TWI689062B - 加熱基底及處理裝置 - Google Patents

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日商愛發科股份有限公司
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Abstract

本發明之加熱基底係支持加熱器者，前述加熱基底具備配置於前述加熱器與前述加熱基底之間且設置於前述加熱基底的複數個變位機構，且複數個前述變位機構中3個以上之變位機構在與前述加熱器接觸之狀態下可將前述加熱器相對於前述加熱基底進行變位。

Description

加熱基底及處理裝置
本發明係關於一種加熱基底及處理裝置。
先前，作為處理基板之處理裝置業已知悉具備支持加熱基板之加熱器之背面的加熱基底之構造。基於熱傳導性及耐腐蝕性之觀點，作為加熱器之材料例如使用鋁合金等金屬。作為加熱基底之材料例如採用陶瓷等材料(例如參照日本特開2008-244079號公報)。
在上述構造應用於成膜裝置時，成膜時之加熱器之溫度例如為200℃～480℃等高溫。在此高溫下，起因於加熱器及加熱基底之構成材料之熱膨脹率之差，而加熱器相對於加熱基底熱拉伸。
若加熱器為高溫(例如，如超過380℃之高溫)，則在構成加熱器之鋁合金與構成加熱基底之陶瓷之間之接觸面容易產生摩擦，而加熱器難以相對於加熱基底滑動。此時，在加熱器中，伴隨著沿水平方向之熱拉伸產生起因於接觸面之摩擦之起伏變形(波紋)或翹曲變形，而加熱器之上表面之平坦性降低。其結果為，有與加熱器對向之上部電極與加熱器之間之間隙不均一，而無法獲得均一之膜厚分佈之問題。
近年來，因伴隨著處理裝置之大型化，而加熱器及加熱基底之大小也大型化，故如上述之起因於熱膨脹率之差之加熱器之熱拉伸量增加，進而因起因於摩擦之起伏或翹曲所致之變形量也增加。
本發明係考量如上述之事態而完成者，目的在於提供一種能夠抑制加熱器之起伏或翹曲而維持加熱器之平坦性的加熱基底、及具備該加熱基底之處理裝置。
本發明之第1態樣之加熱基底係支持加熱器者，前述加熱基底具備配置於前述加熱器與前述加熱基底之間且設置於前述加熱基底之複數個變位機構，且複數個前述變位機構中3個以上之變位機構在與前述加熱器接觸之狀態下可將前述加熱器相對於前述加熱基底進行變位。
在本發明之第1態樣之加熱基底中，複數個前述變位機構各者可具備：台座，其被固定於前述加熱基底，且具有朝向前述加熱器開口之凹部；複數個小徑滾珠，其等位於前述凹部之內部，且在前述凹部之表面上滾動；及大徑滾珠，其在前述凹部之內部由複數個前述小徑滾珠可旋轉地支持，與前述加熱器接觸，且直徑大於前述小徑滾珠。
在本發明之第1態樣之加熱基底中，可行的是，複數個前述變位機構各者具備：複數個前述凹部、及複數個前述大徑滾珠，在一個凹部內配置有一個大徑滾珠。
在本發明之第1態樣之加熱基底中，複數個前述變位機構可配置於前述加熱基底之一個面上。
在本發明之第1態樣之加熱基底中，可行的是，前述加熱基底具備：在第1方向延伸之第1基座、及在與前述第1方向交叉之第2方向延伸且被固定於前述第1基座之複數個第2基座，且複數個前述變位機構配置於複數個前述第2基座上。
在本發明之第1態樣之加熱基底中，前述變位機構可配置於前述第1基座上。
在本發明之第1態樣之加熱基底中，可行的是，前述加熱基底具備：平板狀之第1基座；及平板狀之第2基座，其在前述加熱基底之俯視下具有與前述第1基座之中心一致之中心，具有位於較前述第1基座之外周部更外側之外周部，且以覆蓋前述第1基座之全面之方式配置於前述第1基座之上表面，並且由複數個基座分割體構成；並且複數個前述變位機構配置於複數個前述基座分割體上。
在本發明之第1態樣之加熱基底中，可行的是，在供複數個前述變位機構配置之前述加熱基底之面上，前述加熱基底具備複數個距離調整部，在一個距離調整部配置有一個變位機構，在複數個前述距離調整部各者中調整前述變位機構與前述加熱器接觸之接觸部和前述加熱基底之間之距離。
在本發明之第1態樣之加熱基底中，位於前述加熱基底之前述面之外周區域之前述距離調整部與前述加熱器之間之距離可被規定為大於位於前述面之中央區域之前述距離調整部與前述加熱器之間之距離。
在本發明之第1態樣之加熱基底中，可行的是，具備設置於前述距離調整部之間隔件，且相應於前述間隔件之高度規定前述距離調整部與前述加熱器之間之距離。
本發明之第2態樣之處理裝置係處理基板者，前述處理裝置具備：腔室；加熱器，其具有供前述基板載置之表面、及與前述表面為相反側之背面，且被配置於前述腔室內；加熱基底，其支持前述加熱器之前述背面，且被配置於前述腔室內；複數個變位機構，其等配置於前述加熱器與前述加熱基底之間，且設置於前述加熱基底；高頻電源，其在前述腔室內產生電漿；及升降機構，其使前述加熱基底在上下方向移動；且複數個前述變位機構中3個以上之變位機構在與前述加熱器接觸之狀態下可將前述加熱器相對於前述加熱基底進行變位。
[發明之效果] 根據本發明之上述態樣，能夠抑制加熱器之起伏或翹曲而維持加熱器之平坦性。
針對本發明之實施形態之加熱基底及處理裝置，一面參照圖式一面進行說明。在本實施形態之說明所利用之各圖式中，由於設為可辨識各構件之大小，故適宜地變更各構件之比例尺。在本實施形態之說明中，「俯視」意味著自鉛直方向(上下方向、重力方向)觀察構成處理裝置之構件之平面圖。又，所謂水平方向(X方向、Y方向)意味著與鉛直方向正交之方向。
(第1實施形態) (處理裝置) 在以下之說明中，作為一例係說明將本發明之第1實施形態之處理裝置應用於電漿CVD裝置(chemical vapor deposition，化學汽相沈積)之情形。
圖1係顯示本發明之第1實施形態之電漿CVD裝置100之概略構造的剖視圖。
如圖1所示，電漿CVD裝置100具備：真空腔室10、加熱器20、高頻電源30、升降機構40、加熱基底50、真空泵60、氣體供給部70、及門閥80。
(真空腔室) 真空腔室10具備：下部腔室11、上部腔室12、及夾於下部腔室11與上部腔室12之間之電極凸緣13。
(加熱器) 加熱器20配置於真空腔室10內，由導電性構件之鋁合金形成。加熱器20具有：供基板K載置之載置面21T(表面)、及與加熱基底50對向且由複數個滾珠軸承單元90(後述)支持之支持面21B(背面、與表面為相反側之背面)。
在加熱器20形成有貫通加熱器20而在載置面21T開口之複數個開口孔22，在複數個開口孔22各者之內部收納有頂銷23，頂銷23在開口孔22之內部可在上下方向升降。
