JP2002086048A - 液処理装置 - Google Patents

液処理装置

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JP2002086048A
JP2002086048A JP2000277634A JP2000277634A JP2002086048A JP 2002086048 A JP2002086048 A JP 2002086048A JP 2000277634 A JP2000277634 A JP 2000277634A JP 2000277634 A JP2000277634 A JP 2000277634A JP 2002086048 A JP2002086048 A JP 2002086048A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板回転時におけるチャックの振動やぶれの
発生を抑制した液処理装置を提供し、また、乾燥処理時
間を短縮した液処理装置を提供し、さらに、リフトピン
の基板保持性能を高め、基板への処理液痕の発生を低減
した液処理装置を提供する。 【解決手段】 液処理装置の一形態である洗浄ユニット
(SCR)21aは、矩形の基板Gを略水平に保持する
円盤状の支持プレート71を有する保持手段であるチャ
ック47と、チャック47に保持された基板Gに所定の
処理液を供給する処理液供給機構と、支持プレート71
の中央部に形成された孔部54の下方から支持プレート
71上に保持された基板Gの下面に向けて乾燥用ガスを
噴射するガス供給機構(ノズル)53と、チャック47
に保持された基板が面内回転するようにチャック47を
回転させる回転駆動機構48を具備する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば液晶ディス
プレイ(LCD)用ガラス基板等の矩形基板に所定の処
理液を供給して液処理を施すスピンナ型の液処理装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、液晶表示ディスプレイ(LC
D)のフォトリソグラフィー工程においては、一般的に
スピンナ型と呼ばれる液処理装置を用いて、矩形の被処
理基板であるLCD基板を静止した状態で、または面内
で回転させながら、所定の処理液を供給して、洗浄、レ
ジスト塗布、現像等の液処理が行われる。
【0003】ここで、LCD基板のような矩形の基板を
保持するチャックとしては、従来、基板形状に合わせて
矩形の支持プレートを用いたものが使用されていた。ま
た、基板を搬送する搬送手段とチャックとの間での基板
の受け渡しは、チャック上で基板を昇降させるように駆
動されるリフトピンを用いて行われている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
生産の効率化等を目的として基板が大面積化されるに伴
って、従来のように基板形状に合わせた矩形の支持プレ
ートを用いたチャックを使用して液処理を行った場合に
は、チャックの回転中心から支持プレートの端部までの
距離が部分的に異なるために、チャックの回転処理時に
ぶれや振動の発生が顕著に現れるようになってきた。こ
のようなぶれや振動の発生は液処理の均一性を妨げて基
板の品質を低下させ、また、歩留まりを低下させる原因
となる。
【0005】また、基板を搬送する搬送手段とチャック
との間での基板の受け渡しを行うために、チャック上で
基板を昇降させるリフトピンについては、基板の大面積
化に伴って、基板を支持したときに基板の撓み等によっ
てリフトピンの先端が所定位置において基板を支持する
ことができずに、こうして生ずる位置ずれによって、リ
フトピンからチャックまたは搬送手段への受け渡しに支
障が生ずることがあった。
【0006】さらに、従来のリフトピンの先端部は、基
板との接触面の面積が小さくなるようにテーパーが形成
された円柱部材を台座に固定した構造を有しており、か
つ、円柱部材の高さが短いものであった。この場合に、
テーパー部や台座と基板との間に処理液が付着しても流
れ落ちずに、基板に処理液痕が生じ、品質を低下させる
問題があった。
【0007】なお、従来の液処理装置においては、所定
の処理液を供給しながら行う液処理の後に、基板を乾燥
のために回転させる際に、基板の下面の乾燥を促進する
ために、基板の周縁に配置されたガス供給機構から基板
の下面に向けて窒素ガス等の乾燥ガスを噴射していた。
しかし、このような方法ではガスが均一に基板の下面を
