JP2008311298A - 載置台およびそれを用いたプラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】シールド部材の破損の危険性をともなわずに熱膨張差に起因するシールド部材と基材との間の隙間を低減することができる載置台を提供すること。
【解決手段】基板Ｇにプラズマ処理を施す処理チャンバ内で基板を載置する載置台３は、金属製の基材５と、その上に設けられた基板を載置する載置部６と、載置部６および基材５の上部の周囲を囲繞するように設けられた絶縁性セラミックスからなるシールド部材７とを具備し、シールド部材７は、複数の分割片７ａに分割されており、かつ分割片７ａを互いに近接するように付勢する付勢機構５０を有する。
【選択図】図２

Description

本発明は、液晶表示装置（ＬＣＤ）のようなフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）製造用のガラス基板などの基板に対してドライエッチング等のプラズマ処理を施す処理チャンバ内において、基板を載置する載置台およびそれを用いたプラズマ処理装置に関する。

例えば、ＦＰＤや半導体の製造プロセスにおいては、被処理基板であるガラス基板に対して、ドライエッチング等のプラズマ処理が行われる。このようなプラズマ処理を行うプラズマ処理装置においては、処理チャンバ内に設けられた載置台に基板を載置した状態でプラズマを生成し、そのプラズマにより基板に対して所定のプラズマ処理を施す。

このようなプラズマ処理装置において、被処理基板が載置される載置台は、プラズマを生成するための高周波電力が印加される下部電極として機能する基材と、基材の周囲に設けられるシールドリングとを備えている。このシールドリングは、プラズマのフォーカス性向上および高周波電力の絶縁のために設けられており、アルミナ等の絶縁性セラミックスで形成されており、基材にねじ止めされている。

ところで、近年ＦＰＤ用のガラス基板は大型化の一途をたどり、シールドリングを一体に形成することが困難となっており、特許文献１に記載されているように、分割タイプのシールドリングが用いられている。

図１０（ａ）に示すように、特許文献１に記載されている分割タイプのシールドリング１０７は、例えば、クランク形状をなす４つの分割片１０７ａを組み合わせた状態で基材１０５の周囲に配置されている。そして、シールドリング１０７の各分割片１０７ａは、固定ねじ１０９により基材１０５に締結されている。この場合に、基材１０５の温調およびプラズマの連続照射による熱によって、基材１０５およびシールドリング１０７が熱膨張するが、基材１０５はアルミニウム等の金属製であり、アルミナ等のセラミックスからなるシールドリング１０７よりも熱膨張係数が大きいため、熱によって基材１０５のほうがより大きく変位する。ここで、固定ねじ１０９が遊びなく締結されていると、両者の熱膨張差によってシールドリング１０７が割れてしまうため、それを防止するために、図１０（ａ）のＡＡ断面である図１０（ｂ）に示すように、ねじ穴１０９ａと固定ねじ１０９との間に隙間が設けられている。したがって、温度が上昇する際には、シールドリング１０７の各分割片１０７ａが、ねじ穴１０９ａの隙間の存在により、より熱膨張の大きい基材１０５に押されるように基材１０５に追従して変位するが、温度が常温に戻る際には、図１１（ａ）に示すように、基材１０５とシールドリング１０７との間に隙間１０８が生じてしまう。すなわち、温度が常温に戻る際には、基材１０５の収縮に追随してねじ１０９が元の位置に戻るが、固定ねじ１０９はシールドリング１０７が割れないように弱く締めているので、図１１（ａ）のＢＢ断面図である図１１（ｂ）のように固定ねじ１０９のみが隙間１０９ａを移動し、シールドリング１０７の分割片１０７ａは元の位置に戻らなくなり、結果として基材１０５とシールドリング１０７との間に隙間１０８が生じるのである。

このように基材１０５とシールドリング１０７との間に一旦隙間が発生すると、次のプラズマ印加の際に載置台の温度が上昇しても、その隙間は維持され、その隙間に起因して異常放電が生じるおそれがある。また、このような隙間の発生を防ぐために、シールドリング１０７を固定するねじ１０９の締結力を強くすると、セラミック製のシールドリングが熱応力により破損してしまうおそれがある。
特開２００３−１１５４７６号公報

