JP2003115476A

JP2003115476A - シールドリングの分割部材、シールドリング及びプラズマ処理装置

Info

Publication number: JP2003115476A
Application number: JP2002260922A
Authority: JP
Inventors: Kenji Amano; 健次天野
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1999-12-22
Filing date: 2002-09-06
Publication date: 2003-04-18
Anticipated expiration: 2020-12-15
Also published as: JP3924721B2

Abstract

(57)【要約】【課題】シールドリング１１３は例えばセラミック等
の耐プラズマ性材料によって形成されているが、シール
ドリング１１３がＬＣＤ用基板Ｓの大面積化に伴って大
型化するとセラミック等の耐プラズマ性材料によって一
体物として作製することが極めて難しく、また、シール
ドリング１１３が大型化するほど電極への組付作業等の
取り扱いも難しくなる。【解決手段】本発明のシールドリング９は、プラズマ
処理を施す処理室１内に配設された下部電極２Ａの周縁
部に取り付けられる複数の分割シールドリング９Ａ’か
らなるシールドリング９であって、分割シールドリング
９Ａ’の繋ぎ目９Ｃに水平方向及び垂直方向の重合面９
Ｄ、９Ｅによって逆向きに形成された段差を設け、これ
らの段差が噛み合って繋ぎ目９Ｃを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、シールドリングの
分割部材、シールドリング及びプラズマ処理装置に関
し、更に詳しくは、シールドリングが大型化しても容易
に製作することができると共に作業性を高めることがで
きるシールドリングの分割部材、シールドリング及びプ
ラズマ処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来か
ら液晶表示体用基板（以下、「ＬＣＤ用基板」と称
す。）にプラズマ処理を施すための装置が種々提案され
ている。例えば図１３はマルチチャンバータイプのプラ
ズマ処理装置の外観を示す図である。同図に示すプラズ
マ処理装置は、例えば３室の処理室１０１と、これらの
処理室１０１がゲートバルブ１０２を介して連結された
矩形状の搬送室１０３と、この搬送室１０３にゲートバ
ルブ１０４を介して連結されたロードロック室１０５
と、ロードロック室１０５にゲートバルブ１０６を介し
て隣接する搬入搬出機構１０７と、搬入搬出機構１０７
の左右に配設されたインデクサ１０８とを備えている。

【０００３】インデクサ１０８にはＬＣＤ用基板Ｓを例
えば２５枚収納したカセットＣが載置され、搬入搬出機
構１０７を介してカセット内のＬＣＤ用基板Ｓをロード
ロック室１０５内へ搬入すると共に処理済みのＬＣＤ用
基板Ｓをロードロック室１０５内から搬出する。ロード
ロック室１０５内へＬＣＤ用基板Ｓを搬入すると、ゲー
トバルブ１０６を閉じる。次いで、ロードロック室１０
５内を所定の真空度まで減圧した後、搬送室１０３とロ
ードロック室１０５間のゲートバルブ１０４が開き、ロ
ードロック室１０５内のＬＣＤ用基板Ｓを搬送室１０３
内の搬送機構（図示せず）を介して搬送室１０３内へ搬
入した後、ゲートバルブ１０４を閉じる。搬送室１０３
内では更に減圧してロードロック室１０５内よりも高い
真空度まで減圧した後ゲートバルブ１０２を開き、処理
室１０１内の下部電極との間で未処理のＬＣＤ用基板Ｓ
と処理済みのＬＣＤ用基板Ｓ’とを交換する（図１４参
照）。交換後、処理室１０１内では下部電極と上部電極
間にプラズマを発生させＬＣＤ用基板Ｓに対して所定の
プラズマ処理を行う。３室の処理室１０１では同一の処
理（例えばエッチング処理等）を行っても良いし、互い
に異なった処理（例えばエッチング処理とアッシング処
理等）を行うようにしても良い。

【０００４】ところが、ＬＣＤ用基板Ｓは半導体ウエハ
と異なり処理面積が大きく、プラズマ装置自体が半導体
ウエハ用と比較して大型であるため、半導体ウエハ用の
プラズマ処理装置の仕様では対応しきれない種々の問題
がある。例えば、下部電極におけるＬＣＤ用基板Ｓの受
け渡し機構も以下で説明するように半導体ウエハの場合
とは異なる独自の機構がある。また、下部電極、上部電
極等の構成部材は半導体ウエハ用の場合と比較して大き
く、しかも最近はＬＣＤ用基板Ｓ自体が益々大面積化し
ているため、液晶表示体基板用プラズマ処理装置独自の
難しい問題がある。

【０００５】さて、ここで液晶表示体基板用プラズマ処
理装置独自の機構であるＬＣＤ用基板Ｓの受け渡し機構
について図１４、図１５を参照しながら説明する。処理
室１０１内には図１５に示すようにＬＣＤ用基板Ｓを載
置する載置台を兼ねる下部電極１０９が配設され、搬送
室１０３内には例えば多関節型の搬送機構（図１４では
ハンド１１０のみを図示してある）が配設されている。
また、下部電極１０９には第１、第２受け渡し機構１１
１、１１２が配設され、第１、第２受け渡し機構１１
１、１１２を介して下部電極１０９と搬送機構のハンド
１１０との間で未処理ＬＣＤ用基板Ｓ及び処理済みＬＣ
Ｄ用基板Ｓ’の受け渡しを行う。ハンド１１０は図１４
に示すように上下二段のフォーク１１０Ａ、１１０Ｂを
有し、上フォーク１１０Ａで未処理のＬＣＤ用基板Ｓを
支持し、下フォーク１１０Ｂで処理済みのＬＣＤ用基板
Ｓ’を支持する。

【０００６】第１、第２受け渡し機構１１１、１１２に
ついて図１４、図１５を参照しながら更に説明する。第
１受け渡し機構１１１は、例えば下部電極１０９の左右
両側縁部の前後に配設された二対の第１昇降ピン１１１
Ａを有し、ＬＣＤ用基板Ｓの左右両側縁からＬＣＤ用基
板Ｓを水平に支持する。第２受け渡し機構１１２は、例
えば下部電極１０９の周囲を被覆する枠状のシールドリ
ング１１３の左右に配設された二対の第２昇降ピン１１
２Ａを有している。第２昇降ピン１１２Ａは例えば上端
部が水平方向、上方向へ二度に渡って９０°ずつ折曲形
成され、Ｌ字状の先端で第１昇降ピン１１１Ａよりも高
い位置で未処理のＬＣＤ用基板Ｓを支持する。また、第
２昇降ピン１１２Ａは正逆方向に回転可能になってお
り、ＬＣＤ用基板Ｓを受け渡す時には図１５の（ｂ）に
示すようにＬ字状部を反時計方向へ９０°回転させ下部
電極１０９の内側に向け、その他の時にはＬ字状部を時
計方向へ９０°回転させてシールドリング１１３に形成
された凹部１１３Ａ内に後退し、蓋１１２Ｂで凹部１１
３Ａを閉じる。

【０００７】従って、未処理及び処理済みのＬＣＤ用基
板Ｓ、Ｓ’の受け渡し（交換）は以下のように実施す
る。まず、第２受け渡し機構１１２では図１５の（ａ）
の状態から蓋１１２Ｂが開いた後、同図の（ｂ）の矢印
で示すように第２昇降ピン１１２Ａがシールドリング１
１３の凹部１１３Ａから上昇すると共にＬ字状部を下部
電極１０９の内側に向ける。引き続き第１受け渡し機構
１１１では第１昇降ピン１１１Ａが上昇して処理済みＬ
ＣＤ用基板Ｓ’を水平に持ち上げる。そして、搬送機構
のハンド１１０が下部電極１０９に向けて進出すると、
上フォーク１１０Ａに載置された未処理のＬＣＤ用基板
Ｓが第２昇降ピン１１２ＡのＬ字状部のやや上方に位置
すると共に下フォーク１１０Ｂが処理済みのＬＣＤ用基
板Ｓ’のやや下方に位置する。次いで、第２昇降ピン１
１２Ａが上昇して上フォーク１１０Ａから未処理のＬＣ
Ｄ用基板Ｓを受け取った後、第１昇降ピン１１１Ａが下
降して処理済みのＬＣＤ用基板Ｓ’を下フォーク１１０
Ｂへ引き渡す。引き続きハンド１１０が下部電極１０９
から後退し、第１昇降ピン１１１Ａがやや上昇すると共
に第２昇降ピン１１２Ａが下降し、未処理のＬＣＤ用基
板Ｓを第２昇降ピン１１２Ａから第１昇降ピン１１１Ａ
へ引き渡す。更に、第１昇降ピン１１１Ａが下降して下
部電極１０９内に後退しＬＣＤ用基板Ｓを下部電極１０
９上に載置する。第２昇降ピン１１２Ａは未処理のＬＣ
Ｄ用基板Ｓを引き渡した後、Ｌ字状部が逆向きに９０°
回転した後下降してシールドリング１１３の凹部１１３
Ａ内へ後退し、蓋１１２Ｂを閉じ、一連のＬＣＤ用基板
の受け渡しを終了する。

