JP3816734B2 - 基板洗浄装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば液晶ディスプレイ(LCD)用ガラス基板等の矩形基板に洗浄液を供給して洗浄処理を施す基板洗浄装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば、液晶表示ディスプレイ(LCD)のフォトリソグラフィー工程においては、一般的にスピンナ型と呼ばれる液処理装置を用いて、矩形の被処理基板であるLCD基板を静止した状態で、または面内で回転させながら、所定の処理液を供給して、洗浄、レジスト塗布、現像等の液処理が行われる。
【0003】
ここで、LCD基板のような矩形の基板を保持するチャックとしては、従来、基板形状に合わせて矩形の支持プレートを用いたものが使用されていた。また、基板を搬送する搬送手段とチャックとの間での基板の受け渡しは、チャック上で基板を昇降させるように駆動されるリフトピンを用いて行われている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年、生産の効率化等を目的として基板が大面積化されるに伴って、従来のように基板形状に合わせた矩形の支持プレートを用いたチャックを使用して液処理を行った場合には、チャックの回転中心から支持プレートの端部までの距離が部分的に異なるために、チャックの回転処理時にぶれや振動の発生が顕著に現れるようになってきた。このようなぶれや振動の発生は液処理の均一性を妨げて基板の品質を低下させ、また、歩留まりを低下させる原因となる。
【0005】
また、基板を搬送する搬送手段とチャックとの間での基板の受け渡しを行うために、チャック上で基板を昇降させるリフトピンについては、基板の大面積化に伴って、基板を支持したときに基板の撓み等によってリフトピンの先端が所定位置において基板を支持することができずに、こうして生ずる位置ずれによって、リフトピンからチャックまたは搬送手段への受け渡しに支障が生ずることがあった。
【0006】
さらに、従来のリフトピンの先端部は、基板との接触面の面積が小さくなるようにテーパーが形成された円柱部材を台座に固定した構造を有しており、かつ、円柱部材の高さが短いものであった。この場合に、テーパー部や台座と基板との間に処理液が付着しても流れ落ちずに、基板に処理液痕が生じ、品質を低下させる問題があった。
【0007】
なお、従来の液処理装置においては、所定の処理液を供給しながら行う液処理の後に、基板を乾燥のために回転させる際に、基板の下面の乾燥を促進するために、基板の周縁に配置されたガス供給機構から基板の下面に向けて窒素ガス等の乾燥ガスを噴射していた。しかし、このような方法ではガスが均一に基板の下面を流れず、乾燥処理が不均一となり、また、乾燥処理に長い時間を要していた。
【0008】
本発明はかかる従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、基板回転時のぶれや振動の発生を抑制した基板洗浄装置を提供することを目的とし、また、リフトピンの基板保持性能を高めることにより、チャックと搬送手段との間での基板の受け渡しを正確に行うことができる基板洗浄装置を提供することを目的とする。また、基板への洗浄液痕の発生を低減した基板洗浄装置を提供することを目的とし、基板の乾燥処理を均一にしかも短時間で行うことができる基板洗浄装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明によれば、矩形の基板を保持して回転させるチャックと、前記チャックに保持された基板を洗浄する洗浄手段とを有する基板洗浄装置であって、
前記チャックは、
前記基板を略水平に保持する円盤状の支持プレートと、
前記基板が面内回転するように前記支持プレートを回転させる回転駆動機構と、
前記支持プレートの下部において、前記回転駆動機構を覆うカバー部材と、
前記基板を前記支持プレートの表面から所定の高さで保持すべく前記支持プレートの表面に配設された複数の支持ピンと、
前記基板を位置決めするとともに前記基板の周縁を保持すべく前記支持プレートの表面に配設されたガイドピンと、
