JPH11233291A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 プラズマ処理装置において各種の処理を行う
際に、不必要なプラズマ放電を防止し、安定して均一性
の高い処理が行えるプラズマ処理装置を提供する。 【解決手段】 本発明のプラズマ処理装置は、サセプタ
１３に設けられた孔を貫通するように設けられ、サセプ
タが下降した際にサセプタの上面から突出し、サセプタ
が上昇した際に自重で下降することによりサセプタの孔
に埋没する被処理物１６支持用のサセプタピン１４と、
サセプタピンの昇降方向を案内するサセプタピンガイド
とを備え、サセプタピン１４およびサセプタピンガイド
がセラミックスで形成されたことを特徴とする。
際に、不必要なプラズマ放電を防止し、安定して均一性
の高い処理が行えるプラズマ処理装置を提供する。 【解決手段】 本発明のプラズマ処理装置は、サセプタ
１３に設けられた孔を貫通するように設けられ、サセプ
タが下降した際にサセプタの上面から突出し、サセプタ
が上昇した際に自重で下降することによりサセプタの孔
に埋没する被処理物１６支持用のサセプタピン１４と、
サセプタピンの昇降方向を案内するサセプタピンガイド
とを備え、サセプタピン１４およびサセプタピンガイド
がセラミックスで形成されたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマ処理装置に
関し、特に装置内での不要なプラズマ放電を防止したプ
ラズマ処理装置に関する。
関し、特に装置内での不要なプラズマ放電を防止したプ
ラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマ処理装置は、例えば液晶表示装
置の製造工程においてＣＶＤ装置、ドライエッチング装
置等に用いられている。以下、ＣＶＤ装置を例にとりプ
ラズマ処理装置の説明を行う。従来の枚葉式のプラズマ
ＣＶＤ装置は、内部に反応ガスを導入し基板等の被処理
物表面に成膜を行うチャンバーと、チャンバー内に設け
られた被処理物支持用のサセプタと、サセプタに設けら
れた孔に収容された複数のサセプタピンを有している。
置の製造工程においてＣＶＤ装置、ドライエッチング装
置等に用いられている。以下、ＣＶＤ装置を例にとりプ
ラズマ処理装置の説明を行う。従来の枚葉式のプラズマ
ＣＶＤ装置は、内部に反応ガスを導入し基板等の被処理
物表面に成膜を行うチャンバーと、チャンバー内に設け
られた被処理物支持用のサセプタと、サセプタに設けら
れた孔に収容された複数のサセプタピンを有している。
【０００３】図５は、従来のプラズマＣＶＤ装置に用い
られているサセプタピンの一例を示す断面図である。こ
のサセプタピン１は、ピン本体１ａ、上部シャフト１
ｂ、下部シャフト１ｃ、スプリング１ｄから概略構成さ
れている。ピン本体１ａは、芯部がアルミニウムからな
り、その周囲がアルミナで被覆されている。上部シャフ
ト１ｂはハステロイからなる円柱体で、その上端には拡
径部が設けられている。ピン本体１ａの下端は、上部シ
ャフト１ｂ上端の拡径部に固定されている。下部シャフ
ト１ｃは、セラミックスからなる円柱体であり、その上
部には拡径部が設けられ、その上面には凹部が形成され
ている。上部シャフト１ｂの下端は、下部シャフト１ｃ
に形成された凹部の底面に形成された孔にねじ込まれて
固定されている。上部シャフト１ｂの周囲にはスプリン
グ１ｄが設けられている。
られているサセプタピンの一例を示す断面図である。こ
のサセプタピン１は、ピン本体１ａ、上部シャフト１
ｂ、下部シャフト１ｃ、スプリング１ｄから概略構成さ
れている。ピン本体１ａは、芯部がアルミニウムからな
り、その周囲がアルミナで被覆されている。上部シャフ
ト１ｂはハステロイからなる円柱体で、その上端には拡
径部が設けられている。ピン本体１ａの下端は、上部シ
ャフト１ｂ上端の拡径部に固定されている。下部シャフ
ト１ｃは、セラミックスからなる円柱体であり、その上
部には拡径部が設けられ、その上面には凹部が形成され
ている。上部シャフト１ｂの下端は、下部シャフト１ｃ
に形成された凹部の底面に形成された孔にねじ込まれて
固定されている。上部シャフト１ｂの周囲にはスプリン
グ１ｄが設けられている。
【０００４】また、サセプタピン１は、サセプタ２に設
けられた孔３の内部に収容されている。このサセプタ２
は被処理物を加熱するための加熱板４、ヒーター５、サ
セプタシールド６から構成されている。ヒーター５とサ
セプタシールド６の間には、ヒーター５の加熱による膨
張を考慮してギャップ７が設けられている。孔３の内壁
面にはサセプタピン１の昇降方向を案内するガイド８が
設けられている。
けられた孔３の内部に収容されている。このサセプタ２
は被処理物を加熱するための加熱板４、ヒーター５、サ
セプタシールド６から構成されている。ヒーター５とサ
セプタシールド６の間には、ヒーター５の加熱による膨
張を考慮してギャップ７が設けられている。孔３の内壁
面にはサセプタピン１の昇降方向を案内するガイド８が
設けられている。
【０００５】次に、サセプタピン１の動作について説明
する。図５に示すように、通常の状態においてはスプリ
ング１ｄが伸長しており、ピン本体１ａの先端はサセプ
タ２の孔３の内部に収容されている。シャフト下部１ｃ
が図中下方から押し上げられると、スプリング１ｄが縮
められピン本体１ａの先端がサセプタ２の上面から突出
する。シャフト下部１ｃを押し上げる力を解除すると、
スプリング１ｄが復元し、ピン本体１ａの先端がサセプ
タ２の孔３の内部に収容される。
する。図５に示すように、通常の状態においてはスプリ
ング１ｄが伸長しており、ピン本体１ａの先端はサセプ
タ２の孔３の内部に収容されている。シャフト下部１ｃ
が図中下方から押し上げられると、スプリング１ｄが縮
められピン本体１ａの先端がサセプタ２の上面から突出
する。シャフト下部１ｃを押し上げる力を解除すると、
スプリング１ｄが復元し、ピン本体１ａの先端がサセプ
タ２の孔３の内部に収容される。
【０００６】ここで、従来の枚葉式のプラズマＣＶＤ装
置を用いて被処理物に成膜を行う手順について説明す
る。まず、サセプタピンがサセプタの上面から突出した
状態で、ロボットアーム等により被処理物がチャンバー
内に搬入され、サセプタピン上に支持される。その後、
サセプタピンがサセプタの孔に収容され、被処理物がサ
セプタ上に載置される。次に、被処理物の成膜処理を行
い、成膜処理が終了した後、サセプタピンがサセプタの
上面から突出し、被処理物がサセプタ上からサセプタピ
ン上に移動する。この状態でロボットアーム等により被
処理物が搬出される。
置を用いて被処理物に成膜を行う手順について説明す
る。まず、サセプタピンがサセプタの上面から突出した
状態で、ロボットアーム等により被処理物がチャンバー
内に搬入され、サセプタピン上に支持される。その後、
サセプタピンがサセプタの孔に収容され、被処理物がサ
セプタ上に載置される。次に、被処理物の成膜処理を行