在加熱器20之內部設置有發熱線24。發熱線24在加熱器20之俯視下具有特定之平面圖案，發熱線24之端子露出於支持面21B。發熱線24之端子連接於設置於構成升降機構40之支柱41之內部的饋電線25。饋電線25連接於設置於構成升降機構40之凸緣42之外部端子44。
(高頻電源) 高頻電源30設置於真空腔室10之外部，經由未圖示之匹配箱及配線電性連接於設置於真空腔室10內之上部電極75(陰極電極)。藉由高頻電源30啟動，對上部電極75供給經匹配整合之高頻電力(RF)，而在真空腔室10內產生電漿。
(升降機構) 升降機構40具有：馬達等驅動裝置、齒輪等動力傳遞機構、支柱41、凸緣42、及波紋管43。
支柱41由波紋管43包圍，配置於真空腔室10內，且被固定於凸緣42及加熱基底50之背面51B。波紋管43在上下方向可伸縮，且被固定於真空腔室10之下表面、及凸緣42之上表面。
升降機構40具備馬達等驅動裝置、及齒輪等動力傳遞機構，而可使凸緣42在上下方向移動。藉由凸緣42之上下方向之移動，而被固定於凸緣42與加熱基底50之間之支柱41移動，藉此在真空腔室10之內部，加熱器20在上下方向移動。亦即，升降機構40可變更加熱器20之上下方向之位置，能夠適宜地調整加熱器20與上部電極75之間之間隙。例如，可設定於14 mm之狹小間隙。
此外，藉由使加熱器20朝下方移動，而頂銷23與頂銷基座45接觸，從而頂銷23自載置面21T突出。此時，在將基板K載置於載置面21T上時，頂銷23舉起基板K，之後，基板K藉由未圖示之搬送臂而朝真空腔室10之外部被搬送。
(真空泵) 真空泵60經由未圖示之壓力調整閥及配管連接於形成於真空腔室10之排氣口。藉由驅動真空泵60，而可將真空腔室10內維持為真空狀態，可在製程結束後去除殘存於真空腔室10內之氣體。又，藉由在對真空腔室10內供給製程氣體之狀態下驅動真空泵60及壓力調整閥，而可根據製程條件調整真空腔室10內之壓力。
(氣體供給部) 氣體供給部70經由未圖示之質量流量控制器及配管連接於形成於真空腔室10之氣體供給口。自氣體供給部70供給之氣體之種類可相應於真空腔室10內之製程之種類、例如成膜處理、蝕刻處理、灰化處理等適宜地選擇。自氣體供給部70供給之氣體在被供給至真空腔室10後，經由上部電極75(簇射板)朝向基板K朝上部電極75與加熱器20之間之空間被供給。
(門閥) 門閥80具備未圖示之開閉驅動機構。藉由門閥80打開，而未圖示之搬送臂可將基板K搬入電漿CVD裝置100內，或可自電漿CVD裝置100搬出基板K。藉由門閥80關閉，而真空腔室10為密閉狀態，可在真空腔室10內處理基板K。
電漿CVD裝置100可具備藉由對真空腔室10內之放電空間供給NF3 等氣體而對真空腔室10內之構件之表面予以清潔的清潔裝置。作為此種清潔裝置可舉出利用遠端電漿之裝置。
(加熱基底) 加熱基底50配置於真空腔室10之內部，支持加熱器20之支持面21B。在加熱器20與加熱基底50之間配置有後述之複數個滾珠軸承單元90(變位機構)，該滾珠軸承單元90設置於加熱基底50之上表面51T。作為加熱基底50之材料係採用陶瓷。在本實施形態中，加熱基底50之形狀為平板，如圖3所示在俯視下為矩形。此外，俯視之加熱基底50之形狀為矩形，但加熱基底50之形狀並不限定於本實施形態。
(滾珠軸承單元) 圖2A係將圖1所示之加熱器20、加熱基底50、及滾珠軸承單元90放大而顯示之剖視圖。
複數個滾珠軸承單元90各者具備：基座板B、台座92、複數個小徑滾珠93、大徑滾珠94、及蓋體95。
(基座板) 基座板B係藉由未圖示之緊固構件固定於加熱基底50之上表面51T。在基座板B設置有供台座92固定之收容部B1。
收容部B1之形狀係相應於台座92之形狀適宜地選擇。基座板B之材料例如係鋁。收容部B1之基座板B之厚度係以供滾珠軸承單元90配置之部分之加熱器20與加熱基底50之間之距離在加熱基底50之全面相等之方式適宜地決定。
(台座) 台座92被收容於基座板B之收容部B1。形成於台座92之凹部91例如係半球狀之凹窪，朝向加熱器20開口，且在凹部91之內部形成有球面(曲面)。
(小徑滾珠) 複數個小徑滾珠93位於凹部91之內部，且沿凹部91之球面配置。小徑滾珠93可在凹部91之表面上滾動。
在本實施形態中，小徑滾珠93之直徑例如為2.0 mm，小徑滾珠93之個數例如為49～52個。
此外，小徑滾珠93之個數及直徑並不限定於本實施形態。小徑滾珠93之個數及直徑係基於小徑滾珠93之滾動容易度、大徑滾珠94之直徑、大徑滾珠94之滾動容易度、台座92及蓋體95之高度、加熱器20與加熱基底50之間之距離等、及防止小徑滾珠93自滾珠軸承單元90脫離等觀點適切地決定。
(大徑滾珠) 大徑滾珠94在凹部91之內部由複數個小徑滾珠93支持，與加熱器20之墊部21P(接觸部)接觸，且具有大於小徑滾珠93之直徑。
大徑滾珠94在與複數個小徑滾珠93各者之球面之一部分接觸之狀態下可在小徑滾珠93之表面上滾動。
在本實施形態中，在一個凹部91內配置有一個大徑滾珠94。
在本實施形態中，大徑滾珠94之直徑例如為9.5 mm。
此外，大徑滾珠94之直徑並不限定於本實施形態。大徑滾珠94之直徑係基於大徑滾珠94之滾動容易度、台座92及蓋體95之高度、加熱器20與加熱基底50之間之距離、及防止大徑滾珠94自滾珠軸承單元90脫離等觀點適切地決定。
(墊部) 墊部21P係藉由螺釘等緊固構件S固定於加熱器20之支持面21B之構件，墊部21P之位置與大徑滾珠94之位置對應。墊部21P與大徑滾珠94之球面之一部分接觸，大徑滾珠94可在墊部21P之表面滾動。
墊部21P之面積係以在加熱器20相對於加熱基底50相對地變位時大徑滾珠94不會自墊部21P脫落之方式適切地決定。換言之，墊部21P之面積係以維持墊部21P與大徑滾珠94之接觸狀態之方式適切地決定。
此外，墊部21P構成加熱器20之一部分，在本實施形態中，有將包含墊部21P之加熱器20之構造稱為「加熱器」之情形。又，有將墊部21P與大徑滾珠94接觸之接觸面稱為加熱器20之背面之情形。
又，所謂「滾珠軸承單元90與加熱器20接觸之狀態(變位機構與加熱器接觸之狀態)」意味著加熱器20與大徑滾珠94(滾珠軸承單元90)介隔著墊部21P配置之狀態，或意味著未介隔著墊部21P而加熱器20與大徑滾珠94直接地接觸之狀態。
(蓋體) 蓋體95係藉由螺釘等緊固構件S固定於台座92之上表面92T。在蓋體95形成有圓形之孔95H，大徑滾珠94配置於孔95H之內側，且經由孔95H自蓋體95之上表面95T露出。
具體而言，蓋體95之上表面95T之孔95H之直徑小於大徑滾珠94之直徑D。蓋體95之下表面95B之孔95H之直徑大於大徑滾珠94之直徑D，與凹部91之直徑大致相同。
