CN101556911A - 基板处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种能够在由整流部件包围基板的周围的状态下进行等离子体处理的基板处理装置，在基板的搬入搬出时难以产生因颗粒等对基板造成的污染。在腔室(2)的载置台(3)上载置基板(G)，在将该基板(G)由整流部件(9)围绕的状态下，在腔室(2)内形成处理气体的等离子体，对基板(G)进行等离子体处理。在基板处理装置(1)中，整流部件(9)，至少存在于与基板搬入搬出口(31)对应的位置上的作为可动部件的侧板(9a)设置成能够移动到退避位置，以能够对于载置台(3)搬入搬出基板(G)。

Description

基板处理装置

技术领域

本发明涉及对液晶显示装置(LCD)等平板显示器(FPD)制造用的玻璃基板等基板实施干蚀刻等处理的基板处理装置。

背景技术

在以液晶显示器(LCD)为代表的平板显示器(FPD)的制造过程中具有在真空下对在玻璃基板上形成的规定的膜进行等离子体蚀刻的处理。

作为对这样的玻璃基板进行等离子体蚀刻处理的基板处理装置，在能够保持真空的腔室内配置作为下部电极起作用的基板载置台以及与该载置台相对并作为上部电极起作用的气体导入用的喷淋头，在下部电极上连接有施加高频电力的高频电源，将腔室内进行真空排气，经由喷淋头向腔室内导入处理气体，并且对载置台施加高频电力，通过由此形成的处理气体的等离子体来蚀刻玻璃基板上的规定膜。

其中，在LCD中存在蚀刻铝(Al)膜的工序，在这样的Al膜的蚀刻中，作为处理气体使用含有氯气(Cl₂)的气体，但是由于处理气体的供给量和蚀刻量成正比，所以由负载效应而产生基板的外周部的蚀刻率比中央部的蚀刻率极快的现象。即，根据作为等离子体中的蚀刻种的Cl自由基，在基板的最外周区域，单位量的Cl自由基需蚀刻的基板面积为中央区域的大约一半，以与供给中央区域的流量相同的流量对最外周区域供给处理气体，则最外周区域的蚀刻率为中央区域的蚀刻率的大约两倍。

因此，提出有这样的技术，以包围载置台上的基板的周围的方式设置整流部件，由此遮蔽从玻璃基板的外周区域附近朝向基板外周的处理气体的流动，从而减少供给基板的最外周区域的Cl自由基的量，提高基板面内的蚀刻率的均匀性(专利文献1)。

在实施该技术时，整流部件成为玻璃基板的搬入搬出的阻碍，所以玻璃基板的搬入搬出时需要将整流部件退避到不妨碍搬入搬出的位置。并且，根据空间等关系，将整流部件退避到上方。

但是，若在将整流部件退避到基板的上方的状态下进行基板的搬入搬出，则附着在整流部件上的颗粒等会向玻璃基板落下而污染玻璃基板。

专利文献1：日本特开2000-315676号公报

发明内容

本发明是鉴于上述问题而研发的，其目的在于提供一种基板处理装置，其能够在由整流部件包围基板的周围的状态下进行等离子体处理，在基板的搬入搬出时难以产生因颗粒等对基板造成的污染。

为了实现上述课题，本发明的基板处理装置，其特征在于，包括：收容基板的处理容器；形成在上述处理容器的侧壁上的用于搬入搬出基板的基板搬入搬出部；在上述处理容器内载置基板的载置台；向上述处理容器内供给处理气体的处理气体供给机构；在上述处理容器内生成处理气体的等离子体的等离子体生成机构；对上述处理容器内进行排气的排气机构；和以围绕上述载置台上的基板的方式设置在上述载置台上的整流部件，上述基板处理装置对上述载置台上的基板进行等离子体处理，其中，上述整流部件至少在与上述基板搬入搬出部对应的位置上具有可动部件，该可动部件设置成能够移动到退避位置，以能够相对于上述载置台进行基板的搬入搬出。

