KR102192206B1 - 성막용 마스크 및 성막 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 한 형태에 따른 성막용 마스크는, 한 쌍의 제1 판부와, 한 쌍의 제2 판부를 구비한다. 상기 한 쌍의 제1 판부는, 한 쌍의 제1 내주연부와, 한 쌍의 제1 외주연부를 갖는다. 상기 한 쌍의 제1 내주연부는, 제1 축 방향으로 대향하고, 서로 이간하는 방향을 향해 볼록한 형상의 제1 만곡부를 각각 갖는다. 상기 한 쌍의 제1 외주연부는, 상기 한 쌍의 제1 내주연부와 상기 제1 축 방향으로 각각 대향한다. 상기 한 쌍의 제2 판부는, 한 쌍의 제2 내주연부와, 한 쌍의 제2 외주연부를 갖는다. 상기 한 쌍의 제2 내주연부는, 상기 제2 축 방향으로 대향하고, 서로 이간하는 방향을 향해 볼록한 형상의 제2 만곡부를 각각 갖는다. 상기 한 쌍의 제2 외주연부는, 상기 한 쌍의 제2 내주연부와 상기 제2 축 방향으로 각각 대향한다.

Description

성막용 마스크 및 성막 장치
본 발명은, 플라즈마 CVD 장치 등의 성막 장치에 이용되는 성막용 마스크 및 이를 구비하는 성막 장치에 관한 것이다.
플라즈마 CVD 장치 등의 성막 장치에서는, 기판 주연부에의 착막을 방지하기 위한 마스크가 널리 이용되고 있다. 예를 들면 특허문헌 1에는, 가열 플레이트 상에 배치된 유리 기판의 주연부에 대향하는 마스크와, 이 마스크를 처리실 내에서 승강 가능하게 지지하는 마스크 지지체를 구비하는 진공 처리 장치가 개시되고 있다.
일본 등록 특허 제5773731호 공보
근년에서의 기판의 대형화에 수반하여, 기판의 주연부에 배치되는 마스크의 사이즈도 대형화하고, 마스크의 개구 형상을 정밀도(精度) 좋게 유지하는 것이 곤란해지고 있다. 예를 들면 특허문헌 1의 구성에서는, 가열 플레이트에 가까운 마스크의 내주측과 그와는 반대의 외주측 사이에서의 입열량(入熱量)의 상위(相違)에 의해서, 마스크 개구 형상이 변화하고, 마스크 하고 싶은 영역인 기판 주연부의 막단(膜端)의 형상 정밀도가 악화될 우려가 있다. 또, 마스크의 내주측과 외주측과의 응력차이로 마스크가 파손할 우려가 있다.
이상과 같은 사정에 감안하여, 본 발명의 목적은, 기판 주연부의 막단의 형상 정밀도를 유지할 수 있는 성막용 마스크 및 이를 구비하는 성막 장치를 제공하는 것에 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 한 형태에 따른 성막용 마스크는, 한 쌍의 제1 판부와, 한 쌍의 제2 판부를 구비한다.
상기 한 쌍의 제1 판부는, 한 쌍의 제1 내주연부와, 한 쌍의 제1 외주연부를 갖는다. 상기 한 쌍의 제1 내주연부는, 제1 축 방향으로 대향하고, 서로 이간하는 방향을 향해 볼록한 형상의 제1 만곡부를 각각 갖는다. 상기 한 쌍의 제1 외주연부는, 상기 한 쌍의 제1 내주연부와 상기 제1 축 방향으로 각각 대향한다.
상기 한 쌍의 제2 판부는, 한 쌍의 제2 내주연부와, 한 쌍의 제2 외주연부를 갖는다. 상기 한 쌍의 제2 내주연부는, 상기 제2 축 방향으로 대향하고, 서로 이간하는 방향을 향해 볼록한 형상의 제2 만곡부를 각각 갖는다. 상기 한 쌍의 제2 외주연부는, 상기 한 쌍의 제2 내주연부와 상기 제2 축 방향으로 각각 대향한다.
상기 성막용 마스크에서, 제1 및 제2 판부의 내주연부는, 서로 이간하는 방향을 향해 볼록한 형상의 제1 및 제2 만곡부를 각각 가지기 때문에, 제1 및 제2 만곡부에서 길이 방향에 따른 열팽창(열성장)이 발생할 때에, 제1 및 제2 만곡부가 직선적인 형상이 되도록 변형된다. 이것에 의해, 기판 주연부 상의 막단의 형상 정밀도를 유지하는 것이 가능해진다.
상기 한 쌍의 제1 판부는, 상기 한 쌍의 제1 외주연부에 각각 설치되어 상기 제1 축 방향과 직교하는 제2 축 방향으로 간격을 두어서 배치된 복수의 제1 절개부를 더 가져도 좋다. 동일하게, 상기 한 쌍의 제2 판부는, 상기 한 쌍의 제2 외주연부에 각각 설치되어 상기 제1 축 방향으로 간격을 두어서 배치된 복수의 제2 절개부를 더 가져도 좋다.
이것에 의해, 상기 내주연부의 열변형에 수반하는 외주연부의 변형이 용이해지고, 이것에 의해 제1 및 제2 판부의 파손이 방지된다.
상기 한 쌍의 제1 판부 및 상기 한 쌍의 제2 판부는, 각각 단독의 판 부재로 구성되어도 좋다. 이것에 의해, 입열시에서의 제1 판부와 제2 판부 사이의 상호 간섭을 억제할 수 있다.
상기 한 쌍의 제1 판부의 양 단부는, 상기 한 쌍의 제2 판부의 양 단부에 중합되어도 좋다. 이것에 의해, 제1 및 제2 판부의 분리를 막고, 이들 판부의 소정의 일체 관계를 유지할 수 있다.
