한으로 줄여줌에 따라 반응가스에 의한 오염물질을 줄이고, 따라서, 주기적인 세정 시간을 연장시켜 생산성을 향상시키게 된다.

이하, 첨부된 도면을 참조하면서, 본 발명의 박막 성장 장치에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.

<실시예1>

도 3은 하나의 반응챔버를 가지는 본 발명의 박막 성장 장치의 한 실시예를 개략적으로 도시한다.

도 3을 참조하면, 일측에 기판(300)이 출입하는 게이트 벨브(100c)가 진공 챔버(100a)를 형성하는 벽체(100)에 마련되어 있다. 진공 챔버(100a) 내에 히이터를 내장한 상하부 플레이트(200a, 200b)가 소정 간격으로 위치하고, 이들의 사이에 반응 챔버(200)가 마련된다. 상기 반응챔버(200) 내로는 그 일측을 통해 기존의 구조의 반응가스공급부(도 1, 2 참조)를 통해 반응가스가 도입되며, 그 타측, 즉 기판(300)이 진출입하는 타측 개구부, 즉 기판진출입부 또는 기판진출입구는 상기 게이트 벨브(100c)를 향하고 있다.

한편, 본 발명의 특징에 따라, 상기 게이트 벨브(100c)를 향하는 상기 반응챔버(200)의 일측에는 반응챔버(200)와 진공챔버(100a)의 하부측에 마련된 배기덕트(100b)를 공간적으로 직결하여 반응챔버(200)를 유동하는 반응가스를 상기 배기덕트(100b)로 안내하는 셔터(400)가 마련되어 있다. 상기 배기덕트(100b)는 미도시된 진공펌프에 연결된다. 상기 셔터(400)는 그 내부에 반응가스가 유동하는 공간을 가지는 컵형으로서 실린더(500)에 의해 동작되어 도 3에 도시된 바와 같이, 상승했을 때에는 상기한 바와 같이, 반응챔버(200)와 배기덕트(100b)를 직접 연결해 주며, 반대로 하강했을 때에는 상기 반응챔버(200)내로 상기 게이트 벨브(100c)를 통해 상기 기판(300)이 진출입할 수 있도록 진출입 경로를 개방한다.

상기 실린더(500)는 상기 진공챔버(100a)의 외부에 마련되며, 그 작동로드(501)는 상기 진공챔버(100a)내로 연장되어 상기 셔터(400)에 연결된다. 상기 셔터(400)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 지지 브라켓(502)에 의해 상기 작동로드(501)에 연결되며, 작동로드(501)의 주위에는 주름형 신축관인 벨로우즈관(503)이 위치한다.

상기 본 발명의 박막 증착 장치는 박막 증착, 예를 들어, 원자층 증착 시 반응 챔버(200)와 진공챔버(100a)를 상기 셔터(400)에 의해 공간적으로 격리하여, 반응챔버(200) 내의 반응가스가 진공챔버(100a)를 경유하지 않고, 직접 배기덕트(100b)를 통해 진공챔버(100a)의 외부로 배출되도록 되어 있다. 따라서, 반응시, 반응챔버(200)내의 온도가 그 외부의 진공챔버(100a)에 비해 높은 온도를 유지하여, 반응챔버(200) 내에서는 반응이 활발하게 일어나고, 그 바깥의 진공 챔버(100a)에서는 반응가스가 경유하지 않을 뿐 아니라 온도가 낮게 유지되게 때문에 미세하게나마 존재할 수 있는 반응가스의 반응은 잘 일어나지 않게 되고, 결과적으로 진공챔버(100a)내의 반응가스에 의한 오염이 억제된다. 여기에서, 상기 반응챔버(200)와 진공챔버(100a)간의 온도차는 상기와 같은 구조에 의해 나타날 수 있으며, 경우에 따라서는 온도차를 보다 크게 유지시키기 위한 어떤 수단, 예를 들어 상하 플레이트(200a, 200b)로 부터의 열이 반응챔버(200)로 집중되게 하거나, 상하플레이트(200a, 200b)로 부터의 열이 진공챔버(100a)측으로 전달되지 않도록 하기 위한 단열수단을 상기 상하 플레이트(200a, 200b)에 부가하는 것이 가능하다.

<실시예 2>

도 5와 도 6은 2개의 반응챔버를 가지는 본 발명의 박막 성장 장치의 실시예를 개략적으로 도시한다. 도 5는 셔터(400)가 개방(하강)되어 게이트 벨브(100c)를 통해 기판(300)이 로딩 및 언로딩이 가능한 상태로서, 두 매의 기판(300)이 상하 반응챔버(200, 201)에 로딩되어 있는 상태를 보이며, 도 6은 셔터(400)가 상승되어 각 반응챔버(200, 201)가 배기덕트(100b)에 연결되어 공급된 반응가스에 의한 반응이 진행되는 상태를 도시한다.