本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、シールドリングのようなシールド部材の破損の危険性をともなわずに熱膨張差に起因するシールド部材と基材との間の隙間を低減することができる載置台およびそのような載置台を用いたプラズマ処理装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明の第１の観点では、基板にプラズマ処理を施す処理チャンバ内で基板を載置する載置台であって、金属製の基材と、その上に設けられた基板を載置する載置部と、前記載置部および前記基材の上部の周囲を囲繞するように設けられた絶縁性セラミックスからなるシールド部材とを具備し、前記シールド部材は、複数の分割片に分割されており、かつ前記分割片を互いに近接するように付勢する付勢機構を有することを特徴とする載置台を提供する。

上記第１の観点において、前記付勢機構は、隣接する分割片をつなぎ、これらを互いに引き合う方向に付勢する付勢部材を有する構成であってよい。また、前記基板は矩形基板であり、前記シールド部材は額縁状をなし、前記各分割片は各角部を含んでクランク状に４つ形成されている構成とすることができる。さらに、前記基材は、前記載置部が設けられた凸部を有し、前記シールドリングは前記凸部および前記載置部を囲繞するように設けられている構成とすることができる。さらにまた、前記付勢機構は、前記付勢部材を覆う蓋部材を有する構成としてもよい。

前記基材は、前記載置部が設けられた凸部を有し、前記シールドリングは前記載置部および前記凸部を囲繞するように設けられ、前記付勢機構は、前記分割片に設けられた凹部と、前記凹部に挿入され、前記分割片と前記基材とを締結するねじ部材と、前記ねじ部材と前記分割片の前記凹部内の壁部との間に設けられ、前記分割片を前記基材の凸部側へ付勢する付勢部材とを有する構成とすることができる。また、前記基材は、前記載置部が設けられた凸部を有し、前記シールドリングは前記凸部を囲繞するように設けられ、前記付勢機構は、前記分割片に設けられたすり鉢状の凹部と、前記凹部に挿入されたテーパーワッシャーと、前記テーパーワッシャーを介在させて前記分割片と前記基材とを締結するねじ部材と、前記ねじ部材と前記テーパーワッシャーとの間に介在された付勢部材とを有し、冷却過程で前記基材と前記分割片との間に熱膨張差が生じた際に、前記付勢部材は、前記テーパーワッシャーを介して前記分割片を前記基材の凸部側へ付勢するように構成することができる。この場合に、前記ねじ部材の頭部と前記基材との間に介在され、前記ねじ部材を固定する固定部材を有する構成とすることができる。さらに、これらの構成において、前記基板は矩形基板であり、前記シールド部材は額縁状をなし、前記各分割片は各角部を含んでクランク状に４つ形成され、前記付勢機構は各分割片の角部に設けられ、各分割片の隣接部には、前記付勢機構による付勢力にともなって前記分割片が変位した際に、隣接する分割片を内側へ変位させるような段差が形成されている構成とすることができる。また、前記付勢機構は、前記凹部を覆う蓋部材を有する構成とすることができる。

さらに、上記いずれにおいても、前記付勢部材は、ばね部材であることが好ましい。

上記いずれの構成においても、前記載置部は、基板を静電吸着する静電チャックを有するものとすることができる。また、前記基材にプラズマ生成用の高周波電力を供給する高周波電力供給電源をさらに有するものとすることができる。

本発明の第２観点では、基板を収容する処理チャンバと、前記処理チャンバ内で基板を載置する、前記第１の観点の構成を有する載置台と、前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、前記処理チャンバ内で処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構と、前記処理チャンバ内を排気する排気機構とを具備することを特徴とするプラズマ処理装置を提供する。

上記第２の観点において、前記プラズマ生成機構として、前記基材にプラズマ生成用の高周波電力を供給する高周波電力供給電源を有するものを用いることができる。

本発明によれば、シールド部材が複数の分割片に分割されており、かつ前記分割片を互いに近接するように付勢する付勢機構を有するので、載置台が一旦加熱後の冷却過程において、シールド部材の分割片と基材との熱膨張差に起因してこれらの間に隙間が形成され難くすることができる。