孔95H係以在自上表面95T朝向下表面95B之方向上孔95H之直徑增加之方式形成的錐孔。又，孔95H之內面與大徑滾珠94之表面不接觸。孔95H之內面與大徑滾珠94之表面之間之間隙小於小徑滾珠93之直徑。
蓋體95係維持大徑滾珠94之可旋轉之狀態，且防止小徑滾珠93及大徑滾珠94自滾珠軸承單元90脫離的構件。若能獲得此等之蓋體95之功能，則蓋體95並不限定於圖2A所示之構造。
相應於基座板B之高度、台座92之高度、小徑滾珠93之直徑、大徑滾珠94之直徑、及墊部21P之厚度決定加熱器20與加熱基底50之間之距離G。
此外，作為台座92、小徑滾珠93、大徑滾珠94、及蓋體95之材料例如採用氧化鋁等陶瓷材料。構成滾珠軸承單元90之構件之材料並不限定於本實施形態所示之例。
(滾珠軸承單元之配置) 圖3係將電漿CVD裝置100自鉛直方向投影之圖，且係說明加熱器20、加熱基底50、及滾珠軸承單元90之配置之平面圖。符號41係安裝於加熱基底50之背面51B之支柱，對加熱器20供給電力之饋電線25通過該支柱41之內部(參照圖1)。此外，在圖3中省略構成電漿CVD裝置100之其他構成要素。
如圖3所示，3個滾珠軸承單元90配置於加熱基底50之上表面51T上、亦即加熱基底50之一個面上。又，由於如圖1所示在鉛直方向上滾珠軸承單元90配置於加熱器20與加熱基底50之間，故亦即，加熱器20在3個部位由滾珠軸承單元90支持。
在圖3所示之例中，滾珠軸承單元90之個數為3個，但其個數只要為3個以上即可。若滾珠軸承單元90之個數為至少3個，則在3點加熱器20由滾珠軸承單元90穩定地支持。
此外，4個以上之滾珠軸承單元90可配置於加熱基底50之上表面51T上。
其次，針對具備如以上般構成之加熱基底50之電漿CVD裝置100之作用進行說明。
若自外部端子44經由饋電線25對發熱線24供給電力，則加熱器20被加熱。加熱器20之溫度可控制為適切之溫度，在本實施形態中可設定為如超過380℃之高溫。例如，加熱器20也可被加熱為430℃以上，根據形成於基板K上之膜之種類或成膜條件等適宜地設定其溫度。
在將基板K載置於如上述般經溫度設定之加熱器20之狀態下，利用升降機構40調整加熱器20與上部電極75之間之間隙。再者，藉由氣體供給部70對真空腔室10內供給CVD製程所需之氣體，藉由真空泵60及壓力調整閥之驅動而調整真空腔室10內之壓力，利用高頻電源30對上部電極75供給高頻電力(RF)，在加熱器20與上部電極75之間產生電漿，而在基板K上形成膜。
若如上述般加熱加熱器20，則加熱器20熱膨脹。尤其是，起因於加熱器20及加熱基底50之構成材料之熱膨脹率之差，而加熱器20相對於加熱基底50在水平方向熱拉伸。此時，由於利用構成滾珠軸承單元90之可旋轉之大徑滾珠94支持加熱器20之支持面21B，故加熱器20相對於加熱基底50相對地變位(移動)。由於因加熱器20之熱延伸所致之變位被轉換為大徑滾珠94之旋轉，故在加熱器20與加熱基底50之間不產生摩擦。
先前，在加熱器與加熱基底之間之接觸面容易產生摩擦，加熱器相對於加熱基底不易滑動，伴隨著沿水平方向之加熱器之熱拉伸而產生起因於接觸面之摩擦之起伏變形或翹曲變形。產生此變形之加熱器之上表面之平坦度例如為2 mm左右。
相對於此，在本實施形態中，藉由具備滾珠軸承單元90，而在加熱器20中不產生起伏變形或翹曲變形。即便在加熱器20被加熱為高溫時也能夠確保加熱器20之載置面21T之平坦性，而能夠嚴密且容易地管理平坦度。例如，可實現平坦度0.5 mm。
其結果為，能夠將上部電極75與加熱器20之間之間隙維持為一定，而利用均一地產生之電漿使基板K上之膜厚分佈均一。
其次，參照圖2B、圖2C、及圖4A至圖4C，說明第1實施形態之滾珠軸承單元之變化例A、B、C、D。
在圖2B、圖2C、及圖4A至圖4C中，對與上述之第1實施形態相同之構件賦予同一符號，且其說明省略或簡略化。
(第1實施形態之變化例A) 圖2B係將構成第1實施形態之變化例A之處理裝置之加熱器20、加熱基底50A、及滾珠軸承單元90放大而顯示之剖視圖。在供滾珠軸承單元90安裝之加熱基底之構造之點上，變化例A與第1實施形態不同。
具體而言，加熱基底50A具備形成為自上表面51T凹入之安裝凹部51R。在安裝凹部51R內配置有滾珠軸承單元90。以滾珠軸承單元90之一部分(基座板B)自上表面51T突出之方式，滾珠軸承單元90之下表面與安裝凹部51R之底面51L接觸。亦即，安裝凹部51R之底面51L為構成加熱基底50A之一個面之一部分。
在該構成中，安裝凹部51R之深度(自上表面51T至底面51L之距離)無特別限定。例如，相應於加熱器20與加熱基底50A之間之距離G及滾珠軸承單元90之高度(自大徑滾珠94與墊部21P之接觸點至基座板B之背面之距離)，適宜地設定安裝凹部51R之深度。例如，具有約10 mm之深度之安裝凹部51R可形成於加熱基底50A之上表面51T。
在俯視下，安裝凹部51R之大小(面積)較基座板B之大小大若干。以當在安裝凹部51R配置有滾珠軸承單元90時，以基座板B之側面與安裝凹部51R之內壁51W能夠接觸之方式，且以能夠自安裝凹部51R容易卸下滾珠軸承單元90(基座板B)之方式，設定安裝凹部51R之大小。
形成於上表面51T之安裝凹部51R之個數係相應於滾珠軸承單元90之個數決定。
在具有此構造之加熱基底50A中，僅憑藉在安裝凹部51R配置滾珠軸承單元90，便能夠進行滾珠軸承單元90之定位。換言之，在該定位構造中，無須使用螺釘等緊固構件。因不使用緊固構件，而能夠削減構成處理裝置之零件數目。
又，當在將滾珠軸承單元90預先安裝於安裝凹部51R之處理裝置中進行保養維修作業時，作業者僅憑藉固持滾珠軸承單元90，自安裝凹部51R卸下滾珠軸承單元90，便能夠進行保養維修作業。換言之，由於獲得不利用緊固構件之固定構造，故容易卸下滾珠軸承單元90。
尤其是，有在擔憂構成零件之腐蝕之處理裝置中保養維修之頻度變多之情形，但根據具有上述之構造之加熱基底50A，因保養維修容易，而有助於縮短保養維修時間。
(第1實施形態之變化例B) 圖2C係將構成第1實施形態之變化例B之處理裝置之加熱器20、加熱基底50B、及滾珠軸承單元90A放大而顯示之剖視圖。在滾珠軸承單元之構造之點上，變化例B與變化例A不同。
具體而言，滾珠軸承單元90A不具備圖2A及圖2B所示之基座板B，由台座92、複數個小徑滾珠93、大徑滾珠94、及蓋體95構成。
