JP2011211067A - 基板処理装置及びそれに用いられる基板離脱装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の位置ずれを発生させることなく，基板の裏面のキズやパーティクルの発生を防止する。
【解決手段】 基板載置台１２０の表面から突没自在に設けられ，基板載置台から基板を持ち上げて脱離させる複数のリフトピン２００と，これらリフトピンを昇降させるリフタとを備え，各リフトピンは，その先端が一方向に可動するように構成し，その可動方向が，加熱された基板を各リフトピンで持ち上げたときにその基板が冷えて収縮する方向と一致する向きに配置した。
【選択図】 図３

Description

本発明は，載置台に載置された基板をリフトピンで持ち上げて離脱する基板処理装置及びそれに用いられる基板離脱装置に関する。

半導体ウエハやガラス基板等の基板に対して成膜，エッチング等の所定の処理を行う基板処理装置では，例えば基板を処理室内に搬送アームなどにより搬入し，載置台上に載置した状態でエッチング等の処理を実行し，処理が終了すると，例えば昇降自在に設けられたリフトピンで基板を持ち上げて載置台から脱離し，搬送アームなどにより搬出するようになっている（例えば下記特許文献１，２参照）。

特開平１０−３０８３４８号公報 特開２００３−１９７７１９号公報

ところで，基板の処理によっては，載置台上の基板が高温に加熱される場合がある。この場合，基板が高温のため，処理が終了しても直ぐに搬送アームなどで搬送できないため，リフトピンで基板を持ち上げたまま放置冷却する必要がある。このとき，基板は，リフトピンで持ち上げられて載置台から離脱すると，急速に冷却されるので半径方向に収縮する。

このとき，基板の裏面にはリフトピンの先端が接触しているので，もし特許文献１のようにリフトピンの先端が可動しなければ基板の収縮によってリフトピンの先端が引きずられ，基板の裏面にキズやパーティクルが発生する要因となる。このように基板の裏面にキズやパーティクルが発生すると，その後の処理に影響を与える虞がある。

例えば露光工程においては，露光装置内の載置台に基板を載置して，基板の表面に回路パターンを露光することになる。このとき，裏面にキズやパーティクルがある基板を載置台に載置すると，基板が傾いたり，歪んだりするので，露光の際にデフォーカスが発生する虞がある。また，近年のデバイス製造では多工程で処理されるので，他の工程でさらに成膜する場合に，基板の裏面にまで成膜されることもあり，そのときにキズやパーティクルがあると，その上から成膜されてしまってキズやパーティクルが拡大してしまう虞もある。

また，たとえリフトピンの先端が可動するようになっていても，特許文献２のように先端がどの方向にも可動するように構成すると，搬送アームなどでリフトピン上にウエハＷを載せるときや，ウエハＷを持ち上げるときにリフトピンの先端が動いて位置ずれを発生する虞がある。

このように，従来は特許文献１，２にもあるように，専ら載置台やプレートの熱膨張によりリフトピンとそれを挿入する孔とのズレを解消する点が注目されており，基板の収縮には対応しきれていないのが現状である。

そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，基板の収縮によってリフトピンの先端が引きずられることに起因して基板の裏面にキズやパーティクルが発生することを防止できる基板処理装置等を提供することにある。

上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，基板載置台に載置された基板を加熱して所定の処理を施す基板処理装置であって，前記基板載置台に載置された基板を加熱する加熱部と，前記基板載置台の表面から突没自在に設けられ，前記基板載置台から前記基板を持ち上げて脱離させる複数のリフトピンと，前記複数のリフトピンを昇降させるリフタと，を備え，前記各リフトピンは，その先端が一方向に可動するように構成し，その可動方向が，加熱された前記基板を前記各リフトピンで持ち上げたときにその基板が冷えて収縮する方向と一致する向きに配置したことを特徴とする基板処理装置が提供される。

