TW201808056A - 成膜用遮罩以及成膜裝置 - Google Patents

Abstract

本發明之一形態之成膜用遮罩具備一對第一板部、及一對第二板部。上述一對第一板部具有一對第一內周緣部、及一對第一外周緣部。上述一對第一內周緣部係分別具有於第一軸方向上對向且朝向彼此離開之方向凸出之形狀之第一彎曲部。上述一對第一外周緣部係於上述第一軸向上分別與上述一對第一內周緣部對向。上述一對第二板部具有一對第二內周緣部、及一對第二外周緣部。上述一對第二內周緣部係分別具有於第二軸方向上對向且朝向彼此離開之方向凸出之形狀之第二彎曲部。上述一對第二外周緣部係於上述第二軸方向上分別與上述一對第二內周緣部對向。

Description

成膜用遮罩以及成膜裝置

本發明係關於一種用於電漿CVD(Chemical Vapor Deposition；化學氣相沉積)裝置等成膜裝置之成膜用遮罩以及具備其之成膜裝置。

電漿CVD裝置等成膜裝置中，廣泛使用用以防止膜對基板周緣部附著之遮罩。例如專利文獻1中揭示如下真空處理裝置，其具備：與配置於加熱板上之玻璃基板之周緣部對向之遮罩，以及將該遮罩於處理室內能夠升降地加以支持之遮罩支持體。

[先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本特許第5773731號公報。

伴隨近年之基板之大型化，配置於基板之周緣部之遮罩之尺寸亦大型化，從而精度佳地維持遮罩之開口形狀逐漸變得困難。例如專利文獻1之構成中，因靠近加熱板之遮罩之內周側與該內周側之相反之外周側之間的熱輸入量之差異，而遮罩開口形狀會發生變化，從而有作為欲遮罩區域的基板周緣部之膜端之形狀精度劣化之虞。而且，有因遮罩之內周側與外周側之應力差而遮罩發生破損之虞。

鑒於以上情況，本發明之目的提供在於一種可維持基板周緣部之膜端之形狀精度的成膜用遮罩以及具備其之成膜裝置。

為了達成上述目的，本發明之一形態之成膜用遮罩具備一對第一板部、及一對第二板部。

上述一對第一板部具有一對第一內周緣部、及一對第一外周緣部。上述一對第一內周緣部係分別具有於第一軸方向上對向且朝向彼此離開之方向凸出之形狀之第一彎曲部。上述一對第一外周緣部係於上述第一軸方向上分別與上述一對第一內周緣部對向。

上述一對第二板部具有一對第二內周緣部、及一對第二外周緣部。上述一對第二內周緣部係分別具有於第二軸方向上對向且朝向彼此離開之方向凸出之形狀之第二彎 曲部。上述一對第二外周緣部係於上述第二軸方向上分別與上述一對第二內周緣部對向。

上述成膜用遮罩中，第一板部及第二板部之內周緣部因分別具有朝向彼此離開之方向凸出之形狀之第一彎曲部及第二彎曲部，故當第一彎曲部及第二彎曲部中發生沿著長度方向之熱膨脹(熱延伸)時，第一彎曲部及第二彎曲部以變成為直線形狀之方式變形。藉此，能夠維持基板周緣部上之膜端之形狀精度。

上述一對第一板部亦可進一步包括複數個第一切口部，上述複數個第一切口部分別設置於上述一對第一外周緣部，於與上述第一軸方向正交之上述第二軸方向上隔開間隔而配置。同樣地，上述一對第二板部亦可進一步包括複數個第二切口部，上述複數個第二切口部分別設置於上述一對第二外周緣部，於上述第一軸方向上隔開間隔而配置。