상기 한 쌍의 제1 판부 및 상기 한 쌍의 제2 판부는, 전형적으로는, 세라믹스 재료로 구성된다.
본 발명의 한 형태에 따른 성막 장치는, 챔버와, 스테이지와, 성막원과, 마스크를 구비한다.
상기 스테이지는, 상기 진공 챔버의 내부에 배치되어, 기판을 가열 가능하게 지지한다.
상기 성막원은, 상기 스테이지에 대향해서 배치된다.
상기 마스크는, 상기 스테이지의 주위에 배치되어, 상기 기판의 주연부를 상기 성막원으로부터 피복한다.
상기 마스크는, 한 쌍의 제1 판부와, 한 쌍의 제2 판부를 갖는다.
상기 한 쌍의 제1 판부는, 한 쌍의 제1 내주연부와, 한 쌍의 제1 외주연부를 갖는다. 상기 한 쌍의 제1 내주연부는, 제1 축 방향으로 대향하고, 서로 이간하는 방향을 향해 볼록한 형상의 제1 만곡부를 각각 갖는다. 상기 한 쌍의 제1 외주연부는, 상기 한 쌍의 제1 내주연부와 상기 제1 축 방향으로 각각 대향한다.
상기 한 쌍의 제2 판부는, 한 쌍의 제2 내주연부와, 한 쌍의 제2 외주연부를 갖는다. 상기 한 쌍의 제2 내주연부는, 상기 제2 축 방향으로 대향하고, 서로 이간하는 방향을 향해 볼록한 형상의 제2 만곡부를 각각 갖는다. 상기 한 쌍의 제2 외주연부는, 상기 한 쌍의 제2 내주연부와 상기 제2 축 방향으로 각각 대향한다.
상기 한 쌍의 제1 판부는, 상기 한 쌍의 제1 외주연부에 각각 설치되어 상기 제1 축 방향과 직교하는 제2 축 방향으로 간격을 두어서 배치된 복수의 제1 절개부를 더 가져도 좋다. 동일하게, 상기 한 쌍의 제2 판부는, 상기 한 쌍의 제2 외주연부에 각각 설치되어 상기 제1 축 방향으로 간격을 두어서 배치된 복수의 제2 절개부를 더 가져도 좋다.
상기 성막 장치는, 상기 마스크를 지지 가능한 마스크 지지 부재를 더 구비해도 좋다. 상기 마스크 지지 부재는, 상기 스테이지의 주위에 설치되어, 상기 제1 및 제2 축 방향으로 평행한 면 내에서의 상기 마스크의 열성장을 허용하는 지지부를 갖는다.
상기 한 쌍의 제1 판부는, 제1 주관통공과, 한 쌍의 제1 보조 관통공을 가져도 좋다. 상기 제1 주관통공은, 상기 제1 축 방향으로 평행한 장축을 갖는다. 상기 한 쌍의 제1 보조 관통공은, 상기 제2 축 방향으로 평행한 장축을 갖고, 상기 제1 주관통공을 사이에 두고 상기 제2 축 방향으로 서로 대향한다. 이 경우, 상기 지지부는, 복수의 제1 위치 결정 핀을 포함한다. 상기 복수의 제1 위치 결정 핀은, 상기 제1 주관통공 및 상기 한 쌍의 제1 보조 관통공에 각각 삽통되어, 상기 한 쌍의 제1 판부에 대해서 상대 이동 가능하다.
한편, 상기 한 쌍의 제2 판부는, 제2 주관통공과, 한 쌍의 제2 보조 관통공을 가져도 좋다. 상기 제2 주관통공은, 상기 제2 축 방향으로 평행한 장축을 갖는다. 상기 한 쌍의 제2 보조 관통공은, 상기 제1 축 방향으로 평행한 장축을 갖고, 상기 제2 주관통공을 사이에 두고 상기 제1 축 방향으로 서로 대향한다. 이 경우, 상기 지지부는, 복수의 제2 위치 결정 핀을 포함한다. 상기 복수의 제2 위치 결정 핀은, 상기 제2 주관통공 및 상기 한 쌍의 제2 보조 관통공에 각각 삽통되어, 상기 한 쌍의 제2 판부에 대해서 상대 이동 가능하다.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 기판 주연부의 막단의 형상 정밀도를 유지할 수 있다.
[도 1] 본 발명의 일 실시 형태에 따른 성막 장치를 나타내는 개략 측단면도이다.
[도 2] 상기 성막 장치의 일 동작예를 나타내는 개략 측단면도이다.
[도 3] 본 발명의 일 실시 형태에 따른 마스크의 구성을 나타내는 개략 평면도이다.
[도 4] 상기 마스크의 우부(隅部)의 구성을 개략적으로 나타내 보이는 요부(要部) 사시도이다.
[도 5] 상기 마스크를 구성하는 판부의 열변형 전후의 형태를 비교하여 나타내 보이는 개략 평면도이다.
[도 6] 상기 성막 장치의 요부의 구성을 나타내는 개략 측단면도이다.
[도 7] 상기 마스크의 열변형 전후의 형태를 비교하여 나타내 보이는 개략 평면도이다.
이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 실시 형태를 설명한다.
도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 성막 장치를 나타내는 개략 측단면도이며, 도 2는, 성막 장치의 일 동작예를 나타내는 개략 측단면도이다. 또 도에서 X축, Y축 및 Z축은 서로 직교하는 3축 방향을 나타내고, 본 예에서는 X축 및 Y축은 수평 방향에 상당하고, Z축은 높이 방향에 상당한다.
