CN103828035B - 基板支撑轴衬 - Google Patents

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Abstract

本发明大体而言提供一种用于支撑处理腔室内的基板的轴衬组件。在一个方面中，轴衬组件包含管状主体，所述管状主体具有外周长及延伸穿过所述外周长的孔；具有第一内边缘的第一环，所述第一环安置在管状主体的上部分中的孔中；及具有第二内边缘的第二环，所述第二环安置在管状主体的下部分中的孔中。在另一方面中，第一内边缘具有第一曲率半径，且第二内边缘具有第二曲率半径。在另一方面中，第一内边缘直径、第二内边缘直径、第一曲率半径及第二曲率半径经选择以使得延伸穿过孔的支撑销在最多两个点上接触轴衬组件。

Description

基板支撑轴衬
发明背景
发明领域
本发明的实施例大体而言涉及大面积基板处理系统。更具体地说，本发明的实施例涉及用于大面积基板的支撑销的轴衬。
相关技术的描述
已在大面积玻璃基板或板上制得薄膜晶体管用于在监视器、平板显示器、太阳能电池、个人数字助理(PDA)、蜂窝电话和类似物中使用。这些晶体管是通过在真空腔室中连续沉积包括非晶硅、掺杂氧化硅及未掺杂氧化硅及氮化硅的各种膜而制得。膜沉积可在单个沉积腔室中进行，或正处理的基板可在多个沉积腔室之间转移。
在大面积基板处理系统中，正处理的基板通常停留在诸如基座的基板支撑件上，所述基板支撑件位于腔室内。为促进基板在沉积腔室之间的转移，支撑销可延伸穿过基板支撑件的上表面，且所述支撑销可相对于基板支撑件升高及降低以便可将基板与基板支撑件间隔开。此间隔允许诸如机械手叶片这样的转移机构在基板下面滑动且举升基板离开基板支撑件而不会损坏基板支撑件或基板。
支撑销通常为固定高度的刚性、直立柱，所述刚性、直立柱延伸穿过基板支撑件。在处理期间，将基板放置于支撑销上，且支撑销相对于基板支撑件降低，放置基板与基板支撑件接触。在完成膜沉积之后，支撑销可相对于基板支撑件升高，自基板支撑件举升基板。
传统的支撑销可包括固持器或轴衬，诸如滑动轴衬或滚轮轴衬，所述固持器或轴衬经设计以提供对支撑销的侧向支撑且促进支撑销穿过轴衬沿着垂直于基板支撑件的平面的轴的运动。传统滑动轴衬通常由具有相对低熔点的材料制造，诸如聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene;PTFE)。因此，这些轴衬不适合于使用在大于约250℃的处理环境中。另一方面，滚轮轴衬包括活动部分，诸如轴承及滚轮。因此，这些轴衬的生产是昂贵的且容易有故障。另外，滚轮轴衬可在多至八个点处接触支撑销。所得的产生在支撑销与轴衬之间的摩擦，以及产生在轴衬内的活动部分之间的摩擦可产生非所要粒子，所述非所要粒子可能在处理期间污染基板。这些问题由薄膜沉积工艺所要求的越来越高的高温而恶化。在这类温度下，各种部件的热膨胀可引起摩擦及粘合增加，且材料可达到软化点，导致可能引起设备故障的形变。轴衬故障可导致面板破坏、腔室维护费用增加及由于腔室停机时间而引起产量减少。
发明内容
本发明大体而言提供轴衬组件，所述轴衬组件用于支撑处理腔室内的基板。在一个方面中，轴衬组件包含管状主体，所述管状主体具有外周长及延伸穿过所述外周长的孔；具有第一内边缘的第一环，所述第一环安置在管状主体的上部分中的孔中；及具有第二内边缘的第二环，所述第二环安置在管状主体的下部分中的孔中。第一内边缘具有第一曲率半径，且第二内边缘具有第二曲率半径。
在另一方面中，轴衬组件包含管状主体，所述管状主体具有外周长及延伸穿过所述外周长的孔；具有第一内边缘的第一环，所述第一环安置在管状主体的上部分中的孔中；及具有第二内边缘的第二环，所述第二环安置在管状主体的下部分中的孔中。第一内边缘具有第一曲率半径，且第二内边缘具有第二曲率半径。第一内边缘直径、第二内边缘直径、第一曲率半径及第二曲率半径经选择以使得延伸穿过孔的支撑销在最多两个点上接触轴衬组件。
在又一方面中，轴衬组件包含管状主体，所述管状主体具有外周长及延伸穿过所述外周长的孔；具有第一内边缘的第一环，所述第一环安置在管状主体的上部分中的孔中；具有第二内边缘的第二环，所述第二环安置在管状主体的下部分中的孔中；及一或多个对准销，所述一或多个对准销延伸穿过管状主体且耦接至第一环及第二环。