流れず、乾燥処理が不均一となり、また、乾燥処理に長
い時間を要していた。
【0008】本発明はかかる従来技術の有する課題に鑑
みてなされたものであり、基板回転時のぶれや振動の発
生を抑制した液処理装置を提供することを目的とし、ま
た、リフトピンの基板保持性能を高めることにより、チ
ャックと搬送手段との間での基板の受け渡しを正確に行
うことができる液処理装置を提供することを目的とす
る。また、基板への処理液痕の発生を低減した液処理装
置を提供することを目的とし、基板の乾燥処理を均一に
しかも短時間で行うことができる液処理装置を提供する
ことを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明によれ
ば、矩形の基板を略水平に保持する円盤状の支持プレー
トを有する保持手段と、前記保持手段に保持された基板
に所定の処理液を供給する処理液供給機構と、前記保持
手段に保持された基板が面内回転するように前記保持手
段を回転させる回転駆動機構と、を具備することを特徴
とする液処理装置、が提供される。
【0010】また、本発明によれば、基板を略水平に保
持する円盤状の支持プレートを有する保持手段と、前記
保持手段に保持された基板に所定の処理液を供給する処
理液供給機構と、前記支持プレートの中央部に形成され
た孔部の下方から前記支持プレート上に保持された基板
の下面に向けて乾燥用ガスを噴射するガス供給機構と、
前記保持手段に保持された基板が面内回転するように前
記保持手段を回転させる回転駆動機構と、を具備するこ
とを特徴とする液処理装置、が提供される。
【0011】さらに、本発明によれば、基板を略水平に
保持する保持手段と、前記保持手段における基板の保持
位置と、前記基板を搬送する搬送手段との基板受渡位置
との間で基板を昇降させるリフトピンと、前記リフトピ
ンの昇降機構と、前記保持手段に保持された基板に所定
の処理液を供給する処理液供給機構と、前記保持手段に
保持された基板が面内回転するように前記保持手段を回
転させる回転駆動機構と、を具備する液処理装置であっ
て、前記リフトピンは、前記基板と接する上部と、前記
上部よりも外径の大きい下部とからなるヘッドと、前記
ヘッドがならい自在となるように弾性体を介して前記ヘ
ッドの下部を収容する台座と、前記台座の底部に取り付
けられた昇降棒と、を有することを特徴とする液処理装
置、が提供される。
【0012】このような液処理装置においては、基板が
矩形であっても、基板の保持手段として円盤状の支持プ
レートを用いることにより、回転中心に対する対称性が
向上するために、基板回転時のぶれや振動の発生が抑制
される。こうして、液処理を均一に行うことが可能とな
り、高い品質の基板が得られ、歩留まりが向上する。ま
た、基板への機械的負荷といった悪影響が排除され、液
処理装置の構成部材の振動による取り付けの緩み等の劣
化が防止される。また、基板下面の中心に乾燥ガスが噴
射されるので、乾燥処理を均一にしかも短時間で行うこ
とができるようになる。
【0013】また、リフトピンのヘッドが弾性体の変形
量を限界として、ならい自在に構成されているので、リ
フトピンの先端が確実に基板と接して保持することが可
能となり、基板の保持手段と搬送手段との間での基板の
受け渡しを正確に行うことができるようになる。こうし
て、液処理の中断事故の発生が低減され、生産性が向上
する。なお、リフトピンのヘッドは、処理液が付着して
も下方に流れ易い構造となっているために、基板下面に
おける処理液痕の発生を殆どないものとして、基板品質
が高められる。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態について詳細に説明する。図1は、本発
明の液処理装置の一実施形態である洗浄ユニット(スク
ラバ)(SCR)21a・21bを有するLCD基板G
(基板G)のレジスト塗布・現像処理システム100を
示す平面図である。
【0015】レジスト塗布・現像処理システム100
は、複数の基板Gを収容するカセットCを載置するカセ
ットステーション1と、基板Gにレジスト塗布および現
像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを
備えた処理部2と、露光装置(図示せず)との間で基板
Gの受け渡しを行うためのインターフェイス部3とを備
えており、処理部2の両端にそれぞれカセットステーシ
ョン1およびインターフェイス部3が配置されている。
【0016】カセットステーション1は、カセットCと
処理部2との間で基板Gの搬送を行うための搬送機構1
