CN108598023A - 一种芯片加工方法 - Google Patents
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 129
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims description 48
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 9
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 4
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 230000009471 action Effects 0.000 description 8
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004014 SiF4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本发明属于半导体工艺技术领域，具体的说是一种芯片加工方法，该方法采用的刻蚀装置包括移动模块、固定板、震动单元、除尘模块、卡紧件和控制器，移动模块通过固定杆固定安装在封闭仓的底板上；固定板通过震动单元固定安装在除尘模块的顶表面；移动模块用于对晶圆进行移位；固定板上固定安装有金属吸盘，金属吸盘用于对晶圆的底表面进行固定；除尘模块用于对晶圆表面的杂质进行清理；卡紧件用于对除尘模块进行限位；本发明主要用于对晶圆进行刻蚀,能够提高晶圆的刻蚀精度，能够对晶圆中被夹持部件遮挡的部位进行刻蚀；提高了晶圆的刻蚀效率。
Description
技术领域
本发明属于半导体工艺技术领域，具体的说是一种芯片加工方法。
背景技术
半导体芯片，在半导体片材上进行浸蚀，布线，制成的能实现某种功能的半导体器件。不只是硅芯片，常见的还包括砷化镓，锗等半导体材料。半导体芯片生产过程中，刻蚀工艺的过程为对所需刻蚀材料进行曝光显影然后等离子体刻蚀。其中等离子体刻蚀步骤中，是利用Al、Si等刻蚀材料的反应产物，例如AlCl3、SiF4等的挥发特性实现的。传统的刻蚀工艺中对晶圆夹持固定时，会造成晶圆被遮挡的表面无法刻蚀，同时晶圆刻蚀后残留的杂质难以及时去除，导致晶圆表面不整洁，同时对晶圆后续的溅射镀膜工艺造成影响。
现有技术中也出现了一种刻蚀装置的技术方案，如申请号为201410356255.1的一项中国专利公开了一种刻蚀装置及刻蚀方法。其中刻蚀装置包括：反应腔；晶圆固定装置，晶圆固定装置用于将晶圆固定在反应腔的顶部且晶圆的待刻蚀面朝向反应腔的底部；气体注入口，气体注入口设置在反应腔底部，用于向反应腔通入刻蚀气体；激励线圈，激励线圈环绕反应腔设置，用于将刻蚀气体激发成等离子体；以及偏压提供装置，偏压提供装置与晶圆固定装置相连，用于对晶圆固定装置中的晶圆施加偏压。该技术方案虽然能够对晶圆表面进行刻蚀，能够将刻蚀后的杂质抽离；但是该技术方案不能够对晶圆夹持遮挡的部位进行刻蚀；同时该技术方案中晶圆不便于固定，影响了晶圆刻蚀精度；使得该发明受到了限制。
发明内容
为了弥补现有技术的不足，本发明提出了一种芯片加工方法，本发明主要用于对晶圆进行刻蚀,能够提高晶圆的刻蚀精度，能够对晶圆中被夹持部件遮挡的部位进行刻蚀；本发明采用的刻蚀装置中，通过移动模块与固定板配合来对晶圆进行固定，通过震动单元和除尘模块配合来对晶圆表面的杂质进行抽离；提高了晶圆的刻蚀效率。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：本发明提出了一种芯片加工方法，该方法包括如下步骤：
步骤一：将硅溶液中的单晶硅棒切割成晶圆；
步骤二：将步骤一中的晶圆表面涂敷光刻胶；
步骤三：对经过步骤二处理后的晶圆进行光刻胶显影；
步骤四：将步骤三处理后的晶圆放入到刻蚀装置中进行刻蚀；
步骤五：将步骤四处理后的晶圆送入到离子注入机进行离子注入；
步骤六：将步骤五中的晶圆送入化学气相沉积设备中反应；
步骤七：对步骤六处理后的晶圆表面进行金属化处理，晶圆表面形成电路；
