KR20030039247A - 서셉터 - Google Patents

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KR20030039247A
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chamber
heater
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김용진
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주성엔지니어링(주)
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Abstract

본 발명은 챔버의 내부에 장착되어 그 상면에 안착되는 웨이퍼를 가열하는 히터가 내장되고, 상기 웨이퍼를 승강시킬 수 있도록, 몸체에 관통 설치된 다수의 리프트 핀을 포함하는 서셉터에 관한 것으로, 서로 대응되도록 관통된 제 1 리프트 핀 홀과 제 2 리프트 핀 홀을 각각 동수(同數)로 다수 개 가지고, 상하로 결합되는 상부 서셉터 및 하부 서셉터 베이스와; 상기 상부 서셉터 및 하부 서셉터 베이스의 사이에 위치하며, 상기 다수의 제 1 및 제 2 리프트 핀 홀에 대응되도록 관통된 다수의 제 3 리프트 핀 홀을 가지는 히터와; 상기 서로 대응하는 제 1, 제 2, 제 3 리프트 핀 홀을 각각 연결하도록 끼워지는 원통 형상의 다수의 리프트 핀 튜브와; 상기 각각의 리프트 핀 튜브의 내부에 삽입되어 상하로 수직 운동하는 다수의 리프트 핀을 포함하는 서셉터를 제공한다.

Description

서셉터{susceptor}
본 발명은 반도체 제조장치에 관한 것으로, 좀 더 자세하게는 챔버(chamber)의 내부에 설치되어 그 상면에 안착되는 웨이퍼(wafer)를 가열하는 히터(heater)가 실장되고, 상기 웨이퍼를 승강(昇降)시킬 수 있도록, 몸체에 관통 설치된 다수의 리프트 핀(lift pin)을 포함하는 서셉터(susceptor)에 관한 것이다.
근래에 들어 과학이 발달함에 따라 새로운 물질의 개발 및 처리를 가능하게 하는 신소재 분야가 급속도로 발전하였고, 이러한 신소재 분야의 개발 성과물은 반도체 산업의 비약적인 발전 원동력이 되고 있다.
반도체 소자란 기판인 웨이퍼(wafer)의 상면에 수 차례에 걸친 박막(箔膜)의 증착 및 이의 패터닝(patterning) 등의 처리를 통해 구현되는 고밀도 집적회로(LSI: Large Scale Integration)로서, 이러한 박막의 증착 및 패터닝 등의 공정은 통상 챔버(chamber)형 프로세스 모듈(process module) 내에서 이루어진다.
도 1을 참조하면, 일반적인 챔버형 프로세스 모듈(10)은 그 내부에 웨이퍼(1)가 안착되어 이의 상면에 박막을 증착하거나 패터닝하는 등의 직접적인 처리가 이루어지는 밀폐된 반응용기인 챔버(20)와, 상기 챔버(20) 내에서 목적하는 공정의 진행을 위한 소스(source) 및 반응기체를 저장하고, 이를 챔버(20) 내로 공급하는 소스 및 반응물질 공급부(50)를 포함하고 있다.
이때 챔버(20)는 전술한 소스 및 반응기체가 유입될 수 있도록 상기 소스 및 반응물질 공급부(50)에 일단이 연결된 공급관(42)과, 그 내부의 기체를 배출함으로써 챔버(20) 내부의 압력을 제어하는 배출관(24) 및 그 말단에 부설된 펌프(P)를 포함하고, 또한 챔버(20)의 내부에는 통상 그래파이트(Graphite) 또는 탄화규소(SiC) 등의 재질로 이루어지는 원판 형태의 서셉터(susceptor)(30)가 설치되어 이의 상면에 웨이퍼(1)가 안착되는 바, 상기 서셉터(30)의 상면에 웨이퍼(1)가 안착되어 챔버(20)가 밀폐되면, 배출관(24)의 말단에 부설된 펌프(P)를 통해 챔버(20)의 내부 압력을 제어한 후, 소스 및 반응물질 공급부(50)에 연결된 공급관(42)을 통해 챔버(20) 내로 유입된 소스 및 반응물질의 화학반응으로 웨이퍼(1)를 가공, 처리하는 것이다.
이에 챔버(20)의 내부에 공급관(42)의 타단과 연결된 인젝터(22)를 내장하여, 소스 및 반응기체를 챔버(20)의 내부 전(全) 면적으로 고르게 확산시키고, 서셉터(30)의 내부에 히터(heater)(34)를 실장하여 소스 및 반응기체 간의 화학반응을 가속하는 것이 일반적이다.
또한 이러한 서셉터(30)에는 그 상면에 안착되는 웨이퍼(1)를 승강하는 다수의 리프트 핀(42)이 관통 설치되는데, 이를 전술한 도 1 과, 도 1에 도시한 챔버(20)의 내부에 설치되는 서셉터(30) 및 이를 관통하는 다수의 리프트 핀(42)을 한정하여 도시한 사시도인 도 2를 참조하여 설명한다.