도 5와, 도 6을 참조하면, 일측에 기판(300)이 출입하는 게이트 벨브(100c)가 진공 챔버(100a)를 구성하는 벽체(100)에 마련되어 있다. 진공 챔버(100a) 내에 히이터를 내장한 상하부 플레이트(200a, 200b)가 소정 간격으로 위치하고, 상하부 플레이트(200a, 200b)의 사이에 중간 플레이트(200c)가 개재되어 이들의 사이에 두개의 반응 챔버(200, 201)가 마련된다. 상기 반응챔버(200, 201) 내로는 그 각각의 일측을 통해 반응가스가 도입되며, 그 타측, 즉 기판(300)이 진출입하는 타측 개구부는 상기 게이트 벨브(100c)를 향하고 있다.

한편, 본 발명의 특징에 따라, 상기 게이트 벨브(100c)를 향하는 상기 반응챔버(200, 201)의 일측에는 반응챔버(200)와 진공챔버(100a)의 하부측에 마련된 배기덕트(100b)를 공간적으로 직접 연결하여 각 반응챔버(200, 201)를 유동하는 반응가스를 상기 배기덕트(100b)로 직접 안내하는 셔터(400)가 마련되어 있다. 상기 배기덕트(100b)는 미도시된 진공펌프에 연결된다. 상기 셔터(400)의 내부에는 상하 반응챔버(200, 201)를 통과한 반응가스에 대한 유동저항을 조절하기 위한 분리판(401)이 마련된다. 이는 상하 반응챔버(200, 201)를 통과하는 반응가스의 컨덕턴스를 동일하게 유지시키기 위한 것으로 선택적 요소이다.

이때에, 상부 반응챔버(200)와 하부 반응챔버(201)를 통과하는 반응가스의 유동 거리가 다르므로, 유동거리가 상대적으로 긴 상부 반응챔버(200)에 대응하는 부분이 면적이 더 넓도록 상기 분리판(401)의 위치를 조절하는 것이 필요하다. 또한, 상하 반응챔버(200, 201)를 경유한 반응가스가 배기덕트(100b)로 쉽게 빠져 나올 수 있도록 상기 분리판(401)에 의해 분리된 셔터(400)의 각 통로의 컨덕턴스가 상하 반응챔버(200, 201)의 컨덕턴스에 비해 1.5배 이상으로 크게 확대시키는 것이 바람직하다.

상기 셔텨(400)는 실린더(500)에 의해 동작되어 도 5에 도시된 바와 같이, 상승했을 때에는 상기한 바와 같이, 상하 반응챔버(200, 201)와 배기덕트(100b)를 직접 연결해 주며, 반대로 하강했을 때에는 상기 반응챔버(200)내로 상기 게이트 벨브(100c)를 통해 상기 기판(300)이 진출입할 수 있도록 진출입 경로를 개방한다.

이상에서 설명된 실시예 1과 2에 있어서, 상기 셔터(400)에 의한 상기 반응챔버(200, 201)의 효과적인 밀폐를 위하여, 셔터(400)와 상기 반응챔버(200, 201)이 물리적으로 접촉되게 하며, 그리고, 셔터(400)의 이동의 용이성과, 그리고 셔터(400)에 의한 반응챔버(200, 201)의 효과적인 기밀유지를 위하여, 상기 반응챔버(200, 201)들에 대한 셔터(400)의 접촉부분 및 이에 대응하는 반응챔버(200,201)들의 단부인 기판진출입구가 상기 셔터(400)의 이동방향에 대해 약 5° - 45°범위 내의 각도로 경사지게 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 반응챔버(200, 201)를 구성하는 플레이트(200a, 200b, 200c)들과 셔터(400)가 가열/냉각을 반복하기 때문에 상대적인 열변형 차에 의한 어긋남을 방지하기 위하여 셔터(400)와 플레이트(200a, 200b, 200c)를 동일한 물질로서, 티타늄, 니켈, 텅스텐, 스텐레스 스틸, 탄탈륨등의 금속 등으로 형성되는 것이 바람직하다.

또한, 상기 셔터(400)에 의해 진공챔버(100a)와 공간적으로 분리된 반응챔버(200, 201)의 사이에는 셔터(400)의 물리적인 접촉에 의해 반응가스가 진공챔버(100a)내로 유입될 수 있으므로, 반응가스가 진공챔버(100a) 내로 누설되는 것을 방지하기 위하여, 반응챔버(200, 201)의 압력이 진공챔버(100a)에 비해 낮게 유지시키는 것이 바람직하다.

이상과 같은 본 발명은 증착 시, 진공챔버와 반응챔버를 격리하여, 기판에 대한 박막 증착시 반응가스가 진공챔버 내로 유입되는 것을 방지하고, 이에 따라 진공챔버 내에 반응가스에 의한 오염물질의 부착을 방지한다.