以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る載置台が設けられたプラズマ処理装置を示す断面図である。このプラズマ処理装置１は、ＦＰＤ用ガラス基板Ｇの所定の処理を行う装置の断面図であり、容量結合型平行平板プラズマエッチング装置として構成されている。ここで、ＦＰＤとしては、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、エレクトロルミネセンス（Electro Luminescence；ＥＬ）ディスプレイ、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）等が例示される。

このプラズマ処理装置１は、例えば表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウムからなる角筒形状に成形されたチャンバ２を有している。この処理チャンバ２内の底部には被処理基板であるガラス基板Ｇを載置するための載置台３が設けられている。

載置台３は、絶縁部材４を介して処理チャンバ２の底部に支持されており、アルミニウム等の金属製の凸型の基材５と、基材５の凸部５ａの上に設けられたガラス基板Ｇを載置する載置部６と、載置部６および基材５の凸部５ａの周囲に設けられた、絶縁性セラミックス、例えばアルミナからなる額縁状のシールドリング７とを有している。載置部６はガラス基板ガラス基板Ｇを静電吸着するための静電チャックを構成している。また、基材５の内部には、ガラス基板Ｇを温調するための温調機構（図示せず）が設けられている。さらに、基材５の周囲にシールドリング７を支持するように絶縁性セラミックス、例えばアルミナからなるリング状の絶縁リング８が設けられている。静電チャックを構成する載置部６は、アルミナ等の絶縁セラミックスで構成されたセラミックス溶射皮膜４１と、その内部に埋設された電極４２とを有している。電極４２には給電線３３を介して直流電源３４が接続されており、この直流電源３４からの直流電圧によりガラス基板Ｇが静電吸着される。

チャンバ２の底壁、絶縁部材４および載置台３を貫通するように、その上へのガラス基板Ｇのローディングおよびアンローディングを行うための昇降ピン１０が昇降可能に挿通されている。この昇降ピン１０はガラス基板Ｇを搬送する際には、載置台３の上方の搬送位置まで上昇され、それ以外のときには載置台３内に没した状態となる。

載置台３の基材５には、高周波電力を供給するための給電線１２が接続されており、この給電線１２には整合器１３および高周波電源１４が接続されている。高周波電源１４からは例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力が載置台３の基材５に供給される。したがって、載置台３は下部電極として機能する。

前記載置台３の上方には、この載置台３と平行に対向して上部電極として機能するシャワーヘッド２０が設けられている。シャワーヘッド２０は処理チャンバ２の上部に支持されており、内部に内部空間２１を有するとともに、載置台３との対向面に処理ガスを吐出する複数の吐出孔２２が形成されている。このシャワーヘッド２０は接地されており、下部電極として機能する載置台３とともに一対の平行平板電極を構成している。

シャワーヘッド２０の上面にはガス導入口２４が設けられ、このガス導入口２４には、処理ガス供給管２５が接続されており、この処理ガス供給管２５は処理ガス供給源２８に接続されている。また、処理ガス供給管２５には、開閉バルブ２６およびマスフローコントローラ２７が介在されている。処理ガス供給源２８からは、プラズマ処理、例えばプラズマエッチングのための処理ガスが供給される。処理ガスとしては、ハロゲン系のガス、Ｏ_２ガス、Ａｒガス等、通常この分野で用いられるガスを用いることができる。

処理チャンバ２の底部には排気管２９が形成されており、この排気管２９には排気装置３０が接続されている。排気装置３０はターボ分子ポンプなどの真空ポンプを備えており、これにより処理チャンバ２内を所定の減圧雰囲気まで真空引き可能なように構成されている。また、処理チャンバ２の側壁には基板搬入出口３１が設けられており、この基板搬入出口３１がゲートバルブ３２により開閉可能となっている。そして、このゲートバルブ３２を開にした状態で搬送装置（図示せず）によりガラス基板Ｇが搬入出されるようになっている。

