TW201601237A - 基板載置裝置及基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

提供一種可一邊抑制支撐銷之設置數增加， 一邊將薄且大型之基板載置於載置台的基板載置裝置等。 設置於基板載置裝置之載置台(3)，係具 備有載置具有0.5毫米以下之厚度尺寸之基板(F)的載置面(30)，從下面側支撐基板(F)的複數個支撐銷(4)，係設置為於上下方向貫通載置台(3)，升降機構(45~47)，係使複數個支撐銷(4)在支撐基板(F)的支撐位置與下方側的退避位置之間升降。 在複數個支撐銷(4)之至少1個的前端部設置有彈性構件(42)，該彈性構件，係在從下面側支撐基板(F)時彈性變形，且與基板(F)之接觸面積擴大。

Description

基板載置裝置及基板處理裝置
本發明，係關於為了執行基板之處理，而在載置台上載置基板的技術。
液晶顯示裝置(LCD：Liquid Crystal Display)等之FPD(Flat Panel Display)所使用的例如薄膜電晶體(TFT：Thin Film Transistor)，係藉由在玻璃基板等的基板上，一邊將閘極電極或閘極絕緣膜、半導體層等圖案化，一邊依序予以疊層而形成。
在像這樣之TFT的製造工程中，係利用基板處理裝置，該基板處理裝置，係用於對配置於處理容器內的基板供給作為處理氣體的成膜氣體或蝕刻氣體，且執行形成金屬膜(該金屬膜，係成為電極)或絕緣膜、半導體層的處理或對已成膜之膜進行蝕刻而圖案化的處理等。
例如，說明將基板配置於一片一片地對基板進行處理之單片式基板處理裝置的手法，處理對象之基板，係藉由外部的搬送機構被搬入至處理容器內，且被搬送至配置於處理容器內之載置台的上方位置。在該載置 台，係設置有構成為從基板之載置面突出/沒入自如的複數個支撐銷，並使該些支撐銷向載置面的上方側突出。然後，在從搬送機構將基板收授至支撐銷上，且使搬送機構退避之後，藉由使支撐銷下降至載置面之下方側的方式，讓基板載置於載置台上。
該些載置台或支撐銷、支撐銷之升降機構，係構成上述基板處理裝置之基板載置裝置。
以上述之基板處理裝置所處理的FPD用玻璃基板，係逐年大型化，且一邊亦達到數公尺以上。另一方面，其厚度尺寸，係變得比1毫米更薄，因而亦必須進行0.5毫米以下之基板的處理。
如此一來，因大型化與薄型化同時進行，故基板之重量會增加並且變得易破損。另一方面，伴隨著基板之重量化，在收授至載置台之際，會造成從暫時支撐基板之支撐銷對基板施加更大的力，從而成為因基板內所產生的應力而產生破損等的原因之一。
為了減輕從該些支撐銷作用於基板之力的影響，雖考慮增加支撐銷之設置數，但增加支撐銷之設置數，係形成為基板載置裝置之成本上升的要因。
在此，在專利文獻1中，係記載有下述之例子：為了在烘烤裝置(該烘烤裝置，係對塗佈有光阻膜之基板(半導體晶圓)進行加熱)中抑制基板之搬入搬出時之異音的發生或位置偏移，而將陶瓷製之基板支撐用頂起銷設成為硬度比基板低的聚醯亞胺樹脂製。然而，在FPD用 基板載置裝置中，聚醯亞胺樹脂，係以往所使用的材料之一，對於解決降低FPD用玻璃基板內所產生之應力的課題是不足夠的。
