JPH10237653A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
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- JPH10237653A JPH10237653A JP9058517A JP5851797A JPH10237653A JP H10237653 A JPH10237653 A JP H10237653A JP 9058517 A JP9058517 A JP 9058517A JP 5851797 A JP5851797 A JP 5851797A JP H10237653 A JPH10237653 A JP H10237653A
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- elevating
- vacuum processing
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Abstract
(57)【要約】
【課題】基体を支持する部材に電圧を印加した状態で基
体に対する処理を行う真空処理装置において、基体を昇
降させるための部材と真空処理槽との間の異常放電を防
止する。 【解決手段】真空処理槽２内に、基板５を支持するサセ
プタ６と、サセプタ６と電気的に接続された状態で基板
５を昇降させる基板昇降ピン１４Ａ、１４Ｂを有する。
基板昇降ピン１４Ａ、１４Ｂはサセプタ６を貫通して上
下動自在に配設される。基板５に対してプラズマ処理を
行う際、高周波電源１３からサセプタ６に高周波電圧が
印加される。絶縁部材１６Ａ、１６Ｂは、部分的に重な
りあった状態で上下方向に相対移動可能な一対の筒状絶
縁部材から構成される。絶縁部材１６Ａ、１６Ｂによっ
て、サセプタ６から基板昇降ピン１４Ａ、１４Ｂが露出
する部分を覆うように構成する。
体に対する処理を行う真空処理装置において、基体を昇
降させるための部材と真空処理槽との間の異常放電を防
止する。 【解決手段】真空処理槽２内に、基板５を支持するサセ
プタ６と、サセプタ６と電気的に接続された状態で基板
５を昇降させる基板昇降ピン１４Ａ、１４Ｂを有する。
基板昇降ピン１４Ａ、１４Ｂはサセプタ６を貫通して上
下動自在に配設される。基板５に対してプラズマ処理を
行う際、高周波電源１３からサセプタ６に高周波電圧が
印加される。絶縁部材１６Ａ、１６Ｂは、部分的に重な
りあった状態で上下方向に相対移動可能な一対の筒状絶
縁部材から構成される。絶縁部材１６Ａ、１６Ｂによっ
て、サセプタ６から基板昇降ピン１４Ａ、１４Ｂが露出
する部分を覆うように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空中で基体に対
して処理を行うための真空処理装置に関し、特に基体に
高周波の電圧を印加してプラズマ処理を行う真空処理装
置に関する。
して処理を行うための真空処理装置に関し、特に基体に
高周波の電圧を印加してプラズマ処理を行う真空処理装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４に、この種の真空処理装置の従来例
の概略構成を示す。図４に示すように、このプラズマＣ
ＶＤ装置１０１は、本体１０３とガスシャワーヘッド１
０４によって気密空間が構成され図示しない真空排気系
に接続された真空処理槽１０２を有し、この真空処理槽
１０２内に処理すべき基板１０５を加熱及び支持するた
めの基部１０６ａと載置部１０６ｂとから構成されるサ
セプタ１０６が配置される。
の概略構成を示す。図４に示すように、このプラズマＣ
ＶＤ装置１０１は、本体１０３とガスシャワーヘッド１
０４によって気密空間が構成され図示しない真空排気系
に接続された真空処理槽１０２を有し、この真空処理槽
１０２内に処理すべき基板１０５を加熱及び支持するた
めの基部１０６ａと載置部１０６ｂとから構成されるサ
セプタ１０６が配置される。
【０００３】ガスシャワーヘッド１０４は、絶縁体１０
７を介して本体１０３上に載置され、その上部に成膜ガ
スを導入するためのガス導入部１０８が設けられる。そ
して、このガス導入部１０８から導入された成膜ガス
は、ガス導入板１０９を介して真空処理槽１０２内に導
かれる。また、ガスシャワーヘッド１０４は、高周波電
圧を印加して基板１０５上に成膜ガスのプラズマを発生
させるための高周波電源１１０が接続される。
７を介して本体１０３上に載置され、その上部に成膜ガ
スを導入するためのガス導入部１０８が設けられる。そ
して、このガス導入部１０８から導入された成膜ガス
は、ガス導入板１０９を介して真空処理槽１０２内に導
かれる。また、ガスシャワーヘッド１０４は、高周波電
圧を印加して基板１０５上に成膜ガスのプラズマを発生
させるための高周波電源１１０が接続される。
【０００４】サセプタ１０６には、基板１０５を昇降さ
せるための複数の基板昇降ピン１１４Ａ、１１４Ｂが、
サセプタ１０６の載置部１０６ｂを貫通するように設け
られる。これらの基板昇降ピン１１４Ａ、１１４Ｂは、
真空処理槽１０２の外部に延びる昇降棒１２０Ａ、１２
０Ｂを有する昇降機構１１５に取り付けられ、この昇降
部材１１５の上下動によって真空処理槽１０２の外部か