[전체 구성]
본 실시 형태에 따른 성막 장치(100)는, 플라즈마 CVD 장치로서 구성되어 있다. 성막 장치(100)는, 진공 챔버(10)와, 스테이지(20)와, 가스 헤드(30)와, 마스크(40)를 갖는다.
진공 챔버(10)는, 내부에 성막실(11)을 갖는다. 진공 챔버(10)는, 성막실(11)을 소정의 감압 분위기로 배기하여 유지하는 것이 가능한 진공 펌프(도시 생략)에 연락하는 배기 포트(12)를 갖는다. 진공 챔버(10)의 내주면에는, 가스 헤드(30)를 지지하는 제1 플랜지부(13), 스테이지(20)의 하강 위치(도 2)에서 마스크(40)를 지지 가능한 제2 플랜지부(14) 등이 설치되고 있다. 진공 챔버(10)는, 스텐레스강 등의 금속재료로 구성되어, 접지 전위에 접속된다.
진공 챔버(10)에는 도시하지 않은, 진공 챔버(10)의 외부와 내부 사이에서 반송되는 기판(W)이 통과 가능한 게이트 밸브가 설치된다. 기판(W)은, 스테이지(20)의 하강 위치에서 도시하지 않은 반송 로봇 등을 통해 수평 방향으로 반입출된다.
기판(W)으로서는, 전형적으로는, 직사각형의 유리 기판이 이용된다. 기판(W)의 사이즈는 특히 한정되지 않고, 예를 들면, G5 이상(1변의 길이가 1000mm 이상)의 기판이 이용되고, 본 실시 형태에서는, G6 기판(1850mm×1500mm)이 이용된다.
스테이지(20)는, 성막 대상인 기판(W)을 지지하는 지지면(21)을 갖는다. 지지면(21)은, 기판(W)보다 대면적의 직사각형의 평면으로 구성된다. 스테이지(20)는, 지지면(21)의 전역을 소정 온도로 가열 가능한 가열원을 내장한다. 가열원은 특히 한정되지 않고, 전형적으로는, 히터, 온매(溫媒) 순환 통로 등으로 구성된다.
지지면(21)의 주연부에는, 마스크(40)의 저면을 지지하는 내열성 재료로 구성된 지지대(22)가 설치되고 있다. 지지대(22)는, 지지면(21)에 재치된 기판(W)의 주위에 배치되어, 마스크(40)를 기판(W)의 주연부의 직상(直上)에 소정의 틈새를 열어 대향 배치시키는 것이 가능한 높이(두께)를 갖는다. 지지대(22)는, 기판(W)의 주위에 간격을 두어서 배치된 복수의 패드 부재로 구성되어도 좋고, 기판(W)을 둘러싸는 환상체로 구성되어도 좋다.
스테이지(20)는, 승강축(23)을 갖고, 진공 챔버(10)의 저부 외방에 설치된 승강 유닛(24)에 의해서 Z축 방향으로 승강 이동 가능하게 구성된다. 승강축(23)은, 스테이지(20)의 저부 중심에 고정되고, 진공 챔버(10)의 저벽을 기밀하게 관통한다. 스테이지(20)는, 도 1에 나타내는 상승 위치와, 도 2에 나타내는 하강 위치 사이를 승강 가능하게 구성된다. 스테이지(20)는, 진공 챔버(10)를 통해 접지 전위에 접속된다.
가스 헤드(30)는, 진공 챔버(10)의 내부에서, 스테이지(20)의 지지면(21)과 대향하는 위치에 배치된다. 가스 헤드(30)는, 성막실(11)에 성막용의 프로세스 가스를 도입하는 성막원을 구성한다.
가스 헤드(30)는, 전형적으로는 금속재로 구성되고, 샤워 플레이트(31)와, 환상의 주벽부(周壁部)(32)와, 천판부(天板部)(33)를 갖는다. 주벽부(32)는, 샤워 플레이트(31)의 주연부를 지지한다. 천판부(33)는, 주벽부(32)의 상단에 접속되어, 샤워 플레이트(31)와의 사이에 가스 공간(34)을 형성한다. 가스 헤드(30)는, 환상의 절연부재(35)를 통해, 진공 챔버(10)의 내주면에 설치된 제1 플랜지부(13)에 지지를 받는다.
가스 헤드(30)의 천판부(33)에는, 가스 도입원(36)에 연락하는 가스 도입 라인(37)이 접속되고 있다. 가스 도입 라인(37)은, 천판부(33)를 관통하여, 가스 공간(34)에 소정의 프로세스 가스를 도입한다. 가스 도입 라인(37)은, 개폐 밸브나 유량 제어 밸브 등을 포함한다. 프로세스 가스는 특히 한정되지 않고, 성막해야 할 재료의 종류 등에 따라 적당 설정 가능하고, 예를 들면, 실란 등의 원료 가스와, 암모니아 및 질소를 포함하는 반응 가스의 혼합 가스가 이용된다.
또 가스 헤드(30)의 천판부(33)에는, RF 전원(38)이 접속된다. RF 전원(38)은, 가스 헤드(30)에 고주파 전력을 인가하고, 샤워 플레이트(31)와 스테이지(20) 사이의 성막실(11)에 프로세스 가스의 플라즈마를 형성한다. RF 전원(38)에서 인가되는 고주파 전력은 특히 한정되지 않고, 예를 들면, 100W~10kW이다.
마스크(40)는, 스테이지(20)의 주위에 배치되어, 기판(W)의 주연부를 가스 헤드(30)로부터 피복하는 것이 가능한 틀로 구성된다. 마스크(40)는, 기판(W)의 주연부의 비성막 영역에 대향해서 배치되어, 성막 영역을 확정하는 대략 직사각형의 개구부(40a)를 갖는다. 이하, 마스크(40)의 상세한 것에 대하여 설명한다.