い、成膜処理が終了した後、サセプタピンがサセプタの
上面から突出し、被処理物がサセプタ上からサセプタピ
ン上に移動する。この状態でロボットアーム等により被
処理物が搬出される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来のプラズマＣＶＤ
装置を用いてＣＶＤ反応を行う場合、サセプタピン１の
周辺には上部シャフト１ｂやスプリング１ｄ等の金属部
分が存在するため、プラズマ放電がこれらの金属部分か
ら起こる場合があった。本発明者らは実際にＣＶＤ作業
中にサセプタピンの下方からチャンバーの底面に向けて
プラズマ放電が生じるのを確認している。その結果、反
応生成物がサセプタピンに析出し、サセプタ昇降時のサ
セプタピンの作動不具合が生じるといった装置の動作不
良につながる問題があった。また、被処理物上での膜生
成速度や膜質の低下、面内分布の不均一化等が生じると
いった成膜上の問題も生じていた。さらに、ギャップ７
からプラズマ漏れが生じる恐れもあった。
装置を用いてＣＶＤ反応を行う場合、サセプタピン１の
周辺には上部シャフト１ｂやスプリング１ｄ等の金属部
分が存在するため、プラズマ放電がこれらの金属部分か
ら起こる場合があった。本発明者らは実際にＣＶＤ作業
中にサセプタピンの下方からチャンバーの底面に向けて
プラズマ放電が生じるのを確認している。その結果、反
応生成物がサセプタピンに析出し、サセプタ昇降時のサ
セプタピンの作動不具合が生じるといった装置の動作不
良につながる問題があった。また、被処理物上での膜生
成速度や膜質の低下、面内分布の不均一化等が生じると
いった成膜上の問題も生じていた。さらに、ギャップ７
からプラズマ漏れが生じる恐れもあった。
【０００８】以上、ＣＶＤ装置について説明したが、ド
ライエッチング装置においても同様なサセプタピンの構
造からプラズマ放電が起こり、安定したエッチングが行
えない等の同様の問題が懸念されている。上記の点に鑑
み、本発明は、プラズマ処理装置において各種の処理を
行う際に、不必要なプラズマ放電を防止し、安定して均
一性の高い処理が行えるプラズマ処理装置を提供するこ
とをその目的とする。
ライエッチング装置においても同様なサセプタピンの構
造からプラズマ放電が起こり、安定したエッチングが行
えない等の同様の問題が懸念されている。上記の点に鑑
み、本発明は、プラズマ処理装置において各種の処理を
行う際に、不必要なプラズマ放電を防止し、安定して均
一性の高い処理が行えるプラズマ処理装置を提供するこ
とをその目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係るプラズマ処
理装置は、サセプタに設けられた孔を貫通するように設
けられ、サセプタが下降した際にサセプタの上面から突
出し、サセプタが上昇した際に自重で下降することによ
りサセプタの孔に埋没する被処理物支持用のサセプタピ
ンと、サセプタピンの昇降方向を案内するガイドとを備
え、サセプタピンおよびガイドがセラミックスで形成さ
れたことを特徴とする。サセプタピンを絶縁性のセラミ
ックスで構成することで、サセプタピンからのプラズマ
放電を防止するとともに、サセプタピンへの反応生成物
の析出を防止することができる。また、サセプタの上昇
に伴ってサセプタピンが自重で下降するため、従来サセ
プタ上昇時にサセプタピンの位置を初期状態に戻すため
に用いていたスプリングを不要とすることができ、スプ
リングからのプラズマ放電を防止することができる。さ
らに、セラミックス製のガイドを備えることで、ガイド
とサセプタピンとの間の電界も緩和でき、より放電防止
に効果的である。ここで、セラミックスとして使用可能
な材料としては、アルミナ、石英ガラス、アルミナイト
ライド等を例示することができる。
理装置は、サセプタに設けられた孔を貫通するように設
けられ、サセプタが下降した際にサセプタの上面から突
出し、サセプタが上昇した際に自重で下降することによ
りサセプタの孔に埋没する被処理物支持用のサセプタピ
ンと、サセプタピンの昇降方向を案内するガイドとを備
え、サセプタピンおよびガイドがセラミックスで形成さ
れたことを特徴とする。サセプタピンを絶縁性のセラミ
ックスで構成することで、サセプタピンからのプラズマ
放電を防止するとともに、サセプタピンへの反応生成物
の析出を防止することができる。また、サセプタの上昇
に伴ってサセプタピンが自重で下降するため、従来サセ
プタ上昇時にサセプタピンの位置を初期状態に戻すため
に用いていたスプリングを不要とすることができ、スプ
リングからのプラズマ放電を防止することができる。さ
らに、セラミックス製のガイドを備えることで、ガイド
とサセプタピンとの間の電界も緩和でき、より放電防止
に効果的である。ここで、セラミックスとして使用可能
な材料としては、アルミナ、石英ガラス、アルミナイト
ライド等を例示することができる。
【００１０】上記サセプタピンはピン本体とピン本体を
伸縮調節自在に嵌合したシャフトとで構成することがで
きる。その場合、ピン本体とシャフトの嵌合具合を調節
し、サセプタピンの高さを調整できるとともに、ピン本
体が損傷した場合でも容易にピン本体だけを交換して修
復することができる。また、シャフトにその一部が拡径
された拡径部を設け、ガイドを上部ガイドとこの上部ガ
イドに着脱自在に取り付けられた下部ガイドとから構成
し、この下部ガイドにサセプタピンが下降した際にシャ
フトを当接支持するストッパを設けた構造としてもよ
い。このようにガイドを上部、下部に分割した構造とす
ることで、シャフトに拡径部が設けられたサセプタピン
をサセプタに容易に取り付けることができる。
伸縮調節自在に嵌合したシャフトとで構成することがで
きる。その場合、ピン本体とシャフトの嵌合具合を調節
し、サセプタピンの高さを調整できるとともに、ピン本
体が損傷した場合でも容易にピン本体だけを交換して修
復することができる。また、シャフトにその一部が拡径
された拡径部を設け、ガイドを上部ガイドとこの上部ガ
イドに着脱自在に取り付けられた下部ガイドとから構成
し、この下部ガイドにサセプタピンが下降した際にシャ
フトを当接支持するストッパを設けた構造としてもよ
い。このようにガイドを上部、下部に分割した構造とす
ることで、シャフトに拡径部が設けられたサセプタピン
をサセプタに容易に取り付けることができる。
【００１１】また、サセプタとガイドとサセプタの下側
に設けられたサセプタシールドとにより形成される空隙
にプラズマ漏洩防止部材を設けるとよい。これにより、
従来の構造ではプラズマ漏れの恐れのあったギャップを
プラズマ漏洩防止部材により封止することで、プラズマ
処理時に漏れを起こすことはない。さらに、サセプタピ
ンの上端にこのサセプタピンが下降した際にサセプタの
孔を塞ぐキャップを設けることが好ましい。これによ
り、サセプタピンが挿通する孔の中に塵埃や反応生成物
の破片等を入りにくくしてサセプタピンの作動信頼性を
向上させることができる。またそれと同時に、サセプタ