【０００８】ところで、第２受け渡し機構１１２の第２
昇降ピン１１２Ａはシールドリング１１３の凹部１１３
Ａ内に収納され、蓋１１２Ｂによって凹部１１３Ａを閉
じるようにしているため、蓋１１２Ｂと凹部１１３Ａに
は開閉用のクリアランスが必要である。また、第２昇降
ピン１１２Ａの駆動部は下部電極中の空洞に配設されて
いるため、プラズマ処理時にはこのクリアランスを通っ
て異常放電が発生する虞があり、また、このクリアラン
スからプラズマ副生成物が侵入し、副生成物が凹部１１
３Ａ内に堆積し、パーティクルの原因になる虞がある。
また、第２受け渡し機構１１２がＬＣＤ用基板Ｓに隣接
するシールドリング１１３に設けられているため、その
可動部から発生したパーティクルが隣のＬＣＤ用基板Ｓ
を汚染する虞がある。

【０００９】また、下部電極、上部電極等の構成部材は
半導体ウエハ用の場合と比較して大きく、しかも最近は
ＬＣＤ用基板Ｓ自体が益々大面積化しているため、例え
ば下部電極１０９の外周縁部を被覆するシールドリング
１１３自体に液晶表示体基板用プラズマ処理装置独自の
難しい問題がある。つまり、シールドリング１１３は例
えばセラミック等の耐プラズマ性材料によって形成され
ているが、シールドリング１１３がＬＣＤ用基板Ｓの大
面積化に伴って大型化するとセラミック等の耐プラズマ
性材料によって一体物として作製することが極めて難し
く、また、シールドリング１１３が大型化するほど電極
への組付作業等の取り扱いも難しくなる。そこで、シー
ルドリング１１３を複数に分割する方法が考えられる
が、シールドリング１１３を複数に分割すると、プラズ
マ処理時に繋ぎ目の隙間において異常放電が発生すると
共にこの隙間にプラズマ副生成物が侵入して堆積し、パ
ーティクルの原因になるなどというシールドリングとし
ての性能が低下するという新たな問題を生じる。

【００１０】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、シールドリングが大型化してもシールドリ
ングを容易に製作することができると共にシールドリン
グを容易に取り扱うことができ電極への取り付け作業等
の作業性を高めることができ、しかもシールドリングと
しての性能が低下することのないシールドリングの分割
部材、シールドリング及びプラズマ処理装置を提供する
ことを目的としている。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
のシールドリングの分割部材は、プラズマ処理を施す処
理室内に配設された電極の周縁部に取り付けられるシー
ルドリングを複数に分割したシールドリングの分割部材
であって、上記分割部材の繋ぎ目に段差を設け、上記繋
ぎ目同士が重なることを特徴とするものである。

【００１２】また、本発明の請求項２に記載のシールド
リングの分割部材は、請求項１に記載の発明において、
上記段差は水平方向及び垂直方向の段差を有することを
特徴とするものである。

【００１３】また、本発明の請求項３に記載のシールド
リングの分割部材は、プラズマ処理を施す処理室内に配
設された電極の周縁部に取り付けられるシールドリング
を複数に分割したシールドリングの分割部材であって、
上記分割部材の繋ぎ目に方向が異なる複数の面を連設
し、これらの面が接触して上記繋ぎ目を形成することを
特徴とするものである。

【００１４】また、本発明の請求項４に記載のシールド
リングの分割部材は、プラズマ処理を施す処理室内に配
設された電極の周縁部に取り付けられるシールドリング
を複数に分割したシールドリングの分割部材であって、
上記分割部材の繋ぎ目に二方向の段差を設け、これらの
段差が噛み合って上記繋ぎ目を形成することを特徴とす
るものである。

【００１５】また、本発明の請求項５に記載のシールド
リングの分割部材は、請求項１〜請求項４のいずれか１
項に記載の発明において、上記電極が下部電極であるこ
とを特徴とするものである。

【００１６】また、本発明の請求項６に記載のシールド
リングの分割部材は、請求項１〜請求項５のいずれか１
項に記載の発明において、上記電極が上部電極であるこ
とを特徴とするものである。

【００１７】また、本発明の請求項７に記載のシールド
リングは、プラズマ処理を施す処理室内に配設された電
極の周縁部に取り付けられる複数の分割部材からなるシ
ールドリングであって、上記分割部材の繋ぎ目に段差を
設け、上記繋ぎ目同士が重なることを特徴とするもので
ある。

【００１８】また、本発明の請求項８に記載のシールド
リングは、請求項７に記載の発明において、上記段差は
水平方向及び垂直方向の段差を有することを特徴とする
ものである。

【００１９】また、本発明の請求項９に記載のシールド
リングは、プラズマ処理を施す処理室内に配設された電
極の周縁部に取り付けられる複数の分割部材からなるシ
ールドリングであって、上記分割部材の繋ぎ目に方向が
異なる複数の面を連設し、これらの面が接触して上記繋
ぎ目を形成することを特徴とするものである。

【００２０】また、本発明の請求項１０に記載のシール
ドリングは、プラズマ処理を施す処理室内に配設された
電極の周縁部に取り付けられる複数の分割部材からなる
シールドリングであって、上記分割部材の繋ぎ目に二方
向の段差を設け、これらの段差が噛み合って上記繋ぎ目
を形成することを特徴とするものである。

【００２１】また、本発明の請求項１１に記載のシール
ドリングは、請求項７〜請求項１０のいずれか１項に記
載の発明において、上記電極が下部電極であることを特
徴とするものである。

【００２２】また、本発明の請求項１２に記載のシール
ドリングは、請求項７〜請求項１１のいずれか１項に記
載の発明において、上記電極が上部電極であることを特
徴とするものである。

【００２３】また、本発明の請求項１３に記載のプラズ
マ処理装置は、被処理体にプラズマ処理を施す処理室
と、この処理室内に配設され且つ電極を有する上記被処
理体用の載置台と、この載置台を構成する電極の周縁部
を被覆するシールドリングと、上記処理室内にプロセス
ガスを供給するガス供給手段と、上記処理室内のガスを
排気するガス排気手段とを備えたプラズマ処理装置にお
いて、上記シールドリングは複数の分割部材からなり、
且つ、この分割部材の繋ぎ目に段差を設け、上記繋ぎ目
同士が重なることを特徴とするものである。

【００２４】また、本発明の請求項１４に記載のプラズ
マ処理装置は、請求項１３に記載の発明において、上記
段差は水平方向及び垂直方向の段差を有することを特徴
とするものである。

【００２５】また、本発明の請求項１５に記載のプラズ
マ処理装置は、被処理体にプラズマ処理を施す処理室
と、この処理室内に配設され且つ上記被処理体を載置す
る載置台と、この載置台を構成する電極の周縁部を被覆
するシールドリングと、上記処理室内にプロセスガスを
供給するガス供給手段と、上記処理室内のガスを排気す
るガス排気手段とを備えたプラズマ処理装置において、
上記シールドリングは複数の分割部材からなり、且つ、
この分割部材の繋ぎ目に方向が異なる複数の面を連設
し、これらの面が接触して上記繋ぎ目を形成することを
特徴とするものである。

【００２６】また、本発明の請求項１６に記載のプラズ
マ処理装置は、被処理体にプラズマ処理を施す処理室
と、この処理室内に配設され且つ上記被処理体を載置す
る載置台と、この載置台を構成する電極の周縁部を被覆
するシールドリングと、上記処理室内にプロセスガスを
供給するガス供給手段と、上記処理室内のガスを排気す
るガス排気手段とを備えたプラズマ処理装置において、
上記シールドリングは複数の分割部材からなり、且つ、
この分割部材の繋ぎ目に二方向の段差を設け、これらの
段差が噛み合って上記繋ぎ目を形成することを特徴とす
るものである。