[마스크]
도 3은, 마스크(40)의 구성을 나타내는 개략 평면도이다.
마스크(40)는, 표면에서 보았을 때 대략 직사각형의 틀로 구성되고, G6 사이즈의 기판(W)의 주연부를 피복할 수 있는 크기를 갖는다. 마스크(40)는, 한 쌍의 장변 판부(41A, 41B)(제1 판부)와, 한 쌍의 단변 판부(42A, 42B)(제2 판부)를 갖는다. 장변 판부(41A, 41B) 및 단변 판부(42A, 42B)는, 전형적으로는, 내열성, 내플라즈마성, 내부식성의 관점에서, 알루미나나 산화 지르코늄 등의 세라믹스 재료로 구성된다.
장변 판부(41A, 41B)는 각각 동일한 구성을 갖고, 내주연부(411)(제1 내주연부)와 외주연부(412)(제1 외주연부)를 각각 갖는다.
장변 판부(41A, 41B) 각각의 내주연부(411)는, X축 방향으로 대향하고, 서로 이간하는 방향을 향해 볼록한 형상의 만곡부(411w)(제1 만곡부)를 갖는다. 즉, 일방의 장변 판부(41A)의 만곡부(411w)는, 도 3에서 상방 측에 정점을 갖는 소정 곡률의 부분 원호 형상을 갖고, 타방의 장변 판부(41B)의 만곡부(411w)는, 도 3에서 하방 측에 정점을 갖는 소정 곡률의 부분 원호 형상을 갖는다.
본 실시 형태에서 각 만곡부(411w)는, 장변 판부(41A, 41B)의 내주연부(411)의 전역에 걸쳐서 일정한 곡률로 형성되고 있지만, 이것에 한정되지 않고 다른 곡률의 원호가 연속하는 복합적인 형상이어도 좋다. 각 만곡부(411w)의 곡률 반경은, 장변 판부(41A, 41B)의 길이나 선팽창 계수, 스테이지(20)에 의한 기판(W)의 가열 온도 등에 따라 적당 설정된다. 본 실시 형태에서는, 만곡부(411w)의 곡률 반경은 약 260000mm이며, 내주연부(411) 양단끼리를 묶는 가상 직선 Lx와 내주연부(411) 사이의 최대 거리 dx는, 약 1.6mm이다.
장변 판부(41A, 41B) 각각의 외주연부(412)는, 내주연부(411)와 X축 방향으로 대향하고, 본 실시 형태에서는 Y축 방향으로 평행한 직선 형상을 갖는다. 각 외주연부(412)에는 복수의 절개부(413)(제1 절개부)가 설치되고, 이들 복수의 절개부(413)는, Y축 방향으로 간격을 두어서 배치되어 있다.
각 절개부(413)는, 외주연부(412)에 대해서 직교하는 방향(X축 방향)으로 연장되는 슬릿으로 구성되지만, 이것에 한정되지 않고, 예를 들면 V자형상으로 형성되어도 좋다. 절개부(413)의 개구 폭 및 절개 깊이는 특히 한정되지 않고, 전형적으로는, 외주연부(412)가 XY 평면 내에서 비교적 용이하게 만곡하는 것이 가능한 크기로 형성된다.
이에 대해서, 단변 판부(42A, 42B) 각각의 내주연부(421)는, Y축 방향으로 대향하고, 서로 이간하는 방향을 향해 볼록한 형상의 만곡부(421w)(제2 만곡부)를 갖는다. 즉, 일방의 단변 판부(42A)의 만곡부(421w)는, 도 3에서 우방 측에 정점을 갖는 소정 곡률의 부분 원호 형상을 갖고, 타방의 단변 판부(42B)의 만곡부(421w)는, 도 3에서 좌방 측에 정점을 갖는 소정 곡률의 부분 원호 형상을 갖는다.
본 실시 형태에서 각 만곡부(421w)는, 판부(42A,42B)의 내주연부(421)의 전역에 걸쳐서 일정한 곡률로 형성되고 있지만, 이것에 한정되지 않고 다른 곡률의 원호가 연속하는 복합적인 형상이어도 좋다. 각 만곡부(421w)의 곡률 반경은, 단변 판부(42A, 42B)의 길이나 선팽창 계수, 스테이지(20)에 의한 기판(W)의 가열 온도 등에 따라 적당 설정된다. 본 실시 형태에서는, 만곡부(421w)는, 장변 판부(41A, 41B)의 만곡부(411w)보다 작은 곡률 반경을 갖는다. 예를 들면, 만곡부(421w)의 곡률 반경은 약 200000mm이며, 내주연부(421) 양단끼리를 묶는 가상 직선 Ly와 내주연부(421) 사이의 최대 거리 dy는, 약 1.4mm이다.
단변 판부(42A, 42B) 각각의 외주연부(422)는, 내주연부(421)와 Y축 방향으로 대향하고, 본 실시 형태에서는 X축 방향으로 평행한 직선 형상을 갖는다. 각 외주연부(422)에는 복수의 절개부(423)(제2 절개부)가 설치되고, 이들 복수의 절개부(423)는, X축 방향으로 간격을 두어서 배치되어 있다.
각 절개부(423)는, 외주연부(422)에 대해서 직교하는 방향(Y축 방향)으로 연장되는 슬릿으로 구성되지만, 이것에 한정되지 않고, 예를 들면 V자형상으로 형성되어도 좋다. 절개부(423)의 개구 폭 및 절개 깊이는 특히 한정되지 않고, 전형적으로는, 외주연부(422)가 XY 평면 내에서 비교적 용이하게 만곡하는 것이 가능한 크기로 형성된다.