在又一方面中，轴衬组件包含管状主体，所述管状主体具有外周长及延伸穿过所述外周长的孔，所述孔延伸穿过管状主体的中间部分以形成第一直径；第一环，所述第一环安置在管状主体的上部分中的孔的第二直径中；及第二环，所述第二环安置在管状主体的下部分中的孔的第三直径中。第二直径及第三直径大于第一直径。
在又一方面中，轴衬组件包含管状主体，所述管状主体具有外周长及延伸穿过所述外周长的孔；具有第一内边缘的第一陶瓷环，所述第一环安置在管状主体的上部分中的孔中；及具有第二内边缘的第二陶瓷环，所述第二环安置在管状主体的下部分中的孔中。第一内边缘具有第一曲率半径，且第二内边缘具有第二曲率半径，且第一内边缘直径、第二内边缘直径、第一曲率半径及第二曲率半径经选择以使得延伸穿过孔的支撑销在最多两个点上接触轴衬组件。
附图简要说明
因此，可详细理解本发明的上述特征结构的方式，即上文简要概述的本发明的更特定描述可参照实施例进行，某些实施例图示于附图中。然而，应注意，附图仅图示本发明的典型实施例，且因此不欲视为本发明范围的限制，因为本发明可允许其它同等有效的实施例。
图1为根据本发明的一个实施例的PECVD装置100的示意性横截面视图。
图2A为根据本发明的一个实施例的安置在基板支撑件104内的滑动轴衬组件200的示意性横截面视图。
图2B为根据本发明的一个实施例的延伸穿过滑动轴衬组件200的支撑销120的示意性横截面视图。
图3A为根据本发明的一个实施例的滑动轴衬组件200的示意性俯视图。
图3B为根据本发明的一个实施例的滑动轴衬组件200的示意性横截面视图。
具体描述
本发明大体而言包含高温滑动轴衬组件，用于促进处理腔室内的支撑销运动。滑动轴衬组件可包括安置在管状主体内的多个环。环可具有圆形内边缘，经设计以减小与支撑销的接触面积。环可包含具有低热膨胀系数的材料，诸如陶瓷，使得滑动轴衬组件适合于使用在高于250℃的环境中。滑动轴衬组件的设计简单性可改良高温处理环境下的设备可靠性，且可使轴衬生产费用减小高达50%，在高温处理环境下传统轴衬容易有故障。另外，通过减少轴衬组件内的活动部分的数目，在设备操作期间产生较少非所要粒子，从而减少基板污染的发生。
下文将关于PECVD腔室说明性描述本发明，所述PECVD腔室可购自AKT，加州圣克拉拉的Applied Materials,Inc.的子公司。应理解，本发明同样适用于可能需要支撑销的任何腔室，包括物理气相沉积(physical vapordeposition;PVD)腔室。亦应理解，如下所述的本发明同样适用于PECVD腔室、蚀刻腔室、物理气相沉积(PVD)腔室、等离子体处理腔室及由其它供货商制得的其它腔室。
图1为根据本发明的一个实施例的PECVD装置100的示意性横截面视图。装置100包含与腔室壁108耦接的盖组件102。在装置100内，喷头110可安置在基板支撑件104对面，基板106可安置在所述基板支撑件104上用于处理。喷头110可由支架118支撑。基板106可经由安置在腔室壁108中的狭缝阀124进入且退出装置100。基板106可包含平板显示基板、太阳能基板、半导体基板、有机发光二极管基板(organic light-emitting diode;OLED)或任何其它基板。喷头110可包含一或多个气体通道112，一或多个气体通道112在增压室114与处理空间116之间延伸。引入增压室114内的气体可经均匀分散在喷头110后面以经由气体通道112引入处理空间116内。气体可由气源132提供。气体可自气源132经由RF扼流器130行进至气体输入136，气体可经由所述气体输入136引入至增压室114内。RF电源134亦可与气体输入136及盖组件102耦接。
一或多个轴衬组件122可经安置在基板支撑件104内。支撑销120可延伸穿过轴衬组件122，以使得轴衬组件122促进支撑销120沿着垂直于基板支撑件104的平面的轴的运动。在一个方面中，当基板支撑件104处于降低位置时，支撑销120延伸穿过轴衬组件122至在基板支撑件104的表面上方的位置，且当基板支撑件104处于升高位置时，支撑销120定位在基板支撑件104的表面下方。
在本发明的一个实施例中，基板支撑件104为基座，所述基座在处理基板106之前及之后可在PECVD装置100内升高及降低。例如，在处理之前，基板支撑件104可处于降低位置，并与狭缝阀124对准，以接受基板106。当处于降低位置时，支撑销120可延伸在基板支撑件104的表面上方。基板106在经由狭缝阀124进入PECVD装置100后可经放置在支撑销120上。随后可将支撑销120相对于基板支撑件104而降低，从而放置基板106与基板支撑件104接触。在经放置与基板支撑件104接触之后，基板106可经历加热及处理。