又，在專利文獻2中，係記載有下述技術：為了在顯像處理裝置(該顯像處理裝置，係對形成於光罩等之光掩膜用玻璃基板的曝光後光阻膜進行顯像)中，縮小從下面側支撐基板之周緣部之支撐銷與基板的接觸面積，而將該支撐銷之上端部設成為合成橡膠製。然而，光掩膜用玻璃基板，係充其量只有10~20厘米左右的大小，另一方面，其厚度亦達到數毫米，而不存在玻璃基板受到從支撐銷接收之力的影響而導致有破損之虞這樣的問題。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平4-736號公報：申請專利範圍第1項、第2頁左上欄第1~7行，同頁右下欄第7~9行
[專利文獻2]日本特開2010-278094號公報：申請專利範圍第2項、第0011段第1~3行、0022段第2~3行、0035段第5~6行、圖8
本發明，係有鑑於像這樣之情事而進行研究者，其目的，係提供一種可一邊抑制支撐銷之設置數的增 加，一邊將薄而大型之基板載置於載置台的基板載置裝置、及具備有該基板載置裝置的基板處理裝置。
本發明之基板載置裝置，其特徵係，具備有：載置台，具備有載置具有0.5毫米以下之厚度尺寸之基板的載置面；複數個支撐銷，設置為於上下方向貫通前述載置台，且從下面側支撐基板；及升降機構，使前述複數個支撐銷在支撐位置(該支撐位置，係在前述載置面的上方側支撐基板)與該載置面之下方側的退避位置之間升降，在前述複數個支撐銷之至少1個的前端部設置有彈性構件，該彈性構件，係在從下面側支撐基板時彈性變形，且與基板之接觸面積擴大。
前述基板處理裝置，係亦可具備有以下之特徵。
(a)前述基板，係全周為4公尺以上的矩形基板。
(b)以在中央部側比周緣部側更向下方側彎曲的狀態下加以支撐基板的方式，設置於支撐該基板之中央部側之支撐銷之前端部之彈性構件的硬度，係低於設置於支撐前述基板之周緣部側之支撐銷之前端部之彈性構件的硬度。
(c)以在中央部側比周緣部側更向下方側彎曲的狀態下 加以支撐基板的方式，前述支撐位置，係被設定為：支撐該基板之中央部側之支撐銷之前端部的高度位置低於支撐前述基板之周緣部側之支撐銷之前端部的高度位置，前述彈性構件，係至少設置於被配置在基板之最周緣部側的支撐銷。設置於支撐該基板之中央部側之支撐銷之前端部之彈性構件的硬度，係高於設置於支撐前述基板之周緣部側之支撐銷之前端部之彈性構件的硬度。前述配置於最周緣部側的支撐銷，係被配置於自基板之外周緣起算距離為30毫米以內的位置。
(d)前述基板，係玻璃基板。
又，其他發明之基板處理裝置，其特徵係，具備有：上述之基板載置裝置；處理容器，收容有前述基板載置裝置的載置台；及處理氣體供給部，對前述處理容器供給基板之處理氣體。
由於本發明，係在從下面側支撐基板時，使用具備有彈性構件(該彈性構件，係彈性變化且與基板之接觸面積擴大)的支撐銷來支撐基板，因此，即使為0.5毫米以下的薄基板，亦可一邊分散從支撐銷施加至基板的力，一邊執行載置至載置台的動作。
F‧‧‧基板
1‧‧‧電漿蝕刻裝置
3‧‧‧載置台
30‧‧‧載置區域
4、4a~4c‧‧‧支撐銷
42、42a~42c‧‧‧支撐構件
45‧‧‧升降板
47‧‧‧驅動部
[圖1]具備有本發明之實施形態之基板載置裝置之基板處理裝置的縱剖側視圖。
[圖2]前述基板處理裝置之橫剖平面圖。
[圖3]表示設置於前述基板載置裝置之支撐銷之前端之形狀的放大圖。
[圖4]表示藉由以往之支撐銷來支撐基板之狀態的說明圖。
[圖5]表示使用前述以往之支撐銷，將基板載置於載置台之狀態的說明圖。
[圖6]表示設置於支撐銷之前端部之不同硬度之支撐構件之配置例的說明圖。
[圖7]表示前述支撐構件之不同硬度的示意圖。
[圖8]前述基板載置裝置之第1作用說明圖。
[圖9]前述基板載置裝置之第2作用說明圖。