0を備えている。そして、カセットステーション1にお
いてカセットCの搬入出が行われる。また、搬送機構1
0はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路10
a上を移動可能な搬送アーム11を備え、この搬送アー
ム11によりカセットCと処理部2との間で基板Gの搬
送が行われる。
【0017】処理部2は、前段部2aと中段部2bと後
段部2cとに分かれており、それぞれ中央に搬送路12
・13・14を有し、これら搬送路の両側に各処理ユニ
ットが配設されている。そして、これらの間には中継部
15・16が設けられている。
【0018】前段部2aは、搬送路12に沿って移動可
能な主搬送装置17を備えており、搬送路12の一方側
には、2つの洗浄ユニット(SCR)21a・21bが
配置されており、搬送路12の他方側には紫外線照射ユ
ニット(UV)と冷却ユニット(COL)とが2段に重
ねられた処理ブロック25、加熱処理ユニット(HP)
が2段に重ねられてなる処理ブロック26および冷却ユ
ニット(COL)が2段に重ねられてなる処理ブロック
27が配置されている。
【0019】また、中段部2bは、搬送路13に沿って
移動可能な主搬送装置18を備えており、搬送路13の
一方側には、レジスト塗布処理ユニット(CT)22お
よび基板Gの周縁部のレジストを除去する周縁レジスト
除去ユニット(ER)23が一体的に設けられており、
搬送路13の他方側には、加熱処理ユニット(HP)が
2段に重ねられてなる処理ブロック28、加熱処理ユニ
ット(HP)と冷却処理ユニット(COL)が上下に重
ねられてなる処理ブロック29、およびアドヒージョン
処理ユニット(AD)と冷却ユニット(COL)とが上
下に重ねられてなる処理ブロック30が配置されてい
る。
【0020】さらに、後段部2cは、搬送路14に沿っ
て移動可能な主搬送装置19を備えており、搬送路14
の一方側には、3つの現像処理ユニット(DEV)24
a・24b・24cが配置されており、搬送路14の他
方側には加熱処理ユニット(HP)が2段に重ねられて
なる処理ブロック31、およびともに加熱処理ユニット
(HP)と冷却処理ユニット(COL)が上下に重ねら
れてなる処理ブロック32・33が配置されている。
【0021】なお、処理部2は、搬送路を挟んで一方の
側に洗浄ユニット(SCR)21a、レジスト塗布処理
ユニット(CT)22、現像処理ユニット(DEV)2
4aのようなスピンナ系ユニットのみを配置しており、
他方の側に加熱処理ユニット(HP)や冷却処理ユニッ
ト(COL)等の熱系処理ユニットのみを配置する構造
となっている。
【0022】また、中継部15・16のスピンナ系ユニ
ット配置側の部分には、薬液供給ユニット34が配置さ
れており、さらに主搬送装置17・18・19のメンテ
ナンスを行うためのスペース35が設けられている。
【0023】主搬送装置17・18・19は、それぞれ
水平面内の2方向のX軸駆動機構、Y軸駆動機構、およ
び垂直方向のZ軸駆動機構を備えており、さらにZ軸を
中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞれ基
板Gを支持するアームを有している。
【0024】主搬送装置17は、搬送アーム17aを有
し、搬送機構10の搬送アーム11との間で基板Gの受
け渡しを行うとともに、前段部2aの各処理ユニットに
対する基板Gの搬入・搬出、さらには中継部15との間
で基板Gの受け渡しを行う機能を有している。また、主
搬送装置18は搬送アーム18aを有し、中継部15と
の間で基板Gの受け渡しを行うとともに、中段部2bの
各処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬出、さらには
中継部16との間の基板Gの受け渡しを行う機能を有し
ている。さらに、主搬送装置19は搬送アーム19aを
有し、中継部16との間で基板Gの受け渡しを行うとと
もに、後段部2cの各処理ユニットに対する基板Gの搬
入・搬出、さらにはインターフェイス部3との間の基板
Gの受け渡しを行う機能を有している。なお、中継部1
5・16は冷却プレートとしても機能する。
【0025】インターフェイス部3は、処理部2との間
で基板Gを受け渡しする際に一時的に基板Gを保持する
エクステンション36と、さらにその両側に設けられ
た、バッファカセットを配置する2つのバッファステー
ジ37と、これらと露光装置(図示せず)との間の基板
Gの搬入出を行う搬送機構38とを備えている。搬送機
