CN109072423A - 成膜用掩模及成膜装置 - Google Patents

Abstract

本发明的一个方式涉及的成膜用掩模具有一对第一板部和一对第二板部。上述一对第一板部具有一对第一内周缘部和一对第一外周缘部。上述一对第一内周缘部分别具有在第一轴向上相向且朝向相互分离的方向呈凸形状的第一弯曲部。上述一对第一外周缘部分别与上述一对第一内周缘部在上述第一轴向上相向。上述一对第二板部具有一对第二内周缘部和一对第二外周缘部。上述一对第二内周缘部分别具有在上述第二轴向上相向且朝向相互分离的方向呈凸形状的第二弯曲部。上述一对第二外周缘部分别与上述一对第二内周缘部在上述第二轴向上相向。

Description

成膜用掩模及成膜装置

技术领域

本发明涉及在等离子体CVD装置等成膜装置中使用的成膜用掩模以及具有该成膜用掩模的成膜装置。

背景技术

在等离子体CVD装置等的成膜装置中，用于防止向基板周缘部着膜的掩模被广泛使用。例如在专利文献1中公开了一种具有与配置于加热板上的玻璃基板的周缘部相向的掩模、以及在处理室内可升降地支承该掩模的掩模支承体的真空处理装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第5773731号公报。

发明内容

发明要解决的课题

随着近年来的基板的大型化，在基板的周缘部配置的掩模的尺寸也大型化，高精度地维持掩模的开口形状逐渐变得困难。例如，在专利文献1的结构中，由于在靠近加热板的掩模的内周侧和与其相反的外周侧之间的输入热量不同，所以存在掩模开口形状发生变化，在欲掩模的区域即基板周缘部的膜端的形状精度变差的可能。此外，存在由于掩模的内周侧与外周侧的应力差而使掩模破损的可能。

鉴于像以上这样的情况，本发明的目的在于提供一种能够维持基板周缘部的膜端的形状精度的成膜用掩模以及具有该成膜用掩模的成膜装置。

用于解决课题的方案

为了达到上述目的，本发明的一个方式涉及的成膜用掩模具有一对第一板部和一对第二板部。

上述一对第一板部具有一对第一内周缘部和一对第一外周缘部。上述一对第一内周缘部分别具有在第一轴向上相向且朝向相互分离的方向呈凸形状的第一弯曲部。上述一对第一外周缘部分别与上述一对第一内周缘部在上述第一轴向上相向。

上述一对第二板部具有一对第二内周缘部和一对第二外周缘部。上述一对第二内周缘部分别具有在上述第二轴向上相向且朝向相互分离的方向呈凸形状的第二弯曲部。上述一对第二外周缘部分别与上述一对第二内周缘部在上述第二轴向上相向。

在上述成膜用掩模中，由于第一及第二板部的内周缘部分别具有朝向相互分离方向呈凸形状的第一及第二弯曲部，因此，在第一及第二弯曲部发生沿着长度方向的热膨胀(热伸长)时，第一及第二弯曲部变形为直线的形状。由此，能够维持基板周缘部上的膜端的形状精度。

上述一对第一板部还可以具有多个第一缺口部，其分别设置于上述一对第一外周缘部且间隔配置于与上述第一轴向正交的第二轴向；同样，上述一对第二板部还可以具有多个第二缺口部，其分别设置于上述一对第二外周缘部且间隔配置于上述第一轴向。

由此，伴随着上述内周缘部的热变形的外周缘部的变形变得容易，由此能够防止第一及第二板部的破损。

上述一对第一板部和上述一对第二板部分别由单独的板构件构成。由此，能够抑制在热输入时的第一板部与第二板部间的相互干涉。

上述一对第一板部的两端部重合于上述一对第二板部的两端部。由此，能够防止第一及第二板部的分离，并维持这些板部规定的一体关系。

上述一对第一板部和上述一对第二板部通常由陶瓷材料构成。

本发明一个方式涉及的成膜装置具有：真空腔、载置台、成膜源及掩模。

上述载置台配置于上述真空腔的内部，以能够对基板进行加热的方式支承所述基板。

上述成膜源配置于与上述载置台相向。

上述掩模配置于上述载置台的周围，覆盖上述基板的周缘部而隔离于上述成膜源。

上述掩模具有一对第一板部和一对第二板部。

上述一对第一板部具有一对第一内周缘部和一对第一外周缘部。上述一对第一内周缘部分别具有与第一轴向相向且朝向相互分离的方向呈凸形状的第一弯曲部。上述一对第一外周缘部分别与上述一对第一内周缘部在上述第一轴向上相向。