上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，基板載置台に載置された基板に所定の処理を施す基板処理装置において基板載置台から基板を離脱させる基板離脱装置であって，前記基板載置台の表面から突没自在に設けられ，前記基板載置台から前記基板を持ち上げて脱離させる複数のリフトピンと，前記複数のリフトピンを昇降させるリフタと，を備え，前記各リフトピンは，その先端が一方向に可動するように構成し，その可動方向が，加熱された前記基板を前記各リフトピンで持ち上げたときにその基板が冷えて収縮する方向と一致する向きに配置したことを特徴とする基板離脱装置が提供される。

また，上記各リフトピンは，例えば先端部を棒状に構成し，その先端部を傾動自在に支持する支持部を設け，その傾動方向が前記基板の収縮方向と一致する向きに配置する。この場合，上記先端部は，その中間にくびれ部を有する棒状に構成し，前記支持部は，前記くびれ部を挟むように前記先端部を支持することで，前記先端部が一方向に傾動するように構成してもよい。また，上記先端部と前記支持部の両方を棒状に構成し，前記支持部は，くびれ部を有する弾性部材を介して前記先端部を支持することで，前記先端部が一方向に傾動するように構成してもよい。

また，上記各リフトピンは，その先端に転動部材を転動自在に軸支し，その転動方向が前記基板の収縮方向と一致する向きに配置してもよい。この場合，上記転動部材は，例えばボール又はコロで構成してもよい。

本発明によれば，リフトピンの先端を基板の収縮に応じて必要最小限に可動させることができるので，基板の位置ずれを発生させることなく，基板の裏面のキズやパーティクルの発生を防止できる。

本発明の実施形態を示す基板処理装置の構成例を示す断面図である。 同実施形態におけるリフトピンの構成例を示す断面斜視図である。 図２に示す構成の各リフトピンの配置を説明するための斜視図である。 図２に示すリフトピンの作用説明図である。 図２に示すリフトピンの作用説明図である。 同実施形態におけるリフトピンの変形例を説明するための正面図である。 同実施形態におけるリフトピンの他の構成例を説明するための断面図である。 図６に示す転動部材としてボールを用いた場合の構成を説明するための斜視図である。 図６に示す転動部材としてコロを用いた場合の構成を説明するための斜視図である。 図６に示すリフトピンの作用説明図である。 図６に示すリフトピンの作用説明図である。

以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

（基板処理装置）
先ず，本発明にかかる基板処理装置の構成例を図面を参照しながら説明する。図１は，本実施形態にかかる基板処理装置の構成例を示す断面図である。基板処理装置１００は，半導体ウエハ（以下，単に「ウエハ」とも称する）Ｗに対してエッチング，成膜などのプラズマ処理を施すプラズマ処理装置を例に挙げて説明する。図１は，本実施形態にかかるプラズマ処理装置の概略構成を示す縦断面図である。

図１に示すように，基板処理装置１００は，アルミニウム等の導電性材料からなる処理室（チャンバ）１０２を備える。処理室１０２は例えば上部に開口部を有する円筒状の容器本体１０３と，この容器本体１０３の開口部を開閉可能に閉塞する円板状の天井部（蓋部）１０５とを備える処理容器から構成される。天井部１０５は容器本体１０３にボルトなどの締結部材により脱着自在に気密に取付けられる。処理室１０２はグランドに接地されている。

また，天井部１０５と容器本体１０３の間にはＯリングなどのシール部材１１４が介在されている。これにより，天井部１０５と容器本体１０３との間はより高い気密性が確保される。なお，処理室１０２の形状は円筒状に限られるものではない。例えば角筒状（例えば箱状）であってもよい。

処理室１０２内には，ウエハＷを載置する載置台１２０を構成する円柱状の下部電極（サセプタ）１２２と，この下部電極１２２に対向して配設され，処理ガスやパージガスなどを導入するシャワーヘッドを構成する上部電極１１０とを備える。

下部電極１２２は，例えばアルミニウムからなり，絶縁性の筒状保持部１２４を介して処理室１０２の底部に設けられる。下部電極１２２は，ウエハＷの外径に合わせて円柱状に形成される。なお，下部電極１２２の形状についても円柱状に限られるものではない。例えば角柱状（例えば多角柱状）であってもよい。