【００２７】また、本発明の請求項１７に記載のプラズ
マ処理装置は、被処理体にプラズマ処理を施す処理室
と、この処理室内に配設され且つ上記被処理体を載置す
る、下部電極を有する載置台と、この載置台に対向して
配置された上部電極と、この上部電極を構成する電極の
周縁部を被覆するシールドリングと、上記処理室内にプ
ロセスガスを供給するガス供給手段と、上記処理室内の
ガスを排気するガス排気手段とを備えたプラズマ処理装
置において、上記シールドリングは複数の分割部材から
なり、且つ、この分割部材の繋ぎ目に段差を設け、上記
繋ぎ目同士が重なることを特徴とするものである。

【００２８】また、本発明の請求項１８に記載のプラズ
マ処理装置は、請求項１７に記載の発明において、上記
段差は水平方向及び垂直方向の段差を有することを特徴
とするものである。

【００２９】また、本発明の請求項１９に記載のプラズ
マ処理装置は、被処理体にプラズマ処理を施す処理室と
この処理室内に配設され且つ上記被処理体を載置する、
下部電極を有する載置台と、この載置台に対向して配置
された上部電極と、この上部電極を構成する電極の周縁
部を被覆するシールドリングと、上記処理室内にプロセ
スガスを供給するガス供給手段と、上記処理室内のガス
を排気するガス排気手段とを備えたプラズマ処理装置に
おいて、上記シールドリングは複数の分割部材からな
り、且つ、この分割部材の繋ぎ目に方向が異なる複数の
面を連設し、これらの面が接触して上記繋ぎ目を形成す
ることを特徴とするものである。

【００３０】また、本発明の請求項２０に記載のプラズ
マ処理装置は、被処理体にプラズマ処理を施す処理室
と、この処理室内に配設され且つ上記被処理体を載置す
る、下部電極を有する載置台と、この載置台に対向して
配置された上部電極と、この上部電極を構成する電極の
周縁部を被覆するシールドリングと、上記処理室内にプ
ロセスガスを供給するガス供給手段と、上記処理室内の
ガスを排気するガス排気手段とを備えたプラズマ処理装
置において、上記シールドリングは複数の分割部材から
なり、且つ、この分割部材の繋ぎ目に二方向の段差を設
け、これらの段差が噛み合って上記繋ぎ目を形成するこ
とを特徴とするものである。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下、図１〜図１２に示す実施形
態に基づいて本発明を説明する。本実施形態の液晶表示
体基板用プラズマ処理装置（以下、単に「プラズマ処理
装置」と称する。）は、基本的には従来と同様に、ＬＣ
Ｄ用基板Ｓにプラズマ処理を施す上部電極及び下部電極
を有する処理室と、この処理室に連結された搬送機構を
有する搬送室とを備えている。本実施形態の処理室１の
側壁には図１の（ａ）に示すようにゲートバルブＧが取
り付けられ、このゲートバルブＧを介して処理室１と搬
送室（図示せず）は連通可能になっている。この処理室
１内には下部電極２Ａを有する載置台２が配設され、こ
の載置台２の上方には隙間を介してプロセスガスの供給
部を兼ねる上部電極３が対向配置されている。上部電極
３はマッチング回路３Ａを介して高周波電源３Ｂに接続
され、高周波電源３Ｂから上部電極３に１３．５６ＭＨ
ｚの高周波電力を印加する。また、処理室１の外側には
プロセスガス供給源４が配設され、このプロセスガス供
給源４からプロセスガスを処理室１内に供給する。従っ
て、プロセスガス供給源４から処理室１内へプロセスガ
スを供給すると共に上部電極３に高周波電力を印加する
ことにより、下部電極２Ａと上部電極３間でプロセスガ
スのプラズマを発生させ、ＬＣＤ用基板Ｓに対してエッ
チングあるいはアッシング等のプラズマ処理を行うこと
ができる。

【００３２】図１の（ａ）に示すようにプロセスガス供
給源４はマスフローコントローラ４Ａ、開閉バルブ４Ｂ
及びガス配管５を介して上部電極３に接続され、処理室
１近傍のガス配管５は処理室１の側壁に形成された貫通
孔１Ａを貫通している。また、処理室１は上端近傍で上
下に二分割されて処理室１の上部が開閉可能になってお
り、内部のメンテナンスを行い易いようにしてある。こ
れに伴ってガス配管５も分割され、同図の（ｂ）に拡大
して示すようにそれぞれの分割端にはフランジ５Ａ、５
Ａが取り付けられている。フランジ５Ａの周縁部は処理
室１の側壁の分割面に穿設されたリング状凹陥部１Ｂ内
に収納されている。そして、フランジ５Ａ、５Ａの衝合
面間、各フランジ５Ａとリング状凹陥部１Ｂとの衝合面
間にはそれぞれシール部材５Ｂ、５Ｃが介装され、更
に、側壁の分割面間にもシール部材１Ｃが介装され、こ
れらのシール部材１Ｃによって処理室１内の気密を保持
している。このようにガス配管５を処理室１の壁面内に
収納することで処理室１を開閉する場合にはガス配管５
が邪魔になることがない。また、上部電極３を冷却する
場合にはその冷媒配管を側壁の貫通孔１Ａに通しても良
い。

【００３３】処理室１の底面には図１の（ａ）、図２に
示すように排気口１Ｅが５箇所に略均等に分散して形成
され、これらの排気口１Ｅから処理室１内のガスを排気
する。排気口１Ｅは載置台２の周囲の他、載置台２の下
方にも形成され、排気口１Ｅに接続された排気管６を介
して排気の高速化や処理室１内の排気流の均一化を図る
ようにしてあるため、処理室１内のプロセスガスの分布
を均一化してエッチング処理等のプラズマ処理の均一化
を実現することができる。

【００３４】載置台２は処理室１の底面中央に配置さ
れ、例えば４本の中空状の支柱７によって底面から浮上
した状態で支持されている。この支柱７は図２に示すよ
うに処理室１の底面の貫通孔１Ｆに対してフランジ結合
されており、ユーティリティ関連の収納配管を兼ねてい
る。即ち、下部電極２Ａの内部には冷媒流路２Ｂが形成
され、この冷媒流路２Ｂは冷媒供給源（図示せず）に連
なる冷媒配管２Ｃに接続され、この冷媒配管２Ｃを介し
て冷媒流路２Ｂを循環する冷媒により下部電極２Ａを所
定の温度まで冷却制御する。また、下部電極２Ａの表面
には静電チャック８が配設され、静電チャック８を介し
てＬＣＤ用基板Ｓを静電吸着する。この静電チャック８
は配線８Ａを介して電源８Ｂに接続されている。これら
の冷媒配管２Ｃ、配線８Ａ及び下部電極２Ａのアース配
線２Ｄ等のユーティリティ関連の配管、配線が支柱７内
に収納されている。

【００３５】また、図１の（ａ）に示すように下部電極
２Ａの外周縁部はセラミックス等の耐プラズマ性材料に
よって枠状に形成されたシールドリング９によって被覆
され、このシールドリング９によって下部電極２Ａ外周
縁部をスパッタリングによる損傷から防止すると共に上
部電極３の間に発生したプラズマの下部電極２Ａの外側
への広がりを防止する。また、このシールドリング９
は、下部電極２Ａの外周縁部を被覆するリング状枠９Ａ
と、下部電極２Ａの外周面を被覆する筒状体９Ｂからな
っている。これら両者９Ａ、９Ｂは同図に示すように分
割されたものであっても一体化したものであっても良
い。

【００３６】本実施形態のリング状枠９Ａは例えば図３
に示すように４つの分割シールリング９Ａ’として分割
されている。このため、本実施形態ではＬＣＤ用基板Ｓ
の大面積化に伴って大型化してもリング状枠９Ａを一体
物として製作するのではなく、分割シールドリング９
Ａ’を分割部材として製作するため、一体物のリング状
枠９Ａと比較して個々の分割シールドリング９Ａ’を極
めて容易に製作することができる。しかも分割シールド
リング９Ａ’は枠状の一体物と比較して極めて容易に取
り扱うことができるため、製作後の搬送作業や下部電極
２Ａに対する組付け作業等の作業性を格段に高めること
ができる。