在本发明中，上述整流部件具有由四个侧板构成的方筒形，这些侧板中位于与上述基板搬入搬出部对应的位置的侧板起到作为能够移动到退避位置，以使能够对于上述载置台进行基板的搬入搬出的可动部件的作用。在这种情况下，能够构成为使与位于与上述基板搬入搬出部对应的位置上的侧板相对置的侧板也起到作为能够退避的可动部件的作用。

上述作为可动部件发挥功能的侧板，通过使旋转轴旋转在处理时的处理位置和上述退避位置之间进行转动。在这种情况下，上述作为可动部件发挥功能的侧板，通过使在水平方向上延伸的旋转轴旋转而能够在垂直方向上转动。

能够构成为上述作为可动部件发挥功能的侧板在上述处理位置与邻接的侧板贴紧。此外，能够构成为上述作为可动部件发挥功能的侧板在上述处理位置在与上述其它侧板之间形成有间隙，处理气体通过上述间隙的路径采用弯曲的迷宫结构。

能够构成为上述作为可动部件发挥功能的侧板在上述处理位置与上述载置台贴紧。此外，能够构成为上述作为可动部件发挥功能的侧板在上述处理位置在与上述载置台之间形成有间隙，在上述载置台中的上述作为可动部件发挥功能的侧板的附近位置沿着该侧板的宽度方向设置有不阻碍基板的搬入搬出的高度的抵抗部件。

能够构成为上述作为可动部件发挥功能的侧板在上下方向被分割成多个，该多个侧板能够折叠地连接，在转动到退避位置上时被折叠。此外，能够构成为上述作为可动部件发挥功能的侧板在上下方向上被分割成多个，该多个侧板能够滑动地连接，在转动到退避位置上时分割片滑动而重叠。

能够构成为上述作为可动部件发挥功能的侧板从上述退避位置向上述处理位置转动时，由驱动机构驱动直到其与上述其它侧板之间形成间隙的状态，之后由自重而使其与上述其它侧板之间贴紧。

上述旋转轴能够经由密封部件延伸到上述处理容器的外侧，由设置在上述处理容器的外侧的旋转电机旋转。在这种情况下，作为上述密封部件能够使用O形环密封件或弹簧负载式密封件。此外，上述旋转轴利用经由波纹管设置在上述处理容器的外侧的气缸机构的驱动，通过齿条齿轮机构被旋转。

在本发明中，能够构成为上述基板搬入搬出部具有设于上述处理容器的基板搬入搬出口和开闭该基板搬入搬出口的闸阀，还具有使上述闸阀的开放和上述可动部件向退避位置的移动同步进行的控制部。

根据本发明，整流部件至少在与上述基板搬入搬出部对应的位置上具有可动部件，该可动部件设置成能够移动到退避位置，以能够对于上述载置台进行基板的搬入搬出，所以当搬入搬出基板时通过使可动部件移动到退避位置，从而整流部件不上升到比基板高度高的位置而能够进行基板的搬入搬出。因此，能够避免颗粒从整流部件向基板落下，能够抑制基板的污染。