構38はエクステンション36およびバッファステージ
37の配列方向に沿って設けられた搬送路38a上を移
動可能な搬送アーム39を備え、この搬送アーム39に
より処理部2と露光装置との間で基板Gの搬送が行われ
る。
【0026】このように各処理ユニットを集約して一体
化することにより、省スペース化および処理の効率化を
図ることができる。
【0027】このように構成されたレジスト塗布・現像
処理システム100においては、カセットC内の基板G
が処理部2に搬送され、処理部2では、まず前段部2a
の処理ブロック25の紫外線照射ユニット(UV)で表
面改質・洗浄処理が行われ、冷却処理ユニット(CO
L)で冷却された後、洗浄ユニット(SCR)21a・
21bでスクラバ洗浄が施され、処理ブロック26のい
ずれかの加熱処理ユニット(HP)で加熱乾燥された
後、処理ブロック27のいずれかの冷却ユニット(CO
L)で冷却される。
【0028】その後、基板Gは中段部2bに搬送され、
レジストの定着性を高めるために、処理ブロック30の
上段のアドヒージョン処理ユニット(AD)にて疎水化
処理(HMDS処理)され、下段の冷却処理ユニット
(COL)で冷却後、レジスト塗布処理ユニット(C
T)22でレジストが塗布され、周縁レジスト除去ユニ
ット(ER)23で基板Gの周縁の余分なレジストが除
去される。その後、基板Gは、中段部2bの中の加熱処
理ユニット(HP)の1つでプリベーク処理され、処理
ブロック29または30の下段の冷却ユニット(CO
L)で冷却される。
【0029】その後、基板Gは中継部16から主搬送装
置19にてインターフェイス部3を介して露光装置に搬
送されてそこで所定のパターンが露光される。そして、
基板Gは再びインターフェイス部3を介して搬入され、
必要に応じて後段部2cの処理ブロック31・32・3
3のいずれかの加熱処理ユニット(HP)でポストエク
スポージャーベーク処理を施した後、現像処理ユニット
(DEV)24a・24b・24cのいずれかで現像処
理され、所定の回路パターンが形成される。現像処理さ
れた基板Gは、後段部2cのいずれかの加熱処理ユニッ
ト(HP)にてポストベーク処理が施された後、いずれ
かの冷却ユニット(COL)にて冷却され、主搬送装置
19・18・17および搬送機構10によってカセット
ステーション1上の所定のカセットに収容される。
【0030】次に、本実施形態に係る洗浄ユニット(S
CR)21a・21bについて説明する。これらは同じ
構造を有しているため、以下、洗浄ユニット(SCR)
21aについて詳細に説明する。図2は洗浄ユニット
(SCR)21aを模式的に示した断面図であり、図3
は図2に示した洗浄ユニット(SCR)21aを模式的
に示した平面図である。
【0031】洗浄ユニット(SCR)21aはシンク4
1を有し、シンク41の上方には基板Gを搬出入するた
めに搬送アーム17aが出入りする基板受渡シャッター
42が設けられている。シンク41の下側には、2つの
アンダーカップ44・45が設けられており、アンダー
カップ44の内側にカップ46がカップ昇降機構57に
より、昇降自在に設けられている。
【0032】カップ46の内側には基板Gを保持するチ
ャック47が配設されており、チャック47は、円盤状
の支持プレート71を有し、支持プレート71の上面に
は、基板Gを支持プレート71の表面から所定の高さ位
置で保持するための複数の支持ピン72が、例えば、マ
トリックス状に配設されている。また、基板Gを位置決
めするとともに、基板Gの回転時にチャック47から基
板Gが外れないように基板Gの周縁を保持するように配
置されたガイドピン73が配設されている。そして、支
持プレート71の中央下部には中空状の回転軸49が配
設されており、モータ等の回転駆動機構48の回転をベ
ルト48aにより回転軸49に伝達することで支持プレ
ート71を回転させることができるようになっている。
【0033】ここで、矩形の板状体をその中心で回転さ
せた場合には、例えば、回転中心から板状体の頂点まで
の距離と板状体の一辺の中心までとの距離は異なるため
に、板状体に加わる遠心力は板状体の周縁で均一とはな
らず、これによって板状体にぶれや振動等が発生する。
このような振動やぶれの発生は、板状体が大面積化する
ほど顕著に現れるようになる。
【0034】すなわち、従来のように、基板Gの形状に
合わせて支持プレートの形状を矩形とした場合には、基
板Gの大面積化が進むにつれて、回転時に支持プレート
に発生するぶれや振動がより大きくなり、これによっ