【００３７】分割シールリング９Ａ’ の繋ぎ目には段
差が設けられ、その繋ぎ目同士が重なって互いに隙間な
く密着している。しかも、繋ぎ目９Ｃには異物（例え
ば、プラズマ副生成物）の侵入を阻止する部分が形成さ
れている。例えば同図に示すように、分割シールリング
９Ａ’の繋ぎ目９Ｃには方向が異なる複数の重合面９
Ｄ、９Ｅが互いに逆向きに連設され、これらの重合面９
Ｄ、９Ｅが重なって接触することで繋ぎ目９Ｃが形成さ
れている。具体的には、これらの重合面９Ｄ、９Ｅは図
３に示すように水平方向及び垂直方向の段差を形成し、
これらの重合面９Ｄ、９Ｅが互いに重合している。この
ように繋ぎ目９Ｃは水平方向及び垂直方向の重合面９
Ｄ、９Ｅによって逆向きに形成された段差が噛み合って
密着しているため、プラズマ処理時の異常放電を防止す
ることができ、繋ぎ目９Ｃ内へのプラズマ副生成物の侵
入を阻止することができる。これらの各重合面９Ｄ、９
Ｅは互いに方向を異にする面であれば、水平方向及び垂
直方向の面でなくても良く、また、これらの重合面９
Ｄ、９Ｅは方向が異なる複数の段差を形成することが好
ましい。複数の段差を設けることでプラズマ副生成物の
侵入をより確実に防止することができる。

【００３８】静電チャック８は図１の（ａ）に示すよう
に下部電極２Ａの周縁部に配設されたリング状枠９Ａ及
びその上面のガス整流ブロック１０によって囲まれてい
る。ガス整流ブロック１０はＬＣＤ用基板Ｓを搬入、搬
出する場合には上部電極３の方に上昇するようになって
いる。このガス整流ブロック１０はセラミック等の耐プ
ラズマ性材料によって図４の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に
示すように断面がＬ字状を呈する枠状に形成され、上部
電極３から下降流で供給されるプロセスガスがＬＣＤ用
基板Ｓ表面全体に均一な流速で行き渡るようにしてあ
る。即ち、上部電極３からプロセスガスを下降流で供給
した後、使用後のガスを排気口１Ｅから排気する。この
時の排気流はＬＣＤ用基板Ｓの中央部よりも周縁部の方
が速いが、ガス整流ブロック１０を設けることでガス流
がガス整流ブロック１０によって堰き止められてＬＣＤ
用基板Ｓの周縁部のガス流速が遅くなる。この結果、ガ
ス整流ブロック１０内側のＬＣＤ用基板Ｓ全面でのプロ
セスガスの密度が均一化され、プラズマ処理を均一化す
ることができる。このような結果をより確実に得るため
には、ガス整流ブロック１０のＬＣＤ用基板Ｓ表面から
の高さは例えば２５mm程度に設定することが好ましい。

【００３９】また、ガス整流ブロック１０は、図４の
（ａ）、（ｂ）に示すように、矩形状の基板枠１０Ａ
と、この基板枠１０Ａの内周縁に着脱自在に複数の固定
用ピン１０Ｂを介して取り付けられた整流枠１０Ｃと、
この整流枠１０Ｃを基板枠１０Ａに装着した状態で整流
枠１０Ｃを側面から押圧し固定用ピン１０Ｂを介して基
板枠１０Ａ上に整流枠１０Ｃを固定するカム等の固定具
１０Ｄとを有している。固定用ピン１０Ｂは整流枠１０
Ｃの下端に所定間隔を空けて全周に渡って垂直下方に向
けて取り付けられ、基板枠１０Ａに設けられたピン孔に
嵌入するようになっている。また、カム等の固定具１０
Ｄは例えば図４の（ａ）に示すように基板枠１０Ａの各
辺に取り付けられている。従って、メンテナンス時には
整流枠１０Ｃは固定具１０Ｄを手動操作することで基板
枠１０Ａから簡単に着脱することができるため、整流枠
１０Ｃにプラズマ副生成物が付着、堆積した場合にはク
リーニングを簡単に行うことができる。尚、基板枠１０
Ａに対する整流枠１０Ｃの位置決め及び取り付けは、固
定用ピン１０Ｂ以外の構成を採用することもできる。例
えば、図４の（ｃ）に示すように整流枠１０Ｃの下端部
に段部１０Ｅを設けると共に基板枠１０Ａの内周に段部
１０Ｅと係合する凸部１０Ｆを設け、段部１０Ｅと凸部
１０Ｆを係合させて一体化しても良い。

【００４０】而して、図５に示すように処理室１内には
搬送室の搬送機構と載置台２との間でＬＣＤ用基板Ｓを
受け渡す第１、第２受け渡し機構１１、１２が配設され
ている。第１受け渡し機構１１は同図に示すように従来
と同様に下部電極２Ａの内周縁部に沿って配設された４
本の昇降ピン１１Ａを有している。図示してないが、こ
れらの昇降ピン１１Ａは太さ（外径）が一定のピンであ
っても良く、また、上端部のみが太くその下方から縊れ
て一定の細さになったピンであっても良い。昇降ピン１
１Ａが出没する下部電極２Ａの孔には絶縁性材料によっ
て形成されたブッシュ（図示せず）が装着され、このブ
ッシュに従って昇降ピン１１Ａが昇降する。このブッシ
ュは下部電極２Ａを形成する電極板（図示せず）の裏面
側に装着され、ブッシュ自体が電極表面に露呈しないよ
うになっており、下部電極２Ａの孔での放電を防止して
いる。一方、第２受け渡し機構１２は、載置台２に隣接
させて処理室１の底面に第１受け渡し機構１１に対応し
て配設されている。

【００４１】そこで、第２受け渡し機構１２について詳
述する。第２受け渡し機構１２は、例えば図５、図６に
示すように、正逆回転可能で且つ昇降可能な支持ロッド
１３と、この支持ロッド１３の上端から水平に張り出す
長円形状の支持部材１４と、この支持部材１４を上端開
口から受け入れて下降端で収納する長円形状の筐体１５
と、この筐体１５を支持する支持機構１６とを有してい
る。この筐体１５は載置台２の側面に平行に配置され、
その上端が載置台２の載置面より１０〜５０ｍｍだけ低
く位置している。そして、筐体１５等の各部材は基本的
には表面がアルマイト加工されたアルミニウムによって
形成されている。

【００４２】図６に示すように支持ロッド１３は処理室
１の底面に形成された貫通孔１Ｇを貫通し、底面の下方
に配設されたリフタ１７に対して接続部材１３Ａを介し
て連結されている。このリフタ１７は底面の下方に配設
された回転駆動機構及び昇降駆動機構（共に図示せず）
を介して正逆回転及び昇降可能になっている。従って、
支持ロッド１３はリフタ１７を介して正逆回転及び昇降
可能になっており、しかも、接続部材１３Ａを介してリ
フタ１７から取り外せるようになっている。また、底面
の貫通孔１Ｇの裏側にはフランジ１８Ａを介してベロー
ズ１８が取り付けられ、このベローズ１８内にリフタ１
７が収納されている。支持ロッド１３は筐体１５よりも
下側の部分が筒状部材１９内に収納されている。この筒
状部材１９の下端にはフランジ１９Ａが形成され、この
フランジ１９Ａを介して支持機構１６の基板１６Ａの一
端に固定されている。そして、筒状部材１９の上端開口
にはブッシュ１９Ｂが装着され、筒状部材１９内ひいて
は底面下側空間から処理室１内を遮断し、底面下方の駆
動機構によって発生するパーティクルが筒状部材１９か
ら処理室１内へ入り込まないようにしてある。また、ブ
ッシュ１９Ｂは支持ロッド１３の昇降ガイドの機能も有
している。