附图说明

图1是表示本发明的一实施方式的基板处理装置的垂直截面图。

图2是本发明的一实施方式的基板处理装置的水平截面图。

图3是表示图1的基板处理装置的整流部件的要部的侧面图。

图4是表示图1的基板处理装置的整流部件的要部的立体图。

图5(a)～(f)是用于说明本发明的一实施方式的基板处理装置的动作的概略图。

图6是用于说明整流部件的变形例的模式图。

图7是表示整流部件的其它变形例的模式图。

图8是表示整流部件的另一变形例的模式图。

图9是表示整流部件的另一变形例的动作的模式图。

图10是表示用于转动整流部件的侧板的驱动系统的其它例的图。

图11是表示用于转动整流部件的侧板的驱动系统的另一例的图。

图12是用于说明整流部件的另一变形例的模式图。

图13是用于说明整流部件的再一变形例的模式图。

图14是用于说明整流部件的另一变形例的模式图。

符号说明

1基板处理装置

2腔室

3载置台

5基材

6静电卡盘

7屏蔽环

9整流部件

9a侧壁

14高频电源

20喷淋头

28处理气体供给源

30排气装置

33观察窗

41陶瓷喷镀膜

42电极

44直流电源

45连接部件

47旋转轴

48旋转电机

50控制部

G玻璃基板

62抵抗部件

63切口部

67余隙

80旋转波纹管机构

82凸缘部件

84旋转轴保持部件

85旋转轴47的弯曲部

86波纹管

88旋转轴

90操纵(handle)部件

具体实施方式

以下，参照附图说明本发明的实施方式。图1是表示本发明的一实施方式的基板处理装置的垂直截面图，图2是其水平截面图。该等离子体处理装置1是进行FPD用玻璃基板G的规定处理的装置的截面图，构成为电容耦合型等离子体蚀刻装置。在此，作为FPD例如液晶显示器(LCD)、电致发光元件(Electro Luminescence：EL)显示器、等离子体显示面板(PDP)等。

该等离子体处理装置1具有例如由表面被氧化铝处理(阳极氧化处理)的铝构成的成形为方筒形的腔室2。在该腔室2内的底部设有用于载置作为被处理基板的玻璃基板G的载置台3。

载置台3具有：经由绝缘部件4支承在处理腔室2的底部、静电吸附金属制的凸型的基材5和设于基材5的凸部5a之上的玻璃基板G的静电卡盘6；设于静电卡盘6以及基材5的凸部5a的周围的、由绝缘性陶瓷例如氧化铝构成的框架状的屏蔽环7；包围基材5而设于屏蔽环7之下的由绝缘性陶瓷例如氧化铝构成的环状的绝缘环8。另外，在屏蔽环7上以包围玻璃基板G的方式设有方筒形的整流部件9。

以贯通腔室2的底壁、绝缘部件4以及载置台3的方式能够升降地插通有用于进行向其上装载和卸载玻璃基板G的升降销10。该升降销10当搬送玻璃基板G时，上升到载置台3的上方的搬送位置，此外的期间处于没入载置台3内的状态。

在载置台3的基材5上连接有用于供给高频电力的供电线12，在该供电线12上连接有匹配器13以及高频电源14。从高频电源14向载置台3的基材5供给例如13.56MHz的高频电力。因此，载置台3作为下部电极起作用。

在所述载置台3的上方与该载置台3平行相对设有作为上部电极起作用的处理气体导入用的喷淋头20。喷淋头20支承在处理腔室2的上部，在内部具有空间21，并且在与载置台3相对的面上形成有多个喷出处理气体的多个喷出孔22。该喷淋头20接地，与作为下部电极起作用的载置台3一起构成一对平行平板电极。

在喷淋头20的上面设置有气体导入口24，在该气体导入口24上连接有处理气体供给管25，该处理气体供给管25与处理气体供给源28连接。另外，在处理气体供给管25的中途存在开闭阀26和质量流量控制器27。从处理气体供给源28供给等离子体处理、例如等离子体蚀刻用的处理气体。作为处理气体能够使用Cl₂气体等卤类气体、O₂气体、Ar气体等通常该领域使用的气体。

在处理腔室2的底部的四角形成有排气管29，在该排气管29上连接有排气装置30。排气装置30具有涡轮分子泵等真空泵，由此能够将处理腔室2内抽真空到规定的真空气氛。另外，在处理腔室2的侧壁上设有基板搬入搬出口31，该基板搬入搬出口31能够通过闸阀32开闭。并且，在该闸阀32打开的状态下由搬送装置(未图示)搬入搬出玻璃基板G。另一方面，在腔室2的与基板搬入搬出口31相对一侧的侧壁上形成有观察腔室2的内部的观察窗33。观察窗33由耐热性高的透明材料、例如石英或蓝宝石构成。