前記カバー部材の内側に取付けられており、該カバー部材に形成された窓を介して、前記支持プレート上に略水平に保持された前記基板の水平方向の位置を検出するためのセンサと、
を備え、
前記支持プレートの大きさを、前記基板の頂点部が前記支持プレートの外側に微小にはみ出るように設定することにより、前記チャックを回転させる際の振動が低減されているとともに、前記センサによって前記基板の載置位置を確認するようにしたことを特徴とする基板洗浄装置が提供される。
【0010】
また、本発明によれば、矩形の基板を保持して回転させるチャックと、前記チャックに保持された基板を洗浄する洗浄手段とを有する基板洗浄装置であって、
前記チャックは、
中央部に孔部を有し、前記基板を略水平に保持する円盤状の支持プレートと、
前記基板が面内回転するように前記支持プレートを回転させる回転駆動機構と、
前記支持プレートの下部において、前記回転駆動機構を覆うカバー部材と、
前記基板を前記支持プレートの表面から所定の高さで保持すべく前記支持プレートの表面に配設された複数の支持ピンと、
前記基板を位置決めするとともに前記基板の周縁を保持すべく前記支持プレートの表面に配設されたガイドピンと、
前記カバー部材の内側に取付けられており、該カバー部材に形成された窓を介して、前記支持プレート上に略水平に保持された前記基板の水平方向の位置を検出するためのセンサと、
前記孔部の下方から前記支持プレートに保持された基板の下面に向けて乾燥ガスを噴射するガス供給ノズルを備え、
前記ガス供給ノズルは、
前記支持プレートに保持された基板の下面に対して垂直にガスを噴射する第1の噴射口と、
前記支持プレートに保持された基板の下面に対して噴射されたガスが前記基板の外周に拡がりやすいように前記基板の下面に対して斜めにガスを噴射する第2の噴射口と、
を有していることを特徴とする基板洗浄装置が提供される。
【0011】
このような基板洗浄装置においては、基板が矩形であっても、基板の保持手段として円盤状の支持プレートを用いることにより、回転中心に対する対称性が向上するために、基板回転時のぶれや振動の発生が抑制される。こうして、洗浄処理を均一に行うことが可能となり、高い品質の基板が得られ、歩留まりが向上する。また、基板への機械的負荷といった悪影響が排除される。さらに本発明に係る基板洗浄装置においては、その構成部材の振動による取り付けの緩み等の劣化が防止される。また、基板下面の中心に乾燥ガスが噴射されるので、乾燥処理を均一にしかも短時間で行うことができるようになる。
【0012】
なお、リフトピンのヘッドが弾性体の変形量を限界として、ならい自在に構成した場合には、リフトピンの先端が確実に基板と接して保持することが可能となり、基板の保持手段と搬送手段との間での基板の受け渡しを正確に行うことができるようになる。こうして、液処理の中断事故の発生が低減され、生産性が向上する。なお、リフトピンのヘッドは、処理液が付着しても下方に流れ易い構造となっているために、基板下面における処理液痕の発生を殆どないものとして、基板品質が高められる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図1は、本発明の基板洗浄装置の一実施形態である洗浄ユニット(スクラバ)(SCR)21a・21bを有するLCD基板G(基板G)のレジスト塗布・現像処理システム100を示す平面図である。
【0014】
レジスト塗布・現像処理システム100は、複数の基板Gを収容するカセットCを載置するカセットステーション1と、基板Gにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部2と、露光装置(図示せず)との間で基板Gの受け渡しを行うためのインターフェイス部3とを備えており、処理部2の両端にそれぞれカセットステーション1およびインターフェイス部3が配置されている。
【0015】
カセットステーション1は、カセットCと処理部2との間で基板Gの搬送を行うための搬送機構10を備えている。そして、カセットステーション1においてカセットCの搬入出が行われる。また、搬送機構10はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路10a上を移動可能な搬送アーム11を備え、この搬送アーム11によりカセットCと処理部2との間で基板Gの搬送が行われる。