[圖10]前述基板載置裝置之第3作用說明圖。
[圖11]表示第2實施形態之基板載置裝置之支撐銷之配置例的說明圖。
[圖12]第2實施形態之基板載置裝置之第1作用說明圖。
[圖13]第2實施形態之基板載置裝置之第2作用說明圖。
[圖14]表示設置於支撐銷之支撐構件之變形例的立體圖。
以下，參閱圖1~圖3，說明關於作為具備有本發明之實施形態之基板處理裝置之基板處理裝置之構成例的電漿蝕刻裝置。
電漿蝕刻裝置1，係構成為電容耦合型平行平板電漿蝕刻裝置，該電容耦合型平行平板電漿蝕刻裝置，係對至少全周為4公尺以上(例如短邊為2.2公尺，長邊為2.5公尺)，且具有0.5毫米以下之厚度尺寸的FPD用玻璃基板(以下，僅記載為「基板」)F進行蝕刻處理。作為FPD，舉例有液晶顯示器(LCD)、電致發光(Electro Luminescence；EL)顯示器、電漿顯示器面板(PDP)等。電漿蝕刻裝置1，係具備有腔室2(該腔室，係收容基板F的處理容器)。腔室2，係例如由表面被耐酸鋁處理(陽極氧化處理)後之鋁所構成，對應於基板F的形狀而被形成為四角筒形狀。
在腔室2內的底部，係設置有載置台3(該載置台，係載置有基板F)。載置台3，係對應於基板F的形狀而形成為四角板狀或柱狀，且具備有：下部電極31，由金屬等的導電性材料所構成；環狀構件32，覆蓋下部電極31之周緣，且由絕緣材料所構成；及絕緣構件33，設置於下部電極31或環狀構件32與腔室2的底面之間，且由用於將下部電極31與腔室2之間加以絕緣的絕緣材料所構成。
下部電極31，係經由整合器23而連接於高頻 電源24。從高頻電源24，將例如13.56MHz的高頻電力施加至載置台3。而且，在載置台3，係設置有用於吸附所載置之基板F的靜電夾盤或用於對基板F之背面供給氦氣等之冷卻用溫調氣體的溫調氣體供給管線(皆未圖示)。
在與前述載置台3(下部電極31)相對向之腔室2的上部，係設置有噴頭11，該噴頭，係對腔室2內供給作為處理氣體的蝕刻氣體，並且具有平行平板之上部電極的功能。噴頭11，係在內部形成有使處理氣體擴散之氣體擴散空間12，並在與載置台3的相對向面，係形成有吐出處理氣體的多數個吐出孔13。該噴頭11，係經由腔室2而接地。
在噴頭11之上面，係連接有處理氣體供給管14，在該處理氣體供給管14之基端部，係設置有處理氣體供給部15。處理氣體供給部15，係具備有未圖示的處理氣體供給源或質流控制器，且可朝向噴頭11而以預定量供給蝕刻用之處理氣體。作為進行蝕刻之處理氣體(蝕刻氣體)的例子，係可使用鹵素系之氣體或O2氣體、Ar氣體等，通常在該領域中所使用的氣體。
在腔室2的底壁，係連接有排氣管16，該排氣管16，係連接於排氣裝置17。排氣裝置17，係具備有渦輪分子泵等之真空泵，且可藉由此對腔室2內減壓至預定壓力的真空環境。
又，在腔室2的側壁，係形成有用於搬入搬出基板F的搬入搬出口21，並且設置有對該搬入搬出口21進行開 關的閘閥22。
在具備有以上所說明之構成的電漿蝕刻裝置1中，在載置台3，係設置有支撐銷4，該支撐銷，係用於接收從外部所搬送來的基板F，且將基板F收授至設置於載置面3之上面的載置面。另外，在圖1以外之圖中，係將下部電極31、環狀構件32、絕緣構件33標示為一體的載置台3。
以下，在圖2所示的平面圖中，將設置有搬入搬出口21的方向設為前側，將隔著載置台3且與搬入搬出口21相反之一側的方向設為後側來加以說明。又，在圖2的載置台3，載置有基板F之載置區域(載置面)30以虛線表示。基板F，係在使長邊側與搬入搬出口21相對向的狀態下，被載置於載置區域30。
