CN110291625A - 加热器基座及处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的加热器基座为用于支撑加热器的加热器基座，具备多个变位机构，所述变位机构配置在所述加热器与所述加热器基座之间且设置于所述加热器基座上，多个所述变位机构中的三个以上的变位机构在与加热器接触的状态下能够使所述加热器相对于加热器基座变位。

Description

加热器基座及处理装置
技术领域
本发明涉及一种加热器基座及处理装置。
本申请基于2018年1月19日在日本申请的专利申请2018-7451号要求优先权，并且在此援引其内容。
背景技术
以往，作为用于处理基板的处理装置，已知有具备加热器基座的结构，该加热器基座用于支撑对基板进行加热的加热器的背面。从传热性或耐腐蚀性的观点来看，作为加热器的材质，例如使用铝合金等金属。作为加热器基座的材质，例如采用陶瓷等材料。
现有技术文献
专利文献1：日本专利公开2008-244079号公报
在上述结构应用到成膜装置的情况下，成膜时的加热器的温度例如成为200～480℃等的高温。在这种高温下，因加热器及加热器基座的结构材料的热膨胀率之差，导致加热器相对于加热器基座的热伸长。
如果加热器成为高温(例如为如超过380℃的高温)，则在构造加热器的铝合金与构造加热器基座的陶瓷之间的接触面上容易产生摩擦，加热器相对于加热器基座难以滑动。在该情况下，伴随沿水平方向的热伸长，加热器因接触面上的摩擦而产生弯曲变形(波动)或翘曲变形，加热器的上表面的平坦性下降。其结果，具有与加热器相对的上部电极和加热器之间的间隙不均匀且无法得到均匀的膜厚分布的问题。
近年来，由于伴随处理装置的大型化，加热器及加热器基座的大小也大型化，因此如上述起因于热膨胀率之差的热伸长量增加，并且因起因于摩擦的弯曲或翘曲产生的变形量也增加。
发明内容
本发明是考虑这种情况而提出的，其目的是提供一种加热器基座及具备该加热器基座的处理装置，该加热器基座能够抑制加热器的弯曲或翘曲以维持加热器的平坦性。
本发明的第一方式的加热器基座用于支撑加热器，其中，具备多个变位机构，所述变位机构配置在所述加热器与所述加热器基座之间且设置于所述加热器基座上，多个所述变位机构中的三个以上的变位机构在与所述加热器接触的状态下能够使所述加热器相对于所述加热器基座变位。
在本发明的第一方式的加热器基座中，多个所述变位机构中的每一个也可以具备：底座，固定在所述加热器基座上且具有朝向所述加热器开口的凹部；多个小径球，位于所述凹部的内部且在所述凹部的表面上滚动；和大径球，在所述凹部的内部由多个所述小径球能够旋转地支撑，所述大径球与所述加热器接触，并且所述大径球的直径大于所述小径球的直径。
在本发明的第一方式的加热器基座中，多个所述变位机构中的每一个也可以具备：多个所述凹部；和多个所述大径球，在一个凹部内配置有一个大径球。
在本发明的第一方式的加热器基座中，多个所述变位机构也可以配置在所述加热器基座的一个表面上。
在本发明的第一方式的加热器基座中，所述加热器基座也可以具备：沿第一方向延伸的第一基座；和沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸且固定在所述第一基座上的多个第二基座，多个所述变位机构配置在多个所述第二基座上。
在本发明的第一方式的加热器基座中，所述变位机构也可以配置在所述第一基座上。
在本发明的第一方式的加热器基座中，所述加热器基座也可以具备：平板状的第一基座；和平板状的第二基座，在所述加热器基座的俯视观察中具有与所述第一基座的中心一致的中心，所述第二基座具有位于比所述第一基座的外周部更靠外侧的外周部，所述第二基座以覆盖所述第一基座的整个面的方式配置在所述第一基座的上表面上且由多个基座分割体构造，多个所述变位机构配置在多个所述基座分割体上。
在本发明的第一方式的加热器基座中，所述加热器基座也可以在供配置多个所述变位机构的所述加热器基座的表面上设置有多个距离调整部，在一个距离调整部中配置有一个变位机构，在多个所述距离调整部中的每一个中，所述变位机构和所述加热器所接触的接触部与所述加热器基座之间的距离得到调整。
在本发明的第一方式的加热器基座中，位于所述加热器基座的所述表面的外周区域上的所述距离调整部与所述加热器之间的距离也可以被规定为大于位于所述表面的中央区域上的所述距离调整部与所述加热器之间的距离。
在本发明的第一方式的加热器基座中，也可以具备设置于所述距离调整部的间隔件，根据所述间隔件的高度来规定所述距离调整部与所述加热器之间的距离。
本发明的第二方式的处理装置为用于处理基板的处理装置，其中，具备：腔室；加热器，具有供载置所述基板的正面和与所述表面相反的一侧的背面，所述加热器配置在所述腔室内；加热器基座，用于支撑所述加热器的所述背面且配置在所述腔室内；多个变位机构，配置在所述加热器与所述加热器基座之间且设置于所述加热器基座上；高频电源，用于在所述腔室内发生等离子体；和升降机构，用于使所述加热器基座沿上下方向移动，多个所述变位机构中的三个以上的变位机构在与所述加热器接触的状态下能够使所述加热器相对于所述加热器基座变位。
根据本发明的上述方式，能够抑制加热器的弯曲或翘曲以维持加热器的平坦性。
附图说明
图1是表示本发明的第一实施方式的处理装置的大致结构的剖视图。
图2A是表示构造本发明的第一实施方式的处理装置的加热器、加热器基座及球支撑单元的放大剖视图。
图2B是表示构造本发明的第一实施方式的变形例A的处理装置的加热器、加热器基座及球支撑单元的放大剖视图。
图2C是表示构造本发明的第一实施方式的变形例B的处理装置的加热器、加热器基座及球支撑单元的放大剖视图。
图3是从铅直方向投射本发明的第一实施方式的处理装置而成的图，是用于说明构造处理装置的加热器、加热器基座及球支撑单元的配置的俯视图。
图4A是表示构造本发明的第一实施方式的处理装置的球支撑单元的变形例C的放大剖视图。
图4B表示构造本发明的第一实施方式的处理装置的球支撑单元的变形例C的放大俯视图。
图4C是表示构造本发明的第一实施方式的处理装置的球支撑单元的变形例D的放大俯视图。
图5A是从铅直方向投射本发明的第二实施方式的处理装置而成的图，是表示用于说明构造处理装置的加热器、加热器基座及球支撑单元的配置的图，并且是表示加热器基座的俯视图。