【0016】
処理部2は、前段部2aと中段部2bと後段部2cとに分かれており、それぞれ中央に搬送路12・13・14を有し、これら搬送路の両側に各処理ユニットが配設されている。そして、これらの間には中継部15・16が設けられている。
【0017】
前段部2aは、搬送路12に沿って移動可能な主搬送装置17を備えており、搬送路12の一方側には、2つの洗浄ユニット(SCR)21a・21bが配置されており、搬送路12の他方側には紫外線照射ユニット(UV)と冷却ユニット(COL)とが2段に重ねられた処理ブロック25、加熱処理ユニット(HP)が2段に重ねられてなる処理ブロック26および冷却ユニット(COL)が2段に重ねられてなる処理ブロック27が配置されている。
【0018】
また、中段部2bは、搬送路13に沿って移動可能な主搬送装置18を備えており、搬送路13の一方側には、レジスト塗布処理ユニット(CT)22および基板Gの周縁部のレジストを除去する周縁レジスト除去ユニット(ER)23が一体的に設けられており、搬送路13の他方側には、加熱処理ユニット(HP)が2段に重ねられてなる処理ブロック28、加熱処理ユニット(HP)と冷却処理ユニット(COL)が上下に重ねられてなる処理ブロック29、およびアドヒージョン処理ユニット(AD)と冷却ユニット(COL)とが上下に重ねられてなる処理ブロック30が配置されている。
【0019】
さらに、後段部2cは、搬送路14に沿って移動可能な主搬送装置19を備えており、搬送路14の一方側には、3つの現像処理ユニット(DEV)24a・24b・24cが配置されており、搬送路14の他方側には加熱処理ユニット(HP)が2段に重ねられてなる処理ブロック31、およびともに加熱処理ユニット(HP)と冷却処理ユニット(COL)が上下に重ねられてなる処理ブロック32・33が配置されている。
【0020】
なお、処理部2は、搬送路を挟んで一方の側に洗浄ユニット(SCR)21a、レジスト塗布処理ユニット(CT)22、現像処理ユニット(DEV)24aのようなスピンナ系ユニットのみを配置しており、他方の側に加熱処理ユニット(HP)や冷却処理ユニット(COL)等の熱系処理ユニットのみを配置する構造となっている。
【0021】
また、中継部15・16のスピンナ系ユニット配置側の部分には、薬液供給ユニット34が配置されており、さらに主搬送装置17・18・19のメンテナンスを行うためのスペース35が設けられている。
【0022】
主搬送装置17・18・19は、それぞれ水平面内の2方向のX軸駆動機構、Y軸駆動機構、および垂直方向のZ軸駆動機構を備えており、さらにZ軸を中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞれ基板Gを支持するアームを有している。
【0023】
主搬送装置17は、搬送アーム17aを有し、搬送機構10の搬送アーム11との間で基板Gの受け渡しを行うとともに、前段部2aの各処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬出、さらには中継部15との間で基板Gの受け渡しを行う機能を有している。また、主搬送装置18は搬送アーム18aを有し、中継部15との間で基板Gの受け渡しを行うとともに、中段部2bの各処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬出、さらには中継部16との間の基板Gの受け渡しを行う機能を有している。さらに、主搬送装置19は搬送アーム19aを有し、中継部16との間で基板Gの受け渡しを行うとともに、後段部2cの各処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬出、さらにはインターフェイス部3との間の基板Gの受け渡しを行う機能を有している。なお、中継部15・16は冷却プレートとしても機能する。
【0024】
インターフェイス部3は、処理部2との間で基板Gを受け渡しする際に一時的に基板Gを保持するエクステンション36と、さらにその両側に設けられた、バッファカセットを配置する2つのバッファステージ37と、これらと露光装置(図示せず)との間の基板Gの搬入出を行う搬送機構38とを備えている。搬送機構38はエクステンション36およびバッファステージ37の配列方向に沿って設けられた搬送路38a上を移動可能な搬送アーム39を備え、この搬送アーム39により処理部2と露光装置との間で基板Gの搬送が行われる。