마스크(40)가 스테이지(20) 상의 지지대(22)에 지지를 받은 상태에서는, 장변 판부(41A, 41B) 및 단변 판부(42A, 42B)의 내주연부(411, 421)는, 스테이지(20)의 지지면(21)에 대향하고, 장변 판부(41A, 41B) 및 단변 판부(42A, 42B)의 외주연부(412, 422)는, 스테이지(20)의 외측으로 돌출된다(도 1 참조). 그리고 기판(W)과 마스크(40)의 중복이, 마스크(40)의 네 우부(隅部)보다 각 변(판부(41A, 41B, 42A, 42B))의 중앙부가 작다.
장변 판부(41A, 41B) 및 단변 판부(42A, 42B)는, 각각 단독의 판부재로 구성된다. 이것에 의해, 입열에 의한 열변형 시에서 장변 판부(41A, 41B)와 단변 판부(42A, 42B) 사이의 상호 간섭을 억제할 수 있다.
또, 장변 판부(41A, 41B) 및 단변 판부(42A, 42B)는 서로 동일한 두께를 갖고, 장변 판부(41A, 41B)의 양 단부는, 단변 판부(42A, 42B)의 양 단부에 중합될 수 있다. 이것에 의해, 장변 판부(41A, 41B)와 단변 판부(42A, 42B)의 분리를 막고, 이들 판부의 소정의 일체 관계를 유지할 수 있다.
본 실시 형태에서는 도 4에 나타내듯이, 장변 판부(41A, 41B)와 단변 판부(42A, 42B)는 서로 판 두께 방향으로 서로 반턱 이음(相欠接合, half-lap joint)된다. 이것에 의해, 장변 판부(41A, 41B)의 표면과 단변 판부(42A, 42B)의 표면이 동일 평면 상에 형성되기 때문에, 마스크(40)의 표면의 요철을 완화할 수 있다.
성막 장치(100)는, 마스크(40)를 지지 가능한 마스크 지지 부재(50)를 갖는다. 마스크 지지 부재(50)는, 도 1 및 도 2에 나타내듯이, 스테이지(20)의 주위에 설치된다. 즉 마스크 지지 부재(50)는, 스테이지(20)의 주위에 설치된 직사각형 환상의 플랜지부(51)와, 플랜지부(51) 상에 설치된 직사각형 환상의 단열 부재(52)와, 단열 부재(52) 상에 설치된 직사각형 환상의 지지부(53)를 갖는다.
지지부(53)의 외주부는, 플랜지부(51) 및 단열 부재(52)의 외주부보다 외측으로 돌출되고, 이것에 의해 지지부(53)는, 스테이지(20)의 승강에 수반하여, 단열 부재(52)에 대해서 분리 가능하게 구성된다.
즉 도 1에 나타내듯이, 스테이지(20)가 상승 위치에 있을 때는, 지지부(53)는 단열 부재(52) 상에 재치된다. 한편, 도 2에 나타내듯이, 스테이지(20)가 하강 위치에 있을 때는, 지지부(53)는 단열 부재(52)로부터 분리되어, 진공 챔버(10)의 내주면에 설치된 제2 플랜지부(14)에 지지를 받는다.
또 지지부(53)는, X축 및 Y축 방향으로 평행한 면 내에서의 마스크(40)의 열성장을 허용하는 구조를 갖는다. 즉 지지부(53)는, 스테이지(20)의 지지대(22)에 재치된 마스크(40)의 각 판부(41A, 41B, 42A, 42B)에 삽통되는 원주상 또는 원통상의 복수의 위치 결정 핀(54)을 갖는다.
마스크(40)의 장변 판부(41A, 41B) 및 단변 판부(42A, 42B)는, 지지부(53)의 복수의 위치 결정 핀(54)이 삽통 가능한 복수의 관통공을 갖는다. 도 3에 나타내듯이 장변 판부(41A, 41B)는, X축 방향으로 평행한 장축을 갖는 주관통공(41h1)(제1 주관통공)과, Y축 방향으로 평행한 장축을 갖고 주관통공(41h1)를 사이에 두고 Y축 방향으로 서로 대향하는 한 쌍의 보조 관통공(41h2)(제1 보조 관통공)을 각각 갖는다.
한편, 단변 판부(42A, 42B)는, Y축 방향으로 평행한 장축을 갖는 주관통공(42h1)(제2 주관통공)과, X축 방향으로 평행한 장축을 갖고 주관통공(42h1)을 사이에 두고 X축 방향으로 서로 대향하는 한 쌍의 보조 관통공(42h2)(제2 보조 관통공)을 각각 갖는다.
주관통공(41h1)은, 각 장변 판부(41A, 41B)의 길이 방향 중앙부에 설치되고, 한 쌍의 보조 관통공(41h2)은, 각 장변 판부(41A, 41B)의 길이 방향 양 단부 근방에 각각 설치된다. 주관통공(41h1) 및 보조 관통공(41h2)는, 각 장변 판부(41A, 41B)의 외주연부(412) 측에 각각 배치된다.
동일하게, 주관통공(42h1)은, 각 단변 판부(42A, 42B)의 길이 방향 중앙부에 설치되고, 한 쌍의 보조 관통공(42h2)은, 각 단변 판부(42A, 42B)의 길이 방향 양 단부 근방에 각각 설치된다. 주관통공(42h1) 및 보조 관통공(42h2)은, 각 단변 판부(42A, 42B)의 외주연부(422) 측에 각각 배치된다.
주관통공(41h1, 42h1) 및 보조 관통공(41h2, 42h2)은, 전형적으로는, 2개의 원호를 직선으로 묶은 장원(長圓) 형상으로 형성되지만, 타원(楕圓) 형상이어도 좋다.