如圖1、圖2所示，在下部電極31及腔室2之底板，係設置有於上下方向貫通該些構件31、2的複數個貫通孔35，而各貫通孔35中插入有支撐銷4。
使用圖2來說明支撐銷4(貫通孔35)的配置例，在本例之載置台3中，係從與搬入搬出口21相對向之基板F的一邊(長邊)朝向另一方之一邊，沿著連結該些2邊之中點的直線a-a’，以大致等間隔配置有6根支撐銷4(圖2中，標上「1~6」之編號)。
以上述6根支撐銷4中之2號及5號的支撐銷4為交點，從左邊之基板F的一方(短邊)朝向另一方之一邊，以大致等間隔配置有5根支撐銷4(圖2中，標上 「7-8-2-9-10」及「11-12-5-13-14」之編號)。而且，在1號及6號之支撐銷4的左右兩側中，各個支撐銷4，係被設置於在前後方向上與「8-12」之支撐銷4並排的位置，及在前後方向上與「9-13」之支撐銷4並排的位置(圖2中，標上「15、17」及「16、18」之編號)。
因此，在本例之電漿蝕刻裝置1中，係形成為使用總計18根支撐銷4來支撐基板F的構成。另外，為了便於圖示，圖1所示之支撐銷4，係未形成對應於圖2所示之支撐銷4之配置狀態的配置。
如圖1、圖3所示，各支撐銷4，係形成為下述之構成：在升降棒41(該升降棒，係於上下方向貫通載置台3及腔室2之底面)之上端側的前端部設置與基板F之下面接觸而支撐該基板F的支撐構件42。
各支撐銷4，係在藉由未圖示的定位用軸襯而定位於徑方向的狀態下，插入至貫通孔35。
如圖1所示，各支撐銷4之下部，係突出於腔室2的下面側，其下端部，係連接於例如共用的升降板45。升降板45，係藉由例如配置於腔室2之下面之步進馬達等的驅動部47，而連接於往上下方向移動的桿46，且可伴隨著該桿46之上下運動而使各支撐銷4從載置台3之載置區域30突出/沒入。
在突出於腔室2之下面側之支撐銷4的下部，係分別形成有凸緣部43，在各凸緣部43，係連接有以包圍支撐銷4的方式而設置之伸縮自如之波紋管44的 下端部。各波紋管44之上端部，係連接於腔室2之底面，隨著支撐銷4之升降而伸縮，並且將各貫通孔35與波紋管44之間的間隙阻塞，而使腔室2內維持為氣密。
設置於電漿蝕刻裝置1之載置台3、支撐銷4及其升降機構(升降板45、桿46、驅動部47)，係相當於本實施形態的基板載置裝置。
又，電漿蝕刻裝置1，係如圖1所示，與整合控制其全體動作的控制部5連接。控制部5，係由具備有未圖示之CPU與記憶部的電腦所構成，在記憶部，係記錄有編入關於電漿蝕刻裝置1之動作等之步驟(命令)群的程式。該程式，係儲存於例如硬碟、光碟、磁光碟、記憶卡等之記憶媒體，且由該些被安裝於電腦。
在此，簡單地說明關於具備有以上所說明之構成之電漿蝕刻裝置1的動作。例如處理對象之基板F，係藉由外部的搬送機構，被搬送於連接有電漿蝕刻裝置1的真空搬送室內。電漿蝕刻裝置1，係將搬入搬出口21之閘閥22開啟，使搬送機構之支臂進入腔室2內，藉此，基板F，係被搬送至載置台3之上面之載置區域30的上方位置。
接下來，使各支撐銷4之上端上升至高於藉由支臂所進行之基板F之保持位置的支撐位置，從而將基板F從支臂收授至支撐銷4。另外，支撐銷4之配置位置，係設定為不與支臂干涉的位置。
基板F被收授至支撐銷4後，使支臂從腔室2退出， 藉由閘閥22來將搬入搬出口21關閉。又，使支撐銷4下降而使其退避至載置台3之上面之下方側的退避位置，藉由此，基板F被載置於載置區域30，且藉由使未圖示之靜電夾盤作動的方式，讓基板F吸附保持於載置台3。