ら昇降しうるように構成される。
せるための複数の基板昇降ピン１１４Ａ、１１４Ｂが、
サセプタ１０６の載置部１０６ｂを貫通するように設け
られる。これらの基板昇降ピン１１４Ａ、１１４Ｂは、
真空処理槽１０２の外部に延びる昇降棒１２０Ａ、１２
０Ｂを有する昇降機構１１５に取り付けられ、この昇降
部材１１５の上下動によって真空処理槽１０２の外部か
ら昇降しうるように構成される。
【０００５】そして、これらの基板昇降ピン１１４Ａ、
１１４Ｂを上下動させることにより、真空処理槽１０２
内に搬入された基板１０５をサセプタ１０６上に載置
し、また、成膜後において基板１０５を持ち上げて搬送
することができる。
１１４Ｂを上下動させることにより、真空処理槽１０２
内に搬入された基板１０５をサセプタ１０６上に載置
し、また、成膜後において基板１０５を持ち上げて搬送
することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この種の真
空処理装置においては、薄膜の膜厚分布の均一化を図る
ため、基板１０５を支持するためのサセプタ１０６と基
板昇降ピン１１４Ａ、１１４Ｂの電位を同一とすること
が望まれており、そのため、従来、基板昇降ピン１１４
Ａ、１１４Ｂとして、サセプタ１０６と同様の金属から
なるものを用いている。また、薄膜の膜質の向上を図る
ため、図４に示すように、サセプタ１０６の基部１０６
ａの下端部１０６ｃに高周波電源１１３を接続し、成膜
の際にサセプタ１０６を介して基板１０５にバイアス電
圧を印加することが行われている。
空処理装置においては、薄膜の膜厚分布の均一化を図る
ため、基板１０５を支持するためのサセプタ１０６と基
板昇降ピン１１４Ａ、１１４Ｂの電位を同一とすること
が望まれており、そのため、従来、基板昇降ピン１１４
Ａ、１１４Ｂとして、サセプタ１０６と同様の金属から
なるものを用いている。また、薄膜の膜質の向上を図る
ため、図４に示すように、サセプタ１０６の基部１０６
ａの下端部１０６ｃに高周波電源１１３を接続し、成膜
の際にサセプタ１０６を介して基板１０５にバイアス電
圧を印加することが行われている。
【０００７】しかしながら、このような従来の真空処理
装置においては、サセプタ１０６に対して高周波電圧を
印加した場合に、基板昇降ピン１１４Ａ、１１４Ｂやそ
の周囲に設けられた圧縮コイルばね１２０と真空処理槽
１０２の内部表面との間に異常放電が発生する場合があ
り、その結果として、膜厚分布の均一性が保たれないと
いう問題があった。
装置においては、サセプタ１０６に対して高周波電圧を
印加した場合に、基板昇降ピン１１４Ａ、１１４Ｂやそ
の周囲に設けられた圧縮コイルばね１２０と真空処理槽
１０２の内部表面との間に異常放電が発生する場合があ
り、その結果として、膜厚分布の均一性が保たれないと
いう問題があった。
【０００８】本発明は、このような従来の技術の課題を
解決するためになされたもので、基体を支持する部材に
電圧を印加した状態で基体に対する処理を行う真空処理
装置において、基体を昇降させるための部材と真空処理
槽との間の異常放電を防止することを目的とするもので
ある。
解決するためになされたもので、基体を支持する部材に
電圧を印加した状態で基体に対する処理を行う真空処理
装置において、基体を昇降させるための部材と真空処理
槽との間の異常放電を防止することを目的とするもので
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の発明は、真空処理槽内で基体を支持
する基体支持部材と、該基体支持部材と電気的に接続さ
れた状態で上記基体を上記基体支持部材に対して昇降さ
せる基体昇降部材とを備え、上記基体に対して処理を行
う際、上記基体支持部材に電圧を印加するように構成さ
れた真空処理装置であって、上記基体昇降部材が上記基
体支持部材から露出する部分を覆うよう絶縁部材を設け
たことを特徴とする。
め、請求項１記載の発明は、真空処理槽内で基体を支持
する基体支持部材と、該基体支持部材と電気的に接続さ
れた状態で上記基体を上記基体支持部材に対して昇降さ
せる基体昇降部材とを備え、上記基体に対して処理を行
う際、上記基体支持部材に電圧を印加するように構成さ
れた真空処理装置であって、上記基体昇降部材が上記基
体支持部材から露出する部分を覆うよう絶縁部材を設け
たことを特徴とする。
【００１０】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の発明において、基体昇降部材が、基体支持部材を貫
通して上下動自在に配設され、絶縁部材が、互いに部分
的に重なりあった状態で上記基体昇降部材の移動方向に
相対移動可能な一対の筒状絶縁部材から構成されること
を特徴とする。
載の発明において、基体昇降部材が、基体支持部材を貫
通して上下動自在に配設され、絶縁部材が、互いに部分
的に重なりあった状態で上記基体昇降部材の移動方向に
相対移動可能な一対の筒状絶縁部材から構成されること
を特徴とする。
【００１１】さらに、請求項３記載の発明は、請求項１
又は２のいずれか１項記載の発明において、真空処理槽
内に処理ガスを導入するためのガス導入手段と、基体上
にプラズマを発生させてプラズマ処理を行うためのプラ
ズマ処理手段とを備え、上記基体に対して処理を行う