其中，该方法步骤四中采用的刻蚀装置包括封闭仓、激发线圈和偏压装置，封闭仓的顶板上设有气体注入口；其中，封闭仓、激发线圈和偏压装置不是本发明的创新之处，在此不作赘述；还包括移动模块、固定板、震动单元、除尘模块、卡紧件和控制器，所述移动模块通过固定杆固定安装在封闭仓的底板上；所述固定板通过震动单元固定安装在除尘模块的顶表面；所述移动模块用于对晶圆进行移位；所述固定板上固定安装有金属吸盘，金属吸盘用于对晶圆的底表面进行固定；所述除尘模块用于对晶圆表面的杂质进行清理；所述卡紧件用于对除尘模块进行限位；所述控制器用于控制移动模块、震动单元、除尘模块和卡紧件的工作；
移动模块通过与固定板配合用于将晶圆固定，震动单元有两种工作模式，第一种工作模式是对固定板进行震动；震动单元第二种工作模式是对固定板进行固定；
所述移动模块包括一号圆筒、一号安装板、一号固定架、三号气压杆、一号滑块和一号吸取装置；所述一号圆筒通过一号安装板固定安装在固定杆上；所述一号圆筒的内壁顶部设有一号滑轨；所述一号固定架通过一号滑块在一号滑轨中运动，一号固定架通过三号气压杆来与一号吸取装置固定连接；所述一号吸取装置的数量为四个，四个一号吸取装置配合用于使晶圆转动；三号气压杆拉伸时带动一号吸取装置与晶圆紧密接触，抽吸泵通过对一号吸取装置抽负压来使一号吸取装置将晶圆吸附固定；其中，一号吸取装置通过一号滑块与一号滑轨配合能够实现一号吸取装置的移动；控制器通过控制四个一号吸取装置交替工作，其用于使晶圆中被一号吸取装置遮挡的表面暴露出来，用于防止晶圆部分表面因为被遮挡而无法刻蚀的现象；提高了晶圆刻膜的效率。
所述一号安装板为圆环形安装板，一号安装板的内壁上设有二号滑轨；所述除尘模块上设有二号滑块，二号滑块通过与二号滑轨配合来使除尘模块自转。卡紧件不对除尘模块卡紧后，除尘模块实现自转，从而带动晶圆转动，使得晶圆表面的粉尘更容易从晶圆表面脱离；在抽吸泵对封闭仓抽负压的作用下，晶圆表面的粉尘被抽离出封闭仓。
优选的，所述除尘模块包括二号圆筒和二号转盘，所述二号转盘的底表面设有一号圆环槽，所述二号圆筒的上端通过钢珠球滚动安装在一号圆环槽中，二号圆筒的底端固定安装在封闭仓的底板上；一号圆环槽通过与二号圆筒配合来使二号转盘能够在二号圆筒上转动，二号圆筒用于对二号转盘的底部进行封闭；所述封闭仓的底板上设有抽吸孔；所述二号转盘的顶表面倾斜设有贯穿二号转盘的一号孔；所述抽吸孔通过与一号孔配合用于使二号转盘旋转。当抽吸泵对二号圆筒抽负压时，二号转盘在一号孔的作用下，二号转盘发生转动，从而实现带动晶圆转动的目的，用于加速晶圆表面灰尘脱离的效率，
优选的，所述一号吸取装置包括三号安装板、滑动伸缩杆、拉伸式吸盘；所述三号安装板通过滑动伸缩杆与拉伸式吸盘固定连接，滑动伸缩杆的外层套有弹簧；所述拉伸式吸盘用于对晶圆进行负压固定。拉伸式吸盘与晶圆表面接触时，拉伸式吸盘的体积会突然增加，使得拉伸式吸盘中的气压迅速降低，用于提高对晶圆的吸附能力；同时，套有弹簧的滑动伸缩杆用于配合拉伸式吸盘工作，当拉伸式吸盘的体积增加时，滑动伸缩杆的长度会减小。
优选的，所述拉伸式吸盘包括二号安装板、二号气压杆、支架、折叠管和固定环；所述二号安装板通过二号气压杆与支架固定连接，支架用于对固定环进行固定；所述固定环通过折叠管与二号安装板固定连接；所述二号安装板上设有二号孔。当固定环与晶圆表面接触时，二号气压杆进行拉伸，从而带动折叠管被拉伸，增加了折叠管的体积，使得折叠管内的气压快速降低，同时负压泵通过软管对二号孔抽负压，进一步提高了拉伸式吸盘对晶圆的吸附固定能力。
优选的，震动单元包括四个一号气压杆，四个一号气压杆的外层套有弹簧，弹簧的顶端与固定板固定连接，弹簧的底端与除尘模块的固定连接；所述四个一号气压杆中的每个一号气压杆的一侧都固定安装在除尘模块上，且一号气压杆的另一侧不与固定板连接。首先，一号吸取装置与晶圆的顶表面脱离，晶圆固定在固定板上；当一号气压杆拉伸时，带动固定板向上运动，使得弹簧被拉伸张紧，此时固定板不能产生上下震动；当一号气压杆收缩时，一号气压杆与固定板不发生接触，此时除尘模块带动固定板转动时，固定板在弹簧的作用下能够发生抖动，用于提高晶圆表面杂质的脱离效率。