이러한 서셉터(30)는 웨이퍼(1)로의 박막의 증착 및 상기 박막의 처리속도 향상과 안정된 공정구현을 위해서 그 내부에 히터(haeter)(34)가 실장됨은 전술한 바 있는데, 이러한 서셉터(30)의 하단에는 다수의 리프트 핀(42)이 수직 설치된 리프트 핀 베이스(40)가 위치하여, 상기 다수의 리프트 핀(42)이 서셉터(30)를 관통하는 구성을 가지고 있다.
한편, 전술한 서셉터(30) 및 리프트 핀 베이스(40)는 각각 챔버(20)의 외부에 설치되는 공기 실린더(air cylinder) 또는 모터(motor) 등의 구동수단(52, 54)을 통해 독립적으로 승강 가능하도록 이루어지는 것이 일반적이다.
따라서 외부로부터 웨이퍼(1)를 챔버(20) 내로 인입하여 서셉터(30)의 상면에 안착하는 로딩(loding) 단계와, 처리가 완료된 웨이퍼(1)를 챔버(20)의 외부로 인출하는 언로딩(unloading) 단계에 있어서, 리프트 핀 베이스(40)가 상승하여 서셉터(30)의 상면으로 다수의 리프트 핀(42)을 돌출시켜 웨이퍼(1)를 승강시킴으로써 보다 원활하게 공정을 진행할 수 있는 것이다.
이때 전술한 도 2 및 도 2의 II-II 선을 따라 절단한 단면을 도시한 도 3을 참조하면, 서셉터(30)는 각각 상부 서셉터(30a)와 하부 서셉터 베이스(30b) 및 그 사이에 개재되는 히터(34)가 결합된 구성을 가지는 바, 이러한 상부 서셉터(30a)와 하부 서셉터 베이스(30b) 및 히터(34)에는 각각 다수의 리프트 핀(42)이 관통될 수있도록 대응된 위치에 형성된 제 1, 제 2, 제 3 리프트 핀 홀(32a, 32b, 34a)이 다수개 설치되어 있다.
따라서 하나의 리프트 핀(42)은 이들 각각의 리프트 핀 홀(32a, 32b, 34a)을 모두 관통하여 삽입된 상태로 서셉터(30)의 상면으로 돌출 또는 인입됨으로써 웨이퍼(1)를 승강시키게 되는데, 특히 리프트 핀(42)의 상단에는 걸림단(42a)이 형성되고, 제 1 리프트 핀 홀(32a)의 상단에는 이러한 걸림단(42a)에 대응되도록 우묵하게 설치되어, 상기 걸림단(42a)이 그 내부로 완전히 인입될 수 있을 정도의 크기를 가지는 걸림턱(32a-1)이 설치되는 것이 일반적이다.
따라서 도 3의 점선으로 표시된 바와 같이 리프트 핀(34)이 최대한 하강하였을 경우에, 즉 웨이퍼(1)의 처리 공정이 진행되는 중에는 웨이퍼(1)가 서셉터(30)의 상면에 완전히 밀착된 상태에서 서셉터(30) 내부의 히터(34)의 구동에 의하여 가열된 상태로 공정이 진행되고, 로딩 또는 언로딩 시에는 리프트 핀(42a)이 상승하여 웨이퍼(1)를 상부로 들어올린다.
그러나 이상에서 설명한 구성을 가지는 일반적인 서셉터(30)는 그 사용에 있어서 몇 가지 단점을 나타내는데 이 중 하나로 서셉터(30)의 내부에 실장되는 히터(34)의 산화 형상이 그것이다.
즉, 챔버(20) 내에서 이루어지는 박막의 증착 및 이의 패터닝 등의 공정을 위해서 챔버(20)의 내부로 인입되는 소스 및 반응 기체 물질의 일부는 O2또는 O3등의 산소화합물을 포함하고 있는데, 이러한 산소화합물은 도면에 화살표로 표시한바와 같이 하부 서셉터 베이스(30b)에 형성된 제 2 리프트 핀 홀(32b)을 통해 서셉터(30) 내부로 침투하여 히터(34)를 산화시키게 되는 바, 특히 이러한 히터(34)의 산화 현상은 제 2 리프트 핀 홀(32b)에 근접한, 히터(34)의 제 3 리프트 핀 홀(34a) 근처에서 가장 심하게 발생되어 히터(34)의 발열온도를 국부적으로 차이나게 하고, 이로 인하여 웨이퍼(1)의 균일한 가열이 불가능하게 되는 경우가 흔히 발생된다.
