TWI434369B - A substrate stage and a substrate processing device - Google Patents

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Description

基板載置台及基板處理裝置
本發明係關於一種載置平面顯示器(FPD)製造用的玻璃基板等基板之基板載置台及使用該基板載置台而對基板施予乾蝕刻等處理之基板處理裝置。
在例如FPD製造過程中，對於被處理基板之玻璃基板，大多使用乾蝕刻或濺鍍、CVD(化學氣相沉積)等電漿處理。而這樣的電漿處理係利用例如在處理室(腔室)內具備一對平行平板電極(上部電極及下部電極)的基板處理裝置加以進行。
具體而言，在處理室內兼備基板載置台並具有作為下部電極機能的晶座上載置被處理基板，並將處理氣體導入處理室內的同時，將高頻電力施加在上述電極的至少一方而於電極間形成高頻電場，藉由利用該高頻電場形成處理氣體的電漿，進行對於上述被處理基板的電漿處理。
這樣的載置台係具備由例如鋁構成的基材、及形成在該基材上之作為介電性材料層的例如由Al2 O3 溶射膜構成的絕緣層。在該絕緣層中係內藏電極板，並利用將高電壓施加至該電極板而產生在載置台上的庫侖力，能夠吸附支撐被處理基板。又也有為了提高這樣的絕緣層之耐蝕刻性，而利用樹脂被覆上述絕緣層的表面整體者(參照例如專利文獻1、2)。
然而，載置台的表面係因為在實際上成為緩曲面，因此當以面接觸將被處理基板載置在載置台上時，會產生間隙，藉由電漿處理使附著物易於堆積。為此，附著物係與被處理基板接觸而產生蝕刻不均、或是由於附著物而使被處理基板緊黏在載置台的不合宜情況。為了防止此情況，習知以來在載置台的表面係形成複數個凸部，並利用點接觸載置被處理基板者係為公知的(參照例如專利文獻3)。
〔專利文獻1〕日本特開平9－298190號公報〔專利文獻2〕日本特開2003－7812號公報〔專利文獻3〕日本特開2002－313898號公報
然而，當在載置台表面形成複數個凸部時，在將被處理基板吸附支撐在載置台上時，會有藉由與凸部接觸而損傷被處理基板內面的情況。例如使載置台表面的凸部利用Al2 O3 溶射膜加以形成，並在這樣的載置台載置FPD用的玻璃基板的情況，構成凸部的Al2 O3 硬度係達到(維克氏硬度)Hv1000程度為非常硬，較一般玻璃基板的硬度(Hv600程度)更高。當將這樣的玻璃基板靜電吸附在載置台時，與載置台的凸部接觸而損傷玻璃基板內面的必然性為高。
又雖然也有利用陶瓷構成載置台的凸部者(例如專利 文獻3)，但是因為該陶瓷一般而言具有上述之Al2 O3 以上的硬度，因此即使針對由陶瓷所構成的凸部，損傷玻璃基板內面的必然性也高。
因此，本發明為有鑑於這樣的問題點所開發者，其目的為提供在載置基板時能夠防止在基板內面造成損傷之基板載置台及基板處理裝置。
為了解決上述課題，若是根據本發明之一觀點，係提供載置利用基板處理裝置所處理的基板之基板載置台，並具備：基材；形成在前述基材上，並載置前述基板的介電性材料層；及形成在前述介電性材料層上的複數個凸部，其特徵為：前述各凸部係利用比前述基板更低硬度的材料構成至少與前述基板的接觸部份之基板載置台。
為了解決上述課題，若是根據本發明之另一觀點，係提供具備對基板施予既定處理的處理室之基板處理裝置，並具備：設置在前述處理室內，並載置前述基板的基板載置台；供給處理氣體至前述處理室內的氣體供給手段；及將前述處理室內進行排氣的排氣手段，其特徵為：前述基板載置台係具備：基材；形成在前述基材上，並載置前述基板的介電性材料層；及形成在前述介電性材料層上的複數個凸部，前述各凸部係利用比前述基板更低硬度的材料構成至少與前述基板的接觸部份之基板處理裝置。