可以各种方式布置轴衬组件122，所述各种方式使支撑销120能够给基板106提供足够支撑。举例而言，可将轴衬组件122均匀分布遍及基板支撑件104，或可将轴衬组件122集中在基板支撑件104的特定区域内。较佳地，轴衬组件122的分布经设计以对具有特定形状的基板106提供支撑，所述基板例如，具有矩形形状、正方形形状、圆形形状或另外几何形状的基板。
图2A为根据本发明的一个实施例的安置在基板支撑件104内的滑动轴衬组件200的示意性横截面视图。滑动轴衬组件200包含管状主体210，管状主体210具有上部分230、中间部分240、下部分250、外周长211及延伸穿过外周长211的孔202。孔202延伸穿过管状主体210的中间部分240以形成第一直径204，且延伸穿过管状主体210的上部分230及下部分250以分别形成第二直径206及第三直径207。第一直径204可与第二直径206及第三直径207交切(meet)以形成壁架208，可将环212安置在壁架208上。每一环212包含内边缘216，内边缘216形成环状孔214。环状孔214较佳地与基板支撑孔260对准。
可将对准销220安置在管状主体210内。在本发明的此实施例中，可将环212安置在对准销220上以确保环状孔214彼此适当地对准。对准销220可进一步操作以使环状孔214与管状主体210对准，以使得当将滑动轴衬组件200安置在基板支撑件104内时，环状孔214与基板支撑孔260对齐。对准销220可包含陶瓷材料，诸如氧化铝或二氧化硅，从而允许销220在高温环境下操作而无显著热膨胀或软化。在其它实施例中，对准销220包含金属，诸如铝合金。
在本发明的一个实施例中，第二直径206及第三直径207延伸进入管状主体210至大于环212的厚度的深度。因此，环212分别偏离管状主体210的顶部第一距离218且偏离管状主体210的底部第二距离219。在本发明的其它实施例中，环212可能不偏离管状主体210的顶部或底部，或仅一个环212可能偏离管状主体210的顶部或底部任一个。
在本发明的实施例中，环212可经定位接近管状主体210的末端。举例而言，管状主体210的末端与环212的外表面之间的距离可为环212的厚度的约0倍至3倍。在另一实施例中，管状主体210的末端与环212的外表面之间的距离可为环212的厚度的约0.1倍至2倍。在又一实施例中，管状主体210的末端与环212的外表面之间的距离可为环212的厚度的约0.5倍至1倍。在其它实施例中，管状主体210的末端与环212的外表面之间的距离可为约0.01英寸至0.5英寸。在另一实施例中，管状主体210的末端与环212的外表面之间的距离可为约0.1英寸至0.3英寸。
可将滑动轴衬组件200通过插入穿过基板支撑件104的底面而安置在基板支撑件104中。在处理基板106期间（未图示），可由基板支撑件104加热基板106。因此，需要确保基板支撑件104与基板106彼此接触。然而，冷斑或较低温度区域可出现在基板106的区域上，基板支撑孔260位于所述区域下方。通过设置滑动轴衬组件200插入穿过基板支撑件104的底部，可减小基板支撑孔260的大小，从而增大与基板106接触的基板支撑件104的总表面面积，且减少冷斑的发生及严重程度。另外，在管状主体210由具有良好热传导性质的材料（诸如铝合金）构造的实施例中，可通过自基板支撑件104至与基板106接触的管状主体210的部分的热传导进一步减少冷斑的发生及严重程度。
图2B为根据本发明的一个实施例的穿过滑动轴衬组件200延伸的支撑销120的示意性横截面视图。基板支撑件104可包含基板支撑孔260，基板支撑壁架262沿着所述基板支撑孔260形成。支撑销120沿着垂直于基板支撑件104的平面的轴延伸穿过滑动轴衬组件200且穿过基板支撑孔260。支撑销120包含支撑销头121，所述支撑销头121位于支撑销120的顶端。当支撑销120处于降低位置时，支撑销头121可位于基板支撑壁架262顶部，如图2B所示。
支撑销120延伸穿过滑动轴衬组件200以使得支撑销120的圆周上的一或多个点与环212的内边缘216接触。内边缘216可为圆形的，从而减小在支撑销120与环212之间接触的表面面积。通过减小此表面面积，可减少当支撑销120滑动通过滑动轴衬组件200时由摩擦产生的粒子数目且可改良设备寿命及可靠性。