接下來，藉由排氣裝置17對腔室2內進行真空排氣至預定壓力，從處理氣體供給部15以預定流量供給處理氣體(在本例中，係蝕刻氣體)。處理氣體，係經由處理氣體供給管14、噴頭11而被供給至腔室2內。
而且，從高頻電源24對載置台3施加高頻電力，使高頻電場產生於下部電極31與噴頭11(上部電極)之間，並使腔室2內的處理氣體電漿化。其結果，藉由已電漿化之處理氣體中之活性種的作用，對基板F執行蝕刻處理。
在僅以預定時間執行基板F之蝕刻處理後，停止從高頻電源24施加高頻電力，並且停止處理氣體之供給、腔室2內之真空排氣，而解除對載置台3之基板F的吸附固定。接下來，使支撐銷4上升至進行基板F之收授的支撐位置，將閘閥22開啟而使支臂進入基板F的下方側。然後，藉由使支撐銷4下降的方式，基板F，係從支撐銷4被收授至支臂，而往外部搬出。
在以上所說明之基板F的處理中，在支臂與載置台3之間支撐、搬送基板F的支撐銷4，係以設置於升降棒41之上端的支撐構件42來支撐基板F。
因此，如同在先前技術中所說明，伴隨著因基板F大型化所引起之重量的增加，會從各支撐銷4對基板F施加 大的力。又，為了一邊避免0.5毫米以下這樣的薄基板F之破損，一邊穩定地支撐基板，而必須降低因從支撐銷4對基板F施加力而在基板F內所產生的應力。
而且，如圖4示意所示，當藉由隔著間隔所配置之支撐銷4，來支撐大型且薄的基板F時，則基板F之未與支撐銷4接觸的區域會向下方側彎曲，而形成複數個凸面。當像這樣形成有複數個凸面的狀態下，將基板F載置於載置台3上時，則凸面(該凸面，係位於被支撐在支撐銷4之區域的周圍)之下端會先被載置於載置台3上。
當支撐於支撐銷4之區域的周圍先被載置於載置台3上時，因作用於基板F與載置區域30之間之摩擦的影響，基板F無法變形成為平坦的形狀，而導致有在基板F與載置台3之間形成間隙g的情形(圖5)。
當像這樣形成間隙g時，則利用了例如溫調氣體之基板F的冷卻會產生不均，而成為阻礙基板F面內之均一的蝕刻處理之要因。
本實施形態之支撐銷4，係具備有用以對應於上述各課題的構成。以下，說明關於其具體內容。
一開始，說明關於降低基板內所產生之應力的手法。例如以往的支撐銷4，係從突出於腔室2之下面側的下部側至與基板F之下面接觸而將此加以支撐的上部側為藉由一體的聚醯亞胺樹脂所構成。又，即使伴隨著撓曲或歪斜、加工尺寸之偏差(公差)等，在各基板F的形狀產生變 化時，亦可對應(隨著)該變化而在相同狀態下支撐基板F地，使支撐銷4之上部側之前端(上端)被加工成半球状。然而，聚醯亞胺樹脂，係即使施加支撐基板F之重量程度的力，亦幾乎不會彈性變形，因此，基板F與支撐銷4變成點接觸，而對基板F集中地施加力。
因此，本例之支撐銷4，係例如形成為下述之構造：在聚醯亞胺樹脂製之升降棒41的上部，設置硬度小於聚醯亞胺樹脂且可彈性變形之彈性構件例如氟系之合成橡膠製的支撐構件42(圖3)。
構成支撐構件42之合成橡膠的硬度，雖根據基板F之強度或施加至基板F的力、支撐銷4加以支撐基板F的位置等而有所不同，但例如使用以JIS K6253(硬度計型A)為30~90之範圍的例如50~70者。
如圖3所示，由於支撐構件42之前端部，係被加工成大致半球狀，因此，在從支臂將基板收授至支撐銷4時，各支撐構件42，係與基板F之下面點接觸。然後，當進一步使支撐銷4上升並對支撐構件42施加基板F之荷重時，支撐構件42會彈性變形，且支撐構件42與基板F的接觸面積擴大。
