TWI467682B - Substrate processing device - Google Patents

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TWI467682B
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Yositugu Tanaka
Takashi Omori
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Description

基板處理裝置
本發明是有關對液晶顯示裝置(LCD)等的平面直角顯示器(FPD；Flat Panel Display)製造用的玻璃基板等的基板實施乾式蝕刻等的處理之基板處理裝置。
在以液晶顯示器(LCD)為代表的平面直角顯示器(FPD)的製造過程中，存在有真空下對形成於玻璃基板的預定膜進行電漿蝕刻處理。
對如此的玻璃基板進行電漿蝕刻處理的基板處理裝置，例如在可保持於真空的腔室內配置具有作為下部電極功能的基板載置台、及對向於該載置台具有作為上部電極功能的氣體導入用的淋浴頭，在下部電極連接施加高頻電力的高頻電源，將腔室內予以真空排氣，經由淋浴頭來導入處理氣體至腔室內，且對載置台施加高頻電力，利用藉此形成之處理氣體的電漿來蝕刻玻璃基板上的預定膜者為人所知。
可是，在LCD中存在有蝕刻鋁(Al)膜的工程，在如此的Al膜的蝕刻中是使用含有氯(Cl2 )者作為處理氣體，但因為處理氣體的供給量與蝕刻量成比例，所以因負載效應(loading Effect)而發生基板的外周部的蝕刻速率比中央部的蝕刻速率更極端地變快的現象。亦即，若由電漿中的蝕刻種的Cl自由基(radical)來看，在基板的最外周領域，單位量的Cl自由基所應蝕刻的基板面積是中央領域的約一半，一旦以和供給至中央領域的流量相同的流量來對最外周領域供給處理氣體，則最外周領域的蝕刻速率會形成中央領域的蝕刻速率的約2倍。
因此，以能夠圍繞載置台上的基板的周圍之方式來設置整流構件，藉此遮擋從玻璃基板的外周領域附近往基板外周之處理氣體的流動，減少供給至基板的最外周領域的Cl自由基量，提高基板面內的蝕刻速率的均一性之技術被提案(專利文獻1)。
在實施此技術時，因為整流構件會妨礙玻璃基板的搬出入，所以必須在玻璃基板的搬出入時使整流構件退避至不會妨礙搬出入的位置。而且，基於空間等的關係，使整流構件退避至上方。
然而，一旦在使整流構件退避至比基板更上方的狀態下進行基板的搬出入，則附著於整流構件的粒子等會落下至玻璃基板而使玻璃基板汚染。
〔專利文獻1〕特開2000-315676號公報
本發明是有鑑於該情事而研發者，其目的是在於提供一在以整流構件來包圍基板周圍的狀態下進行電漿處理之基板處理裝置，在基板的搬出入時難以發生粒子等所造成基板的汚染之基板處理裝置。
為了解決上述課題，本發明是在提供一種基板處理裝置，係具備：處理容器，其係收容基板；基板搬出入部，其係形成於上述處理容器的側壁，搬出入基板；載置台，其係於上述處理容器內載置基板；處理氣體供給機構，其係供給處理氣體至上述處理容器內；電漿生成機構，其係於上述處理容器內生成處理氣體的電漿；排氣機構，其係將上述處理容器內予以排氣；及整流構件，其係設成可在上述載置台上圍繞上述載置台上的基板，抑制基板的外周部的處理氣體的流速，對上述載置台上的基板進行電漿處理之基板處理裝置，其特徵為：上述整流構件係至少在對應於上述基板搬出入部的位置具有可動構件，其係以可對上述載置台搬出入基板的方式設成可移動至退避位置。
在本發明中，上述整流構件係形成由4個的側板所構成的方筒狀，該等側板之中，位在對應於上述基板搬出入部的位置之側板係具有作為可移動至退避位置的可動構件之功能，使能夠對上述載置台搬出入基板。此情況，與位在對應於上述基板搬出入部的位置之側板呈對向的側板也構成具有作為可退避的可動構件之功能。
具有作為上述可動構件的功能之側板係可構成藉由使旋轉軸旋轉，可在處理時的處理位置與上述退避位置之間轉動，此情況，具有作為上述可動構件的功能之側板係藉由使延伸於水平方向的旋轉軸旋轉，可在垂直方向轉動。
具有作為上述可動構件的功能之側板係可構成在上述處理位置密合鄰接的側板。又，具有作為上述可動構件的功能之側板係可構成在上述處理位置與上述其他的側板之間形成有間隙，處理氣體通過上述間隙的路徑係以能夠取得彎曲的迷宮(Labyrinth)構造之方式構成。
具有作為上述可動構件的功能之側板係可構成在上述處理位置與上述載置台密合。又，具有作為上述可動構件的功能之側板係可構成在上述處理位置與上述載置台之間形成有間隙，在上述載置台之具有作為上述可動構件的功能的側板的附近位置，沿著該側板的寬度方向設有不會妨礙基板的搬出入的高度之抵抗構件。
具有作為上述可動構件的功能之側板係可構成在上下方向分割成複數個，該等可折疊地連結，在被轉動至退避位置時折疊。又，具有作為上述可動構件的功能之側板係可構成在上下方向分割成複數個，該等可滑動地連結，在被轉動至退避位置時分割片會滑動重疊。