若是根據這樣的本發明，由於前述各凸部係利用比前 述基板更低硬度的材料構成至少與前述基板的接觸部份因此在將基板載置在介電性材料層上時，能夠防止在基板內面造成損傷。
又利用比前述基板更低硬度的材料構成上述各凸部的上部亦可，利用比前述基板更低硬度的材料構成上述各凸部的全部亦可。不論在任一情況下，都可以利用比前述基板更低硬度的材料構成與基板的接觸部份。
又上述介電性材料層係在下部介電性材料層與上部介電性材料層之間，形成用以將前述基板靜電吸附在前述介電性材料層上的導電層亦可。藉此，介電性材料層係能夠將基板靜電吸附在其上面，並即使此時使基板內面與凸部接觸，因為該接觸部份係利用比前述基板更低硬度的材料加以構成，因此能夠防止在基板內面造成損傷。
為了解決上述課題，若是根據本發明之另一觀點，係提供載置利用基板處理裝置所處理的基板之基板載置台，並具備：基材；形成在前述基材上，並在下部介電性材料層與上部介電性材料層之間，具有為了將前述基板靜電吸附在前述上部介電性材料層上的導電層之介電性材料層；形成在前述上部介電性材料層上的複數個凸部；及以包圍前述凸部所形成的領域周圍之方式，形成在前述上部介電性材料層上的周緣之台部，其特徵為：前述各凸部及前述台部係利用比前述基板更低硬度的材料構成至少與前述基板的接觸部份之基板載置台。
為了解決上述課題，若是根據本發明之另一觀點，係 提供載置利用基板處理裝置所處理的基板之基板載置台，並具備：基材；形成在前述基材上，並在下部介電性材料層與上部介電性材料層之間，具有為了將前述基板靜電吸附在前述上部介電性材料層上的導電層之介電性材料層；形成在前述上部介電性材料層上的複數個凸部；以包圍前述凸部所形成的領域周圍之方式，形成在前述上部介電性材料層上的周緣之台部；用以供給氣體至前述下部介電性材料層與靜電吸附在前述上部介電性材料層上的前述基板內面之間的氣體流路；及形成在前述介電性材料層，並將來自前述氣體流路的氣體引導至前述基板內面的複數個氣體孔，其特徵為：前述各凸部係利用比前述基板更低硬度的材料構成至少與前述基板的接觸部份之基板載置台。
若是根據這樣的本發明，因為不只是上述的凸部，對於台部也是利用比前述基板更低硬度的材料構成與基板的接觸部份，因此在將基板載置在介電性材料層上的凸部與台部之上時，即使針對基板內面的周緣部也能夠防止損傷。
又將構成上述台部之基板接觸部份的材料與構成前述各凸部之基板接觸部份的材料利用相同材料構成亦可，或是利用不同材料構成亦可。若是利用比基板更低硬度的材料構成此等的基板接觸部的話，就能夠防止在基板內面造成損傷。在該情況下，就構成上述台部之基板接觸部份的材料而言，使用比構成前述各凸部之基板接觸部份材料更高硬度者亦可。藉此，在將基板靜電吸附在上述介電性材 料層之上時，能夠更提高基板與台部的密合性。藉此，能夠提高例如供給至基板內面的氣體壓力，即使如此也能夠防止氣體從基板與台部之間洩漏。
又上述各凸部係配列為格子狀，前述氣體孔係以分別配置前述複數個氣體孔的方式，配列在前述各凸部的周圍亦可。藉此，能夠抑制基板內面與各凸部之基板接觸部份接觸時之接觸壓力的參差不齊。藉此，涵蓋基板的內面整體，能夠更確實防止損傷。
又上述基板例如為平面板顯示器製造用的玻璃基板，比前述基板更低硬度的材料例如為鋁或樹脂。一般而言，鋁或樹脂係由於硬度比玻璃基板更低，因此即使與玻璃基板內面接觸，也難以造成損傷。
若是根據本發明，可以提供在載置基板時能夠防止在基板內面造成損傷之基板載置台及基板處理裝置。