종래의 박막 증착 장치에서는 기판의 로딩 및 언로딩시, 반응가스가 진공챔버를 배기되도록 되어 구성되어 있어서, 반응가스에 의한 진공챔버 내의 다량의 오염물질의 발생이 야기되었고, 따라서, 진공챔버 주기적인 세정을 해야만 한다. 특히 세정을 위해서는 세정 시간 동안 장비를 대기 중에 장시간 노출시켜야 하고 이 세정시간 동안 장비의 가동을 멈추어야 함에 따른 생산성 감소를 감수해야 하는 단점이 있다.

그러나, 본 발명의 박막 증착 장치는 반응가스가 진공챔버에 노출되는 것을 최대한으로 억제하여 진공챔버 내의 오염물질의 발생을 획기적으로 줄여 오염 물질을 제거하기 위해 종래와 같이 진공상태를 대기상태로 만들거나 진공챔버 내의 부품을 일일이 분해하여 수용액에 담가 세정할 필요가 없이 장시간 사용할 수 있어 장치를 효율적으로 가동하여 생산성을 크게 향상시킬 수 있다.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 한해서 정해져야 할 것이다.

Claims (14)

1. 내부 진공챔버를 구성하는 벽체와,

   상기 진공챔버 내에 설치되며, 반응가스가 유동하며, 일측에 기판이 진출입하는 기판 진출입부를 가지는 적어도 하나의 반응챔버를 형성하는 복수의 플레이트와;

   상기 반응챔버 일측으로 부터 반응챔버 내로 반응가스를 도입시키는 반응가스공급부와;

   상기 반응챔버의 기판 진출입부에 대응하는 벽체의 일측에 마련되는 게이트 벨브와;

   상기 진공챔버 내의 일측에 마련되는 배기덕트와;

   상기 반응챔버와 상기 게이트 벨브의 사이에 마련되어, 반응챔버와 상기 배기덕트를 선택적으로 연결하여 상기 반응가스를 상기 배기덕트로 안내하는 셔터와;

   상기 셔터를 작동시켜, 상기 반응챔버가 배기덕트와 연결하거나, 반응챔버와 상기 게이트 벨브 사이의 기판 진출입경로를 개방하도록 하는 셔터 구동장치를; 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
2. 제 1 항에 있어서,

   반응챔버의 기판 진출입구와 이에 대응하는 셔터가 셔터의 이동방향에 5°내지 45°범위의 기울기로 접촉되는 접촉부를 가지는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 셔터와 상기 플레이트는 동일한 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 셔터 구동 장치는 상기 벽체의 바깥측에 설치되며, 그 작동축은 상기 진공챔버 내로 연장된 실린더인 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
5. 제 3 항에 있어서,

   상기 셔터 구동 장치는 상기 벽체의 바깥측에 설치되며, 그 작동축은 상기 진공챔버 내로 연장된 실린더인 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
6. 제 1 항 내지 제 5 항 중의 한 항에 있어서,

   상기 반응챔버는 상기 진공챔버에 비해 낮은 압력을 유지하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
7. 제 3 항에 있어서,

   상기 반응챔버의 기판 진출입구와 이에 대응하는 셔터가 셔터의 이동방향에 5°내지 45°범위의 기울기로 접촉되는 접촉부를 가지는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
8. 제 7 항에 있어서,

   상기 셔터 구동 장치는 상기 벽체의 바깥측에 설치되며, 그 작동로드는 상기 진공챔버 내로 연장된 실린더인 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
9. 제 1 항 내지 제 5 항, 제 7 항 및 제 8 항 중의 어느 한 항에 있어서,

   상기 반응가스가 유동하는 셔터 내부의 컨덕턴스가 반응챔버의 컨덕턴스보다 1.5배 이상 크게 유지되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
10. 제 1 항 내지 제 5 항, 제 7 항 및 제 8 항 중의 어느 한 항에 있어서,

    상기 플레이트는 3개 이상 구비되어 적어도 2개의 반응챔버가 마련되며,

    상기 셔터 내의 반응가스 유동공간에는 상기 각 반응챔버로 부터 반응가스에 대한 콘덕턴스 조절을 위한 분리판이 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
11. 제 6 항에 있어서,

    상기 플레이트는 3개 이상 구비되어 적어도 2개의 반응챔버가 마련되며,

    상기 셔터 내의 반응가스 유동공간에는 상기 각 반응챔버로 부터 반응가스에 대한 콘덕턴스 조절을 위한 분리판이 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
12. 제 9 항에 있어서,

    상기 플레이트는 3개 이상 구비되어 적어도 2개의 상하 반응챔버가 마련되며,

    상기 셔터 내의 반응가스 유동공간에는 상기 각 반응챔버로 부터 반응가스에 대한 콘덕턴스 조절을 위한 분리판이 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
13. 삭제
14. 삭제