藉此，伴隨上述內周緣部之熱變形的外周緣部之變形將變得容易，藉此可防止第一板部及第二板部之破損。

上述一對第一板部以及上述一對第二板部亦可分別由單獨之板構件構成。藉此，可抑制熱輸入時之第一板部與第二板部之間之相互干涉。

上述一對第一板部之兩端部亦可重合於上述一對第二板部之兩端部。藉此，可防止第一板部及第二板部之分離，可維持該些板部之預定之一體關係。

上述一對第一板部以及上述一對第二板部典型而言係由陶瓷材料構成。

本發明之一形態之成膜裝置具備真空腔室、平台、成膜源、以及遮罩。

上述平台係配置於上述真空腔室之內部，將基板能夠加熱地加以支持。

上述成膜源係與上述平台對向而配置。

上述遮罩係配置於上述平台之周圍，自上述成膜源被覆上述基板之周緣部。

上述遮罩具有一對第一板部、及一對第二板部。

上述一對第一板部具有一對第一內周緣部、及一對第一外周緣部。上述一對第一內周緣部係分別具有於第一軸方向上對向且朝向彼此離開之方向凸出之形狀之第一彎曲部。上述一對第一外周緣部係於上述第一軸方向上分別與上述一對第一內周緣部對向。

上述一對第二板部具有一對第二內周緣部、及一對第二外周緣部。上述一對第二內周緣部係分別具有於第二軸方向上對向且朝向彼此離開之方向凸出之形狀之第二彎曲部。上述一對第二外周緣部係於上述第二軸方向上分別 與上述一對第二內周緣部對向。

上述一對第一板部亦可進一步具有複數個第一切口部，上述複數個第一切口部分別設置於上述一對第一外周緣部，於與上述第一軸方向正交之上述第二軸方向上隔開間隔而配置。同樣地，上述一對第二板部亦可進一步具有複數個第二切口部，上述複數個第二切口部分別設置於上述一對第二外周緣部，於上述第一軸方向上隔開間隔而配置。

上述成膜裝置亦可進一步具有能夠支持上述遮罩之遮罩支持構件。上述遮罩支持構件係設置於上述平台之周圍，且具有容許與上述第一軸方向及第二軸方向平行之面內之上述遮罩之熱延伸之支持部。

上述一對第一板部亦可具有第一主貫通孔、及一對第一輔助貫通孔。上述第一主貫通孔具有與上述第一軸方向平行之長軸。上述一對第一輔助貫通孔具有與上述第二軸方向平行之長軸，且隔著上述第一主貫通孔而於上述第二軸方向上相互對向。在情形下，上述支持部包含複數個第一定位銷。上述複數個第一定位銷分別插通至上述第一主貫通孔以及上述一對第一輔助貫通孔，能夠相對於上述一對第一板部相對移動。

另一方面，上述一對第二板部亦可具有第二主貫通孔、及一對第二輔助貫通孔。上述第二主貫通孔具有與上述第二軸方向平行之長軸。上述一對第二輔助貫通孔具有與上述第一軸方向平行之長軸，且隔著上述第二主貫通孔而於上述第一軸方向上相互對向。在情形下，上述支持部包含複數個第二定位銷。上述複數個第二定位銷分別插通至上述第二主貫通孔以及上述一對第二輔助貫通孔，能夠相對於上述一對第二板部相對移動。