加熱基底50B具備形成為自上表面51T凹入之安裝凹部51R。在安裝凹部51R內配置有滾珠軸承單元90A。以滾珠軸承單元90A之一部分(蓋體95)自上表面51T突出之方式，滾珠軸承單元90A之下表面與安裝凹部51R之底面51L接觸。
在此構成中，安裝凹部51R之深度例如相應於加熱器20與加熱基底50B之間之距離G及滾珠軸承單元90A之高度(自大徑滾珠94與墊部21P之接觸點至台座92之背面之距離)適宜地設定。
在俯視下，安裝凹部51R之大小(面積)較台座92之大小大若干。當在安裝凹部51R配置有滾珠軸承單元90A時，以台座92之側面與安裝凹部51R之內壁51W能夠接觸之方式，且以能夠自安裝凹部51R容易卸下滾珠軸承單元90A(台座92)之方式，設定安裝凹部51R之大小。
形成於上表面51T之安裝凹部51R之個數係相應於滾珠軸承單元90A之個數決定。
在此構造中，滾珠軸承單元90A不具備基座板B，由於將台座92直接安裝於安裝凹部51R，故能夠削減構成處理裝置之零件數目。
再者，與上述之變化例A同樣地，不使用緊固構件，而僅憑藉在安裝凹部51R配置滾珠軸承單元90A，便能夠進行滾珠軸承單元90A之定位。又，能夠自安裝凹部51R容易卸下滾珠軸承單元90A。
尤其是，有在擔憂構成零件之腐蝕之處理裝置中保養維修之頻度變多之情形，但根據具有上述之構造之加熱基底50B，因保養維修容易，而有助於縮短保養維修時間。
(第1實施形態之變化例C) 圖4A係將第1實施形態之變化例C之滾珠軸承單元190放大而顯示之剖視圖。圖4B係將變化例C之滾珠軸承單元190放大而顯示之平面圖。
在滾珠軸承單元之構造之點上，變化例C與第1實施形態不同。具體而言，滾珠軸承單元190具備：基座板B、具有複數個凹部91之台座192、複數個小徑滾珠93、複數個大徑滾珠94、及蓋體195。
如圖4A所示，在變化例C中，形成於台座192之複數個凹部91之個數為6個，複數個大徑滾珠94之個數為6個。在一個凹部91內配置有一個大徑滾珠94。又，形成於蓋體195之孔之個數也相應於凹部91之個數為6個。
墊部21P與大徑滾珠94接觸，大徑滾珠94可在墊部21P之表面滾動。
(第1實施形態之變化例D) 圖4C係將第1實施形態之變化例D之滾珠軸承單元290放大而顯示之平面圖。變化例D之滾珠軸承單元290在凹部及大徑滾珠之個數之點上與圖4B所示之變化例C不同。滾珠軸承單元290具備4個大徑滾珠。
構成滾珠軸承單元190、290之其他之構件之構造及材料係與上述實施形態之滾珠軸承單元90相同。
上述變化例C、D之滾珠軸承單元190、290可安裝於加熱基底50而取代安裝於圖1及圖3所示之滾珠軸承單元90。
此時，在複數個滾珠軸承單元各者中，由於在多點上大徑滾珠94與墊部21P接觸，故與圖3所示之情形相比能夠以更多數目之支持點支持加熱器20。
因而，與利用3個圖2A至圖2C所示之滾珠軸承單元90支持加熱器20之構造(圖3)相比，能夠減輕對每一大徑滾珠94施加之負載。換言之，起因於加熱器20之重量之負載分散於配置於各滾珠軸承單元之複數個大徑滾珠94。其結果為，除上述之效果外，在各滾珠軸承單元中大徑滾珠94容易旋轉，在此狀態下，能夠使加熱器20相對於加熱基底50相對地變位(移動)。
此外，作為電漿CVD裝置100具備之複數個滾珠軸承單元，可將滾珠軸承單元90、190、290組合地安裝於加熱基底50。
又，滾珠軸承單元具備之大徑滾珠94之個數並不限定於上述之6個、4個，相應於滾珠軸承單元所配置之配置圖案、對滾珠軸承單元各者施加之負載等適宜地選擇。
此外，上述滾珠軸承單元190、290也可應用於圖2B所示之構造。此時，構成上述滾珠軸承單元190、290之基座板B配置於安裝凹部51R。
又，構成上述滾珠軸承單元190、290之台座192也可應用於圖2C所示之構造。此時，台座192配置於安裝凹部51R。
(第2實施形態) 其次，參照圖5A至圖7B，針對本發明之第2實施形態之電漿CVD裝置及其變化例進行說明。
在圖5A至圖7B中，對與第1實施形態相同之構件賦予同一符號，且其說明省略或簡略化。在加熱基底之構造之點上，第2實施形態與第1實施形態不同。
圖5A至圖7B係將本發明之第2實施形態之電漿CVD裝置自鉛直方向投影之圖，且係說明構成電漿CVD裝置之加熱器20、加熱基底150、及滾珠軸承單元BU之配置之圖。圖5A係顯示第2實施形態之加熱基底150之平面圖。圖5B係顯示變化例1之加熱基底250之平面圖。圖6A係顯示變化例2之加熱基底350之平面圖。圖6B係顯示變化例3之加熱基底450之平面圖。圖7A係顯示變化例4之加熱基底650之平面圖。圖7B係顯示變化例5之加熱基底750之平面圖。
此外，在圖5A至圖7B中，以符號BU表示之滾珠軸承單元BU採用上述之滾珠軸承單元90、190、290之任一者。
如圖5A所示，加熱基底150具備：在X方向(第1方向)延伸之第1基座52、及在Y方向(與第1方向交叉之第2方向)延伸之複數個第2基座53。複數個第2基座53係藉由未圖示之緊固構件固定於第1基座52。
在本實施形態中，將1個第1基座52之背面固定於支柱41，將4個第2基座53固定於第1基座52之上表面。
由於在第2基座53各者之上表面53T上配置有3個滾珠軸承單元BU，故將合計12個滾珠軸承單元BU配置於加熱基底150。此外，在圖5A所示之例中，在第1基座52上未配置滾珠軸承單元BU。
在將具有此構成之加熱基底150應用於電漿CVD裝置時，由於在複數個滾珠軸承單元BU各者中，大徑滾珠94與墊部21P接觸，故與圖3所示之情形相比能夠以更多數目之支持點支持加熱器20。
因而，起因於加熱器20之重量之負載分散於複數個滾珠軸承單元BU，而能夠減輕對每一滾珠軸承單元BU施加之負載。其結果為，除上述之效果外，在各滾珠軸承單元BU中大徑滾珠94容易旋轉，在此狀態下，能夠使加熱器20相對於加熱基底150相對地變位(移動)。
(第2實施形態之變化例1) 在本變化例中，對與加熱基底150相同之構件賦予同一符號，且其說明省略或簡略化。
在圖5B所示之變化例1中，將4個第2基座53固定於1個第1基座52。在第2基座53各者之上表面53T上配置有5個滾珠軸承單元BU。再者，不僅在第2基座53之上表面53T，也在第1基座52之上表面52T配置有滾珠軸承單元BU。又，在靠近支柱41之位置也以包圍支柱41之方式配置有滾珠軸承單元BU。合計26個滾珠軸承單元BU配置於加熱基底250。
再者，於在第1基座52之上表面52T配置有滾珠軸承單元BU之構成中，在第1基座52之上表面52T與第2基座53之上表面53T之間產生階差。即，由於在第1基座52上固定有具有厚度之第2基座53，故產生與第2基座53之厚度對應之階差。