图5B是从铅直方向投射本发明的第二实施方式的处理装置而成的图，是表示用于说明构造处理装置的加热器、加热器基座及球支撑单元的配置的图，并且是表示加热器基座的变形例1的俯视图。
图6A是从铅直方向投射本发明的第二实施方式的处理装置而成的图，是表示用于说明构造处理装置的加热器、加热器基座及球支撑单元的配置的图，并且是表示加热器基座的变形例2的俯视图。
图6B是从铅直方向投射本发明的第二实施方式的处理装置而成的图，是表示用于说明构造处理装置的加热器、加热器基座及球支撑单元的配置的图，并且是表示加热器基座的变形例3的俯视图。
图7A是用于说明构造本发明的第二实施方式的处理装置的加热器基座的俯视观察中的球支撑单元的俯视图案的图，是表示变形例4的图。
图7B是用于说明构造本发明的第二实施方式的处理装置的加热器基座的俯视观察中的球支撑单元的俯视图案的图，是表示变形例5的图。
图8A是用于说明构造本发明的第二实施方式的处理装置的加热器基座的俯视观察中的球支撑单元的俯视图案的图，是表示变形例6的图。
图8B是用于说明构造本发明的第二实施方式的处理装置的加热器基座的俯视观察中的球支撑单元的俯视图案的图，是表示变形例7的图。
图9是用于说明构造本发明的第三实施方式的处理装置的上部电极、加热器、加热器基座及球支撑单元的配置的图，是表示处理装置的局部剖视图。
具体实施方式
参照附图的同时对本发明的实施方式的加热器基座及处理装置进行说明。在本实施方式的说明所使用的各图中，为了将各部件设为可识别的大小，适当变更各部件的比例尺。在本实施方式的说明中，“俯视观察”是指从铅直方向(上下方向或重力方向)观察构造处理装置的部件的俯视图。另外，水平方向(X方向或Y方向)是指与铅直方向正交的方向。
(第一实施方式)
(处理装置)
在以下说明中，作为一例，对本发明的第一实施方式的处理装置应用到等离子体化学气相沉积(CVD，Chemical Vapor Deposition)装置中的情况进行说明。
图1是表示本发明的第一实施方式的等离子体CVD装置100的大致结构的剖视图。
如图1所示，等离子体CVD装置100具备真空腔室10、加热器20、高频电源30、升降机构40、加热器基座50、真空泵60、气体供给部70和门阀80。
(真空腔室)
真空腔室10具备下部腔室11、上部腔室12及夹在下部腔室11与上部腔室12之间的电极法兰13。
(加热器)
加热器20配置在真空腔室10内，并且由作为导电性部件的铝合金形成。加热器20具有：用于载置基板K的载置面21T(正面)；和与加热器基座50相对且被多个球支撑单元90(后述)支撑的支撑面21B(背面，与正面相反的一侧的背面)。
在加热器20中形成有多个开口孔22，该开口孔22贯通加热器20且在载置面21T上开口，在多个开口孔22中的每一个开口孔的内部收纳有升降销23，升降销23能够在开口孔22的内部沿上下方向升降。
在加热器20的内部设置有发热线24。发热线24在加热器20的俯视观察中具有规定的平面图案，发热线24的端子在支撑面21B上露出。发热线24的端子与设置在构造升降机构40的支柱41的内部的供电线25连接。供电线25与设置在构造升降机构40的法兰42上的外部端子44连接。
(高频电源)
高频电源30设置于真空腔室10的外部，并且通过未图示的匹配盒及布线与设置于真空腔室10内的上部电极75(阴极电极)电连接。通过启动高频电源30向上部电极75供应经匹配整合的高频电力(RF)，在真空腔室10内发生等离子体。
(升降机构)
升降机构40具有电动机等的驱动装置、齿轮等的动力传递机构、支柱41、法兰42和波纹管43。
支柱41被波纹管43包围且配置在真空腔室10内，并且固定在法兰42和加热器基座50的背面51B上。波纹管43能够沿上下方向伸缩，并且固定在真空腔室10的下表面和法兰42的上表面上。
升降机构40具备电动机等的驱动装置和齿轮等的动力传递机构，能够使法兰42沿上下方向移动。通过法兰42的上下方向的移动，固定在法兰42与加热器基座50之间的支柱41移动，由此加热器20在真空腔室10的内部沿上下方向移动。即，升降机构40能够变更加热器20的上下方向的位置，并且能够适当调整加热器20与上部电极75之间的间隙。例如，能够设定为14mm这一狭窄的间隙。
此外，通过使加热器20向下方移动，升降销23与升降销基座45接触，升降销23从载置面21T突出。此时，在载置面21T上载置有基板K的情况下，升降销23抬起基板K，之后，基板K通过未图示的运送臂被运送到真空腔室10的外部。
(真空泵)
真空泵60通过未图示的压力调整阀及管道与形成于真空腔室10的排气口连接。通过驱动真空泵60，能够将真空腔室10内维持为真空状态，并且能够在工艺结束之后去除残留在真空腔室10内的气体。另外，通过在工艺气体供给到真空腔室10内的状态下驱动真空泵60及压力调整阀，从而能够根据工艺条件调整真空腔室10内的压力。
(气体供给部)
气体供给部70通过未图示的质量流量控制器及管道与形成于真空腔室10的气体供给口连接。可根据真空腔室10内的工艺种类例如成膜处理、蚀刻处理或灰化处理等，适当选择由气体供给部70供给的气体种类。由气体供给部70供给的气体在供给到真空腔室10之后，通过上部电极75(簇射板)，朝向基板K供给到上部电极75与加热器20之间的空间中。
(门阀)
门阀80具备未图示的开闭驱动机构。通过打开门阀80，未图示的运送臂能够向等离子体CVD装置100内运入基板K，或者能够从等离子体CVD装置100运出基板K。通过关闭门阀80，真空腔室10成为密闭状态，能够在真空腔室10内对基板K进行处理。
等离子体CVD装置100也可以具备清洗装置，该清洗装置通过将NF3等的气体供给到真空腔室10内的放电空间中而清洗真空腔室10内的部件的表面。作为这种清洗装置，可列举使用远程等离子体的装置。
(加热器基座)
加热器基座50配置在真空腔室10的内部，并且支撑加热器20的支撑面21B。在加热器20与加热器基座50之间配置有后述的多个球支撑单元90(变位机构)，该球支撑单元90设置在加热器基座50的上表面51T上。作为加热器基座50的材质，可采用陶瓷。在本实施方式中，加热器基座50的形状为平板，如图3所示，在俯视观察中，加热器基座50的形状为矩形。此外，虽然俯视观察中的加热器基座50的形状为矩形，但加热器基座50的形状并不限定于本实施方式。
