CN104900569A - 基板载置装置和基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供抑制支承销的设置数量的增加并且能够将薄且大型的基板载置在载置台上的基板载置装置等。设置于基板载置装置的载置台(3)具有能够载置具有0.5毫米以下的厚度尺寸的基板(F)的载置面(30)，从下表面侧支承基板(F)的多个支承销(4)设置成在上下方向上贯通载置台(3)，升降机构(45～47)使多个支承销(4)在支承基板(F)的支承位置和下方侧的退避位置之间升降。在多个支承销(4)中的至少一个的前端部设置有从下表面侧支承基板(F)时产生弹性变形而与基板(F)的接触面积变大的弹性部件(42)。

Description

基板载置装置和基板处理装置
技术领域
本发明涉及为了实施基板的处理而在载置台上载置基板的技术。
背景技术
液晶显示装置(LCD：Liquid Crystal Display)等FPD(Flat PanelDisplay：平板显示器)中使用的例如薄膜晶体管(TFT：Thin FilmTransistor)是通过在玻璃基板等基板上对栅极、栅极绝缘膜和半导体层等进行图案化并且依次层叠而形成的。
在这样的TFT的制造工序中，利用用于实施以下的处理等的基板处理装置，即：对在处理容器内配置的基板供给作为处理气体的成膜气体和蚀刻气体，使成为电极的金属膜、绝缘膜、半导体层成膜的处理；和对成膜后的膜进行蚀刻来图案化的处理。
例如，当对在对基板一个一个进行处理的单片式的基板处理装置上配置基板的方法进行说明时，处理对象的基板由外部的搬送机构搬入处理容器内，搬送至配置在处理容器内的载置台的上方位置。在该载置台上设置有能够从基板的载置面自由伸出缩入地构成的多个支承销，这些支承销向载置面的上方侧突出。此后，从搬送机构将基板交接到支承销上，使搬送机构退避后，通过使支承销下降到载置面的下方侧而将基板载置在载置台上。
这些载置台、支承销和支承销的升降机构构成上述基板处理装置的基板载置装置。
由上述基板处理装置处理的FPD用的玻璃基板，每年在推进大型化，一个边为数米以上。另一方面，其厚度尺寸比1毫米薄，还需要0.5毫米以下的基板的处理。
这样，通过大型化和薄型化同时进行，基板的重量增加并且变得容易破损。另一方面，伴随基板的重量增加，从向载置台交接时暂时支承基板的支承销对基板施加较大的力，在基板内产生的应力成为产生破损等的原因之一。
为了缓和从这些支承销作用在基板上的力的影响，考虑增加支承销的设置数量，但是支承销的设置数量增加会成为使基板载置装置的成本提高的主要原因。
此处专利文献1记载有如下例子：为了抑制对涂敷有抗蚀剂膜的基板(半导体晶片)进行加热的烘焙装置的在基板的搬入搬出时的异常声音的产生和位置偏移，使陶瓷制的基板支承用的顶起销为与基板相比硬度低的聚酰亚胺树脂制。但是，在FPD用的基板载置装置中，聚酰亚胺树脂是历来使用的材料之一，在解决降低FPD用的玻璃基板内产生的应力这个技术问题上是不充分的。
另外，专利文献2记载有如下的技术：在使形成于中间掩模等光掩模用的玻璃基板上的曝光后的抗蚀剂膜显影的显影处理装置中，为了使从下表面侧对基板的周缘部进行支承的支承销和基板的接触面积减小，使该支承销的上端部为合成橡胶制。但是，光掩模用的玻璃基板至多只有10～20厘米程度的大小，另一方面其厚度为数毫米，不存在玻璃基板承受从支承销承受的力的影响而可能破损的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平4-736号公报：权利要求书1、2页左上栏第1～7行、该页右下栏第7～9行。