為了消除該階差，而在第1基座52之上表面52T上配置有具有相應於該階差之高度(第2基座53之厚度)之厚度的間隔件SP，在間隔件SP上配置有滾珠軸承單元BU。亦即，間隔件SP配置於滾珠軸承單元BU與上表面52T之間。
在將具有此構成之加熱基底250應用於電漿CVD裝置時，與圖5A所示之情形相比能夠以更多數目之支持點支持加熱器20。因而，起因於加熱器20之重量之負載分散於複數個滾珠軸承單元BU，而減輕對每一滾珠軸承單元BU施加之負載，在各滾珠軸承單元BU中大徑滾珠94容易旋轉，在此狀態下能夠使加熱器20相對於加熱基底250相對地變位(移動)。
再者，即便當在第1基座52之上表面52T與第2基座53之上表面53T之間產生階差時，由於間隔件SP配置於上表面52T上，故仍能夠使上表面52T與加熱器20之間之距離和上表面53T與加熱器20之間之距離相等。因而，能夠確保加熱器20之載置面21T之平坦性，而能夠嚴密且容易地管理平坦度。其結果為，能夠將上部電極75與加熱器20之間之間隙維持為一定，而利用均一地產生之電漿使基板K上之膜厚分佈均一。
(第2實施形態之變化例2) 在本變化例中，對與加熱基底150、250相同之構件賦予同一符號，且其說明省略或簡略化。
在圖6A所示之變化例2中，將6個第2基座53固定於1個第1基座52。
由於在第2基座53各者之上表面53T上配置有3個滾珠軸承單元BU，故將合計18個滾珠軸承單元BU配置於加熱基底350。此外，在圖6A所示之例中，在第1基座52上未配置滾珠軸承單元BU。
在將具有此構成之加熱基底350應用於電漿CVD裝置時，由於在複數個滾珠軸承單元BU各者中，大徑滾珠94與墊部21P接觸，故與圖3所示之情形相比能夠以更多數目之支持點支持加熱器20。
(第2實施形態之變化例3) 在本變化例中，對與加熱基底150、250、350相同之構件賦予同一符號，且其說明省略或簡略化。
在圖6B所示之變化例3中，將6個第2基座53固定於1個第1基座52。在第2基座53各者之上表面53T上配置有5個滾珠軸承單元BU。再者，不僅在第2基座53之上表面53T，也在第1基座52之上表面52T配置有滾珠軸承單元BU。又，在靠近支柱41之位置也以包圍支柱41之方式配置有滾珠軸承單元BU。合計38個滾珠軸承單元BU配置於加熱基底450。
再者，為了消除在上表面52T與上表面53T之間產生之階差，而在上表面52T上配置有相應於第2基座53之厚度之間隔件SP。在間隔件SP上配置有滾珠軸承單元BU。
在將具有此構成之加熱基底450應用於電漿CVD裝置時，如上述般，起因於加熱器20之重量之負載分散於複數個滾珠軸承單元BU，而減輕對每一滾珠軸承單元BU施加之負載，在各滾珠軸承單元BU中大徑滾珠94容易旋轉，在此狀態下能夠使加熱器20相對於加熱基底450相對地變位(移動)。
再者，即便在第1基座52之上表面52T與第2基座53之上表面53T之間產生階差時，由於間隔件SP配置於上表面52T上，故仍能夠使上表面52T與加熱器20之間之距離和上表面53T與加熱器20之間之距離相等。其結果為，獲得與上述之效果同樣之效果。
此外，在圖5A及圖5B中說明第2基座53之個數為4個之情形，在圖6A及圖6B中說明第2基座53之個數為6個之情形，第2基座53之個數並不限定於圖5A至圖6B。可相應於第2基座53之寬度、圖8A及圖8B所示之滾珠軸承單元BU之配置圖案等(後述)適宜地變更。
又，在圖5A至圖6B中，第1基座52及第2基座53之形狀為長條之矩形，但本發明並不將6個第2基座53之形狀限定於第1基座52。又，在上述實施形態中顯示有將第2基座53重合地固定於第1基座52之構造，但本發明並不限定於第1基座52及第2基座53之固定構造。
在上述之第2實施形態及其變化例1～3中，第1基座52之延伸方向(X方向)與複數個第2基座53之延伸方向(Y方向)交叉，但本發明並不限定於第1基座52與第2基座53相互交叉之構造。例如，採用以下所說明之變化例4、5所示之構造。
(第2實施形態之變化例4) 圖7A所示之本變化例4之加熱基底650具有在支柱41上平板狀之第1基座62與大於第1基座62之第2基座63重疊之構造。具體而言，將第1基座62及第2基座63相對於支柱41一起緊固。在供支柱41配置之部分以外之部分，為第2基座63未固定於第1基座62，第2基座63僅搭載於第1基座62之上表面之狀態。
在加熱基底650之俯視下，第2基座63之中心C2與第1基座62之中心C1一致，第2基座63以覆蓋第1基座62之全面之方式固定於第1基座62之上表面。此外，由於第1基座62之中心C1及第2基座63之中心C2係供設置於支柱41之內部之饋電線25通過之部位，故中心C1、C2相當於呈圓形狀被切除之部分(假想中心)。又，第2基座63具有位於較第1基座62之外周部P1更外側之外周部P2。此處，第1基座62之外周部P1相當於第1基座62之外周之側面。同樣地，第2基座63之外周部P2相當於第2基座63之外周之側面。
第2基座63由複數個平板狀之基座分割體(4個基座分割體、第1分割體63A、第2分割體63B、第3分割體63C、第4分割體63D)構成。複數個基座分割體各者被固定於第1基座62之上表面。
複數個基座分割體各者之外周部形成第2基座63之外周部P2。亦即，由第1分割體63A之外周部63AP、第2分割體63B之外周部63BP、第3分割體63C之外周部63CP、及第4分割體63D之外周部63DP形成外周部P2。
複數個基座分割體各者具有與相鄰之基座分割體對向之對向面。亦即，第1分割體63A具有2個對向面63AC，一個對向面63AC與第2分割體63B對向，另一對向面63AC與第3分割體63C對向。第2分割體63B具有2個對向面63BC，一個對向面63BC與第1分割體63A對向，另一對向面63BC與第4分割體63D對向。第3分割體63C具有2個對向面63CC，一個對向面63CC與第1分割體63A對向，另一對向面63CC與第4分割體63D對向。第4分割體63D具有2個對向面63DC，一個對向面63DC與第2分割體63B對向，另一對向面63DC與第3分割體63C對向。
上述之4個基座分割體63A、63B、63C、63D配置為在相互對向之對向面之間不產生間隙，亦即相互對向之對向面接觸。
在複數個基座分割體各者之上表面配置有6個滾珠軸承單元BU。因而，在由4個基座分割體構成之第2基座63之上表面配置有合計24個滾珠軸承單元BU。