次に、載置台３について詳細に説明する。
図２は載置台３を示す平面図である。この図に示すように、載置台３の構成要素であるシールドリング７は分割タイプとなっており、この例では４つのクランク形状をなす分割片７ａに分割されている。そして、隣接する分割片７ａの間には、分割片７ａが互いに近接する方向に分割片７ａを付勢する付勢機構５０が設けられている。

付勢機構５０は、図３（ａ）の平面図および（ｂ）の断面図に示すように、シールドリング７の隣接する分割片７ａ同士をつなぎ、これら隣接する分割片同士をこれらが互いに近接するように、具体的にはこれらを引き寄せる方向に付勢するばね部材５１を有している。これら分割片７ａにはばね部材５１の端部を固定する固定部材５２が埋設されている。また、分割片７ａの付勢機構５０に対応する部分は、上面が切り欠かれており、その切り欠き部分に、ばね部材５１をプラズマから保護するとともに、ばね部材５１が上方に飛び出ることを阻止するための蓋部材５３が設けられている。この蓋部材５３はシールドリング７と同様のセラミックス部材からなり、角部の四箇所に長穴状のねじ穴５４ａが形成され、このねじ穴５４ａを介して分割片７ａにねじ５４により固定されている。

次に、このように構成されるプラズマエッチング装置１における処理動作について説明する。
まず、ゲートバルブ３２を開いて、ガラス基板Ｇを搬送アーム（図示せず）により基板搬入出口３１を介してチャンバ２内へと搬入し、載置台３の静電チャック６上に載置する。この場合に、昇降ピン１０を上方に突出させて支持位置に位置させ、搬送アーム上のガラス基板Ｇを昇降ピン１０の上に受け渡す。その後、昇降ピン１０を下降させてガラス基板Ｇを載置台３の静電チャックを構成する載置部６上に載置する。

その後、ゲートバルブ３２を閉じ、排気装置３０によって、チャンバ２内を所定の真空度まで真空引きする。そして、直流電源３４から載置部６の電極４２に電圧を印加することにより、ガラス基板Ｇを静電吸着する。そして、バルブ２６を開放して、処理ガス供給源２８から処理ガスを、マスフローコントローラ２７によってその流量を調整しつつ、処理ガス供給管２５、ガス導入口２４を通ってシャワーヘッド２０の内部空間２１へ導入し、さらに吐出孔２２を通って基板Ｇに対して均一に吐出し、排気量を調節しつつチャンバ２内を所定圧力に制御する。

この状態で高周波電源１４から整合器１３を介してプラズマ生成用の高周波電力を載置台３の基材５に供給し、下部電極としての載置台３と上部電極としてのシャワーヘッド２０との間に高周波電界を生じさせて、処理ガスのプラズマを生成し、このプラズマによりガラス基板Ｇにプラズマ処理を施す。

このプラズマ処理に際して、基材５内の温調機構により室温よりも高い温度で温調する場合、または高周波電源１４から連続的に高周波電力を印加して連続的にプラズマを照射する場合には、これらにより載置台３が加熱され、基材５およびシールドリング７がともに熱膨張する。

この場合に、従来のようにシールドリング７の分割片７ａを単にねじ止めしているだけでは、図４に示すように、シールドリング７が基材５に追従して熱膨張した後、室温まで冷却する過程で、セラミックス製のシールドリング７と金属製の基材５の熱膨張差に起因して基材５とシールドリング７との間に隙間Ｓが生じる。

しかし、本実施形態では、図５に示すように、付勢機構５０により、隣接する分割片同士をこれらが互いに近接するように、具体的には互いに引き寄せる方向の付勢力Ａを及ぼすため、一旦加熱された後の冷却過程において、従来、元の位置に戻りきれなかった分割片７ａを元の位置に向けて引き寄せることができ、基材５とシールドリング７との間に隙間が生じないようにすることができる。