際、基体支持部材に高周波電圧を印加するように構成し
たことを特徴とする。
又は２のいずれか１項記載の発明において、真空処理槽
内に処理ガスを導入するためのガス導入手段と、基体上
にプラズマを発生させてプラズマ処理を行うためのプラ
ズマ処理手段とを備え、上記基体に対して処理を行う
際、基体支持部材に高周波電圧を印加するように構成し
たことを特徴とする。
【００１２】このような構成を有する請求項１記載の発
明の場合、基体支持部材と電気的に接続された状態で基
体を昇降させる基体昇降部材に対し、基体支持部材から
露出する部分を絶縁部材で覆うようにしたことから、基
体に対して処理を行う際に、基体支持部材に電圧を印加
した場合であっても、基体昇降部材と真空処理槽の内面
との間において異常な放電が発生することはない。
明の場合、基体支持部材と電気的に接続された状態で基
体を昇降させる基体昇降部材に対し、基体支持部材から
露出する部分を絶縁部材で覆うようにしたことから、基
体に対して処理を行う際に、基体支持部材に電圧を印加
した場合であっても、基体昇降部材と真空処理槽の内面
との間において異常な放電が発生することはない。
【００１３】この場合、請求項２記載の発明のように、
請求項１記載の発明において、基体昇降部材を、基体支
持部材を貫通して上下動自在に配設し、絶縁部材を、部
分的に重なりあった状態で基体昇降部材の移動方向に相
対移動可能な一対の筒状絶縁部材から構成すれば、複雑
な構成を採用することなく、基体昇降部材の露出する部
分を常に絶縁体で覆うことができる。
請求項１記載の発明において、基体昇降部材を、基体支
持部材を貫通して上下動自在に配設し、絶縁部材を、部
分的に重なりあった状態で基体昇降部材の移動方向に相
対移動可能な一対の筒状絶縁部材から構成すれば、複雑
な構成を採用することなく、基体昇降部材の露出する部
分を常に絶縁体で覆うことができる。
【００１４】また、請求項３記載の発明のように、請求
項１又は２のいずれか１項記載の発明において、真空処
理槽内に処理ガスを導入するためのガス導入手段と、基
体上にプラズマを発生させてプラズマ処理を行うための
プラズマ処理手段とを備え、この基体に対して処理を行
う際、基体支持部材に高周波電圧を印加するように構成
すれば、例えば、プラズマＣＶＤ装置、プラズマエッチ
ング装置等のプラズマ処理を行う装置において、異常放
電を容易に防止することができる。
項１又は２のいずれか１項記載の発明において、真空処
理槽内に処理ガスを導入するためのガス導入手段と、基
体上にプラズマを発生させてプラズマ処理を行うための
プラズマ処理手段とを備え、この基体に対して処理を行
う際、基体支持部材に高周波電圧を印加するように構成
すれば、例えば、プラズマＣＶＤ装置、プラズマエッチ
ング装置等のプラズマ処理を行う装置において、異常放
電を容易に防止することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る真空処理装置
の好ましい実施の形態を図面を参照して詳細に説明す
る。
の好ましい実施の形態を図面を参照して詳細に説明す
る。
【００１６】図１（ａ）（ｂ）は、本発明の一実施の形
態としてのプラズマＣＶＤ装置の概略構成を示すもので
ある。図１に示すように、このプラズマＣＶＤ装置１
は、本体３とガスシャワーヘッド４によって気密空間が
構成される真空処理槽２を有し、この真空処理槽２内に
処理すべき基板（基体）５を加熱及び支持するためのサ
セプタ（基体支持部材）６が配置される。ここで、本体
３及びガスシャワーヘッド４は、ともに金属材料からな
り、また、本体３の下部は、排気口３ａを介して図示し
ない真空排気系に接続されている。
態としてのプラズマＣＶＤ装置の概略構成を示すもので
ある。図１に示すように、このプラズマＣＶＤ装置１
は、本体３とガスシャワーヘッド４によって気密空間が
構成される真空処理槽２を有し、この真空処理槽２内に
処理すべき基板（基体）５を加熱及び支持するためのサ
セプタ（基体支持部材）６が配置される。ここで、本体
３及びガスシャワーヘッド４は、ともに金属材料からな
り、また、本体３の下部は、排気口３ａを介して図示し
ない真空排気系に接続されている。
【００１７】ガスシャワーヘッド４は、本体３に対して
電気的に絶縁するための絶縁体７を介して本体３上に取
り付けられ、その上部に成膜ガスを導入するためのガス
導入部８が設けられる。そして、このガス導入部８から
導入された成膜ガスは、基板５の上方に位置するガス導
入板９を介して均一の状態で真空処理槽２内に導かれ
る。また、ガスシャワーヘッド４は、高周波電源１０に
接続され、成膜時に高周波電圧を印加して基板５上に成
膜ガスのプラズマを発生させるように構成されている。
電気的に絶縁するための絶縁体７を介して本体３上に取
り付けられ、その上部に成膜ガスを導入するためのガス
導入部８が設けられる。そして、このガス導入部８から
導入された成膜ガスは、基板５の上方に位置するガス導
入板９を介して均一の状態で真空処理槽２内に導かれ
る。また、ガスシャワーヘッド４は、高周波電源１０に
接続され、成膜時に高周波電圧を印加して基板５上に成
膜ガスのプラズマを発生させるように構成されている。
【００１８】サセプタ６は、例えば、ハステロイ等の金
属材料からなり、棒状の基部６ａと平板状の載置部６ｂ