在本发明的另一实施例中，为进一步减小在支撑销120与滑动轴衬组件200之间的摩擦，支撑销120在最多两个点上接触滑动轴衬组件200。例如，可选择支撑销120的直径及内边缘216的直径以使得支撑销120与在每一环212的内边缘216上的最多一个点接触。
在又一实施例中，内边缘216可为圆形的，其中每一内边缘216具有曲率半径。曲率半径可自约0.025英寸至2英寸。在另一实施例中，内边缘216的曲率半径为自约0.05英寸至1英寸。在又一实施例中，曲率半径为自约0.1英寸至0.4英寸。或者，曲率半径可为环212的厚度的函数。在一个实施例中，内边缘216的曲率半径为环212的厚度的约0.25倍至2倍。在另一实施例中，曲率半径可为环212的厚度的约0.5倍至1倍。
环212的直径及厚度可相同，或每一环212可具有不同直径及厚度。另外，环状孔214的直径及每一环212的内边缘216的曲率半径可相同，或这些值可不同。在本发明的实施例中，环212可具有约0.05英寸至1英寸的厚度。在另一实施例中，环212可具有约0.1英寸至0.5英寸的厚度。在又一实施例中，环212可具有约0.2英寸的厚度。环212的直径可为约0.5英寸至3英寸。在另一实施例中，环212的直径可为约1英寸至2英寸。在又一实施例中，环212的直径可为约1.5英寸。环状孔214可具有约0.05英寸至1英寸的直径。在另一实施例中，环状孔214的直径为约0.1英寸至0.5英寸。在又一实施例中，环状孔214的直径为约0.23英寸。
在本发明的实施例中，环212可经定位接近管状主体210的末端。举例而言，管状主体210的末端与环212的外表面之间的距离可为环212的厚度的约0倍至3倍。在另一实施例中，管状主体210的末端与环212的外表面之间的距离可为环212的厚度的约0.1倍至2倍。在又一实施例中，管状主体210的末端与环212的外表面之间的距离可为环212的厚度的约0.5倍至1倍。通过增加环212之间的距离，增强对支撑销120的控制，且可减小由于支撑销120上的侧向力而施加至环212的扭矩。此外，通过安置环212在管状主体210的末端处，可将滑动轴衬组件200快速且经济地组装或整修。此设计简单性可使轴衬生产费用减小高达50%。
为了确保在大范围温度下的滑动轴衬组件200的可靠操作，诸如环212及支撑销120的某些部件的尺寸可指定为具有某些公差。举例而言，在高温下，对环状孔214的直径用0.0002英寸的公差及对支撑销120的直径用0.0001英寸的公差可实现滑动轴衬组件200内的支撑销120的可靠运动。
可实质上减小高沉积温度下的热膨胀的有害效应，其中滑动轴衬组件200的部件（包括管状主体210、环212、对准销220及支撑销120）包含具有低热膨胀系数(coefficient of thermal expansion;CTE)的材料，诸如陶瓷。包括裂缝、未对准、摩擦增加、粘合及设备故障的这类效应是由不同材料在加热或冷却期间膨胀或收缩的速度之差产生。具有低热膨胀系数的材料包括氧化铝及二氧化硅，所述材料可使用在滑动轴衬组件200中。另外，可利用具有小尺寸的部件（例如具有小于约0.3英寸的直径的支撑销120及环状孔214）进一步减小热膨胀的有害效应，此是因为小直径部件在加热期间膨胀较少。
管状主体210可包含某种材料，所述材料使滑动轴衬组件200能够使用在高温环境中而不经受例如由于软化引起的强度减小。在一个实施例中，管状主体210包含金属合金。举例而言，管状主体210可包含铝合金，诸如6061等级铝合金。在其它实施例中，管状主体210可包含可使用在高温环境中而不经受显著热膨胀的材料，诸如陶瓷材料。管状主体210的长度可稍微短于基板支撑件104的厚度。举例而言，在一个实施例中，管状主体210的长度为约1英寸至5英寸。在另一实施例中，管状主体210的长度为约2英寸至4英寸。在又一实施例中，管状主体210的长度为约3英寸。
环212可包含陶瓷材料，例如，氧化铝或二氧化硅。较佳地，选择环212材料具有低热膨胀系数，以便当加热或冷却基板106时，环212及环状孔214无显著大小变化或不会变得未对准。支撑销120可包含陶瓷或金属。较佳地，支撑销120包含陶瓷材料，诸如氧化铝。为减小在滑动轴衬组件200的操作期间的摩擦，支撑销120可包含不同于环212的材料。举例而言，支撑销120可包含氧化铝，而环212包含二氧化硅。