 (用以實施發明之最佳形態)
以下，一邊參照添附圖面一邊針對本發明之合適的實施形態詳細說明。
又在本說明書及圖面中，對於在實質上有相同機能構造的構成要素係藉由附予相同的符號而省略重覆說明。
(基板載置台)
首先，針對關於本發明之第1實施形態的基板載置台，一邊參照圖面一邊說明。第1圖係為作為關於本實施形態之基板載置台的基座之剖面圖，第2圖係為俯視該基座的圖面。第1圖係相當於第2圖所示之P1－P1'的剖面圖。
如第1圖所示，關於本實施形態的基板載置台之基座100係具有基材110、設置在基材110上之作為絕緣膜的介電性材料層120。又基材110的側面係涵蓋整個周圍，利用絕緣構件112加以覆蓋。基材110係為支撐介電性材料層120者，並利用例如鋁等金屬或碳之類的導電體加以構成。
又介電性材料層120係只要是介電性材料，任何種類都可以，又不只是高絕緣性材料，也包含具有容許電荷移動程度的導電性者。就這樣的介電性材料層120而言，可以舉例如Al2 O3 、Zr2 O3 、Si3 N4 等絕緣材料。介電性材料層120也可以利用如SiC之具有某程度的導電性者加以構成，又從耐久性及耐蝕性的觀點看來，利用陶瓷加以構成亦可。這樣的介電性材料層120係利用溶射加以形成亦可，進一步在該溶射後利用研磨將表面平滑化亦可。
又在緩和由於基材110與介電性材料層120之熱膨脹率的差異所造成的熱應力之目的下，在基材110與介電性材料層120之間設置1層以上之由具有此等的中間熱膨脹率之材質所構成的中間層亦可。
介電性材料層120係內藏具有作為靜電電極層的機能 之導電層130。藉由將高電壓施加於該導電層130，介電性材料層120係利用在其表面所產生的庫侖力，而能夠具有作為吸附支撐基板G之靜電吸盤的機能。這樣的介電性材料層120係例如在基座100的基材110上，藉由依序層疊下部介電性材料層、靜電電極層、上部介電性材層加以構成。
在介電性材料層120的導電層130係介由開關134電氣連接直流(DC)電源132。開關134係構成為例如對於導電層130切換DC電源132與接地電位。
當使開關134切換為DC電源132側時，來自DC電源132的DC電壓係施加至導電層130。在該DC電壓為正極性的情況下，在基板G的上面係使負電荷(電子、負離子)被吸引而儲存。藉此，在基板G上面之負的面電荷與導電層130之間挾持基板G及上部介電性材料層，並使相互吸引的靜電吸附力，也就是庫侖力動作，利用該靜電吸附力而使基板G吸附支撐在基座100上。當使開關134切換為接地側時，使導電層130除電，並伴隨此點也使基板G除電，使得上述庫侖力也就是靜電吸附力被解除。
在相當於介電性材料層120的上面，即支撐基板G側的面之基板支撐面係配列形成朝其上方突起的複數個凸部142。在此等凸部142所形成的領域(凸部形成領域)140周圍係以包圍凸部形成領域140的方式，順著介電性材料層120上面的周緣形成台部(堤部)122。台部122的高度係形成為與凸部142高度大約相同或是較凸部142的高 度稍微更高。
介電性材料層120的凸部142係如第2圖所示，平均分布形成在介電性材料層120上的凸部形成領域。基板G係例如第1圖所示，載置在台部122與凸部142之上。藉此，凸部142係具有作為隔開基座100與基板G之間的間隔物之機能，而能夠防止附著在基座100上的附著物對基板G造成不好的影響。
