JPH0714823A - エッチング装置 - Google Patents
エッチング装置Info
- Publication number
- JPH0714823A JPH0714823A JP5143194A JP14319493A JPH0714823A JP H0714823 A JPH0714823 A JP H0714823A JP 5143194 A JP5143194 A JP 5143194A JP 14319493 A JP14319493 A JP 14319493A JP H0714823 A JPH0714823 A JP H0714823A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- clamp
- orientation flat
- plasma
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェハのエッチング領域を拡大すると共に発
塵の起こらないクリーンなエッチング装置を提供する。 【構成】 クランプ１５がウェハＷに当接した状態にお
いて、オリエンテーションフラット部１９に当接しない
ようにする。そして、プラズマに晒される下部電極１４
の一部にセラミックス部材２０を被着させる。このよう
にすることにより、ウェハＷのエッチング領域が拡大す
ると共に、発塵が起こるのを防止することが可能にな
る。
塵の起こらないクリーンなエッチング装置を提供する。 【構成】 クランプ１５がウェハＷに当接した状態にお
いて、オリエンテーションフラット部１９に当接しない
ようにする。そして、プラズマに晒される下部電極１４
の一部にセラミックス部材２０を被着させる。このよう
にすることにより、ウェハＷのエッチング領域が拡大す
ると共に、発塵が起こるのを防止することが可能にな
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、エッチング装置に関
し、特に反応室内でプラズマが生じるドライエッチング
装置に係る。そして、このエッチング装置は、半導体製
造分野で利用できる。
し、特に反応室内でプラズマが生じるドライエッチング
装置に係る。そして、このエッチング装置は、半導体製
造分野で利用できる。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のエッチング装置として
は、図５及び図６に示すような、ウェハ支持機構をもつ
装置が知られている。この装置は、図５に示すように、
下部電極１上にウェハＷを載置し、このウェハＷの上面
周縁部をクランプ２で支持するようになっている。この
クランプ２の形状は、図５及び図６に示すように、略リ
ング形状の板であり、ウェハＷのオリエンテーションフ
ラット部３を含むウェハＷの全周縁部に当接するように
設定されている。なお、クランプ２でウェハＷ支持させ
るには、下部電極１の昇降動作またはクランプ２の昇降
動作を行うことにより可能となる。
は、図５及び図６に示すような、ウェハ支持機構をもつ
装置が知られている。この装置は、図５に示すように、
下部電極１上にウェハＷを載置し、このウェハＷの上面
周縁部をクランプ２で支持するようになっている。この
クランプ２の形状は、図５及び図６に示すように、略リ
ング形状の板であり、ウェハＷのオリエンテーションフ
ラット部３を含むウェハＷの全周縁部に当接するように
設定されている。なお、クランプ２でウェハＷ支持させ
るには、下部電極１の昇降動作またはクランプ２の昇降
動作を行うことにより可能となる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の装置においては、以下に説明する問題点があっ
た。すなわち、クランプがウェハＷの全周縁部に当接す
るため、ウェハＷ上のエッチングが行える面積が小さく
なる。通常、図７に示すように、ウェハＷにロット番号
などの認識マーク４は、オリエンテーションッフラット
部付近にエッチングで形成する。しかし、従来において
は、図６に示すように、オリエンテーションフラット部
３のマーク形成領域５もクランプ２で覆ってしまうた
め、従来のリング形状のクランプを用いたエッチング装
置では、ウェハＷのデバイス形成領域と同時に認識マー
クをエッチングすることができなかった。このため、認
識マークの形成工程が別途必要であった。
た従来の装置においては、以下に説明する問題点があっ
た。すなわち、クランプがウェハＷの全周縁部に当接す
るため、ウェハＷ上のエッチングが行える面積が小さく
なる。通常、図７に示すように、ウェハＷにロット番号
などの認識マーク４は、オリエンテーションッフラット
部付近にエッチングで形成する。しかし、従来において
は、図６に示すように、オリエンテーションフラット部
３のマーク形成領域５もクランプ２で覆ってしまうた
め、従来のリング形状のクランプを用いたエッチング装
置では、ウェハＷのデバイス形成領域と同時に認識マー
クをエッチングすることができなかった。このため、認
識マークの形成工程が別途必要であった。
【０００４】また、従来の装置においては、図５に示す
ように、オリエンテーションフラット部３側で下部電極
１の特に上端面が直接プラズマに晒されるため、下部電
極１が損耗したり、発塵をおこしてデバイス特性を悪化
させる問題があった。
ように、オリエンテーションフラット部３側で下部電極
１の特に上端面が直接プラズマに晒されるため、下部電
極１が損耗したり、発塵をおこしてデバイス特性を悪化
させる問題があった。
【０００５】この発明が解決しようとする課題は、ウェ
ハのエッチング領域を拡大し、電極の消耗を防止したク