下部電極１２２には第１高周波電源１５０が整合器１５２を介して接続され，上部電極１１０には上記第１高周波電源１５０より周波数の高い第２高周波電源１６０が整合器１６２を介して接続されている。なお，図１に示すように整合器１５２と下部電極１２２との間には第２高周波電源１６０から下部電極１２２に流入する高周波電流を濾過するハイパスフィルタ（ＨＰＦ）１５４が介在することが好ましい。また，整合器１６２と上部電極１１０との間には第１高周波電源１５０から上部電極１１０に流入する高周波電流を濾過するローパスフィルタ（ＬＰＦ）１６４が介在することが好ましい。

上部電極１１０は，その周縁部を被覆するシールドリング１１２を介して処理室１０２の天井部１０５に取り付けられている。上部電極１１０は，内部に拡散室１１５を有するとともに，載置台１２０と対向する下面には処理ガスを吐出する多数の吐出孔１１６が形成されている。

上部電極１１０には処理室１０２内での処理に必要なガスを供給する処理ガス供給部１１８がガス導入口１１７に接続されている。処理ガス供給部１１８は，例えば処理室１０２内でのウエハＷのプロセス処理や処理室１０２内のクリーニング処理などに必要な処理ガスやパージガスなどを供給するガス供給源，ガス供給源からのガスの導入を制御するバルブ及びマスフローコントローラ（ＭＦＣ）を有するガスラインから構成される。

このような処理ガス供給部１１８によれば，ガス供給源からの処理ガスがマスフローコントローラにより所定の流量に制御されて，ガス導入口１１７から上部電極１１０に供給される。そして，処理ガスは上部電極１１０の拡散室１１５内で拡散して各吐出孔１１６から処理室１０２内に供給される。

なお，処理ガス供給部１１８のガスラインは単一であってもよく，また複数であってもよい。この場合，複数のガスラインはそれぞれ異なる種類の処理ガスを供給するように構成してもよく，また同じ種類の処理ガスを供給するように構成してもよい。このような処理ガスとしては，例えばエッチングガスや成膜ガスなど，ウエハＷの処理に応じて適切な処理ガスが用いられる。

載置台１２０の表面には，ウエハＷを例えば４００℃以上の高温に加熱する加熱部１２６が設けられている。加熱部１２６にはヒータ１２８が設けられ，ヒータ１２８はヒータ電源１２９に接続され，ヒータ電源１２９は後述する制御部１４０により予め設定された温度（例えば４５０℃）に制御されるようになっている。

載置台１２０には，ウエハＷをリフトピン（リフタピン，支持ピン）２００で持ち上げて載置台１２０の表面から脱離させるリフタ（基板離脱装置）１３０を備える。リフタ１３０は，複数（例えば３本）のリフトピン２００を起立した状態で支持するベース１３４と，ベース１３４をロッド１３６に取り付けて昇降させるアクチュエータ１３８とで構成される。例えばアクチュエータ１３８はボールネジなどのロッド１３６を昇降させるモータで構成する。なお，リフタ１３０の構成はこれに限られるものではなく，リフタ１３０を例えばエアシリンダやリニアモータを用いた昇降機構で構成してもよい。

リフトピン２００は，下部電極１２２の下方から鉛直上方に延びて加熱部１２６の上面から突没自在に設けられる。具体的には各リフトピン２００は，下部電極１２２と加熱部１２６とを貫通して形成される孔部にそれぞれ挿入され，ベース１３４の昇降動作に応じて載置台１２０の上面から突没するようになっている。

ベース１３４は例えば円板状又は環状に形成され，その上部にリフトピン２００が等間隔に並ぶように取り付けられる。なお，これらリフトピン２００の数は３本に限られるものではない。このようなリフタ１３０によってリフトピン２００をベース１３４で一斉に上昇させることでウエハＷを平行に持ち上げて載置台１２０から脱離させることができる。

なお，載置台１２０には，その表面に載置されたウエハＷを直流電圧を印加して発生した静電吸着力で吸着保持する静電チャック，静電チャックの上面とウエハＷの裏面との間に熱伝達促進用の伝達ガス（Ｈｅガスなど）を供給する伝熱ガス供給機構，冷媒流路などの温度調整機構等，必要に応じて様々な機能を設けることができる。また，筒状保持部１２４の上面には，ウエハＷを環状に囲む例えば石英やシリコンからなる図示しないフォーカスリングを配置してもよい。