具有作為上述可動構件的功能之側板係可構成從上述退避位置轉動至上述處理位置時，藉由驅動機構來使驅動至與上述其他的側板之間形成有間隙的狀態為止，然後藉由自重來密合與上述其他的側板之間。
上述旋轉軸係可經由密封構件來延伸至上述處理容器的外側，藉由設於上述處理容器的外側之旋轉馬達來旋轉。此情況，上述密封構件可使用O型環密封或彈簧負荷式密封。又，上述旋轉軸係可藉由經由波紋管來設於上述處理容器的外側之汽缸機構的驅動，經由齒條與齒輪(rack and pinion)機構來旋轉。
在本發明中，上述基板搬出入部係具有：設於上述處理容器的基板搬出入口、及開閉該基板搬入口的閘閥，更具備使上述閘閥的開放及往上述可動構件的退避位置的移動同步實行之控制部。
若根據本發明，則整流構件是至少在對應於基板搬出入部的位置具有可動構件，其係以可對上述載置台搬出入基板的方式設成可移動至退避位置，因此藉由在搬出入基板時使可動構件移動至退避位置，可不用使整流構件上昇至比基板的高度更高的位置來進行基板的搬出入。因此，可迴避從整流構件落下粒子至基板的情形，進而能夠抑制基板的汚染。
以下，參照圖面來說明有關本發明的實施形態。圖1是表示本發明之一實施形態的基板處理裝置的垂直剖面圖，圖2是該水平剖面圖。此電漿處理裝置1是進行FPD用玻璃基板G的預定處理的裝置的剖面圖，構成為電容耦合型平行平板電漿蝕刻裝置。在此，FPD例如有液晶顯示器(LCD)、電致發光(Electro Luminescence；EL)顯示器、電漿顯示器面板(PDP)等。
此電漿處理裝置1是具有形成方筒形狀的腔室2，其係例如表面被防蝕鋁處理(陽極氧化處理)的鋁所構成。在此腔室2內的底部設有用以載置被處理基板的玻璃基板G的載置台3。
載置台3是隔著絕緣構件4來被處理腔室2的底部支撐，具有：靜電吸附金屬製的凸型的基材5及設於基材5的凸部5a上的玻璃基板G之靜電吸盤6、及設於靜電吸盤6及基材5的凸部5a的周圍之由絕緣性陶瓷例如氧化鋁所構成的框緣狀的屏蔽環7、及以能夠在屏蔽環7下圍繞基材5的方式設置之由絕緣性陶瓷例如氧化鋁所構成的環狀的絕緣環8。並且，在屏蔽環7之上，以能夠圍繞玻璃基板G的方式設有方筒狀的整流構件9。
以能夠貫通腔室2的底壁、絕緣構件4及載置台3的方式，可昇降地插通有用以進行往其上之玻璃基板G的裝載及卸載的昇降銷10。此昇降銷10是在搬送玻璃基板G時，被上昇至載置台3的上方的搬送位置，除此以外是形成沒入載置台3內的狀態。
在載置台3的基材5連接用以供給高頻電力的給電線12，在此給電線12連接整合器13及高頻電源14。從高頻電源14例如供給13.56MHz的高頻電力至載置台3的基材5。因此，載置台3是具有作為下部電極的功能。
在上述載置台3的上方設有處理氣體導入用的淋浴頭20，其係與該載置台3平行對向而具有作為上部電極的功能。淋浴頭20是被處理腔室2的上部支持，在內部具有空間21的同時，在與載置台3的對向面形成有吐出處理氣體的複數個吐出孔22。此淋浴頭20是被接地，與具有作為下部電極的功能之載置台3一起構成一對的平行平板電極。
在淋浴頭20的上面設有氣體導入口24，在此氣體導入口24連接處理氣體供給管25，此處理氣體供給管25是被連接至處理氣體供給源28。並且，在處理氣體供給管25介有開閉閥26及質量流控制器27。從處理氣體供給源28供給例如電漿蝕刻用的處理氣體。處理氣體可使用Cl2 氣體等鹵素系的氣體、O2 氣體、Ar氣體等通常使用於該領域的氣體。
在處理腔室2的底部的四個角落形成有排氣管29，在此排氣管29連接排氣裝置30。排氣裝置30是具備渦輪分子泵等的真空泵，藉此構成可將處理腔室2內抽真空至預定的真空環境。並且，在處理腔室2的側壁設有基板搬出入口31，此基板搬出入口31可藉由閘閥32來開閉。然後，在開啟此閘閥32的狀態下，可藉由搬送裝置(未圖示)來搬出入玻璃基板G。另一方面，在與腔室2的基板搬出入口31對向側的側壁形成有窺視腔室2內部的窺視窗33。窺視窗33是由耐熱性高的透明材料、例如石英或藍寶石所構成。
上述靜電吸盤6是在表面具有陶瓷噴塗皮膜41，在內部埋設有電極42。電極42是形成比玻璃基板G小若的矩形狀，例如以噴塗形成。在電極42連接給電線43，在給電線43連接直流電源44，藉由對電極42施加來自直流電源44的直流電壓，可利用庫倫力等的靜電吸附力來吸附玻璃基板G。
上述整流構件9是以氧化鋁等的陶瓷所形成，圍繞玻璃基板G的周圍，遮擋從玻璃基板G的外周領域附近往基板的外周之處理氣體的流動，藉此減少供給至基板的最外周領域的Cl自由基量，用以提高玻璃基板G的面內之蝕刻速率的均一性者，由發揮其功能的觀點來看，例如需要100~150mm程度的高度。此整流構件9是基板搬出入口31側及與對向側的一對側板9a為具有可對水平方向延伸的旋轉軸往外側轉動的功能，在玻璃基板G的搬出入時，側板9a可往外側退避。剩下的側壁9b是藉由固定拖架(未圖示)來固定於載置台3。