リーンなエッチング装置を得るには、どのような手段を
講じればよいかという点にある。
ハのエッチング領域を拡大し、電極の消耗を防止したク
リーンなエッチング装置を得るには、どのような手段を
講じればよいかという点にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、電極上に載
置されたウエハの上面周縁部を略リング形状のクランプ
で支持するエッチング装置において、前記クランプが前
記ウエハに対してオリエンテーションフラット部を回避
して当接し、且つ前記電極のプラズマに晒される部分に
プラズマに対して耐性のある材料を被着させたことを、
解決手段としている。
置されたウエハの上面周縁部を略リング形状のクランプ
で支持するエッチング装置において、前記クランプが前
記ウエハに対してオリエンテーションフラット部を回避
して当接し、且つ前記電極のプラズマに晒される部分に
プラズマに対して耐性のある材料を被着させたことを、
解決手段としている。
【０００７】
【作用】この発明においては、オリエンテーションフラ
ット部をクランプが覆わないため、オリエンテーション
フラット部がエッチャントに晒されてエッチング加工を
可能にする作用を奏する。このため、オリエンテーショ
ンフラット部にウェハの認識マークをエッチングで形成
できる。また、クランプがオリエンテーションフラット
部を回避して当接することにより、電極がプラズマに晒
されるが、プラズマに対して耐性のある材料を被着する
ため、電極の消耗，発塵が生じるのを阻止する作用があ
る。
ット部をクランプが覆わないため、オリエンテーション
フラット部がエッチャントに晒されてエッチング加工を
可能にする作用を奏する。このため、オリエンテーショ
ンフラット部にウェハの認識マークをエッチングで形成
できる。また、クランプがオリエンテーションフラット
部を回避して当接することにより、電極がプラズマに晒
されるが、プラズマに対して耐性のある材料を被着する
ため、電極の消耗，発塵が生じるのを阻止する作用があ
る。
【０００８】
【実施例】以下、本発明に係るエッチング装置の詳細を
図面に示す実施例に基づいて説明する。
図面に示す実施例に基づいて説明する。
【０００９】図１は、反応性ガスプラズマによりウェハ
をエッチングするエッチング装置の概略説明図である。
図中１１はエッチング装置であり、チャンバ１２内に相
対向する上部電極１３，下部電極１４が設けられ、下部
電極１４側にはクランプ１２が設けられて大略構成され
ている。上部電極１３には、反応ガス導入管１６が接続
されており、反応ガスは上部電極１３の下面に形成され
た図示しない吐出口からチャンバ１２内に導入される。
また、チャンバ１２の側壁には排気口１７が設けられて
いる。
をエッチングするエッチング装置の概略説明図である。
図中１１はエッチング装置であり、チャンバ１２内に相
対向する上部電極１３，下部電極１４が設けられ、下部
電極１４側にはクランプ１２が設けられて大略構成され
ている。上部電極１３には、反応ガス導入管１６が接続
されており、反応ガスは上部電極１３の下面に形成され
た図示しない吐出口からチャンバ１２内に導入される。
また、チャンバ１２の側壁には排気口１７が設けられて
いる。
【００１０】下部電極１４は、チャンバ１２の底部に絶
縁部材１８を介して固設されている。また、下部電極１
４の上部は、円筒形状のステージ部１４Ａであり、この
径寸法は、載置するウェハＷの径寸法よりやや大きく設
定されている。さらに、ステージ部１４Ａは、図２に示
すように、ウェハＷを載置した状態でオリエンテーショ
ンフラット部１９の外側方に位置する部分の電極材料が
切り欠かれて、その部分にセラミックス部材２０が被着
されて円筒形状を保っている。そして下部電極１４の下
部はフランジ部１４Ｂが形成されている。そして、この
フランジ部１４Ｂには、上下方向に貫通する貫通孔１４
Ｃが開設され、この貫通孔１４Ｃにクランプ１５の下面
に一体的に設けられた昇降ロッド２１が摺動自在に嵌合
されている。この昇降ロッド２１は、図示しない昇降駆
動手段によって昇降動作を行い、これにより、クランプ
１５がウェハＷを支持したり解放したりするようになっ
ている。
縁部材１８を介して固設されている。また、下部電極１
４の上部は、円筒形状のステージ部１４Ａであり、この
径寸法は、載置するウェハＷの径寸法よりやや大きく設
定されている。さらに、ステージ部１４Ａは、図２に示
すように、ウェハＷを載置した状態でオリエンテーショ
ンフラット部１９の外側方に位置する部分の電極材料が
切り欠かれて、その部分にセラミックス部材２０が被着
されて円筒形状を保っている。そして下部電極１４の下
部はフランジ部１４Ｂが形成されている。そして、この
フランジ部１４Ｂには、上下方向に貫通する貫通孔１４
Ｃが開設され、この貫通孔１４Ｃにクランプ１５の下面
に一体的に設けられた昇降ロッド２１が摺動自在に嵌合
されている。この昇降ロッド２１は、図示しない昇降駆
動手段によって昇降動作を行い、これにより、クランプ
１５がウェハＷを支持したり解放したりするようになっ
ている。
【００１１】クランプ１５は、リング形状の板体であ
り、プラズマに対して耐性を有する材料で形成されてい
る。そして、クランプ１５の内径はウェハＷの径寸法よ
りやや小さく設定されている。図３は、ウェハＷとクラ
ンプ１５を重ね合わせた状態の平面図である。この図か
ら判るように、ウェハＷにオリエンテーションフラット
部１９が形成されているため、オリエンテーションフラ
ット部１９のほとんどはクランプ１５に覆われることが
ない。このように、クランプ１５の内径がウェハＷの径