処理室１０２の側壁には基板搬入出口１０４を開閉するためのゲートバルブ１０６が設けられている。また，処理室１０２の側壁の下方には排気口が設けられ，排気口には排気管１０８を介して真空ポンプ（図示せず）を含む排気部１０９が接続される。この排気部１０９により処理室１０２の室内を排気することによって，プラズマ処理中に処理室１０２内を所定の真空雰囲気に維持することができる。

基板処理装置１００には，図示しない制御部（全体制御装置）１４０が接続されており，この制御部１４０によって基板処理装置１００の各部が制御されるようになっている。また，制御部１４０には，オペレータが基板処理装置１００を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや，基板処理装置１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなる操作部などが接続されている。

また，制御部１４０には，基板処理装置１００で実行される各種処理を制御部１４０の制御にて実現するためのプログラムやプログラムを実行するために必要な処理条件（レシピ）などが記憶された記憶部が接続されている。なお，これらのプログラムや処理条件はハードディスクや半導体メモリに記憶されていてもよく，またＣＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ等の可搬性のコンピュータにより読み取り可能な記憶媒体に収容された状態で記憶部の所定位置にセットするようになっていてもよい。

制御部１４０は，操作部からの指示等に基づいて所望のプログラム，処理条件を記憶部から読み出して各部を制御することで，基板処理装置１００での所望の処理を実行する。また，操作部からの操作により処理条件を編集できるようになっている。

このような構成の基板処理装置１００では，ウエハ処理として例えば成膜処理を実行する場合，図示しない搬送アームなどによりウエハＷを処理室１０２内へ搬入し，載置台１２０上に載置させる。次いで，制御部１４０はヒータ１２８を制御してウエハＷを予め設定された温度（例えば４００℃）に加熱する。このとき，処理ガス供給部１１８により処理室１０２内に所定の処理ガスを導入し，排気部１０９により処理室１０２内を排気することにより，処理室１０２内を所定の真空圧力に減圧する。

このように所定の真空圧力を維持した状態で，第１高周波電源１５０から下部電極１２２に例えば２ＭＨｚの第１高周波電力を印加するとともに，第２高周波電源１６０から上部電極１１０に例えば６０ＭＨｚの第２高周波電力を印加することにより，第２高周波電力の働きで下部電極１２２と上部電極１１０との間に処理ガスのプラズマが発生するとともに，第１高周波電力の働きで下部電極１２２にセルフバイアス電位が発生する。

これにより，下部電極１２２上のウエハＷに対して例えば成膜などのプロセス処理を実行することができる。プロセス処理が終了すると，加熱部１２６のヒータ１２８をオフし，リフタ１３０を駆動してリフトピン２００でウエハＷを持ち上げて載置台１２０の表面から脱離させる。そして，図示しない搬送アームなどでウエハＷを搬送する。

ところが，ウエハＷが高温に加熱されている場合は，直ぐに搬送アームなどで搬送できないため，リフトピン２００で持ち上げたまま放置冷却する。すなわち，ウエハＷはリフトピン２００で持ち上げられると，載置台１２０から離脱するので急速に冷却される。このため，ウエハＷはリフトピン２００の先端が接触した状態で半径方向に収縮する。

従って，もしリフトピン２００の先端が可動しなければ，ウエハＷの裏面はリフトピン２００の先端が引きずられてキズがついたり，パーティクルが発生したりしてしまう。この場合，リフトピン２００の先端が可動するように構成すればよいが，どの方向にも可動するように構成すると，搬送アームなどでリフトピン２００上にウエハＷを載せるときや，ウエハＷを持ち上げるときにリフトピン２００の先端が動いて位置ずれを発生する虞もある。

そこで，本実施形態における各リフトピン２００は，その先端が一方向に可動するように構成している。しかも，各リフトピン２００は，その先端の可動方向が，加熱されたウエハＷを各リフトピン２００で持ち上げたときにそのウエハＷが冷えて収縮する方向と一致する向きに配置する。