优选的，所述卡紧件包括四号气压杆和挤压板，挤压板的顶表面设有波纹线，波纹线用于提高挤压板的摩擦力。晶圆需要被刻蚀时，四号气压杆拉伸时，挤压板与二号转盘的底表面紧密接触，同时挤压板顶表面设置的波纹线提高了挤压板对二号转盘的固定效率，使得二号转盘不发生转动，用于提高晶圆刻蚀的精度。
本发明的有益效果是：
1.本发明所述的一种芯片加工方法，该方法步骤四中采用的刻蚀装置中，包括移动模块、固定板、震动单元、除尘模块、卡紧件和控制器，所述卡紧件通过与除尘模块、震动单元配合用于对固定板进行固定，固定板通过与移动模块配合用于带动晶圆移位，使得晶圆的表面被移动模块遮挡的部位能够被刻蚀，除尘模块对晶圆表面的杂质进行抽离，提高了晶圆表面的光洁度。
2.本发明所述的一种芯片加工方法，该方法步骤四中采用的刻蚀装置中，所述移动模块中包括了四个一号吸取装置，控制器通过控制四核一号吸取装置来使晶圆移位，同时一号吸取装置包括了拉伸式吸盘、滑动伸缩杆和三号安装板，拉伸式吸盘通过滑动伸缩杆与三号安装板固定连接，滑动伸缩杆的外层套有弹簧，拉伸式吸盘通过改变自身体积来对晶圆进行吸附固定；套有弹簧的滑动伸缩杆用于配合、其用于使拉伸式吸盘能够实现自身的体积改变。
3.本发明所述的一种芯片加工方法，该方法步骤四中采用的刻蚀装置中，所述除尘模块包括二号圆筒和二号转盘，二号转盘底表面设置的一号圆环槽，一号圆环槽用于使二号转盘在二号圆筒上转动，二号转盘中倾斜设有一号孔，抽吸泵通过对一号孔抽气来使一号孔中有气体流动，从而使二号转盘发生转动，使得固定盘带动晶圆一起转动，在震动单元的作用下，固定板带动晶圆作竖直方向的震动，用于提高晶圆表面杂质脱离的速率。
附图说明
下面结合附图对本发明作进一步说明。
图1是本发明的工艺流程图；
图2是本发明中刻蚀装置的剖视图；
图3是图2中A-A剖视图；
图4是本发明中的一号吸取装置的剖视图；
图中：封闭仓1、激发线圈11、偏压装置12、气体注入口13、移动模块2、晶圆6、固定板14、震动单元15、除尘模块3、二号滑块31、卡紧件16、固定杆21、金属吸盘141、一号圆筒22、一号安装板23、一号固定架24、三号气压杆25、一号滑块26、一号吸取装置27、一号滑轨28、二号滑轨29、二号圆筒32、二号转盘33、一号圆环槽34、一号孔35、抽吸孔17、三号安装板51、滑动伸缩杆52、拉伸式吸盘53、二号安装板531、二号气压杆532、支架533、折叠管534、固定环535、二号孔536、一号气压杆151、四号气压杆161、挤压板162。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本发明。
如图1至图4所示，本发明所述的一种芯片加工方法，该方法包括如下步骤：
步骤一：将硅溶液中的单晶硅棒切割成晶圆；
步骤二：将步骤一中的晶圆表面涂敷光刻胶；
步骤三：对经过步骤二处理后的晶圆进行光刻胶显影；
步骤四：将步骤三处理后的晶圆放入到刻蚀装置中进行刻蚀；
步骤五：将步骤四处理后的晶圆送入到离子注入机进行离子注入；
步骤六：将步骤五中的晶圆送入化学气相沉积设备中反应；
步骤七：对步骤六处理后的晶圆表面进行金属化处理，晶圆表面形成电路；
其中，该方法步骤四中采用的刻蚀装置包括封闭仓1、激发线圈11和偏压装置12，包括封闭仓1、激发线圈11和偏压装置12，封闭仓1的顶板上设有气体注入口13；其中，封闭仓1、激发线圈11和偏压装置12不是本发明的创新之处，在此不作赘述；还包括移动模块2、固定板14、震动单元15、除尘模块3、卡紧件16和控制器，所述移动模块2通过固定杆21固定安装在封闭仓1的底板上；所述固定板14通过震动单元15固定安装在除尘模块3的顶表面；所述移动模块2用于对晶圆6进行移位；所述固定板14上固定安装有金属吸盘141，金属吸盘141用于对晶圆6的底表面进行固定；所述除尘模块3用于对晶圆6表面的杂质进行清理；所述卡紧件16用于对除尘模块3进行限位；所述控制器用于控制移动模块2、震动单元15、除尘模块3和卡紧件16的工作；
移动模块2通过与固定板14配合用于将晶圆6固定，震动单元15有两种工作模式，第一种工作模式是对固定板14进行震动；震动单元15第二种工作模式是对固定板14进行固定；