专利文献2：日本特开2010-278094号公报：权利要求2、段落0011的第1～3行、0022的第2～3行、0035的第5～6行、图8。
发明内容
发明想要解决的技术问题
本发明是鉴于这样的情况而完成的，其目的是提供抑制支承销的设置数量的增加并且能够将薄且大型的基板载置在载置台上的基板载置装置和具有该基板载置装置的基板处理装置。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的基板载置装置的特征在于，包括：
载置台，其具有用于载置具有0.5毫米以下厚度尺寸的基板的载置面；
多个支承销，其设置成在上下方向上贯通上述载置台，从下表面侧支承基板；和
升降机构，其使上述多个支承销在上述载置面的上方侧支承基板的支承位置和该载置面的下方侧的退避位置之间升降，
上述多个支承销的至少一个，在前端部设置有从下表面侧支承基板时产生弹性变形而与基板的接触面积变大的弹性部件。
上述基板载置装置还可以具有以下特征。
(a)上述基板是周长为4米以上的方形基板。
(b)与设置在支承上述基板的周缘部侧的支承销的前端部的弹性部件的硬度相比，设置在支承该基板的中央部侧的支承销的前端部的弹性部件的硬度较低，以使得上述基板在中央部侧比周缘部侧向下方侧弯曲的状态下支承基板。
(c)上述支承位置设定成，与支承上述基板的周缘部侧的支承销的前端部的高度位置相比，支承该基板的中央部侧的支承销的前端部的高度位置较低，以使得上述基板在中央部侧比周缘部侧向下方侧弯曲的状态下支承基板，上述弹性部件至少设置在配置于基板的最靠周缘部侧的支承销上。与设置在支承上述基板的周缘部侧的支承销的前端部的弹性部件的硬度相比，设置在支承该基板的中央部侧的支承销的前端部的弹性部件的硬度较高。上述配置在最靠周缘部侧的支承销配置在与基板的外周缘的距离为30毫米以内的位置。
(d)上述基板是玻璃基板。
此外，另一发明的基板处理装置的特征在于，包括：上述基板载置装置；收纳上述基板载置装置的载置台的处理容器；和对上述处理容器供给基板的处理气体的处理气体供给部。
发明效果
本发明使用具有从下表面侧支承基板时发生弹性变形而与基板的接触面积扩大的弹性部件的支承销来支承基板，所以即使是0.5毫米以下的薄基板，也能够使从支承销施加在基板上的力分散并且实施向载置台的载置动作。
附图说明
图1是具有本发明的实施方式的基板载置装置的基板处理装置的侧视纵截面图。
图2是上述基板处理装置的主视横截面图。
图3是表示设置在上述基板载置装置的支承销的前端的形状的放大图。
图4是表示现有技术的由支承销支承基板的状态的说明图。
图5是表示使用上述现有技术的支承销将基板载置在载置台上的状态的说明图。
图6是表示设置在支承销的前端部的硬度不同的支承部件的配置例的说明图。
图7是表示上述支承部件的硬度差异的示意图。
图8是上述基板载置装置的第一作用说明图。
图9是上述基板载置装置的第二作用说明图。
图10是上述基板载置装置的第三作用说明图。
图11是表示第二实施方式的基板载置装置的支承销的配置例的说明图。
图12是第二实施方式的基板载置装置的第一作用说明图。
图13是第二实施方式的基板载置装置的第二作用说明图。
图14是表示设置在支承销上的支承部件的变形例的立体图。
附图标记说明
F    基板
1    等离子体蚀刻装置
3    载置台
30   载置区域
4、4a～4c  支承销
42、42a～42c  支承部件
45   升降板
47   驱动部
具体实施方式