图3A为根据本发明的一个实施例的滑动轴衬组件200的示意性俯视图。滑动轴衬组件200包含具有第二直径206的管状主体210、具有环状孔214的环212、对准销220及紧固机构310。
紧固机构310可轴向延伸穿过管状主体210以将一或多个环212耦接至管状主体210。举例而言，每一环212可通过单独的紧固机构310耦接至管状主体210，或相同紧固机构310可将两个环212耦接至管状主体210。
紧固机构310可包含适合于附接环212至管状主体210的任何机构。举例而言，紧固机构310可包含安装螺钉或螺母及螺栓设置。与诸如滚轮轴衬的传统轴衬相比，紧固机构310将环212耦接至管状主体210的简单性可显著减少滑动轴衬组件200的费用。另外，组装及拆卸的容易允许用最少时间及花费更换滑动轴衬组件200内的零件。举例而言，可更换滑动轴衬组件200的环212，从而允许再使用管状主体210。
可以适合于将环212耦接至滑动轴衬组件200的任何方式设置紧固机构310。举例而言，一或多个紧固机构310可经定位接近环212的周长，将环212耦接至管状主体210，或一或多个紧固机构310可经定位接近环状孔214。在其它实施例中，紧固机构310可通过插入穿过管状主体210的外周长211而将环212耦接至管状主体210。在又一实施例中，对准销220亦可充当紧固机构310，或紧固机构310亦可充当对准销220。
尽管图3A为根据本发明的一个实施例的滑动轴衬组件200的顶部及底部两者的代表，但其中滑动轴衬组件200的顶部及滑动轴衬组件200的底部具有不同设置的实施例亦在本发明的范围内，所述不同设置包括部件的不同直径、厚度、材料及位置。
图3B为根据本发明的一个实施例的滑动轴衬组件200的示意性横截面视图。滑动轴衬组件200包含管状主体210，所述管状主体210具有上部分230、中间部分240、下部分250、外周长211及延伸穿过外周长211的孔202。孔202延伸穿过管状主体210的中间部分240以形成第一直径204且延伸穿过管状主体210的上部分230及下部分250以分别形成第二直径206及第三直径207。第一直径204可与第二直径206及第三直径207交切以形成壁架208，可将环212安置在壁架208上。每一环212包含内边缘216，所述内边缘216形成环状孔214。在本发明的实施例中，第二直径206及第三直径207可延伸进入管状主体210至大于环212的厚度的深度，从而导致第一距离218及第二距离219的偏离。
虽然前文针对本发明的实施例，但可设计本发明的其它及进一步实施例而不脱离本发明的基本范围，且由随后的权利要求书确定本发明的范围。

Claims (6)

1.一种轴衬组件，包含：
管状主体，所述管状主体具有外周长及延伸穿过所述外周长的孔；
具有第一内边缘的第一环，所述第一环安置在所述管状主体的上部分中的所述孔中；
具有第二内边缘的第二环，所述第二环安置在所述管状主体的下部分中的所述孔中；
其中所述第一内边缘具有第一曲率半径，且所述第二内边缘具有第二曲率半径；以及
一或多个对准销，所述一或多个对准销延伸穿过所述管状主体且耦接至所述第一环及所述第二环。
2.如权利要求1所述的轴衬组件，其中所述一或多个对准销包含陶瓷。
3.一种轴衬组件，包含：
管状主体，所述管状主体具有外周长及延伸穿过所述外周长的孔，所述孔延伸穿过：
所述管状主体的中间部分以形成所述管状主体的第一内周长，所述第一内周长具有第一直径；
所述管状主体的上部分以形成所述管状主体的第二内周长，所述第二内周长具有第二直径，其中所述第二直径大于所述第一直径；以及
所述管状主体的下部分以形成所述管状主体的第三内周长，所述第三内周长具有第三直径，其中所述第三直径大于所述第一直径；以及
第一环，所述第一环设置于所述管状主体的上部分的所述第二内周长中，所述第一环具有第一内边缘；
第二环，所述第二环设置于所述管状主体的所述下部分的第三内周长中，所述第二环具有第二内边缘，其中所述第一内边缘具有第一曲率半径，所述第二内边缘具有第二曲率半径，并且其中所述第二内周长轴向延伸一距离，所述距离大于所述第一环的厚度；以及
紧固机构，所述紧固机构将所述第一环或所述第二环中的至少一个附接至所述管状主体，其中所述紧固机构延伸穿过所述管状主体。
4.一种轴衬组件，包含：