とから構成される。そして、図１（ａ）（ｂ）に示すよ
うに、サセプタ６の基部６ａは、真空処理槽２の本体３
の底部に絶縁部材１１を介して固定された取付部材１２
上に垂直に固定され、この取付部材１１から下方に突出
する接続部分６ｃに高周波電源１３が接続される。
属材料からなり、棒状の基部６ａと平板状の載置部６ｂ
とから構成される。そして、図１（ａ）（ｂ）に示すよ
うに、サセプタ６の基部６ａは、真空処理槽２の本体３
の底部に絶縁部材１１を介して固定された取付部材１２
上に垂直に固定され、この取付部材１１から下方に突出
する接続部分６ｃに高周波電源１３が接続される。
【００１９】なお、この取付部材１１の近傍はＯリング
等のシール部材によって密閉されるようになっている。
等のシール部材によって密閉されるようになっている。
【００２０】一方、サセプタ６の載置部６ｂは基部６ａ
の上部に設けられ、その内部に図示しないヒーターを有
している。そして、基板５を昇降させるための複数（例
えば４本）の基板昇降ピン１４（１４Ａ、１４Ｂ、基体
昇降部材）が、サセプタ６の載置部６ｂに対して垂直方
向に貫通するように設けられる。これらの基板昇降ピン
１４Ａ、１４Ｂは、真空処理槽２の外部に設けた駆動手
段（図示せず）によって駆動される昇降機構１５に連結
され、図１（ａ）に示すように、それぞれの上端に設け
た支持部１４０Ａ、１４０Ｂがサセプタ６の載置部６ｂ
から突出するように上下動可能に構成されている。
の上部に設けられ、その内部に図示しないヒーターを有
している。そして、基板５を昇降させるための複数（例
えば４本）の基板昇降ピン１４（１４Ａ、１４Ｂ、基体
昇降部材）が、サセプタ６の載置部６ｂに対して垂直方
向に貫通するように設けられる。これらの基板昇降ピン
１４Ａ、１４Ｂは、真空処理槽２の外部に設けた駆動手
段（図示せず）によって駆動される昇降機構１５に連結
され、図１（ａ）に示すように、それぞれの上端に設け
た支持部１４０Ａ、１４０Ｂがサセプタ６の載置部６ｂ
から突出するように上下動可能に構成されている。
【００２１】また、サセプタ６の載置部６ｂの下方から
突出する部分は、次のような絶縁部材１６（１６Ａ、１
６Ｂ）によってその周囲が絶縁されるようになってい
る。
突出する部分は、次のような絶縁部材１６（１６Ａ、１
６Ｂ）によってその周囲が絶縁されるようになってい
る。
【００２２】図２（ａ）（ｂ）は、絶縁部材１６の構成
及び動作を示すものである。図２に示すように、絶縁部
材１６は、それぞれアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等の絶縁材料
からなる有底筒状（例えば、円筒形状）の一対の上側絶
縁部材１７及び下側絶縁部材１８から構成される。ここ
で、上側絶縁部材１７は、その開口部を下に向けてサセ
プタ６の載置部６ｂの下面に底部１７ａが固定され、基
板昇降ピン１４がこれを貫通して上下動方向に移動自在
となるように構成されている。
及び動作を示すものである。図２に示すように、絶縁部
材１６は、それぞれアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等の絶縁材料
からなる有底筒状（例えば、円筒形状）の一対の上側絶
縁部材１７及び下側絶縁部材１８から構成される。ここ
で、上側絶縁部材１７は、その開口部を下に向けてサセ
プタ６の載置部６ｂの下面に底部１７ａが固定され、基
板昇降ピン１４がこれを貫通して上下動方向に移動自在
となるように構成されている。
【００２３】一方、下側絶縁部材１８は、上側絶縁部材
１７の内径より若干小さな外径を有し、その開口部を上
に向けて上側絶縁部材１７の内部に配置される。この場
合、上側絶縁部材１７の側壁１７ｂの内面と下側絶縁部
材１８の側壁１８ｂの外面とが接触しないようにそれぞ
れの大きさが定められている。
１７の内径より若干小さな外径を有し、その開口部を上
に向けて上側絶縁部材１７の内部に配置される。この場
合、上側絶縁部材１７の側壁１７ｂの内面と下側絶縁部
材１８の側壁１８ｂの外面とが接触しないようにそれぞ
れの大きさが定められている。
【００２４】そして、基板昇降ピン１４の下端部に設け
られたネジ部１４ａが下側絶縁部材１８の底部１８ｂを
貫通して同じくアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等の絶縁材料から
なる固定部材１９にネジ止めされ、これにより下側絶縁
部材１８と基板昇降ピン１４とが一体的に上下動するよ
うに構成されている。
られたネジ部１４ａが下側絶縁部材１８の底部１８ｂを
貫通して同じくアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等の絶縁材料から
なる固定部材１９にネジ止めされ、これにより下側絶縁
部材１８と基板昇降ピン１４とが一体的に上下動するよ
うに構成されている。
【００２５】また、下側絶縁部材１８の内部には、圧縮
コイルばね２０が基板昇降ピン１４を取り囲むように配
され、図２（ｂ）に示すように、上側絶縁部材１７と下
側絶縁部材１８とを互いに離れる方向に付勢するように
構成されている。
コイルばね２０が基板昇降ピン１４を取り囲むように配
され、図２（ｂ）に示すように、上側絶縁部材１７と下
