JP5377781B2 - 載置台およびそれを用いたプラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
図2は載置台3の載置部6を拡大して示す平面図、図3はそのA−A線による断面図である。これらの図に示すように、載置部6は、表面にセラミックス溶射皮膜41を有し、内部に電極42が埋設された溶射部である静電チャック40と、角部を構成するセラミック部材43とを備えている。電極42は、ガラス基板Gよりも若干小さい矩形状をなしており、例えば溶射で形成されている。電極42には給電線33が接続されており、給電線33には直流電源34が接続されていて、電極42に直流電源34からの直流電圧が印加されることにより、クーロン力等の静電吸着力によりガラス基板Gが吸着される。なお、電極42は板材であってもよい。
まず、ゲートバルブ32を開いて、ガラス基板Gを搬送アーム(図示せず)により基板搬入出口31を介してチャンバ2内へと搬入し、載置台3の静電チャック6上に載置する。この場合に、昇降ピン10を上方に突出させて支持位置に位置させ、搬送アーム上のガラス基板Gを昇降ピン10の上に受け渡す。その後、昇降ピン10を下降させてガラス基板Gを載置台3の静電チャック6上に載置する。
ここでは、分割タイプのシールドリング7′を使用している。具体的には、図7に示すように、4つの分割片51を組み立ててシールドリング7′を構成している。
ここでは、上記例と同様に分割タイプのシールドリング7′を使用しており、分割片51の合わせ目部分52に隙間が発生してプラズマ損傷が生じるおそれがあり、かつ載置部の角部にもプラズマ損傷が生じるおそれがある場合に対応可能な載置部の構成を用いている。
2;処理チャンバ
3;載置台
5;基材
6,6′,6″;載置部
6a;角部
7,7′;シールドリング
14;高周波電源
20;シャワーヘッド
28;処理ガス供給源
34;直流電源
40;静電チャック
41;セラミックス溶射皮膜
42;電極
43,43′,43″;セラミックス部材
43a,43a′,43a″;上部
43b,43b′,43b″;下部
51;分割片
52;合わせ目部分
F;オリエンテーションフラット
G;ガラス基板
Claims (7)
- 基板にプラズマ処理を施す処理チャンバ内で基板を載置する載置台であって、
基材と、
前記基材の上に形成され、その上に基板が載置される載置部と、
前記載置部の周囲に設けられた、分割式のシールド部材と
を具備し、
前記載置部は、前記シールド部材の分割部分に対応する部位を構成するセラミックス部材と、それ以外の部分を構成する、表面にセラミックス溶射皮膜を有する溶射部とからなり、
前記セラミックス部材が交換可能であることを特徴とする載置台。 - 基板にプラズマ処理を施す処理チャンバ内で基板を載置する載置台であって、
基材と、
前記基材の上に形成され、その上に基板が載置される載置部と、
前記載置部の周囲に設けられた、分割式のシールド部材と
を具備し、
前記載置部は、前記シールド部材の角部および分割部分に対応する部位を構成するセラミックス部材と、それ以外の部分を構成する、表面にセラミックス溶射皮膜を有する溶射部とからなり、
前記セラミックス部材が交換可能であることを特徴とする載置台。 - 前記溶射部は、基板を静電吸着する静電チャックを有することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の載置台。
- 前記静電チャックは、基板を静電吸着するための直流電圧が印加される電極を有し、
前記セラミックス部材は、前記電極に対応する高さ位置を含む上部と、前記電極に対応する高さ位置を含まない下部とを有し、
前記上部が前記電極よりも外側に位置し、前記下部が前記上部よりも内側に突出していることを特徴とする請求項3に記載の載置台。 - 前記基材が導電性であり、前記基材に高周波電力を供給する高周波電力供給手段をさらに有することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の載置台。
- 前記セラミックス溶射皮膜と前記セラミックス部材は、アルミナ(Al2O3)、イットリア(Y2O3)、およびフッ化イットリウム(YF3)から選択された材料で構成されていることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の載置台。
- 基板を収容する処理チャンバと、
前記処理チャンバ内で基板を載置する、前記請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の構成を有する載置台と、
前記処理チャンバ内に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、
前記処理チャンバ内で処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構と、
前記処理チャンバ内を排気する排気機構と
を具備することを特徴とするプラズマ処理装置。
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JP2013025396A JP5377781B2 (ja) | 2013-02-13 | 2013-02-13 | 載置台およびそれを用いたプラズマ処理装置 |
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