【0025】
このように各処理ユニットを集約して一体化することにより、省スペース化および処理の効率化を図ることができる。
【0026】
このように構成されたレジスト塗布・現像処理システム100においては、カセットC内の基板Gが処理部2に搬送され、処理部2では、まず前段部2aの処理ブロック25の紫外線照射ユニット(UV)で表面改質・洗浄処理が行われ、冷却処理ユニット(COL)で冷却された後、洗浄ユニット(SCR)21a・21bでスクラバ洗浄が施され、処理ブロック26のいずれかの加熱処理ユニット(HP)で加熱乾燥された後、処理ブロック27のいずれかの冷却ユニット(COL)で冷却される。
【0027】
その後、基板Gは中段部2bに搬送され、レジストの定着性を高めるために、処理ブロック30の上段のアドヒージョン処理ユニット(AD)にて疎水化処理(HMDS処理)され、下段の冷却処理ユニット(COL)で冷却後、レジスト塗布処理ユニット(CT)22でレジストが塗布され、周縁レジスト除去ユニット(ER)23で基板Gの周縁の余分なレジストが除去される。その後、基板Gは、中段部2bの中の加熱処理ユニット(HP)の1つでプリベーク処理され、処理ブロック29または30の下段の冷却ユニット(COL)で冷却される。
【0028】
その後、基板Gは中継部16から主搬送装置19にてインターフェイス部3を介して露光装置に搬送されてそこで所定のパターンが露光される。そして、基板Gは再びインターフェイス部3を介して搬入され、必要に応じて後段部2cの処理ブロック31・32・33のいずれかの加熱処理ユニット(HP)でポストエクスポージャーベーク処理を施した後、現像処理ユニット(DEV)24a・24b・24cのいずれかで現像処理され、所定の回路パターンが形成される。現像処理された基板Gは、後段部2cのいずれかの加熱処理ユニット(HP)にてポストベーク処理が施された後、いずれかの冷却ユニット(COL)にて冷却され、主搬送装置19・18・17および搬送機構10によってカセットステーション1上の所定のカセットに収容される。
【0029】
次に、本実施形態に係る洗浄ユニット(SCR)21a・21bについて説明する。これらは同じ構造を有しているため、以下、洗浄ユニット(SCR)21aについて詳細に説明する。図2は洗浄ユニット(SCR)21aを模式的に示した断面図であり、図3は図2に示した洗浄ユニット(SCR)21aを模式的に示した平面図である。
【0030】
洗浄ユニット(SCR)21aはシンク41を有し、シンク41の上方には基板Gを搬出入するために搬送アーム17aが出入りする基板受渡シャッター42が設けられている。シンク41の下側には、2つのアンダーカップ44・45が設けられており、アンダーカップ44の内側にカップ46がカップ昇降機構57により、昇降自在に設けられている。
【0031】
カップ46の内側には基板Gを保持するチャック47が配設されており、チャック47は、円盤状の支持プレート71を有し、支持プレート71の上面には、基板Gを支持プレート71の表面から所定の高さ位置で保持するための複数の支持ピン72が、例えば、マトリックス状に配設されている。また、基板Gを位置決めするとともに、基板Gの回転時にチャック47から基板Gが外れないように基板Gの周縁を保持するように配置されたガイドピン73が配設されている。そして、支持プレート71の中央下部には中空状の回転軸49が配設されており、モータ等の回転駆動機構48の回転をベルト48aにより回転軸49に伝達することで支持プレート71を回転させることができるようになっている。
【0032】
ここで、矩形の板状体をその中心で回転させた場合には、例えば、回転中心から板状体の頂点までの距離と板状体の一辺の中心までとの距離は異なるために、板状体に加わる遠心力は板状体の周縁で均一とはならず、これによって板状体にぶれや振動等が発生する。このような振動やぶれの発生は、板状体が大面積化するほど顕著に現れるようになる。
【0033】