て、処理液の振り切り状態が不均一となることによる基
板Gの品質低下、ぶれや振動による基板Gと支持ピンや
ガイドピンとの間の擦れによる傷の発生、基板Gへの機
械的負荷による基板Gの破損、洗浄ユニット(SCR)
21aを構成する各種の部材へ応力が加わることによる
耐久性の低下等の種々の問題を生ずることとなる。
【0035】基板Gは支持プレートと比較して、質量が
小さく薄いために、基板Gの回転によって発生するぶれ
や振動は小さい。従って、回転時にぶれや振動の発生し
難い円盤状の支持プレート71を用いて、その上面に基
板Gを保持して回転処理を行うことにより、上述した問
題を解決することが可能となる。
【0036】なお、図3において、支持プレート71の
大きさは、基板Gの頂点部が支持プレート支持71の外
周より外側から微小にはみ出る程度として記載してある
が、支持プレート71の大きさは、カップ46内に収容
可能な範囲でより大きなものとしてもよく、一方、基板
Gを安定に保持できる範囲でより小さなものとしてもよ
い。
【0037】さて、支持プレート71の下部にはカバー
43が設けられ、回転駆動機構48へ処理液が侵入しな
いように、また、回転駆動機構48等から発生するパー
ティクルが基板Gが保持されたカップ46内の雰囲気へ
拡散しないようになっている。カバー43の上面は外周
部の高さが低くなるように所定の角度をもって形成され
ており、処理液がシンク41の下部へ流れ落ちるように
構成されている。なお、シンク41の底部には図示しな
いドレインや排気口が設けられ、処理液の排液およびカ
ップ46内の排気が行われるようになっている。
【0038】カバー43の斜面下には、基板Gの載置位
置を確認するための赤外線センサ等のセンサ56が取り
付けられている。カバー43におけるセンサ56の上部
にあたる位置は透明な窓となっており、例えば、赤外線
センサにより基板Gがガイドピン73内に適切に載置さ
れているかどうかを判断して、載置されていない場合に
警報を発するように構成されている。
【0039】支持プレート71の中央部には、回転軸4
9の中空部と連通する孔部54が形成されており、カバ
ー43内には基板Gの下面を乾燥するためのガスを噴射
するガス供給ノズル53が、その噴射口が回転軸49の
中空部に位置するように配設されている。乾燥ガスとし
ては一般的に窒素ガスが用いられ、ガス供給ノズル53
の先端には、例えば、基板Gの下面に対して垂直にガス
を噴射する噴射口と、噴射されたガスが基板Gの外周に
拡がりやすいように基板Gの下面に対して斜めに噴射す
る噴射口を形成することが好ましい。
【0040】ガス供給ノズル53からの乾燥ガスの噴射
は、例えば、洗浄処理終了後のスピン回転時に行われ、
ガス供給ノズル53の噴射口から噴射されたガスは、基
板Gの下面の中心部に当たった後に、基板Gの周縁に向
けて基板Gと支持プレート71の表面との隙間を拡散
し、こうして基板Gの乾燥が促進される。
【0041】未処理の基板Gを搬送アーム17aから受
け取って降下させ、支持プレート71上に保持し、逆
に、処理済みの基板Gを上昇させて搬送アーム17aへ
受け渡す作業は、カバー43および支持プレート71を
所定位置で貫通し、エアーシリンダ等のリフトピン昇降
機構55により昇降自在に配設されたリフトピン74を
用いて行われる。図3には、4本のリフトピン74が示
されているが、4本以上、例えば6本でもよく、基板G
にできるだけ撓みが生じないように、基板Gの中心を中
心として対称な位置に配設することが好ましい。リフト
ピン74は、洗浄処理時には、基板Gの回転処理を妨げ
ないように先端部が支持プレート71の下方に位置する
ように保持される。
【0042】図4はリフトピン74の構造を示した説明
図である。リフトピン74の先端部は、ヘッド74aと
ヘッド74aを収容する台座74bから構成され、台座
74bの底部に昇降棒74cが取り付けられた構造を有
している。そして、ヘッド74aは、基板Gと接する上
部81aと台座74bに収容される下部81bとでは外
径が上部81aで小さく、下部81bで大きくなるよう
に構成されている。さらに、上部81aと下部81bと
の中間部分がテーパー状に形成されたテーパー部81c
となっており、主に、上部81aとテーパー部81cが
台座74bの上面から上方に突出している。この台座7
4bの上面から突出した部分の長さは、例えば、6mm
以上となるように構成される。
【0043】このように、ヘッド74aの上部81aの
外径を小さくしてテーパー部81cを形成することによ
り、ヘッド74aに洗浄液が付着して際にもテーパー部