寸法に近い場合は、オリエンテーションフラット部１９
が露出し、エッチングされる領域が拡大する。このた
め、図３に示すように、ウェハＷのオリエンテーション
フラット部近傍に認識マーク２２をエッチングにより形
成することが可能となる。また、図３及び図４に示すよ
うに、クランプ１５とオリエンテーションフラット部１
９との隙間２３の下方の下部電極１４はセラミックス部
材２０が部分的に被着されているため、プラズマによっ
て消耗したり、発塵を起こすことがない。
り、プラズマに対して耐性を有する材料で形成されてい
る。そして、クランプ１５の内径はウェハＷの径寸法よ
りやや小さく設定されている。図３は、ウェハＷとクラ
ンプ１５を重ね合わせた状態の平面図である。この図か
ら判るように、ウェハＷにオリエンテーションフラット
部１９が形成されているため、オリエンテーションフラ
ット部１９のほとんどはクランプ１５に覆われることが
ない。このように、クランプ１５の内径がウェハＷの径
寸法に近い場合は、オリエンテーションフラット部１９
が露出し、エッチングされる領域が拡大する。このた
め、図３に示すように、ウェハＷのオリエンテーション
フラット部近傍に認識マーク２２をエッチングにより形
成することが可能となる。また、図３及び図４に示すよ
うに、クランプ１５とオリエンテーションフラット部１
９との隙間２３の下方の下部電極１４はセラミックス部
材２０が部分的に被着されているため、プラズマによっ
て消耗したり、発塵を起こすことがない。
【００１２】本実施例は、上記した構成にしたことによ
り、ウェハＷのオリエンテーションフラット部１９の近
傍に認識マーク２２を形成することが可能になる。ま
た、セラミックス部材２０はプラズマ耐性をもつため、
クリーンなエッチングプロセスが実現できる。
り、ウェハＷのオリエンテーションフラット部１９の近
傍に認識マーク２２を形成することが可能になる。ま
た、セラミックス部材２０はプラズマ耐性をもつため、
クリーンなエッチングプロセスが実現できる。
【００１３】以上、実施例について説明したが、本発明
は、これに限定されるものではなく各種の設計変更が可
能である。
は、これに限定されるものではなく各種の設計変更が可
能である。
【００１４】例えば、上記実施例では、完全にリング形
状のクランプ１５を用いたが、ウェハＷのオリエンテー
ションフラット部１９で切り欠かれたリング形状のもの
でもよい。
状のクランプ１５を用いたが、ウェハＷのオリエンテー
ションフラット部１９で切り欠かれたリング形状のもの
でもよい。
【００１５】また、上記実施例では、下部電極１４にセ
ラミックス部材を被着したが、プラズマに対して耐性を
有する合成樹脂やその他の材料を適用することも勿論可
能である。
ラミックス部材を被着したが、プラズマに対して耐性を
有する合成樹脂やその他の材料を適用することも勿論可
能である。
【００１６】さらに、上記実施例では、クランプ１５が
昇降する構成としたが、下部電極が昇降する構成として
もよい。
昇降する構成としたが、下部電極が昇降する構成として
もよい。
【００１７】また、本発明は、上記実施例で適用したエ
ッチング装置以外のエッチング装置にも適用可能であ
る。
ッチング装置以外のエッチング装置にも適用可能であ
る。
【００１８】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発
明によれば、ウェハのオリエンテーションフラット部の
エッチング領域を拡大することができる。このため、工
程数を増やすことなく、認識マークをオリエンテーショ
ンフラット部近傍に形成することが可能になる効果があ
る。
明によれば、ウェハのオリエンテーションフラット部の
エッチング領域を拡大することができる。このため、工
程数を増やすことなく、認識マークをオリエンテーショ
ンフラット部近傍に形成することが可能になる効果があ
る。
【００１９】また、電極がプラズマに晒されず、このた
め発塵を防止する効果がある。
め発塵を防止する効果がある。
【図１】本発明の実施例を示すエッチング装置の概略説
明図
明図
【図２】下部電極とクランプを示す斜視図
【図３】実施例の平面図
【図４】図３のＡ−Ａ断面図
【図５】従来例の断面図
【図６】従来例の平面図
【図７】認識マークを形成したウェハの平面図
１１…エッチング装置 １２…チャンバ １４…下部電極 １５…クランプ １９…オリエンテーションフラット部 ２０…セラミックス部材 ２２…認識マーク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山根 徹也 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 小柳津 勉 山梨県韮崎市藤井町北下条2381番地の１ 東京エレクトロン山梨株式会社内 (72)発明者 岩永 勇頭 東京都府中市住吉町２丁目30番地の７ 東 京エレクトロンエフイー株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 電極上に載置されたウエハの上面周縁部
を略リング形状のクランプで支持するエッチング装置に
おいて、 前記クランプが前記ウエハに対してオリエンテーション
フラット部を回避して当接し、且つ前記電極のプラズマ
に晒される部分にプラズマに対して耐性のある材料を被