すなわち、従来のように、基板Gの形状に合わせて支持プレートの形状を矩形とした場合には、基板Gの大面積化が進むにつれて、回転時に支持プレートに発生するぶれや振動がより大きくなり、これによって、処理液の振り切り状態が不均一となることによる基板Gの品質低下、ぶれや振動による基板Gと支持ピンやガイドピンとの間の擦れによる傷の発生、基板Gへの機械的負荷による基板Gの破損、洗浄ユニット(SCR)21aを構成する各種の部材へ応力が加わることによる耐久性の低下等の種々の問題を生ずることとなる。
【0034】
基板Gは支持プレートと比較して、質量が小さく薄いために、基板Gの回転によって発生するぶれや振動は小さい。従って、回転時にぶれや振動の発生し難い円盤状の支持プレート71を用いて、その上面に基板Gを保持して回転処理を行うことにより、上述した問題を解決することが可能となる。
【0035】
なお、図3において、支持プレート71の大きさは、基板Gの頂点部が支持プレート支持71の外周より外側から微小にはみ出る程度として記載してあるが、支持プレート71の大きさは、カップ46内に収容可能な範囲でより大きなものとしてもよく、一方、基板Gを安定に保持できる範囲でより小さなものとしてもよい。
【0036】
さて、支持プレート71の下部にはカバー43が設けられ、回転駆動機構48へ処理液が侵入しないように、また、回転駆動機構48等から発生するパーティクルが基板Gが保持されたカップ46内の雰囲気へ拡散しないようになっている。カバー43の上面は外周部の高さが低くなるように所定の角度をもって形成されており、処理液がシンク41の下部へ流れ落ちるように構成されている。なお、シンク41の底部には図示しないドレインや排気口が設けられ、処理液の排液およびカップ46内の排気が行われるようになっている。
【0037】
カバー43の斜面下には、基板Gの載置位置を確認するための赤外線センサ等のセンサ56が取り付けられている。カバー43におけるセンサ56の上部にあたる位置は透明な窓となっており、例えば、赤外線センサにより基板Gがガイドピン73内に適切に載置されているかどうかを判断して、載置されていない場合に警報を発するように構成されている。
【0038】
支持プレート71の中央部には、回転軸49の中空部と連通する孔部54が形成されており、カバー43内には基板Gの下面を乾燥するためのガスを噴射するガス供給ノズル53が、その噴射口が回転軸49の中空部に位置するように配設されている。乾燥ガスとしては一般的に窒素ガスが用いられ、ガス供給ノズル53の先端には、例えば、基板Gの下面に対して垂直にガスを噴射する噴射口と、噴射されたガスが基板Gの外周に拡がりやすいように基板Gの下面に対して斜めに噴射する噴射口を形成することが好ましい。
【0039】
ガス供給ノズル53からの乾燥ガスの噴射は、例えば、洗浄処理終了後のスピン回転時に行われ、ガス供給ノズル53の噴射口から噴射されたガスは、基板Gの下面の中心部に当たった後に、基板Gの周縁に向けて基板Gと支持プレート71の表面との隙間を拡散し、こうして基板Gの乾燥が促進される。
【0040】
未処理の基板Gを搬送アーム17aから受け取って降下させ、支持プレート71上に保持し、逆に、処理済みの基板Gを上昇させて搬送アーム17aへ受け渡す作業は、カバー43および支持プレート71を所定位置で貫通し、エアーシリンダ等のリフトピン昇降機構55により昇降自在に配設されたリフトピン74を用いて行われる。図3には、4本のリフトピン74が示されているが、4本以上、例えば6本でもよく、基板Gにできるだけ撓みが生じないように、基板Gの中心を中心として対称な位置に配設することが好ましい。リフトピン74は、洗浄処理時には、基板Gの回転処理を妨げないように先端部が支持プレート71の下方に位置するように保持される。
【0041】
図4はリフトピン74の構造を示した説明図である。リフトピン74の先端部は、ヘッド74aとヘッド74aを収容する台座74bから構成され、台座74bの底部に昇降棒74cが取り付けられた構造を有している。そして、ヘッド74aは、基板Gと接する上部81aと台座74bに収容される下部81bとでは外径が上部81aで小さく、下部81bで大きくなるように構成されている。さらに、上部81aと下部81bとの中間部分がテーパー状に形成されたテーパー部81cとなっており、主に、上部81aとテーパー部81cが台座74bの上面から上方に突出している。この台座74bの上面から突出した部分の長さは、例えば、6mm以上となるように構成される。