所述移动模块2包括一号圆筒22、一号安装板23、一号固定架24、三号气压杆25、一号滑块26和一号吸取装置27；所述一号圆筒22通过一号安装板23固定安装在固定杆21上；所述一号圆筒22的内壁顶部设有一号滑轨28；所述一号固定架24通过一号滑块26在一号滑轨28中运动，一号固定架24通过三号气压杆25来与一号吸取装置27固定连接；所述一号吸取装置27的数量为四个，四个一号吸取装置27配合用于使晶圆6转动；三号气压杆25拉伸时带动一号吸取装置27与晶圆6紧密接触，抽吸泵通过对一号吸取装置27抽负压来使一号吸取装置27将晶圆6吸附固定；其中，一号吸取装置27通过一号滑块26与一号滑轨28配合能够实现一号吸取装置27的移动；控制器通过控制四个一号吸取装置27交替工作，其用于使晶圆6中被一号吸取装置27遮挡的表面暴露出来，用于防止晶圆6部分表面因为被遮挡而无法刻蚀的现象；提高了晶圆6刻膜的效率。
所述一号安装板23为圆环形安装板，一号安装板23的内壁上设有二号滑轨29；所述除尘模块3上设有二号滑块31，二号滑块31通过与二号滑轨29配合来使除尘模块3自转。卡紧件16不对除尘模块3卡紧后，除尘模块3实现自转，从而带动晶圆6转动，使得晶圆6表面的粉尘更容易从晶圆6表面脱离；在抽吸泵对封闭仓1抽负压的作用下，晶圆6表面的粉尘被抽离出封闭仓1。
作为本发明的一种实施方式，所述除尘模块3包括二号圆筒32和二号转盘33，所述二号转盘33的底表面设有一号圆环槽34，所述二号圆筒32的上端通过钢珠球滚动安装在一号圆环槽34中，二号圆筒32的底端固定安装在封闭仓1的底板上；一号圆环槽34通过与二号圆筒32配合来使二号转盘33能够在二号圆筒32上转动，二号圆筒32用于对二号转盘33的底部进行封闭；所述封闭仓1的底板上设有抽吸孔17；所述二号转盘33的顶表面倾斜设有贯穿二号转盘33的一号孔35；所述抽吸孔17通过与一号孔35配合用于使二号转盘33旋转。当抽吸泵对二号圆筒32抽负压时，二号转盘33在一号孔35的作用下，二号转盘33发生转动，从而实现带动晶圆6转动的目的，用于加速晶圆6表面灰尘脱离的效率，
作为本发明的一种实施方式，所述一号吸取装置27包括三号安装板51、滑动伸缩杆52、拉伸式吸盘53；所述三号安装板51通过滑动伸缩杆52与拉伸式吸盘53固定连接，滑动伸缩杆52的外层套有弹簧；所述拉伸式吸盘53用于对晶圆6进行负压固定。拉伸式吸盘53与晶圆6表面接触时，拉伸式吸盘53的体积会突然增加，使得拉伸式吸盘53中的气压迅速降低，用于提高对晶圆6的吸附能力；同时，套有弹簧的滑动伸缩杆52用于配合拉伸式吸盘53工作，当拉伸式吸盘53的体积增加时，滑动伸缩杆52的长度会减小。
作为本发明的一种实施方式，所述拉伸式吸盘53包括二号安装板531、二号气压杆532、支架533、折叠管534和固定环535；所述二号安装板531通过二号气压杆532与支架533固定连接，支架533用于对固定环535进行固定；所述固定环535通过折叠管534与二号安装板531固定连接；所述二号安装板531上设有二号孔536。当固定环535与晶圆6表面接触时，二号气压杆532进行拉伸，从而带动折叠管534被拉伸，增加了折叠管534的体积，使得折叠管534内的气压快速降低，同时负压泵通过软管对二号孔536抽负压，进一步提高了拉伸式吸盘53对晶圆6的吸附固定能力。
作为本发明的一种实施方式，震动单元15包括四个一号气压杆151，四个一号气压杆151的外层套有弹簧，弹簧的顶端与固定板14固定连接，弹簧的底端与除尘模块3的固定连接；所述四个一号气压杆151中的每个一号气压杆151的一侧都固定安装在除尘模块3上，且一号气压杆151的另一侧不与固定板14连接。首先，一号吸取装置27与晶圆6的顶表面脱离，晶圆6固定在固定板14上；当一号气压杆151拉伸时，带动固定板14向上运动，使得弹簧被拉伸张紧，此时固定板14不能产生上下震动；当一号气压杆151收缩时，一号气压杆151与固定板14不发生接触，此时除尘模块3带动固定板14转动时，固定板14在弹簧的作用下能够发生抖动，用于提高晶圆6表面杂质的脱离效率。
