JPS6037139A - ウェ−ハ移送経路におけるゲ−トバルブ機構 - Google Patents
ウェ−ハ移送経路におけるゲ−トバルブ機構Info
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- JPS6037139A JPS6037139A JP14494583A JP14494583A JPS6037139A JP S6037139 A JPS6037139 A JP S6037139A JP 14494583 A JP14494583 A JP 14494583A JP 14494583 A JP14494583 A JP 14494583A JP S6037139 A JPS6037139 A JP S6037139A
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- JP
- Japan
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- shutter
- gate valve
- sealing surface
- shaft
- gate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、エツチング装Ｗ、スパプタ装置などの半導体
製造装置に用いられるウェーハ移送経路におけるゲート
バルブ機構に関するものである。
製造装置に用いられるウェーハ移送経路におけるゲート
バルブ機構に関するものである。
従来のこの種のゲートバルブ機構は、第１図に示す如く
ウェーハ移送方向に対しゲートシール面別が垂直になっ
ており、シャッター４は予備真空室！３に対し垂直に移
動する構造であった。１Ｂは主真空室である。
ウェーハ移送方向に対しゲートシール面別が垂直になっ
ており、シャッター４は予備真空室！３に対し垂直に移
動する構造であった。１Ｂは主真空室である。
この構造において、ゲートバルブの閉動作は以下による
。ブラケット１４を介して予備真空室１３に取付けられ
たエアーシリンダ１６によりカップリングｂを介してロ
ッド１１が押し上げられ、さらにカップリングｌＯを介
して支え７がガイド５に沿って上部に移動する。この時
、リンク８により支持されたシャッター４の上端に設け
たローラー２が図のようにストッパー３に当った時点よ
り、シャッター４はシール面に対し垂直に移動し、シー
ル面に押し付けられる。
。ブラケット１４を介して予備真空室１３に取付けられ
たエアーシリンダ１６によりカップリングｂを介してロ
ッド１１が押し上げられ、さらにカップリングｌＯを介
して支え７がガイド５に沿って上部に移動する。この時
、リンク８により支持されたシャッター４の上端に設け
たローラー２が図のようにストッパー３に当った時点よ
り、シャッター４はシール面に対し垂直に移動し、シー
ル面に押し付けられる。
ゲートバルブの囲動作は、エアシリンダー１６によるロ
ッド１１の引き下げにより支え７が下降することにより
行なわれるが、初期の状態では、支え７が下降してもね
じりばね９が支え７に取付けたピン加を介してシャッタ
ー４を押し上げていることから、シャッター４は下降せ
ずリンク８の傾きに見合った寸法だけシール面から垂直
に離れ、その後下降することになる。
ッド１１の引き下げにより支え７が下降することにより
行なわれるが、初期の状態では、支え７が下降してもね
じりばね９が支え７に取付けたピン加を介してシャッタ
ー４を押し上げていることから、シャッター４は下降せ
ずリンク８の傾きに見合った寸法だけシール面から垂直
に離れ、その後下降することになる。
以上の構造および動作では次のような欠点があった。
、（１）真空室相互間のウェーハのインライン移送をす
る場合、コンベアー間スペースが広くなりスムーズな移
送ができない。
る場合、コンベアー間スペースが広くなりスムーズな移
送ができない。
（２） ツヤツタ−駆動機構が往復動であることから、
真空シールには溶接ベローズを使用しており高価である
。
真空シールには溶接ベローズを使用しており高価である
。
（３）真空室内に摺動部分が多いことからダストが発生
し、製品歩留りが低下するおそれがある。
し、製品歩留りが低下するおそれがある。
（４）機構が複雑であり、組立調整、メンテナンスに多
大の工数を必要とする。
大の工数を必要とする。
本発明の目的は、真空室相互間のウェーハのインライン
移送を可能とし１機構が簡単で安価であり、さらに真空
室内に摺動部分が少なくダストの生じないゲートバルブ
機構を提供することにある。
移送を可能とし１機構が簡単で安価であり、さらに真空
室内に摺動部分が少なくダストの生じないゲートバルブ
機構を提供することにある。
本発明は、シャッターの開閉機構を往復動から回動方式
に変更することにより、機構の単純化を図る過程でゲー
トシール面をウェーハ移送面に対し垂直な面から傾斜を
付けて開閉時における移送面のデッドスペースを少な（
し、真空室相互間のコンベアー間を近づけ、ウェーハの
インライン移送を可能にしたものである。
に変更することにより、機構の単純化を図る過程でゲー
トシール面をウェーハ移送面に対し垂直な面から傾斜を
付けて開閉時における移送面のデッドスペースを少な（
し、真空室相互間のコンベアー間を近づけ、ウェーハの