なお、付勢機構５０には付勢力を及ぼす手段としてばね部材５１を用いたが、隣接する分割片７ａを近接させる方向に付勢力を及ぼすことができるものであればこれに限るものではない。

次に、載置台の他の実施形態について説明する。
図６は、他の実施形態に係る載置台を示す平面図である。この図に示すように、この実施形態では、４つのクランク形状をなす分割片７ｂに分割されたシールドリング７′を有しており、各分割片７ｂの角部には、ねじ止め部を兼ねた付勢機構６０が１箇所設けられている。本実施形態では、図６に示すように各分割片７ｂの隣接部には段部７ｃが形成されている。そして、付勢機構６０は図６の矢印Ｂに示すような内側方向（中心方向）に分割片７ｂを付勢する。すなわち、付勢機構６０は、分割片７ｂを基材５の凸部５ａ（図１参照）に向かって互いに近接するように付勢する。そして段部７ｃは付勢機構６０の付勢力によって分割片が変位した際に、隣接する分割片７ｂを押圧して矢印Ｃに示す内側方向に変位させるように形成されている。

付勢機構６０は、図７（ａ）の断面図および（ｂ）の平面図に示すように、シールドリング７′の分割片７ｂに設けられた円形をなす凹部６１と凹部６１の直下に設けられた凹部６１よりも小さい紡錘形をなす凹部６２と、凹部６１および６２に挿入されて分割片７ｂと基材５とを締結するねじ６３と、凹部６２内の、ねじ６３と分割片７ｂの壁部との間に設けられたばね部材６４とを有している。また、凹部６１の上部には、ばね部材６４をプラズマから保護するとともに、ばね部材６４が飛び出るのを阻止するために、シールドリング７′と同様のセラミックス部材からなる蓋部材６５が螺合されている。ねじ６３の頭部は凹部６１内に位置して凹部６１の底面を締結面となし、そのネジ部が凹部６２を貫通して基材５に螺合されている。この状態において、ねじ６３は基材５に固定された状態であるから、ばね部材６４は、基材５を基準にして分割片７ｂを矢印Ｂの方向へ付勢する。すなわち、分割片７ｂを互いに近接するように付勢する。

したがって、従前の実施形態と同様、載置台３が一旦加熱された後の冷却過程において、分割片７ｂを元の位置に向けて引き寄せることができ、基材５とシールドリング７′との間に隙間が生じないようにすることができる。この場合に、各分割片７ｂにはねじ止め部を兼ねた付勢機構６０を角部に１つ設ければ、段部７ｃによって隣接する分割片７ｂも所望の方向に押して変位させることができるため、従来のように２本のねじは必要がなく、ねじ本数の削減を実現することができる。ただし、従来と同様２箇所のねじ止め部（付勢機構）を設けるようにしてもよい。

なお、この実施形態においても付勢機構６０の付勢力を及ぼす手段としては、ばね部材６４に限らず、隣接する分割片７ｂを近接させる方向に付勢力を及ぼすことができるものであればよい。

次に、載置台のさらに他の実施形態について説明する。
図８は、さらに他の実施形態に係る載置台を示す平面図である。本実施形態の載置台は、付勢機構の構造以外は図６に示したのと同じ構造を有している。すなわち、付勢機構６０の代わりに付勢機構６０とは構造の異なる付勢機構７０を用いている。

付勢機構７０は、図９の断面図に示すように、シールドリング７′の分割片７ｂに設けられた円形をなす凹部７１と凹部７１の直下に同心状に連続して設けられたすり鉢状の凹部７２とを有しており、凹部７２にはテーパーワッシャー７３が嵌め込まれている。テーパーワッシャー７３には中心に貫通孔が形成されており、その貫通孔にカラー７５が挿入されている。カラー７５はその中心にねじ部材７４を挿入する孔が形成されており、その孔にねじ部材７４が挿入される。その際に、このカラー５７は、ねじ部材７４の頭部の下面から基材５の間に介在され、ねじ部材７４を固定する機能を有している。そして、ねじ部材７４およびその周囲のカラー７５がテーパーワッシャー７３の貫通孔に挿入されており、ねじ部材７４の下端部が基材５に螺合されている。カラー７５の上端はフランジ部７５ａとなっており、テーパーワッシャー７３の上部の貫通孔の周囲には凹部７６が形成されており、フランジ部７５ａの下面と凹部７６の底面との間にはコイル状のばね部材７７が設けられている。なお、テーパーワッシャー７３の下面と基材５の上面との間には隙間が形成されている。また、凹部７１の上部には、ばね部材７７およびねじ部材７４をプラズマから保護するとともに、ばね部材７７およびねじ部材７４が飛び出るのを阻止するために、シールドリング７′と同様のセラミックス部材からなる蓋部材７８が螺合されている。