如上述般，根據本發明，可維持基板周緣部之膜端之形狀精度。

10‧‧‧真空腔室

11‧‧‧成膜室

12‧‧‧排氣埠

13‧‧‧第一凸緣部

14‧‧‧第二凸緣部

20‧‧‧平台

21‧‧‧支持面

22‧‧‧支持台

23‧‧‧升降軸

24‧‧‧升降單元

30‧‧‧氣體壓頭

31‧‧‧噴淋板

32‧‧‧環狀之周壁部

33‧‧‧頂板部

34‧‧‧氣體空間

35‧‧‧絕緣構件

36‧‧‧氣體導入源

37‧‧‧氣體導入線

38‧‧‧RF電源

40‧‧‧遮罩

40a‧‧‧開口部

41A、41B‧‧‧長邊板部

42A、42B‧‧‧短邊板部

41h1、42h1‧‧‧主貫通孔

41h2、42h2‧‧‧輔助貫通孔

50‧‧‧遮罩支持構件

51‧‧‧凸緣部

52‧‧‧隔熱構件

53‧‧‧支持部

54‧‧‧定位銷

100‧‧‧成膜裝置

411、421‧‧‧內周緣部

411w、421w‧‧‧彎曲部

412、422‧‧‧外周緣部

413、423‧‧‧切口部

dx、dy‧‧‧假想直線與內周緣部之間之最大距離

Lx、Ly‧‧‧假想直線

W‧‧‧基板

X、Y、Z‧‧‧軸

圖1係表示本發明之一實施形態之成膜裝置之概略側剖視圖。

圖2係表示上述成膜裝置之一動作例之概略側剖視圖。

圖3係表示本發明之一實施形態之遮罩之構成之概略俯視圖。

圖4係概略地表示上述遮罩之角部之構成之主要部分之立體圖。

圖5係將構成上述遮罩之板部之熱變形前後之形態加以比較而表示之概略俯視圖。

圖6係表示上述成膜裝置之主要部分之構成之概略側剖視圖。

圖7係將上述遮罩之熱變形前後之形態加以比較而表示之概略俯視圖。

以下，一邊參照圖式一邊對本發明之實施形態進行說明。

圖1係表示本發明之一實施形態之成膜裝置之概略側剖視圖，圖2係表示成膜裝置之一動作例之概略側剖視圖。另外，圖中X軸、Y軸以及Z軸表示相互正交之3軸方向，本例中，X軸以及Y軸相當於水平方向，Z軸相當於高度方向。

[整體構成]

本實施形態之成膜裝置100係作為電漿CVD裝置而構成。成膜裝置100具有真空腔室10、平台20、氣體壓頭30、及遮罩40。

真空腔室10於內部具有成膜室11。真空腔室10具有排氣埠12，該排氣埠12與能夠將成膜室11排氣為預定之減壓氛圍並維持的真空泵(圖示省略)相連。於真空腔室10之內周面，設置有支持氣體壓頭30之第一凸緣部 13、於平台20之下降位置(圖2)能夠支持遮罩40之第二凸緣部14等。真空腔室10由不銹鋼等金屬材料構成，且連接於接地電位。

真空腔室10中，雖未圖示，但設置有能夠供於真空腔室10之外部與內部之間搬送之基板W通過之閘閥(gate valve)。基板W係於平台20之下降位置經由未圖示之搬送機器人等而沿水平方向搬入搬出。

作為基板W，典型而言，使用矩形之玻璃基板。基板W之尺寸不作特別限定，例如使用G5以上(1邊之長度為1000mm以上)之基板，本實施形態中，使用G6基板(1850mm×1500mm)。

平台20具有支持作為成膜對象之基板W之支持面21。支持面21由面積大於基板W之矩形平面構成。平台20內置能夠將支持面21之整個區域加熱至預定溫度之加熱源。加熱源不作特別限定，典型而言由加熱器、加熱介質循環通路等構成。

於支持面21之周緣部設置有支持遮罩40之底面之耐熱性材料所構成之支持台22。支持台22配置於載置在支持面21之基板W之周圍，具有能夠將遮罩40於基板W之周緣部之正上方隔開預定之間隙而對向配置之高度(厚 度)。支持台22可由隔開間隔配置於基板W之周圍之複數個墊構件構成，亦可由包圍基板W之環狀體構成。

平台20具有升降軸23，且構成為藉由設置於真空腔室10之底部外方之升降單元24而能夠沿Z軸方向升降移動。升降軸23固定於平台20之底部中心，氣密地貫通真空腔室10之底壁。平台20構成為能夠於圖1所示之上升位置與圖2所示之下降位置之間升降。平台20經由真空腔室10而連接於接地電位。

氣體壓頭30配置於真空腔室10之內部且與平台20之支持面21對向之位置。氣體壓頭30構成對成膜室11導入成膜用之製程氣體之成膜源。

氣體壓頭30典型而言係由金屬材料構成，具有噴淋板31、環狀之周壁部32、及頂板部33。周壁部32支持噴淋板31之周緣部。頂板部33連接於周壁部32之上端，與噴淋板31之間形成氣體空間34。氣體壓頭30經由環狀之絕緣構件35而支持於設置在真空腔室10之內周面之第一凸緣部13。