以下，参照图1～图3说明作为具有本发明的实施方式的基板处理装置的基板处理装置的构成例的等离子体蚀刻装置。等离子体蚀刻装置1构成为对至少周长为4米以上(例如短边为2.2米、长边为2.5米)、具有0.5毫米以下厚度尺寸的FPD用的玻璃基板(以下，简记为“基板”)F进行蚀刻处理的电容耦合型平行平板等离子体蚀刻装置。作为FPD，举例表示有液晶显示器(LCD)、场致发光(Electro Luminescence；EL)显示器、等离子体显示器面板(PDP)等。等离子体蚀刻装置1具有作为收纳基板F的处理容器的腔室2。腔室2例如由表面被耐酸铝处理(阳极氧化处理)后的铝构成，与基板F的形状对应地形成为四棱筒形。
在腔室2内的底部设置有用于载置基板F的载置台3。载置台3与基板F的形状对应地形成为四边板状或者柱状，包括：由金属等导电性材料构成的下部电极31；覆盖下部电极31的周缘并且由绝缘材料构成的环状部件32；和设置在下部电极31和环状部件32与腔室2的底面之间，用于使下部电极31与腔室2之间绝缘的绝缘材料构成的绝缘部件33。
下部电极31经由匹配器23与高频电源24连接。从高频电源24对载置台3施加例如13.56MHz的高频电力。而且，在载置台3上还设置有用于吸附所载置的基板F的静电卡盘和用于对基板F的背面供给氦气等冷却用的温度控制气体的温度控制气体供给线(都未图示)。
在与上述载置台3(下部电极31)相对的腔室2的上部设置有对腔室2内供给作为处理气体的蚀刻气体并且作为平行平板的上部电极起作用的喷头11。喷头11，在内部形成有使处理气体扩散的气体扩散空间12，并且在与载置台3相对的面形成有将处理气体排出的多个排出孔13。该喷头11经由腔室2接地。
在喷头11的上表面连接有处理气体供给管14，在该处理气体供给管14的基端部设置有处理气体供给部15。处理气体供给部15包括未图示的处理气体供给源和质量流控制器，能够向喷头11以规定量供给用于蚀刻的处理气体。作为进行蚀刻的处理气体(蚀刻气体)的例子，能够使用卤素类气体、O2气体、Ar气体等在通常该领域中使用的气体。
在腔室2的底壁连接有排气管16，该排气管16与排气装置17连接。排气装置17具有涡轮分子泵等真空泵，由此能够将腔室2内减压至规定压力的真空氛围。
此外，在腔室2的侧壁形成有用于将基板F搬入搬出的搬入搬出口21，并且设置有对该搬入搬出口21进行开闭的闸阀22。
在具有以上说明的构成的等离子体蚀刻装置1中，在载置台3上设置有用于接收从外部搬送来的基板F并且向设置于载置台3的上表面的载置面交接基板F的支承销4。此外，在图1以外的图中，将下部电极31、环状部件32、绝缘部件33作为一体的载置台3进行表示。
以下，在图2所示的平面图中，以设置有搬入搬出口21的方向为跟前侧、以夹着载置台3与搬入搬出口21相反侧的方向为纵深侧进行说明。此外，以虚线表示在图2的载置台3上载置基板F的载置区域(载置面)30。基板F在使长边侧与搬入搬出口21相对的状态下被载置于载置区域30。
如图1、图2所示，在下部电极31和腔室2的底板设置有在上下方向贯通这些部件31、2的多个贯通孔35，在各贯通孔35中插入支承销4。
当使用图2说明支承销4(贯通孔35)的配置例时，在本例的载置台3中，沿着从与搬入搬出口21相对的基板F的一边(为长边)到另一方的一边去连结这两边的中点的直线a-a’，以大致相等的间隔配置有6个支承销4(图2中标注有“1～6”的号码)。
以上述6个支承销4之中2号和5号支承销4为交点，从左手的基板F的一边(为短边)到另一方的一边去以大致相等的间隔配置有5个支承销4(图2中标注有“7-8-2-9-10”和“11-12-5-13-14”的号码)。而且，在1号和6号支承销4的左右两侧，在与“8-12”支承销4在前后方向上排列的位置和与“9-13”支承销4在前后方向上排列的位置分别设置有支承销4(图2中标注有“15、17”和“16、18”的号码)。
因而，在本例的等离子体蚀刻装置1中，为使用合计18个支承销4支承基板F的结构。而且，为了方便图示，图1所示的支承销4不是与图2所示的支承销4的配置状态对应的配置。