又凸部142係使其高度成為50~100 μm為佳。當考量附著在基座100上之附著物的量時，藉由將凸部142的高度達到50 μm以上，就能夠充分防止附著物對基板G造成的不好影響。一方面，當使高度超過100 μm時，會造成所謂減低凸部142的強度、或是使基板G的蝕刻速率降低之問題，或是如後述所示，也會有所謂在利用溶射形成凸部142的情況下使溶射時間變長之不合宜的情況。又凸部142的寬徑係以0.5~1mm為佳。各凸部142之間隔係以0.5~30mm為佳，以5~10mm為更佳。就凸部142的配列圖案而言，係如第2圖所示形成為格子配列亦可，又不限於此者。
這樣的凸部142係與介電性材料層120相同，利用Al2 O3 、Zr2 O3 、Si3 N4 等絕緣材料加以構成。又利用陶瓷加以構成亦可。這樣的凸部142係利用溶射加以形成亦可。又凸部142係為了提高與介電性材料層120的密合性，利用與介電性材料層120相同的材料構成者為佳。
如此一來，當在介電性材料層120形成凸部142時， 在將基板G吸附支撐在介電性材料層120上之時，會有因為與凸部142接觸而損傷基板G內面之情況。例如在利用Al2 O3 溶射膜形成凸部142，並使基板G為玻璃基板的情況下，構成凸部142之Al2 O3 的硬度(維克氏硬度)為Hv1000程度之非常硬，比一般玻璃基板的硬度(Hv600)更高。當將這樣的玻璃基板靜電吸附在介電性材料層120上時，使凸部142接觸而在玻璃基板內面造成損傷的必然性為高。
又雖然也可以利用陶瓷構成凸部142，但是因為該陶瓷在一般上具有上述Al2 O3 以上的硬度，因此即使針對由陶瓷構成的凸部142，損傷玻璃基板內面的必然性也高。
因此，在本發明中係利用比基板G更低硬度的材料構成介電性材料層上之凸部的至少與基板G的接觸部份。藉此，在載置基板之時能夠防止在基板內面造成損傷。具體而言，例如第1圖所示，利用比基板G更低硬度的材料構成與基板G的接觸部份之凸部142的上部144。又利用比基板G更低硬度的材料構成凸部142整體亦可。
例如在使基板G為玻璃基板的情況下，使用樹脂或鋁作為構成凸部142的上部144或是凸部142整體的低硬度材料為佳。具體而言，即使在例如利用Al2 O3 構成凸部142的情況下，其上部144係利用樹脂或鋁加以構成。一般而言，由於鋁或樹脂係使硬度較玻璃基板更低，即使與玻璃基板內面接觸也難以造成損傷。就這樣的樹脂而言，可以舉例如鐵氟龍(註冊商標)等。又就低硬度材料而言 係不限於上述者。就其他低硬度材料而言，係舉例如矽樹脂、環氧樹脂、聚亞醯胺等。
又凸部142的上部144之形狀係成為圓柱或角柱都可，又形成為曲面形狀或半球狀亦可。因為藉由將凸部142的上部144之形狀形成為曲面形狀或半球狀，能夠與基板G達到點接觸，因此能夠使附著物極難附著在凸部142與基板G的接觸部份。
(介電性材料層上之凸部的形成方法)
其次，針對在基座100的介電性材料層120上形成上述所示的凸部142之方法，一邊參照圖面一邊說明。第3A、3B圖係為用以說明在基座的介電性材料層上形成凸部的方法之圖面。第3A圖係為顯示已形成凸部142的下部143之狀態圖，第3B圖係為顯示在凸部142的下部143之上正在形成上部144的低硬度材料層之狀態圖。在此，係以在利用Al2 O3 溶射膜所構成的介電性材料層120上，藉由Al2 O3 溶射形成凸部142的下部(凸部本體)143及上部(凸部上側表面)144之情況為例。
首先，如第3A圖所示，在層疊形成的介電性材料層120上藉由Al2 O3 溶射形成凸部142的下部143。具體而言，準備例如在基材110的上面層疊形成介電性材料層120者。該介電性材料層120係例如溶射Al2 O3 ，並使用例如門型研磨機等研磨手段機械研磨溶射後的表面，而達到均勻平滑化。其次，留下平滑化的介電性材料層120之 周緣部，並使用例如門型切削機等切削手段切削加工內側。藉由該切削加工，使介電性材料層120的中央部被切削而形成構成上述凸部形成領域140之凹部，並在凹部底部使基準面露出的同時，在介電性材料層120的周緣形成台部122。