上述静电卡盘6，表面具有陶瓷喷镀膜41，内部埋设有电极42。电极42构成比玻璃基板G小一些的矩形，例如通过喷镀形成。在电极42上连接有供电线43，在供电线43上连接有直流电源44，向电极42施加来自直流电源44的直流电压，从而通过库伦力等静电吸附力吸附玻璃基板G。

上述整流部件9由氧化铝等陶瓷形成，该整流部件9是用于通过围绕玻璃基板G的周围而遮蔽从玻璃基板G的外周区域附近朝向基板的外周的处理气体的流动，从而减小供给到基板的最外周区域的Cl自由基，提高玻璃基板G的面内的蚀刻率的均匀性，从发挥其功能的观点来看例如需要有100～150mm左右的高度。该整流部件9作为基板搬入搬出口31侧以及与其相对的一侧的一对侧板9a相对于在水平方向上延伸的旋转轴能够向外侧转动的可动部件起作用，在玻璃基板G的搬入搬出时侧板9a向外侧退避。剩下的侧壁9b通过固定托架(未图示)固定在载置台3上。

基板搬入搬出口31侧的侧板9a向外侧转动而退避，从而在玻璃基板G的搬入搬出时避免阻碍整流部件9。另外，这时将与基板搬入搬出口31相对的一侧的侧板9a也向外侧转动，从而能够从上述观察窗33观察到玻璃基板G的搬送状态和载置状态。

如图3的侧面图和图4的立体图所示，在该侧板9a的外侧利用螺栓45a将一对连接部件45隔着在水平方向上延伸的陶瓷制的挡板46固定在起两端部上。另外，侧板9a如图4所示被纵向二分割，利用挡板46加固。

在一对连接部件45的下部，安装有沿着侧板9a的长边方向水平延伸的旋转轴47。旋转轴47延伸至腔室2的外部而与旋转电机48连接。并且，通过旋转电机48使旋转轴47旋转，从而侧板9a经由连接部件45和挡板46能够在图3的实线所示的包围玻璃基板G的处理位置和虚线所示的玻璃基板G的能够搬入搬出的退避位置之间在垂直方向上转动。旋转轴47的插通在腔室2的壁部上的部分安装有密封部件49。作为密封部件49能够使用O形环密封件或弹簧负荷负载式密封件、典型的为弹簧负载式特氟隆(注册商标)密封件(奥姆尼密封件(商品名))。

控制部50进行基板处理装置1的各构成要素的控制。例如进行阀26的控制、闸阀32的控制、高频电源14的控制、直流电源44的控制、排气装置30的控制、侧板9a的控制、升降销10的升降控制等。控制部50具备存储有程序方案的存储部、输入单元以及显示器等，根据被选择的方案控制基板处理装置1。

接着，参照图5说明这样构成的基板处理装置1的处理动作。

首先，打开闸阀32，通过电机48(图4)使整流部件9的侧板9a向外侧转动而移动至退避位置，将作为蚀刻对象膜例如形成有Al膜的玻璃基板G通过搬送臂81经由基板搬入搬出口31搬入到腔室2内(图5的(a))。

接着，使升降销10向上方突出而位于支承位置上，将搬送臂上的玻璃基板G交接到升降销10的上面，使升降销10下降而将玻璃基板G载置在载置台3的静电卡盘6(参照图1)的上面(图5的(b))。

之后，关闭闸阀32，将整流部件9的侧板9a转动到围绕玻璃基板G的处理位置(图5的(c))。

在该状态下，通过排气装置30将腔室2内抽真空至规定真空度，从直流电源44向静电卡盘6的电极42施加电压，从而静电吸附玻璃基板G，打开阀26，从处理气体供给源28例如将Cl₂气体等处理气体通过质量流量控制器27调整其流量，并同时通过处理气体供给管25、气体导入口24导入喷淋头20的内部空间21，进而通过喷出孔22向基板G均匀喷出，一边调节排气量一边将腔室2内控制为规定压力。并且，在该状态下从高频电源14经由匹配器13将等离子体生成用的高频电力供给到载置台3的基材5，在作为下部电极的载置台3和作为上部电极的喷淋头20之间产生高频电场，生成处理气体的等离子体，通过该等离子体对作为玻璃基板G的被蚀刻对象膜的Al膜实施等离子体蚀刻(图5的(d))。