【００４３】また、図６に示すように支持部材１４は筐
体１５内に収まるように筐体１５と相似形状を呈するよ
うに形成され、その基端で支持ロッド１３の上端に連結
されている。この支持部材１４は、ＬＣＤ用基板Ｓを受
ける受け部材１４Ａと、筐体１５の上端開口を開閉する
蓋部材１４Ｂとを有している。受け部材１４Ａは例えば
表面がアルマイト加工されたアルミニウムによって先端
側が薄肉状の受け部として形成されていると共に基端側
が厚肉状に形成され、受け部においてＬＣＤ用基板Ｓを
受けるようになっている。この受け部材１４Ａの表面に
はフッ素系樹脂等の摩擦係数の大きな耐熱、耐食性の材
料からなる滑り止め１４Ｃが設けられ、この滑り止め１
４ＣによってＬＣＤ用基板Ｓの受け部材１４Ａからの滑
落を防止している。蓋部材１４Ｂはセラミックス等の耐
プラズマ性材料によって平面形状が筐体１５と略同一大
きさに形成され、受け部材１４Ａの厚肉部に固定されて
いる。従って、支持部材１４が支持ロッド１３を介して
下降端に達すると、筐体１５の上端開口を蓋部材１４Ｂ
によって閉じるようになっている。筐体１５の開口端面
には全周に渡ってシール部材２０が取り付けられ、シー
ル部材２０を介して筐体１５内を処理室１から遮断し、
プラズマ処理時にプラズマ副生成物が筐体１５内に侵入
して付着、堆積しないようにしてある。従って、ＬＣＤ
用基板Ｓを載置する受け部材１４Ａは常に清浄に保たれ
る。

【００４４】筐体１５の底面には図６に示すように基端
部に支持ロッド１３が遊嵌する孔１５Ａが形成され、ま
た、その底面には長軸線に沿って所定間隔を空けて２個
の孔が形成され、これらの孔を介して支持機構１６が連
結されている。支持機構１６は、同図に示すように、筐
体１５の２個の孔をそれぞれ垂直に貫通するガイドロッ
ド１６Ｂ、１６Ｂと、ガイドロッド１６Ｂ、１６Ｂの上
端がそれぞれ挿着されたフランジを有する第１スリーブ
１６Ｃ、１６Ｃと、第１スリーブ１６Ｃ、１６Ｃとそれ
ぞれ所定間隔を空けてそれぞれの下方に装着された第２
スリーブ１６Ｄ、１６Ｄと、第１、第２スリーブ１６
Ｃ、１６Ｄの間に弾装された弾性部材（例えばコイルス
プリング）１６Ｅ、１６Ｅと、コイルスプリング１６
Ｅ、１６Ｅをそれぞれ囲んで筐体１５の下面にそれぞれ
固定された第３スリーブ１６Ｆ、１６Ｆとを有してい
る。各ガイドロッド１６Ｂ、１６Ｂは第１スリーブ１６
Ｃ、１６Ｃ上端のフランジから突出し、突出端において
連結板１６Ｇを介して互いに連結されている。第１スリ
ーブ１６Ｃ、１６Ｃは筐体１５内に位置するフランジを
介して筐体１５の底面に固定されている。従って、支持
ロッド１３が下降して支持部材１４が筐体１５内へ収納
される時に、蓋部材１４Ｂが下降端に達すると支持機構
１６のスプリング１６Ｅを介して弾力的に支持された筐
体１５の開口端面と弾力的に接触し、シール部材２０を
介して筐体１５内を確実に封止する。尚、蓋部材１４Ｂ
は筐体１５の開口端面に弾力的に接触するため、シール
部材２０を省略することもできる。

【００４５】一方、上部電極３は図１の（ａ）に示すよ
うに中空状に形成され、処理室１上面の中央孔に絶縁性
部材からなる枠体２１を介して装着されている。この上
部電極３の下面（下部電極と対向する面）全面には多数
の分散孔３Ｃが均等に分散配置され、各分散孔３Ｃから
処理室１内全体へプロセスガスを下降流で供給する。ま
た、同図に示すように上部電極３の内部には第１、第２
バッフル板２２、２３が上下二段に所定間隔を空けて取
り付けられている。各バッフル板２２、２３にはそれぞ
れ全面に渡って分散孔２２Ａ、２３Ａが均等に分散して
形成され、しかも各分散孔２２Ａ、２３Ａは互い違いに
なっている。

【００４６】また、上部電極３の上壁内面と第１バッフ
ル板２２は、例えば図７に示すように、第１、第２仕切
板２４、２５によって連結され、上壁と第１バッフル板
２２間の空間を３つの部屋３Ｄ、３Ｅ、３Ｆに分割して
いる。第１仕切板２４は平面形状が上部電極３と相似形
の枠体として形成され、第２仕切板２５は第１仕切板２
４の両側面と上部電極３の内壁面を連結する矩形板とし
て形成されている。また、各部屋３Ｄ、３Ｅ、３Ｆには
図１の（ａ）に示すようにガス配管５の分岐管５Ｄ、５
Ｅ、５Ｆが連結されている。これらの分岐管５Ｄ、５
Ｅ、５Ｆにはコントロールバルブ２６、２６、２６がそ
れぞれ取り付けられ、各部屋３Ｄ、３Ｅ、３Ｆへのプロ
セスガスの流量を個別に制御できるようにしてある。こ
のように各部屋３Ｄ、３Ｅ、３Ｆへのガス流量を個別に
制御することにより、ＬＣＤ用基板Ｓが大面積化しても
ＬＣＤ用基板Ｓ全領域でのガス流量を均等化することが
でき、ひいてはプラズマ処理を均一化することができ
る。

【００４７】また、上部電極３の下面周縁部には図１の
（ａ）に示すように本実施形態に係る枠状のシールドリ
ング２７が取り付けられ、このシールドリング２７は基
本的には下部電極２Ａのシールドリング９のリング状枠
９Ａと実質的に同様の構成及び機能を有するもので、耐
プラズマ性材料によって形成されている。このシールド
リング２７はＬＣＤ用基板Ｓの大面積化に伴って大型化
するため、一体物では取り扱いなどが難しく、例えば図
８に示すように４つに分割し、４つの分割シールドリン
グ２７Ｂが互いに繋ぎ目２７Ａで隙間なく密着してい
る。しかも、各繋ぎ目２７Ａは例えば同図に示すように
水平方向及び垂直方法に段差を有し、繋ぎ目同士が重な
るようになっているため、プラズマ処理時の異常放電を
防止することができ、繋ぎ目からプラズマ副生成物が侵
入しない。

【００４８】次に、動作について説明する。処理室１内
でＬＣＤ用基板Ｓのプラズマ処理を終了すると、ゲート
バルブＧが開く。これに伴って第２受け渡し機構１２は
支持ロッド１３が図６に示す状態から一点鎖線で示す上
方の接続部材１３Ａの位置まで上昇した後、図５に示す
ように時計方向へ９０°回転し、支持部材１４を載置台
２の内側に向ける。引き続き第１、第２受け渡し機構１
１、１２及び搬送室内の搬送機構（図示せず）が作動
し、載置台２においてＬＣＤ用基板Ｓ、Ｓ’の受け渡し
を行う。この際、搬送機構及び第１受け渡し機構１１は
従来と同様に作動するため、第２受け渡し機構１２の動
作を中心に説明する。即ち、第１受け渡し機構１１を介
して処理済みＬＣＤ用基板Ｓ’を水平に持ち上げ、搬送
機構を介してＬＣＤ用基板Ｓが支持部材１４の受け部材
１４Ａと蓋部材１４Ｂの隙間に侵入する。次いで、支持
ロッド１３が上昇して搬送機構から未処理のＬＣＤ用基
板Ｓを受け部材１４Ａで受け取った後、第１受け渡し機
構１１の昇降ピン１１Ａが下降して処理済みのＬＣＤ用
基板Ｓ’を搬送機構へ引き渡すと、搬送機構は従来と同
様に処理済みのＬＣＤ用基板Ｓ’を処理室１から搬出し
た後、ゲートバルブＧを閉じる。

【００４９】一方、処理室１内では第１受け渡し機構１
１の昇降ピン１１Ａがやや上昇すると共に第２受け渡し
機構１２の支持ロッド１３が下降し、未処理のＬＣＤ用
基板Ｓを支持部材１４から第１受け渡し機構１１の昇降
ピン１１Ａへ引き渡す。これと同時に支持ロッド１３を
介して支持部材１４が反時計方向へ９０°回転し、載置
台２から退避すると共に支持ロッド１３を介して支持部
材１４が下降し、蓋部材１４Ｂが筐体１５の開口端面へ
弾力的に着地し筐体１５を密閉すると共に受け部材１４
Ａが筐体１５内へ収納される。この間に第１受け渡し機
構１１の昇降ピン１１Ａが下降して下部電極２Ａ内に後
退し、ＬＣＤ用基板Ｓを下部電極２Ａ上へ引き渡し、一
連のＬＣＤ用基板Ｓ、Ｓ’の交換を終了する。下部電極
２Ａ上のＬＣＤ用基板Ｓは静電チャック８によって確実
に固定される。