81cを伝って流れ落ち易くなる。また、ヘッド74a
の上端面と台座74bの上面との距離を長く取っている
ので、台座74bの上部に洗浄液が滞留していても、そ
の洗浄液が基板Gに付着することはない。こうして、基
板Gの下面にリフトピン74が洗浄液により濡れている
場合であっても、基板Gに洗浄液の痕跡が生ずることが
回避される。
【0044】ヘッド74aの下部81bは、ゴム等の弾
性体を介して台座74b内に収容されている。従って、
基板Gに撓みが生じている状態でリフトピン74の先端
が基板Gに当接しても、この弾性体が変形してヘッド7
4aが傾斜することで、ヘッド74aの上部81aの上
端面が的確に基板Gに当接する。ヘッド74aをこのよ
うな「ならい」自在な構造として、基板Gを所定位置で
保持することにより、基板Gの受け渡し時の位置ずれに
よる受け渡し作業の中断を回避することが可能となる。
【0045】なお、リフトピン74には、ヘッド74a
と台座74bと昇降棒74cを貫通するようにバキュー
ム吸引孔75が形成されている。図示しないバキューム
吸引機構を動作させ、バキューム吸引孔75を用いて基
板Gを吸着保持することにより、リフトピン74の先端
面でより確実に基板Gを保持することが可能となってい
る。このようなリフトピン74の構造は、矩形の基板の
取り扱いにのみ用いることができるものではなく、円形
等のその他の形状の基板を取り扱う場合にも用いること
ができる。
【0046】図2および図3に示すように、シンク41
内には、ロールブラシ52を保持したロールブラシ用ア
ーム51を有する洗浄機構が設けられている。ロールブ
ラシ用アーム51は、ベルト駆動等を用いたリニア駆動
機構98により基板Gの表面に沿ってスキャン可能に設
けられている。従って、ロールブラシ52を回転させつ
つ所定の押圧で静止した基板Gに接触させながら、ロー
ルブラシ用アーム51をスキャンすることによりブラシ
洗浄処理が行われる。なお、ロールブラシ用アーム51
には、図示しない洗浄液供給機構が配設され、ロールブ
ラシ52に向けて洗浄液を吐出することができるように
なっている。
【0047】また、チャック47を挟んで、ロールブラ
シ用アーム51の反対側には、ラインシャワーアーム6
5が設けられており、ロールブラシ用アーム51と同様
に、リニア駆動機構97により、基板Gの表面に沿って
スキャン可能となっている。ラインシャワーアーム65
の下側には、純水等の洗浄液をライン状に吐出するライ
ンシャワースリットノズル66が設けられている。ライ
ンシャワースリットノズル66からの洗浄液の吐出はロ
ールブラシ52を用いた洗浄処理が終了した後に行わ
れ、このときにはラインシャワーアーム65を基板Gの
中央と周縁部との間で往復させつつ、基板Gを回転させ
る。基板Gへ吐出された洗浄液は基板Gの回転により振
り切られることで基板Gの表面が洗浄される。
【0048】図5に示すように、上述した支持プレート
71(チャック47)を回転させる回転駆動機構48、
リフトピン74を昇降させるリフトピン昇降機構55、
カップ46を昇降させるカップ昇降機構57、ロールブ
ラシ用アーム51をスキャンさせるリニア駆動機構9
8、ラインシャワーアーム65をスキャンさせるリニア
駆動機構97は、制御装置70により制御されるように
なっている。なお、図2〜4に図示していないリフトピ
ン74のバキューム吸引機構やロールブラシ用アーム5
1に配設された洗浄液供給機構、ロールブラシ52の回
転駆動機構、ラインシャワースリットノズル66への洗
浄液供給機構等もまた、この制御装置70により制御さ
れる。
【0049】次に、このように構成された洗浄ユニット
(SCR)21aにおける洗浄動作について説明する。
まず、基板受渡シャッター42が開いた状態で、基板G
が搬送アーム17aにより、洗浄ユニット(SCR)2
1a内に挿入される。リフトピン74をリフトピン昇降
機構55を上昇させてリフトピン74が基板Gを受け取
ると、搬送アーム17aが洗浄ユニット(SCR)21
aから退出し、基板受渡シャッター42が閉じられる。
【0050】リフトピン74を降下させて、支持プレー
ト71表面に配設された支持ピン72上に載置し、セン
サ56により基板Gの位置を確認する。このとき、リフ
トピン74は先端部がならい自在に構成されて先端が確
実に基板Gに接し、かつ、バキューム吸引孔75により
確実に基板Gを吸着保持しているので、位置ずれ等の不
都合が生じることは殆どない。なお、リフトピン74に
よる基板Gの正確な保持は、基板Gを洗浄ユニット(S