上述一对第二板部具有一对第二内周缘部和一对第二外周缘部。上述一对第二内周缘部分别具有与上述第二轴向相向且朝向相互分离的方向呈凸形状的第二弯曲部。上述一对第二外周缘部分别与上述一对第二内周缘部在上述第二轴向上相向。

上述一对第一板部还可以具有多个第一缺口部，其分别设置于上述一对第一外周缘部且间隔配置于与上述第一轴向正交的第二轴向；同样，上述一对第二板部还可以具有多个第二缺口部，其分别设置于上述一对第二外周缘部且间隔配置于上述第一轴向。

上述成膜装置还可以具有能够支承上述掩模的掩模支承构件。上述掩模支承构件设置于上述载置台的周围，具有容许与上述第一轴向及第二轴向平行的面内的上述掩模的热延伸的支承部。

上述一对第一板部也可以具有第一主贯穿孔和一对第一辅助贯穿孔。上述第一主贯穿孔具有平行于上述第一轴向的长轴。上述一对第一辅助贯穿孔具有平行于第二轴向的长轴，并夹着上述第一主贯穿孔在上述第二轴向上相互相向。在这种情况下，上述支承部包含多个第一定位销。上述多个第一定位销分别穿过上述第一主贯穿孔和上述一对第一辅助贯穿孔且能够相对上述一对第一板部相对移动。

另一方面，上述一对第二板部也可以具有第二主贯穿孔和一对第二辅助贯穿孔。上述第二主贯穿孔具有平行于上述第二轴向的长轴。上述一对第二辅助贯穿孔具有平行于上述第一轴向的长轴，并夹着上述第二主贯穿孔且在上述第一轴向上互相相向。在这种情况下，上述支承部包含多个第二定位销。多个第二定位销分别穿过上述第二主贯穿孔和上述一对第二辅助贯穿孔且能够相对上述一对第二板部相对移动。

发明效果

如上所述，根据本发明，能够维持基板周缘部的膜端的形状精度。

附图说明

图1是表示本发明的一个实施方式涉及的成膜装置的概要侧剖视图。

图2是表示上述成膜装置的一个动作示例的概要侧剖视图。

图3是表示本发明的一个实施方式涉及的掩模的结构的概要俯视图。

图4是概要性地表示上述掩模的角部的结构的主要部分的立体图。

图5是将构成上述掩模的板部的热变形前后的形态进行比较并对它们进行表示的概要俯视图。

图6是表示上述成膜装置的主要部分的结构的概要侧剖视图。

图7是将上述掩模的热变形前后的形态进行比较并对它们进行表示的概要俯视图。

具体实施方式

以下，一边参照附图，一边对本发明的实施方式进行说明。

图1是表示本发明的一个实施方式涉及的成膜装置的概要侧剖视图，图2是表示成膜装置的一个动作示例的概要侧剖视图。另外，在图中，X轴、Y轴和Z轴表示相互正交的3个轴向，在本示例中，X轴和Y轴相当于水平方向，Z轴相当于高度方向。

[整体结构]

本实施方式涉及的成膜装置100被构成为等离子体CVD装置。成膜装置100具有真空腔10、载置台20、气头30以及掩模40。

真空腔10在内部具有成膜室11。真空腔10具有与能够将成膜室11排气并维持为规定的减压环境的真空泵(图示略)连通的排气口12。在真空腔10的内周面设置有：对气头30进行支承的第一凸缘部13、在载置台20的下降位置(图2)能够支承掩模40的第二凸缘部14等。真空腔10由不锈钢等金属材料构成，与接地电位连接。

尽管未图示，但在真空腔10设置有使在真空腔10的外部与内部之间传送的基板W能够穿过的闸阀。基板W在载置台20的下降位置经由未图示的传送机器人等而在水平方向传入传出。