接著，在介電性材料層120上置放形成有例如對應複數個凸部142的尺寸及配置之複數個貫穿孔(開口圖案)的遮罩構件(開口板)，並從遮罩構件之上，藉由利用例如溶射槍溶射Al2 O3 而在遮罩構件之貫穿孔內形成凸部142的下部143。
又先進行利用溶射槍之Al2 O3 的溶射，並在置放遮罩構件的狀態下進行噴砂處理，使在遮罩構件之貫穿孔內露出的介電性材料層120之平滑表面進行粗面化亦可。藉此，因為在Al2 O3 溶射時能夠具有增黏效果，因此可以將溶射形成之凸部142的下部143緊密接合在介電性材料層120。
再者，藉由取走該遮罩構件，而達到如第3A圖所示的狀態。又在溶射Al2 O3 並形成凸部142的下部143之時，使凸部142的下部143之高度較台部122上面更低。此係為了利用後述的後工程，在凸部142的下部143之上形成上部144之低硬度材料層。
其次，如第3B圖所示，在凸部142的下部143之上形成上部144之低硬度材料層。以各凸部142的下部143與遮罩構件150的貫穿孔各自相互對向的方式，在介電性 材料層120上，置放形成有例如與形成凸部142的下部143時相同的開口圖案之遮罩構件(開口板)150。
再者，從遮罩構件150之上，藉由利用溶射槍152溶射例如比基板G更低硬度的低硬度材料(例如樹脂或鋁)，而在遮罩構件150的貫穿孔內之凸部142的下部143之上形成上部144之低硬度材料層。又因為凸部142的下部143之頂面係為Al2 O3 溶射的射出表面而被粗面化，藉由於其上溶射低硬度材料，能夠使凸部142的下部143之頂面與溶射形成在其上之上部144的低硬度材料層緊密接合。
又針對在介電性材料層120上形成凸部142的方法，係不限於上述的方法。例如首先如第4A圖所示，在介電性材料層120的凸部形成領域140溶射低硬度材料，而預先形成低硬度材料層146，其次如第4B圖所示，藉由使用例如門型切削機等切削手段154，切削凸部142及台部122以外的部份，而形成凸部142及台部122亦可。藉此，能夠一次形成凸部142的下部143、及上部144的低硬度材料層。又凸部142的上部144之低硬度材料層係利用燒烤加以形成亦可。
(基板處理裝置)
其次，針對有關適用於本發明之基板載置台的第2實施形態之基板處理裝置加以說明。在此，針對適用在基板處理裝置之一例的電漿處理裝置之情況，具體說明上述之 作為基板載置台的基座100。第5圖係為顯示有關本實施形態之電漿處理裝置的剖面圖。第6A圖係為俯視有關本實施形態之電漿處理裝置的基座之圖面，第6B圖係為基座上之介電性材料層的剖面圖。第6B圖係相當於第6A圖所示之P2－P2'的剖面圖。
第5圖所示之電漿處理裝置200係為了對FPD用玻璃基板G施予蝕刻或成層等既定電漿處理之基板處理裝置，並作為電容耦合型平行平板電漿蝕刻處理裝置加以構成。在此，就FPD而言係可以舉例如液晶顯示器(LCD)、電致發光(EL)顯示器、電漿顯示器面板(PDP)等。
如第5圖所示，電漿處理裝置200係具備例如使表面陽極氧化處理(耐酸鋁處理)之由鋁構成的約略角筒形狀之處理容器所構成的處理室202。處理室202係連接至地面。在處理室202內的底部係介由利用絕緣構件所構成的基台構件104，而使上述的基座100作為載置玻璃基板G之基板載置台加以配設。又以包圍基座100周圍的方式，配設由例如陶瓷或石英之絕緣構件構成的矩形框狀之外框部106。基座100係具有作為靜電支撐矩形玻璃基板G之基板支撐機構的機能，而形成為對應矩形玻璃基板G之矩形形狀。