於氣體壓頭30之頂板部33連接有與氣體導入源36相連之氣體導入線37。氣體導入線37貫通頂板部33，對氣體空間34導入預定之製程氣體。氣體導入線37包含開 閉閥或流量控制閥等。製程氣體不作特別限定，能夠根據應成膜之材料之種類等而適當設定，例如，使用矽烷等原料氣體與包含氨氣及氮氣之反應氣體之混合氣體。

進一步，於氣體壓頭30之頂板部33連接有RF(Radio Freqency；射頻)電源38。RF電源38對氣體壓頭30施加高頻電力，於噴淋板31與平台20之間之成膜室11形成製程氣體之電漿。自RF電源38施加之高頻電力不作特別限定，例如為100W至10kW。

遮罩40配置於平台20之周圍，由能夠自氣體壓頭30被覆基板W之周緣部之框體構成。遮罩40係與基板W之周緣部之非成膜區域對向配置，具有劃定成膜區域之大致矩形之開口部40a。以下，對遮罩40之詳細情況進行說明。

[遮罩]

圖3係表示遮罩40之構成之概略俯視圖。

遮罩40由自上表面觀察呈大致矩形之框體構成，具有可被覆G6尺寸之基板W之周緣部之大小。遮罩40具有一對長邊板部41A、41B(第一板部)、一對短邊板部42A、42B(第二板部)。長邊板部41A、41B以及短邊板部42A、42B典型而言，自耐熱性、耐電漿性、耐腐蝕性之 觀點考慮，由氧化鋁或氧化鋯等陶瓷材料構成。

長邊板部41A、41B分別具有相同構成，且分別具有內周緣部411(第一內周緣部)與外周緣部412(第一外周緣部)。

長邊板部41A、41B各自之內周緣部411具有於X軸方向上對向且朝向彼此離開之方向凸出之形狀之彎曲部411w(第一彎曲部)。亦即，一長邊板部41A之彎曲部411w於圖3中具有在上方側具有頂點之預定曲率之部分圓弧形狀，另一長邊板部41B之彎曲部411w於圖3中具有在下方側具有頂點之預定曲率之部分圓弧形狀。

本實施形態中，各彎曲部411w跨及長邊板部41A、41B之內周緣部411之整個區域以固定之曲率形成，但不限於此，亦可為由不同曲率之圓弧連續而成之複合形狀。各彎曲部411w之曲率半徑係根據長邊板部41A、41B之長度或線性膨脹係數、平台20處之基板W之加熱溫度等而適當設定。本實施形態中，彎曲部411w之曲率半徑約為260000mm，將內周緣部411兩端彼此連結之假想直線Lx與內周緣部411之間之最大距離dx約為1.6mm。

長邊板部41A、41B各自之外周緣部412於X軸方向上與內周緣部411對向，本實施形態中，具有與Y軸方 向平行之直線形狀。於各外周緣部412設置有複數個切口部413(第一切口部)，該些複數個切口部413於Y軸方向上隔開間隔而配置。

各切口部413由沿相對於外周緣部412正交之方向(X軸方向)延伸之狹縫構成，但不限於此，例如亦可形成為V字形狀。切口部413之開口寬度以及切入深度不作特別限定，典型而言，形成為能夠供外周緣部412於XY平面內相對容易地彎曲之大小。

與此相對，短邊板部42A、42B各自之內周緣部421具有於Y軸方向上對向且朝向彼此離開之方向凸出之形狀之彎曲部421w(第二彎曲部)。亦即，一短邊板部42A之彎曲部421w於圖3中具有在右方側具有頂點之預定曲率之部分圓弧形狀，另一短邊板部42B之彎曲部421w於圖3中具有在左方側具有頂點之預定曲率之部分圓弧形狀。

