KR20070016090A - 기판 지지부의 가열 및 냉각 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (23)
- 프로세스 챔버 내부에서 대면적 기판을 지지하기 위한 기판 지지 조립체로서;스테인레스 강 물질을 함유하는 열전도체와;상기 열전도체의 표면 상에 위치하며 그 위의 상기 대면적 기판을 지지하도록 되어 있는 기판 지지면과;상기 열전도체 내부에 매설되는 하나 이상의 가열 요소와;상기 열전도체 아래에 위치하는 냉각 플레이트와;스테인레스 강 물질을 함유하며 상기 냉각 플레이트 아래에 위치하고 그리고 상기 열전도체를 구조적으로 지지하도록 되어 있는 베이스 지지 구조체와; 그리고상기 냉각 플레이트와 상기 베이스 지지 구조체 사이에 위치하며, 상기 베이스 지지 구조체에 의해 지지되도록 되어 있는 하나 이상의 냉각 채널을 포함하는,대면적 기판을 지지하기 위한 기판 지지 조립체.
- 제 1 항에 있어서,상기 하나 이상의 냉각 채널은 스테인레스 강 물질을 함유하는,대면적 기판을 지지하기 위한 기판 지지 조립체.
- 제 1 항에 있어서,상기 냉각 플레이트는 스테인레스 강 물질을 함유하는,대면적 기판을 지지하기 위한 기판 지지 조립체.
- 제 1 항에 있어서,상기 하나 이상의 냉각 채널은 상기 냉각 플레이트에 부착되는,대면적 기판을 지지하기 위한 기판 지지 조립체.
- 제 1 항에 있어서,상기 하나 이상의 냉각 채널은 하나 이상의 내부 냉각 루프 및 하나 이상의 외부 냉각 루프를 포함하는,대면적 기판을 지지하기 위한 기판 지지 조립체.
- 제 5 항에 있어서,상기 하나 이상의 냉각 채널의 이웃하는 냉각 루프는 반대 유동 방향으로 유동하는 냉각 유체를 포함하는,대면적 기판을 지지하기 위한 기판 지지 조립체.
- 제 5 항에 있어서,상기 하나 이상의 외부 냉각 루프는 상기 기판 지지면의 2개의 대향 엣지의 둘레부를 따라 위치하고 상기 하나 이상의 내부 냉각 루프에 의해 연결되는,대면적 기판을 지지하기 위한 기판 지지 조립체.
- 제 5 항에 있어서,상기 하나 이상의 가열 요소는 하나 이상의 내부 가열 루프 및 하나 이상의 외부 가열 루프를 포함하며, 상기 하나 이상의 냉각 채널의 상기 하나 이상의 외부 냉각 루프는 상기 하나 이상의 가열 요소의 상기 하나 이상의 내부 가열 루프와 상기 하나 이상의 외부 가열 루프 사이에서 이격되어 있는,대면적 기판을 지지하기 위한 기판 지지 조립체.
- 제 1 항에 있어서,상기 하나 이상의 냉각 채널은 약 20℃ 내지 약 25℃ 사이의 온도에서 내부를 유동하는 냉각 유체를 포함하는,대면적 기판을 지지하기 위한 기판 지지 조립체.
- 제 1 항에 있어서,상기 베이스 지지 구조체는 주 몸통부 및 하나 이상의 지지 비임을 포함하는,대면적 기판을 지지하기 위한 기판 지지 조립체.
- 제 10 항에 있어서,상기 하나 이상의 지지 비임은 그 위에 상기 하나 이상의 채널을 지지하도록 구성된 하나 이상의 홈을 포함하는,대면적 기판을 지지하기 위한 기판 지지 조립체.
- 제 1 항에 있어서,상기 베이스 지지 구조체는 상기 하나 이상의 냉각 채널을 지지하도록 위치하는 하나 이상의 긴 베이스 지지 비임, 및 상기 기판 지지면의 2개의 대향 엣지의 주변부를 따라 위치한 열전도체를 포함하는,대면적 기판을 지지하기 위한 기판 지지 조립체.
- 제 1 항에 있어서,상기 열전도체, 상기 냉각 플레이트, 및 상기 지부 지지 구조체는 복수의 기판 지지 핀이 통과하도록 구성된 복수의 기판 지지 핀 홀을 더 포함하는,대면적 기판을 지지하기 위한 기판 지지 조립체.
- 제 13 항에 있어서,상기 하나 이상의 냉각 채널은 상기 복수의 기판 지지 핀 홀로부터 간격을 두도록 구성되어 있는,대면적 기판을 지지하기 위한 기판 지지 조립체.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판 지지면은 약 1㎡ 이상의 대면적 사각형 기판을 지지하기 위한 사각형으로 되어 있는,대면적 기판을 지지하기 위한 기판 지지 조립체.
- 제 1 항에 있어서,상기 열전도체와 마주하는 상기 냉각 플레이트의 전방면은 표면 조질화 물질을 포함하는,대면적 기판을 지지하기 위한 기판 지지 조립체.
- 내부에서 대면적 기판을 처리하기 위한 프로세스 챔버로서:스테인레스 강 물질을 함유하는 열전도체;상기 열전도체의 표면 상에 위치하며 그 위에 놓인 상기 대면적 기판을 지지하도록 되어 있는 기판 지지면;상기 열전도체 내부에 매설되는 하나 이상의 가열 요소;상기 열전도체 아래에 위치하는 냉각 플레이트;스테인레스 강 물질을 함유하며, 상기 냉각 플레이트 아래에 위치하고, 그리고 상기 열전도체를 구조적으로 지지하도록 되어 있는 베이스 지지 구조체; 및상기 냉각 플레이트와 상기 베이스 지지 구조체 사이에 위치하는 하나 이상의 냉각 채널을 포함하며 상기 대면적 기판을 지지하도록 되어 있는 기판 지지 조 립체와;측벽 및 챔버 바닥을 갖춘 챔버 바디와; 그리고상기 기판 지지 조립체 위에 위치하는 타겟 조립체를 포함하는,내부에서 대면적 기판을 처리하기 위한 프로세스 챔버.