又有關本實施形態之基座100係藉由將高頻電力供給至其基材110而具有作為下部電極的機能。在基座100的上方係以與基座100平行對向的方式，對向配置具有作為上部電極的機能之噴灑頭210。噴灑頭210係被支撐在處 理室202的上部，並在內部具有緩衝室222的同時，且在與基座100對向的下面形成吐出處理氣體的複數個吐出孔224。該噴灑頭210係連接至地面，並與基座100一起構成一對平行平板電極。
在噴灑頭210的上面係設置氣體導入口226，並在氣體導入口226連接氣體導入管228。在氣體導入管228係介由開關閥230、質量流控制器(MFC)232而連接處理氣體供給源234。
來自處理氣體供給源234之處理氣體係利用質量流控制器(MFC)232而控制為既定流量，通過氣體導入口226而被導入至噴灑頭210的緩衝室222。就處理氣體(蝕刻氣體)而言，可以使用例如鹵素氣體、O2 氣體、Ar氣體等通常在這領域所使用的氣體。
在處理室202的側壁係設置用以開關基板搬入出口204的閘閥206。又在處理室202的側壁下方設置排氣口，並在排氣口係介由排氣管208而連接包含真空泵(未圖示)之排氣裝置209。藉由利用該排氣裝置209，進行處理室202室內的排氣，而能夠在電漿處理中將處理室202內維持在既定的真空環境(例如10mTorr＝約1.33Pa)。
在第5圖所示之基座100係介由整合器162而電氣連接高頻電源164的輸出端子。高頻電源164之輸出頻率係例如選擇為13.56MHz。藉由將來自高頻電源164之高頻電力施加至基座100，在載置於基座100的玻璃基板G之上產生處理氣體的電漿，而對玻璃基板G施予既定的電漿 蝕刻處理。
在第5圖所示之基座100內部係設置冷媒流路170，並使來自冷卻裝置(未圖示)且被調整為既定溫度冷媒流通冷媒流路170。藉由該冷媒，能夠將基座100的溫度調整為既定溫度。
進一步，在該基座100係具備以既定壓力將傳熱氣體(例如He氣體)供給至介電性材料層120之基板支撐面與玻璃基板G內面之間的傳熱氣體供給機構。傳熱氣體供給機構係介由基座100內部的氣體流路180而以既定壓力將傳熱氣體供給至玻璃基板G內面。例如第6A、6B圖所示，在基座100之介電性材料層120係配列設置複數個氣體孔182，並使此等氣體孔182與上述氣體流路180連通。又氣體孔182的配列圖案係不限於第6A圖所示者，以包圍配列為例如第2圖所示之凸部142外周的方式加以配列亦可。
如第6B圖所示之基座100係為在利用Al2 O3 溶射膜構成的介電性材料層120上，利用與此材質不同的材質，例如陶瓷構成凸部142的下部143者。凸部142的上部144係利用具有比玻璃基板G更低硬度的低硬度材料，例如鋁加以構成。如此一來，利用各自不同的材料構成介電性材料層120、凸部142的下部143、及凸部142的上部144亦可。又如第6B圖所示，凸部142的上部144係構成為曲面亦可。
在這樣構造的電漿處理裝置200中，玻璃基板G係利 用未圖示之搬送臂等由閘閥206被搬入，並載置在基座10上。接著，將高電壓施加於導電層130的同時，使傳熱氣體介由氣體孔182而供給至玻璃基板G內面。藉此，玻璃基板G係利用既定的吸附力被支撐在基座100上，並在該狀態下對玻璃基板G施予電漿處理。此時，雖然在玻璃基板G內面係與介電性材料層120上之凸部142的上部144接觸，但是因為上部144係利用較玻璃基板G更低硬度的鋁加以構成，因此能夠防止在玻璃基板G內面造成損傷。