其結果，可分散從支撐構件42(支撐銷4)施加至基板F的力，從而降低基板F內所產生的應力。又，藉由將支撐構件42之前端加工成半球状，且因應從基板F施加之荷重來使支撐構件42變形的方式，相較於例如事先將該前端加工為平坦面狀的情形，可隨著因撓曲或歪斜 等所引起之基板F的形狀之變化，而在相同的狀態下保持基板F。
接下來，參閱圖6~圖10，說明關於一邊抑制使用圖5所說明之間隙g的形成，一邊將基板F載置於載置台3上的手法。
為了解決上述課題，而在本例之支撐銷4中，因應支撐基板F的位置，使構成支撐構件42之合成橡膠的硬度改變。圖6，係表示載置區域30中之支撐構件42(42a~42c)之配置位置與合成橡膠之硬度的對應關係之說明圖；圖7，係表示圖6所示之陰影線及符號與合成橡膠之硬度的關係之說明圖。
如圖6所示，在本例中，關於標上「3-4」之編號的支撐構件42c，係使用硬度最低(軟)的合成橡膠，該支撐構件42c，係支撐基板F之中央部側，沿著已述之直線a-a’而配置。
接下來，標上「8-2-9-13-5-12」之編號的支撐構件42b(由一點鏈線連結所示)，係使用具有中程度硬度的合成橡膠，該支撐構件42b，係以從外側包圍該些中央部之支撐構件42c的方式，配置成環狀。
而且，標上「15-1-16-10-14-18-6-17-11-7」之編號的支撐構件42a(由短虛線連結所示)，係使用硬度最高(硬)的合成橡膠，該支撐構件42a，係以從外側包圍該些中央側之支撐構件42c、42b的方式，配置成環狀，且配置於基板F之外周緣附近位置。
如此一來，在本例的載置台3中，係配置成：支撐構件42a~42c之合成橡膠的硬度，係依順序從基板F之中央部側朝向周緣部側變高。
參閱圖8~圖10，說明關於使用上述構成之支撐銷4，將基板F載置於載置台3的動作。在該些圖中，係表示配置於直線a-a’上之標上「1~6」之編號的支撐銷4。
在本例中，標上「1~6」之編號之支撐銷4的支撐位置，係設定成：支撐構件42a~42c上端之高度成為大致相同的高度位置。為了便於理解地表示此，而在圖8中表示不支撐基板F而使支撐銷4上升至支撐位置時的狀態。
當基板F被支撐於該些支撐銷4上時，則如圖9所示，各支撐構件42a~42c，係受到來自基板F之荷重而彈性變形，且該些支撐構件42a~42c與基板F之接觸面積擴大，而分散施加至基板F的力。
又，以使支撐構件42a~42c之硬度越往基板F之中央部側越低，且朝向周緣部側依順序變高的方式配置支撐銷4，藉由此，中央部側之支撐構件42c的變形量會變大，另一方面，越往周緣部側，支撐構件42b、42a的變形量變得越小。
其結果，如圖9所示，基板F，係在中央部側比周緣部側更向下方側彎曲之凸形狀的狀態下，被支撐於載置台3(載置區域30)的上方側。
另外，如圖9所示之支撐基板F之各支撐構件 42a~42c的形狀，係為了說明支撐構件42a~42c的變形量因應支撐銷4之配置位置而不同的情形，而示意地表示者，並非表示實際的變形形狀者。
在圖9所示的狀態下將基板F支撐於支撐銷4後，使驅動部47作動，並使所有支撐銷4同時以相同速度逐漸下降。如此一來，朝向下方側最突出之基板F之下面側的中央部，係先與載置台3接觸。而且，當進一步使支撐銷4下降時，與載置台3接觸之基板F的下面，係從基板F之中央部側朝向周緣部側逐漸擴展。
該結果，如使用圖4、圖5所說明的，可一邊避免間隙g之形成，一邊將基板F載置於載置台上，而不會發生支撐於支撐銷4之位置之周圍的複數個區域先被載置於載置台3上這樣的狀況(圖10)。