각 위치결정 핀(54)은, 각 판부(41A, 41B, 42A, 42B)의 주관통공(41h1, 42h1) 및 보조 관통공(41h2, 42h2)을 Z축 방향으로 관통함으로써, 마스크(40)의 소정의 테두리 형상을 유지한다. 그리고, 장변 판부(41A, 41B)의 주관통공(41h1) 및 단변 판부(42A, 42B)의 보조 관통공(42h2)에 삽통되는 위치 결정 핀(54)에 의해, 이들 각 판부의 X축 방향에 따른 소정량의 상대 이동이 허용된다. 한편, 장변 판부(41A, 41B)의 보조 관통공(41h2) 및 단변 판부(42A, 42B)의 주관통공(42h1)에 삽통되는 위치 결정 핀(54)에 의해, 이들 각 판부의 Y축 방향에 따른 소정량의 상대 이동이 허용된다.
[성막 장치의 동작]
계속하여, 이상과 같이 구성되는 성막 장치(100)의 전형적인 동작에 대해 설명한다.
도시하지 않은 반송 로봇을 통해 성막실(11)에 반입된 기판(W)은, 하강 위치(도 2)에 있는 스테이지(20)의 지지면(21) 상의 소정 위치에 재치된 후, 승강 유닛(24)의 구동에 의해 도 1에 나타내는 성막 위치로 상승한다. 스테이지(20)의 상승의 과정에서, 기판(W)은, 진공 챔버(10)의 제2 플랜지부(14)에 지지를 받은 지지부(53) 상의 마스크(40)에 접근한다. 그리고, 스테이지(20)의 지지면(21) 상의 지지대(22)가 마스크(40)의 하면에 접촉하면, 마스크(40)는, 기판(W)의 주연부에 대해서 일정한 이간 거리를 유지하면서 스테이지(20)와 함께 상승한다. 또 스테이지(20)의 주연부의 플랜지부(51)가 단열 부재(52)를 통해 지지부(53)에 접촉하고, 그 후, 마스크 지지 부재(50)는 일체가 되어 도 1에 나타내는 상승 위치까지 이동한다.
기판(W)은, 스테이지(20)에 의해서 소정 온도로 가열되고, 성막실(11)이 소정 압력으로 감압된다. 가스 헤드(30)는, 가스 도입원(36)으로부터 가스 도입 라인(37)을 통해 도입되는 프로세스 가스를 가스 공간(34) 및 샤워 플레이트(31)를 통해 성막실(11)에 공급한다. 가스 헤드(30)는, RF 전원(38)에서 고주파 전력이 인가되고, 스테이지(20)와의 사이에 프로세스 가스의 용량 결합 플라즈마를 발생시킨다. 이것에 의해, 프로세스 가스 중의 원료 가스가 분해되어, 기판(W) 상에 퇴적함으로써, 성막을 한다.
성막 후, 가스 헤드(30)에의 가스 공급 및 전력 공급이 정지하고, 스테이지(20)가 도 2에 나타내는 하강 위치로 이동을 개시한다. 스테이지(20)의 하강 도중에서, 마스크(40)는, 지지부(53)와 제2 플랜지부(14)의 당접 작용에 의해, 기판(W)으로부터 이간한다. 스테이지(20)의 하강 위치에서 성막된 기판(W)이 진공 챔버(10)의 외부로 반출되고, 대신에, 미성막의 기판(W)이 성막실(11)로 반입된다. 이후, 상술한 바와 동일하게 기판(W)의 성막 처리가 실행된다.
본 실시 형태에서 마스크(40)는, 기판(W)의 주연부에 대향해서 배치되어, 해당 주연부에의 착막을 방지한다. 그 일방으로, 마스크(40)는, 스테이지(20)로부터의 열복사에 의해 가열된다. 이 때 마스크(40)의 내주연부(411, 421)는 스테이지(20)의 직상에 위치하고, 마스크(40)의 외주연부(412, 422)는, 스테이지(20)의 외측에 위치한다. 따라서 마스크(40)에는, 그 내주연부(411, 421)와 외주연부(412, 422) 사이에 입열량의 상위에 근거하는 열변형이 생긴다. 본 실시 형태에서는, 성막 시에서의 내주연부(411, 421)의 온도는 430℃이며, 외주연부(412, 422)의 온도는 360℃이다.
마스크(40)를 구성하는 장변 판부(41A, 41B) 및 단변 판부(42A, 42B)는, 전형적으로는, 스테이지(20)로부터의 방사열로 길이 방향으로 신장되도록 변형한다. 게다가, 상술한 바와 같이 내주연부(411, 421)는 외주연부(412, 422)보다 고온으로 가열되기 때문에, 내주연부(411, 421)의 신장량은 외주연부(412, 422)의 신장량보다 크다. 그 결과, 내주연부(411, 421)를 구성하는 만곡부(411w, 421w)가 보다 직선적인 형상이 되도록 변형한다. 일례로서 도 5에, 장변 판부(41A)의 변형 전후의 형태를 나타낸다.
또, 마스크(40)를 구성하는 장변 판부(41A, 41B) 및 단변 판부(42A, 42B)는, 마스크 지지 부재(50)의 복수의 위치 결정 핀(54)에 의해서, 스테이지(20)에 대해서 수평면 내의 소정 방향으로 상대 이동 가능하게 지지를 받는다.