ここで、シールドリング７′を基材５に固定する力はばね部材７７の反発力のみである。この状態で、載置台が加熱状態から常温に戻ろうとする際には、テーパーワッシャー７５は位置決めされているため、基材５の収縮に引きずられて凹部７２の内側の壁部７２ａに当接した状態となっている。そして、ばね部材７７はテーパーワッシャー７３を付勢（圧縮）しており、この付勢力に起因してねじ部材７４の軸方向と直交する矢印Ｂの方向にシールドリング７′を押す力が生じる。

したがって、従前の実施形態と同様、載置台３が一旦加熱された後の冷却過程において、分割片７ｂを元の位置に向けて引き寄せることができ、基材５とシールドリング７′との間に隙間が生じないようにすることができる。この場合に、各分割片７ｂにはねじ止め部を兼ねた付勢機構７０を１つ設ければ、段部７ｃによって隣接する分割片７ｂも所望の方向に押すことができるため、従来のように２本のねじは必要がなく、ねじ本数の削減を実現することができる。ただし、従来と同様２箇所のねじ止め部（付勢機構）を設けるようにしてもよい。

なお、この実施形態においても付勢機構７０の付勢力を及ぼす手段としては、コイル状のばね部材７７に限らず、その他のばね部材を用いることができる。さらには、ばね部材に限らず、隣接する分割片７ｂを近接させる方向に付勢力を及ぼすことができるものであればよい。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、付勢機構としては、加熱後の収縮時に、シールドリングの分割片を互いに近接するように付勢することができれば、上記実施形態に示したものに限定されない。また、上記実施形態では、シールドリングを４分割した例について示したが、これに限るものではない。さらに、上記実施形態では、本発明をＦＰＤ用のガラス基板のプラズマ処理に適用した場合について示したが、これに限るものではなく、他の種々の基板に対して適用可能である。

本発明の一実施形態に係る載置台が設けられたプラズマ処理装置を示す断面図。 図１のプラズマ処理装置に用いられる本発明の一実施形態に係る載置台を示す平面図。 図２の載置台のシールドリングに用いられる付勢機構を示す平面図および断面図。 従来の載置台において、加熱後の冷却過程で基材とシールドリングとの間に隙間が生じた状態を示す図。 図３の付勢機構により基材とシールドリングとの間に隙間が生じない状態を示す図。 本発明の他の実施形態に係る載置台を示す平面図。 図６の載置台のシールドリングに用いられる付勢機構を示す断面図および平面図。 本発明のさらに他の実施形態に係る載置台を示す平面図。 図８の載置台のシールドリングに用いられる付勢機構を示す断面図。 従来の載置台を示す平面図およびそのＡＡ断面図。 加熱された後の冷却過程で基材とシールドリングとの間に隙間が生じた状態を示す平面図およびそのＢＢ断面図。

符号の説明

１；プラズ処理装置
２；処理チャンバ
３；載置台
５；基材
６；載置部（静電チャック）
７，７′；シールドリング
７ａ，７ｂ；分割片
１４；高周波電源
２０；シャワーヘッド
２８；処理ガス供給源
３４；直流電源
５０，６０，７０；付勢機構
５１，６４，７７；ばね部材
５３，６５，７８；蓋部材
６１，６２；凹部
６３：ねじ部材
７１，７２；凹部
７２ａ；壁部
７３；テーパーワッシャー
７４；ねじ部材
７５；カラー
Ｇ；ガラス基板