根據設置於電漿蝕刻裝置1之本實施形態之基板載置裝置(載置台3、支撐銷4或其升降機構(升降板45、桿46等))，具有以下效果。由於使用具備有支撐構件42的支撐銷(該支撐構件，係藉由作為彈性構件之合成橡膠所構成，並在從下面側支撐基板F時彈性變形，且與基板F之接觸面積擴大)來支撐基板F，因此，即使為0.5毫米以下的薄基板F，亦可一邊分散從支撐銷4施加至基板F的力，一邊執行載置至載置台3的動作。
在此，並非必須在所有的支撐銷4設置可彈性變形的支撐構件42。
在圖11中，係表示在與圖2所說明之例子相同之支 撐銷4的配置例中，僅在支撐易發生破損等之基板F之周緣部的支撐銷4，設置可彈性變形之支撐構件42的例子。在圖11所示的例子中，配置有具備支撐構件42之支撐銷4的位置，係被設定成例如下述之位置：從基板F之外周緣至基板F與支撐構件42之接觸面之中心的距離w為30毫米以內的範圍，較佳的是20毫米以內的範圍，更佳的10毫米以內的範圍。
另外，為了加以區別，而在圖11~圖13的說明中，對未設置支撐構件42的支撐銷4標示「4a」的符號。
又，使用圖12、圖13說明關於如下手法：在具備未設置有支撐構件42之支撐銷4a的載置台3，一邊抑制使用圖5所說明之間隙g的形成，一邊進行將基板F載置於載置台3。
如上述，未設置支撐構件42之例如聚醯亞胺樹脂製之支撐銷4a的上端部，係因幾乎不會彈性變形，因此，難以如使用圖9所說明的，利用基板F之重量來形成凸形狀(該凸形狀，係在中央部側比周緣部側更向下方側彎曲)。
因此，在本例之載置台3中，係如圖12所示，成為如下之設定：在使支撐銷4a、4上升至支撐位置時，各支撐銷4a、4之前端部會到達不同的高度位置。而且，當以該些支撐銷4a、4來支撐基板F時，則如圖13所示，以使該基板F之形狀形成為凸形狀(該凸形狀，係在中央部側比周緣部側更向下方側彎曲)的方式，來事先 設定各支撐銷4a、4之前端部所到達的高度位置。亦即，支撐銷4a之上端的高度，係變得低於在載置基板F時已彈性變形之支撐銷4之上端的高度。該結果，與使用圖9、圖10所說明的例子相同，可一邊抑制間隙g之形成，一邊將基板F載置於載置台3上。
如圖12所示，以使各支撐銷4a、4之前端部到達不同高度位置的方式而進行調節的手法，係亦可將不同長度之支撐銷4a、4連接於圖1所示之共用的升降板45。又，例如亦可在相同長度之支撐銷4a、4設置各個升降機構，使距離(該距離，係使各支撐銷4a、4從待機位置上升之距離)改變。在後者的情形下，亦可僅以變更高度距離的設定，來改變基板F被支撐於支撐銷4a、4時之基板F的形狀。
而且，如圖12、圖13所示之例子，即使藉由在支撐位置使各支撐銷4a、4之前端部所到達之高度位置改變的方式，使成為在中央部側比周緣部側更向下方側彎曲之狀態來支撐基板F時，亦可在所有的支撐銷4設置支撐構件42。此時，如上述，亦可考慮基板F之周緣部側比中央部側更易發生破損等之情形，與使用圖6、圖7所說明的例子相反地，使周緣部側之支撐構件42的硬度變低(軟)，或使中央部側之支撐構件42的硬度變高。
其中，當然亦可使所有支撐銷4的硬度相同。
又，支撐構件42並不限於使用半球形狀者的情形，亦可例如圖14(a)之支撐銷4b所示，以半圓板形狀 之支撐構件42d的頂部來支撐基板F，或亦可如圖14(b)之支撐銷4c所示，以半圓筒形狀之支撐構件42e的側周面來支撐基板F。
而且，支撐銷4(支撐構件42)之配置位置，係不限定於以圖6所示之18根支撐銷4來支撐基板F的例子，當然亦可增減支撐銷4之設置數，又配置於不同的配置位置。