側絶縁部材１８とを互いに離れる方向に付勢するように
構成されている。
【００２６】この場合、図１（ａ）及び図２（ａ）に示
すように、下側絶縁部材１８が最も上昇して上側絶縁部
材１７の底部１７ｂの内面と当接した状態において、各
基板昇降ピン１４Ａ、１４Ｂの上端の支持部１４０Ａ、
１４０Ｂがサセプタ６の載置部６ｂの表面から突出して
基板５を持ち上げるように構成される。
すように、下側絶縁部材１８が最も上昇して上側絶縁部
材１７の底部１７ｂの内面と当接した状態において、各
基板昇降ピン１４Ａ、１４Ｂの上端の支持部１４０Ａ、
１４０Ｂがサセプタ６の載置部６ｂの表面から突出して
基板５を持ち上げるように構成される。
【００２７】一方、図１（ｂ）に示すように、下側絶縁
部材１８が最も下降すると、各基板昇降ピン１４Ａ、１
４Ｂの上端の支持部１４０Ａ、１４０Ｂはサセプタ６の
載置部６ｂの表面と同じ高さとなり、これにより、基板
５はサセプタ６の載置部６ｂ上に載置される。この状態
においては、図２（ｂ）に示すように、上側絶縁部材１
７と下側絶縁部材１８とが、その側壁１７ａ、１８ａに
おいて互いに一部重なるようにそれぞれの長さが調整さ
れる。
部材１８が最も下降すると、各基板昇降ピン１４Ａ、１
４Ｂの上端の支持部１４０Ａ、１４０Ｂはサセプタ６の
載置部６ｂの表面と同じ高さとなり、これにより、基板
５はサセプタ６の載置部６ｂ上に載置される。この状態
においては、図２（ｂ）に示すように、上側絶縁部材１
７と下側絶縁部材１８とが、その側壁１７ａ、１８ａに
おいて互いに一部重なるようにそれぞれの長さが調整さ
れる。
【００２８】なお、絶縁部材１６の一例として、基板昇
降ピン１４の直径を６ｍｍ程度とした場合には、上側絶
縁部材１７の外径は２２ｍｍ程度で内径は１８ｍｍ程
度、下側絶縁部材１８の外径は１６ｍｍ程度で内径は１
２ｍｍ程度とすることが好ましい。
降ピン１４の直径を６ｍｍ程度とした場合には、上側絶
縁部材１７の外径は２２ｍｍ程度で内径は１８ｍｍ程
度、下側絶縁部材１８の外径は１６ｍｍ程度で内径は１
２ｍｍ程度とすることが好ましい。
【００２９】また、図２（ｂ）に示す状態において、上
側絶縁部材１７と下側絶縁部材１８との重なる部分の長
さは少なくとも１ｍｍ程度あることが好ましい。
側絶縁部材１７と下側絶縁部材１８との重なる部分の長
さは少なくとも１ｍｍ程度あることが好ましい。
【００３０】各基板昇降ピン１４Ａ、１４Ｂは、上述し
た昇降機構１５によって上下動するように構成される。
すなわち、各昇降棒２１（２１Ａ、２１Ｂ）の上端部に
例えばリング状の平板部材２２が設けられ、この平板部
材２２上に、下側絶縁部材１８の下面に取り付けられた
固定部材１９が固定される。そして、各昇降棒２１Ａ、
２１Ｂは真空処理槽２の本体３の底部に設けた孔３ｂを
貫通して垂直下方に延び、図示しない駆動手段に連結さ
れるようになっている。
た昇降機構１５によって上下動するように構成される。
すなわち、各昇降棒２１（２１Ａ、２１Ｂ）の上端部に
例えばリング状の平板部材２２が設けられ、この平板部
材２２上に、下側絶縁部材１８の下面に取り付けられた
固定部材１９が固定される。そして、各昇降棒２１Ａ、
２１Ｂは真空処理槽２の本体３の底部に設けた孔３ｂを
貫通して垂直下方に延び、図示しない駆動手段に連結さ
れるようになっている。
【００３１】なお、真空処理槽２の底部に設けた各孔３
ｂの近傍及び各昇降棒２１Ａ、２１Ｂの運動部分は、ベ
ローズ部材２３によって密閉されている。
ｂの近傍及び各昇降棒２１Ａ、２１Ｂの運動部分は、ベ
ローズ部材２３によって密閉されている。
【００３２】一方、本実施の形態においては、サセプタ
６の基部６ａの周囲から載置部６ｂ部の下面を覆うよう
に金属製のシールド部材２４が設けられている。また、
サセプタ６の載置部６ｂの側面を覆うように絶縁材料か
らなる絶縁部材２５が設けられる。これにより、サセプ
タ６と真空処理槽２の内面の間における異常放電を防止
するように構成されている。
６の基部６ａの周囲から載置部６ｂ部の下面を覆うよう
に金属製のシールド部材２４が設けられている。また、
サセプタ６の載置部６ｂの側面を覆うように絶縁材料か
らなる絶縁部材２５が設けられる。これにより、サセプ
タ６と真空処理槽２の内面の間における異常放電を防止
するように構成されている。
【００３３】かかる構成を有する本実施の形態におい
て、基板５上に薄膜を形成する場合には、図１（ａ）に
示すように、各基板昇降ピン１４Ａ、１４Ｂを上昇させ
た状態で基板５を真空処理槽２内に搬入し、それぞれの
支持部１４０Ａ、１４０Ｂによって基板５を支持する。
て、基板５上に薄膜を形成する場合には、図１（ａ）に
示すように、各基板昇降ピン１４Ａ、１４Ｂを上昇させ
た状態で基板５を真空処理槽２内に搬入し、それぞれの
支持部１４０Ａ、１４０Ｂによって基板５を支持する。
【００３４】次いで、各昇降棒２１Ａ、２１Ｂを下降さ
せることにより各基板昇降ピン１４Ａ、１４Ｂを下降さ
せ、基板５をサセプタ６の載置部６ｂ上に載置する。そ
して、図示しない真空ポンプを起動して排気口３ａから
真空処理槽２内の真空排気を行い、さらに、サセプタ６
の載置部６ｂ上に載置された基板５を加熱する。基板５
が所定温度に到達した時点で、ガス導入部８からガスシ
ャワーヘッド４を介して真空処理槽２内に成膜ガスを導