在这种情况下，通过整流部件9遮蔽从玻璃基板G的外周区域附近朝向基板的外周的处理气体的流动，供给到基板的最外周区域的Cl自由基量减少，所以玻璃基板的外周区域的蚀刻率降低，能够对玻璃基板G的Al膜实施高均匀的等离子体蚀刻。

这样进行等离子体蚀刻处理后，停止处理气体的供给，为了玻璃基板G的搬出而调整腔室2内的压力，打开闸阀32，并且使整流部件9的侧板9a向外侧转动而移动到退避位置，通过升降销10抬起玻璃基板G(图5的(e))。

接着，在腔室2内插入搬送臂81，搬送臂81接受蚀刻处理后的玻璃基板G并从腔室2搬出(图5的(f))。

在以上的处理动作中，在玻璃基板G的搬入搬出时，同时进行闸阀32的开放和整流部件9的侧板9a向退避位置的转动，同时进行闸阀32的闭塞和侧板9a向处理位置的转动，所以从控制部50同步输出开放闸阀32的信号和侧板9a向退避位置转动的信号，同步输出闭塞闸阀32的信号和侧板9a向处理位置转动的信号。由此，能够比依次进行这些动作时缩短动作时间。

如以上那样，在本实施方式中，整流部件9的搬入搬出口31侧的侧板9a转动而能够向外侧转动，玻璃基板G的搬入搬出时侧板9a能够向外侧退避，所以整流部件9不上升到比玻璃基板G的高度高的位置而能够进行玻璃基板G的搬入搬出。因此，能够避免颗粒从整流部件9向玻璃基板G落下，能够抑制玻璃基板G的污染。

另外，在基板搬入搬出口31侧的侧板9a向外侧转动并退避的同时，与其相对的侧板9a也向外侧转动而退避，所以能够从腔室2侧壁的观察窗33看到玻璃基板G的搬送状态和玻璃基板G的载置状态，当玻璃基板G的搬入搬出时发生异常的情况下能够迅速应对。当然，从不提升整流部件9而能够进行玻璃基板G的搬入搬出的观点来看，仅基板搬入搬出口31侧的侧板9a能够转动即可。

其中，整流部件9优选形成在遮蔽从玻璃基板的外周区域附近朝向基板外周的处理气体的流动的同时，抑制玻璃基板外周区域的处理气体的流动的结构。从该观点来看，优选侧板9a和侧板9b之间贴紧。但是，在使侧板9a和侧板9b之间贴紧的情况下，使侧板9a向外侧转动而退避后，返回贴紧状态的处理位置时，存在侧板9a抵接侧板9b而产生颗粒的可能性。

从在尽量维持整流部件9的功能的状态下来防止这样颗粒的观点来看，如图6所示，当侧板9a位于处理位置的情况下，优选在侧板9a和侧板9b之间形成0.5mm左右的微小间隙，以从侧板9a夹着侧板9b而突出的方式将板材9c安装在侧板9a上，处理气体通过的侧板9a和侧板9b之间的路径形成弯曲的迷宫结构。通过设置成这样，能够使处理气体通过的侧板9a和侧板9b之间的路径的传导充分小，能够抑制处理气体从侧板9a和侧板9b之间穿过，能够维持整流部件9的功能。在这种情况下，板材9c和侧板9b之间的重叠(overlap)长度(图6中D所示的部分的长度)能够为20～30mm左右。