藉由基板搬出入口31側的側板9a往外側轉動退避，可在玻璃基板G的搬出入時迴避整流構件9妨礙的情形。又，此時也藉由使與基板搬出入口31對向側的側板9a往外側轉動，可從上述窺視窗33看見玻璃基板G的搬送狀態及載置狀態。
如圖3的側面圖及圖4的立體圖所示，在該側板9a的外側，經由水平方向延伸的陶瓷製的墊板46，一對的連結構件45會藉由螺栓45a來固定於其兩端部。另外，側板9a是如圖4所示被縱2分割，藉由墊板46來補強。
在一對的連結構件45的下部安裝有沿側板9a的長度方向水平延伸的旋轉軸47。旋轉軸47是延伸至腔室2的外部而連結至旋轉馬達48。然後，藉由旋轉馬達48來使旋轉軸47旋轉，可經由連結構件45及墊板46來使側板9a在以圖3的實線所示之圍繞玻璃基板G的處理位置，與以虛線所示之可搬出入玻璃基板G的退避位置之間，轉動於垂直方向。在旋轉軸47之插通於腔室2的壁部的部分是安裝有密封構件49。密封構件49可使用O型環密封或彈簧負荷式密封，典型的是彈簧負荷式鐵氟龍(註冊商標TEFLON)密封(OmniSeal(商品名))。
控制部50是可進行基板處理裝置1的各構成要素的控制。例如進行閥26的控制、閘閥32的控制、高頻電源14的控制、直流電源44的控制、排氣裝置30的控制、側板9a的控制、昇降銷10的昇降控制等。控制部50是具備記憶製程處方的記憶部、或輸入手段及顯示器等，可按照所選擇的處方來控制基板處理裝置1。
其次，一邊參照圖5一邊說明有關如此構成的基板處理裝置1的處理動作。
首先，開啟閘閥32，藉由馬達48(圖4)來使整流構件9的側板9a轉動至外側而使移動至退避位置，利用搬送臂81來使形成有蝕刻對象膜例如Al膜的玻璃基板G經由基板搬出入口31來搬入至腔室2內(圖5的(a))。
其次，使昇降銷10突出至上方而令位於支撐位置，將搬送臂上的玻璃基板G交接至昇降銷10上，使昇降銷10下降，將玻璃基板G載置於載置台3的靜電吸盤6(參照圖1)上(圖5的(b))。
然後，關閉閘閥32，使整流構件9的側板9a轉動至圍繞玻璃基板G的處理位置(圖5的(c))。
在此狀態下，藉由排氣裝置30來將腔室2內抽真空至預定的真空度，從直流電源44對靜電吸盤6的電極42施加電壓，藉此靜電吸附玻璃基板G，開放閥26，而從處理氣體供給源28使例如Cl2 氣體等的處理氣體藉由質量流控制器27來一面調整其流量一面經由處理氣體供給管25、氣體導入口24來導入至淋浴頭20的內部空間21，且通過吐出孔22來對基板G均一地吐出，一面調節排氣量一面將腔室2內控制於預定壓力。然後，在此狀態下，從高頻電源14經由整合器13來將電漿生成用的高頻電力供給至載置台3的基材5，使在作為下部電極的載置台3與作為上部電極的淋浴頭20之間產生高頻電場，而生成處理氣體的電漿，藉由此電漿來對玻璃基板G的被蝕刻對象膜的Al膜實施電漿蝕刻處理(圖5的(d))。
此情況，藉由整流構件9來遮擋從玻璃基板G的外周領域附近往基板的外周之處理氣體的流動，減少供給至基板的最外周領域的Cl自由基量，因此玻璃基板的外周領域的蝕刻速率會降低，可對玻璃基板G的Al膜實施均一度高的電漿蝕刻。
在如此進行電漿蝕刻處理後，停止處理氣體的供給，準備搬出玻璃基板G，調整腔室2內的壓力，開啟閘閥32的同時，使整流構件9的側板9a轉動至外側，而令移動至退避位置，藉由昇降銷10來舉起玻璃基板G(圖5的(e))。
其次，將搬送臂81插入腔室2內，由搬送臂81接受蝕刻處理後的玻璃基板G，從腔室2搬出(圖5的(f))。
在以上的處理動作中，玻璃基板G的搬出入時，是閘閥32的開放及整流構件9的側板9a之往退避位置的轉動會被同時期進行，閘閥32的閉塞及側板9a之往處理位置的轉動會被同時期進行，因此較理想是從控制部50同步輸出開放閘閥32的信號及側板9a往退避位置轉動的信號，同步輸出閉塞閘閥32的信號及側板9a往處理位置轉動的信號。藉此，比串列進行該等的動作時更能縮短動作時間。
如以上所述，在本實施形態中，整流構件9之搬出入口31側的側板9a可轉動而往外側轉動，在玻璃基板G的搬出入時，側板9a可往外側退避，所以可不用使整流構件9上昇至比玻璃基板G的高度更高的位置，進行玻璃基板G的搬出入。因此，可迴避從整流構件9掉落粒子至玻璃基板G，進而能夠抑制玻璃基板G的汚染。
並且，與基板搬出入口31側的側板9a往外側轉動退避的同時，對向的側板9a也會往外側轉動退避，因此可從腔室2側壁的窺視窗33來看玻璃基板G的搬送狀態及玻璃基板G的載置狀態，當玻璃基板G的搬出入時有異常時可迅速地對應。當然，由可不使整流構件9上昇來搬出入玻璃基板G的觀點來看，只要基板搬出入31側的側板9a形成可轉動即可。
可是，最好整流構件9是遮擋從玻璃基板的外周領域附近往基板外周之處理氣體的流動，同時抑制玻璃基板外周領域之處理氣體的流動之構造。由如此的觀點來看，側板9a與側板9b之間較理想是被密合。然而，在使側板9a與側板9b之間密合時，使側板9a轉動至外側而退避後，回到密合狀態的處理位置時，恐有側板9a碰撞側板9b而產生粒子之虞。