本實施形態中，各彎曲部421w跨及板部42A、42B之內周緣部421之整個區域以固定之曲率形成，但不限於此，亦可為由不同曲率之圓弧連續而成之複合形狀。各彎曲部421w之曲率半徑係根據短邊板部42A、42B之長度或線性膨脹係數、平台20處之基板W之加熱溫度等而適當設定。本實施形態中，彎曲部421w具有小於長邊板部 41A、41B之彎曲部411w之曲率半徑。例如，彎曲部421w之曲率半徑約為200000mm，將內周緣部421兩端彼此連結之假想直線Ly與內周緣部421之間之最大距離dy約為1.4mm。

短邊板部42A、42B各自之外周緣部422於Y軸方向上與內周緣部421對向，本實施形態中具有與X軸方向平行之直線形狀。於各外周緣部422設置有複數個切口部423(第二切口部)，該等複數個切口部423於X軸方向上隔開間隔而配置。

各切口部423由沿相對於外周緣部422正交之方向(Y軸方向)延伸之狹縫構成，但不限於此，例如亦可形成為V字形狀。切口部423之開口寬度以及切入深度不作特別限定，典型而言，形成為能夠供外周緣部422於XY平面內相對容易地彎曲之大小。

於遮罩40被支持於平台20上之支持台22之狀態下，長邊板部41A、41B以及短邊板部42A、42B之內周緣部411、421與平台20之支持面21對向，長邊板部41A、41B以及短邊板部42A、42B之外周緣部412、422向平台20之外側突出(參照圖1)。而且，就基板W與遮罩40之重疊而言，各邊(板部41A、41B、42A、42B)之中央部較遮罩40之四角部少。

長邊板部41A、41B以及短邊板部42A、42B分別由單獨之板構件構成。藉此，可抑制於由熱輸入所引起之熱變形時長邊板部41A、41B與短邊板部42A、42B之間之相互干涉。

而且，長邊板部41A、41B以及短邊板部42A、42B具有彼此相同之厚度，長邊板部41A、41B之兩端部重合於短邊板部42A、42B之兩端部。藉此，可防止長邊板部41A、41B與短邊板部42A、42B之分離，維持該些板部之預定之一體關係。

本實施形態中，如圖4所示，長邊板部41A、41B與短邊板部42A、42B相互於板厚方向上對嵌接合。藉此，長邊板部41A、41B之上表面與短邊板部42A、42B之上表面形成於同一平面上，因而可緩和遮罩40之上表面之凹凸。

成膜裝置100具有能夠支持遮罩40之遮罩支持構件50。遮罩支持構件50如圖1以及圖2所示，設置於平台20之周圍。亦即，遮罩支持構件50具有：設置於平台20之周圍之矩形環狀之凸緣部51、設置於凸緣部51之上之矩形環狀之隔熱構件52、以及設置於隔熱構件52之上之矩形環狀之支持部53。

支持部53之外周部較凸緣部51以及隔熱構件52之外周部向更外側突出，藉此，支持部53構成為伴隨平台20之升降而能夠相對於隔熱構件52分離。

亦即，如圖1所示，當平台20位於上升位置時，支持部53載置於隔熱構件52之上。另一方面，如圖2所示，當平台20位於下降位置時，支持部53自隔熱構件52分離，而被設置在真空腔室10之內周面之第二凸緣部14所支持。

進一步，支持部53具有容許與X軸以及Y軸方向平行之面內的遮罩40之熱延伸之構造。亦即，支持部53具有圓柱狀或圓筒狀之複數個定位銷54，該圓柱狀或圓筒狀之複數個定位銷54插通至載置於平台20之支持台22之遮罩40之各板部41A、41B、42A、42B。

遮罩40之長邊板部41A、41B以及短邊板部42A、42B具有能夠供支持部53之複數個定位銷54插通之複數個貫通孔。如圖3所示，長邊板部41A、41B分別具有：主貫通孔41h1(第一主貫通孔)，具有與X軸方向平行之長軸；以及一對輔助貫通孔41h2(第一輔助貫通孔)，具有與Y軸方向平行之長軸且隔著主貫通孔41h1而於Y軸方向上相互對向。