作为基板W，通常使用矩形的玻璃基板。基板W的大小没有特别限定，例如，使用G5以上(一个边的长度是1000mm以上)的基板，在本实施方式中，使用G6基板(1850mm×1500mm)。

载置台20具有对作为成膜对象的基板W进行支承的支承面21。支承面21由比基板W更大面积的矩形的平面构成。载置台20内置有能够将支承面21的全部区域加热到规定温度的加热源。加热源没有特别限定，通常由加热器、热介质循环通路等构成。

在支承面21的周缘部设置有由对掩模40的底面进行支承的耐热材料构成的支承台22。支承台22配置于载有支承面21的基板W的周围，具有能够使掩模40在基板W的周缘部的正上方以隔开规定的间隙的方式相向配置的高度(厚度)。支承台22可以由在基板W的周围隔开间隔地配置的多个垫构件构成，也可以由围绕基板W的环状体构成。

载置台20构成为：能够通过具有升降轴23并且设置于真空腔10的底部外侧的升降单元24而在Z轴向上进行升降移动。升降轴23固定于载置台20的底部中心，并气密地贯穿真空腔10的底壁。载置台20构成为能够在图1所示的上升位置和图2所示的下降位置之间升降。载置台20经由真空腔10与接地电位连接。

气头30配置于真空腔10的内部的、与载置台20的支承面21相向的位置。气头30构成将成膜用的处理气体导入成膜室11的成膜源。

气头30通常由金属材料构成，具有簇射板31、环状的周壁部32和顶板部33。周壁部32支承簇射板31的周缘部。顶板部33与周壁部32的上端连接，在与簇射板31之间形成气体空间34。气头30经由环状绝缘部35而被设置于真空腔10的内周面的第一凸缘部13支承。

在气头30的顶板部33连接有与气体导入源36连通的气体导入管线37。气体导入管线37穿过顶板部33并向气体空间34导入规定的处理气体。气体导入管线37包含开闭阀、流量控制阀等。处理气体没有特别的限定，能够根据要成膜的材料的种类等酌情进行设定，例如，能够使用硅烷等的原料气体和包含氨以及氮的反应气体的混合气体。

在气头30的顶板部33还连接有RF电源38。RF电源38向气头30施加高频电压，在簇射板31与载置台20之间的成膜室11形成处理气体的等离子体。从RF电源38施加的高频电力没有特别限定，例如，为100W～10kW。

掩模40配置于载置台20的周围，由能够覆盖基板W的周缘部而隔离于气头30的框体构成。掩模40被配置成与基板W的周缘部的非成膜区域相向，具有划定成膜区域的大致矩形的开口部40a。以下，针对掩模40进行详细说明。

[掩模]

图3是表示掩模40的结构的概要俯视图。

掩模40由从上方观察呈大致的矩形框体构成，具有能够覆盖G6尺寸的基板W的周缘部的大小。掩模40具有一对长边板部41A、41B(第一板部)和一对短边板部42A、42B(第二板部)。从耐热性、耐等离子体性、耐腐蚀性的观点出发，长边板部41A、41B和短边板部42A、42B通常由氧化铝或氧化锆等陶瓷材料构成。

长边板部41A、41B分别具有相同的结构，分别具有内周缘部411(第一内周缘部)及外周缘部412(第一外周缘部)。

长边板部41A、41B各自的内周缘部411具有在X轴向上相向并朝向彼此分离的方向呈凸形状的弯曲部411w(第一弯曲部)。即，一方的长边板部41A的弯曲部411w具有在图3的上方侧具有顶点的规定曲率的部分圆弧形状，另一方的长边板部41B的弯曲部411w具有在图3的下方侧具有顶点的规定曲率的部分圆弧形状。

在本实施方式中，各弯曲部411w以遍及长边板部41A、41B的内周缘部411的整个区域呈固定的曲率形成，但并不限于此，也可以是不同曲率的圆弧连续的复合的形状。各弯曲部411w的曲率半径根据长边板部41A、41B的长度、膨胀系数、基于载置台20的基板W的加热温度等酌情进行设定。在本实施方式中，弯曲部411w的曲率半径约为260000mm，连接内周缘部411两端彼此的虚拟直线Lx与内周缘部411之间的最大距离dx约为1.6mm。