これによれば，各リフトピン２００で持ち上げたウエハＷが冷えて収縮しても，各リフトピン２００の先端はそれぞれそのウエハＷの収縮に応じてその可動方向に傾動する。これにより，ウエハＷの裏面は各リフトピン２００の先端が引きずられなくなるので，ウエハＷの裏面のキズやパーティクルの発生を防止できる。

また，各リフトピン２００は例えば後述する図３に示すように環状に配設されており，その先端の可動方向はウエハＷが収縮する径方向であるので，各リフトピン２００の可動方向が同一方向になることはない。このため，各リフトピン２００でウエハＷを載せたり，持ち上げたりするときに位置ずれが発生することを防止できる。

（リフトピンの具体的構成例）
次に，このような本実施形態にかかるリフトピン２００の具体的構成例を説明する。先ず，棒状の先端部を傾動自在に設けたリフトピン２００の構成例について図面を参照しながら説明する。図２は，リフトピンの構成を説明するための断面斜視図である。図３は各リフトピンの配置を説明するための斜視図である。図４Ａ，図４Ｂは，リフトピンの作用説明図である。

図２に示すリフトピン２００は，棒状の先端部２１０と，その先端部２１０を一方向に傾動自在に支持する支持部２２０とで構成したものである。先端部２１０は，その中間に両側面からつぶしたような形状のくびれ部２１２を形成し，支持部２２０の先端に設けた挟持部２２２でくびれ部２１２を挟むように支持する。これにより，先端部２１０は挟持部２２２を軸としてくびれた方向にのみ傾動する。

リフトピン２００は，先端部２１０の傾動方向が，ウエハＷの収縮方向と一致する向きになるように配置する。具体的には，図３に示す矢印のようにウエハＷの各部位は半径方向に中心に向かって収縮するので，各リフトピン２００も先端部２１０がウエハＷの中心部に向けて傾動する向きになるように，各リフトピン２００の支持部２２０の下端を図１に示すベース１３４に固定する。

このようなリフトピン２００によれば，図４Ａに示すようにリフトピン２００でウエハＷを持ち上げたときに，図４Ｂに示すようにウエハＷが収縮すると，リフトピン２００の先端部２１０はウエハＷの収縮に応じてその収縮方向に傾動する。これにより，ウエハＷの裏面はリフトピン２００の先端が引きずられなくなるので，キズやパーティクルの発生を防止できる。

また，各リフトピン２００の先端は，ウエハＷの収縮方向に傾動するので，先端がいずれの方向にも傾くように構成した場合とは異なり，各リフトピン２００でウエハＷを載せたり，持ち上げたりするときに位置ずれが発生することを防止できる。

なお，リフトピン２００の構成は，図２に示す構成に限られるものではない。例えば図５に示すように，先端部２１０と支持部２２０の両方を棒状に構成し，支持部２２０は，くびれ部２１２を有する弾性部材２３０を介して先端部２１０を支持することで，先端部２１０が傾動するように構成してもよい。弾性部材２３０の材質としては例えばゴムやバネなどの他，エラストマーなどの弾性を有する化合物が挙げられる。

次に，先端に転動部材を設けたリフトピン２００の構成例について図面を参照しながら説明する。図６は，転動部材を設けたリフトピンの構成を説明するための断面図である。図６に示すリフトピン２００は，その先端に転動部材２４０を一方向に転動自在に軸支し，その転動方向が前記基板の収縮方向と一致する向きに配置した。ここでは，転動部材２４０の中心を通る軸２４２で軸支している。転動部材２４０としては，例えば図７に示すようにボールを用いてもよく，また図８に示すようにコロを用いるようにしてもよい。

このような図６に示すリフトピン２００によれば，図９Ａに示すようにリフトピン２００でウエハＷを持ち上げたときに，図９Ｂに示すようにウエハＷが収縮すると，リフトピン２００の先端の転動部材２４０はウエハＷの収縮に応じてその収縮方向に軸を中心にして転動する。これにより，ウエハＷの裏面はリフトピン２００の先端が引きずられなくなるので，キズやパーティクルの発生を防止できる。