另一方面，短邊板部42A、42B分別具有：主貫通孔 42h1(第二主貫通孔)，具有與Y軸方向平行之長軸；以及一對輔助貫通孔42h2(第二輔助貫通孔)，具有與X軸方向平行之長軸且隔著主貫通孔42h1而於X軸方向上相互對向。

主貫通孔41h1設置於各長邊板部41A、41B之長度方向中央部，一對輔助貫通孔41h2分別設置於各長邊板部41A、41B之長度方向兩端部附近。主貫通孔41h1以及輔助貫通孔41h2分別配置於各長邊板部41A、41B之外周緣部412側。

同樣地，主貫通孔42h1設置於各短邊板部42A、42B之長度方向中央部，一對輔助貫通孔42h2分別設置於各短邊板部42A、42B之長度方向兩端部附近。主貫通孔42h1以及輔助貫通孔42h2分別配置於各短邊板部42A、42B之外周緣部422側。

主貫通孔41h1、42h1以及輔助貫通孔41h2、42h2典型而言，由利用直線將兩個圓弧連結而成的長圓形狀所形成，但亦可為橢圓形狀。

各定位銷54沿Z軸方向貫通各板部41A、41B、42A、42B之主貫通孔41h1、42h1以及輔助貫通孔41h2、42h2，藉此維持遮罩40之預定之框形狀。而且，藉由插通至長邊板部41A、41B之主貫通孔41h1以及短邊板部42A、42B之輔助貫通孔42h2之定位銷54，容許該些各板部之 沿著X軸方向之預定量之相對移動。另一方面，藉由插通至長邊板部41A、41B之輔助貫通孔41h2以及短邊板部42A、42B之主貫通孔42h1之定位銷54，容許該些各板部之沿著Y軸方向之預定量之相對移動。

[成膜裝置之動作]

繼而，對如以上般構成之成膜裝置100之典型動作進行說明。

經由未圖示之搬送機器人而搬入至成膜室11之基板W於載置於處於下降位置(圖2)之平台20之支持面21上之預定位置後，藉由升降單元24之驅動而上升至圖1所示之成膜位置。於平台20之上升之過程中，基板W接近支持部53上之遮罩40，該支持部53被真空腔室10之第二凸緣部14所支持。而且，若平台20之支持面21上之支持台22與遮罩40之下表面接觸，則遮罩40一邊相對於基板W之周緣部維持固定之離開距離一邊與平台20一起上升。進一步，平台20之周緣部之凸緣部51經由隔熱構件52而與支持部53接觸，其後，遮罩支持構件50成為一體而移動至圖1所示之上升位置。

基板W藉由平台20而加熱至預定溫度，成膜室11被減壓至預定壓力。氣體壓頭30將自氣體導入源36經由氣體導入線37而導入之製程氣體經由氣體空間34以及噴 淋板31而供給至成膜室11。氣體壓頭30係自RF電源38被施加高頻電力，與平台20之間產生製程氣體之電容耦合電漿。藉此，製程氣體中之原料氣體分解，堆積於基板W上，藉此進行成膜。

成膜後，停止對氣體壓頭30之氣體供給以及電力供給，平台20開始向圖2所示之下降位置移動。於平台20之下降中途，遮罩40藉由支持部53與第二凸緣部14之抵接作用，而自基板W離開。於平台20之下降位置將已成膜之基板W搬出至真空腔室10之外部，取而代之地，未成膜之基板W被搬入至成膜室11。以後，與上述同樣地執行基板W之成膜處理。

本實施形態中，遮罩40與基板W之周緣部對向而配置，防止膜附著於該周緣部。另一方面，遮罩40藉由來自平台20之熱輻射而加熱。此時，遮罩40之內周緣部411、421位於平台20之正上方，與此相對，遮罩40之外周緣部412、422位於平台20之外側。因此，遮罩40中，於該內周緣部411、421與外周緣部412、422之間產生基於熱輸入量之不同之熱變形。本實施形態中，成膜時之內周緣部411、421之溫度為430℃，外周緣部412、422之溫度為360℃。