长边板部41A、41B各自的外周缘部412与内周缘部411在X轴向上相向，在本实施方式中，具有与Y轴向平行的直线形状。在各外周缘部412上设置有多个缺口部413(第一缺口部)，这些多个缺口部413在Y轴向上隔开间隔地配置。

各缺口部413由在相对于外周缘部412正交的方向(X轴向)上延伸的狭缝构成，但并不限于此，例如也可以形成为V字形状。缺口部413的开口宽度及切割深度没有特别限定，通常形成为外周缘部412在XY平面内能够比较容易地弯曲的大小。

与此相对，短边板部42A、42B各自的内周缘部421具有在Y轴向上相向并朝向彼此分离的方向呈凸形状的弯曲部421w(第二弯曲部)。即，一方的短边板部42A的弯曲部421w具有在图3的右方侧具有顶点的规定曲率的部分圆弧形状，另一方的短边板部42B的弯曲部421w具有在图3的左方侧具有顶点的规定曲率的部分圆弧形状。

在本实施方式中，各弯曲部421w以遍及板部42A、42B的内周缘部421的整个区域呈固定的曲率形成，但并不限于此，也可以是不同曲率的圆弧连续的复合的形状。每个弯曲部421w的曲率半径根据短边板部42A、42B的长度、膨胀系数、基于载置台20的基板W的加热温度等酌情进行设定。在本实施方式中，弯曲部421w具有比长边板部41A、41B的弯曲部411w小的曲率半径。例如，弯曲部421w的曲率半径约为200000mm，连接内周缘部421两端彼此的虚拟直线Ly与内周缘部421之间的最大距离dy约为1.4mm。

短边板部42A、42B各自的外周缘部422与内周缘部421在Y轴向上相向，在本实施方式中具有与X轴向平行的直线形状。在各外周缘部422上设置有多个缺口部423(第二缺口部)，这些多个缺口部423在X轴向上隔开间隔地配置。

各缺口部423由在相对于外周缘部422正交的方向(Y轴向)上延伸的狭缝构成，但并不限于此，例如也可以形成为V字形状。缺口部423的开口宽度和切割深度没有特别限定，通常形成为外周缘部422在XY平面内能够比较容易地弯曲的大小。

在掩模40被载置台20上的支承台22支承的状态下，长边板部41A、41B和短边板部42A、42B的内周缘部411、421与载置台20的支承面21相向，长边板部41A、41B和短边板部42A、42B的外周缘部412、422向载置台20的外侧突出(参照图1)。并且，关于基板W与掩模40的重叠，在各边(板部41A、41B、42A、42B)的中央部少于在掩模40的四个角部。

长边板部41A、41B和短边板部42A、42B分别由单独的板构件构成。由此，在由于输入热量导致热变形时能够抑制长边板部41A、41B和短边板部42A、42B之间的相互干涉。

此外，长边板部41A、41B和短边板部42A、42B相互具有相同的厚度，长边板部41A、41B的两端部与短边板部42A、42B的两端部相重叠。由此，防止长边板部41A、41B与短边板部42A、42B的分离，能够维持这些板部的规定的一体关系。

在本实施方式中，如图4所示，长边板部41A、41B和短边板部42A、42B相互在板厚方向上嵌入结合。由此，由于长边板部41A、41B的上表面与短边板部42A、42B的上表面形成于同一平面上，因此能够缓和掩模40的上表面的凸凹情况。

成膜装置100具有能够支承掩模40的掩模支承构件50。如图1和图2所示，掩模支承构件50设置于载置台20的周围。即，掩模支承构件50具有：设置于载置台20周围的矩形环状的凸缘部51、设置于凸缘部51上的矩形环状的隔热构件52、以及设置于隔热构件52上的矩形环状的支承部53。

支承部53的外周部比凸缘部51和隔热构件52的外周部向外侧突出，由此，支承部53构成为能够随着载置台20的升降而相对于隔热构件52分离。

即，如图1所示，在载置台20位于上升位置时，支承部53载置于隔热构件52上。另一方面，如图2所示，在载置台20位于下降位置时，支承部53从隔热构件52分离，被设置在真空腔10的内周面的第二凸缘部14支承。