インライン移送を可能にしたものである。
以下本発明の一実施例を第２．第３図により説明する。
１図に示す如（本発明によるゲートバルブ機構は、ウェ
ーハ移送方向に垂直な面から約４５゜程度の傾斜を持つ
ゲートシール面別、シャッター５．０リングが、ウェー
ハが通過するゲート囲孔部３６．シャッターδ開閉駆動
用のシャフト３９．シャフト回動用のロータリーアクチ
ュエーター６゜カンプリング４６．シャフト保持用のボ
ールベアリング材、ベアリングケース４１ 、５０ 、
シール用の０リング４３．４８．上記関連部品を組込む
ゲートバルブ本体おおよび取付用のボルト２１ 、２２
、 Ｚ３ 、４２より構成されている。加は予備真空
室、あは主真空室である。
ーハ移送方向に垂直な面から約４５゜程度の傾斜を持つ
ゲートシール面別、シャッター５．０リングが、ウェー
ハが通過するゲート囲孔部３６．シャッターδ開閉駆動
用のシャフト３９．シャフト回動用のロータリーアクチ
ュエーター６゜カンプリング４６．シャフト保持用のボ
ールベアリング材、ベアリングケース４１ 、５０ 、
シール用の０リング４３．４８．上記関連部品を組込む
ゲートバルブ本体おおよび取付用のボルト２１ 、２２
、 Ｚ３ 、４２より構成されている。加は予備真空
室、あは主真空室である。
シャッター５の開閉動作は、ロータリーアクチュエータ
ー化の回動動作をカンプリング４６を介してシャフト器
に云え、シャフト３９にボルト締めにより固定されたシ
ャッター５を回動させることにより行なわれる。ゲート
シール面例とシャッター３のシールは、０リングかによ
り行なう。シャフト３９の外部とのシールは０リング侶
で行ない、またシャフト器は、ボールベアリング弱、ベ
アリングケース４１ 、５０を介してゲートバルブ本体
間に組込まれている。
ー化の回動動作をカンプリング４６を介してシャフト器
に云え、シャフト３９にボルト締めにより固定されたシ
ャッター５を回動させることにより行なわれる。ゲート
シール面例とシャッター３のシールは、０リングかによ
り行なう。シャフト３９の外部とのシールは０リング侶
で行ない、またシャフト器は、ボールベアリング弱、ベ
アリングケース４１ 、５０を介してゲートバルブ本体
間に組込まれている。
ゲートシール面別とシャッター５のシールはＯリング別
に限定されるものではなく、シャッター乙に弗素ゴムの
シートあるいは成形品を取付けたもの、またはゴム成形
品単体でもよい。ゲートシール面別の幅についても血圧
を考慮して任意に設定することができる。
に限定されるものではなく、シャッター乙に弗素ゴムの
シートあるいは成形品を取付けたもの、またはゴム成形
品単体でもよい。ゲートシール面別の幅についても血圧
を考慮して任意に設定することができる。
また、ロータリーアクチュエーター４５はシャフト３９
を回動させるためのものであり、回動動作を付与するも
のであれば他の方式でもよい。
を回動させるためのものであり、回動動作を付与するも
のであれば他の方式でもよい。
上記実施例によれば、ゲートシール面を傾斜せしめシャ
ッターを回動するようにしたので、コン鄭 ベアーの間扁を小さくすることができる。
ッターを回動するようにしたので、コン鄭 ベアーの間扁を小さくすることができる。
を
本発明によれば、相互間のコンベアー間を近づけること
ができてウェーハのインライン移送を容易ならしめるこ
とができる。また、真空室内に摺動部分が少なくダスト
発生の低減が望めることから製品歩留りの向上につなが
る。さらに、構造がＩｎであることから組立調整、メン
テナンスが容易であり、原価低減および保守費用の低減
を図ることができる。
ができてウェーハのインライン移送を容易ならしめるこ
とができる。また、真空室内に摺動部分が少なくダスト
発生の低減が望めることから製品歩留りの向上につなが
る。さらに、構造がＩｎであることから組立調整、メン
テナンスが容易であり、原価低減および保守費用の低減
を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のゲートバルブ機構の側面図、第２図は本
発明のゲートバルブ機構の側面図、第３図は第２図にお
けるシャッター開放時の゛正面図である。 冴・・・・・・ゲートシール面、２５・・・・・・シャ
ッター、初・・・・・・予備真空室、羽・・・・・・ゲ
ートバルブ本体、あ・・・主真空室、あ・・・・・・ゲ
ート開孔部、器・・・・・・シャフト、４１・・・・・
・ベアリングケース、４４・・・・・・ボールベアリン
ク柘・・・・・・ロータリーアクチュエーター−４６…
°°°カッ才１図
発明のゲートバルブ機構の側面図、第３図は第２図にお
けるシャッター開放時の゛正面図である。 冴・・・・・・ゲートシール面、２５・・・・・・シャ
ッター、初・・・・・・予備真空室、羽・・・・・・ゲ
ートバルブ本体、あ・・・主真空室、あ・・・・・・ゲ
ート開孔部、器・・・・・・シャフト、４１・・・・・
・ベアリングケース、４４・・・・・・ボールベアリン
ク柘・・・・・・ロータリーアクチュエーター−４６…
°°°カッ才１図
Claims (1)
- １、 ウェーハ移送経路中の室間なシールするためのシ
ャッター、シール面およびシャッターを開閉する畝動部
よりなるゲートバルブ機構において、シール面をウェー
ハ移送方向に垂直な面に対し傾斜を付けて設け、該シー
ル面のシャッターを回動可能にゲートバルブ本体に取付