(球支撑单元)
图2A是放大表示图1所示的加热器20、加热器基座50及球支撑单元90的剖视图。
多个球支撑单元90中的每一个具备基座板B、底座92、多个小径球93、大径球94及罩95。
(基座板)
基座板B通过未图示的紧固部件被固定在加热器基座50的上表面51T上。在基座板B中设置有用于固定底座92的收容部B1。
可根据底座92的形状适当选择收容部B1的形状。基座板B的材质例如为铝。基座板B在收容部B1的厚度被适当确定，从而使得加热器20与加热器基座50之间的供配置球支撑单元90的部分的距离在加热器基座50的整个面上相等。
(底座)
底座92收容在基座板B的收容部B1中。形成于底座92的凹部91例如为半球状的凹处，该凹部91朝向加热器20开口，在凹部91的内部形成有球面(曲面)。
(小径球)
多个小径球93位于凹部91的内部，并且沿凹部91的球面配置。小径球93能够在凹部91的表面上滚动。
在本实施方式中，小径球93的直径例如为2.0mm，小径球93的数量例如为49～52个。
此外，小径球93的数量及直径并不限定于本实施方式。可基于小径球93的滚动容易度、大径球94的直径、大径球94的滚动容易度、底座92及罩95的高度、加热器20与加热器基座50之间的距离等或防止小径球93脱离球支撑单元90等的观点，适当确定小径球93的数量及直径。
(大径球)
大径球94在凹部91的内部由多个小径球93支撑，大径球94与加热器20的垫21P(接触部)接触，并且具有比小径球93更大的直径。
大径球94能够在与多个小径球93中每一个的球面的一部分接触的状态下，在小径球93的表面上滚动。
在本实施方式中，在一个凹部91内配置有一个大径球94。
在本实施方式中，大径球94的直径例如为9.5mm。
此外，大径球94的直径并不限定于本实施方式。可基于大径球94的滚动容易度、底座92及罩95的高度、加热器20与加热器基座50之间的距离或防止大径球94脱离球支撑单元90的观点，适当确定大径球94的直径。
(垫)
垫21P为通过螺钉等紧固部件S而固定在加热器20的支撑面21B上的部件，垫21P的位置与大径球94的位置对应。垫21P与大径球94的球面的一部分接触，大径球94能够在垫21P的表面上滚动。
垫21P的面积以加热器20相对于加热器基座50变位时大径球94不会从垫21P脱落的方式适当确定。换言之，垫21P的面积以维持垫21P与大径球94之间的接触状态的方式适当确定。
此外，垫21P构造加热器20的一部分，在本实施方式中，有时将包括垫21P在内的加热器20的结构称作“加热器”。另外，有时将垫21P和大径球94所接触的接触面称作加热器20的背面。
另外，“球支撑单元90与加热器20接触的状态(变位机构与加热器接触的状态)”是指加热器20和大径球94(球支撑单元90)在中间设置有垫21P的情况下配置的状态，或者是指加热器20和大径球94在中间未设置垫21P的情况下直接接触的状态。
(罩)
罩95通过螺钉等的紧固部件S被固定在底座92的上表面92T上。在罩95中形成有圆形的孔95H，大径球94配置在孔95H的内侧，并且通过孔95H从罩95的上表面95T露出。
具体而言，孔95H在罩95的上表面95T上的直径小于大径球94的直径D。孔95H在罩95的下表面95B上的直径大于大径球94的直径D，并且与凹部91的直径大致相同。
孔95H为以孔95H的直径在从上表面95T朝向下表面95B的方向上增加的方式形成的锥孔。另外，孔95H的内表面与大径球94的内表面不接触。孔95H的内表面与大径球94的表面之间的间隙小于小径球93的直径。
罩95为维持大径球94的可旋转状态的同时防止小径球93及大径球94脱离球支撑单元90的部件。只要能获得这种罩95的功能，则罩95并不限定于图2A所示的结构。
可根据基座板B的高度、底座92的高度、小径球93的直径、大径球94的直径及垫21P的厚度，确定加热器20与加热器基座50之间的距离G。
此外，作为底座92、小径球93、大径球94及罩95的材质，可采用例如氧化铝等的陶瓷材料。构造球支撑单元90的部件的材料并不限定于本实施方式所示的例。
(球支撑单元的配置)
图3是从铅直方向投射等离子体CVD装置100的图，是用于说明加热器20、加热器基座50及球支撑单元90的配置的俯视图。附图标记41为安装在加热器基座50的背面51B上的支柱，用于向加热器20供应电力的供电线25经过该支柱41的内部(参照图1)。此外，在图3中省略构造等离子体CVD装置100的其他结构要素。
如图3所示，三个球支撑单元90配置在加热器基座50的上表面51T上即加热器基座50的一个表面上。另外，如图1所示，由于在铅直方向上球支撑单元90配置在加热器20与加热器基座50之间，因此加热器20在三个部位处被球支撑单元90支撑。
在图3所示的例中，球支撑单元90的数量为三个，但其数量也可以是三个以上。如果球支撑单元90的数量至少为三个，则在三个点上通过球支撑单元90稳定地支撑加热器20。
此外，也可以四个以上的球支撑单元90配置在加热器基座50的上表面51T上。
接着，对具备以上述方式构造的加热器基座50的等离子体CVD装置100的作用进行说明。
在从外部端子44通过供电线25向发热线24供应电力的情况下，加热器20被加热。加热器20的温度能够控制为适当的温度，但在本实施方式中，被设定为如超过380℃的高温。例如，加热器20也可以被加热至430℃以上，但可根据形成在基板K上的膜的种类或成膜条件等适当设定其温度。
在如此设定温度的加热器20上载置有基板K的状态下，通过升降机构40调整加热器20与上部电极75之间的间隙。此外，通过气体供给部70向真空腔室10内供给CVD工艺所需的气体，通过驱动真空泵60及压力调整阀来调整真空腔室10内的压力，通过高频电源30向上部电极75供应高频电力(RF)，从而在加热器20与上部电极75之间生成等离子体，并且在基板K上形成膜。
如果以上述方式对加热器20进行加热，则加热器20发生热膨胀。特别是，起因于加热器20及加热器基座50的结构材料的热膨胀率之差，加热器20相对于加热器基座50沿水平方向进行热伸长。此时，由于通过构造球支撑单元90的能够旋转的大径球94来支撑加热器20的支撑面21B，因此加热器20相对于加热器基座50变位(移动)。由于加热器20的随热延伸产生的变位转换为大径球94的旋转，因此不会在加热器20与加热器基座50之间产生摩擦。