并且，支承部53具有容许与X轴以及Y轴向平行的面内的掩模40的热伸长的结构。即，支承部53具有穿过载置于载置台20的支承台22的掩模40的各板部41A、41B，42A、42B的圆柱状或圆筒状的多个定位销54。

掩模40的长边板部41A、41B和短边板部42A、42B具有能够使支承部53的多个定位销54穿过的多个贯穿孔。如图3所示，长边板部41A、41B分别具有：主贯穿孔41h1(第一主贯穿孔)，其具有平行于X轴向的长轴；以及一对辅助贯穿孔41h2(第一辅助贯穿孔)，其具有平行于Y轴向的长轴并夹着主贯穿孔41h1在Y轴方向上相互相向。

另一方面，短边板部42A、42B分别具有：主贯穿孔42h1(第二主贯穿孔)，其具有平行于Y轴向的长轴；以及一对辅助贯穿孔42h2(第二辅助贯穿孔)，其具有平行于X轴向的长轴并夹着主贯穿孔42h1在X轴方向上相互相向。

主贯穿孔41h1设置于各长边板部41A、41B的长度方向中央部，一对辅助贯穿孔41h2分别设置于各长边板部41A、41B的长度方向两端部附近。主贯穿孔41h1和辅助贯穿孔41h2分别配置于各长边板部41A、41B的外周缘部412侧。

同样，主贯穿孔42h1设置于各短边板部42A、42B的长度方向中央部，一对辅助贯穿孔42h2分别设置于各短边板部42A、42B的长度方向两端部附近。主贯穿孔42h1和辅助贯穿孔42h2分别配置于各短边板部42A、42B的外周缘部422侧。

主贯穿孔41h1、42h1和辅助贯穿孔41h2、42h2通常形成为用直线连接2个圆弧而成的长圆形状，但也可以是椭圆形状。

各定位销54通过在Z轴向贯穿各板部41A、41B、42A、42B的主贯穿孔41h1、42h1和辅助贯穿孔41h2、42h2，从而维持掩模40的规定的框架形状。并且，通过穿过长边板部41A、41B的主贯穿孔41h1和短边板部42A、42B的辅助贯穿孔42h2的定位销54，使这些各板部的沿X轴向的规定量的相对移动被容许。另一方面，通过穿过长边板部41A、41B的辅助贯穿孔41h2和短边板部42A、42B的主贯穿孔42h1的定位销54，使这些各板部的沿Y轴向的规定量的相对移动被容许。

[成膜装置的动作]

接着，针对像以上这样构成的成膜装置100的典型的动作进行说明。

经由未图示的传送机器人而被输送到成膜室11的基板W在被载置于位于下降位置(图2)的载置台20的支承面21上的规定位置后，通过升降单元24的驱动而向图1所示的成膜位置上升。在载置台20的上升的过程中，基板W靠近被真空腔10的第二凸缘部14支承的支承部53上的掩模40。并且，当载置台20的支承面21上的支承台22与掩模40的下表面接触时，掩模40一边维持相对于基板W的周缘部的规定的间隔距离，一边与载置台20一起上升。并且，载置台20的周缘部的凸缘部51经由隔热构件52与支承部53接触，然后，掩模支承部50成为一体并一直移动到图1所示的上升位置。

基板W被载置台20加热到规定温度，成膜室11被减压为规定压力。气头30经由气体空间34和簇射板31而向成膜室11供给从气体导入源36经由气体导入管37导入的处理气体。气头30从RF电源38被施加高频电力，在与载置台20之间产生处理气体的电容耦合等离子体。由此，通过处理气体中的原料气体分解并堆积在基板W上，从而进行成膜。

成膜后，停止向气头30的气体供给和电力供给，载置台20开始向图2所示的下降位置移动。在载置台20的下降中途，掩模40由于支承部53与第二凸缘部14的抵接作用而从基板W分离。在载置台20的下降位置成膜完毕的基板W被向真空腔10的外部传出，相代替地，未成膜的基板W被传入成膜室11。之后，与上述同样地执行基板W的成膜处理。