入する。
せることにより各基板昇降ピン１４Ａ、１４Ｂを下降さ
せ、基板５をサセプタ６の載置部６ｂ上に載置する。そ
して、図示しない真空ポンプを起動して排気口３ａから
真空処理槽２内の真空排気を行い、さらに、サセプタ６
の載置部６ｂ上に載置された基板５を加熱する。基板５
が所定温度に到達した時点で、ガス導入部８からガスシ
ャワーヘッド４を介して真空処理槽２内に成膜ガスを導
入する。
【００３５】真空処理槽２内の圧力が所定の値で安定し
た時点で高周波電源１０を起動し、ガスシャワーヘッド
４に例えば４０ＭＨｚ程度の高周波電圧を印加して成膜
ガスのプラズマを発生させる。その際、同時に高周波電
源１３を起動し、基部６ａの下端部側からサセプタ６に
１ＭＨｚ程度の高周波電圧を印加すると、基板５に対し
形成されたシース電圧にこの高周波電圧が重畳され、プ
ラズマから基板５の表面上に照射されるイオンが制御さ
れる。その結果、このようなプラズマによりＣＶＤ反応
が進行し、反応生成物が基板５の表面に堆積されること
によって、成膜ガス中の元素を含む薄膜が基板５上に形
成される。
た時点で高周波電源１０を起動し、ガスシャワーヘッド
４に例えば４０ＭＨｚ程度の高周波電圧を印加して成膜
ガスのプラズマを発生させる。その際、同時に高周波電
源１３を起動し、基部６ａの下端部側からサセプタ６に
１ＭＨｚ程度の高周波電圧を印加すると、基板５に対し
形成されたシース電圧にこの高周波電圧が重畳され、プ
ラズマから基板５の表面上に照射されるイオンが制御さ
れる。その結果、このようなプラズマによりＣＶＤ反応
が進行し、反応生成物が基板５の表面に堆積されること
によって、成膜ガス中の元素を含む薄膜が基板５上に形
成される。
【００３６】以上述べたように本実施の形態によれば、
基板昇降ピン１４Ａ、１４Ｂのサセプタ６の載置部６ｂ
から突出する部分が絶縁部材１６Ａ、１６Ｂによって取
り囲まれているため、上述したようなＣＶＤ反応中にお
いてサセプタ６に高周波電圧を印加した場合であって
も、基板昇降ピン１４Ａ、１４Ｂと真空処理槽２の内面
との間において異常放電が発生せず、基板５上において
膜厚分布の均一な薄膜を形成することができる。
基板昇降ピン１４Ａ、１４Ｂのサセプタ６の載置部６ｂ
から突出する部分が絶縁部材１６Ａ、１６Ｂによって取
り囲まれているため、上述したようなＣＶＤ反応中にお
いてサセプタ６に高周波電圧を印加した場合であって
も、基板昇降ピン１４Ａ、１４Ｂと真空処理槽２の内面
との間において異常放電が発生せず、基板５上において
膜厚分布の均一な薄膜を形成することができる。
【００３７】図３は、本発明の絶縁部材１６の他の例を
示すものである。図３に示すように、この絶縁部材１６
Ａの場合は、上述の実施の形態と逆に、上側絶縁部材３
０の側壁３０ａの外径よりも下側絶縁部材３１の側壁３
１ａの内径の方が大きくなるように構成されている。こ
の例においても、上述の実施の形態と同様に、上側絶縁
部材３０と下側絶縁部材３１とが接触しないように構成
され、また、下側絶縁部材３１が最も下降した位置にお
いて、上側絶縁部材３０と下側絶縁部材３１が、その側
壁３０ａ、３１ａにおいて互いに一部重なるようにそれ
ぞれの長さが調整される。その他の構成及び作用効果に
ついては、上述の実施の形態と同様である。
示すものである。図３に示すように、この絶縁部材１６
Ａの場合は、上述の実施の形態と逆に、上側絶縁部材３
０の側壁３０ａの外径よりも下側絶縁部材３１の側壁３
１ａの内径の方が大きくなるように構成されている。こ
の例においても、上述の実施の形態と同様に、上側絶縁
部材３０と下側絶縁部材３１とが接触しないように構成
され、また、下側絶縁部材３１が最も下降した位置にお
いて、上側絶縁部材３０と下側絶縁部材３１が、その側
壁３０ａ、３１ａにおいて互いに一部重なるようにそれ
ぞれの長さが調整される。その他の構成及び作用効果に
ついては、上述の実施の形態と同様である。
【００３８】なお、本発明は上述の実施の形態に限られ
ることなく、種々の変更を行うことができる。例えば、
絶縁部材を構成する材料としては、アルミナ（Ａｌ
2Ｏ3）に限られず、炭化ケイ素（ＳiＣ）、フォルステ
ライト（２ＭｇＯ・ＳiＯ2）、窒化ホウ素(ＢＮ）等の
種々の絶縁材料を用いることができる。
ることなく、種々の変更を行うことができる。例えば、
絶縁部材を構成する材料としては、アルミナ（Ａｌ
2Ｏ3）に限られず、炭化ケイ素（ＳiＣ）、フォルステ
ライト（２ＭｇＯ・ＳiＯ2）、窒化ホウ素(ＢＮ）等の
種々の絶縁材料を用いることができる。
【００３９】また、絶縁部材の形状、大きさについて
も、本発明を逸脱しない限り、すなわち、基体を昇降さ
せる部材の露出する部分を絶縁体で覆うことができる限
り、種々の変更が可能である。
も、本発明を逸脱しない限り、すなわち、基体を昇降さ
せる部材の露出する部分を絶縁体で覆うことができる限
り、種々の変更が可能である。
【００４０】さらに、処理すべき基体についても、Ｓｉ
ウェハー、ガラス基板等の種々のものが含まれる。
ウェハー、ガラス基板等の種々のものが含まれる。
【００４１】さらにまた、本発明は、上述したプラズマ
ＣＶＤ装置、プラズマエッチング装置に限らず、基体を
支持する部材に対して電圧を印加する真空処理装置であ
れば、例えば、スパッタリング装置等の種々の装置に適