另外，同样地，侧板9a和屏蔽环7之间也优选贴紧，但是若要在侧板9a从退避位置返回处理位置时形成贴紧状态，则侧板9a和屏蔽环7之间产生摩擦，还是会产生颗粒。

因此，如图7所示，在侧板9a位于处理位置的情况下，优选在侧板9a和屏蔽环7之间形成0.5mm程度的微细间隙，在与侧板9a接近的位置沿着侧板9a的宽度方向设置不阻碍玻璃基板G的搬入搬出的高度的抵抗部件61，使处理气体通过侧板9a的下面的路径形成弯曲的迷宫结构，使该路径的传导充分小。在这种情况下，能够将抵抗部件61的高度设为10mm以上。

图8是表示整流部件的另一变形例的模式图。图9是表示图8所示的整流部件的动作的模式图。

图7所示的其它变形例的整流部件9a形成为，在屏蔽环7上设置抵抗部件61，成为弯曲通过侧板9a的下面的处理气体的路径的迷宫结构。

相对于此，图8所示的另一的变形例的整流部件9a中，在屏蔽环7上设置不阻碍玻璃基板G的搬入搬出的高度的抵抗部件62，如图9所示，侧板9a向屏蔽环7侧转动时，侧板9a的下部载置于抵抗部件62的上部。

这样，当侧板9a转动时，通过将侧板9a的下部载置于抵抗部件62的上部，从而能够使处理气体不通过侧板9a的下面。

另外，在图8所示的变形例中，在侧板9a的下部设置与抵抗部件62一致的切口部63，该切口部63的上面64载置于抵抗部件62的上面。另外，关于切口部63的侧面65以及侧板9a的最下面66，设定为在抵抗部件62的侧面以及屏蔽环7的上面之间设定余隙67的尺寸，侧面65以及最下面66不接触抵抗部件62的侧面以及屏蔽环7的上面而构成。由此，侧板9a和抵抗部件62之间的接触能够抑制到最小限度，不产生无用的颗粒。

另外，在使旋转轴47旋转的旋转电机48(参照图4)中通常具有无效冲程(backlash)。在使侧板9a的下部接触抵抗部件62的上部时，利用该无效冲程使其接触，则与直接接触的情况相比，能够使侧板9a的下部缓缓地柔和地接触抵抗部件62的上部。

这样，关于由于侧板9a的下部和抵抗部件62接触而产生的颗粒，当侧板9a的下部接触抵抗部件62的上部时，通过利用旋转电机48的无效冲程而能够将颗粒减弱到不影响处理的量。

另外，从使转动整流部件9的侧板9a时的驱动系统侧的真空密封更可靠的观点看，如图10所示，优选在腔室2的与旋转轴47对应的部分上设置盒体70，在此设置齿条齿轮机构(rack and pinion)71，将气缸73的活塞74经由波纹管72插入盒体70，通过气缸73使活塞74直行，从而经由齿条齿轮机构71使旋转轴47旋转。齿条齿轮机构71具有安装在活塞74的前端的齿条75、安装在旋转轴47上的与齿条75啮合的小齿轮76和、按压齿条75的背面侧的承接轴承77。另外，附图标记78表示连接器(coupling)，79表示轴承。这样，通过使用齿条齿轮机构71，从而能够用波纹管72进行驱动系统侧的真空密封，所以能够更可靠地进行真空密封。

图11是表示转动整流部件的侧板的驱动系统的其它例的图。

从使转动侧板9a时的驱动系统侧的真空密封的观点来看，如图11所示，也能够利用旋转波纹管机构80。

在旋转波纹管机构80中，旋转轴47例如在腔室2的外侧(大气侧)，以规定的角度θ折曲。从旋转轴47的腔室2的内侧(真空侧)向外侧(大气侧)经由外壁而通过的直线部设于腔室2的外侧(大气侧)，由通过轴承81而能够旋转地保持旋转轴47的凸缘部件82保持。

另外，旋转轴47的腔室的外侧(大气侧)的前端由通过轴承83能够旋转地保持的旋转轴保持部件84保持。另外，旋转轴47的以角度θ折曲的折曲部85由分别与凸缘部件82和旋转轴保持部件84连接的波纹管86包围。波纹管86与旋转轴47的弯曲一致而挠曲。