構成遮罩40之長邊板部41A、41B以及短邊板部 42A、42B典型而言，係利用來自平台20之放射熱以沿長度方向延伸之方式變形。並且，如上述般，因內周緣部411、421被加熱至較外周緣部412、422高之溫度，故內周緣部411、421之延伸量大於外周緣部412、422之延伸量。結果，構成內周緣部411、421之彎曲部411w、421w以更為直線之形狀之方式變形。作為一例，圖5表示長邊板部41A之變形前後之形態。

而且，構成遮罩40之長邊板部41A、41B以及短邊板部42A、42B藉由遮罩支持構件50之複數個定位銷54，而能夠相對於平台20向水平面內之預定方向相對移動地受到支持。

亦即，長邊板部41A、41B中，該些之中央部藉由主貫通孔41h1之導引作用而能夠沿X軸方向移動地受到支持，該些之兩端部藉由輔助貫通孔41h2之導引作用而能夠沿Y軸方向移動地受到支持。另一方面，短邊板部42A、42B中，該些之中央部藉由主貫通孔42h1之導引作用而能夠沿Y軸方向移動地受到支持，該些之兩端部藉由輔助貫通孔42h2之導引作用而能夠沿X軸方向移動地受到支持。藉此，遮罩40不會妨礙上述熱變形，因此，能夠容易地變形為所期望之形狀。作為一例，圖6表示藉由短邊板部42A的大致中央部處之定位銷54的支持形態。

本實施形態之遮罩40中，長邊板部41A、41B以及短邊板部42A、42B之內周緣部411、421分別具有向遮罩外方凸出之形狀之彎曲部411w、421w。因此，當成膜時發生伴隨來自平台20之熱輸入的彎曲部411w、421w之沿著長度方向之熱延伸時，如圖7中示意性所示，開口部40a之周緣形狀能夠自加熱前之彎曲形狀變形為加熱後之直線形狀。藉此，能夠將基板W之周緣部之膜端之形狀精度維持為所期望之直線形狀，因此，可確保基板W之有效成膜區域，抑制良率之降低。

根據本發明者們之實驗而確認了：與使用了遮罩內周緣部熱變形前之初始形狀為直線狀之遮罩之情況相比，由遮罩引起之基板周緣部之遮蔽寬度之不均大幅改善為1.9mm至0.3mm。

並且，於長邊板部41A、41B以及短邊板部42A、42B之外周緣部412、422設置有複數個切口部413、423，因而，伴隨內周緣部411、421之熱變形的外周緣部412、422之變形將變得容易。藉此，可有效果地防止長邊板部41A、41B以及短邊板部42A、42B之破損。

如以上般，本實施形態之成膜裝置100中，以熱變形後之遮罩40之開口部40a為預定形狀之方式，預先使內 周緣部411、421彎曲。藉此，可一邊維持基板W之周緣部之膜端之形狀精度，一邊防止熱變形引起之遮罩40之破損。

以上，已對本發明之實施形態進行了說明，但本發明不僅限於上述實施形態，當然可添加各種變更。

例如以上之實施形態中，以熱變形後之遮罩40之各內周緣部411、421均成為大致直線之方式決定各彎曲部411w、421w之曲率，但不限於此，即便熱變形後在可維持基板周緣部之膜端之形狀精度的範圍內彎曲亦為可行。

而且，以上之實施形態中，已列舉電漿CVD裝置作為成膜裝置之例進行了說明，但不限於此，本發明亦可應用於濺鍍裝置以及用於該濺鍍裝置之遮罩。而且，本發明之遮罩不僅能夠應用於成膜裝置，亦能夠應用於蝕刻裝置用之遮罩。

40‧‧‧遮罩

40a‧‧‧開口部

41A、41B‧‧‧長邊板部

42A、42B‧‧‧短邊板部

41h1、42h1‧‧‧主貫通孔

41h2、42h2‧‧‧輔助貫通孔

411、421‧‧‧內周緣部

411w、421w‧‧‧彎曲部

412、422‧‧‧外周緣部

413、423‧‧‧切口部

dx、dy‧‧‧假想直線與內周緣部之間之最大距離

Lx、Ly‧‧‧假想直線

X、Y、Z‧‧‧軸

Claims (10)