而且，可應用具備有以上所說明之構成之基板載置裝置(載置台3、支撐銷4或其升降機構)的基板處理裝置，係並不限定於電漿蝕刻裝置1的例子。亦可應用於去除形成於基板F上之光阻膜的電漿灰化裝置或對基板F進行成膜之電漿CVD(Chemical Vapor Deposition)裝置、熱CVD裝置等。
1‧‧‧電漿蝕刻裝置
2‧‧‧腔室
3‧‧‧載置台
4‧‧‧支撐銷
5‧‧‧控制部
11‧‧‧噴頭
12‧‧‧氣體擴散空間
13‧‧‧吐出孔
14‧‧‧處理氣體供給管
15‧‧‧處理氣體供給部
16‧‧‧排氣管
17‧‧‧排氣裝置
21‧‧‧搬入搬出口
22‧‧‧閘閥
23‧‧‧整合器
24‧‧‧高頻電源
31‧‧‧下部電極
32‧‧‧環狀構件
33‧‧‧絕緣構件
35‧‧‧貫通孔
41‧‧‧升降棒
42‧‧‧支撐構件
43‧‧‧凸緣部
44‧‧‧波紋管
45‧‧‧升降板
46‧‧‧桿
47‧‧‧驅動部
F‧‧‧基板

Claims (8)

  1. 一種基板載置裝置，其特徵係，具備有：載置台，具備有載置具有0.5毫米以下之厚度尺寸之基板的載置面；複數個支撐銷，設置為於上下方向貫通前述載置台，且從下面側支撐基板；及升降機構，使前述複數個支撐銷在支撐位置(該支撐位置，係在前述載置面的上方側支撐基板)與該載置面之下方側的退避位置之間升降，在前述複數個支撐銷之至少1個的前端部設置有彈性構件，該彈性構件，係在從下面側支撐基板時彈性變形，且與基板之接觸面積擴大。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板載置裝置，其中，前述基板，係全周為4公尺以上的矩形基板。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板載置裝置，其中，以在中央部側比周緣部側更向下方側彎曲的狀態下加以支撐基板的方式，設置於支撐該基板之中央部側之支撐銷之前端部之彈性構件的硬度，係低於設置於支撐前述基板之周緣部側之支撐銷之前端部之彈性構件的硬度。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之基板載置裝置，其中，以在中央部側比周緣部側更向下方側彎曲的狀態下加以支撐基板的方式，前述支撐位置，係被設定為：支撐該 基板之中央部側之支撐銷之前端部的高度位置低於支撐前述基板之周緣部側之支撐銷之前端部的高度位置，前述彈性構件，係至少設置於被配置在基板之最周緣部側的支撐銷。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板載置裝置，其中，設置於支撐該基板之中央部側之支撐銷之前端部之彈性構件的硬度，係高於設置於支撐前述基板之周緣部側之支撐銷之前端部之彈性構件的硬度。
  6. 如申請專利範圍第4或5項之基板載置裝置，其中，前述配置於最周緣部側的支撐銷，係被配置於自基板之外周緣起算距離為30毫米以內的位置。
  7. 如申請專利範圍第1~6項中任一項之基板載置裝置，其中，前述基板，係玻璃基板。
  8. 一種基板處理裝置，其特徵係，具備有：如申請專利範圍第1~7項中任一項之基板載置裝置；處理容器，收容有前述基板載置裝置的載置台；及處理氣體供給部，對前述處理容器供給基板之處理氣體。
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