用しうる。もっとも、本発明は、基体支持部材に対して
高周波電圧を印加するプラズマ処理装置において、特に
効果を奏するものである。
ＣＶＤ装置、プラズマエッチング装置に限らず、基体を
支持する部材に対して電圧を印加する真空処理装置であ
れば、例えば、スパッタリング装置等の種々の装置に適
用しうる。もっとも、本発明は、基体支持部材に対して
高周波電圧を印加するプラズマ処理装置において、特に
効果を奏するものである。
【００４２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、基
体に対してプラズマ処理等を行う際、基体支持部材に電
圧を印加した場合において、基体昇降部材と真空処理槽
の内面との間における異常放電を防止することができ
る。したがって、本発明によれば、特に、プラズマＣＶ
Ｄ装置において、異常放電を防止して膜厚分布の均一な
成膜を行うことが可能になる。
体に対してプラズマ処理等を行う際、基体支持部材に電
圧を印加した場合において、基体昇降部材と真空処理槽
の内面との間における異常放電を防止することができ
る。したがって、本発明によれば、特に、プラズマＣＶ
Ｄ装置において、異常放電を防止して膜厚分布の均一な
成膜を行うことが可能になる。
【図１】本発明に係る真空処理装置の一実施の形態とし
てのプラズマＣＶＤ装置の概略構成を示すもので、図１
（ａ）は、基板昇降ピンによって基板を持ち上げた状態
を示す図、図１（ｂ）は、基板をサセプタ上に載置した
状態を示す図
てのプラズマＣＶＤ装置の概略構成を示すもので、図１
（ａ）は、基板昇降ピンによって基板を持ち上げた状態
を示す図、図１（ｂ）は、基板をサセプタ上に載置した
状態を示す図
【図２】同実施の形態の絶縁部材の構成及び動作を示す
もので、図２（ａ）は、下側絶縁部材が上限位置にある
場合を示す図、図２（ｂ）は、下側絶縁部材が下限位置
にある場合を示す図
もので、図２（ａ）は、下側絶縁部材が上限位置にある
場合を示す図、図２（ｂ）は、下側絶縁部材が下限位置
にある場合を示す図
【図３】本発明の絶縁部材の他の例を示す概略構成図
【図４】従来の真空処理装置の概略構成図
１……真空処理装置 ２……真空処理槽 ４……ガ
スシャワーヘッド ５……基板（基体） ６（６
Ａ、６Ｂ）……サセプタ（基体支持部材） １０、１
３……高周波電源 １４（１４Ａ、１４Ｂ）……基板
昇降ピン（基体昇降部材） １５……昇降機構 １
６（１６Ａ、１６Ｂ）……絶縁部材 １７……上側絶
縁部材 １８……下側絶縁部材 １９……固定部材
２０……圧縮コイルばね ２１……昇降棒
スシャワーヘッド ５……基板（基体） ６（６
Ａ、６Ｂ）……サセプタ（基体支持部材） １０、１
３……高周波電源 １４（１４Ａ、１４Ｂ）……基板
昇降ピン（基体昇降部材） １５……昇降機構 １
６（１６Ａ、１６Ｂ）……絶縁部材 １７……上側絶
縁部材 １８……下側絶縁部材 １９……固定部材
２０……圧縮コイルばね ２１……昇降棒
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年５月１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】サセプタ１０６には、基板１０５を昇降さ
せるための複数の基板昇降ピン１１４Ａ、１１４Ｂが、
サセプタ１０６の載置部１０６ｂを貫通するように設け
られる。これらの基板昇降ピン１１４Ａ、１１４Ｂは、
真空処理槽１０２の外部に延びる昇降捧１２１Ａ、１２
１Ｂを有する昇降機構１１５に取り付けられ、この昇降
部材１１５の上下動によって真空処理槽１０２の外部か
ら昇降しうるように構成される。
せるための複数の基板昇降ピン１１４Ａ、１１４Ｂが、
サセプタ１０６の載置部１０６ｂを貫通するように設け
られる。これらの基板昇降ピン１１４Ａ、１１４Ｂは、
真空処理槽１０２の外部に延びる昇降捧１２１Ａ、１２
１Ｂを有する昇降機構１１５に取り付けられ、この昇降
部材１１５の上下動によって真空処理槽１０２の外部か
ら昇降しうるように構成される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｃ 21/31 Ｈ０５Ｈ 1/46 Ａ Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ (72)発明者 福田 航一 宮城県仙台市泉区明通三丁目31番地 株式 会社フロンテック内 (72)発明者 金 聖哲 宮城県仙台市泉区明通三丁目31番地 株式 会社フロンテック内
Claims (3)
- 【請求項１】真空処理槽内で基体を支持する基体支持部
材と、 該基体支持部材と電気的に接続された状態で上記基体を
上記基体支持部材に対して昇降させる基体昇降部材とを
備え、 上記基体に対して処理を行う際、上記基体支持部材に電
圧を印加するように構成された真空処理装置であって、 上記基体昇降部材が上記基体支持部材から露出する部分
を覆うように絶縁部材を配設したことを特徴とする真空
処理装置。 - 【請求項２】基体昇降部材が、基体支持部材を貫通して
上下動自在に配設され、絶縁部材が、互いに部分的に重
なりあった状態で上記基体昇降部材の移動方向に相対移
動可能な一対の筒状絶縁部材から構成されることを特徴