CR)21aから搬出するために基板Gを上昇させる場
合も同様である。
【0051】次に、ロールブラシ用アーム51のスキャ
ンが開始される。このとき基板Gは静止保持された状態
にある。洗浄液を回転するロールブラシ52に向けて供
給しながら、ロールブラシ用アーム51を基板Gの表面
に沿ってスキャンさせ、スクラバ洗浄を行う。スクラバ
洗浄後には、ロールブラシ用アーム51を基板G上から
待避させ、代わりにラインシャワーアーム65を基板G
上に移動し、基板Gを所定の回転数で回転するととも
に、ラインシャワースリットノズル66から所定量の洗
浄液を吐出しながらラインシャワーアーム65をスキャ
ンする。これにより基板Gの表面のリンス処理が行われ
る。なお、この基板Gの上面のリンス処理中に、基板G
の裏面に向けても洗浄液を吐出し、洗浄を行ってもよ
い。
【0052】リンス処理が終了した後にはラインシャワ
ーアーム65を待避させて基板Gを所定回転数で高速回
転させ、基板G上の処理液を振り切るとともに乾燥を行
う。このとき、ガス供給ノズル53の噴射口から乾燥用
の窒素ガスを基板Gの下面中心に向かって噴射し、基板
Gの下面乾燥を同時に行う。支持プレート71は円盤状
であるので、リンス処理と乾燥処理において基板Gを回
転させても、振動やぶれの発生を抑えた安定した回転が
可能である。こうして、洗浄処理を均一に行うことが可
能である。
【0053】乾燥処理が終了した後には、リフトピン7
4が支持プレート71を貫通できるように支持プレート
71の位置を調節する。そして、リフトピン74を上昇
させて基板Gを保持し、搬送アーム17aに受け渡しで
きる位置まで基板Gを上昇させる。基板受渡シャッター
42を開いて搬送アーム17aを洗浄ユニット(SC
R)21a内に挿入し、基板Gの搬送アーム17aへの
受け渡しが行われ、搬送アーム17aに保持された基板
Gは次工程へと送られる。代わりに、次に洗浄処理を行
う基板Gが洗浄ユニット(SCR)21a内に挿入さ
れ、上述した工程に従って洗浄処理が行われる。
【0054】上述したLCD基板のレジスト塗布・現像
処理システムに、本発明の液処理装置の一実施形態であ
る洗浄ユニット(SCR)21aを適用した場合を例に
説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、他
の液処理装置にも適用することができる。例えば、本発
明の液処理装置は、LCD基板のレジスト塗布・現像処
理システムにおけるレジスト塗布処理ユニット(CT)
22や現像処理ユニット(DEV)24a〜24cに適
用することができ、洗浄ユニット(SCR)21aに用
いた場合と同様の効果を得ることができる。また、被処
理基板としてLCD基板を例として説明したが、その他
の矩形の基板についても用いることが可能である。な
お、リフトピンの構造については、基板形状に関係なく
用いることが可能である。
【0055】
【発明の効果】以上、本発明の液処理装置によれば、円
盤状の支持プレートを用いることにより、基板の回転時
に発生する振動やぶれが抑えられ、これによって均一な
液処理を行うことが可能となり、基板の品質が高めら
れ、かつ、歩留まりが向上するという効果が得られる。
また、基板が接する他の部材との間の擦れや衝突等の基
板への機械的負荷が低減され、基板品質の低下が抑制さ
れる。さらに、液処理装置の構成部材へ振動が伝わるこ
とによって構成部材の取り付け部に緩みが生ずる等の劣
化も防止される。
【0056】また、スピン乾燥時に、基板の下面中心に
乾燥ガスを噴射する構造としたことにより、基板下面の
乾燥時間が短縮され、これによりスループットを短縮し
て生産性を向上させることも可能となる。
【0057】さらに、リフトピンのヘッドがならい自在
に構成されているので、リフトピンの先端が確実に基板
と接して保持することが可能となり、基板の保持手段と
搬送手段との間での基板の受け渡しを正確に行うことが
できるようになる。こうして、基板が所定位置に載置さ
れない等の液処理の中断事故の発生が低減され、生産性
が向上する。なお、リフトピンのヘッドは、処理液が付
着しても下方に流れ易い構造となっているために、基板
下面における処理液痕の発生を防止して基板の品質が高
められるという効果も得られる。
【0058】なお、支持プレートやリフトピン、ガス供
給ノズルは、既存の液処理装置にも容易に配設すること
が可能であり、低コストで設備の改良を行うことができ
る利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の液処理装置の一実施形態である洗浄ユ