【0042】
このように、ヘッド74aの上部81aの外径を小さくしてテーパー部81cを形成することにより、ヘッド74aに洗浄液が付着して際にもテーパー部81cを伝って流れ落ち易くなる。また、ヘッド74aの上端面と台座74bの上面との距離を長く取っているので、台座74bの上部に洗浄液が滞留していても、その洗浄液が基板Gに付着することはない。こうして、基板Gの下面にリフトピン74が洗浄液により濡れている場合であっても、基板Gに洗浄液の痕跡が生ずることが回避される。
【0043】
ヘッド74aの下部81bは、ゴム等の弾性体を介して台座74b内に収容されている。従って、基板Gに撓みが生じている状態でリフトピン74の先端が基板Gに当接しても、この弾性体が変形してヘッド74aが傾斜することで、ヘッド74aの上部81aの上端面が的確に基板Gに当接する。ヘッド74aをこのような「ならい」自在な構造として、基板Gを所定位置で保持することにより、基板Gの受け渡し時の位置ずれによる受け渡し作業の中断を回避することが可能となる。
【0044】
なお、リフトピン74には、ヘッド74aと台座74bと昇降棒74cを貫通するようにバキューム吸引孔75が形成されている。図示しないバキューム吸引機構を動作させ、バキューム吸引孔75を用いて基板Gを吸着保持することにより、リフトピン74の先端面でより確実に基板Gを保持することが可能となっている。このようなリフトピン74の構造は、矩形の基板の取り扱いにのみ用いることができるものではなく、円形等のその他の形状の基板を取り扱う場合にも用いることができる。
【0045】
図2および図3に示すように、シンク41内には、ロールブラシ52を保持したロールブラシ用アーム51を有する洗浄機構が設けられている。ロールブラシ用アーム51は、ベルト駆動等を用いたリニア駆動機構98により基板Gの表面に沿ってスキャン可能に設けられている。従って、ロールブラシ52を回転させつつ所定の押圧で静止した基板Gに接触させながら、ロールブラシ用アーム51をスキャンすることによりブラシ洗浄処理が行われる。なお、ロールブラシ用アーム51には、図示しない洗浄液供給機構が配設され、ロールブラシ52に向けて洗浄液を吐出することができるようになっている。
【0046】
また、チャック47を挟んで、ロールブラシ用アーム51の反対側には、ラインシャワーアーム65が設けられており、ロールブラシ用アーム51と同様に、リニア駆動機構97により、基板Gの表面に沿ってスキャン可能となっている。ラインシャワーアーム65の下側には、純水等の洗浄液をライン状に吐出するラインシャワースリットノズル66が設けられている。ラインシャワースリットノズル66からの洗浄液の吐出はロールブラシ52を用いた洗浄処理が終了した後に行われ、このときにはラインシャワーアーム65を基板Gの中央と周縁部との間で往復させつつ、基板Gを回転させる。基板Gへ吐出された洗浄液は基板Gの回転により振り切られることで基板Gの表面が洗浄される。
【0047】
図5に示すように、上述した支持プレート71(チャック47)を回転させる回転駆動機構48、リフトピン74を昇降させるリフトピン昇降機構55、カップ46を昇降させるカップ昇降機構57、ロールブラシ用アーム51をスキャンさせるリニア駆動機構98、ラインシャワーアーム65をスキャンさせるリニア駆動機構97は、制御装置70により制御されるようになっている。なお、図2〜4に図示していないリフトピン74のバキューム吸引機構やロールブラシ用アーム51に配設された洗浄液供給機構、ロールブラシ52の回転駆動機構、ラインシャワースリットノズル66への洗浄液供給機構等もまた、この制御装置70により制御される。
【0048】
次に、このように構成された洗浄ユニット(SCR)21aにおける洗浄動作について説明する。まず、基板受渡シャッター42が開いた状態で、基板Gが搬送アーム17aにより、洗浄ユニット(SCR)21a内に挿入される。リフトピン74をリフトピン昇降機構55を上昇させてリフトピン74が基板Gを受け取ると、搬送アーム17aが洗浄ユニット(SCR)21aから退出し、基板受渡シャッター42が閉じられる。