又藉由反覆進行玻璃基板G的電漿處理，而使附著物堆疊在介電性材料層120的表面，但是由於凸部142達到作為間隔物的效果，因此使附著物難以接觸到玻璃基板G。因此，能夠防止在玻璃基板G出現與基座100接觸的部份及與附著物接觸的部份而造成蝕刻不均、或是在解除靜電吸附後使玻璃基板G依舊固定密合在基座100之不合宜的情況。
又如第6A圖所示，因為將各凸部142配列為格子狀，並以分別配置前述複數個氣體孔182的方式，使傳熱氣體之氣體孔182配列在前述各凸部142周圍，因此能夠抑制基板G內面與各凸部142的上部144接觸時之接觸壓力的參差不齊。藉此，涵蓋基板G內面整體能夠更確實防止損傷。
又在上述第1、2實施形態中，雖然針對將凸部142的上部144作為與基板G的接觸部份，並利用比基板G更低硬度的材料來構成乙事加以說明，但是因為介電性材 料層120上之台部122的上部也與基板G接觸，因此不只是凸部142，對於台部122的上部也利用較基板G更低硬度的材料加以構成亦可。藉此，在介電性材料層120上的凸部142與台部122之上載置基板G時，即使對於基板G內面的周緣部也能夠防止損傷。
又使構成台部122的上部之材料與構成各凸部142的上部144之材料利用相同的材料加以構成亦可，又利用不同的材料加以構成亦可。若是利用比基板G更低硬度的材料構成此等的基板接觸部的話，能夠防止在基板G內面造成損傷。在該情況下，就構成上述台部122的上部之材料而言，使用較構成各凸部142的上部144材料更高硬度者亦可。藉此，在將基板G靜電吸附在介電性材料層120上之時，能夠更提高基板G與台部122的密合性。藉此，例如能夠提高供給至基板G內面之傳熱氣體的壓力，即使如此也能夠防止傳熱氣體從基板G與台部122之間洩漏。
以上，雖然一邊參照添附圖面一邊針對本發明之合適的實施形態加以說明，但是本發明當然是不限於該例示。若是同業者的話，在專利申請範圍所記載的範圍內，想得到的各種變更例或是修正例都是顯而易見的，針對其等當然也能夠理解是屬於本發明的技術範圍。
在例如上述的實施形態中，雖然舉出電容耦合型電漿(CCP)處理裝置為例，來作為可適用本發明之基板處理裝置加以說明，但是不一定限定於此，將能夠以低壓且高密度電漿生成之感應耦合電漿(ICP)處理裝置適用於本 發明亦可。又使用螺旋波電漿生成、ECR(電子迴旋共振)電漿生成作為電漿生成之電漿處理裝置等也可以適用於本發明。
(產業上的可利用性)
本發明係能夠適用在載置FPD基板等基板載置台及基板處理裝置。
100‧‧‧基座
104‧‧‧基台構件
106‧‧‧外框部
110‧‧‧基材
112‧‧‧絕緣構件
120‧‧‧介電性材料層
122‧‧‧台部
130‧‧‧導電層
132‧‧‧DC電源
134‧‧‧開關
140‧‧‧凸部形成領域
142‧‧‧凸部
143‧‧‧凸部的下部
144‧‧‧凸部的上部
146‧‧‧低硬度材料層
150‧‧‧遮罩構件
152‧‧‧溶射槍
154‧‧‧切削手段
162‧‧‧整合器
164‧‧‧高頻電源
170‧‧‧冷媒流路
180‧‧‧氣體流路
182‧‧‧氣體孔
200‧‧‧電漿處理裝置
202‧‧‧處理室
204‧‧‧基板搬入出口
206‧‧‧閘閥
208‧‧‧排氣管
209‧‧‧排氣裝置
210‧‧‧噴灑頭
222‧‧‧緩衝室
224‧‧‧吐出孔
226‧‧‧氣體導入口
228‧‧‧氣體導入管
230‧‧‧開關閥
232‧‧‧質量流控制器
234‧‧‧處理氣體供給源
G‧‧‧基板
第1圖係為顯示有關作為本發明第1實施形態之基板載置台的基座之構成剖面圖。
第2圖係為俯視有關同實施形態之基座的圖面。
第3A圖係為用以說明在基座的介電性材料層上形成凸部的方法之圖面，並顯示已形成凸部的下部之狀態。