ピンが下降した状態でキャップがサセプタと電気的に接
触するように構成することで、キャップとサセプタの電
位を接触時に等しくすることができ、その結果キャップ
とサセプタ間の放電を防止することができる。
に設けられたサセプタシールドとにより形成される空隙
にプラズマ漏洩防止部材を設けるとよい。これにより、
従来の構造ではプラズマ漏れの恐れのあったギャップを
プラズマ漏洩防止部材により封止することで、プラズマ
処理時に漏れを起こすことはない。さらに、サセプタピ
ンの上端にこのサセプタピンが下降した際にサセプタの
孔を塞ぐキャップを設けることが好ましい。これによ
り、サセプタピンが挿通する孔の中に塵埃や反応生成物
の破片等を入りにくくしてサセプタピンの作動信頼性を
向上させることができる。またそれと同時に、サセプタ
ピンが下降した状態でキャップがサセプタと電気的に接
触するように構成することで、キャップとサセプタの電
位を接触時に等しくすることができ、その結果キャップ
とサセプタ間の放電を防止することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面により本発明について
詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態例のみに
限定されるものではない。図１は本実施の形態のプラズ
マＣＶＤ装置（プラズマ処理装置）を示す断面図であ
り、図２は、本プラズマＣＶＤ装置のサセプタピン部分
を示す断面図である。図１に示すように、このプラズマ
ＣＶＤ装置１０は、チャンバー１１、ＲＦ電極１２、サ
セプタ１３、サセプタピン１４およびチャンバー１１内
の減圧状態を保ちながらサセプタ１３を上下動させるた
めのベローズ１５から概略構成されている。
詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態例のみに
限定されるものではない。図１は本実施の形態のプラズ
マＣＶＤ装置（プラズマ処理装置）を示す断面図であ
り、図２は、本プラズマＣＶＤ装置のサセプタピン部分
を示す断面図である。図１に示すように、このプラズマ
ＣＶＤ装置１０は、チャンバー１１、ＲＦ電極１２、サ
セプタ１３、サセプタピン１４およびチャンバー１１内
の減圧状態を保ちながらサセプタ１３を上下動させるた
めのベローズ１５から概略構成されている。
【００１３】チャンバー１１は、中空の直方体状の形状
であり、その上部にＲＦ電極１２が設置されている。サ
セプタ１３は、チャンバー１１の内部に収容される直方
体状のステージ１３ａと、ステージ１３ａの下面に設け
られ、チャンバー１１の底板を貫通してチャンバー１１
外部に延びるサセプタシャフト１３ｂから構成されてい
る。ステージ１３ａの上面には基板１６（被処理物）が
保持されるようになっている。また、ステージ１３ａ上
の基板１６が配置される部分にはその厚み方向に貫通す
る複数個の孔部が設けられ、これらの孔部内にはサセプ
タピン１４、１４…がそれぞれ設けられている。チャン
バー１１には図示しないガス導入口が設けられ成膜に使
用するガスを導入できるようになっている。
であり、その上部にＲＦ電極１２が設置されている。サ
セプタ１３は、チャンバー１１の内部に収容される直方
体状のステージ１３ａと、ステージ１３ａの下面に設け
られ、チャンバー１１の底板を貫通してチャンバー１１
外部に延びるサセプタシャフト１３ｂから構成されてい
る。ステージ１３ａの上面には基板１６（被処理物）が
保持されるようになっている。また、ステージ１３ａ上
の基板１６が配置される部分にはその厚み方向に貫通す
る複数個の孔部が設けられ、これらの孔部内にはサセプ
タピン１４、１４…がそれぞれ設けられている。チャン
バー１１には図示しないガス導入口が設けられ成膜に使
用するガスを導入できるようになっている。
【００１４】図２に示すように、サセプタピン１４はピ
ン本体２２とシャフト２３から概略構成されている。ピ
ン本体２２とシャフト２３はともにアルミナで構成さ
れ、ピン本体２２の下端はシャフト２３の上端に設けら
れた孔に伸縮調節自在に嵌合されている。
ン本体２２とシャフト２３から概略構成されている。ピ
ン本体２２とシャフト２３はともにアルミナで構成さ
れ、ピン本体２２の下端はシャフト２３の上端に設けら
れた孔に伸縮調節自在に嵌合されている。
【００１５】サセプタピン１４は、加熱板２５、ヒータ
ー２６、サセプタシールド２７からなるサセプタ１３に
設けられた孔２８に収容されており、シャフト２３はサ
セプタ１３が上昇した状態で孔２８内を自重で下降する
だけの重量を持っている。孔２８の内壁面にはサセプタ
ピン１４の昇降方向を案内するアルミナ製の上部ガイド
３０および下部ガイド３１が備えられており、上部ガイ
ド３０と下部ガイド３１でガイド３２を構成している。
下部ガイド３１は上部ガイド３０に螺着され着脱自在に
取り付けられている。この下部ガイド３１の下端には孔
２８の内部に向けて突出するストッパ３１ａが備えられ
ており、ストッパ３１ａはシャフト２３の中央部付近に
設けられた拡径部２３ａを当接支持するようになってい
る。
ー２６、サセプタシールド２７からなるサセプタ１３に
設けられた孔２８に収容されており、シャフト２３はサ
セプタ１３が上昇した状態で孔２８内を自重で下降する
だけの重量を持っている。孔２８の内壁面にはサセプタ
ピン１４の昇降方向を案内するアルミナ製の上部ガイド
３０および下部ガイド３１が備えられており、上部ガイ
ド３０と下部ガイド３１でガイド３２を構成している。
下部ガイド３１は上部ガイド３０に螺着され着脱自在に
取り付けられている。この下部ガイド３１の下端には孔
２８の内部に向けて突出するストッパ３１ａが備えられ
ており、ストッパ３１ａはシャフト２３の中央部付近に
設けられた拡径部２３ａを当接支持するようになってい
る。
【００１６】ヒーター２６、サセプタシールド２７、下
部ガイド３１により形成される空隙にはプラズマ漏洩防
止部材３３が充填され、プラズマ漏洩を防止し、ヒータ
ー２６が膨張した際の緩衝材の役目をはたすと同時に、
絶縁状態を保持するようになっている。このプラズマ漏
洩防止部材３３は、アルミナやアルミナイトライド等の
セラミックスから構成されている。
部ガイド３１により形成される空隙にはプラズマ漏洩防
止部材３３が充填され、プラズマ漏洩を防止し、ヒータ
ー２６が膨張した際の緩衝材の役目をはたすと同時に、
絶縁状態を保持するようになっている。このプラズマ漏
洩防止部材３３は、アルミナやアルミナイトライド等の
セラミックスから構成されている。
【００１７】図３は本装置のサセプタピンの先端部分を
示す断面図である。サセプタピン１４のピン本体２２の
先端部分には孔２８の開口部を塞ぐようにキャップ２４
が設けられている。キャップ２４は芯部がアルミニウム
からなり、その周囲がアルミナ２４ａで被覆されてお
り、その底面に設けられた凹部にピン本体２２の上端が
嵌合されている。加熱板２５も同様にアルミニウムの周
囲がアルミナ２５ａで被覆されている。また、図３に示