如图1、图3所示，各支承销4成为在沿着上下方向贯通载置台3和腔室2的底面的升降棒41的上端侧的前端部设置有与基板F的下表面接触来支承该基板F的支承部件42的结构。
各支承销4在由未图示的定位用衬套(bush)在径向上被定位的状态下插入到贯通孔35中。
如图1所示，各支承销4的下部在腔室2的下表面侧突出，该下端部例如与共通的升降板45连接。升降板45与例如通过配置在腔室2的下表面的步进电动机等的驱动部47而在上下方向上移动的杆46连接，伴随该杆46的上下运动能够使各支承销4从载置台3的载置区域30突出缩回。
在腔室2的下表面侧突出的支承销4的下部分别形成有凸缘部43，在各凸缘部43连接有以包围支承销4的方式设置的能够自由伸缩的波纹管44的下端部。各波纹管44的上端部与腔室2的底面连接，追随支承销4的升降进行伸缩，并且封闭各贯通孔35与波纹管44的间隙来将腔室2内保持密封。
设置于等离子体蚀刻装置1的载置台3、支承销4和上述升降机构(升降板45、杆46、驱动部47)相当于本实施方式的基板载置装置。
此外，等离子体蚀刻装置1如图1所示与对其整体的动作进行统一控制的控制部5连接。控制部5由包括未图示的CPU和存储部的计算机构成，存储部中存储有组编了有关等离子体蚀刻装置1的动作等的步骤(命令)组的程序。该程序例如存储在硬盘、光盘、磁光盘、存储卡等存储介质中，从它们下载安装在计算机上。
此处对具有以上说明的结构的等离子体蚀刻装置1的动作简单地进行说明。例如在连接有等离子体蚀刻装置1的真空搬送室内由外部的搬送机构搬送处理对象的基板F。等离子体蚀刻装置1使搬入搬出口21的闸阀22打开，使搬送机构的臂进入腔室2内，由此将基板F搬送到载置台3的上表面的载置区域30的上方位置。
接着，使各支承销4的上端上升至比由臂保持的基板F的保持位置高的支承位置，从臂将基板F交接至支承销4。而且，支承销4的配置位置设定在与臂不干扰的位置。
如果将基板F交接到支承销4，则使臂从腔室2退出，由闸阀22将搬入搬出口21关闭。此外，通过使支承销4下降而退避至载置台3的上表面的下方侧的退避位置，将基板F载置在载置区域30，使未图示的静电卡盘工作，由此将基板F吸附保持在载置台3上。
接着，由排气装置17将腔室2内真空排气至规定的压力，从处理气体供给部15以所定的流量供给处理气体(本例中为蚀刻气体)。处理气体经由处理气体供给管14、喷头11供给至腔室2内。
而且，从高频电源24对载置台3施加高频电力，在下部电极31与喷头11(上部电极)之间产生高频电场而使腔室2内的处理气体等离子体化。该结果是，利用等离子体化后的处理气体中的活性种的作用实施对基板F的蚀刻处理。
如果仅实施规定时间的基板F的蚀刻处理，则停止来自高频电源24的高频电力的施加，并且停止处理气体的供给、腔室2内的真空排气，解除向载置台3吸附固定基板F。接着，使支承销4上升至进行基板F的交接的支承位置，打开闸阀22使臂进入基板F的下方侧。此后，通过使支承销4下降，从支承销4将基板F交接到臂，并向外部输出。
在以上说明的基板F的处理中，在臂与载置台3之间对基板F进行支承、搬送的支承销4，用设置于升降棒41的上端的支承部件42对基板F进行支承。因此，如背景技术中说明的那样，伴随基板F的大型化导致的重量的增加，从各支承销4对基板F施加大的力。此外，为了避免0.5毫米以下这样的薄的基板F的破损并且稳定地支承基板，通过从支承销4对基板F施加力，需要降低在基板F内产生的应力。
进而，如图4示意性的图示，利用隔开间隔地配置的支承销4对大型且薄的基板F进行支承时，与基板F的支承销4不接触的区域向下方侧弯曲而形成多个凸面。这样在形成有多个凸面的状态下将基板F载置在载置台3上时，位于支承于支承销4的区域的周围的凸面的下端先载置于载置台3上。