由極力維持整流構件9的功能之下，防止如此的粒子之觀點來看，較理想是如圖6所示，當側板9a位於處理位置時，以能夠在側板9a與側板9b之間形成0.5mm程度的微小間隙之方式，將板材9c安裝於側板9a，使能夠從側板9a夾入側板9b的方式突出，成為使處理氣體通過之側板9a與側板9b間的路徑彎曲之迷宮構造。藉此，可充分縮小處理氣體通過之側板9a與側板9b間的路徑之傳導(conductance)，可抑制處理氣體穿過側板9a與側板9b間，可維持整流構件9的功能。此情況，板材9c與側板9b的重疊長度(在圖6中以D所示部分的長度)可設為20~30mm程度。
又，同様，側板9a與屏蔽環7之間也是密合為理想，但若所欲使側板9a從退避位置回到處理位置時成為密合狀態，則在側板9a與屏蔽環7之間會產生摩擦而恐有產生粒子之虞。
因此，如圖7所示，當側板9a位於處理位置時，以能夠在側板9a與屏蔽環7之間形成0.5mm程度的微小間隙之方式，在接近側板9a的位置，沿著側板9a的寬度方向，設置不會妨礙玻璃基板G的搬出入的高度之抵抗構件61，成為使處理氣體通過側板9a下的路徑彎曲之迷宮構造，充分縮小該路徑的傳導為理想。此情況，抵抗構件61的高度可設為10mm以上。
圖8是表示整流構件的另外其他變形例的模式圖，圖9是表示圖8所示的整流構件的動作的模式圖。
圖7所示的其他變形例的整流構件9a是在屏蔽環7上設置抵抗構件61，成為使通過側板9a下的處理氣體的路徑彎曲之迷宮構造。
相對的，圖8所示的另外其他變形例的整流構件9a是在屏蔽環7上設置不會妨礙玻璃基板G的搬出入的高度之抵抗構件62，如圖9所示，當側板9a轉動至屏蔽環7側時，側板9a的下部會載於抵抗構件62的上部。
如此，當側板9a轉動時，藉由使側板9a的下部載於抵抗構件62的上部，可使處理氣體不會通過側板9a下。
並且，在圖8所示的變形例中，是在側板9a的下部設置吻合抵抗構件62的缺口部63，此缺口部63的上面64是構成可載於抵抗構件62的上面。而且，有關缺口部63的側面65、及側板9a的最下面66是被設定成在抵抗構件62的側面及屏蔽環7的上面之間設有間隙67那樣的尺寸，以側面65及最下面66不會與抵抗構件62的側面及屏蔽環7的上面接觸之方式構成。藉此，可將側板9a與抵抗構件62的接觸壓制到最小限度，而使不會發生無用的粒子。
而且，通常在使旋轉軸47旋轉的旋轉馬達48(參照圖4)有反衝(backlash)。使側板9a的下部接觸於抵抗構件62的上部時，若利用此反衝來使接觸，則相較於使直接接觸時，可使側板9a的下部慢慢地柔軟地接觸於抵抗構件62的上部。
如此，有關在側板9a的下部與抵抗構件62接觸下發生的粒子，可在使側板9a的下部接觸於抵抗構件62的上部時，利用旋轉馬達48的反衝來減少至不會影響處理的量。
又，由使轉動整流構件9的側板9a時之驅動系側的真空密封更確實的觀點來看，較理想是如圖10所示，在對應於腔室2的旋轉軸47的部分設置盒70，於此設置齒條與齒輪(rack and pinion)機構71，使汽缸73的活塞74經由波紋管72來插入盒70，藉由汽缸73來使活塞74直進，藉此可經由齒條與齒輪機構71來使旋轉軸47旋轉。齒條與齒輪機構71是具有：被安裝於活塞74前端的齒條75、及被安裝於旋轉軸47咬合齒條75的齒輪76、及推壓齒條75的背面側的軸承77。另外，元件符號78是連結器(coupling)，79是軸承。藉由如此使用齒條與齒輪機構71，可利用波紋管72來進行驅動系側的真空密封，因此能夠更確實地進行真空密封。
圖11是表示用以使整流構件的側板轉動之驅動系的其他例圖。
由使轉動側板9a時之驅動系側的真空密封更確實的觀點來看，如圖11所示，亦可利用旋轉波紋管機構80。
在旋轉波紋管機構80中，旋轉軸47是例如在腔室2的外側(大氣側)，被彎曲成預定的角度θ。旋轉軸47從腔室2的內側(真空側)往外側(大氣側)經由外壁通過的直線部是被設於腔室2的外側(大氣側)，藉由凸緣(flange)構件82來保持旋轉軸47，該凸緣構件82是藉由軸承81來可旋轉地保持。
又，旋轉軸47之腔室的外側(大氣側)的前端是藉由旋轉軸保持構件84來保持，該旋轉軸保持構件84是藉由軸承83來可旋轉地保持。並且，旋轉軸47被彎曲成角度θ的彎曲部85是藉由分別連接至凸緣構件82及旋轉軸保持構件84的波紋管86所包圍。波紋管86是配合旋轉軸47的彎曲來彎曲。
在凸緣構件82安裝有收容保持構件84及波紋管86之例如筒狀的外箱(casing)構件87。外箱構件87是藉由軸承89來可旋轉地保持旋轉馬達48的旋轉軸88。旋轉軸88的旋轉中心是與旋轉軸47的直線部的旋轉中心一致。旋轉軸88之外箱構件87的內部的前端設有把手(handle)構件90。把手構件90是在從旋轉軸88的旋轉中心偏心的位置傾斜上述角度θ的狀態下藉由軸承91來可旋轉地保持旋轉軸保持構件84。