すように、キャップ２４と加熱板２５の接触部分はアル
ミナで被覆されず、アルミニウムの面同士が直接接触す
るようになっている。
示す断面図である。サセプタピン１４のピン本体２２の
先端部分には孔２８の開口部を塞ぐようにキャップ２４
が設けられている。キャップ２４は芯部がアルミニウム
からなり、その周囲がアルミナ２４ａで被覆されてお
り、その底面に設けられた凹部にピン本体２２の上端が
嵌合されている。加熱板２５も同様にアルミニウムの周
囲がアルミナ２５ａで被覆されている。また、図３に示
すように、キャップ２４と加熱板２５の接触部分はアル
ミナで被覆されず、アルミニウムの面同士が直接接触す
るようになっている。
【００１８】次に、サセプタ１３移動時のサセプタピン
１４の動きについて図１、図２および図４を用いて説明
する。初期状態では、サセプタピン１４は図４に示すよ
うな状態にある。すなわち、サセプタ１３が下降した状
態ではサセプタピン１４のシャフト２３の下面がチャン
バー１１の底板に当接するため、サセプタピン１４はサ
セプタ１３の上面から突出した状態になっている。この
状態においてロボットアーム等を用いて基板１６の搬入
が行われる。図４の状態から、サセプタ１３が上昇する
と、サセプタピン１４はその自重によりガイド３２に案
内され孔２８内を降下していく。すると、図２に示すよ
うにシャフト２３の拡径部２３ａがストッパ３１ａに当
接支持され、キャップ２４が孔２８の上端開口部を塞ぐ
と同時に、基板１６がサセプタ１３上にセットされる。
１４の動きについて図１、図２および図４を用いて説明
する。初期状態では、サセプタピン１４は図４に示すよ
うな状態にある。すなわち、サセプタ１３が下降した状
態ではサセプタピン１４のシャフト２３の下面がチャン
バー１１の底板に当接するため、サセプタピン１４はサ
セプタ１３の上面から突出した状態になっている。この
状態においてロボットアーム等を用いて基板１６の搬入
が行われる。図４の状態から、サセプタ１３が上昇する
と、サセプタピン１４はその自重によりガイド３２に案
内され孔２８内を降下していく。すると、図２に示すよ
うにシャフト２３の拡径部２３ａがストッパ３１ａに当
接支持され、キャップ２４が孔２８の上端開口部を塞ぐ
と同時に、基板１６がサセプタ１３上にセットされる。
【００１９】さらにサセプタ１３を上昇させ、図１に示
すように基板１６をＲＦ電極１２に近接させ、所定の距
離に保持する。この状態で成膜処理を行う。成膜処理終
了後、サセプタ１３がチャンバー１１内を下降すると、
サセプタピン１４のシャフト２３の下端がチャンバー１
１の底板に当接する。さらにサセプタ１３がチャンバー
１１内を下降すると、サセプタピン１４はガイド３２に
案内され孔２８内を上昇する。これにより図４に示すよ
うにサセプタピン１４が基板１６をサセプタ１３から持
ち上げ、基板１６とサセプタ１３が離間する。この状態
でロボットアーム等を用いて基板１６の搬出が行われ
る。
すように基板１６をＲＦ電極１２に近接させ、所定の距
離に保持する。この状態で成膜処理を行う。成膜処理終
了後、サセプタ１３がチャンバー１１内を下降すると、
サセプタピン１４のシャフト２３の下端がチャンバー１
１の底板に当接する。さらにサセプタ１３がチャンバー
１１内を下降すると、サセプタピン１４はガイド３２に
案内され孔２８内を上昇する。これにより図４に示すよ
うにサセプタピン１４が基板１６をサセプタ１３から持
ち上げ、基板１６とサセプタ１３が離間する。この状態
でロボットアーム等を用いて基板１６の搬出が行われ
る。
【００２０】本実施の形態のプラズマＣＶＤ装置１０
は、サセプタピン１４を構成する部材全てを絶縁性のア
ルミナで構成したので、サセプタピン１４からのプラズ
マ放電を防止することができる。また、サセプタ１３の
上昇に伴ってサセプタピン１４が自重で下降するため、
従来サセプタ１３上昇時にサセプタピン１４の位置を初
期状態に戻すために用いていたスプリングを不要とする
ことができる。これにより、サセプタピン１４の周辺の
金属製の部品を排除することができ、サセプタピン１４
の周辺でのプラズマ放電を防止するとともに、サセプタ
ピン１４への反応生成物の析出を防止することができ
る。このため、サセプタ１３昇降時のサセプタピン１４
の作動不具合が生じるといった装置の動作不良が起こる
ことはない。従って、装置のメンテナンスに要する時間
や手間を削減することができる。
は、サセプタピン１４を構成する部材全てを絶縁性のア
ルミナで構成したので、サセプタピン１４からのプラズ
マ放電を防止することができる。また、サセプタ１３の
上昇に伴ってサセプタピン１４が自重で下降するため、
従来サセプタ１３上昇時にサセプタピン１４の位置を初
期状態に戻すために用いていたスプリングを不要とする
ことができる。これにより、サセプタピン１４の周辺の
金属製の部品を排除することができ、サセプタピン１４
の周辺でのプラズマ放電を防止するとともに、サセプタ
ピン１４への反応生成物の析出を防止することができ
る。このため、サセプタ１３昇降時のサセプタピン１４
の作動不具合が生じるといった装置の動作不良が起こる
ことはない。従って、装置のメンテナンスに要する時間
や手間を削減することができる。
【００２１】また、サセプタピン１４およびその周辺で
のプラズマ放電を防止することにより、基板１６上での
膜生成速度や膜質の低下、面内分布の不均一化等が生じ
るといった成膜上の問題が起こることはない。これによ
り、製品の歩留まりを向上させることができる。さら
に、アルミナ製のガイド３２を備えることで、ガイド３
２とサセプタピン１４との間の電界も緩和でき、より放
電防止に効果的である。
のプラズマ放電を防止することにより、基板１６上での
膜生成速度や膜質の低下、面内分布の不均一化等が生じ
るといった成膜上の問題が起こることはない。これによ
り、製品の歩留まりを向上させることができる。さら
に、アルミナ製のガイド３２を備えることで、ガイド３
２とサセプタピン１４との間の電界も緩和でき、より放
電防止に効果的である。
【００２２】サセプタピン１４がピン本体２２とピン本
体２２を伸縮調節自在に嵌合したシャフト２３とからな
ることで、ピン本体２２とシャフト２３の嵌合具合を調
節し、サセプタピン１４の高さを調整できるとともに、
ピン本体２２が損傷した場合でも容易にピン本体２２だ
けを交換して修復することができる。また、本実施の形
態のプラズマＣＶＤ装置１０は、下部ガイド３１が上部
ガイド３０に着脱自在に取り付けられているので、シャ
フト２３に拡径部２３ａが設けられていても、先に上部
ガイド３０内にシャフト２３を収納し、その後下部ガイ
ド３１を上部ガイド３０に取り付けるという手順をとる
ことで、容易に装置の組立を行うことができる。
体２２を伸縮調節自在に嵌合したシャフト２３とからな
ることで、ピン本体２２とシャフト２３の嵌合具合を調
節し、サセプタピン１４の高さを調整できるとともに、
ピン本体２２が損傷した場合でも容易にピン本体２２だ
けを交換して修復することができる。また、本実施の形