在本实施方式中，掩模40以与基板W的周缘部相向的方式配置，防止向该周缘部的着膜。另一方面，掩模40通过来自载置台20的热辐射而被加热。此时，掩模40的内周缘部411、421位于载置台20的正上方，与此相对，掩模40的外周缘部412、422位于载置台20的外侧。因此，在掩模40中，由于在其内周缘部411、421与外周缘部412、422之间的输入热量的不同而产生热变形。在本实施方式中，在成膜时的内周缘部411、421的温度为430℃，外周缘部412、422的温度为360℃。

构成掩模40的长边板部41A、41B和短边板部42A、42B通常由于来自载置台20的辐射热而在长度方向上延伸地变形。而且，由于上述的内周缘部411、421比外周缘部412、422加热至更高温度，所以内周缘部411、421的延伸量比外周缘部412、422的延伸量大。其结果是，构成内周缘部411、421的弯曲部411w、421w以成为更加直线性的形状的方式变形。作为一个示例，图5示出了长边板部41A的变形前后的情况。

此外，构成掩模40的长边板部41A、41B和短边板部42A、42B通过掩模支承构件50的多个定位销54而能够相对于载置台20朝向水平面内的规定方向相对移动地被支承。

即，在长边板部41A、41B中，通过主贯穿孔41h1的引导作用使它们的中央部能够在X轴向上移动地被支承，通过辅助贯穿孔41h2的引导作用使它们的两端部能够在Y轴向上移动地被支承。另一方面，在短边板部42A、42B中，通过主贯穿孔42h1的引导作用使它们的中央部能够在Y轴向上移动地被支承，通过辅助贯穿孔42h2的引导作用使它们的两端部能够在X轴向上移动地被支承。由此，掩模40能够不被上述的热变形妨碍，因此能够容易地变形成所期望的形状。作为一个示例，图6表示基于在短边板部42A的大致中央部处的定位销54的支承情况。

在本实施方式的掩模40中，长边板部41A、41B和短边板部42A、42B的内周缘部411、421分别具有向掩模外侧凸出的形状的弯曲部411w、421w。因此，在伴随着成膜时来自载置台的输入热量而弯曲部411w、421w产生了沿长度方向的热伸长时，像图7示意性地表示的那样，开口部40a的周缘形状能够从加热前的弯曲形状变形到加热后的直线形状。由此，能够将基板W的周缘部的膜端的形状精度维持为所期望的直线形状，因此，能够确保基板W的有效成膜区域，抑制产量的下降。

根据本发明人的实验确认了如下情况，即，与使用了掩模内周缘部的热变形前的初期形状为直线状的掩模的情况相比，基于掩模的基板的周缘部分遮蔽宽度的偏差从1.9mm很大改善为0.3mm。

而且，由于长边板部41A、41B和短边板部42A、42B的外周缘部412、422设置有多个缺口部413、423，所以伴随着内周缘部411、421的热变形的外周缘部412、422的变形变得容易。由此，能够有效防止长边板部41A、41B和短边板部42A、42B的破损。

如上所述，在本实施方式的成膜装置100中，使内周缘部411、421预先弯曲以使热变形后的掩模40的开口部40a成为规定形状。由此，能够在维持基板W的周缘部的膜端的形状精度的同时，防止由于热变形导致的掩模40的破损。

以上，尽管已对本发明的实施方式进行了说明，但显而易见的是，本发明并不仅限于上述的实施方式还能够添加各种修改。

例如，在以上的实施方式中，使热变形后的掩模40的各内周缘部411、421均几乎成为直性的方式来确定各弯曲部411w、421w的曲率，但并不限于此，即使在热变形后也能够维持基板周缘部的膜端的形状精度的范围内的弯曲也可以。

此外，在以上的实施方式中，以作为成膜装置的等离子体CVD装置为例进行了说明，但并不限于此，溅射装置和使用该溅射装置的掩模也能够适用于本发明。并且，本发明涉及的掩模，不仅适用于成膜装置用的掩模，也能够适用于蚀刻装置用的掩模。

附图标记说明

10：真空腔；

11：成膜室；

20：载置台；

30：气头；

40：掩模；

40a：开口部；

41A、41B：长边板部；

42A、42B：短边板部：

41h1，42h1：主贯穿孔；

41h2，42h2：辅助贯穿孔；

50：掩模支承构件；

54：定位销；

100：成膜装置；

411、421：内周缘部；

411w、421w：弯曲部；

412、422：外周缘部；

413、423：缺口部；

W：基板。

Claims (10)