旋轉馬達48是使旋轉軸88旋轉。一旦旋轉軸88旋轉，則把手構件90會使被保持於從旋轉軸88的旋轉中心偏心的位置之旋轉軸保持構件84搖頭旋轉。由於旋轉軸47的前端是被傾斜角度θ傾來保持於旋轉軸保持構件84，因此旋轉軸47會配合旋轉軸保持構件84的搖頭旋轉來旋轉。波紋管86是配合保持構件84的搖頭旋轉，使彎曲的部分以旋轉軸47的直線部的旋轉中心為中心移動。
如此一來，旋轉馬達48係使旋轉軸47旋轉。
即使使用如此的旋轉波紋管機構80，照樣可利用波紋管86來進行腔室2的內側(真空側)與外側(大氣側)的真空密封，因此與圖10所示的齒條與齒輪機構71同様，可更確實地進行真空密封。
又，由於整流構件9的側板9a是往腔室2的壁部側轉動，因此整流構件9的高度是受限於整流構件9的側板9a與腔室2的壁部之距離。亦即，當側板9a與腔室2的壁部之距離小時，無法充分地取整流構件9的高度。
如此的情形，如圖12的(a)所示，將側板9a上下二分割成上構件9d及下構件9e，可折疊地連結該等，當側板9a被轉動至外側的退避位置時，如圖12的(b)所示，藉由使上構件9d對下構件9e轉動折疊，可縮小側板9a的退避位置之腔室壁部方向的長度。另外，亦可將側板9a分割成3個以上折疊。
又，亦可如圖13的(a)所示，將側板9a分割成下側的基部9g及上側的滑動部9f，該上側的滑動部9f是設成可對基部9g滑動，在將側板9 a轉動至外側的退避位置時，如圖13的(b)所示，藉由使滑動部9f對基部9g滑動，可縮小側板9a的退避位置之腔室壁部方向的長度。另外，亦可將側板9a分割成3個以上滑動。
又，亦可如圖14所示，將側板9b之密合側板9a的端面9h設為斜面，在端面9h的下部形成誘導斜面9i，在側板9a的內側面9j的下部設置對應於誘導斜面9i的缺口面9k，在使側板9a從退避位置回到處理位置時，如圖14的(a)所示，藉由驅動機構來使側板9a的缺口面9k轉動至誘導斜面9i的位置，在側板9b的端面9h與側板9a的內面9j之間有間隙的狀態下切掉驅動機構的傳達，如圖14的(b)所示，側板9a的缺口面9k會被引導至誘導斜面9i，側板9a會以自重來密合於側板9b。藉此，可一面抑制粒子的發生，一面使側板9b與側板9a密合。
另外，本發明並非限於上述實施形態，亦可實施各種的變形。例如，在上述實施形態，整流構件9的側板9a的轉動是藉由與閘閥32的驅動機構不同的驅動機構來進行，但亦可經由機械的傳達機構來利用閘閥32的驅動機構的動力。並且，將本發明適用於蝕刻裝置，但並非限於蝕刻處理，亦可適用於成膜等其他的電漿處理。又，上述實施形態是使整流構件的基板搬出入口側的側板往外側退避的構成，但並非限於此，亦可為使退避至下側等其他的退避構造。
又，上述實施形態是以4個的側板來構成整流構件，使基板搬出入口側的側板具有作為可動構件的功能，但並非限於此。
又，上述實施形態的基板是以FPD用玻璃基板為例，但並非限於此，亦可為半導體晶圓等的其他基板。
1．．．基板處理裝置
2．．．腔室
3．．．載置台
5．．．基材
6．．．靜電吸盤
7．．．屏蔽環
9．．．整流構件
9a．．．側壁
14．．．高頻電源
20．．．淋浴頭
28．．．處理氣體供給源
30．．．排氣裝置
33．．．窺視窗
41．．．陶瓷噴塗皮膜
42．．．電極
44．．．直流電源
45．．．連結構件
47．．．旋轉軸
48．．．旋轉馬達
50．．．控制部
G．．．玻璃基板
62．．．抵抗構件
63．．．缺口部
67．．．間隙
80．．．旋轉波紋管機構
82．．．凸緣構件
84．．．旋轉軸保持構件
85．．．旋轉軸47的彎曲部
86．．．波紋管
88．．．旋轉軸
90．．．把手構件
圖1是表示本發明之一實施形態的基板處理裝置的垂直剖面圖。
圖2是本發明之一實施形態的基板處理裝置的水平剖面圖。
圖3是表示圖1的基板處理裝置的整流構件的要部的側面圖。
圖4是表示圖1的基板處理裝置的整流構件的要部的立體圖。
圖5是用以說明本發明之一實施形態的基板處理裝置的動作的概略圖。
圖6是用以說明整流構件的變形例的模式圖。
圖7是表示整流構件的其他變形例的模式圖。
圖8是表示整流構件的另外其他變形例的模式圖。
圖9是表示整流構件的另外其他變形例的動作的模式圖。
圖10是表示用以使整流構件的側板轉動之驅動系的其他例圖。
圖11是表示用以使整流構件的側板轉動之驅動系的另外其他例圖。
圖12是用以說明整流構件的另外其他變形例的模式圖。
圖13是用以說明整流構件的另外其他變形例的模式圖。
圖14是用以說明整流構件的別的變形例的模式圖。
1．．．基板處理裝置
2．．．腔室
3．．．載置台
4．．．絕緣構件
5．．．基材
5a．．．凸部
6．．．靜電吸盤
7．．．屏蔽環
8．．．絕緣環
9．．．整流構件
9a．．．側壁
9b．．．側壁
10．．．昇降銷
12．．．給電線
13．．．整合器
14．．．高頻電源
20．．．淋浴頭
21．．．空間
22．．．吐出孔
24．．．氣體導入口
25．．．處理氣體供給管