とする請求項１記載の真空処理装置。 - 【請求項３】真空処理槽内に処理ガスを導入するための
ガス導入手段と、 基体上にプラズマを発生させてプラズマ処理を行うため
のプラズマ処理手段とを備え、 上記基体に対して処理を行う際、基体支持部材に高周波
電圧を印加するように構成したことを特徴とする請求項
１又は２のいずれか１項記載の真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9058517A JPH10237653A (ja) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9058517A JPH10237653A (ja) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | 真空処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10237653A true JPH10237653A (ja) | 1998-09-08 |
Family
ID=13086631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9058517A Withdrawn JPH10237653A (ja) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10237653A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6664496B2 (en) | 2001-04-05 | 2003-12-16 | Anelva Corporation | Plasma processing system |
| KR100489189B1 (ko) * | 2002-01-14 | 2005-05-11 | 주성엔지니어링(주) | 서셉터 구조물 |
| JP2005259870A (ja) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Nikon Corp | 基板保持装置、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
| KR100508770B1 (ko) * | 1998-03-28 | 2005-11-08 | 삼성전자주식회사 | 균일한 식각이 가능한 건식 식각 설비 |
| CN100382237C (zh) * | 2004-10-29 | 2008-04-16 | 株式会社岛津制作所 | 真空处理装置 |
| JP2009163911A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| JP2009173997A (ja) * | 2008-01-24 | 2009-08-06 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理容器の陽極酸化処理方法 |
| JP2020036003A (ja) * | 2018-08-30 | 2020-03-05 | バット ホールディング アーゲー | 電気的に絶縁されたピンリフター |
-
1997
- 1997-02-26 JP JP9058517A patent/JPH10237653A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100508770B1 (ko) * | 1998-03-28 | 2005-11-08 | 삼성전자주식회사 | 균일한 식각이 가능한 건식 식각 설비 |
| US6664496B2 (en) | 2001-04-05 | 2003-12-16 | Anelva Corporation | Plasma processing system |
| KR100489189B1 (ko) * | 2002-01-14 | 2005-05-11 | 주성엔지니어링(주) | 서셉터 구조물 |
| JP2005259870A (ja) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Nikon Corp | 基板保持装置、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
| CN100382237C (zh) * | 2004-10-29 | 2008-04-16 | 株式会社岛津制作所 | 真空处理装置 |
| JP2009163911A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| JP2009173997A (ja) * | 2008-01-24 | 2009-08-06 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理容器の陽極酸化処理方法 |
| JP2020036003A (ja) * | 2018-08-30 | 2020-03-05 | バット ホールディング アーゲー | 電気的に絶縁されたピンリフター |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040511 |