즉, 장변 판부(41A, 41B)에서 그 중앙부가 주관통공(41h1)의 가이드 작용에 의해서 X축 방향으로 이동 가능하게 지지를 받고, 그 양 단부가 보조 관통공(41h2)의 가이드 작용에 의해서 Y축 방향으로 이동 가능하게 지지를 받는다. 한편, 단변 판부(42A, 42B)에서 그 중앙부가 주관통공(42h1)의 가이드 작용에 의해서 Y축 방향으로 이동 가능하게 지지를 받고, 그 양 단부가 보조 관통공(42h2)의 가이드 작용에 의해서 X축 방향으로 이동 가능하게 지지를 받는다. 이것에 의해 마스크(40)는 상술한 열변형이 저해되지 않고, 따라서 소망하는 형상으로 용이하게 변형하는 것이 가능해진다. 일례로서 도 6에, 단변 판부(42A)의 대략 중앙부에서의 위치 결정 핀(54)에 의한 지지 형태를 나타낸다.
본 실시 형태의 마스크(40)에서는, 장변 판부(41A, 41B) 및 단변 판부(42A, 42B)의 내주연부(411, 421)가 각각 마스크 외방에 볼록한 형상의 만곡부(411w, 421w)를 가지고 있다. 이 때문에, 성막 시에 스테이지(20)로부터의 입열에 수반하는 만곡부(411w, 421w)의 길이 방향에 따른 열신장이 발생할 때에, 도 7에 모식적으로 나타내듯이 개구부(40a)의 주연 형상이, 가열전의 만곡 형상으로부터 가열 후의 직선 형상으로 변형 가능해진다. 이것에 의해, 기판(W)의 주연부의 막단의 형상 정밀도를 소망하는 직선 형상으로 유지하는 것이 가능하고, 따라서 기판(W)의 유효 성막 영역을 확보 가능하고, 수율의 저하가 억제된다.
본 발명자 등의 실험에 의하면, 마스크 내주연부의 열변형 전의 초기 형상이 직선상인 마스크를 이용했을 경우와 비교하여, 마스크에 의한 기판 주연부의 차폐폭의 격차가 1.9mm에서 0.3mm로 크게 개선된 것이 확인되었다.
게다가, 장변 판부(41A, 41B) 및 단변 판부(42A, 42B)의 외주연부(412, 422)에는 복수의 절개부(413, 423)가 설치되고 있기 때문에, 내주연부(411, 421)의 열변형에 수반하는 외주연부(412, 422)의 변형이 용이해진다. 이것에 의해 장변 판부(41A, 41B) 및 단변 판부(42A, 42B)의 파손을 효과적으로 방지할 수 있다.
이상과 같이 본 실시 형태의 성막 장치(100)에서는, 열변형 후의 마스크(40)의 개구부(40a)가 소정 형상이 되도록, 내주연부(411, 421)를 미리 만곡시키고 있다. 이것에 의해, 기판(W)의 주연부의 막단의 형상 정밀도를 유지하면서, 열변형에 의한 마스크(40)의 파손을 방지할 수 있게 된다.
이상, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 상술의 실시 형태에만 한정되는 것은 아니고 여러 가지 변경을 더할 수 있는 것은 물론이다.
예를 들면 이상의 실시 형태에서는, 열변형 후의 마스크(40)의 각 내주연부(411, 421)가 모두 거의 직선적으로 되도록 각 만곡부(411w, 421w)의 곡률이 결정되었지만, 이것에 한정되지 않고, 열변형 다음에도 기판 주연부의 막단의 형상 정밀도를 유지할 수 있는 범위에서 만곡하고 있어도 상관 없다.
또 이상의 실시 형태에서는, 성막 장치로서 플라즈마 CVD 장치를 예로 들어 설명했지만, 이것에 한정되지 않고, 스팩터 장치 및 이것에 이용되는 마스크에도 본 발명은 적용 가능하다. 또, 본 발명에 따른 마스크는, 성막 장치뿐만 아니라, 에칭 장치용의 마스크에도 적용 가능하다.
10…진공 챔버
11…성막실
20…스테이지
30…가스 헤드
40…마스크
40a…개구부
41A, 41B…장변 판부
42A, 42B…단변 판부
41h1, 42h1…주관통공
41h2, 42h2…보조 관통공
50…마스크 지지 부재
54…위치 결정 핀
100…성막 장치
411, 421…내주연부
411w, 421w…만곡부
412, 422…외주연부
413, 423…절개부
W…기판

Claims (10)

  1. 제1 축 방향으로 대향하고, 서로 이간하는 방향을 향해 볼록한 형상의 제1 만곡부를 각각 갖는 한 쌍의 제1 내주연부와, 상기 한 쌍의 제1 내주연부와 상기 제1 축 방향으로 각각 대향하는 한 쌍의 제1 외주연부를 갖는 한 쌍의 제1 판부와,
    상기 제1 축 방향과 직교하는 제2 축 방향으로 대향하고, 서로 이간하는 방향을 향해 볼록한 형상의 제2 만곡부를 각각 갖는 한 쌍의 제2 내주연부와, 상기 한 쌍의 제2 내주연부와 상기 제2 축 방향으로 각각 대향하는 한 쌍의 제2 외주연부를 갖는 한 쌍의 제2 판부
    를 구비하고,
    상기 한 쌍의 제1 판부와 상기 한 쌍의 제2 판부에 의해 성막 영역이 확정되는
    성막용 마스크.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 한 쌍의 제1 판부는, 상기 한 쌍의 제1 외주연부에 각각 설치되어 상기 제1 축 방향과 직교하는 제2 축 방향으로 간격을 두어서 배치된 복수의 제1 절개부를 더 갖고,
    상기 한 쌍의 제2 판부는, 상기 한 쌍의 제2 외주연부에 각각 설치되어 상기 제1 축 방향으로 간격을 두어서 배치된 복수의 제2 절개부를 더 갖는
    성막용 마스크.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 한 쌍의 제1 판부 및 상기 한 쌍의 제2 판부는, 각각 단독의 판부재로 구성되는
    성막용 마스크.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 한 쌍의 제1 판부의 양 단부는, 상기 한 쌍의 제2 판부의 양 단부에 중합되는
    성막용 마스크.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 한 쌍의 제1 판부 및 상기 한 쌍의 제2 판부는, 세라믹스 재료로 구성되는
    성막용 마스크.