態のプラズマＣＶＤ装置１０は、下部ガイド３１が上部
ガイド３０に着脱自在に取り付けられているので、シャ
フト２３に拡径部２３ａが設けられていても、先に上部
ガイド３０内にシャフト２３を収納し、その後下部ガイ
ド３１を上部ガイド３０に取り付けるという手順をとる
ことで、容易に装置の組立を行うことができる。
【００２３】本実施の形態のプラズマＣＶＤ装置１０
は、サセプタ１３とガイド３２とサセプタシールド２７
とにより形成される空隙にプラズマ漏洩防止部材３３が
設けられているので、従来の構造においてはプラズマ漏
れの恐れのあった空隙をプラズマ漏洩防止部材３３によ
り封止することで、空隙からのプラズマ漏洩を防止する
ことができる。さらに、サセプタピン１４の上端にこの
サセプタピン１４が下降した際に孔２８を塞ぐキャップ
２４が設けられることで、孔２８の中に塵埃や反応生成
物の破片等を入りにくくしてサセプタピン１４の作動信
頼性を向上させることができる。また、サセプタピン１
４が下降した状態でキャップ２４が加熱板２５と電気的
に接触するように構成することで、キャップ２４と加熱
板２５の電位が接触時に等しくなり、両者間の放電を防
ぐことができる。
は、サセプタ１３とガイド３２とサセプタシールド２７
とにより形成される空隙にプラズマ漏洩防止部材３３が
設けられているので、従来の構造においてはプラズマ漏
れの恐れのあった空隙をプラズマ漏洩防止部材３３によ
り封止することで、空隙からのプラズマ漏洩を防止する
ことができる。さらに、サセプタピン１４の上端にこの
サセプタピン１４が下降した際に孔２８を塞ぐキャップ
２４が設けられることで、孔２８の中に塵埃や反応生成
物の破片等を入りにくくしてサセプタピン１４の作動信
頼性を向上させることができる。また、サセプタピン１
４が下降した状態でキャップ２４が加熱板２５と電気的
に接触するように構成することで、キャップ２４と加熱
板２５の電位が接触時に等しくなり、両者間の放電を防
ぐことができる。
【００２４】なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。例
えば本実施の形態ではプラズマ漏洩防止部材３３は、ア
ルミナやアルミナイトライド等のセラミックスから構成
されているが、これ以外にも石英ガラス、アルミナ溶射
膜（ローカイドコード）等の材料を用いても差し支えな
い。また、上記の説明はＣＶＤ装置を用いて行ったが、
その他ドライエッチング装置等にも本発明のサセプタ部
の構成を適用することができる。
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。例
えば本実施の形態ではプラズマ漏洩防止部材３３は、ア
ルミナやアルミナイトライド等のセラミックスから構成
されているが、これ以外にも石英ガラス、アルミナ溶射
膜（ローカイドコード）等の材料を用いても差し支えな
い。また、上記の説明はＣＶＤ装置を用いて行ったが、
その他ドライエッチング装置等にも本発明のサセプタ部
の構成を適用することができる。
【００２５】
【発明の効果】上述のごとく、本発明のプラズマ処理装
置は、サセプタピンおよびガイドを絶縁性のセラミック
スで構成することで、サセプタピンおよびその周辺での
プラズマ放電を防止するとともに、サセプタピンへの反
応生成物の析出を防止することができる。このため、サ
セプタ昇降時のサセプタピンの作動不具合が生じるとい
った装置の動作不良が起こることはない。従って、装置
のメンテナンスに要する時間や手間を削減することがで
きる。
置は、サセプタピンおよびガイドを絶縁性のセラミック
スで構成することで、サセプタピンおよびその周辺での
プラズマ放電を防止するとともに、サセプタピンへの反
応生成物の析出を防止することができる。このため、サ
セプタ昇降時のサセプタピンの作動不具合が生じるとい
った装置の動作不良が起こることはない。従って、装置
のメンテナンスに要する時間や手間を削減することがで
きる。
【００２６】また、サセプタピンおよびその周辺でのプ
ラズマ放電を防止することにより、被処理物上での処理
速度や膜質の低下、面内分布の不均一化等が生じるとい
った処理上の問題が起こることはない。これにより、製
品の歩留まりを向上させることができる。
ラズマ放電を防止することにより、被処理物上での処理
速度や膜質の低下、面内分布の不均一化等が生じるとい
った処理上の問題が起こることはない。これにより、製
品の歩留まりを向上させることができる。
【００２７】上記サセプタピンをピン本体とシャフトと
で構成した場合、サセプタピンの高さを調整できるとと
もに、ピン本体が損傷した場合でも容易にピン本体だけ
を交換して修復することができる。また、ガイドを上部
ガイドと下部ガイドとから構成し、下部ガイドを上部ガ
イドに着脱自在とすることで、シャフトに拡径部の設け
られたサセプタピンをサセプタに容易に取り付けること
ができる。
で構成した場合、サセプタピンの高さを調整できるとと
もに、ピン本体が損傷した場合でも容易にピン本体だけ
を交換して修復することができる。また、ガイドを上部
ガイドと下部ガイドとから構成し、下部ガイドを上部ガ
イドに着脱自在とすることで、シャフトに拡径部の設け
られたサセプタピンをサセプタに容易に取り付けること
ができる。
【００２８】また、サセプタとガイドとサセプタシール
ドとにより形成される空隙にプラズマ漏洩防止部材を設
けることで、プラズマ漏れを起こすことはない。さら
に、サセプタピンの上端にキャップを設けることで、サ
セプタピンの作動信頼性を向上させるとともに、サセプ
タピンが下降した状態でキャップがサセプタと電気的に
接触するように構成することで、キャップとサセプタ間
の放電を防止することができる。
ドとにより形成される空隙にプラズマ漏洩防止部材を設
けることで、プラズマ漏れを起こすことはない。さら
に、サセプタピンの上端にキャップを設けることで、サ
セプタピンの作動信頼性を向上させるとともに、サセプ
タピンが下降した状態でキャップがサセプタと電気的に
接触するように構成することで、キャップとサセプタ間
の放電を防止することができる。
【図１】 本実施の形態のプラズマＣＶＤ装置を示す断
面図である。
面図である。
【図２】 本プラズマＣＶＤ装置のサセプタピン部分を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】 本装置のサセプタピンの先端部分を示す断面
図である。
図である。
【図４】 本装置のサセプタピン部分の動きを示す断面
図である。
図である。
【図５】 従来のプラズマＣＶＤ装置に用いられている
サセプタピンの一例を示す断面図である。
サセプタピンの一例を示す断面図である。