当支承于支承销4的区域的周围先载置于载置台3上时，由于在基板F与载置区域30之间作用的摩擦的影响，基板F不能变形为平坦的形状，而在基板F与载置台3之间形成有间隙g(图5)。
当形成有这样的间隙g时，例如在利用了温度调节气体的基板F的冷却中产生不均，成为阻碍基板F的面内的均匀的蚀刻处理的主要原因。
本实施方式的支承销4具有用于应对上述各课题的结构。以下针对其具体内容进行说明。
对降低最初在基板内产生的应力的方法进行说明。例如现有技术的支承销4从在腔室2的下表面侧突出的下部侧至与基板F的下表面接触而对其进行支承的上部侧由一体的聚酰亚胺树脂构成。此外，在伴随弯曲、变形、加工尺寸的偏差(公差)等而各基板F的形状有变化的情况下，支承销4的上部侧的前端(上端)被加工成半球状，以使得能够与上述变化对应(追随)地在相同的状态下对基板F进行支承。但是，聚酰亚胺树脂即使施加能够支承基板F的重量的程度的力也完全不发生弹性变形，因此基板F与支承销4成为点接触，在基板F上施加集中的力。
因此，本例的支承销4例如成为在聚酰亚胺树脂制的升降棒41的上部设置有与聚酰亚胺树脂相比硬度较小、能够弹性变形的弹性部件例如氟类的合成橡胶制的支承部件42的结构(图3)。
构成支承部件42的合成橡胶的硬度因基板F的强度、施加在基板F上的力、支承销4支承基板F的位置等而不同，但是例如使用JISK6253(A型硬度计)中30～90的范围的例如50～70的材料。
如图3所示，由于支承部件42的前端部被加工为大致半球状，所以从臂向支承销4交接基板时，各支承部件42与基板F的下表面点接触。此后，进一步使支承销4上升而对支承部件42施加基板F的载荷时，支承部件42产生弹性变形而支承部件42与基板F的接触面积变大。
其结果是，能够使从支承部件42(支承销4)施加在基板F上的力分散，降低在基板F内产生的应力。此外，将支承部件42的前端加工成半球状，与从基板F施加的载荷对应地使支承部件42产生变形，由此与例如将该前端预先加工成平坦的面状的情况相比，能够追随弯曲、变形所导致的基板F的形状的变化地在相同的状态下保持基板F。
接着，参照图6～图10说明抑制使用图5说明的间隙g的形成并且将基板F载置于载置台3上的方法。
为了解决上述的技术问题，本例的支承销4中，根据与支承基板F的位置使构成支承部件42的合成橡胶的硬度变化。图6是表示载置区域30的支承部件42(42a～42c)的配置位置与合成橡胶的硬度的对应关系的说明图，图7是表示图6所示的升降口和符号与合成橡胶的硬度的关系的说明图。
如图6所示，本例中，对基板F的中央部侧进行支承并且已经叙述的沿着直线a-a’配置的标注有“3-4”号码的支承部件42c使用硬度最低的(柔软)合成橡胶。
接着，这些以从外侧包围中央部的支承部件42c的方式环状地配置的标注有“8-2-9-13-5-12”的号码的支承部件42b(由点划线连结表示)，使用具有中等程度的硬度的合成橡胶。
进而，这些以从外侧包围中央侧的支承部件42c、42b的方式环状地配置的、配置在基板F的外周缘附近位置的标注有“15-1-16-10-14-18-6-17-11-7”的号码的支承部件42a(以端的虚线连结表示)，使用硬度最高的(硬)合成橡胶。
这样，在本例的载置台3上，支承部件42a～42c的合成橡胶的硬度以从基板F的中央部侧向周缘部侧去依次变高的方式配置。
参照图8～图10说明使用上述的结构的支承销4来将基板F载置在载置台3上的动作。在这些图中，表示配置在直线a-a’上的标注有“1～6”的号码的支承销4。