Claims (15)

1. 基板にプラズマ処理を施す処理チャンバ内で基板を載置する載置台であって、
   金属製の基材と、
   その上に設けられた基板を載置する載置部と、
   前記載置部および前記基材の上部の周囲を囲繞するように設けられた絶縁性セラミックスからなるシールド部材と
   を具備し、
   前記シールド部材は、複数の分割片に分割されており、かつ前記分割片を互いに近接するように付勢する付勢機構を有することを特徴とする載置台。
2. 前記付勢機構は、隣接する分割片をつなぎ、これらを互いに引き合う方向に付勢する付勢部材を有することを特徴とする請求項１に記載の載置台。
3. 前記基板は矩形基板であり、前記シールド部材は額縁状をなし、前記各分割片は各角部を含んでクランク状に４つ形成されていることを特徴とする請求項２に記載の載置台。
4. 前記基材は、前記載置部が設けられた凸部を有し、前記シールドリングは前記凸部および前記載置部を囲繞するように設けられていることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の載置台。
5. 前記付勢機構は、前記付勢部材を覆う蓋部材を有することを特徴とする請求項２から請求項４のいずれか１項に記載の載置台。
6. 前記基材は、前記載置部が設けられた凸部を有し、前記シールドリングは前記載置部および前記凸部を囲繞するように設けられ、
   前記付勢機構は、前記分割片に設けられた凹部と、前記凹部に挿入され、前記分割片と前記基材とを締結するねじ部材と、前記ねじ部材と前記分割片の前記凹部内の壁部との間に設けられ、前記分割片を前記基材の凸部側へ付勢する付勢部材とを有することを特徴とする請求項１に記載の載置台。
7. 前記基材は、前記載置部が設けられた凸部を有し、前記シールドリングは前記凸部を囲繞するように設けられ、
   前記付勢機構は、前記分割片に設けられたすり鉢状の凹部と、前記凹部に挿入されたテーパーワッシャーと、前記テーパーワッシャーを介在させて前記分割片と前記基材とを締結するねじ部材と、前記ねじ部材と前記テーパーワッシャーとの間に介在された付勢部材とを有し、冷却過程で前記基材と前記分割片との間に熱膨張差が生じた際に、前記付勢部材は、前記テーパーワッシャーを介して前記分割片を前記基材の凸部側へ付勢することを特徴とする請求項１に記載の載置台。
8. 前記ねじ部材の頭部と前記基材との間に介在され、前記ねじ部材を固定する固定部材を有することを特徴とする請求項７に記載の載置台。
9. 前記基板は矩形基板であり、前記シールド部材は額縁状をなし、前記各分割片は各角部を含んでクランク状に４つ形成され、前記付勢機構は各分割片の角部に設けられ、各分割片の隣接部には、前記付勢機構による付勢力にともなって前記分割片が変位した際に、隣接する分割片を内側へ変位させるような段差が形成されていることを特徴とする請求項６から請求項８のいずれか１項に記載の載置台。
10. 前記付勢機構は、前記凹部を覆う蓋部材を有することを特徴とする請求項６から請求項９のいずれか１項に記載の載置台。
11. 前記付勢部材は、ばね部材であることを特徴とする請求項２から請求項１０のいずれか１項に記載の載置台。
12. 前記載置部は、基板を静電吸着する静電チャックを有することを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の載置台。
13. 前記基材にプラズマ生成用の高周波電力を供給する高周波電力供給電源をさらに有することを特徴とする請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の載置台。
14. 基板を収容する処理チャンバと、
    前記処理チャンバ内で基板を載置する、前記請求項１から請求項１３のいずれかの構成を有する載置台と、
    前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、
    前記処理チャンバ内で処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構と、
    前記処理チャンバ内を排気する排気機構と
    を具備することを特徴とするプラズマ処理装置。
15. 前記プラズマ生成機構は、前記基材にプラズマ生成用の高周波電力を供給する高周波電力供給電源を有することを特徴とする請求項１４に記載のプラズマ処理装置。

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