作为本发明的一种实施方式，所述卡紧件16包括四号气压杆161和挤压板162，挤压板162的顶表面设有波纹线，波纹线用于提高挤压板162的摩擦力。晶圆6需要被刻蚀时，四号气压杆161拉伸时，挤压板162与二号转盘33的底表面紧密接触，同时挤压板162顶表面设置的波纹线提高了挤压板162对二号转盘33的固定效率，使得二号转盘33不发生转动，用于提高晶圆6刻蚀的精度。
工作时，四号气压杆161拉伸、一号气压杆151拉伸、此时固定板14不能发生转动；将晶圆6放置于固定板14上，固定板14上的金属吸盘141对晶圆6进行固定，然后，控制器通过四个一号吸取装置27对晶圆6进行固定和移位；然后将晶圆6放置于金属吸盘141，金属吸盘141将晶圆6固定，此时，抽吸泵使金属吸盘141中的气压增加，晶圆6与金属吸盘141脱离；刻蚀气体通过气体注入口13流入到封闭仓1中，在激发线圈11和偏压装置12的共同作用下，刻蚀气体对晶圆6的表面进行刻蚀，同时控制器控制四个一号吸取装置27来使晶圆6自转，使得晶圆6表面被一号吸取装置27遮挡的部位被刻蚀；同时抽吸泵对封闭仓1进行抽负压，将封闭仓1中的气体排出。
晶圆6刻蚀结束后，控制器通过一号吸取装置27将晶圆6放置于固定板14上，固定板14上的金属吸盘141对晶圆6进行负压固定；此时，四号气压杆161收缩、一号气压杆151收缩；激发线圈11和偏压装置12停止工作；氮气通过气体注入口13流入到封闭仓1中来对晶圆6表面进行清理，同时抽吸泵通过对二号圆筒32抽负压来使二号转盘33转动，此时，固定板14带动晶圆6转动，同时固定板14带动晶圆6上下震动，晶圆6表面的杂质通过抽吸泵被排出。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (6)
1.一种芯片加工方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：
步骤一：将硅溶液中的单晶硅棒切割成晶圆；
步骤二：将步骤一中的晶圆表面涂敷光刻胶；
步骤三：对经过步骤二处理后的晶圆进行光刻胶显影；
步骤四：将步骤三处理后的晶圆放入到刻蚀装置中进行刻蚀；
步骤五：将步骤四处理后的晶圆送入到离子注入机进行离子注入；
步骤六：将步骤五中的晶圆送入化学气相沉积设备中反应；
步骤七：对步骤六处理后的晶圆表面进行金属化处理，晶圆表面形成电路；
其中，该方法步骤四中采用的刻蚀装置包括封闭仓(1)、激发线圈(11)、偏压装置(12)、移动模块(2)、固定板(14)、震动单元(15)、除尘模块(3)、卡紧件(16)和控制器，所述封闭仓(1)的顶板上设有气体注入口(13)，所述移动模块(2)通过固定杆(21)固定安装在封闭仓(1)的底板上；所述固定板(14)通过震动单元(15)固定安装在除尘模块(3)的顶表面；所述移动模块(2)用于对晶圆(6)进行移位；所述固定板(14)上固定安装有金属吸盘(141)，金属吸盘(141)用于对晶圆(6)的底表面进行固定；所述除尘模块(3)用于对晶圆(6)表面的杂质进行清理；所述卡紧件(16)用于对除尘模块(3)进行限位；所述控制器用于控制移动模块(2)、震动单元(15)、除尘模块(3)和卡紧件(16)的工作；其中，
所述移动模块(2)包括一号圆筒(22)、一号安装板(23)、一号固定架(24)、三号气压杆(25)、一号滑块(26)和一号吸取装置(27)；所述一号圆筒(22)通过一号安装板(23)固定安装在固定杆(21)上；所述一号圆筒(22)的内壁顶部设有一号滑轨(28)；所述一号固定架(24)通过一号滑块(26)在一号滑轨(28)中运动，一号固定架(24)通过三号气压杆(25)来与一号吸取装置(27)固定连接；所述一号吸取装置(27)的数量为四个，四个一号吸取装置(27)配合用于使晶圆(6)转动；
所述一号安装板(23)为圆环形安装板，一号安装板(23)的内壁上设有二号滑轨(29)；所述除尘模块(3)上设有二号滑块(31)，二号滑块(31)通过与二号滑轨(29)配合来使除尘模块(3)自转。