以往，在加热器与加热器基座之间的接触面上容易产生摩擦，加热器难以相对于加热器基座滑动，伴随加热器在水平方向的热伸长，在接触面上产生起因于摩擦的弯曲变形或翘曲变形。产生这种变形的加热器的上表面的平坦度例如为2mm左右。
与此相对地，在本实施方式中由于具备球支撑单元90，因此不会在加热器20中产生弯曲变形或翘曲变形。在加热器20被加热至高温的情况下，也能够确保加热器20的载置面21T的平坦性，并且能够容易严密管理平坦度。例如，能够实现0.5mm的平坦度。
其结果，能够将上部电极75与加热器20之间的间隙维持恒定，并且能够通过均匀地生成的等离子体来使基板K上的膜厚分布均匀。
接着，参照图2B、图2C及图4A至图4C，对第一实施方式的球支撑单元的变形例A、B、C、D进行说明。
在图2B、图2C及图4A至图4C中，对与上述第一实施方式相同的部件使用相同的附图标记，并省略或简化其说明。
(第一实施方式的变形例A)
图2B是放大表示构造第一实施方式的变形例A的处理装置的加热器20、加热器基座50A及球支撑单元90的剖视图。变形例A与第一实施方式的不同点在于安装球支撑单元90的加热器基座的结构。
具体而言，加热器基座50A具备以从上表面51T凹陷的方式形成的安装凹部51R。在安装凹部51R内配置有球支撑单元90。以球支撑单元90的一部分(基座板B)从上表面51T突出的方式，球支撑单元90的下表面与安装凹部51R的底面51L接触。即，安装凹部51R的底面51L为构造加热器基座50A的一个表面的一部分。
对于该结构来说，安装凹部51R的深度(从上表面51T至底面51L的距离)不受特别限定。例如，可根据加热器20与加热器基座50A之间的距离G及球支撑单元90的高度(从大径球94与垫21P之间的接触点至基座板B的背面的距离)，适当设定安装凹部51R的深度。例如，也可以在加热器基座50A的上表面51T上形成有深度约10mm的安装凹部51R。
在俯视观察中，安装凹部51R的大小(面积)比基座板B的大小稍大。以在安装凹部51R中配置有球支撑单元90时基座板B的侧面与安装凹部51R的内壁51W能够接触的方式，并且以能够从安装凹部51R容易拆卸球支撑单元90(基座板B)的方式，设定安装凹部51R的大小。
可根据球支撑单元90的数量，确定形成在上表面51T上的安装凹部51R的数量。
对于具有这种结构的加热器基座50A来说，只需在安装凹部51R中配置球支撑单元90，即能进行球支撑单元90的定位。换言之，在该定位结构中无需使用螺钉等的紧固部件。由于不使用紧固部件，因此能够削减构造处理装置的零件件数。
另外，当在球支撑单元90预先安装于安装凹部51R的处理装置中进行维修作业时，作业人员只需把持球支撑单元90后从安装凹部51拆卸球支撑单元90，即能进行维修作业。换言之，由于能够得到未使用紧固部件的固定结构，因此容易拆卸球支撑单元90。
特别是，在有结构部件腐蚀风险的处理装置中有时维修频率较多，但根据具有上述结构的加热器基座50A，容易进行维修，因此有助于缩短维修时间。
(第一实施方式的变形例B)
图2C是放大表示构造第一实施方式的变形例B的处理装置的加热器20、加热器基座50B及球支撑单元90A的剖视图。变形例B与变形例A的不同点在于球支撑单元的结构。
具体而言，球支撑单元90A不具备图2A及图2B所示的基座板B，而是由底座92、多个小径球93、大径球94及罩95构造。
加热器基座50B具备以从上表面51T凹陷的方式形成的安装凹部51R。在安装凹部51R内配置有球支撑单元90A。以球支撑单元90A的一部分(罩95)从上表面51T突出的方式，球支撑单元90A的下表面与安装凹部51R的底面51L接触。
对于该结构来说，例如，可根据加热器20与加热器基座50B之间的距离G及球支撑单元90A的高度(从大径球94与垫21P之间的接触点至底座92的背面的距离)，适当设定安装凹部51R的深度。
在俯视观察中，安装凹部51R的大小(面积)比底座92的大小稍大。以在安装凹部51R中配置有球支撑单元90A时底座92的侧面与安装凹部51R的内壁51W能够接触的方式，并且以从安装凹部51R容易拆卸球支撑单元90A(底座92)的方式，设定安装凹部51R的大小。
可根据球支撑单元90A的数量，确定形成在上表面51T上的安装凹部51R的数量。
在这种结构中，由于球支撑单元90A不具备基座板B，而是底座92直接安装在安装凹部51R中，因此能够削减构造处理装置的零件件数。
此外，与上述变形例A同样，在不使用紧固部件的情况下，只需在安装凹部51R中配置球支撑单元90A，即能进行球支撑单元90A的定位。另外，能够从安装凹部51R容易拆卸球支撑单元90A。
特别是，在有结构部件腐蚀风险的处理装置中有时维修频率较多，但根据具有上述结构的加热器基座50B，容易进行维修，因此有助于缩短维修时间。
(第一实施方式的变形例C)
图4A是放大表示第一实施方式的变形例C的球支撑单元190的剖视图。图4B是放大表示变形例C的球支撑单元190的俯视图。
变形例C与第一实施方式的不同点在于球支撑单元的结构。具体而言，球支撑单元190具备基座板B、具有多个凹部91的底座192、多个小径球93、多个大径球94及罩195。
如图4A所示，在变形例C中，形成于底座192的多个凹部91的数量为六个，多个大径球94的数量为六个。在一个凹部91内配置有一个大径球94。另外，与凹部91的数量相应地，形成于罩195的孔的数量也为六个。
垫21P与大径球94接触，大径球94能够在垫21P的表面上滚动。
(第一实施方式的变形例D)
图4C是放大表示第一实施方式的变形例D的球支撑单元290的俯视图。变形例D与图4B所示的变形例C的不同点在于变形例D的球支撑单元290的凹部及大径球的数量。球支撑单元290具备四个大径球。
构造球支撑单元190、290的其他部件的结构及材质与上述实施方式的球支撑单元90相同。
上述变形例C、D的球支撑单元190、290能够代替图1及图3所示的球支撑单元90安装在加热器基座50中。
在该情况下，由于大径球94及垫21P在多个球支撑单元各自的多个点上接触，因此能够通过比图3所示的情况更多的数量的支撑点来支撑加热器20。