26．．．開閉閥
27．．．質量流控制器
28．．．處理氣體供給源
29．．．排氣管
30．．．排氣裝置
31．．．基板搬出入口
32．．．閘閥
33．．．窺視窗
41．．．陶瓷噴塗皮膜
42．．．電極
43．．．給電線
44．．．直流電源
50．．．控制部
G．．．玻璃基板

Claims (11)

  1. 一種基板處理裝置，係具備：處理容器，其係收容基板；基板搬出入部，其係形成於上述處理容器的側壁，搬出入基板；載置台，其係於上述處理容器內載置基板；處理氣體供給機構，其係供給處理氣體至上述處理容器內；電漿生成機構，其係於上述處理容器內生成處理氣體的電漿；排氣機構，其係將上述處理容器內予以排氣；及整流構件，其係設成可在上述載置台上圍繞上述載置台上的基板，對上述載置台上的基板進行電漿處理之基板處理裝置，其特徵為：上述整流構件係至少在對應於上述基板搬出入部的位置具有可動構件，其係以可對上述載置台搬出入基板的方式設成可移動至退避位置，上述整流構件係形成由4個的側板所構成的方筒狀，該等側板之中，位在對應於上述基板搬出入部的位置之側板係具有作為可移動至退避位置的可動構件之功能，使能夠對上述載置台搬出入基板，具有作為上述可動構件的功能之側板係構成藉由使旋轉軸旋轉，可在處理時的處理位置與上述退避位置之間轉 動，側板與旋轉軸係以連結構件所結合，藉由連結構件的旋轉來使側板旋轉。
  2. 一種基板處理裝置，係具備：處理容器，其係收容基板；基板搬出入部，其係形成於上述處理容器的側壁，搬出入基板；載置台，其係於上述處理容器內載置基板；處理氣體供給機構，其係供給處理氣體至上述處理容器內；電漿生成機構，其係於上述處理容器內生成處理氣體的電漿；排氣機構，其係將上述處理容器內予以排氣；及整流構件，其係設成可在上述載置台上圍繞上述載置台上的基板，對上述載置台上的基板進行電漿處理之基板處理裝置，其特徵為：上述整流構件係至少在對應於上述基板搬出入部的位置具有可動構件，其係以可對上述載置台搬出入基板的方式設成可移動至退避位置，上述整流構件係形成由4個的側板所構成的方筒狀，該等側板之中，位在對應於上述基板搬出入部的位置之側板係具有作為可移動至退避位置的可動構件之功能，使能夠對上述載置台搬出入基板， 具有作為上述可動構件的功能之側板係構成藉由使旋轉軸旋轉，可在處理時的處理位置與上述退避位置之間轉動，與位在對應於上述基板搬出入部的位置之側板呈對向的側板也具有作為可退避的可動構件之功能，具有作為上述可動構件的功能之側板係藉由使延伸於水平方向的旋轉軸旋轉，可在垂直方向轉動，具有作為上述可動構件的功能之側板係於上述處理位置與上述其他的側板之間形成有間隙，處理氣體通過上述間隙的路徑係以能夠取得彎曲的迷宮構造之方式構成。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，具有作為上述可動構件的功能之側板係於上述處理位置與上述載置台密合。
  4. 一種基板處理裝置，係具備：處理容器，其係收容基板；基板搬出入部，其係形成於上述處理容器的側壁，搬出入基板；載置台，其係於上述處理容器內載置基板；處理氣體供給機構，其係供給處理氣體至上述處理容器內；電漿生成機構，其係於上述處理容器內生成處理氣體的電漿；排氣機構，其係將上述處理容器內予以排氣；及整流構件，其係設成可在上述載置台上圍繞上述載置 台上的基板，對上述載置台上的基板進行電漿處理之基板處理裝置，其特徵為：上述整流構件係至少在對應於上述基板搬出入部的位置具有可動構件，其係以可對上述載置台搬出入基板的方式設成可移動至退避位置，上述整流構件係形成由4個的側板所構成的方筒狀，該等側板之中，位在對應於上述基板搬出入部的位置之側板係具有作為可移動至退避位置的可動構件之功能，使能夠對上述載置台搬出入基板，具有作為上述可動構件的功能之側板係構成藉由使旋轉軸旋轉，可在處理時的處理位置與上述退避位置之間轉動，具有作為上述可動構件的功能之側板係於上述處理位置與上述載置台之間形成有間隙，在上述載置台之具有作為上述可動構件的功能的側板的附近位置，沿著該側板的寬度方向設有不會妨礙基板的搬出入的高度之抵抗構件。
  5. 一種基板處理裝置，係具備：處理容器，其係收容基板；基板搬出入部，其係形成於上述處理容器的側壁，搬出入基板；載置台，其係於上述處理容器內載置基板；處理氣體供給機構，其係供給處理氣體至上述處理容器內； 電漿生成機構，其係於上述處理容器內生成處理氣體的電漿；排氣機構，其係將上述處理容器內予以排氣；及整流構件，其係設成可在上述載置台上圍繞上述載置台上的基板，對上述載置台上的基板進行電漿處理之基板處理裝置，其特徵為：上述整流構件係至少在對應於上述基板搬出入部的位置具有可動構件，其係以可對上述載置台搬出入基板的方式設成可移動至退避位置，上述整流構件係形成由4個的側板所構成的方筒狀，該等側板之中，位在對應於上述基板搬出入部的位置之側板係具有作為可移動至退避位置的可動構件之功能，使能夠對上述載置台搬出入基板，具有作為上述可動構件的功能之側板係構成藉由使旋轉軸旋轉，可在處理時的處理位置與上述退避位置之間轉動，具有作為上述可動構件的功能之側板係於上下方向分割成複數個，該等可折疊地連結，在被轉動至退避位置時折疊。