在凸缘部件82上安装有收容保持部件84、以及波纹管86的例如筒状的壳部件87。另外，壳部件87通过轴承89能够旋转地保持旋转电机48的旋转轴88。旋转轴88的旋转中心与旋转轴47的直线部的旋转中心一致。在旋转轴88的壳部件87的内部的前端设有操纵部件90。操纵部件90将旋转轴保持部件84在从旋转轴88的旋转中心偏心的位置上以上述角度θ倾斜的状态且由轴承91能够旋转地保持。

旋转电机48使旋转轴88旋转。旋转轴88若旋转，则操纵部件90使保持在从旋转轴88的旋转中心偏心的位置上的旋转轴保持部件84摇头旋转。旋转轴47的前端以角度θ倾斜保持在旋转轴保持部件84上，所以旋转轴47随着旋转轴保持部件84的摇头(首振り)旋转而旋转。波纹管86随着保持部件84的摇头旋转，使挠曲的部分以旋转轴47的直线部的旋转中心为中心移动。

这样，旋转电机48使旋转轴47旋转。

即使使用这样的旋转波纹管机构80，在腔室2的内侧(真空侧)和外侧(大气侧)的真空密封也能够使用波纹管86进行，所以与图10所示的齿条齿轮机构71同样地，能够更可靠地进行真空密封。

另外，整流部件9的侧板9a由于向腔室2的壁部侧转动，所以整流部件9的高度被整流部件9的侧板9a和腔室2的壁部的距离限制。即，在侧板9a和腔室2的壁部的距离小的情况下，不能够充分得到整流部件9的高度。

在这样的情况下，如图12的(a)所示，将侧板9a上下二分割为上部件9d和下部件9e，将它们能够折叠地连接，使侧板9a向外侧的退避位置转动时，如图12的(b)所示，使上部件9d相对于下部件9e转动折叠，从而能够减小侧板9a的退避位置的腔室壁部方向的长度。另外，也可以将侧板9a分割为3个以上进行折叠。

另外，如图13的(a)所示，将侧板9a分割为下侧的基部9g和能够相对于基部9g滑动的上侧的滑动部9f，当侧板9a转动到外侧的退避位置上时，如图13的(b)所示，通过使滑动部9f相对于基部9g滑动，从而能够减小侧板9a的退避位置的腔室壁部方向的长度。另外，也可以将侧板9a分割为3个以上进行滑动。

另外，如图14所示，以侧板9b的与侧板9a贴紧的端面9h为斜面，在端面9h的下部形成引导斜面9i，在侧板9a的内侧面9j的下部设置与引导斜面9i对应的切口面9k，侧板9a从退避位置返回处理位置时，如图14的(a)所示，通过驱动机构使侧板9a转动到其切口面9k碰到引导斜面9i的位置，以在侧板9b的端面9h和侧板9a的内面9j之间有间隙的状态下切断驱动机构的传递，如图14的(b)所示，侧板9a的切口面9k被引导斜面9i引导，侧板9a可以由自重而与侧板9b贴紧。由此，能够抑制颗粒的产生，同时能够使侧板9b和侧板9a贴紧。

另外，本发明不限于上述实施方式，能够进行各种变形。例如，在上述实施方式中，整流部件9的侧板9a的转动通过闸阀32的驱动机构以外的驱动机构进行，但是也能够将闸阀32的驱动机构的动力机械地通过传动机构利用。另外，本发明适用于蚀刻装置，但是不限于蚀刻处理，也能够适用于成膜等其它等离子体处理。另外，在上述实施方式中，形成使整流部件的基板搬入搬出口侧的侧板向外侧退避的结构，但是不限于此，也可以形成向下侧退避等的其它退避结构。

另外，在上述的实施方式中，由四个侧板构成整流部件，基板搬入搬出口侧的侧板起到作为可动部件的作用，但是不限于此。

另外，在上述实施方式中，作为基板使用FPD用玻璃基板的例子，但是不限于此，也可以是半导体晶片等其它基板。

Claims (16)