１０ プラズマＣＶＤ装置 １３ サセプタ １３ａ ステージ １３ｂ サセプタシャフト １４ サセプタピン １６ 基板（被処理物） ２２ ピン本体 ２３ シャフト ２３ａ 拡径部 ２４ キャップ ２５ 加熱板 ２６ ヒーター ２７ サセプタシールド ２８ 孔 ３０ 上部ガイド ３１ 下部ガイド ３１ａ ストッパ ３２ ガイド ３３ プラズマ漏洩防止部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ // Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ (72)発明者 仲野 陽 宮城県仙台市泉区明通三丁目31番地 株式 会社フロンテック内 (72)発明者 石川 道夫 千葉県山武郡山武町横田523 日本真空技 術株式会社千葉超材料研究所内 (72)発明者 橋本 征典 千葉県山武郡山武町横田523 日本真空技 術株式会社千葉超材料研究所内 (72)発明者 森 勝彦 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内 (72)発明者 黒川 邦明 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内 (72)発明者 新井 進 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 サセプタに設けられた孔を貫通するよう
に設けられ、前記サセプタが下降した際に前記サセプタ
の上面から突出し、前記サセプタが上昇した際に自重で
下降することにより前記サセプタの孔に埋没する被処理
物支持用のサセプタピンと、前記サセプタピンの昇降方
向を案内するガイドとを備え、前記サセプタピンおよび
ガイドがセラミックスで形成されたことを特徴とするプ
ラズマ処理装置。 - 【請求項２】 前記サセプタピンがピン本体と該ピン本
体を伸縮調節自在に嵌合したシャフトとからなることを
特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 前記シャフトにその一部が拡径された拡
径部が設けられ、前記ガイドが上部ガイドと該上部ガイ
ドに着脱自在に取り付けられた下部ガイドとからなり、
該下部ガイドに前記サセプタピンが下降した際に前記シ
ャフトを当接支持するストッパが設けられたことを特徴
とする請求項２記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項４】 前記サセプタと前記ガイドと前記サセプ
タの下側に設けられたサセプタシールドとにより形成さ
れる空隙にプラズマ漏洩防止部材が設けられたことを特
徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項５】 前記サセプタピンの上端に該サセプタピ
ンが下降した際にサセプタの前記孔を塞ぐキャップが設
けられ、前記サセプタピンが下降した状態で前記キャッ
プが前記サセプタと電気的に接触することを特徴とする
請求項１記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03518998A JP3602324B2 (ja) | 1998-02-17 | 1998-02-17 | プラズマ処理装置 |
| US09/246,245 US6148762A (en) | 1998-02-17 | 1999-02-08 | Plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03518998A JP3602324B2 (ja) | 1998-02-17 | 1998-02-17 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233291A true JPH11233291A (ja) | 1999-08-27 |
| JP3602324B2 JP3602324B2 (ja) | 2004-12-15 |
Family
ID=12434916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03518998A Expired - Fee Related JP3602324B2 (ja) | 1998-02-17 | 1998-02-17 | プラズマ処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6148762A (ja) |
| JP (1) | JP3602324B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009016870A1 (ja) * | 2007-08-01 | 2009-02-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | 加熱処理装置および加熱処理方法 |
| JP2010050483A (ja) * | 2001-12-25 | 2010-03-04 | Tokyo Electron Ltd | 受け渡し機構及び処理装置 |
| US7894059B2 (en) | 1999-06-15 | 2011-02-22 | Tokyo Electron Limited | Film formation processing apparatus and method for determining an end-point of a cleaning process |
| JP2018006362A (ja) * | 2016-06-27 | 2018-01-11 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| KR20180008112A (ko) * | 2016-07-15 | 2018-01-24 | 심경식 | 기판지지용 롤러 부싱 |
| CN110648958A (zh) * | 2019-09-26 | 2020-01-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板支撑台以及基板制备装置 |
| WO2022055736A1 (en) * | 2020-09-08 | 2022-03-17 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chambers for deposition and etch |
| WO2022055718A1 (en) * | 2020-09-08 | 2022-03-17 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chambers for deposition and etch |
| US11615966B2 (en) | 2020-07-19 | 2023-03-28 | Applied Materials, Inc. | Flowable film formation and treatments |
Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3398936B2 (ja) * | 1999-04-09 | 2003-04-21 | 日本エー・エス・エム株式会社 | 半導体処理装置 |