  6. 一種基板處理裝置，係具備：處理容器，其係收容基板；基板搬出入部，其係形成於上述處理容器的側壁，搬出入基板； 載置台，其係於上述處理容器內載置基板；處理氣體供給機構，其係供給處理氣體至上述處理容器內；電漿生成機構，其係於上述處理容器內生成處理氣體的電漿；排氣機構，其係將上述處理容器內予以排氣；及整流構件，其係設成可在上述載置台上圍繞上述載置台上的基板，對上述載置台上的基板進行電漿處理之基板處理裝置，其特徵為：上述整流構件係至少在對應於上述基板搬出入部的位置具有可動構件，其係以可對上述載置台搬出入基板的方式設成可移動至退避位置，上述整流構件係形成由4個的側板所構成的方筒狀，該等側板之中，位在對應於上述基板搬出入部的位置之側板係具有作為可移動至退避位置的可動構件之功能，使能夠對上述載置台搬出入基板，具有作為上述可動構件的功能之側板係構成藉由使旋轉軸旋轉，可在處理時的處理位置與上述退避位置之間轉動，具有作為上述可動構件的功能之側板係於上下方向分割成複數個，該等可滑動地連結，在被轉動至退避位置時分割片會滑動重疊。
  7. 一種基板處理裝置，係具備： 處理容器，其係收容基板；基板搬出入部，其係形成於上述處理容器的側壁，搬出入基板；載置台，其係於上述處理容器內載置基板；處理氣體供給機構，其係供給處理氣體至上述處理容器內；電漿生成機構，其係於上述處理容器內生成處理氣體的電漿；排氣機構，其係將上述處理容器內予以排氣；及整流構件，其係設成可在上述載置台上圍繞上述載置台上的基板，對上述載置台上的基板進行電漿處理之基板處理裝置，其特徵為：上述整流構件係至少在對應於上述基板搬出入部的位置具有可動構件，其係以可對上述載置台搬出入基板的方式設成可移動至退避位置，上述整流構件係形成由4個的側板所構成的方筒狀，該等側板之中，位在對應於上述基板搬出入部的位置之側板係具有作為可移動至退避位置的可動構件之功能，使能夠對上述載置台搬出入基板，具有作為上述可動構件的功能之側板係構成藉由使旋轉軸旋轉，可在處理時的處理位置與上述退避位置之間轉動，具有作為上述可動構件的功能之側板係從上述退避位 置轉動至上述處理位置時，藉由驅動機構來使驅動至與上述其他的側板之間形成有間隙的狀態為止，然後藉由自重來密合與上述其他的側板之間。
  8. 一種基板處理裝置，係具備：處理容器，其係收容基板；基板搬出入部，其係形成於上述處理容器的側壁，搬出入基板；載置台，其係於上述處理容器內載置基板；處理氣體供給機構，其係供給處理氣體至上述處理容器內；電漿生成機構，其係於上述處理容器內生成處理氣體的電漿；排氣機構，其係將上述處理容器內予以排氣；及整流構件，其係設成可在上述載置台上圍繞上述載置台上的基板，對上述載置台上的基板進行電漿處理之基板處理裝置，其特徵為：上述整流構件係至少在對應於上述基板搬出入部的位置具有可動構件，其係以可對上述載置台搬出入基板的方式設成可移動至退避位置，上述整流構件係形成由4個的側板所構成的方筒狀，該等側板之中，位在對應於上述基板搬出入部的位置之側板係具有作為可移動至退避位置的可動構件之功能，使能夠對上述載置台搬出入基板， 具有作為上述可動構件的功能之側板係構成藉由使旋轉軸旋轉，可在處理時的處理位置與上述退避位置之間轉動，上述旋轉軸係經由密封構件來延伸至上述處理容器的外側，藉由設於上述處理容器的外側之旋轉馬達來旋轉。
  9. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中，上述密封構件為O型環密封或彈簧負荷式密封。
  10. 一種基板處理裝置，係具備：處理容器，其係收容基板；基板搬出入部，其係形成於上述處理容器的側壁，搬出入基板；載置台，其係於上述處理容器內載置基板；處理氣體供給機構，其係供給處理氣體至上述處理容器內；電漿生成機構，其係於上述處理容器內生成處理氣體的電漿；排氣機構，其係將上述處理容器內予以排氣；及整流構件，其係設成可在上述載置台上圍繞上述載置台上的基板，對上述載置台上的基板進行電漿處理之基板處理裝置，其特徵為：上述整流構件係至少在對應於上述基板搬出入部的位置具有可動構件，其係以可對上述載置台搬出入基板的方式設成可移動至退避位置， 上述整流構件係形成由4個的側板所構成的方筒狀，該等側板之中，位在對應於上述基板搬出入部的位置之側板係具有作為可移動至退避位置的可動構件之功能，使能夠對上述載置台搬出入基板，具有作為上述可動構件的功能之側板係構成藉由使旋轉軸旋轉，可在處理時的處理位置與上述退避位置之間轉動，上述旋轉軸係藉由經由波紋管來設於上述處理容器的外側之汽缸機構的驅動，經由齒條與齒輪機構來旋轉。