本例中，标注有“1～6”的号码的支承销4的支承位置以支承部件42a～42c的上端的高度成为大致相同的高度的位置的方式设定。为了容易明白这些地进行表示，图8表示不对基板F进行支承而使支承销4上升至支承位置时的状态。
在这些支承销4上支承基板F时，如图9所示各支承部件42a～42c承受来自基板F的载荷而产生弹性变形，这些支承部件42a～42c与基板F的接触面积变大而使施加在基板F上的力分散。
此外，支承部件42a～42c的硬度，以越靠基板F的中央部侧越低、向周缘部侧去依次变高的方式配置支承销4，中央部侧的支承部件42c的变形量变大，另一方面，越向周缘部侧去支承部件42b、42a的变形量越小。
该结果，如图9所示，基板F在与周缘部侧相比中央部侧向下方侧弯曲的凸形状的状态下被支承于载置台3(载置区域30)的上方侧。
此外，图9所示的支承基板F的各支承部件42a～42c的形状，是为了示意性地表示根据支承销4的配置位置而支承部件42a～42c的变形量不同的情况，不是表示实际的变形形状。
如果在图9所示的状态下在支承销4上支承基板F，则使驱动部47工作而使全部支承销4同时以相同的速度下降。于是，向下方侧最突出的基板F的下面侧的中央部首先与载置台3接触。然后，进一步使支承销4下降时，与载置台3接触的基板F的下表面从基板F的中央部侧向周缘部侧逐渐变大。
该结果，如使用图4、图5说明的那样，被支承在支承销4上的位置的周围的多个区域先载置在载置台3上的状况不会发生，能够避免间隙g的形成并且将基板F载置在载置台上(图10)。
根据设置于等离子体蚀刻装置1的、本实施方式的基板载置装置(载置台3、支承销4和其升降机构(升降板45、杆46等))，有以下的效果。由于使用具有由作为弹性部件的合成橡胶构成的、在从下表面侧支承基板F时发生弹性变形而与基板F的接触面积变大的支承部件42的支承销来支承基板F，所以即使是0.5毫米以下的薄基板F，也能够使从支承销4施加在基板F上的力分散并且实施向载置台3的载置动作。
此处不必须在全部的支承销4上设置能够弹性变形的支承部件42。图11表示在与由图2说明的例子相同的支承销4的配置例中，仅在容易发生破损等的支承基板F的周缘部的支承销4上设置能够弹性变形可能的支承部件42的例子。在图11所示的例子中，配置具有支承部件42的支承销4的位置设定在例如从基板F的外周缘至基板F与支承部件42的接触面的中心的距离w为30毫米以内的范围，优选为20毫米以内的范围，更优选为10毫米以内的范围的位置。
此外，为了进行区分，在图11～图13的说明中，对没有设置支承部件42的支承销4添加“4a”的符号。
此外，使用图12、图13针对利用具有没有设置支承部件42的支承销4a的载置台3抑制使用图5说明的间隙g的形成并且进行向载置台3的基板F的载置的方法进行说明。
如已经叙述的那样，由于没有设置支承部件42的例如聚酰亚胺树脂制的支承销4a的上端部完全没有弹性变形，所以难以如使用图9说明的那样形成利用基板F的重量使中央部侧比周缘部侧向下方侧弯曲的凸形状。
因此，在本例的载置台3中，如图12所示，设定成使支承销4a、4上升至支承位置时各支承销4a、4的前端部到达不同高度的位置。然后，由这些支承销4a、4支承基板F时，如图13所示，以该基板F的形状成为中央部侧比周缘部侧向下方侧弯曲的凸形状的方式，预先设定各支承销4a、4的前端部到达的高度位置。即，与载置了基板F时发生了弹性变形的支承销4的上端的高度相比，支承销4a的上端的高度变低。该结果是，能够与使用图9、图10说明了的例子同样地抑制间隙g的形成并且在载置台3上载置基板F。