1. 一種成膜用遮罩，包括：一對第一板部，具有：一對第一內周緣部，分別具有於第一軸方向上對向且朝向彼此離開之方向凸出之形狀之第一彎曲部；及一對第一外周緣部，於前述第一軸方向上分別與前述一對第一內周緣部對向；以及一對第二板部，具有：一對第二內周緣部，分別具有於第二軸方向上對向且朝向彼此離開之方向凸出之形狀之第二彎曲部；及一對第二外周緣部，於前述第二軸方向上分別與前述一對第二內周緣部對向。
2. 如請求項1所記載之成膜用遮罩，其中前述一對第一板部進一步包括複數個第一切口部，前述複數個第一切口部分別設置於前述一對第一外周緣部，於與前述第一軸方向正交之前述第二軸方向上隔開間隔而配置；前述一對第二板部進一步包括複數個第二切口部，前述複數個第二切口部分別設置於前述一對第二外周緣部，於前述第一軸方向上隔開間隔而配置。
3. 如請求項1或2所記載之成膜用遮罩，其中前述一對第一板部以及前述一對第二板部分別由單獨之板構 件構成。
4. 如請求項3所記載之成膜用遮罩，其中前述一對第一板部之兩端部重合於前述一對第二板部之兩端部。
5. 如請求項1至4中任一項所記載之成膜用遮罩，其中前述一對第一板部以及前述一對第二板部由陶瓷材料構成。
6. 一種成膜裝置，包括：真空腔室；平台，配置於前述真空腔室之內部，將基板能夠加熱地加以支持；成膜源，與前述平台對向而配置；以及遮罩，配置於前述平台之周圍，自前述成膜源被覆前述基板之周緣部；前述遮罩包括：一對第一板部，具有：一對第一內周緣部，分別具有於第一軸方向上對向且朝向彼此離開之方向凸出之形狀之第一彎曲部；及一對第一外周緣部，於前述第一軸方向上分別與前述一對第一內周緣部對向；以及一對第二板部，具有：一對第二內周緣部，分別具有於第二軸方向上對向且朝向彼此離開之方向凸出之形狀之第二彎曲部；及 一對第二外周緣部，於前述第二軸方向上分別與前述一對第二內周緣部對向。
7. 如請求項6所記載之成膜裝置，其中前述一對第一板部進一步包括複數個第一切口部，前述複數個第一切口部分別設置於前述一對第一外周緣部，且於與前述第一軸方向正交之前述第二軸方向上隔開間隔而配置；前述一對第二板部進一步包括複數個第二切口部，前述複數個第二切口部分別設置於前述一對第二外周緣部，且於前述第一軸方向上隔開間隔而配置。
8. 如請求項6或7所記載之成膜裝置，其中進一步包括能夠支持前述遮罩之遮罩支持構件；前述遮罩支持構件係設置於前述平台之周圍，且具有容許與前述第一軸方向及前述第二軸方向平行之面內之前述遮罩之熱延伸之支持部。
9. 如請求項8所記載之成膜裝置，其中前述一對第一板部分別包括：第一主貫通孔，具有與前述第一軸方向平行之長軸；及一對第一輔助貫通孔，具有與前述第二軸方向平行之長軸且隔著前述第一主貫通孔而於前述第二軸方向上相互對向；前述支持部包括複數個第一定位銷，前述複數個第一定位銷分別插通至前述第一主貫通孔以及前述 一對第一輔助貫通孔，能夠相對於前述一對第一板部相對移動。
10. 如請求項8或9所記載之成膜裝置，其中前述一對第二板部分別包括：第二主貫通孔，具有與前述第二軸方向平行之長軸；及一對第二輔助貫通孔，具有與前述第一軸方向平行之長軸且隔著前述第二主貫通孔而於前述第一軸方向上相互對向；前述支持部包括複數個第二定位銷，前述複數個第二定位銷分別插通至前述第二主貫通孔以及前述一對第二輔助貫通孔，能夠相對於前述一對第二板部相對移動。