  11. 一種基板處理裝置，係具備：處理容器，其係收容基板；基板搬出入部，其係形成於上述處理容器的側壁，搬出入基板；載置台，其係於上述處理容器內載置基板；處理氣體供給機構，其係供給處理氣體至上述處理容器內；電漿生成機構，其係於上述處理容器內生成處理氣體的電漿；排氣機構，其係將上述處理容器內予以排氣；及整流構件，其係設成可在上述載置台上圍繞上述載置台上的基板，對上述載置台上的基板進行電漿處理之基板處理裝置，其特徵為：上述整流構件係至少在對應於上述基板搬出入部的位 置具有可動構件，其係以可對上述載置台搬出入基板的方式設成可移動至退避位置，上述整流構件係形成由4個的側板所構成的方筒狀，該等側板之中，位在對應於上述基板搬出入部的位置之側板係具有作為可移動至退避位置的可動構件之功能，使能夠對上述載置台搬出入基板，具有作為上述可動構件的功能之側板係構成藉由使旋轉軸旋轉，可在處理時的處理位置與上述退避位置之間轉動，上述基板搬出入部係具有：設於上述處理容器的基板搬出入口、及開閉該基板搬入口的閘閥，更具備使上述閘閥的開放及往上述可動構件的退避位置的移動同步實行之控制部。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5067279B2 (ja) * 2008-06-25 2012-11-07 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP5141520B2 (ja) * 2008-12-02 2013-02-13 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR101544004B1 (ko) 2014-07-10 2015-08-17 주식회사 나래나노텍 개선된 기판 열처리 챔버용 도어, 및 이를 구비한 기판 열처리 챔버 및 장치
JP6710134B2 (ja) * 2016-09-27 2020-06-17 東京エレクトロン株式会社 ガス導入機構及び処理装置
CN108598023B (zh) * 2018-05-16 2020-11-13 深圳市信展通电子有限公司 一种芯片加工方法
JP7437985B2 (ja) * 2020-03-16 2024-02-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP7350907B2 (ja) * 2022-01-24 2023-09-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理チャンバおよび基板処理装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06338469A (ja) * 1993-05-28 1994-12-06 Kokusai Electric Co Ltd 真空仕切弁
JPH0722388A (ja) * 1993-06-16 1995-01-24 Nec Corp ドライエッチング装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6037139A (ja) * 1983-08-10 1985-02-26 Hitachi Ltd ウェ−ハ移送経路におけるゲ−トバルブ機構
JP2638443B2 (ja) * 1993-08-31 1997-08-06 日本電気株式会社 ドライエッチング方法およびドライエッチング装置
JP3125831B2 (ja) * 1993-09-24 2001-01-22 日立プラント建設株式会社 高気密メタルシートダンパ
JPH10107009A (ja) * 1996-09-27 1998-04-24 Nec Corp ドライエッチング装置
JP2000028014A (ja) * 1998-07-13 2000-01-25 Ckd Corp ゲート式真空遮断弁
JP2003163206A (ja) * 2001-11-28 2003-06-06 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及びマルチチャンバシステム

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06338469A (ja) * 1993-05-28 1994-12-06 Kokusai Electric Co Ltd 真空仕切弁
JPH0722388A (ja) * 1993-06-16 1995-01-24 Nec Corp ドライエッチング装置

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KR20090106997A (ko) 2009-10-12

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