- 제 17항에 있어서,상기 하나 이상의 냉각 채널은 스테인레스 강을 포함하며 상기 베이스 지지 조립체에 의해 지지되도록 되어 있는,내부에서 대면적 기판을 처리하기 위한 프로세스 챔버.
- 제 17항에 있어서,상기 기판 지지면은 평판 디스플레이(FPD), 유기 발광 다이오드(OLED) 디스플레이, 가요성 유기 발광 다이오드(FOLED) 디스플레이, 폴리머 발광 다이오드(PLED) 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 유기 박막 트랜지스터, 능동 매트릭스, 수동 매트릭스, 상부 발산 장치, 바닥 발산 장치, 태양 전지, 태양 전지판, 및 이들의 조합체로부터 선택된 장치를 조립하기 위해 하나 이상의 대면적 사각형 기판을 지지하도록 구성되어 있는,내부에서 대면적 기판을 처리하기 위한 프로세스 챔버.
- 제 17항에 있어서,상기 챔버 바닥 상에 위치하며 위에 놓인 상기 대면적 기판을 지지하도록 되어 있는 복수의 기판 지지 핀을 더 포함하는,내부에서 대면적 기판을 처리하기 위한 프로세스 챔버.
- 프로세스 챔버 내부에서 대면적 기판의 온도를 유지하기 위한 방법으로서,상기 프로세스 챔버의 기판 지지 조립체의 기판 지지면 상에 상기 대면적 기판을 위치시키는 단계로서; 상기 기판 지지 조립체가,표면 상에 상기 기판 지지면을 구비하며 위에 놓인 상기 대면적 기판을 지지하도록 되어 있는 열전도체,상기 열전도체 내부에 매설되는 하나 이상의 가열 요소,스테인레스 강을 함유하며 상기 열전도체 아래에 위치하는 냉각 플레이트,스테인레스 강 물질을 함유하며 상기 냉각 플레이트 아래에 위치하고 그리고 상기 열전도체를 구조적으로 지지하도록 되어 있는 베이스 지지 구조체, 및상기 냉각 플레이트와 상기 베이스 지지 구조체 사이에 위치하는 하나 이상의 냉각 채널을 포함하며,상기 하나 이상의 가열 요소에 의해 상기 대면적 기판의 온도를 상승시키는 단계와;상기 하나 이상의 냉각 채널 내부에 냉각 유체를 유동시킴으로써 상기 대면적 기판의 온도를 하강시키는 단계와; 그리고상기 하나 이상의 냉각 요소의 가열 파워와 상기 하나 이상의 냉각 채널 내 부의 상기 냉각 유동의 유량을 조절함으로써 상기 대면적 기판의 온도를 유지시키는 단계를 포함하는,프로세스 챔버 내부의 대면적 기판의 온도 유지 방법.
- 제 21항에 있어서,상기 냉각 채널은 스테인레스 강 물질을 포함하는,프로세스 챔버 내부의 대면적 기판의 온도 유지 방법.
- 제 21항에 있어서,상기 열전도체와 상기 냉각 플레이트 사이의 열전달을 조절하도록 상기 열전도체 아래로 상기 냉각 플레이트의 거리를 조절하는 단계를 더 포함하는,프로세스 챔버 내부의 대면적 기판의 온도 유지 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060073028A KR101111042B1 (ko) | 2005-08-02 | 2006-08-02 | 기판 지지부의 가열 및 냉각 방법 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US60/705,031 | 2005-08-02 | ||
US11/213,348 | 2005-08-24 | ||
KR1020060073028A KR101111042B1 (ko) | 2005-08-02 | 2006-08-02 | 기판 지지부의 가열 및 냉각 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070016090A true KR20070016090A (ko) | 2007-02-07 |
KR101111042B1 KR101111042B1 (ko) | 2012-02-21 |
Family
ID=43650347
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060073028A KR101111042B1 (ko) | 2005-08-02 | 2006-08-02 | 기판 지지부의 가열 및 냉각 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101111042B1 (ko) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101369289B1 (ko) * | 2012-06-25 | 2014-03-06 | (주) 예스티 | 유리 기판의 열처리장치용 지지부재 |
KR20140005080U (ko) * | 2013-03-14 | 2014-09-24 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 히터를 구비한 기판 지지 페디스털 |
KR102442072B1 (ko) * | 2021-05-07 | 2022-09-08 | 고모텍 주식회사 | 진공성형기의 리프트 및 냉각 장치 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6900413B2 (en) | 1998-08-12 | 2005-05-31 | Aviza Technology, Inc. | Hot wall rapid thermal processor |
US6825617B2 (en) | 2003-02-27 | 2004-11-30 | Hitachi High-Technologies Corporation | Semiconductor processing apparatus |
-
2006
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KR20140005080U (ko) * | 2013-03-14 | 2014-09-24 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 히터를 구비한 기판 지지 페디스털 |
KR102442072B1 (ko) * | 2021-05-07 | 2022-09-08 | 고모텍 주식회사 | 진공성형기의 리프트 및 냉각 장치 |
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