また，各リフトピン２００の先端の転動部材２４０は，ウエハＷの収縮方向に転動するので，先端がいずれの方向にも傾くように構成した場合とは異なり，各リフトピン２００でウエハＷを載せたり，持ち上げたりするときに位置ずれが発生することを防止できる。なお，上記実施形態では，リフトピン２００の先端に転動部材２４０を軸支して取り付けた場合を説明したが，転動部材２４０の取付方法はこれに限られるものではない。

以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

例えば本発明はリフトピンで持ち上げて基板を載置台から離脱させる基板処理装置であれば，成膜装置のみならず，エッチング装置，アッシング装置，熱処理装置など様々な基板処理装置に適用できる。

本発明は，載置台に載置された基板をリフトピンで持ち上げて離脱する基板処理装置及びそれに用いられる基板離脱装置に適用可能である。

１００ 基板処理装置
１０２ 処理室
１０３ 容器本体
１０４ 基板搬入出口
１０５ 天井部
１０６ ゲートバルブ
１０８ 排気管
１０９ 排気部
１１０ 上部電極
１１２ シールドリング
１１４ シール部材
１１５ 拡散室
１１６ 吐出孔
１１７ ガス導入口
１１８ 処理ガス供給部
１２０ 載置台(基板載置台)
１２２ 下部電極
１２４ 筒状保持部
１２６ 加熱部
１２８ ヒータ
１２９ ヒータ電源
１３０ リフタ
１３４ ベース
１３６ ロッド
１３８ アクチュエータ
１４０ 制御部
１５０ 第１高周波電源
１５２ 整合器
１５４ ハイパスフィルタ（ＨＰＦ）
１６０ 第２高周波電源
１６２ 整合器
１６４ ローパスフィルタ（ＬＰＦ）
２００ リフトピン
２１０ 先端部
２１２ くびれ部
２２０ 支持部
２２２ 挟持部
２３０ 弾性部材
２４０ 転動部材
２４２ 軸
Ｗ ウエハ

Claims (7)

1. 基板載置台に載置された基板を加熱して所定の処理を施す基板処理装置であって，
   前記基板載置台に載置された基板を加熱する加熱部と，
   前記基板載置台の表面から突没自在に設けられ，前記基板載置台から前記基板を持ち上げて脱離させる複数のリフトピンと，
   前記複数のリフトピンを昇降させるリフタと，を備え，
   前記各リフトピンは，その先端が一方向に可動するように構成し，その可動方向が，加熱された前記基板を前記各リフトピンで持ち上げたときにその基板が冷えて収縮する方向と一致する向きに配置したことを特徴とする基板処理装置。
2. 前記各リフトピンは，先端部を棒状に構成し，その先端部を傾動自在に支持する支持部を設け，その傾動方向が前記基板の収縮方向と一致する向きに配置したことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記先端部は，その中間にくびれ部を有する棒状に構成し，
   前記支持部は，前記くびれ部を挟むように前記先端部を支持することで，前記先端部が一方向に傾動するように構成したことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記先端部と前記支持部の両方を棒状に構成し，
   前記支持部は，くびれ部を有する弾性部材を介して前記先端部を支持することで，前記先端部が一方向に傾動するように構成したことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
5. 前記各リフトピンは，その先端に転動部材を転動自在に軸支し，その転動方向が前記基板の収縮方向と一致する向きに配置したことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
6. 前記転動部材は，ボール又はコロであることを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
7. 基板載置台に載置された基板に所定の処理を施す基板処理装置において基板載置台から基板を離脱させる基板離脱装置であって，
   前記基板載置台の表面から突没自在に設けられ，前記基板載置台から前記基板を持ち上げて脱離させる複数のリフトピンと，
   前記複数のリフトピンを昇降させるリフタと，を備え，
   前記各リフトピンは，その先端が一方向に可動するように構成し，その可動方向が，加熱された前記基板を前記各リフトピンで持ち上げたときにその基板が冷えて収縮する方向と一致する向きに配置したことを特徴とする基板離脱装置。
   

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