【0049】
リフトピン74を降下させて、支持プレート71表面に配設された支持ピン72上に載置し、センサ56により基板Gの位置を確認する。このとき、リフトピン74は先端部がならい自在に構成されて先端が確実に基板Gに接し、かつ、バキューム吸引孔75により確実に基板Gを吸着保持しているので、位置ずれ等の不都合が生じることは殆どない。なお、リフトピン74による基板Gの正確な保持は、基板Gを洗浄ユニット(SCR)21aから搬出するために基板Gを上昇させる場合も同様である。
【0050】
次に、ロールブラシ用アーム51のスキャンが開始される。このとき基板Gは静止保持された状態にある。洗浄液を回転するロールブラシ52に向けて供給しながら、ロールブラシ用アーム51を基板Gの表面に沿ってスキャンさせ、スクラバ洗浄を行う。スクラバ洗浄後には、ロールブラシ用アーム51を基板G上から待避させ、代わりにラインシャワーアーム65を基板G上に移動し、基板Gを所定の回転数で回転するとともに、ラインシャワースリットノズル66から所定量の洗浄液を吐出しながらラインシャワーアーム65をスキャンする。これにより基板Gの表面のリンス処理が行われる。なお、この基板Gの上面のリンス処理中に、基板Gの裏面に向けても洗浄液を吐出し、洗浄を行ってもよい。
【0051】
リンス処理が終了した後にはラインシャワーアーム65を待避させて基板Gを所定回転数で高速回転させ、基板G上の処理液を振り切るとともに乾燥を行う。このとき、ガス供給ノズル53の噴射口から乾燥用の窒素ガスを基板Gの下面中心に向かって噴射し、基板Gの下面乾燥を同時に行う。支持プレート71は円盤状であるので、リンス処理と乾燥処理において基板Gを回転させても、振動やぶれの発生を抑えた安定した回転が可能である。こうして、洗浄処理を均一に行うことが可能である。
【0052】
乾燥処理が終了した後には、リフトピン74が支持プレート71を貫通できるように支持プレート71の位置を調節する。そして、リフトピン74を上昇させて基板Gを保持し、搬送アーム17aに受け渡しできる位置まで基板Gを上昇させる。基板受渡シャッター42を開いて搬送アーム17aを洗浄ユニット(SCR)21a内に挿入し、基板Gの搬送アーム17aへの受け渡しが行われ、搬送アーム17aに保持された基板Gは次工程へと送られる。代わりに、次に洗浄処理を行う基板Gが洗浄ユニット(SCR)21a内に挿入され、上述した工程に従って洗浄処理が行われる。
【0053】
上述したLCD基板のレジスト塗布・現像処理システムに、本発明の基板洗浄装置の一実施形態である洗浄ユニット(SCR)21aを適用した場合を例に説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、他の液処理装置にも適用することができる。例えば、本発明の基板洗浄装置は、LCD基板のレジスト塗布・現像処理システムにおけるレジスト塗布処理ユニット(CT)22や現像処理ユニット(DEV)24a〜24cに適用することができ、洗浄ユニット(SCR)21aに用いた場合と同様の効果を得ることができる。また、被処理基板としてLCD基板を例として説明したが、その他の矩形の基板についても用いることが可能である。なお、リフトピンの構造については、基板形状に関係なく用いることが可能である。
【0054】
【発明の効果】
以上、本発明の基板洗浄装置によれば、円盤状の支持プレートを用いることにより、基板の回転時に発生する振動やぶれが抑えられ、これによって均一な洗浄処理を行うことが可能となり、基板の品質が高められ、かつ、歩留まりが向上するという効果が得られる。また、基板が接する他の部材との間の擦れや衝突等の基板への機械的負荷が低減され、基板品質の低下が抑制される。さらに、基板洗浄装置の構成部材へ振動が伝わることによって構成部材の取り付け部に緩みが生ずる等の劣化も防止される。
【0055】
また、スピン乾燥時に、基板の下面中心に乾燥ガスを噴射する構造としたことにより、基板下面の乾燥時間が短縮され、これによりスループットを短縮して生産性を向上させることも可能となる。
【0056】
