JP2012222287A - プラズマcvd成膜装置および基板搭載装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板搭載部の基板を搭載する上表面を平滑面とすることによって、基板搭載部への薄膜成分の吸着確率を低くし、基板上の薄膜成膜に対する影響を低減する。基板搭載部は基板を保持する保持部材を備え、保持部材の表面の内、基板と搭載する上表面は、基板を搭載した状態において少なくとも基板で覆われずに露出する部分を平滑面とする。保持部材の上表面を平滑面とすることによって、基板搭載部への薄膜成分の吸着確率を低くする。
【選択図】図3
Description
はじめに、図3を用いて本発明のプラズマCVD成膜装置の第1の構成例について説明する。図3では制御装置は図示していない。
次に、図4を用いて本発明のプラズマCVD成膜装置の第2の構成例について説明する。第2の構成例は、第1の構成例において、基板搭載部4を第1の電極3の高周波電極側に保持させる構成である。以下では、第1の構成例と共通する部分の説明を省略し、基板搭載部4の構成についてのみ説明する。
次に、図5を用いて本発明のプラズマCVD成膜装置の第3の構成例について説明し、図6を用いて本発明のプラズマCVD成膜装置の第4の構成例について説明する。以下では、第1の構成例と共通する部分の説明を省略し、相違する構成についてのみ説明する。
次に、図7を用いて本発明のプラズマCVD成膜装置の第5の構成例について説明する。
2 プロセス室
3 第1の電極
4 基板搭載部
4a 平滑面
4b 保持部材
4A,4B 突出部
5 第2の電極
6 高周波電源
7 マッチングボックス
8 ガス供給部
9 ガス排気部
10 基板
11 成膜装置
12 プロセス室
13 高周波電極
13a 高周波電極
14 対向電極
15 平行平板電極
16 高周波電源
17 マッチングボックス
18 ガス供給部
19 ガス排気部
20 基板搭載部
20a 表面
100 基板
110 薄膜
110a 表面
110b 表面
110c 薄膜
120a 薄膜
Claims (8)
- プラズマCVDにより基板上に薄膜を形成する成膜装置において、
プラズマを生成し基板上に成膜処理を施す成膜室と、
前記成膜室内において電極間に放電プラズマを生成する二つの放電電極と、
前記二つの放電電極の内の一方の放電電極に高周波電力を印加する高周波電源と、
前記基板を保持する基板搭載部と、
前記成膜室内にガスを供給するガス供給部とを備え、
前記基板搭載部は基板を保持する保持部材を備え、当該保持部材の基板を搭載する上表面は、基板を搭載した状態において少なくとも基板で覆われずに露出する部分は平滑面であることを特徴とする、プラズマCVD成膜装置。 - 前記保持部材の平滑面の表面粗さは、基板の表面の表面粗さよりも小さいことを特徴とする、請求項1に記載のプラズマCVD成膜装置。
- 前記保持部材の平滑面の表面粗さは、算術平均粗さRaが5,0μm以下であることを特徴とする、請求項1又は2に記載のプラズマCVD成膜装置。
- 前記保持部材の平滑面は研磨面であることを特徴とする、請求項1から3のいずれか一つに記載のプラズマCVD成膜装置。
- 前記保持部材はカーボンであることを特徴とする、請求項1から4の何れか一つの記載のプラズマCVD成膜装置。
- 前記保持部材は前記基板を垂直状態に保持することを特徴とする、請求項1から5の何れか一つに記載のプラズマCVD成膜装置。
- 前記保持部材はプラズマCVD成膜装置が備える二つの放電電極の内の何れか一方の放電電極を構成し、高周波電源側又は接地側に電気的に接続されることを特徴とする、請求項1から6の何れか一つに記載のプラズマCVD成膜装置。
- 成膜室内の電極間で生成される放電プラズマによって基板に薄膜を形成するプラズマCVD成膜装置において前記基板を保持する基板搭載装置であって、
基板を保持する保持部材を備え、当該保持部材の基板を搭載する上表面は、基板を搭載した状態において少なくとも基板で覆われずに露出する部分が平滑面であることを特徴とする、基板搭載装置。
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JP2011089225A JP2012222287A (ja) | 2011-04-13 | 2011-04-13 | プラズマcvd成膜装置および基板搭載装置 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014107414A (ja) * | 2012-11-28 | 2014-06-09 | Shimadzu Corp | サンプルホルダ |
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-
2011
- 2011-04-13 JP JP2011089225A patent/JP2012222287A/ja active Pending
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