在將具有此構成之加熱基底650應用於電漿CVD裝置時，與圖3所示之情形相比能夠以更多數目之支持點支持加熱器20。又，起因於加熱器20之重量之負載分散於複數個滾珠軸承單元BU，而能夠減輕對每一滾珠軸承單元BU施加之負載。其結果為，在各滾珠軸承單元BU中大徑滾珠94容易旋轉，在此狀態下，能夠使加熱器20相對於加熱基底650相對地變位(移動)。
再者，由於藉由以在相互對向之對向面之間不產生間隙之方式配置4個基座分割體63A、63B、63C、63D而形成第2基座63，故抑制自加熱器20產生之熱經由基座分割體之間隙朝第2基座63之下方散熱。藉此，能夠提高第2基座63之絕熱性，而能夠維持加熱器20之面上之溫度之均一性。其結果為，加熱器20可均一地加熱基板K，而能夠獲得成膜均一性。尤其是，在高溫製程(例如，如超過380℃之成膜溫度)中能夠獲得優異之成膜均一性。
(第2實施形態之變化例5) 在本變化例中，對與加熱基底650相同之構件賦予同一符號，且其說明省略或簡略化。
在圖7B所示之變化例5之加熱基底750中，在4個基座分割體63A、63B、63C、63D各者之上表面配置有9個滾珠軸承單元BU。因而，在由4個基座分割體構成之第2基座63之上表面配置有合計36個滾珠軸承單元BU。
在將具有此構成之加熱基底750應用於電漿CVD裝置時，與圖7A所示之情形相比能夠以更多數目之支持點支持加熱器20。又，起因於加熱器20之重量之負載分散於複數個滾珠軸承單元BU，而能夠減輕對每一滾珠軸承單元BU施加之負載。其結果為，在各滾珠軸承單元BU中大徑滾珠94容易旋轉，在此狀態下，能夠使加熱器20相對於加熱基底750相對地變位(移動)。
再者，與圖7A所示之加熱基底650同樣地，起因於第2基座63之絕熱性之提高，而能夠維持加熱器20之面上之溫度之均一性。其結果為，加熱器20可均一地加熱基板K，而能夠獲得成膜均一性。尤其是，在高溫製程(例如，如超過380℃之成膜溫度)中能夠獲得優異之成膜均一性。
(第2實施形態之變化例6、7) 其次，說明由配置於上述之加熱基底150、250、350、450、650、750之複數個滾珠軸承單元BU構成之配置圖案。
圖8A及圖8B係說明構成本發明之第2實施形態之處理裝置之加熱基底之俯視的滾珠軸承單元之平面圖案的圖。圖8A係顯示變化例6之圖，圖8B係顯示變化例7之圖。
此外，在圖8A及圖8B中，未顯示加熱基底，僅說明配置於加熱基底上之滾珠軸承單元BU之配置(排列)。作為加熱基底之構成係採用圖3、圖5A至圖7B所示之構造等。
在圖8A所示之變化例6中，以形成沿第1排列方向D1(X方向)與第2排列方向D2(Y方向、與第1排列方向交叉之第2排列方向)排列之格柵圖案GP1之方式，排列有複數個滾珠軸承單元BU(4個以上之滾珠軸承單元BU)。
尤其是，第1排列方向D1及第2排列方向D2呈直角交叉，在第1排列方向D1及第2排列方向D2之交點配置有滾珠軸承單元BU。
在圖8B所示之變化例7中，以形成沿第1排列方向D1(第1排列方向D1相對於第2排列方向D2傾斜角度θ之方向)及第2排列方向D2排列之格柵圖案GP2之方式，排列有複數個滾珠軸承單元BU(4個以上之滾珠軸承單元BU)。
亦即，第1排列方向D1及第2排列方向D2傾斜地交叉。在第1排列方向D1及第2排列方向D2之交點配置有滾珠軸承單元BU。
換言之，以形成錯落圖案之方式，複數個滾珠軸承單元BU配置於加熱基底上。
又，在格柵圖案GP2中，若著眼於彼此相鄰之3個滾珠軸承單元BU1、BU2、BU3，則由滾珠軸承單元BU1、BU2、BU3規定3個距離L1、L2、L3。距離L1係滾珠軸承單元BU1與BU2之間之距離。距離L2係滾珠軸承單元BU2與BU3之間之距離。距離L3係滾珠軸承單元BU3與BU1之間之距離。
在格柵圖案GP2中，該3個距離L1、L2、L3中至少2者之距離相等。作為此圖案，作為一例可舉出距離L2與距離L3相等，距離L1與距離L2、L3不同之情形。換言之，以如在等腰三角形之3個角配置有滾珠軸承單元的圖案配置複數個滾珠軸承單元。
又，可以如距離L1、L2、L3全部相等之圖案、換言之在等邊三角形之3個角配置有滾珠軸承單元的圖案配置複數個滾珠軸承單元。
即便在以具有格柵圖案GP1、GP2之方式將複數個滾珠軸承單元BU配置於加熱基底上之構造中也獲得上述之效果。
此外，作為滾珠軸承單元BU之配置圖案之例係說明了圖8A及圖8B所示之圖案，但本發明並不限定滾珠軸承單元BU之配置圖案。複數個滾珠軸承單元BU不一定必須以等間隔配置，又，可以組合有2種以上之規則性配置圖案之複合圖案將複數個滾珠軸承單元BU配置於加熱基底上。
(第3實施形態) 其次，參照圖9，針對本發明之第3實施形態之電漿CVD裝置進行說明。
在圖9中，對與第1實施形態及第2實施形態相同之構件賦予同一符號，且其說明省略或簡略化。在加熱基底之構造之點上，第3實施形態與第1實施形態及第2實施形態不同。
本發明之第3實施形態之電漿CVD裝置具備加熱基底550。在加熱基底550之面上配置有複數個滾珠軸承單元BU。在加熱基底550之上方配置有由複數個滾珠軸承單元BU支持之加熱器20。加熱器20與上部電極75對向。
加熱基底550在加熱基底550之面上具備複數個距離調整部96。在一個距離調整部96配置有一個滾珠軸承單元BU。在複數個距離調整部96各者中，調整大徑滾珠94與加熱器20接觸之接觸部26(墊部21P)和加熱基底550之間之距離。例如，在距離調整部96中，藉由在加熱基底550之面上之中央區域550C不設置間隔件SP，而在外周區域550E設置間隔件SP，而規定距離調整部96與加熱器20之間之距離GE、GC。此處，藉由調整間隔件SP之高度或間隔件SP之個數(片數)而規定距離GE。
此外，可在中央區域550C之距離調整部96形成具有深度之凹部，且在該凹部配置間隔件SP。
位於加熱基底550之面上之外周區域550E之距離調整部96與加熱器20之間之距離GE被規定為大於位於加熱基底550之面上之中央區域550C之距離調整部96和加熱器20之間之距離GC。藉此，即便在加熱基底550產生撓曲，仍確保由滾珠軸承單元BU支持之加熱器20之載置面21T之平坦性。
具體而言，近年來，電漿CVD裝置大型化，構成電漿CVD裝置之加熱器及加熱基底之面積也變大，以自加熱基底之中央區域朝向外周區域垂下之方式加熱基底略微撓曲變形。
此時，經由滾珠軸承單元由加熱基底支持之加熱器也自中央區域朝向外周區域變形。有伴隨著此加熱器之變形，而加熱器之表面之平坦性降低，與加熱器對向之上部電極與加熱器之間之間隙變得不均一，無法獲得均一之膜厚分佈的問題。