さらに、リフトピンのヘッドがならい自在に構成されているので、リフトピンの先端が確実に基板と接して保持することが可能となり、基板の保持手段と搬送手段との間での基板の受け渡しを正確に行うことができるようになる。こうして、基板が所定位置に載置されない等の洗浄処理の中断事故の発生が低減され、生産性が向上する。なお、リフトピンのヘッドは、処理液が付着しても下方に流れ易い構造となっているために、基板下面における洗浄液痕の発生を防止して基板の品質が高められるという効果も得られる。
【0057】
なお、支持プレートやリフトピン、ガス供給ノズルは、既存の基板洗浄装置にも容易に配設することが可能であり、低コストで設備の改良を行うことができる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の基板洗浄装置の一実施形態である洗浄ユニットが用いられたレジスト塗布・現像システムを示す平面図。
【図2】 本発明の基板洗浄装置の一実施形態である洗浄ユニットを示す断面図。
【図3】 図2記載の洗浄ユニットの平面図。
【図4】 図2記載の洗浄ユニットに用いられるリフトピンの構造を示す断面図。
【図5】 図2記載の洗浄ユニットの制御系を示す説明図。
【符号の説明】
1;カセットステーション
2;処理部
3;インターフェイス部
21a;洗浄ユニット(SCR)
47;チャック
48;回転駆動機構
53;ガス供給ノズル
54;孔部
55;リフトピン昇降機構
56;センサ
71;支持プレート
72;支持ピン
73;ガイドピン
74;リフトピン
74a;ヘッド
74b;台座
74c;昇降棒
75;バキューム吸引孔
100;レジスト塗布・現像処理システム
G;LCD基板(被処理基板)
Claims (2)
- 矩形の基板を保持して回転させるチャックと、前記チャックに保持された基板を洗浄する洗浄手段とを有する基板洗浄装置であって、
前記チャックは、
前記基板を略水平に保持する円盤状の支持プレートと、
前記基板が面内回転するように前記支持プレートを回転させる回転駆動機構と、
前記支持プレートの下部において、前記回転駆動機構を覆うカバー部材と、
前記基板を前記支持プレートの表面から所定の高さで保持すべく前記支持プレートの表面に配設された複数の支持ピンと、
前記基板を位置決めするとともに前記基板の周縁を保持すべく前記支持プレートの表面に配設されたガイドピンと、
前記カバー部材の内側に取付けられており、該カバー部材に形成された窓を介して、前記支持プレート上に略水平に保持された前記基板の水平方向の位置を検出するためのセンサと、
を備え、
前記支持プレートの大きさを、前記基板の頂点部が前記支持プレートの外側に微小にはみ出るように設定することにより、前記チャックを回転させる際の振動が低減されているとともに、前記センサによって前記基板の載置位置を確認するようにしたことを特徴とする基板洗浄装置。 - 矩形の基板を保持して回転させるチャックと、前記チャックに保持された基板を洗浄する洗浄手段とを有する基板洗浄装置であって、
前記チャックは、
中央部に孔部を有し、前記基板を略水平に保持する円盤状の支持プレートと、
前記基板が面内回転するように前記支持プレートを回転させる回転駆動機構と、
前記支持プレートの下部において、前記回転駆動機構を覆うカバー部材と、
前記基板を前記支持プレートの表面から所定の高さで保持すべく前記支持プレートの表面に配設された複数の支持ピンと、
前記基板を位置決めするとともに前記基板の周縁を保持すべく前記支持プレートの表面に配設されたガイドピンと、
前記カバー部材の内側に取付けられており、該カバー部材に形成された窓を介して、前記支持プレート上に略水平に保持された前記基板の水平方向の位置を検出するためのセンサと、
前記孔部の下方から前記支持プレートに保持された基板の下面に向けて乾燥ガスを噴射するガス供給ノズルを備え、
前記ガス供給ノズルは、
前記支持プレートに保持された基板の下面に対して垂直にガスを噴射する第1の噴射口と、
前記支持プレートに保持された基板の下面に対して噴射されたガスが前記基板の外周に拡がりやすいように前記基板の下面に対して斜めにガスを噴射する第2の噴射口と、
を有していることを特徴とする基板洗浄装置。
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