因此，与使用图2A至图2C所示的三个球支撑单元90来支撑加热器20的结构(图3)相比，能够减轻施加到每一个大径球94上的荷载。换言之，起因于加热器20的重量的荷载分散到配置于各球支撑单元的多个大径球94中。其结果，在上述效果基础上，还能让大径球94在各球支撑单元中容易旋转，在该状态下，能够使加热器20相对于加热器基座50变位(移动)。
此外，作为等离子体CVD装置100所具备的多个球支撑单元，也可以将球支撑单元90、190、290的组合安装到加热器基座50中。
另外，球支撑单元所具备的大径球94的数量并不限定于上述的六个或四个，可根据配置球支撑单元的配置图案或施加到各个球支撑单元的荷载等，适当选择该数量。
此外，上述球支撑单元190、290也能够应用到图2B所示的结构中。在该情况下，构造上述球支撑单元190、290的基座板B配置在安装凹部51R中。
另外，构造上述球支撑单元190、290的底座192也能够应用到图2C所示的结构中。在该情况下，底座192配置在安装凹部51R中。
(第二实施方式)
接着，参照图5A至图7B，对本发明的第二实施方式的等离子体CVD装置及其变形例进行说明。
在图5A至图7B中，对与第一实施方式相同的部件使用相同的附图标记并省略或简化其说明。第二实施方式与第一实施方式的不同点在于加热器基座的结构。
图5A至图7B是从铅直方向投射本发明的第二实施方式的等离子体CVD装置的图，是用于说明构造等离子体CVD装置的加热器20、加热器基座150及球支撑单元BU的配置的图。图5A是表示第二实施方式的加热器基座150的俯视图。图5B是表示变形例1的加热器基座250的俯视图。图6A是表示变形例2的加热器基座350的俯视图。图6B是表示变形例3的加热器基座450的俯视图。图7A是表示变形例4的加热器基座650的俯视图。图7B是表示变形例5的加热器基座750的俯视图。
此外，在图5A至图7B中，对用附图标记BU表示的球支撑单元BU采用上述球支撑单元90、190、290中的任一个。
如图5A所示，加热器基座150具备沿X方向(第一方向)延伸的第一基座52和沿Y方向(与第一方向交叉的第二方向)延伸的多个第二基座53。多个第二基座53通过未图示的紧固部件被固定在第一基座52上。
在本实施方式中，在支柱41上固定有一个第一基座52的背面，在第一基座52的上表面上固定有四个第二基座53。
由于在第二基座53中每一个的上表面53T上配置有三个球支撑单元BU，因此合计12个球支撑单元BU配置在加热器基座150上。此外，在图5A所示的例中，在第一基座52上未配置球支撑单元BU。
在具有这种结构的加热器基座150应用到等离子体CVD装置中的情况下，由于多个球支撑单元BU的每一个中的大径球94与垫21P接触，因此能够通过比图3所示的情况更多的数量的支撑点来支撑加热器20。
因此，起因于加热器20的重量的荷载分散到多个球支撑单元BU中，能够降低施加到每一个球支撑单元BU所受的荷载。其结果，在上述效果的基础上，还能让大径球94在各球支撑单元BU中容易旋转，在该状态下，能够使加热器20相对于加热器基座150变位(移动)。
(第二实施方式的变形例1)
在本变形例中，对与加热器基座150相同的部件使用相同的附图标记，并省略或简化其说明。
在图5B所示的变形例1中，在一个第一基座52上固定有四个第二基座53。在每个第二基座53的上表面53T上配置有五个球支撑单元BU。此外，不仅在第二基座53的上表面53T上配置有球支撑单元BU，而且在第一基座52的上表面52T上也配置有球支撑单元BU。另外，在靠近支柱41的位置上，也以包围支柱41的方式配置有球支撑单元BU。合计26个球支撑单元BU配置在加热器基座250上。
此外，对于在第一基座52的上表面52T上配置有球支撑单元BU的结构来说，在第一基座52的上表面52T与第二基座53的上表面53T之间产生台阶。即，由于在第一基座52上固定有具有厚度的第二基座53，因此产生与第二基座53的厚度对应的台阶。
为了解除该台阶，在第一基座52的上表面52T上配置有具有与该台阶的高度(第二基座53的厚度)对应的厚度的间隔件SP，在间隔件SP上配置有球支撑单元BU。即，间隔件SP配置在球支撑单元BU与上表面52T之间。
在具有这种结构的加热器基座250应用到等离子体CVD装置中的情况下，能够通过比图5A所示的情况更多的数量的支撑点来支撑加热器20。因此，起因于加热器20的重量的荷载分散到多个球支撑单元BU中，从而减轻施加到每一个球支撑单元BU中的荷载，大径球94在各球支撑单元BU中容易旋转，在该状态下，能够使加热器20相对于加热器基座250变位(移动)。
此外，在第一基座52的上表面52T与第二基座53的上表面53T之间产生台阶的情况下，也由于间隔件SP配置在上表面52T上，因此能够使上表面52T与加热器20之间的距离和上表面53T与加热器20之间的距离相等。因此，能够确保加热器20的载置面21T的平坦性，并且能够容易严密管理平坦度。其结果，能够将上部电极75与加热器20之间的间隙维持恒定，并且能够通过均匀地生成的等离子体来使基板K上的膜厚分布均匀。
(第二实施方式的变形例2)
在本变形例中，对与加热器基座150、250相同的部件使用相同的附图标记，并省略或简化其说明。
在图6A所示的变形例2中，在一个第一基座52上固定有六个第二基座53。
由于在第二基座53中每一个的上表面53T上配置有三个球支撑单元BU，因此合计18个球支撑单元BU配置在加热器基座350上。此外，在图6A所示的例中，在第一基座52上未配置球支撑单元BU。
在具有这种结构的加热器基座350应用到等离子体CVD装置中的情况下，由于在多个球支撑单元BU的每一个中的大径球94与垫21P接触，因此能够通过比图3所示的情况更多的数量的支撑点来支撑加热器20。
(第二实施方式的变形例3)
在本变形例中，对与加热器基座150、250、350相同的部件使用相同的附图标记，并省略或简化其说明。
在图6B所示的变形例3中，在一个第一基座52上固定有六个第二基座53。在每个第二基座53的上表面53T上配置有五个球支撑单元BU。此外，不仅在第二基座53的上表面53T上配置有球支撑单元BU，而且在第一基座52的上表面52T上也配置有球支撑单元BU。另外，在靠近支柱41的位置上，也以包围支柱41的方式配置有球支撑单元BU。合计38个球支撑单元BU配置在加热器基座450上。
此外，为了解除产生在上表面52T与上表面53T之间的台阶，在上表面52T上配置有与第二基座53的厚度相应的间隔件SP。在间隔件SP上配置有球支撑单元BU。