如图12所示，以各支承销4a、4的前端部到达不同高度的位置的方式进行调节的方法，也可以将不同长度的支承销4a、4连接在图1所示的共通的升降板45上。此外，例如在相同长度的支承销4a、4上设置各个升降机构，也可以使从待机位置使各支承销4a、4上升的距离变化。在后者的情况下，仅通过改变高度距离的设定，也能够改变基板F被支承在支承销4a、4上时的基板F的形状。
进而，如图12、图13所示的例子，以通过使在支承位置各支承销4a、4的前端部到达的高度位置变化而成为中央部侧比周缘部侧向下方侧弯曲的状态的方式支承基板F的情况下，也可以在全部的支承销4上设置支承部件42。此时，如已经叙述的那样，考虑基板F的周缘部侧比中央部侧容易产生破损等，与使用图6、图7说明的例子相反，使周缘部侧的支承部件42的硬度较低(柔软)，也可以使中央部侧的支承部件42的硬度较高。
但是，当然也可以使全部的支承销4的硬度相同。
此外，支承部件42不限于使用半球形状的部件的情况，可以例如如图14(a)的支承销4b所示那样由半圆板形状的支承部件42d的顶部支承基板F，还可以如图14(b)的支承销4c那样由半圆筒形状的支承部件42e的侧周面支承基板F。
而且，支承销4(支承部件42)的配置位置不限定于由图6所示的18个支承销4支承基板F的例子，当然可以增减支承销4的设置数量，也配置在不同的配置位置。
而且，能够适应具有以上说明的结构的基板载置装置(载置台3、支承销4和其升降机构)的基板处理装置也不限定于等离子体蚀刻装置1的例子。还能够适用于除去在基板F上形成的抗蚀剂膜的等离子体灰化装置、向基板F进行成膜的等离子体CVD(Chemical VaporDeposition：化学气相沉积)装置、热CVD装置等。

Claims (8)

1.一种基板载置装置，其特征在于，包括：
载置台，其具有用于载置具有0.5毫米以下厚度尺寸的基板的载置面；
多个支承销，其设置成在上下方向上贯通所述载置台，从下表面侧支承基板；和
升降机构，其使所述多个支承销在上述载置面的上方侧支承基板的支承位置和该载置面的下方侧的退避位置之间升降，
所述多个支承销的至少一个，在前端部设置有从下表面侧支承基板时产生弹性变形而与基板的接触面积变大的弹性部件。
2.如权利要求1所述的基板载置装置，其特征在于：
所述基板是周长为4米以上的方形基板。
3.如权利要求1或者2所述的基板载置装置，其特征在于：
与设置在支承所述基板的周缘部侧的支承销的前端部的弹性部件的硬度相比，设置在支承该基板的中央部侧的支承销的前端部的弹性部件的硬度较低，以使得所述基板在中央部侧比周缘部侧向下方侧弯曲的状态下支承基板。
4.如权利要求1或者2所述的基板载置装置，其特征在于：
所述支承位置设定成，与支承所述基板的周缘部侧的支承销的前端部的高度位置相比，支承该基板的中央部侧的支承销的前端部的高度位置较低，以使得所述基板在中央部侧比周缘部侧向下方侧弯曲的状态下支承基板，
所述弹性部件至少设置在配置于基板的最靠周缘部侧的支承销上。
5.如权利要求4所述的基板载置装置，其特征在于：
与设置在支承所述基板的周缘部侧的支承销的前端部的弹性部件的硬度相比，设置在支承该基板的中央部侧的支承销的前端部的弹性部件的硬度较高。
6.如权利要求4或者5所述的基板载置装置，其特征在于：
所述配置在最靠周缘部侧的支承销配置在与基板的外周缘的距离为30毫米以内的位置。
7.如权利要求1～6中任一项所述的基板载置装置，其特征在于：
所述基板是玻璃基板。
8.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
权利要求1～7中任一项所述的基板载置装置；
收纳所述基板载置装置的载置台的处理容器；和
对所述处理容器供给基板的处理气体的处理气体供给部。
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