  6. 진공 챔버와,
    상기 진공 챔버의 내부에 배치되어, 기판을 가열 가능하게 지지하는 스테이지와,
    상기 스테이지에 대향해서 배치된 성막원과,
    상기 스테이지의 주위에 배치되어, 상기 기판의 주연부를 상기 성막원으로부터 피복 하는 마스크
    를 구비하고,
    상기 마스크는,
    제1 축 방향으로 대향하고, 서로 이간하는 방향을 향해 볼록한 형상의 제1 만곡부를 각각 갖는 한 쌍의 제1 내주연부와, 상기 한 쌍의 제1 내주연부와 상기 제1 축 방향으로 각각 대향하는 한 쌍의 제1 외주연부를 갖는 한 쌍의 제1 판부와,
    상기 제1 축 방향과 직교하는 제2 축 방향으로 대향하고, 서로 이간하는 방향을 향해 볼록한 형상의 제2 만곡부를 각각 갖는 한 쌍의 제2 내주연부와, 상기 한 쌍의 제2 내주연부와 상기 제2 축 방향으로 각각 대향하는 한 쌍의 제2 외주연부를 갖는 한 쌍의 제2 판부
    를 갖고,
    상기 한 쌍의 제1 판부와 상기 한 쌍의 제2 판부에 의해 성막 영역이 확정되는
    성막 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 한 쌍의 제1 판부는, 상기 한 쌍의 제1 외주연부에 각각 설치되어 상기 제1 축 방향과 직교하는 제2 축 방향으로 간격을 두어서 배치된 복수의 제1 절개부를 더 갖고,
    상기 한 쌍의 제2 판부는, 상기 한 쌍의 제2 외주연부에 각각 설치되어 상기 제1 축 방향으로 간격을 두어서 배치된 복수의 제2 절개부를 더 갖는
    성막 장치.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서,
    상기 마스크를 지지 가능한 마스크 지지 부재를 더 구비하고,
    상기 마스크 지지 부재는, 상기 스테이지의 주위에 설치되어, 상기 제1 및 제2 축 방향으로 평행한 면 내에서의 상기 마스크의 열성장을 허용하는 지지부를 갖는
    성막 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 한 쌍의 제1 판부는, 상기 제1 축 방향으로 평행한 장축을 갖는 제1 주관통공과, 상기 제2 축 방향으로 평행한 장축을 갖고 상기 제1 주관통공을 사이에 두고 상기 제2 축 방향으로 서로 대향하는 한 쌍의 제1 보조 관통공을 각각 갖고,
    상기 지지부는, 상기 제1 주관통공 및 상기 한 쌍의 제1 보조 관통공에 각각 삽통되어, 상기 한 쌍의 제1 판부에 대해서 상대 이동 가능한 복수의 제1 위치 결정 핀을 포함하는
    성막 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 한 쌍의 제2 판부는, 상기 제2 축 방향으로 평행한 장축을 갖는 제2 주관통공과, 상기 제1 축 방향으로 평행한 장축을 갖고 상기 제2 주관통공을 사이에 두고 상기 제1 축 방향으로 서로 대향하는 한 쌍의 제2 보조 관통공을 각각 갖고,
    상기 지지부는, 상기 제2 주관통공 및 상기 한 쌍의 제2 보조 관통공에 각각 삽통되어, 상기 한 쌍의 제2 판부에 대해서 상대 이동 가능한 복수의 제2 위치 결정 핀을 포함하는
    성막 장치.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003229369A (ja) * 2002-02-06 2003-08-15 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 真空処理装置におけるプラズマ安定化方法及びダミー基板
JP2009147171A (ja) * 2007-12-14 2009-07-02 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0582630A (ja) * 1991-09-18 1993-04-02 Fujitsu Ltd 半導体製造装置
JP2008013834A (ja) * 2006-07-07 2008-01-24 Canon Anelva Corp 基板トレイ及び成膜装置
JP2010524225A (ja) * 2007-04-02 2010-07-15 ソースル シーオー エルティディー 基板支持装置及びこれを備えるプラズマエッチング装置
KR101015841B1 (ko) * 2008-03-13 2011-02-23 삼성모바일디스플레이주식회사 마스크 프레임 조립체
JP5885939B2 (ja) * 2010-07-20 2016-03-16 東京エレクトロン株式会社 シールド部材及びシールド部材を備えた基板載置台
JP5773731B2 (ja) 2011-05-02 2015-09-02 株式会社アルバック 真空処理装置
TWI542727B (zh) * 2011-06-17 2016-07-21 應用材料股份有限公司 處理腔室
KR102014479B1 (ko) * 2012-11-28 2019-08-27 삼성디스플레이 주식회사 단위 마스크 스트립 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조방법
US9490153B2 (en) * 2013-07-26 2016-11-08 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Mechanical alignment of substrates to a mask
CN204434720U (zh) * 2015-01-09 2015-07-01 信利（惠州）智能显示有限公司 一种新型掩膜板结构
CN104611669B (zh) * 2015-03-04 2017-05-10 信利（惠州）智能显示有限公司 一种掩膜板的制作方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003229369A (ja) * 2002-02-06 2003-08-15 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 真空処理装置におけるプラズマ安定化方法及びダミー基板
JP2009147171A (ja) * 2007-12-14 2009-07-02 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置

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