【００５０】次いで、処理室１内では上部電極３に高周
波電力を印加してプラズマ処理を行う。この際、プロセ
スガスはガス配管５の分岐管５Ｄ、５Ｅ、５Ｆを介して
上部電極３の各部屋３Ｄ、３Ｅ、３Ｆへ分配供給され
る。各部屋３Ｄ、３Ｅ、３Ｆへ供給されたプロセスガス
は第１、第２バッフル板２２、２３及び上部電極３の分
散孔２２Ａ、２３Ａ及び３Ｃを経由して処理室１内へ下
降流で供給される。この時点で上部電極３には高周波電
力が印加されているため、下部電極２Ａと上部電極３間
でプロセスガスのプラズマを生成する。この際、載置台
２のシールドリング９（更に詳しくは、リング状枠９
Ａ）には従来のように受け渡し機構が存在せず、ひいて
はリング状枠体９Ａ表面には受け渡し機構に起因する隙
間（クリアランス）がないため、上部電極３との間で異
常放電を発生することがない。しかもプラズマは下部電
極２Ａ及び上部電極３それぞれのシールドリング９、２
７の働きで各電極の外側へ広がることない。上部電極３
からのプロセスガスは下降流でＬＣＤ用基板Ｓの表面に
達し、ガス整流ブロック１０の働きでＬＣＤ用基板Ｓ中
央部のガス流速とその周縁部のガス流速が略均一にな
り、ＬＣＤ用基板Ｓに対して均一なプラズマ処理を施す
ことができる。しかも、処理室１の底面には全領域に分
散配置した排気口１Ｅを介して処理室１全体から高速且
つ均等に排気することができ、プロセスガスの遍在を防
止することができ、更にＬＣＤ用基板Ｓに対して均一な
プラズマ処理を施すことができる。

【００５１】プラズマ処理中には副生成物が生成し、処
理室１内の隙間に侵入するが、本実施形態では下部電極
２Ａのシールドリング９には第２受け渡し機構１２に起
因する隙間がないため、副生成物がシールドリング９内
に侵入することがない。また、下部電極２Ａのシールド
リング９（リング状枠９Ａ）及び上部電極３のシールド
リング２７にはそれぞれ繋ぎ目９Ｃ、２７Ａがあるが、
これらの繋ぎ目９Ｃ、２７は段違いに重ねて接合されて
いるため、繋ぎ目９Ｃ、２７Ａから副生成物が内部へ侵
入することがない。また、第２受け渡し機構１２の筐体
１５は支持部材１４の蓋部材１４Ｂによって密閉されて
いるため、筐体１５内へ副生成物が侵入することはな
い。

【００５２】プラズマ処理が終了すると、上部電極３へ
の高周波電力の印加を停止し、上述した要領で処理済み
のＬＣＤ用基板Ｓ’と未処理のＬＣＤ用基板Ｓを交換す
る。そして、所定枚数のＬＣＤ用基板Ｓの処理が終了
し、処理室１内のクリーニングを行ったり、メンテナン
スを行う場合には、処理室１の上部を開放した状態で内
部のクリーニング、メンテナンスを行うことができる。
この際、ガス配管５は処理室１の壁面内に収納されてい
るため、ガス配管５等が邪魔になることはない。

【００５３】尚、本実施形態では搬送室の搬送装置が図
１４に示すように上下二段のフォーク１１０Ａ、１１０
Ｂを有する場合について説明したが、一枚のフォークを
有する搬送装置を用いた場合にも本発明を適用すること
ができる。即ち、まず、搬送装置のフォークにより未処
理のＬＣＤ用基板Ｓを処理室１内の載置台２の上方まで
搬入する。この状態で、第２受け渡し機構１２の支持ロ
ッド１３が上昇、回転してＬＣＤ用基板Ｓを受け部材１
４Ａと蓋部材１４Ｂの間に配置した後、支持ロッド１３
を上昇させて受け部材１４ＡでフォークからＬＣＤ用基
板Ｓを受け取る。次いで、フォークが載置台２から一旦
退避した後、第１受け渡し機構１１の昇降ピン１１Ａが
上昇して処理済みのＬＣＤ用基板Ｓ’を下部電極２Ａか
ら持ち上げる。次いで、フォークが処理済みのＬＣＤ用
基板Ｓ’のやや下方から載置台２上へ進出した後、昇降
ピン１１Ａが下降して処理済みのＬＣＤ用基板Ｓ’をフ
ォークへ引き渡す。この状態でフォークが載置台２から
後退して処理済みのＬＣＤ用基板Ｓ’を処理室１から搬
出した後、受け部材１４Ａから昇降ピン１１Ａに未処理
のＬＣＤ用基板Ｓを引き渡し、昇降ピン１１Ａを介して
未処理のＬＣＤ用基板Ｓを下部電極２Ａ上へ載置するこ
とができる。

【００５４】以上説明したように本実施形態によれば、
下部電極２Ａのリング状枠９Ａ及び上部電極３のシール
ドリング２７をそれぞれ４つに分割した分割シールドリ
ング９Ａ’からなるため、シールドリング９、２７が大
型化しても分割シールドリング９Ａ’、２７Ｂを容易に
製作することができると共に容易に取り扱うことがで
き、もって分割シールドリング９Ａ’、２７Ｂの搬送作
業や電極への取り付け作業等の作業性を高めることがで
きる。更に、各分割シールドリング９Ａ’２７Ｂはそれ
ぞれの繋ぎ目９Ｃ、２７Ａに形成された段差が互いに重
なって密着、接合した繋ぎ目９Ｃ、２７Ａを形成してい
るため、これらの繋ぎ目９Ｃ、２７Ａでのプラズマ処理
時の異常放電を防止することができると共にこれらの繋
ぎ目９Ｃ、２７Ａ内への副生成物の侵入を防止すること
ができ副生成物の堆積に起因するパーティクルの発生を
防止することができ、延いてはシールドリングとしての
性能が一体物と比較して低下する虞がない。

【００５５】また、第２受け渡し機構１２を載置台２の
外側近傍に設けたため、載置台２のシールドリング９の
リング状枠９Ａに従来のような隙間がなく、プラズマ処
理中に異常放電を発生することがなく、均一で安定した
プラズマ処理を行うことができる。また、第２受け渡し
機構１２は載置台２から離間し、しかも可動部が筒状部
材１９によって処理室１から隔絶されているため、その
可動部からパーティクルが発生することがあってもパー
ティクルは排気口に向かうため下部電極２Ａ上のＬＣＤ
用基板Ｓを汚染から防止することができる。

【００５６】また、第２受け渡し機構１２の支持部材１
４は、筐体１５の上端開口を閉じる蓋部材１４Ｂとを有
しているため、プラズマ処理中に筐体１５内へ副生成物
が堆積することを防止し、パーティクルの発生源を少な
くすることができる。また、支持ロッド１３をリフタ１
７から取り外し可能にしてあるため、適宜交換したり、
取り外してクリーニングしたりすることができる。筐体
１５の上端面にはシール部材２０が取り付けられている
ため、筐体１５内をより確実に密閉することができる。
支持機構１６は、ガイドロッド１６Ｂと、このガイドロ
ッド１６Ｂの上端に挿着された第１スリーブ１６Ｃと、
第１スリーブ１６Ｃと所定間隔を空けてその下方に装着
された第２スリーブ１６Ｄと、第１、第２スリーブ１６
Ｃ、１６Ｄの間に弾装されたコイルスプリング１６Ｅ
と、このコイルスプリング１６Ｅを囲むように筐体１５
の下面に固定された第３スリーブ１６Ｆとを有し、筐体
１５をコイルスプリング１６Ｅを介して弾力的に支持す
るようにしたため、支持部材１４を筐体１５内へ円滑に
収納することができ、筐体１５内を確実に密閉すること
ができる。