在具有这种结构的加热器基座450应用到等离子体CVD装置中的情况下，如上所述，起因于加热器20的重量的荷载分散到多个球支撑单元BU中，从而减轻施加到每一个球支撑单元BU中的荷载，大径球94在各球支撑单元BU中容易旋转，在该状态下，能够使加热器20相对于加热器基座450变位(移动)。
此外，在第一基座52的上表面52T与第二基座53的上表面53T之间产生台阶的情况下，也由于间隔件SP配置在上表面52T上，因此能够使上表面52T与加热器20之间的距离和上表面53T与加热器20之间的距离相等。其结果，能够得到与上述效果同样的效果。
此外，在图5A及图5B中对第二基座53的数量为四个的情况进行了说明，并且在图6A及图6B中对第二基座53的数量为六个的情况进行了说明，但第二基座53的数量并不限定于图5A至图6B。可根据第二基座53的宽度或图8A及图8B所示的球支撑单元BU的配置图案等(后述)，进行适当变更。
另外，在图5A至图6B中，第一基座52及第二基座53的形状为长度较长的矩形，但本发明并不限定为对第一基座52设置六个第二基座53的形状。另外，在上述实施方式中，示出在第一基座52上重叠固定有第二基座53的结构，但本发明并不限定第一基座52及第二基座53的固定结构。
在上述的第二实施方式及其变形例1～3中，第一基座52的延伸方向(X方向)和多个第二基座53的延伸方向(Y方向)交叉，但本发明并不限定于第一基座52和第二基座53彼此交叉的结构。例如，也可以采用以下说明的变形例4、5所示的结构。
(第二实施方式的变形例4)
图7A所示的本变形例4的加热器基座650具有平板状的第一基座62和比第一基座62大的第二基座63在支柱41上重叠的结构。具体而言，第一基座62及第二基座63一同紧固到支柱41。配置有支柱41的部分以外的部分成为在第一基座62上未固定第二基座63且在第一基座62的上表面上只放置有第二基座63的状态。
在加热器基座650的俯视观察中，第二基座63的中心C2与第一基座62的中心C1一致，第二基座63以覆盖第一基座62的整个面的方式固定在第一基座62的上表面上。此外，由于第一基座62的中心C1及第二基座63的中心C2为设置于支柱41的内部的供电线25经过的部位，因此中心C1、C2相当于以圆形状切开的部分(假想中心)。另外，第二基座63具有外周部P2，该外周部P2位于比第一基座62的外周部P1更靠外侧。在此，第一基座62的外周部P1相当于第一基座62外周的侧面。同样，第二基座63的外周部P2相当于第二基座63外周的侧面。
第二基座63由多个平板状的基座分割体(四个基座分割体，即第一分割体63A、第二分割体63B、第三分割体63C和第四分割体63D)构造。多个基座分割体中的每一个固定在第一基座62的上表面上。
多个基座分割体中每一个的外周部形成第二基座63的外周部P2。即，由第一分割体63A的外周部63AP、第二分割体63B的外周部63BP、第三分割体63C的外周部63CP及第四分割体63D的外周部63DP形成外周部P2。
多个基座分割体中的每一个具有与相邻的基座分割体相对的相对面。即，第一分割体63A具有两个相对面63AC，一个相对面63AC与第二分割体63B相对，另一个相对面63AC与第三分割体63C相对。第二分割体63B具有两个相对面63BC，一个相对面63BC与第一分割体63A相对，另一个相对面63BC与第四分割体63D相对。第三分割体63C具有两个相对面63CC，一个相对面63CC与第一分割体63A相对，另一个相对面63CC与第四分割体63D相对。第四分割体63D具有两个相对面63DC，一个相对面63DC与第二分割体63B相对，另一个相对面63DC与第三分割体63C相对。
以不会在彼此面对的相对面之间产生间隙的方式，即以彼此面对的相对面接触的方式，配置上述四个基座分割体63A、63B、63C、63D。
在多个基座分割体中每一个的上表面上配置有六个球支撑单元BU。因此，在由四个基座分割体构造的第二基座63的上表面上，配置有合计24个球支撑单元BU。
在具有这种结构的加热器基座650应用到等离子体CVD装置中的情况下，能够通过比图3所示的情况更多的数量的支撑点来支撑加热器20。另外，起因于加热器20的重量的荷载分散到多个球支撑单元BU中，能够减轻施加到每一个球支撑单元BU的荷载。其结果，大径球94在各球支撑单元BU中容易旋转，在该状态下，能够使加热器20相对于加热器基座650变位(移动)。
此外，由于通过以不会在彼此面对的相对面之间产生间隙的方式配置四个基座分割体63A、63B、63C、63D而形成第二基座63，因此能够抑制由加热器20发生的热经由基座分割体的间隙向第二基座63的下方散热。由此，能够提高第二基座63的绝热性，并且能够维持加热器20表面上的温度均匀性。其结果，加热器20能够均匀地加热基板K，能够得到成膜均匀性。特别是，能够在高温工艺(例如，如超过380℃的成膜温度)中得到优异的成膜均匀性。
(第二实施方式的变形例5)
在本变形例中，对与加热器基座650相同的部件使用相同的附图标记，并省略或简化其说明。
对于图7B所示的变形例5的加热器基座750来说，在四个基座分割体63A、63B、63C、63D中每一个的上表面上配置有九个球支撑单元BU。因此，在由四个基座分割体构造的第二基座63的上表面上，配置有合计36个球支撑单元BU。
在具有这种结构的加热器基座750应用到等离子体CVD装置中的情况下，能够通过比图7A所示的情况更多的数量的支撑点来支撑加热器20。另外，起因于加热器20的重量的荷载分散到多个球支撑单元BU中，能够减轻施加到每一个球支撑单元BU的荷载。其结果，大径球94在各球支撑单元BU中容易旋转，在该状态下，能够使加热器20相对于加热器基座750变位(移动)。
此外，与图7A所示的加热器基座650同样，由于提高第二基座63的绝热性，因此能够维持加热器20表面上的温度均匀性。其结果，加热器20能够均匀地加热基板K，能够得到成膜均匀性。特别是，能够在高温工艺(例如，如超过380℃的成膜温度)中得到优异的成膜均匀性。
(第二实施方式的变形例6、7)
接着，对由配置在上述加热器基座150、250、350、450、650、750上的多个球支撑单元BU构成的配置图案进行说明。