ニットが用いられたレジスト塗布・現像システムを示す
平面図。
【図2】本発明の液処理装置の一実施形態である洗浄ユ
ニットを示す断面図。
【図3】図2記載の洗浄ユニットの平面図。
【図4】図2記載の洗浄ユニットに用いられるリフトピ
ンの構造を示す断面図。
【図5】図2記載の洗浄ユニットの制御系を示す説明
図。
【符号の説明】
1;カセットステーション 2;処理部 3;インターフェイス部 21a;洗浄ユニット(SCR) 47;チャック 48;回転駆動機構 53;ガス供給ノズル 54;孔部 55;リフトピン昇降機構 56;センサ 71;支持プレート 72;支持ピン 73;ガイドピン 74;リフトピン 74a;ヘッド 74b;台座 74c;昇降棒 75;バキューム吸引孔 100;レジスト塗布・現像処理システム G;LCD基板(被処理基板)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/306 G02F 1/13 101 5F043 21/68 H01L 21/304 651L 5F046 // G02F 1/13 101 651B H01L 21/304 651 21/30 564C 569C 21/306 J Fターム(参考) 2H088 FA21 FA23 FA30 MA20 2H096 AA28 AA30 CA01 GA29 3B201 AA02 AB01 AB34 AB47 BA02 BA14 BB21 BB33 BB92 BC01 CB15 CC01 CC12 CC13 4F042 AA07 DF09 DF32 DF34 EB05 EB08 EB13 5F031 CA02 CA05 HA08 HA24 HA33 HA39 HA59 HA74 JA02 JA22 JA36 KA03 LA08 LA13 MA23 NA04 PA18 PA30 5F043 BB27 EE08 EE35 EE36 EE40 GG10 5F046 JA10 JA15 JA27 LA02 LA05 LA19

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 矩形の基板を略水平に保持する円盤状の
    支持プレートを有する保持手段と、 前記保持手段に保持された基板に所定の処理液を供給す
    る処理液供給機構と、 前記保持手段に保持された基板が面内回転するように前
    記保持手段を回転させる回転駆動機構と、 を具備することを特徴とする液処理装置。
  2. 【請求項2】 基板を略水平に保持する円盤状の支持プ
    レートを有する保持手段と、 前記保持手段に保持された基板に所定の処理液を供給す
    る処理液供給機構と、 前記支持プレートの中央部に形成された孔部の下方から
    前記支持プレート上に保持された基板の下面に向けて乾
    燥用ガスを噴射するガス供給機構と、 前記保持手段に保持された基板が面内回転するように前
    記保持手段を回転させる回転駆動機構と、 を具備することを特徴とする液処理装置。
  3. 【請求項3】 基板を略水平に保持する保持手段と、 前記保持手段における基板の保持位置と、前記基板を搬
    送する搬送手段との基板受渡位置との間で基板を昇降さ
    せるリフトピンと、 前記リフトピンの昇降機構と、 前記保持手段に保持された基板に所定の処理液を供給す
    る処理液供給機構と、 前記保持手段に保持された基板が面内回転するように前
    記保持手段を回転させる回転駆動機構と、 を具備する液処理装置であって、 前記リフトピンは、 前記基板と接する上部と、前記上部よりも外径の大きい
    下部とからなるヘッドと、 前記ヘッドがならい自在となるように弾性体を介して前
    記ヘッドの下部を収容する台座と、 前記台座の底部に取り付けられた昇降棒と、 を有することを特徴とする液処理装置。
  4. 【請求項4】 前記ヘッドは上部と下部との中間部がテ
    ーパー状に形成されており、前記台座から上方に突出し
    た前記上部および前記中間部の長さが6mm以上あるこ
    とを特徴とする請求項3に記載の液処理装置。
  5. 【請求項5】 前記ヘッドと前記台座と前記昇降棒を貫
    通するようにバキューム吸引孔が形成され、前記基板が
    前記ヘッドの先端面で前記バキューム吸引孔により吸引
    保持されることを特徴とする請求項3または請求項4に
    記載の液処理装置。
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