【００５７】また、図９〜図１１はプラズマ処理装置の
他の実施形態を示す図である。このプラズマ処理装置
は、上記実施形態の上部電極に代えて高周波アンテナが
誘導結合プラズマの発生源として用いられている。図示
してないが、このプラズマ処理装置は上記実施形態で説
明した載置台及び第１、第２受け渡し機構を備えて構成
されている。本実施形態では図９に示すように処理室１
の上部がセラミック、石英等からなる誘電体壁３１によ
って水平に仕切られ、誘電体壁３１の上方に渦巻状の高
周波アンテナ３２を収納するアンテナ室３３が形成さ
れ、誘電体壁３１の下方にプラズマ処理室３４が形成さ
れている。この高周波アンテナ３２の給電部３２Ａは処
理室１の上壁を貫通し、マッチング回路３２Ｂ及び高周
波電源３２Ｃに接続されている。

【００５８】誘電体壁３１は図１０に示すように十文字
に４分割され、ＬＣＤ用基板が大面積化しても誘電体壁
３１の製作、搬送、組立が容易なようになっている。４
枚の誘電体壁ユニット３１Ａはそれぞれ十字状の接続部
材３５を介して互いに接合され、例えば四フッ化エチレ
ン樹脂等の合成樹脂板３６を介してアンテナ室３３側で
誘電体３１として一体化している。そして、各誘電体壁
ユニット３１Ａ及び接続部材３５は吊持部材３７を介し
て処理室１の上壁に取り外し可能に連結され、吊持部材
３７を介して処理室１の上壁で吊持されている。この吊
持部材３７の両端にはフランジ３７Ａが形成され、フラ
ンジ３７Ａを介して処理室１の上壁及び誘電体壁ユニッ
ト３１Ａ側に固定するようになっている。そして、合成
樹脂板３６は外周が枠状の押さえ部材３８によって処理
室１の内周面全周に渡って段状の係止部１Ａに固定され
ている。

【００５９】また、図９、図１１に示すように接続部材
３５の上面には吊持部材３７に対応する位置に突起３５
Ａが形成され、この突起３５Ａと吊持部材３７のフラン
ジ３７Ａが合成樹脂板３６を介して連結されている。そ
して、合成樹脂板３６と突起３５Ａ間にはシール部材３
９が介装されプラズマ処理室３４の真空漏れを防止して
いる。更に、図１１に示すように合成樹脂板３６と係止
部１Ａ間にもシール部材３９が介装され、プラズマ処理
室３４の真空漏れを防止している。

【００６０】また、図９に示すように処理室１の上壁中
心にはガス配管４０が貫通し、このガス配管４０は更に
アンテナ室３３を貫通して十字状の接続部材３５の中心
に連結されている。また、図９〜図１１に示すように十
字状の接続部材３５内には接続部材３５の形状に沿った
十字状のガス流路３５Ｂが形成され、このガス流路３５
Ｂは図１０に示すように接続部材３５の十字に沿って所
定間隔を空けた複数箇所でプラズマ処理室３４内へのガ
ス供給口３５Ｃとして開口している。従って、プロセス
ガスは接続部材３５のガス流路３５Ｂ及びガス供給口３
５Ｃを経由してプラズマ処理室３４全体に均等に供給さ
れる。

【００６１】従って、高周波アンテナ３２に１３．５６
ＭＨｚの高周波電力を印加した状態でプロセスガスを、
ガス配管４０を介して供給すると、プロセスガスは十字
状の接続部材２５内部のガス流路３５Ｂを経由してガス
供給口３５Ｃからプラズマ処理室３４全体に均等に供給
される。これによりプラズマ処理室３４では高密度の誘
導結合プラズマが発生し、載置台（図示せず）上のＬＣ
Ｄ用基板がプラズマ処理を受ける。

【００６２】また、図１２は本発明の他の実施形態に係
る第２受け渡し機構１２の要部を示す断面図ある。尚、
本実施形態では上記実施形態と同一部分または相当部分
には同一符号を附して説明する。本実施形態では、蓋部
材１４Ｂは受け部材１４Ａと共に昇降するが、受け部材
１４Ａと共には回転しないようになっている。即ち、蓋
部材１４Ｂの両端部にはガイドロッド５１がそれぞれ取
り付けられ、これらのガイドロッド５１は蓋部材１４Ｂ
から垂直下方に延設されている。また、筐体１５の底部
両端部には２本のガイドロッド５１に対応するガイドス
リーブ５２が貫通して取り付けられ、これらのガイドス
リーブ５２をガイドロッド５１が昇降自在に貫通してい
る。更に、筐体１５底面の両端部にはガイドスリーブ５
２を貫通したガイドロッド５１を収納し処理室１内の雰
囲気から遮断する筒状部材５３が取り付けられている。
この筒状部材５３は筐体１５の底面から垂直下方に延設
されている。また、受け部材１４Ａの基端部の厚肉部上
面には円形状の凹陥部５４が支持ロッド１３と同軸状に
形成され、この凹陥部５４に蓋部材１４Ｂに取り付けら
れた軸部材５５が同軸状に嵌入している。これらの凹陥
部５４と軸部材５５間にはスラストベアリング及びラジ
アルベアリングからなるベアリング５６が介在し、受け
部材１４Ａが支持ロッド１３を介して軸部材５５を中心
に回転するようになっている。尚、図１２では省略され
ているが、図６に示す機構と同じ態様で支持機構１６、
筒状部材１９等が設けられる。

【００６３】従って、支持ロッド１３が上昇すると、受
け部材１４Ａ及び蓋部材１４Ｂがガイドロッド５１及び
ガイドスリーブ５２を介して上昇する。そして、支持ロ
ッド１３が回転すると、受け部材１４Ａは蓋部材１４Ｂ
の軸部材５５を中心に回転して載置台の内側に張り出す
るが、蓋部材１４Ｂはガイドロッド５１及びガイドスリ
ーブ５２で拘束されて回転せず載置台の側方で平行状態
を維持する。つまり、ガイドロッド５１及びガイドスリ
ーブ５２は蓋部材１４Ｂの回転を拘束する機構として機
能する。このように本実施形態によれば、プラズマ処理
中に蓋部材１４Ｂの上面にパーティクルが付着しても、
ＬＣＤ用基板を交換する時に受け部材１４Ａが載置台の
上方へ回転しても蓋部材１４Ｂは載置台の側方から動く
ことがないため、蓋部材１４Ｂ上に堆積したパーティク
ルが交換中のＬＣＤ用基板上に落下することがなく、蓋
部材１４ＢのパーティクルによってＬＣＤ用基板を汚染
することがない。

【００６４】尚、本発明は上記実施形態に何等制限され
るものではなく、必要に応じて各構成要素を適宜設計変
更することができる。例えば、上記実施形態ではシール
ドリングを４つに分割した場合を例に挙げて説明した
が、本発明のシールドリングはその大きさ、形状に即し
て複数に分割し、製作、取り扱い上の利便性を高めた構
造であれば良く、４つの分割部材に制限されるものでは
ない。また、分割部材に繋ぎ目の構造も上記実施形態以
外にも種々の形態を採用することができる。更に、上記
実施形態では被処理体としてＬＣＤ用基板を例に挙げて
説明したが、ＬＣＤ用基板以外の被処理体であっても電
極が大型化した場合に本発明を適用することができる。
要は、シールドリングが複数の分割部材からなり、各分
割部材間の繋ぎ目同士が重なって隙間を作ることなく密
着する構造を有し、プラズマ処理時に、繋ぎ目内にプラ
ズマ副生成物が侵入せず、しかも繋ぎ目において異常放
電しない繋ぎ目構造であれば良い。繋ぎ目の構造として
は繋ぎ目に二方向にジグザグに形成された段差が互いに
噛み合う構造であれば良い。

【００６５】

【発明の効果】本発明の請求項１〜請求項２０に記載の
発明によれば、シールドリングが大型化してもシールド
リングを容易に製作することができると共にシールドリ
ングを容易に取り扱うことができ電極への取り付け作業
等の作業性を高めることができ、しかもシールドリング
としての性能が低下することのないシールドリングの分
割部材、シールドリング及びプラズマ処理装置を提供す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のプラズマ処理装置を示す図で、（ａ）
は処理室の断面図、（ｂ）は処理室の接合部を拡大して
示す断面図である。