けたことを特徴とするウェーハ移送経路におけるゲート
バルブ機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14494583A JPS6037139A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | ウェ−ハ移送経路におけるゲ−トバルブ機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14494583A JPS6037139A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | ウェ−ハ移送経路におけるゲ−トバルブ機構 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6037139A true JPS6037139A (ja) | 1985-02-26 |
| JPH0413424B2 JPH0413424B2 (ja) | 1992-03-09 |
Family
ID=15373837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14494583A Granted JPS6037139A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | ウェ−ハ移送経路におけるゲ−トバルブ機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6037139A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02190691A (ja) * | 1989-01-19 | 1990-07-26 | Ulvac Corp | 真空バルブ |
| JP2009272602A (ja) * | 2008-04-07 | 2009-11-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
| WO2012128029A1 (ja) * | 2011-03-18 | 2012-09-27 | 東京エレクトロン株式会社 | ゲートバルブ装置及び基板処理装置並びにその基板処理方法 |
| JP6412670B1 (ja) * | 2018-04-13 | 2018-10-24 | 株式会社ブイテックス | ゲートバルブ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5526799U (ja) * | 1978-08-10 | 1980-02-21 | ||
| JPS57134599U (ja) * | 1981-02-17 | 1982-08-21 |
-
1983
- 1983-08-10 JP JP14494583A patent/JPS6037139A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5526799U (ja) * | 1978-08-10 | 1980-02-21 | ||
| JPS57134599U (ja) * | 1981-02-17 | 1982-08-21 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02190691A (ja) * | 1989-01-19 | 1990-07-26 | Ulvac Corp | 真空バルブ |
| JP2009272602A (ja) * | 2008-04-07 | 2009-11-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
| WO2012128029A1 (ja) * | 2011-03-18 | 2012-09-27 | 東京エレクトロン株式会社 | ゲートバルブ装置及び基板処理装置並びにその基板処理方法 |
| JP2012197476A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-18 | Tokyo Electron Ltd | ゲートバルブ装置及び基板処理装置並びにその基板処理方法 |
| US9121515B2 (en) | 2011-03-18 | 2015-09-01 | Tokyo Electron Limited | Gate valve unit, substrate processing device and substrate processing method thereof |
| JP6412670B1 (ja) * | 2018-04-13 | 2018-10-24 | 株式会社ブイテックス | ゲートバルブ |
| JP2019183996A (ja) * | 2018-04-13 | 2019-10-24 | 株式会社ブイテックス | ゲートバルブ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0413424B2 (ja) | 1992-03-09 |
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