相對於此，在本實施形態中，預先測定外周區域550E之加熱基底550之撓曲量，以距離GE相應於撓曲量較距離GC變大之方式規定距離調整部96之接觸部26與加熱基底550之間之距離。因而，即便在加熱基底550產生撓曲，仍能夠確保由滾珠軸承單元BU支持之加熱器20之載置面21T之平坦性，而能夠嚴密且容易地管理平坦度。例如，能夠實現平坦度0.5 mm。
此外，當將距離調整部96應用於具備圖2B及圖2C所示之安裝凹部51R之加熱基底時，在形成於加熱基底之面上之中央區域550C之安裝凹部51R不設置間隔件SP，而在形成於外周區域550E之安裝凹部51R設置間隔件SP。藉此，在形成有安裝凹部51R之加熱基底中規定距離調整部96與加熱器20之間之距離GE、GC。
以上，說明本發明之較佳之實施形態，雖然上文中已進行了說明，但應當理解為其等係本發明之例示性實施形態，不應當作為限定性實施形態進行考量。追加、省略、置換、及其他變更可在不脫離本發明之範圍下進行。因而，本發明不應當被認為是由前述之說明限定，而是由申請專利範圍限制。
在上述之實施形態及變化例中，說明了將本發明之處理裝置應用於電漿CVD裝置(成膜裝置)之例，但本發明之處理裝置並不限定於電漿CVD裝置。本發明之處理裝置也可應用於作為真空處理裝置已知悉之蝕刻裝置、灰化裝置等。又，並不限定於真空處理裝置，本發明之處理裝置也可應用於大氣壓處理裝置。
在上述之實施形態及變化例中，說明了將作為變位機構之一例之滾珠軸承單元應用於電漿CVD裝置之例，但變位機構並不限定於滾珠軸承單元。變位機構可為具備滾軸之滾軸單元，該滾軸在與加熱器20接觸之狀態下可將加熱器20相對於加熱基底50進行變位。
在滾軸單元之情形下，例如可舉出安裝於滾軸之軸經由軸承被軸支之構造。又，也可採用具備下述部分之構造，即：複數個小徑滾軸，其等在具有凹部之台座之表面上滾動；及大徑滾軸，其由複數個小徑滾軸可旋轉地支持且與加熱器20接觸，並且直徑大於小徑滾軸。
在上述之實施形態及變化例中針對在加熱器20之內部設置有發熱線24(熱源)，藉由對發熱線24之電力供給而加熱器20自發熱之例進行了說明，但本發明並不限定於在加熱器之內部配置有熱源之構造。例如，可採用在加熱器之外部設置熱源，自該外部熱源加熱加熱器之構造。作為外部熱源可舉出設置於離開加熱器之位置之燈加熱器、及設置為覆蓋加熱器之外部之帶式加熱器等。
在上述之實施形態及變化例中，針對在對加熱器20施加如加熱器20之溫度超過380℃之熱負載時，能夠抑制起因於熱膨脹之加熱器之起伏或翹曲，而維持加熱器之平坦性的效果進行了說明。然而，本發明之加熱基底也可應用於加熱器20之溫度不超過400℃之處理裝置，在加熱器20之溫度為低溫時也可應用本發明之加熱基底。
上述之距離調整部96也可應用於圖3、圖5A、圖5B、圖6A、圖6B、圖7A、圖7B所示之加熱基底50、150、250、350、450、650、750。
[產業上之可利用性] 本發明可廣泛應用於能夠抑制加熱器之起伏或翹曲而維持加熱器之平坦性的加熱基底、及具備該加熱基底之處理裝置。
10‧‧‧真空腔室 11‧‧‧下部腔室 12‧‧‧上部腔室 13‧‧‧電極凸緣 20‧‧‧加熱器 21B‧‧‧支持面/背面 21P‧‧‧墊部/接觸部 21T‧‧‧載置面/表面 22‧‧‧開口孔 23‧‧‧頂銷 24‧‧‧發熱線 25‧‧‧饋電線 26‧‧‧接觸部 30‧‧‧高頻電源 40‧‧‧升降機構 41‧‧‧支柱 42‧‧‧凸緣 43‧‧‧波紋管 44‧‧‧外部端子 45‧‧‧頂銷基座 50‧‧‧加熱基底 50A‧‧‧加熱基底 50B‧‧‧加熱基底 51B‧‧‧背面 51L‧‧‧底面 51R‧‧‧安裝凹部 51T‧‧‧上表面 51W‧‧‧內壁 52‧‧‧第1基座 52T‧‧‧上表面 53‧‧‧第2基座 53T‧‧‧上表面 60‧‧‧真空泵 62‧‧‧第1基座 63‧‧‧第2基座 63A‧‧‧第1分割體/基座分割體 63AC‧‧‧對向面 63AP‧‧‧外周部 63B‧‧‧第2分割體/基座分割體 63BC‧‧‧對向面 63BP‧‧‧外周部 63C‧‧‧第3分割體/基座分割體 63CC‧‧‧對向面 63CP‧‧‧外周部 63D‧‧‧第4分割體/基座分割體 63DC‧‧‧對向面 63DP‧‧‧外周部 70‧‧‧氣體供給部 75‧‧‧上部電極/陰極電極/簇射板 80‧‧‧門閥 90‧‧‧滾珠軸承單元/變位機構 90A‧‧‧滾珠軸承單元 90B‧‧‧滾珠軸承單元 91‧‧‧凹部 92‧‧‧台座 92T‧‧‧上表面 93‧‧‧小徑滾珠 94‧‧‧大徑滾珠 95‧‧‧蓋體 95B‧‧‧下表面 95H‧‧‧孔 95T‧‧‧上表面 96‧‧‧距離調整部 100‧‧‧電漿CVD裝置 150‧‧‧加熱基底 190‧‧‧滾珠軸承單元 192‧‧‧台座 195‧‧‧蓋體 250‧‧‧加熱基底 290‧‧‧滾珠軸承單元 350‧‧‧加熱基底 450‧‧‧加熱基底 550‧‧‧加熱基底 550C‧‧‧中央區域 550E‧‧‧外周區域 650‧‧‧加熱基底 750‧‧‧加熱基底 B‧‧‧基座板 B1‧‧‧收容部 BU‧‧‧滾珠軸承單元 BU1‧‧‧滾珠軸承單元 BU2‧‧‧滾珠軸承單元 BU3‧‧‧滾珠軸承單元 C1‧‧‧中心 C2‧‧‧中心 D‧‧‧直徑 D1‧‧‧第1排列方向 D2‧‧‧第2排列方向 G‧‧‧距離 GC‧‧‧距離 GE‧‧‧距離 GP1‧‧‧格柵圖案 GP2‧‧‧格柵圖案 K‧‧‧基板 L1‧‧‧距離 L2‧‧‧距離 L3‧‧‧距離 P1‧‧‧外周部 P2‧‧‧外周部 S‧‧‧緊固構件 SP‧‧‧間隔件 X‧‧‧方向 Y‧‧‧方向 θ‧‧‧角度
圖1係顯示本發明之第1實施形態之處理裝置之概略構造的剖視圖。 圖2A係顯示構成本發明之第1實施形態之處理裝置之加熱器、加熱基底、及滾珠軸承單元的放大剖視圖。 圖2B係顯示構成本發明之第1實施形態之變化例A之處理裝置之加熱器、加熱基底、及滾珠軸承單元的放大剖視圖。 圖2C係顯示構成本發明之第1實施形態之變化例B之處理裝置之加熱器、加熱基底、及滾珠軸承單元的放大剖視圖。 圖3係將本發明之第1實施形態之處理裝置自鉛直方向投影之圖，且係說明構成處理裝置之加熱器、加熱基底、及滾珠軸承單元之配置之平面圖。 圖4A係顯示構成本發明之第1實施形態之處理裝置之滾珠軸承單元之變化例C的放大剖視圖。 圖4B係顯示構成本發明之第1實施形態之處理裝置之滾珠軸承單元之變化例C的放大平面圖。 圖4C係顯示構成本發明之第1實施形態之處理裝置之滾珠軸承單元之變化例D的放大平面圖。 圖5A係將本發明之第2實施形態之處理裝置自鉛直方向投影之圖，且係說明構成處理裝置之加熱器、加熱基底、及滾珠軸承單元之配置之圖，並且係顯示加熱基底之平面圖。 