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：

收容基板的处理容器；

形成在所述处理容器的侧壁上的用于搬入搬出基板的基板搬入搬出部；

在所述处理容器内载置基板的载置台；

向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给机构；

在所述处理容器内生成处理气体的等离子体的等离子体生成机构；

对所述处理容器内进行排气的排气机构；和

以围绕所述载置台上的基板的方式设置在所述载置台上的整流部件，

所述基板处理装置对所述载置台上的基板进行等离子体处理，其中

所述整流部件至少在与所述基板搬入搬出部对应的位置上具有可动部件，该可动部件设置成能够移动到退避位置，以能够相对于所述载置台进行基板的搬入搬出。

2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：

所述整流部件具有由四个侧板构成的方筒形，这些侧板中位于与所述基板搬入搬出部对应的位置的侧板起到作为能够移动到退避位置，以使能够对于所述载置台进行基板的搬入搬出的可动部件的作用。

3.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于：

与位于与所述基板搬入搬出部对应的位置上的侧板相对置的侧板也起到作为能够退避的可动部件的作用。

4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于：

所述作为可动部件发挥功能的侧板，通过使旋转轴旋转在处理时的处理位置和所述退避位置之间进行转动。

5.如权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于：

所述作为可动部件发挥功能的侧板，通过使在水平方向上延伸的旋转轴旋转而能够在垂直方向上转动。

6.如权利要求4或5所述的基板处理装置，其特征在于：

所述作为可动部件发挥功能的侧板在所述处理位置与邻接的侧板贴紧。

7.如权利要求4或5所述的基板处理装置，其特征在于：

所述作为可动部件发挥功能的侧板在所述处理位置在与所述其它侧板之间形成有间隙，处理气体通过所述间隙的路径采用弯曲的迷宫结构。

8.如权利要求4～7任一项所述的基板处理装置，其特征在于：

所述作为可动部件发挥功能的侧板在所述处理位置与所述载置台贴紧。

9.如权利要求4～7任一项所述的基板处理装置，其特征在于：

所述作为可动部件发挥功能的侧板在所述处理位置在与所述载置台之间形成有间隙，在所述载置台中的所述作为可动部件发挥功能的侧板的附近位置沿着该侧板的宽度方向设置有不阻碍基板的搬入搬出的高度的抵抗部件。

10.如权利要求4或5所述的基板处理装置，其特征在于：

所述作为可动部件发挥功能的侧板在上下方向被分割成多个，该多个侧板能够折叠地连接，在转动到退避位置上时被折叠。

11.如权利要求4或5所述的基板处理装置，其特征在于：

所述作为可动部件发挥功能的侧板在上下方向上被分割成多个，该多个侧板能够滑动地连接，在转动到退避位置上时分割片滑动而重叠。

12.如权利要求4或5所述的基板处理装置，其特征在于：

所述作为可动部件发挥功能的侧板从所述退避位置向所述处理位置转动时，由驱动机构驱动直到其与所述其它侧板之间形成间隙的状态，之后由自重而使其与所述其它侧板之间贴紧。

13.如权利要求4或5所述的基板处理装置，其特征在于：

所述旋转轴经由密封部件延伸到所述处理容器的外侧，由设置在所述处理容器的外侧的旋转电机旋转。

14.如权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于：

所述密封部件为O形环密封件或弹簧负载式密封件。

15.如权利要求4或5所述的基板处理装置，其特征在于：

所述旋转轴利用经由波纹管设置在所述处理容器的外侧的气缸机构的驱动，通过齿条齿轮机构被旋转。

16.如权利要求1～15中任一项所述的基板处理装置，其特征在于：

所述基板搬入搬出部具有设于所述处理容器的基板搬入搬出口和开闭该基板搬入搬出口的闸阀，

还具有使所述闸阀的开放和所述可动部件向退避位置的移动同步进行的控制部。

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