1.一种成膜用掩模，具有：一对第一板部和一对第二板部，

所述一对第一板部具有：一对第一内周缘部，其分别具有在第一轴向上相向并朝向相互分离的方向呈凸形状的第一弯曲部；一对第一外周缘部，其分别与所述一对第一内周缘部在所述第一轴向上相向；

所述一对第二板部具有：一对第二内周缘部，其分别具有在第二轴向上相向并朝向相互分离的方向呈凸形状的第二弯曲部；一对第二外周缘部，其分别与所述一对第二内周缘部在所述第二轴向上相向。

2.根据权利要求1所述的成膜用掩模，其中，

所述一对第一板部还具有多个第一缺口部，所述多个第一缺口部分别设置于所述一对第一外周缘部，在与所述第一轴向正交的第二轴向上隔开间隔地配置；

所述一对第二板部还具有多个第二缺口部，所述多个第二缺口部分别设置于所述一对第二外周缘部，在所述第一轴向上隔开间隔地配置。

3.根据权利要求1或2所述的成膜用掩模，其中，

所述一对第一板部和所述一对第二板部分别由单独的板构件构成。

4.根据权利要求3所述成膜用掩模，其中，

所述一对第一板部的两端部与所述一对第二板部的两端部重合。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的成膜用掩模，其中，

所述一对第一板部和所述一对第二板部由陶瓷材料构成。

6.一种成膜装置，具有：

真空腔；

载置台，其配置在所述真空腔的内部，以能够对基板进行加热的方式支承所述基板；

成膜源，其以与所述载置台相向的方式配置；

掩模，其配置在所述载置台的周围，覆盖所述基板的周缘部而隔离于所述成膜源，

所述掩模具有：一对第一板部和一对第二板部，

所述一对第一板部具有：一对第一内周缘部，其分别具有在第一轴向上相向并朝向相互分离的方向呈凸形状的第一弯曲部；一对第一外周缘部，其分别与所述一对第一内周缘部在所述第一轴向上相向；

所述一对第二板部具有：一对第二内周缘部，其分别具有在第二轴向上相向并朝向相互分离的方向呈凸形状的第二弯曲部；一对第二外周缘部，其分别与所述一对第二内周缘部在所述第二轴向上相向。

7.根据权利要求6所述的成膜装置，其中，

所述一对第一板部还具有多个第一缺口部，所述多个第一缺口部分别设置在所述一对第一外周缘部，在与所述第一轴向正交的第二轴向上隔开间隔地配置；

所述一对第二板部还具有多个第二缺口部，所述多个第二缺口部分别设置在所述一对第二外周缘部，在所述第一轴向上隔开间隔地配置。

8.根据权利要求6或7所述的成膜装置，其中，

还具有能够支承所述掩模的掩模支承构件；

所述掩模支承构件设置在所述载置台的周围，具有容许与所述第一轴向以及第二轴向平行的面内的所述掩模的热伸长的支承部。

9.根据权利要求8所述的成膜装置，其中，

所述一对第一板部分别具有第一主贯穿孔和一对第一辅助贯穿孔，所述第一主贯穿孔具有与所述第一轴向平行的长轴，所述一对第一辅助贯穿孔具有与所述第二轴向平行的长轴，夹着所述第一主贯穿孔在所述第二轴向上相互相向；

所述支承部包含多个第一定位销，所述第一定位销分别穿过所述第一主贯穿孔以及所述一对第一辅助贯穿孔，能够相对于所述一对第一板部相对移动。

10.根据权利要求8或9所述的成膜装置，其中，

所述一对第二板部分别具有第二主贯穿孔和一对第二辅助贯穿孔，所述第二主贯穿孔具有与所述第二轴向平行的长轴，所述一对第二辅助贯穿孔具有与所述第一轴向平行的长轴，夹着所述第二主贯穿孔在所述第一轴向上相互相向；

所述支承部包含多个第二定位销，所述第二定位销分别穿过所述第二主贯穿孔以及所述一对第二辅助贯穿孔，能够相对于所述一对第二板部相对移动。