圖5B係將本發明之第2實施形態之處理裝置自鉛直方向投影之圖，且係說明構成處理裝置之加熱器、加熱基底、及滾珠軸承單元之配置之圖，並且係顯示加熱基底之變化例1之平面圖。 圖6A係將本發明之第2實施形態之處理裝置自鉛直方向投影之圖，且係說明構成處理裝置之加熱器、加熱基底、及滾珠軸承單元之配置之圖，並且係顯示加熱基底之變化例2之平面圖。 圖6B係將本發明之第2實施形態之處理裝置自鉛直方向投影之圖，且係說明構成處理裝置之加熱器、加熱基底、及滾珠軸承單元之配置之圖，並且係顯示加熱基底之變化例3之平面圖。 圖7A係說明構成本發明之第2實施形態之處理裝置之加熱基底之俯視的滾珠軸承單元之平面圖案的圖，且係顯示變化例4之圖。 圖7B係說明構成本發明之第2實施形態之處理裝置之加熱基底之俯視的滾珠軸承單元之平面圖案的圖，且係顯示變化例5之圖。 圖8A係說明構成本發明之第2實施形態之處理裝置之加熱基底之俯視的滾珠軸承單元之平面圖案的圖，且係顯示變化例6之圖。 圖8B係說明構成本發明之第2實施形態之處理裝置之加熱基底之俯視的滾珠軸承單元之平面圖案的圖，且係顯示變化例7之圖。 圖9係說明構成本發明之第3實施形態之處理裝置之上部電極、加熱器、加熱基底、及滾珠軸承單元之配置的圖，且係顯示處理裝置之部分剖視圖。
20‧‧‧加熱器
21B‧‧‧支持面/背面
21P‧‧‧墊部/接觸部
50‧‧‧加熱基底
50A‧‧‧加熱基底
50B‧‧‧加熱基底
51L‧‧‧底面
51R‧‧‧安裝凹部
51T‧‧‧上表面
51W‧‧‧內壁
90‧‧‧滾珠軸承單元/變位機構
90A‧‧‧滾珠軸承單元
91‧‧‧凹部
92‧‧‧台座
92T‧‧‧上表面
93‧‧‧小徑滾珠
94‧‧‧大徑滾珠
95‧‧‧蓋體
95B‧‧‧下表面
95H‧‧‧孔
95T‧‧‧上表面
B‧‧‧基座板
B1‧‧‧收容部
D‧‧‧直徑
G‧‧‧距離
S‧‧‧緊固構件

Claims (16)

  1. 一種加熱基底，其係支持加熱器者，前述加熱基底具備配置於前述加熱器與前述加熱基底之間且設置於前述加熱基底的複數個變位機構；且複數個前述變位機構中3個以上之變位機構在與前述加熱器接觸之狀態下，可將前述加熱器相對於前述加熱基底進行變位；且複數個前述變位機構各者具備：台座，其被固定於前述加熱基底，且具有朝向前述加熱器開口之凹部；複數個小徑滾珠，其等位於前述凹部之內部，且在前述凹部之表面上滾動；及大徑滾珠，其在前述凹部之內部由複數個前述小徑滾珠可旋轉地支持，與前述加熱器接觸，且直徑大於前述小徑滾珠。
  2. 如請求項1之加熱基底，其中複數個前述變位機構各者具備：複數個前述凹部；及複數個前述大徑滾珠；且在一個凹部內配置有一個大徑滾珠。
  3. 如請求項1之加熱基底，其中複數個前述變位機構配置於前述加熱基底之一個面上。
  4. 如請求項1至3中任一項之加熱基底，其中前述加熱基底具備：第1基座，其在第1方向延伸；及複數個第2基座，其等在與前述第1方向交叉之第2方向延伸，且被固定於前述第1基座；且複數個前述變位機構配置於複數個前述第2基座上。
  5. 如請求項4之加熱基底，其中前述變位機構配置於前述第1基座上。
  6. 如請求項1至3中任一項之加熱基底，其中前述加熱基底具備：平板狀之第1基座；及平板狀之第2基座，其在前述加熱基底之俯視下具有與前述第1基座之中心一致之中心，具有位於較前述第1基座之外周部更外側之外周部，且以覆蓋前述第1基座之全面之方式配置於前述第1基座之上表面，並且由複數個基座分割體構成；且複數個前述變位機構配置於複數個前述基座分割體上。
  7. 如請求項1至3中任一項之加熱基底，其中在供複數個前述變位機構配置之前述加熱基底之面上，前述加熱基底具備複數個距離調整部；且在一個距離調整部配置有一個變位機構；在複數個前述距離調整部各者中調整前述變位機構與前述加熱器接觸之接觸部和前述加熱基底之間之距離。
  8. 如請求項7之加熱基底，其中位於前述加熱基底之前述面之外周區域 之前述距離調整部與前述加熱器之間之距離被規定為大於位於前述面之中央區域之前述距離調整部與前述加熱器之間之距離。
  9. 如請求項7之加熱基底，其具備設置於前述距離調整部之間隔件；且相應於前述間隔件之高度規定前述距離調整部與前述加熱器之間之距離。
  10. 如請求項4之加熱基底，其中在供複數個前述變位機構配置之前述加熱基底之面上，前述加熱基底具備複數個距離調整部；且在一個距離調整部配置有一個變位機構；在複數個前述距離調整部各者中調整前述變位機構與前述加熱器接觸之接觸部和前述加熱基底之間之距離。
  11. 如請求項10之加熱基底，其中位於前述加熱基底之前述面之外周區域之前述距離調整部與前述加熱器之間之距離被規定為大於位於前述面之中央區域之前述距離調整部與前述加熱器之間之距離。
  12. 如請求項10之加熱基底，其具備設置於前述距離調整部之間隔件；且相應於前述間隔件之高度規定前述距離調整部與前述加熱器之間之距離。
  13. 如請求項6之加熱基底，其中在供複數個前述變位機構配置之前述加熱基底之面上，前述加熱基底具備複數個距離調整部；且 在一個距離調整部配置有一個變位機構；在複數個前述距離調整部各者中調整前述變位機構與前述加熱器接觸之接觸部和前述加熱基底之間之距離。
  14. 如請求項13之加熱基底，其中位於前述加熱基底之前述面之外周區域之前述距離調整部與前述加熱器之間之距離被規定為大於位於前述面之中央區域之前述距離調整部與前述加熱器之間之距離。
  15. 如請求項13之加熱基底，其具備設置於前述距離調整部之間隔件；且相應於前述間隔件之高度規定前述距離調整部與前述加熱器之間之距離。
  16. 一種處理裝置，其係處理基板者，前述處理裝置具備：腔室；加熱器，其具有供前述基板載置之表面、及與前述表面為相反側之背面，且被配置於前述腔室內；加熱基底，其支持前述加熱器之前述背面，且被配置於前述腔室內；複數個變位機構，其等配置於前述加熱器與前述加熱基底之間，且設置於前述加熱基底；高頻電源，其在前述腔室內產生電漿；及升降機構，其使前述加熱基底在上下方向移動；且複數個前述變位機構中3個以上之變位機構在與前述加熱器接觸之狀 態下，可將前述加熱器相對於前述加熱基底進行變位；且複數個前述變位機構各者具備：台座，其被固定於前述加熱基底，且具有朝向前述加熱器開口之凹部；複數個小徑滾珠，其等位於前述凹部之內部，且在前述凹部之表面上滾動；及大徑滾珠，其在前述凹部之內部由複數個前述小徑滾珠可旋轉地支持，與前述加熱器接觸，且直徑大於前述小徑滾珠。
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