| KR100422199B1 (ko) * | 2001-05-04 | 2004-03-12 | 주성엔지니어링(주) | 반도체 소자 제조장치 |
| KR100666764B1 (ko) * | 2001-10-16 | 2007-01-09 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 피처리체 승강기구 및 이를 사용한 처리장치 |
| KR20030039247A (ko) * | 2001-11-12 | 2003-05-17 | 주성엔지니어링(주) | 서셉터 |
| JP4354243B2 (ja) * | 2003-04-21 | 2009-10-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の昇降機構及び処理装置 |
| TWI253676B (en) * | 2005-01-14 | 2006-04-21 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | A pin set for a reactor |
| US20060156981A1 (en) * | 2005-01-18 | 2006-07-20 | Kyle Fondurulia | Wafer support pin assembly |
| CN100371783C (zh) * | 2005-01-27 | 2008-02-27 | 中华映管股份有限公司 | 反应室的顶升栓装置 |
| JP4687534B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2011-05-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の載置機構及び基板処理装置 |
| WO2007077765A1 (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | ステージ装置及びプラズマ処理装置 |
| JP5148955B2 (ja) * | 2007-09-11 | 2013-02-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置機構及び基板処理装置 |
| US20090314211A1 (en) * | 2008-06-24 | 2009-12-24 | Applied Materials, Inc. | Big foot lift pin |
| US20100101491A1 (en) * | 2008-10-29 | 2010-04-29 | Asm Japan K.K. | Wafer lift pins suspended and supported at underside of susceptor |
| US9011602B2 (en) * | 2009-01-29 | 2015-04-21 | Lam Research Corporation | Pin lifting system |
| AT11604U1 (de) * | 2009-08-20 | 2011-01-15 | Aichholzer Johann Ing | Träger für wafer |
| JP6017328B2 (ja) * | 2013-01-22 | 2016-10-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及びプラズマ処理装置 |
| US10857655B2 (en) * | 2013-03-13 | 2020-12-08 | Applied Materials, Inc. | Substrate support plate with improved lift pin sealing |
| US10195704B2 (en) * | 2013-03-15 | 2019-02-05 | Infineon Technologies Ag | Lift pin for substrate processing |
| CN104752303A (zh) * | 2013-12-31 | 2015-07-01 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种举升装置、反应腔室及等离子体加工设备 |
| US10892180B2 (en) * | 2014-06-02 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Lift pin assembly |
| US10192770B2 (en) * | 2014-10-03 | 2019-01-29 | Applied Materials, Inc. | Spring-loaded pins for susceptor assembly and processing methods using same |
| CN105118803B (zh) * | 2015-08-21 | 2019-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 顶针机构及支撑装置 |
| DE102016212780A1 (de) * | 2016-07-13 | 2018-01-18 | Siltronic Ag | Vorrichtung zur Handhabung einer Halbleiterscheibe in einem Epitaxie-Reaktor und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit epitaktischer Schicht |
| US10460977B2 (en) * | 2016-09-29 | 2019-10-29 | Lam Research Corporation | Lift pin holder with spring retention for substrate processing systems |
| US10262887B2 (en) * | 2016-10-20 | 2019-04-16 | Lam Research Corporation | Pin lifter assembly with small gap |
| TWI749231B (zh) * | 2017-05-25 | 2021-12-11 | 日商日本碍子股份有限公司 | 晶圓基座 |
| US11004722B2 (en) | 2017-07-20 | 2021-05-11 | Applied Materials, Inc. | Lift pin assembly |