【図２】図１に示す処理室の底面を示す平面図である。

【図３】図１に示す下部電極のシールドリングリング状
枠を示す斜視図である。

【図４】図１に示すガス整流ブロックを示す図で、
（ａ）はその斜視図、（ｂ）、（ｃ）はガス整流ブロッ
クを固定する状態を示す側断面図である。

【図５】図１に示すプラズマ処理装置に用いられる第２
受け渡し機構と下部電極の関係を示す部分斜視図であ
る。

【図６】図５に示す第２受け渡し機構を示す断面図であ
る。

【図７】図１に示す上部電極の内部を上方から見た示す
平面図である。

【図８】図１に示す上部電極のシールドリングを示す斜
視図である。

【図９】他のプラズマ処理装置の要部を示す断面図であ
る。

【図１０】図９に示す誘電体壁を下方から見た平面図で
ある。

【図１１】図９の一部を拡大して示す断面図である。

【図１２】本発明の他の実施形態に係る第２受け渡し機
構を示す断面図である。

【図１３】マルチチャンバー処理装置を示す斜視図であ
る。

【図１４】図１３に示すプラズマ処理装置の搬送機構で
下部電極のＬＣＤ用基板を交換する状態を示す斜視図で
ある。

【図１５】図１４の受け渡し機構を示す図で、（ａ）は
受け渡し機構が作動していない状態を示す斜視図、
（ｂ）は受け渡し機構が作動している状態を示す斜視図
である。

【符号の説明】

１処理室２載置台２Ａ下部電極３上部電極９、２７シールドリング９Ａリング状枠９Ａ’、２７Ｂ分割シールドリング（分割部材）９Ｃ、２７Ａ繋ぎ目９Ｄ重合面９Ｅ重合面

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】プラズマ処理を施す処理室内に配設され
た電極の周縁部に取り付けられるシールドリングを複数
に分割したシールドリングの分割部材であって、上記分
割部材の繋ぎ目に段差を設け、上記繋ぎ目同士が重なる
ことを特徴とするシールドリングの分割部材。
【請求項２】上記段差は水平方向及び垂直方向の段差
を有することを特徴とする請求項１に記載のシールドリ
ングの分割部材。
【請求項３】プラズマ処理を施す処理室内に配設され
た電極の周縁部に取り付けられるシールドリングを複数
に分割したシールドリングの分割部材であって、上記分
割部材の繋ぎ目に方向が異なる複数の面を連設し、これ
らの面が接触して上記繋ぎ目を形成することを特徴とす
るシールドリングの分割部材。
【請求項４】プラズマ処理を施す処理室内に配設され
た電極の周縁部に取り付けられるシールドリングを複数
に分割したシールドリングの分割部材であって、上記分
割部材の繋ぎ目に二方向の段差を設け、これらの段差が
噛み合って上記繋ぎ目を形成することを特徴とするシー
ルドリングの分割部材。
【請求項５】上記電極が下部電極であることを特徴と
する請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のシール
ドリングの分割部材。
【請求項６】上記電極が上部電極であることを特徴と
する請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載のシール
ドリングの分割部材。
【請求項７】プラズマ処理を施す処理室内に配設され
た電極の周縁部に取り付けられる複数の分割部材からな
るシールドリングであって、上記分割部材の繋ぎ目に段
差を設け、上記繋ぎ目同士が重なることを特徴とするシ
ールドリング。
【請求項８】上記段差は水平方向及び垂直方向の段差
を有することを特徴とする請求項７に記載のシールドリ
ング。
【請求項９】プラズマ処理を施す処理室内に配設され
た電極の周縁部に取り付けられる複数の分割部材からな
るシールドリングであって、上記分割部材の繋ぎ目に方
向が異なる複数の面を連設し、これらの面が接触して上
記繋ぎ目を形成することを特徴とするシールドリング。
【請求項１０】プラズマ処理を施す処理室内に配設さ
れた電極の周縁部に取り付けられる複数の分割部材から
なるシールドリングであって、上記分割部材の繋ぎ目に
二方向の段差を設け、これらの段差が噛み合って上記繋
ぎ目を形成することを特徴とするシールドリング。
【請求項１１】上記電極が下部電極であることを特徴
とする請求項７〜請求項１０のいずれか１項に記載のシ
ールドリング。
【請求項１２】上記電極が上部電極であることを特徴
とする請求項７〜請求項１１のいずれか１項に記載のシ
ールドリング。
【請求項１３】被処理体にプラズマ処理を施す処理室
と、この処理室内に配設され且つ電極を有する上記被処
理体用の載置台と、この載置台を構成する電極の周縁部
を被覆するシールドリングと、上記処理室内にプロセス
ガスを供給するガス供給手段と、上記処理室内のガスを
排気するガス排気手段とを備えたプラズマ処理装置にお
いて、上記シールドリングは複数の分割部材からなり、
且つ、この分割部材の繋ぎ目に段差を設け、上記繋ぎ目
同士が重なることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１４】上記段差は水平方向及び垂直方向の段
差を有することを特徴とする請求項１３に記載のプラズ
マ処理装置。
【請求項１５】被処理体にプラズマ処理を施す処理室
と、この処理室内に配設され且つ上記被処理体を載置す
る載置台と、この載置台を構成する電極の周縁部を被覆
するシールドリングと、上記処理室内にプロセスガスを
供給するガス供給手段と、上記処理室内のガスを排気す
るガス排気手段とを備えたプラズマ処理装置において、
上記シールドリングは複数の分割部材からなり、且つ、
この分割部材の繋ぎ目に方向が異なる複数の面を連設
し、これらの面が接触して上記繋ぎ目を形成することを
特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１６】被処理体にプラズマ処理を施す処理室
と、この処理室内に配設され且つ上記被処理体を載置す
る載置台と、この載置台を構成する電極の周縁部を被覆
するシールドリングと、上記処理室内にプロセスガスを
供給するガス供給手段と、上記処理室内のガスを排気す
るガス排気手段とを備えたプラズマ処理装置において、
上記シールドリングは複数の分割部材からなり、且つ、
この分割部材の繋ぎ目に二方向の段差を設け、これらの
段差が噛み合って上記繋ぎ目を形成することを特徴とす
るプラズマ処理装置。
【請求項１７】被処理体にプラズマ処理を施す処理室
と、この処理室内に配設され且つ上記被処理体を載置す
る、下部電極を有する載置台と、この載置台に対向して
配置された上部電極と、この上部電極を構成する電極の
周縁部を被覆するシールドリングと、上記処理室内にプ
ロセスガスを供給するガス供給手段と、上記処理室内の
ガスを排気するガス排気手段とを備えたプラズマ処理装
置において、上記シールドリングは複数の分割部材から
なり、且つ、この分割部材の繋ぎ目に段差を設け、上記
繋ぎ目同士が重なることを特徴とするプラズマ処理装
置。
【請求項１８】上記段差は水平方向及び垂直方向の段
差を有することを特徴とする請求項１７に記載のプラズ
マ処理装置。
【請求項１９】被処理体にプラズマ処理を施す処理室
と、この処理室内に配設され且つ上記被処理体を載置す
る、下部電極を有する載置台と、この載置台に対向して
配置された上部電極と、この上部電極を構成する電極の
周縁部を被覆するシールドリングと、上記処理室内にプ
ロセスガスを供給するガス供給手段と、上記処理室内の
ガスを排気するガス排気手段とを備えたプラズマ処理装
置において、上記シールドリングは複数の分割部材から
なり、且つ、この分割部材の繋ぎ目に方向が異なる複数
の面を連設し、これらの面が接触して上記繋ぎ目を形成
することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２０】被処理体にプラズマ処理を施す処理室
と、この処理室内に配設され且つ上記被処理体を載置す
る、下部電極を有する載置台と、この載置台に対向して
配置された上部電極と、この上部電極を構成する電極の
周縁部を被覆するシールドリングと、上記処理室内にプ
ロセスガスを供給するガス供給手段と、上記処理室内の
ガスを排気するガス排気手段とを備えたプラズマ処理装
置において、上記シールドリングは複数の分割部材から
なり、且つ、この分割部材の繋ぎ目に二方向の段差を設
け、これらの段差が噛み合って上記繋ぎ目を形成するこ
とを特徴とするプラズマ処理装置。