着させたことを特徴とするエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5143194A JPH0714823A (ja) | 1993-06-15 | 1993-06-15 | エッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5143194A JPH0714823A (ja) | 1993-06-15 | 1993-06-15 | エッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0714823A true JPH0714823A (ja) | 1995-01-17 |
Family
ID=15333059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5143194A Pending JPH0714823A (ja) | 1993-06-15 | 1993-06-15 | エッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0714823A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100362444B1 (ko) * | 1999-04-12 | 2002-11-23 | 아네르바 가부시키가이샤 | 플라스마 처리장치 |
| JP2008294042A (ja) * | 2007-05-22 | 2008-12-04 | Tokyo Electron Ltd | 載置台およびそれを用いたプラズマ処理装置 |
| JP2013110438A (ja) * | 2013-02-13 | 2013-06-06 | Tokyo Electron Ltd | 載置台およびそれを用いたプラズマ処理装置 |
-
1993
- 1993-06-15 JP JP5143194A patent/JPH0714823A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100362444B1 (ko) * | 1999-04-12 | 2002-11-23 | 아네르바 가부시키가이샤 | 플라스마 처리장치 |
| JP2008294042A (ja) * | 2007-05-22 | 2008-12-04 | Tokyo Electron Ltd | 載置台およびそれを用いたプラズマ処理装置 |
| TWI485803B (zh) * | 2007-05-22 | 2015-05-21 | Tokyo Electron Ltd | And the use of the plasma processing device |
| JP2013110438A (ja) * | 2013-02-13 | 2013-06-06 | Tokyo Electron Ltd | 載置台およびそれを用いたプラズマ処理装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0741153Y2 (ja) | 試料処理用電極 | |
| US20060118044A1 (en) | Capacitive coupling plasma processing apparatus | |
| JP2009510784A (ja) | 基板から副生成物を除去する装置及び除去方法 | |
| JP3205878B2 (ja) | ドライエッチング装置 | |
| US6531686B2 (en) | Chuck plate of ashing equipment for fabricating semiconductor devices and chuck assembly comprising the same | |
| JPH0714823A (ja) | エッチング装置 | |
| JPS6210687B2 (ja) | ||
| JPH0452611B2 (ja) | ||
| JP2003059913A (ja) | 半導体装置食刻設備のチャック組立体 | |
| JPH05206073A (ja) | 層の構造化方法 | |
| KR20070009159A (ko) | 플라즈마 식각설비의 웨이퍼 서셉터 | |
| JP2003174014A (ja) | ドライエッチング装置およびそのプラズマクリーニング方法 | |
| JP2001230240A (ja) | プラズマ処理装置ならびに処理方法 | |
| JP2885150B2 (ja) | ドライエッチング装置のドライクリーニング方法 | |
| JPH10335306A (ja) | 半導体エッチング装置 | |
| JPH11260805A (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| JP3360588B2 (ja) | 平行平板型ドライエッチャー | |
| JPH01107543A (ja) | 試料サセプタ | |
| JPH01253238A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0513006Y2 (ja) | ||
| JPH01175738A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPH06333877A (ja) | エッチング装置 | |
| JPS59119727A (ja) | ドライエツチング方法 | |
| JP2002100619A (ja) | ガラス基板またはウエハー処理用エッシング装置 | |
| JPH09298186A (ja) | エッチング方法及びエッチング装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |