KR20140005080U - 히터를 구비한 기판 지지 페디스털 - Google Patents

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Abstract

본 고안의 실시예들은 균일한 온도 분포를 제공하는 기판 히터에 관한 것이다. 일 실시예에서, 기판 지지 조립체는 기판 지지면을 갖는 기판 지지 페디스털과, 가열 조립체를 포함한다. 상기 가열 조립체는 상기 기판 지지면에 인접하여 상기 기판 지지 페디스털 내에 배치된다. 상기 가열 조립체는 상기 가열 조립체의 코너들에 균일한 열 분포를 제공하도록 구성된다. 다른 실시예에서, 기판 지지 조립체는 기판 지지면을 갖는 기판 지지 페디스털과, 가열 조립체를 포함한다. 상기 가열 조립체는 상기 기판 지지 페디스털 내에 배치되며, 내부 및 외부 가열 구역들을 포함한다. 상기 내부 가열 구역은 상기 가열 조립체의 중앙 내에 배치되어 그 중앙으로부터 연장된다. 상기 외부 가열 구역은 상기 가열 조립체의 에지들을 둘러싼다. 상기 외부 가열 구역은 상기 가열 조립체의 코너들에 배치된 복수의 이형 가열 요소들을 갖는다.

Description

히터를 구비한 기판 지지 페디스털{SUBSTRATE SUPPORT PEDESTAL WITH HEATER}
본 고안의 실시예들은 일반적으로 기판을 가로질러 균일한 프로세싱을 제공하기 위한 장치에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 고안의 실시예들은 기판을 가로질러 균일한 온도 분포를 제공하는 히터와 기판 지지 페디스털에 관한 것이다.
집적 회로들의 제조에 있어서, 다양한 프로세싱 파라미터들의 정밀한 제어는 하나의 기판 내에서 일관성 있는 결과들과 아울러, 기판에서 기판으로 재현 가능한 결과들을 달성하기 위해 필요하다. 반도체 디바이스들을 형성하기 위한 구조물들의 기하학적 한계들이 기술적 한계에 밀림에 따라, 엄격한 공차들과 정밀한 프로세스 제어가 성공적인 제조를 위해 중요하다. 그러나, 기하학적 구조들이 축소됨에 따라, 정밀한 임계 치수 및 프로세스 제어가 점점 더 어려워지고 있다.
많은 디바이스들은 플라즈마가 존재하는 상태에서 프로세싱된다. 플라즈마가 기판 위에 균일하게 배치되지 않으면, 프로세싱 결과들도 불균일하게 될 수 있다. 종래의 플라즈마 프로세싱 챔버들이 큰 임계 치수들에서 강력한 성능을 발휘하는 것들로 입증되었지만, 플라즈마 균일성을 제어하기 위한 기존의 기술들은 플라즈마 균일성의 개선이 대면적 기판들에 대한 성공적인 제조에 기여하게 될 하나의 영역이다.
따라서, 기판을 가로질러 온도 균일성을 증대시킴으로써 균일한 프로세싱을 촉진하는 기판 지지 페디스털 히터가 필요하다.
본 고안의 실시예들은 기판을 가로질러 균일한 온도 분포를 제공하는 히터를 구비한 기판 지지 페디스털에 관한 것이다. 일 실시예에서, 기판 지지 조립체가 제공된다. 기판 지지 조립체는 기판 지지면을 갖는 기판 지지 페디스털과, 가열 조립체를 포함한다. 상기 가열 조립체는 상기 기판 지지면에 인접하여 상기 기판 지지 페디스털 내에 배치된다. 상기 가열 조립체는, 실질적으로 균일한 온도 분포를 보장하도록 상기 가열 조립체의 코너들을 구성함으로써, 상기 기판을 가로질러 균일한 열 분포를 제공하도록 구성된다.
다른 실시예에서, 기판 지지 조립체는 기판 지지면을 갖는 기판 지지 페디스털과, 가열 조립체를 포함한다. 상기 가열 조립체는 상기 기판 지지면에 인접하여 상기 기판 지지 페디스털 내에 배치된다. 상기 가열 조립체는 내부 가열 구역과 외부 가열 구역을 포함한다. 상기 내부 가열 구역은 상기 가열 조립체의 중앙 내에 배치되어 그 중앙으로부터 연장된다. 상기 외부 가열 구역은 상기 가열 조립체의 에지들을 둘러싼다. 상기 외부 가열 구역은 상기 가열 조립체의 코너들에 배치된 복수의 이형(耳形)(ear-shaped) 가열 요소들을 갖는다.
또 다른 실시예에서, 프로세싱 챔버 내에서 기판의 표면을 가열하기 위한 방법이 제공된다. 상기 방법은 기판이 위에 배치된 기판 지지 조립체의 기판 지지면의 에지들에 균일한 열 분포를 제공하는 단계를 포함한다. 상기 에지들에는 복수의 이형 가열 요소들이 배치된다.
전술한 본 고안의 특징들이 구체적으로 이해될 수 있도록, 첨부도면들에 그 일부가 도시된 실시예들을 참조하여 위에서 약술한 본 고안에 대해 보다 상세하게 설명한다. 그러나, 첨부도면들은 단지 본 고안의 전형적인 실시예들을 도시하고 있을 뿐이며, 본 고안은 다른 동등한 효과를 갖는 실시예들을 포함할 수 있으므로, 그 범위를 제한하는 것으로 이해되어서는 아니됨을 유의하여야 한다.
도 1은 플라즈마 강화 화학 기상 증착 챔버의 일 실시예의 개략적인 단면도이다.
도 2는 가열 조립체의 평면도이다.
도 3은 도 2의 단면선 3--3을 따라 취한 도 2의 가열 조립체의 단면도이다.
도 4는 도 2의 단면선 4--4를 따라 취한 도 2의 가열 조립체의 단면도이다.
이해를 용이하게 하기 위하여, 도면들에서 공통되는 동일한 요소들은 가능한 한 동일한 참조번호들을 사용하여 표시하였다. 일 실시예에 개시된 요소들은 구체적인 언급 없이 다른 실시예들에 유리하게 활용될 수 있을 것으로 생각된다.
도 1은 PECVD 챔버(110)의 개략적인 단면도를 나타낸다. 본 고안을 실시하기 위해 사용될 수 있는 적당한 PECVD 챔버는 Applied Materials, Inc.의 자회사로서 캘리포니아주 산타 클라라에 소재한 AKT America, Inc.로부터 구입할 수 있다. 본원에 기술된 실시예들은 다른 제조사들에 의해 판매되고 있는 것들을 포함하여 다른 챔버들에서도 실시될 수 있음을 이해하여야 한다.
PECVD 챔버(110)는 상부 벽체(114)를 관통하여 형성된 개구와 개구 내에 배치된 가스 유입 매니폴드(116)를 갖는 챔버 본체(112)를 포함한다. 대안적으로, 상부 벽체(114)는 고체일 수 있으며, 가스 유입 매니폴드(116)는 그 내면에 인접하여 배치된다. 가스 유입 매니폴드(116)는 전극으로서 기능할 수 있으며, 일 실시예에서는, 정합 네트워크(미도시)를 통해 RF 전원과 같은 전원(136)에 접속된다.
챔버(110)는 챔버 본체(112)를 통해 연장하는 가스 배출구(130)를 더 포함한다. 가스 배출구(130)는 챔버 본체(112)로부터 가스들을 배기하기 위해 펌프(미도시)에 접속된다. 가스 유입 도관(142)은 가스 유입 매니폴드(116)와 유체 소통하며, 각종 가스들의 공급원들(미도시)을 포함하고 있는 가스 패널에 연결된다. 프로세싱 가스들은 유입 도관(142)을 경유하여 샤워헤드(144)를 통해 챔버 본체(112) 속으로 흐른다. 샤워헤드(144)에는, 아래에서 프로세싱될 기판(125)의 표면을 가로질러 가스들을 균일하게 분배하기 위해, 복수의 통공(140)들이 관통하여 형성되어 있다.
챔버 본체(112) 내부에는 기판(125)을 지지하도록 구성된 기판 지지 페디스털(118)이 배치된다. 기판 지지 페디스털(118)은 챔버 본체(112)의 하부 벽체(122)를 수직으로 관통하는 샤프트(120)의 단부에 장착된다. 샤프트(120)는 챔버 본체(112) 내부에서 기판 지지 페디스털(118)의 수직 상하 운동이 가능하도록 하기 위해 이동가능하다. 일 실시예에서, PECVD 챔버(110)는 기판 지지 페디스털(118)에 대한 기판(125)의 반송과 반출을 용이하게 하기 위해 리프트 조립체(미도시)를 가질 수도 있다.
기판 지지 페디스털(118)은 판 형태를 가지고 있으며, 가스 유입 매니폴드(116)에 대해 평행하게 연장된다. 기판 지지 페디스털(118)은 통상적으로 알루미늄으로 제조되며, 알루미늄 산화물 층으로 코팅된다. 기판 지지 페디스털(118)은 접지되어 있으며, 가스 유입 매니폴드(116)와 기판 지지 페디스털(118)을 가로질러 전원(136)을 접속하도록 제 2 전극으로서 기능한다. 기판 지지 페디스털(118)은 기판 지지면(152)에 인접하여 기판 지지 페디스털(118) 내에 배치된 판 형태를 갖는 가열 조립체(128)를 포함한다. 가열 조립체는 기판 지지면(152) 상에 기판이 배치되었을 때 기판(125)에 열을 제공하도록 구성되어 있다. 샤프트(120)는 가열 조립체(128)의 리드 하우징(150)을 수용하고 있다.
도 2는 가열 조립체(128)의 평면도이고, 도 3은 도 2의 단면선 3--3을 따라 취한 가열 조립체(128)의 단면도이다. 본 고안의 하나 이상의 실시예들은 가열 조립체(128) 내에서 가열 요소의 사용을 제공한다. 다수의 가열 요소 섹션들(예컨대, 2개 이상의 가열 요소 섹션들)은 가열 조립체(128) 내의 다수의 구역들의 온도를 제어하기 위해 서로 다른 기하학적 구조, 패턴들, 형상들 또는 물질들로 구성되며, 이에 따라, 가열 조립체(128)의 다양한 내부 및/또는 외부 부분들에 대해 원하는 온도 프로파일을 제공한다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 가열 조립체(128)는 내부 가열 구역(202), 외부 가열 구역(204), 및 본체(200)의 상면(208)과 하면(302) 사이에 배치된 열전대(206)를 갖는 본체(200)를 갖는다. 도 3이 내부 가열 구역(202)을 도시하고는 있지만, 도 3에 대한 설명은 외부 가열 구역(204)의 요소들에도 적용된다. 일 실시예에서, 본체(200)는 알루미늄 또는 다른 적당한 물질들로 제조될 수 있다.
내부 및 외부 가열 구역(202, 204)들은 기판 지지 페디스털 내에서 사용되는 임의의 적당한 히터일 수 있다. 내부 및 외부 가열 구역(202, 204)들의 프로파일에 대해서는 이하에서 구체적으로 설명할 것이다. 일 실시예에서, 내부 및 외부 가열 구역(202, 204)들은 가열 요소(304)를 포함한다. 가열 요소(304)는, 이에 한정되는 것은 아니지만, 특히, 니켈, 크롬, 철, 알루미늄, 구리, 몰리브덴, 백금 실리콘 탄화물, 이들의 금속 합금들, 이들의 질화물 물질들, 이들의 규화물 물질들, 또는 이들의 조합들을 포함하는 저항 물질로 제조된 와이어, 리본 또는 스트립으로 이루어진 중앙 부분을 포함할 수 있다. 저항 물질은 여러 금속 물질들의 합금들일 수 있으며, 금속 도펀트들 또는 다른 도펀트 물질들로 도핑될 수 있다. 저항 가열 와이어들, 리본들 또는 스트립들은 직선 형상이거나 코일 형상일 수 있다.
예컨대, 저항 가열 와이어들 또는 리본들은 니크롬 80/20(니켈 80% 및 크롬 20%) 물질로 제조될 수 있다. 니크롬 80/20은 비교적 높은 저항을 갖고 있고 제 1 시간 동안 가열될 때 크롬 산화물로 된 접착층을 형성하기 때문에 유리한 물질이다. 크롬 산화물 층 아래의 물질은 산화되지 않을 것이기 때문에, 와이어가 단락되거나 소화되는 것을 방지할 수 있다.
일 실시예에서, 가열 요소(304)는 세라믹들, 산화물 물질들, 또는 절연을 제공하고 전기 누설을 방지하는 다른 적당한 충진재 물질들로 제조된 절연체(306)에 의해 절연될 수 있다. 일 실시예에서, 가열 요소(304)를 긴밀하게 밀봉하기 위해, 외피(308)가 가열 요소(304)를 둘러싼다. 외피(308)는 석영, 금속들, 세라믹들 또는 다른 적당한 물질로 제조될 수 있다.
가열 요소(304)는 가열 요소(304)에 전력을 제공하기 위해 리드 하우징(150)을 통해 리드(310)와 같은 하나 이상의 도전선들에 커플링된다. 리드(310)는 프로세싱 챔버(110)의 외부에 배치된 전력 공급 장치(204)(미도시)에 내부 및 외부 가열 구역(202, 204)들을 커플링하도록 구성된다.
일 실시예에서, 복수의 열전대(206)들이 제공된다. 도 2에 도시된 실시예에서, 열전대(206)들은 와이어 하우징(150)으로부터 내부 및 외부 가열 구역(202, 204)들에 인접하도록 연장된다. 또한, 열전대(206)들은 가열 조립체(128)의 중앙으로부터 근접하여 연장될 수 있다. 열전대(206)들은 복수의 위치들에서 가열 조립체(128)의 온도를 측정하도록 구성된다. 열전대(206)들은 가열 조립체(128)의 가열 요소(304)에 인가되는 전류를 제어하기 위해 피드백 루프에서 사용될 수 있다. 일 실시예에서, 열전대(206)들은 열전대(206)들에 전력을 공급하기 위해 리드 하우징(150)을 통해 리드(314)와 같은 하나 이상의 도전선들에 커플링된다. 가열 조립체(128)가 제조되면, 본체(200) 내에서 열전대(206)들과 가열 요소(304)들 아래에 개구 또는 공간이 형성될 수 있다. 이에 따라, 추가적인 본체 물질(310), 예컨대, 알루미늄이 균일한 하면(302)을 위해 아래에 형성된 공간 내에 충진될 수 있다.
도 4는 도 2의 단면선 4--4를 따라 취한 가열 조립체(128)의 단면도이다. 일 실시예에서, 도 2 및 도 4를 참조하면, 가열 조립체(128)는 본체(200) 내에 형성된 복수의 보어(210)들을 포함한다. 보어(210)들은 하나 이상의 리프트 핀(402)들을 수용하도록 구성된다. 리프트 핀(402)들은, 기판(125)이 지지 페디스털(118)로부터 이격되도록, 기판 지지 페디스털(118)의 하면을 통해 (도 1에 도시된) 기판 지지면(152)까지 연장된다. 이는, 기판 지지 페디스털(118)이나 기판(125)에 대한 손상을 초래하지 않고, 로봇 블레이드와 같은 반송 기구가 기판(125)의 배면 아래로 활주하여 기판 지지 페디스털(118)로부터 기판(125)을 리프팅할 수 있도록 한다.
도 2를 다시 참조하면, 내부 및 외부 가열 구역(202, 204)들의 프로파일은 가열 조립체(128)를 가로질러 균일한 온도 분포를 유리하게 제공한다. 내부 가열 구역(202)은 다수의 부분들로 구성된다(즉, 도 2에는 적어도 2개의 내부 가열 섹션(202A, 202B)들이 도시되어 있음). 일 실시예에서, 각각의 가열 섹션(202A, 202B)들에 대해 단일의 가열 요소(304)가 제공된다. 그러나, 가열 섹션(202A, 202B)들 모두에 대해 단일의 가열 요소(304)가 제공될 수 있을 것으로 생각된다. 각각의 가열 섹션(202A, 202B)들은 2개의 외피(308) 섹션들, 또는 가열 조립체(128)의 중앙에 배치된 리드 하우징(150)의 개구로부터 돌출되어 가열 요소(304)를 둘러싸고 있는 다른 보호 튜브를 포함한다. 외피(308)는 리드 하우징(150)의 개구를 빠져나와 가열 조립체 본체(200) 속으로 연장하면서 만곡부(212)를 형성한다. 가열 요소(304)는 만곡부(212)로부터 약 1 내지 약 2인치, 예컨대, 약 1.5인치 떨어진 거리("D")에 있는 위치(214)에서 리드(310)에 커플링된다. 도 2에 도시된 바와 같이, 가열 조립체(128)의 중앙(202)에 대한 내부 가열 구역(202)의 가열 요소(304)들의 긴밀한 근접성은 내부 가열 구역(202)을 위해 조밀한 가열 요소(304) 환경을 유리하게 제공한다. 내부 가열 구역(202)의 가열 요소(304)들은 가열 조립체(128)의 중앙으로부터 연장되어, 내부 가열 구열(202)을 가열하도록 구성된 복수의 라인(216)들을 갖는 프로파일을 형성한다.
외부 가열 구역(204)은 또한 다수의 부분들로 구성된다(즉, 도 2에는 적어도 2개의 외부 가열 섹션(204A 및 204B)들이 도시되어 있음). 일 실시예에서, 각각의 가열 섹션(204A, 204B)들에 대해 하나의 단일 가열 요소(304)가 제공된다. 그러나, 가열 섹션(204A, 204B)들 모두에 대해 하나의 단일 가열 요소(304)가 제공될 수 있을 것으로 생각된다. 가열 섹션(204A, 204B)들은 가열 조립체(128)의 중앙으로부터 형성되며, 기판 가열 조립체(128)의 에지를 둘러싸도록 측방향으로 연장된다. 가열 섹션(204A, 204B)들은 기판 가열 조립체(128)의 적어도 2개의 코너(218)들을 각각 둘러싼다. 도 2에 도시된 바와 같이, 가열 섹션(204A, 204B)들은 이형 프로파일(220)을 갖는다. 이형 프로파일(220)은 기존에 사용된 것보다 가열 요소(304)를 더 많이 유리하게 활용하여 코너(218)의 표면적을 덮는다. 일 실시예에서, 외부 가열 구역(204)은, 가열 조립체(128)의 중앙 또는 주변 에지에서 발견되는 열 전달(heat transfer)의 양 보다, 코너들(218)에서 더 많은 양의 열 전달을 전달하도록 구성된다. PECVD 프로세스에 대해, 기판(125)와 가열 조립체 사이의 온도 차이는 약 10℃ 내지 약 60℃, 예를 들어 약 20℃ 내지 약 50℃ 일 수 있다. 당업자라면 이해하는 바와 같이, 기판(125)와 가열 조립체(128) 사이의 온도 차이는, 사용되고 있는 프로세싱 가스들에 의존하는, 프로세싱 챔버 온도 및 프로세싱 챔버 압력 레벨들의 함수이다. 더 많은 가열 요소(304)를 제공함으로써, 이형 프로파일(220)은, 이를 테면 가열 조립체의 중앙 또는 에지들의 중앙들과 같은, 가열 조립체(128) 상의 다른 위치들에서보다, 더 많은 양의 열 전달을 유리하게 제공하며 그리고 코너(218)의 표면적에서 통상적으로 발생하는 더 큰 열 손실을 보상한다. 가열 조립체 위의 기판은 동일한 열 전달 특성들을 유사하게 나타낸다. 따라서, 일 실시예에서, 외부 가열 구역(204)은 내부 가열 구역(202) 보다 더 많은 양의 열 전달을 기판에 전달하도록 구성된다. 예를 들어, 일 실시예에서, 내부 가열 구역(202)은, 내부 가열 구역(202)이 외부 가열 구역(204) 보다, 약 5℃ 내지 약 20℃, 예를 들어 약 10℃ 내지 약 15℃ 더 차가워지게(cooler) 한다. 따라서, 차가운 내부 가열 구역(202) 및 외부 가열 구역(204)의 이형 프로파일(220)이 주어지면, 가열 조립체(128)는 (상기 설명한) 가열 조립체 상의 다양한 위치들에서의 열 손실의 차이들을 활발하게 보상하며, 그리고 기판(125)에 대한 보다 전체적인 균일한 온도 및 기판(125) 상에서의 균일한 프로세싱(이를 테면, 필름 증착)을 제공한다.
이상의 설명은 본 고안의 실시예들에 관한 것이나, 본 고안의 기본적인 범위를 벗어나지 않고 다른 추가적인 실시예들이 안출될 수 있으며, 그 범위는 하기된 특허청구범위에 의해 결정된다.

Claims (20)

  1. 기판 지지 조립체로서,
    기판 지지면을 갖는 기판 지지 페디스털; 및
    상기 기판 지지면에 인접하여 상기 기판 지지 페디스털 내에 배치된 가열 조립체를 포함하며,
    상기 가열 조립체는 상기 가열 조립체의 코너들에 배치된 복수의 이형 가열 요소들을 포함하는,
    기판 지지 조립체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 가열 조립체는,
    상기 가열 조립체의 중앙 내에 배치되어 그 중앙으로부터 연장하며, 가열 요소를 포함하는 내부 가열 구역; 및
    상기 가열 조립체의 에지들 내에 배치되어 그 에지들을 둘러싸며, 상기 복수의 이형 가열 요소들을 포함하는 외부 가열 구역을 포함하는,
    기판 지지 조립체.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 가열 요소는 저항 물질로 제조된,
    기판 지지 조립체.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 가열 요소는 니크롬, 니켈, 크롬, 철, 알루미늄, 구리, 몰리브덴, 백금 실리콘 탄화물, 이들의 금속 합금들, 이들의 질화물 물질들, 이들의 규화물 물질들, 또는 이들의 조합들로 제조된,
    기판 지지 조립체.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 가열 요소를 둘러싸는 외피를 더 포함하며, 상기 외피는 상기 가열 요소를 긴밀하게 밀봉하도록 구성된,
    기판 지지 조립체.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 내부 가열 구역은 2개의 가열 섹션들을 포함하며, 각각의 가열 섹션은 상기 가열 요소를 둘러싸는 외피를 포함하고, 상기 외피는 상기 가열 요소를 긴밀하게 밀봉하도록 구성된,
    기판 지지 조립체.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 가열 요소는 도전선에 커플링되며, 상기 도전선은 상기 내부 및 외부 가열 구역들을 전력 공급 장치에 커플링하도록 구성된,
    기판 지지 조립체.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 가열 조립체는, 상기 내부 및 외부 가열 구역들에 인접하여 배치되어 복수의 위치들에서 상기 가열 조립체의 온도를 측정하도록 구성된 복수의 열전대들을 포함하는,
    기판 지지 조립체.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 복수의 열전대들은 하나 이상의 도전선들에 커플링되며, 상기 도전선들은 상기 열전대들에 대해 전력을 제공하도록 구성된,
    기판 지지 조립체.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 외피는 상기 가열 조립체의 중앙을 빠져나가면서 만곡부를 형성하며, 상기 가열 요소는 상기 만곡부로부터 1 내지 2인치 떨어진 위치에서 도전선에 커플링된,
    기판 지지 조립체.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 이형 가열 요소들은 상기 가열 조립체의 코너들에서 표면적을 최대화하도록 구성된,
    기판 지지 조립체.
  12. 기판 지지 조립체로서,
    기판 지지면을 갖는 기판 지지 페디스털; 및
    상기 기판 지지면에 인접하여 상기 기판 지지 페디스털 내에 배치된 가열 조립체를 포함하며,
    상기 가열 조립체는 본체를 포함하고,
    상기 본체는,
    상기 가열 조립체의 중앙 내에 배치되어 그 중앙으로부터 연장하며, 가열 요소를 포함하는 내부 가열 구역;
    상기 가열 조립체의 에지들 내에 배치되어 그 에지들을 둘러싸며, 상기 가열 조립체의 코너들에 배치된 복수의 이형 가열 요소들을 포함하는 외부 가열 구역; 및
    본체 내부에 형성되며, 하나 이상의 리프트 핀들을 수용하도록 구성된 복수의 보어 홀들을 갖는,
    기판 지지 조립체.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 본체는 알루미늄으로 제조된,
    기판 지지 조립체.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 본체의 상면과 하면 사이에 배치된 열전대를 더 포함하는,
    기판 지지 조립체.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 가열 요소를 둘러싸는 외피를 더 포함하며, 상기 외피는 상기 가열 요소를 긴밀하게 밀봉하도록 구성된,
    기판 지지 조립체.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 외피와 상기 가열 요소 사이에 배치된 절연체를 더 포함하며, 상기 절연체는 상기 가열 요소로부터 전기 누설을 방지하도록 구성된,
    기판 지지 조립체.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 내부 가열 구역은 2개의 가열 섹션들을 포함하며, 각각의 가열 섹션들은 외피를 포함하고, 상기 외피는 상기 가열 조립체의 중앙을 빠져나가면서 만곡부를 형성하는,
    기판 지지 조립체.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 가열 요소는 상기 만곡부로부터 1 내지 2인치 떨어진 위치에서 도전선에 커플링되며, 상기 도전선은 상기 내부 가열 구역을 전력 공급 장치에 커플링하도록 구성된,
    기판 지지 조립체.
  19. 제 2 항에 있어서,
    상기 외부 가열 구역은 상기 내부 가열 구역 보다 더 많은 양의 열을 전달하도록 구성된,
    기판 지지 조립체.
  20. 제 12 항에 있어서,
    상기 외부 가열 구역은 상기 내부 가열 구역 보다 더 많은 양의 열을 전달하도록 구성된,
    기판 지지 조립체.
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