管状主体，所述管状主体具有外周长及延伸穿过所述外周长的孔，所述孔延伸穿过：
所述管状主体的中间部分以形成所述管状主体的第一内周长，所述第一内周长具有第一直径；
所述管状主体的上部分以形成所述管状主体的第二内周长，所述第二内周长具有第二直径，其中所述第二直径大于所述第一直径；以及
所述管状主体的下部分以形成所述管状主体的第三内周长，所述第三内周长具有第三直径，其中所述第三直径大于所述第一直径；以及
第一环，所述第一环设置于所述管状主体的上部分的所述第二内周长中；
第二环，所述第二环设置于所述管状主体的所述下部分的第三内周长中，其中所述第二内周长轴向延伸一距离，所述距离大于所述第一环的厚度；以及
紧固机构，所述紧固机构将所述第一环或所述第二环中的至少一个附接至所述管状主体，其中所述紧固机构延伸穿过所述管状主体。
5.一种轴衬组件，包含：
管状主体，所述管状主体具有外周长及延伸穿过所述外周长的孔；
第一环，所述第一环具有第一内边缘，所述第一环设置在所述管状主体的上部分的孔中；
第二环，所述第二环具有第二内边缘，所述第二环设置在所述管状主体的下部分中的孔中；以及
紧固机构，所述紧固机构轴向延伸穿过所述管状主体，所述紧固机构将所述第一环或所述第二环中的至少一个附接至所述管状主体。
6.如权利要求5所述的轴衬组件，其中所述管状主体具有中间部分，所述中间部分形成在所述管状主体的所述上部分和所述下部分之间，其中所述中间部分形成所述管状主体的第一内周长，并且所述第一内周长具有第一直径，所述上部分形成所述管状主体的第二内周长，并且所述第二内周长具有第二直径，所述下部分形成所述管状主体的第三内周长，并且所述第三内周长具有第三直径，以及其中所述第二直径和所述第三直径相对大于所述第一直径。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011146571A2 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Applied Materials, Inc. Tightly-fitted ceramic insulator on large-area electrode
US9991153B2 (en) * 2013-03-14 2018-06-05 Applied Materials, Inc. Substrate support bushing
US9887478B2 (en) * 2015-04-21 2018-02-06 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Thermally insulating electrical contact probe
US9899193B1 (en) 2016-11-02 2018-02-20 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. RF ion source with dynamic volume control
CN108242419A (zh) * 2016-12-26 2018-07-03 北京北方华创微电子装备有限公司 一种腔室及半导体设备
CN106894002A (zh) * 2017-03-31 2017-06-27 昆山国显光电有限公司 一种pecvd成膜装置及其成膜方法
TWI749231B (zh) * 2017-05-25 2021-12-11 日商日本碍子股份有限公司 晶圓基座
US11121010B2 (en) 2018-02-15 2021-09-14 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
CN108251821B (zh) * 2018-04-13 2020-04-10 昆山国显光电有限公司 一种应用于pecvd成膜的基座
CN113652673B (zh) * 2021-09-15 2023-11-24 福建华佳彩有限公司 一种化学气相沉积台板结构及其控制方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200624587A (en) * 2004-05-28 2006-07-16 Unaxis Balzers Ag Supporting and lifting device for substrates in vacuum