图8A及图8B是用于说明构造本发明的第二实施方式的处理装置的加热器基座的俯视观察中的球支撑单元的平面图案的图。图8A是表示变形例6的图，图8B是表示变形例7的图。
此外，在图8A及图8B中未示出加热器基座，只对配置在加热器基座上的球支撑单元BU的配置(排列)进行说明。作为加热器基座的结构，可采用图3、图5A至图7B所示的结构等。
在图8A所示的变形例6中，以形成沿第一排列方向D1(X方向)和第二排列方向D2(Y方向，与第一排列方向交叉的第二排列方向)排列的格子图案GP1的方式，排列有多个球支撑单元BU(四个以上的球支撑单元BU)。
特别是，第一排列方向D1及第二排列方向D2以直角交叉，在第一排列方向D1及第二排列方向D2的交点上配置有球支撑单元BU。
在图8B所示的变形例7中，以形成沿第一排列方向D1(第一排列方向D1相对于第二排列方向D2以角度θ倾斜的方向)和第二排列方向D2排列的格子图案GP2的方式，排列有多个球支撑单元BU(四个以上的球支撑单元BU)。
即，第一排列方向D1及第二排列方向D2倾斜交叉。在第一排列方向D1及第二排列D2的交点上配置有球支撑单元BU。
换言之，以形成交错状图案的方式，多个球支撑单元BU配置在加热器基座上。
另外，如果在格子图案GP2中着眼于彼此相邻的三个球支撑单元BU1、BU2、BU3，则由球支撑单元BU1、BU2、BU3规定三个距离L1、L2、L3。距离L1为球支撑单元BU1与BU2之间的距离。距离L2为球支撑单元BU2与BU3之间的距离。距离L3为球支撑单元BU3与BU1之间的距离。
在格子图案GP2中，该三个距离L1、L2、L3中的至少两个距离相等。作为这种图案的一例，列举距离L2与距离L3相等且距离L1与距离L2、L3不同的情况。换言之，以如在二等边三角形的三个角上配置球支撑单元这样的图案配置多个球支撑单元。
另外，也可以以如在距离L1、L2、L3完全相等的图案换言之正三角形的三个角上配置球支撑单元这样的图案配置多个球支撑单元。
在以具有格子图案GP1、GP2的方式多个球支撑单元BU配置在加热器基座上的结构的情况下，也能得到上述效果。
此外，作为球支撑单元BU的配置图案的例，对图8A及图8B所示的图案进行了说明，但本发明并不限定球支撑单元BU的配置图案。多个球支撑单元BU没有必要必须以等间隔配置，并且也可以以由两种以上的规则配置图案组合而成的复合图案来将多个球支撑单元BU配置在加热器基座上。
(第三实施方式)
下面，参照图9，对本发明的第三实施方式的等离子体CVD装置进行说明。
在图9中，对与第一实施方式及第二实施方式相同的部件使用相同的附图标记，并省略或简化其说明。第三实施方式与第一实施方式及第二实施方式的不同点在于加热器基座的结构。
本发明的第三实施方式的等离子体CVD装置具备加热器基座550。在加热器基座550的表面上配置有多个球支撑单元BU。在加热器基座550的上方，配置有由多个球支撑单元BU支撑的加热器20。加热器20与上部电极75相对。
加热器基座550在加热器基座550的表面上具备多个距离调整部96。在一个距离调整部96上配置有一个球支撑单元BU。在多个距离调整部96中的每一个中，大径球94和加热器20所接触的接触部26(垫21P)与加热器基座550之间的距离得到调整。例如，对于距离调整部96来说，通过在加热器基座550的表面上的中央区域550C未设置间隔件SP，而是在外周区域550E设置间隔件SP来规定距离调整部96与加热器20之间的距离GE、GC。在此，通过调整间隔件SP的高度或间隔件SP的数量(张数)而规定距离GE。
此外，也可以在中央区域550C中的距离调整部96中形成具有深度的凹部，并且在该凹部中配置间隔件SP。
位于加热器基座550的表面上的外周区域550E处的距离调整部96与加热器20之间的距离GE被规定为大于位于加热器基座550的表面上的中央区域550C处的距离调整部96与加热器20之间的距离GC。由此，在加热器基座550上产生弯曲的情况下，也能够确保由球支撑单元BU支撑的加热器20的载置面21T的平坦性。
具体而言，近年来等离子体CVD装置不断大型化，构造等离子体CVD装置的加热器及加热器基座的面积也增加，加热器基座以从加热器基座的中央区域朝向外周区域下垂的方式稍微弯曲变形。
在该情况下，经由球支撑单元被加热器基座支撑的加热器也从中央区域朝向外周区域变形。伴随这种加热器的变形，具有如下的问题：即，加热器的表面平坦性下降，与加热器相对的上部电极与加热器之间的间隙不均匀，无法得到均匀的膜厚分布。
与此相对地，在本实施方式中，预先测量加热器基座550在外周区域550E中的弯曲量，并且根据弯曲量，以距离GE大于距离GC的方式，规定距离调整部96的接触部26与加热器基座550之间的距离。因此，在加热器基座550产生弯曲的情况下，也能够确保由球支撑单元BU支撑的加热器20的载置面21T的平坦性，并且容易严密管理平坦度。例如，能够实现0.5mm的平坦度。
此外，在对具有图2B及图2C所示的安装凹部51R的加热器基座应用距离调整部96的情况下，在形成于加热器基座的表面上的中央区域550的安装凹部51R未设置间隔件SP，而是在形成于外周区域550E的安装凹部51R中设置间隔件SP。由此，在形成有安装凹部51R的加热器基座上规定距离调整部96与加热器20之间的距离GE、GC。
以上对本发明的优选实施方式进行了说明，虽然在上述内容中一直说明，但应理解这些实施方式为本发明的举例说明，并不能认为限定本发明。在不脱离本发明的范围的情况下可进行附加、省略、置换及其他变更。因此，并不能认为本发明由前述说明来限定，本发明由权利要求书的范围来限制。
在上述实施方式及变形例中，对本发明的处理装置应用到等离子体CVD装置(成膜装置)中的例进行了说明，但本发明的处理装置并不限定于等离子体CVD装置。本发明的处理装置还能够应用到作为真空处理装置广为人知的蚀刻装置或灰化装置等中。另外，并不限定于真空处理装置，本发明的处理装置还能够应用到大气压处理装置中。
在上述实施方式及变形例中，对作为变位机构的一例的球支撑单元应用到等离子体CVD装置中的例进行了说明，但变位机构并不限定于球支撑单元。变位机构也可以是具备辊的辊单元，该辊在与加热器20接触的状态下，能够使加热器20相对于加热器基座50变位。