2.根据权利要求1所述的一种芯片加工方法，其特征在于：所述除尘模块(3)包括二号圆筒(32)和二号转盘(33)，所述二号转盘(33)的底表面设有一号圆环槽(34)，所述二号圆筒(32)的上端通过钢珠球滚动安装在一号圆环槽(34)中，二号圆筒(32)的底端固定安装在封闭仓(1)的底板上；所述封闭仓(1)的底板上设有抽吸孔(17)；所述二号转盘(33)的顶表面倾斜设有贯穿二号转盘(33)的一号孔(35)；所述抽吸孔(17)通过与一号孔(35)配合用于使二号转盘(33)旋转。
3.根据权利要求2所述的一种芯片加工方法，其特征在于：所述一号吸取装置(27)包括三号安装板(51)、滑动伸缩杆(52)、拉伸式吸盘(53)；所述三号安装板(51)通过滑动伸缩杆(52)与拉伸式吸盘(53)固定连接，滑动伸缩杆(52)的外层套有弹簧；所述拉伸式吸盘(53)用于对晶圆(6)进行负压固定。
4.根据权利要求3所述的一种芯片加工方法，其特征在于：所述拉伸式吸盘(53)包括二号安装板(531)、二号气压杆(532)、支架(533)、折叠管(534)和固定环(535)；所述二号安装板(531)通过二号气压杆(532)与支架(533)固定连接，支架(533)用于对固定环(535)进行固定；所述固定环(535)通过折叠管(534)与二号安装板(531)固定连接；所述二号安装板(531)上设有二号孔(536)。
5.根据权利要求4所述的一种芯片加工方法，其特征在于：震动单元(15)包括四个一号气压杆(151)，四个一号气压杆(151)的外层套有弹簧，弹簧的顶端与固定板(14)固定连接，弹簧的底端与除尘模块(3)的固定连接；所述四个一号气压杆(151)中的每个一号气压杆(151)的一侧都固定安装在除尘模块(3)上，且一号气压杆(151)的另一侧不与固定板(14)连接。
6.根据权利要求1所述的一种芯片加工方法，其特征在于：所述卡紧件(16)包括四号气压杆(161)和挤压板(162)，挤压板(162)的顶表面设有波纹线，波纹线用于提高挤压板(162)的摩擦力。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810467019.5A CN108598023B (zh) | 2018-05-16 | 2018-05-16 | 一种芯片加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201810467019.5A CN108598023B (zh) | 2018-05-16 | 2018-05-16 | 一种芯片加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108598023A true CN108598023A (zh) | 2018-09-28 |
| CN108598023B CN108598023B (zh) | 2020-11-13 |
Family
ID=63631348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810467019.5A Active CN108598023B (zh) | 2018-05-16 | 2018-05-16 | 一种芯片加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108598023B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2018
- 2018-05-16 CN CN201810467019.5A patent/CN108598023B/zh active Active
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| Publication number | Publication date |
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| CN108598023B (zh) | 2020-11-13 |
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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