US7180283B2 (en) * 2002-07-17 2007-02-20 Infineon Technologies, Ag Wafer lifting device
KR20090071751A (ko) * 2007-12-28 2009-07-02 주식회사 아이피에스 리프트핀조립체 및 그를 가지는 진공처리장치

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4003245C2 (de) * 1990-02-03 1997-08-21 Stabilus Gmbh Führung für teleskopartig ineinander verschiebbare zylindrische Teile
US5313865A (en) 1992-10-13 1994-05-24 Advanced Turret Engineering Co. Turret station restoration apparatus
US5848670A (en) * 1996-12-04 1998-12-15 Applied Materials, Inc. Lift pin guidance apparatus
JP4111703B2 (ja) 2001-10-19 2008-07-02 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ウエハリフト機構
US6887317B2 (en) * 2002-09-10 2005-05-03 Applied Materials, Inc. Reduced friction lift pin
US7649290B2 (en) * 2004-04-22 2010-01-19 Thk Co., Ltd. Bearing bush and compound movement using the same
US7638003B2 (en) * 2006-01-12 2009-12-29 Asm Japan K.K. Semiconductor processing apparatus with lift pin structure
JP5022855B2 (ja) * 2007-10-05 2012-09-12 古河機械金属株式会社 リフトピン機構、加熱処理装置、減圧乾燥装置
WO2010009050A2 (en) * 2008-07-15 2010-01-21 Applied Materials, Inc. Substrate lift pin sensor
US20110014396A1 (en) * 2009-07-14 2011-01-20 Applied Materials, Inc. Recirculating linear rolling bushing
JP5387760B2 (ja) * 2010-04-07 2014-01-15 株式会社安川電機 θＺ駆動装置およびステージ装置
KR101218570B1 (ko) * 2010-05-28 2013-01-18 주성엔지니어링(주) 리프트핀 어셈블리

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7180283B2 (en) * 2002-07-17 2007-02-20 Infineon Technologies, Ag Wafer lifting device
TW200624587A (en) * 2004-05-28 2006-07-16 Unaxis Balzers Ag Supporting and lifting device for substrates in vacuum
KR20090071751A (ko) * 2007-12-28 2009-07-02 주식회사 아이피에스 리프트핀조립체 및 그를 가지는 진공처리장치

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Publication number Publication date
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