在辊单元的情况下，例如可列举经由轴承轴支撑有安装于辊的轴的结构。另外，也可以采用具备多个小径辊和直径大于小径辊直径的大径辊的结构，该多个小径辊在具有凹部的底座的表面上滚动，该大径辊通过多个小径辊能够旋转地被支撑，并且与加热器20接触。
在上述实施方式及变形例中，对在加热器20的内部设置有发热线24(热源)且加热器20通过对发热线24供应的电力进行自发热的例进行了说明，但本发明并不限定于在加热器的内部配置有热源的结构。例如，也可以采用如下的结构：即，该结构在加热器的外部设置有热源，并且从该外部热源对加热器进行加热。作为外部热源，可列举设置于远离加热器的灯式加热器或以覆盖加热器的外部的方式设置的带式加热器等。
在上述实施方式及变形例中，对如下的效果进行了说明：即，在如加热器20的温度超过380℃的热负荷施加到加热器20的情况下，能够抑制起因于热膨胀的加热器的弯曲或翘曲以维持加热器的平坦性。然而，本发明的加热器基座还能够应用到加热器20的温度不超过400℃的处理装置中，在加热器20的温度为低温的情况下，也能够应用本发明的加热器基座。
上述距离调整部96也能够应用到图3、图5A、图5B、图6A、图6B、图7A及图7B所示的加热器基座50、150、250、350、450、650、750中。
产业上的可利用性
本发明能够广泛地应用到加热器基座和具备该加热器基座的处理装置中，其中，该加热器基座能够抑制加热器的弯曲或翘曲以维持加热器的平坦性。
附图标记说明
10 真空腔室
11 下部腔室
12 上部腔室
13 电极法兰
20 加热器
21B 支撑面(背面)
21P 垫
21T 载置面(正面)
22 开口孔
23 升降销
24 发热线
25 供电线
26 接触部
30 高频电源
40 升降机构
41 支柱
42 法兰
43 波纹管
44 外部端子
45 升降销基座
50、50A、50B、150、250、350、450、550、650、750 加热器基座
51B 背面
51T 上表面
51R 安装凹部
52、62 第一基座
52T 上表面
51L 底面
51W 内壁
53、63 第二基座
53T 上表面
60 真空泵
63A 第一分割体(基座分割体)
63B 第二分割体(基座分割体)
63C 第三分割体(基座分割体)
63D 第四分割体(基座分割体)
70 气体供给部
75 上部电极
80 门阀
90、90A、90B、190、290、BU、BU1、BU2、BU3 球支撑单元(变位机构)
91 凹部
92、192 底座
92T 上表面
93 小径球
94 大径球
95、195、295 罩
95B 下表面
95H 孔
95T 上表面
96 距离调整部
100 等离子体CVD装置
550C 中央区域
550E 外周区域
B 基座板
B1 收容部
GP1、GP2 格子图案
K 基板
L1、L2、L3 距离
S 紧固部件
SP 间隔件

Claims (11)

1.一种加热器基座，用于支撑加热器，其中，
具备多个变位机构，所述变位机构配置在所述加热器与所述加热器基座之间且设置于所述加热器基座上，
多个所述变位机构中的三个以上的变位机构在与所述加热器接触的状态下能够使所述加热器相对于所述加热器基座变位。
2.根据权利要求1所述的加热器基座，其中，
多个所述变位机构中的每一个具备：
底座，固定在所述加热器基座上且具有朝向所述加热器开口的凹部；
多个小径球，位于所述凹部的内部且在所述凹部的表面上滚动；和
大径球，在所述凹部的内部由多个所述小径球能够旋转地支撑，所述大径球与所述加热器接触，并且所述大径球的直径大于所述小径球的直径。
3.根据权利要求2所述的加热器基座，其中，
多个所述变位机构中的每一个具备：
多个所述凹部；和
多个所述大径球，
在一个凹部内配置有一个大径球。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的加热器基座，其中，
多个所述变位机构配置在所述加热器基座的一个表面上。
5.根据权利要求1至3中的任一项所述的加热器基座，其中，
所述加热器基座具备：
沿第一方向延伸的第一基座；和
沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸且固定在所述第一基座上的多个第二基座，
多个所述变位机构配置在多个所述第二基座上。
6.根据权利要求5所述的加热器基座，其中，
所述变位机构配置在所述第一基座上。
7.根据权利要求1至3中的任一项所述的加热器基座，其中，
所述加热器基座具备：
平板状的第一基座；和
平板状的第二基座，在所述加热器基座的俯视观察中具有与所述第一基座的中心一致的中心，所述第二基座具有位于比所述第一基座的外周部更靠外侧的外周部，所述第二基座以覆盖所述第一基座的整个面的方式配置在所述第一基座的上表面上且由多个基座分割体构造，
多个所述变位机构配置在多个所述基座分割体上。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的加热器基座，其中，
所述加热器基座在供配置多个所述变位机构的所述加热器基座的表面上设置有多个距离调整部，
在一个距离调整部中配置有一个变位机构，
在多个所述距离调整部中的每一个中，所述变位机构和所述加热器所接触的接触部与所述加热器基座之间的距离得到调整。
9.根据权利要求8所述的加热器基座，其中，
位于所述加热器基座的所述表面的外周区域上的所述距离调整部与所述加热器之间的距离被规定为大于位于所述表面的中央区域上的所述距离调整部与所述加热器之间的距离。
10.根据权利要求8或9所述的加热器基座，其中，
具备设置于所述距离调整部的间隔件，
根据所述间隔件的高度来规定所述距离调整部与所述加热器之间的距离。
11.一种处理装置，用于处理基板，其中，具备：
腔室；
加热器，具有供载置所述基板的正面和与所述表面相反的一侧的背面，所述加热器配置在所述腔室内；
加热器基座，用于支撑所述加热器的所述背面且配置在所述腔室内；
多个变位机构，配置在所述加热器与所述加热器基座之间且设置于所述加热器基座上；
高频电源，用于在所述腔室内发生等离子体；和
升降机构，用于使所述加热器基座沿上下方向移动，
多个所述变位机构中的三个以上的变位机构在与所述加热器接触的状态下能够使所述加热器相对于所述加热器基座变位。
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