| US10755955B2 (en) * | 2018-02-12 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Substrate transfer mechanism to reduce back-side substrate contact |
| JP2021012944A (ja) * | 2019-07-05 | 2021-02-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板の受け渡し方法 |
| JP2021097162A (ja) * | 2019-12-18 | 2021-06-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び載置台 |
| US20210358797A1 (en) * | 2020-05-15 | 2021-11-18 | Applied Materials, Inc. | Floating pin for substrate transfer |
| TW202221833A (zh) * | 2020-10-19 | 2022-06-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 載置台及基板處理裝置 |
| USD980884S1 (en) | 2021-03-02 | 2023-03-14 | Applied Materials, Inc. | Lift pin |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5558717A (en) * | 1994-11-30 | 1996-09-24 | Applied Materials | CVD Processing chamber |
| US5935334A (en) * | 1996-11-13 | 1999-08-10 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing apparatus with bottom-mounted remote plasma system |
| US5848670A (en) * | 1996-12-04 | 1998-12-15 | Applied Materials, Inc. | Lift pin guidance apparatus |
-
1998
- 1998-02-17 JP JP03518998A patent/JP3602324B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-02-08 US US09/246,245 patent/US6148762A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7894059B2 (en) | 1999-06-15 | 2011-02-22 | Tokyo Electron Limited | Film formation processing apparatus and method for determining an end-point of a cleaning process |
| US7931945B2 (en) | 1999-06-15 | 2011-04-26 | Tokyo Electron Limited | Film forming method |
| US8100147B2 (en) | 1999-06-15 | 2012-01-24 | Tokyo Electron Limited | Particle-measuring system and particle-measuring method |
| JP2010050483A (ja) * | 2001-12-25 | 2010-03-04 | Tokyo Electron Ltd | 受け渡し機構及び処理装置 |
| WO2009016870A1 (ja) * | 2007-08-01 | 2009-02-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | 加熱処理装置および加熱処理方法 |
| JP2018006362A (ja) * | 2016-06-27 | 2018-01-11 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| KR20180008112A (ko) * | 2016-07-15 | 2018-01-24 | 심경식 | 기판지지용 롤러 부싱 |
| CN110648958A (zh) * | 2019-09-26 | 2020-01-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板支撑台以及基板制备装置 |
| US11615966B2 (en) | 2020-07-19 | 2023-03-28 | Applied Materials, Inc. | Flowable film formation and treatments |
| WO2022055736A1 (en) * | 2020-09-08 | 2022-03-17 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chambers for deposition and etch |
| WO2022055718A1 (en) * | 2020-09-08 | 2022-03-17 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chambers for deposition and etch |
| TWI800911B (zh) * | 2020-09-08 | 2023-05-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於沉積及蝕刻的半導體處理室 |
| US11699571B2 (en) | 2020-09-08 | 2023-07-11 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chambers for deposition and etch |
| TWI819370B (zh) * | 2020-09-08 | 2023-10-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於沉積及蝕刻的半導體處理室 |
| US11887811B2 (en) | 2020-09-08 | 2024-01-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chambers for deposition and etch |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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