第3B圖係為用以說明在基座的介電性材料層上形成凸部的方法之圖面，並顯示正在形成凸部的上部之狀態。
第4A圖係為用以說明在基座的介電性材料層上形成凸部的其他方法之圖面，並顯示形成凸部前之狀態。
第4B圖係為用以說明在基座的介電性材料層上形成凸部的其他方法之圖面，並顯示正在形成凸部之狀態。
第5圖係為顯示有關本發明第2實施形態之電漿處理裝置的概略構成剖面圖。
第6A圖係為俯視適用有關同實施形態之電漿處理裝置的基座部份之圖面。
第6B圖係為同實施形態之基座上的介電性材料層之剖面圖。
100‧‧‧基座
110‧‧‧基材
112‧‧‧絕緣構件
120‧‧‧介電性材料層
122‧‧‧台部
130‧‧‧導電層
132‧‧‧DC電源
134‧‧‧開關
140‧‧‧凸部形成領域
142‧‧‧凸部
144‧‧‧凸部的上部

Claims (7)

  1. 一種基板載置台，係為載置利用基板處理裝置所處理之平板顯示器製造用的玻璃基板之基板載置台，其特徵為：具備：基材；形成在前述基材上，並在下部介電性材料層與上部介電性材料層之間，具有為了將前述基板靜電吸附在前述上部介電性材料層上的導電層之介電性材料層；形成在前述上部介電性材料層上的複數個凸部；及以包圍前述凸部所形成的領域周圍之方式，形成在前述上部介電性材料層上的周緣之台部，前述各凸部及台部係利用比前述基板更低硬度的材料構成至少與前述基板的接觸部份，而構成前述台部之基板接觸部份的材料與構成前述各凸部之基板接觸部份的材料係不同的。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板載置台，其中，更具備：用以供給氣體至前述下部介電性材料層與靜電吸附在前述上部介電性材料層上的前述基板內面之間的氣體流路；及形成在前述介電性材料層，並將來自前述氣體流路的氣體引導至前述基板內面的複數個氣體孔。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板載置台，其中，構成前述台部之基板接觸部份的材料係使硬度比構成前述各 凸部的材料更高。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板載置台，其中，前述各凸部係配列為格子狀，前述氣體孔係以分別配置前述複數個氣體孔的方式，配列在前述各凸部周圍。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中之任一項中的基板載置台，其中，比前述基板更低硬度的材料為鋁或樹脂。
  6. 一種基板處理裝置，係為具備對平板顯示器製造用之玻璃基板施予既定處理的處理室之基板處理裝置，其特徵為：具備：設置在前述處理室內，並載置前述基板的基板載置台；供給處理氣體至前述處理室內的氣體供給手段；及將前述處理室內進行排氣的排氣手段，前述基板載置台係具備：基材；形成在前述基材上，並載置前述基板的介電性材料層；及形成在前述介電性材料層上的複數個凸部；及以包圍前述凸部所形成的領域周圍之方式，形成在前述上部介電性材料層上的周緣之台部，前述各凸部及台部係利用比前述基板更低硬度的材料構成至少與前述基板的接觸部份，而構成前述台部之基板接觸部份的材料與構成前述各凸部之基板接觸部份的材料係不同的。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中， 比前述基板更低硬度的材料為鋁或樹脂。
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