또한 이러한 산화 현상이 심할 경우에 히터(34)는 정상적으로 구동되지 못하여 결국 공정진행이 불가능하게 되는 현상이 발생하게 되기도 하는데, 이상에서 설명한 히터(34)의 산화 현상은 결국, 반도체 소자의 제조 수율을 저하시키고, 완성된 반도체 소자의 균일도(Uniformity), 선폭(critical), 프로파일(profile) 및 재현성(repeatability) 등에 중요한 영향을 미쳐 소자의 품질을 저하시킴과 동시에, 정상적인 공정진행을 방해하는 심각한 위협이 되고 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로 히터의 산화 현상을 효과적으로 제어하여 원활한 공정 진행을 가능하게 하는, 보다 개선된 서셉터를 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 반도체 제조를 위한 일반적인 챔버형 프로세스 모듈의 구조를 도시한 개략구조도
도 2는 일반적인 서셉터 및 여기에 관통 설치되는 다수의 리프트 핀을 도시한 사시도
도 3은 도 2의 II-II 선을 따라 절단한 단면을 도시한 단면도
도 4는 본 발명에 따른 서셉터가 장착된 챔버형 프로세스 모듈의 구조를 도시한 개략구조도
도 5는 본 발명에 따른 서셉터 및 여기에 관통 설치되는 다수의 리프트 핀을 도시한 사시도
도 6은 도 5의 VI-VI 선을 따라 절단한 단면을 도시한 단면도
도 7은 본 발명에 따른 하나의 리프트 핀 튜브 및 여기에 삽입되는 리프트 핀을 도시한 사시도
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
130 : 서셉터130a : 상부 서셉터
130b : 하부 서셉터 베이스132a : 제 1 리프트 핀 홀
132a-1 : 걸림턱132b : 제 2 리프트 핀 홀
134 : 히터134a : 제 3 리프트 핀 홀
136 : 리프트 핀 튜브138a : 튜브 홀
142 : 리프트 핀 142a : 걸림단
본 발명은 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 서로 대응되도록 관통된 제1 리프트 핀 홀과, 제 2 리프트 핀 홀을 각각 동수(同數)로 다수 개 가지고, 상하로 결합되는 상부 서셉터 및 하부 서셉터 베이스와; 상기 상부 서셉터 및 하부 서셉터 베이스의 사이에 위치하며, 상기 다수의 제 1 및 제 2 리프트 핀 홀에 대응되도록 관통된 다수의 제 3 리프트 핀 홀을 가지는 히터와; 상기 각각 대응하는 제 1, 제 2, 제 3 리프트 핀 홀을 연결하도록, 서셉터의 상하를 관통하여 끼워지는 원통 형상의 다수의 리프트 핀 튜브와; 상기 각각의 리프트 핀 튜브를 관통하여 상하로 수직 운동하는 다수의 리프트 핀을 포함하는 서셉터를 제공한다.
이때 상기 리프트 핀 튜브는 Al2O3를 포함하는 재질로 이루어지고, 상기 리프트 핀 튜브의 외면과, 상기 1 및 제 2 리프트 핀 홀의 내면에는 서로 대응하는 나사산을 더욱 포함하여, 상기 리프트 핀 튜브는 상기 제 1 및 제 2 리프트 핀 홀에 나사 결합되는 것을 특징으로 한다.
이하 본 발명에 대한 올바른 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
본 발명은 다수의 리프트 핀 튜브를 구비하여, 이를 서셉터의 내부에 설치함으로써 본 발명의 목적을 실현시키는 것을 특징으로 하는 바, 도 4는 이러한 본 발명에 따른 서셉터(130)를 채용한 챔버형 프로세스 모듈(110)의 개략적인 구조를 도시한 도면이다.
이는 그 내부에 웨이퍼(1)가 안착되어 이의 직접적인 처리 공정이 진행되는 밀폐된 반응용기인 챔버(120)와, 상기 챔버(120) 내로 공급되는 소스 및 반응 기체를 저장하는 소스 및 반응물질 공급부(150)로 구분된다.
이때 챔버(120)에는 전술한 소스 및 반응물질 공급부(150)에 일단이 연결되고, 타단의 일부가 챔버(120)의 내부로 인입되는 공급관(142)과, 이러한 공급관(142)의 타단에 연결되어 상기 소스 및 반응물질을 챔버(120)의 내부 전(全)면적으로 고르게 확산시키는 인젝터(122)와, 상기 챔버(120) 내부의 기체를 배출하는 배출관(124) 및 그 말단에 부설된 펌프(P)를 포함하고 있음은 일반적인 경우와 동양(同樣)이다.
또한 상기 챔버(120)의 내부에는 다수의 리프트 핀(134)이 관통 설치된 상태에서, 그 상면에 웨이퍼(1)가 안착되는 본 발명에 따른 서셉터(130)가 설치되는데 바람직하게는 상기 서셉터(130)의 내부에 발열 가능한 히터(134)가 실장되어 웨이퍼(1)를 가열하게 된다.
즉, 도 4와, 도 4에 도시한 챔버(120)의 내부에 설치되는 서셉터(130) 및 이를 관통하는 다수의 리프트 핀(134)을 한정하여 도시한 사시도인 도 5를 통하여 보다 상세히 설명하면, 상기 서셉터(130)의 내부에는 웨이퍼(1)의 처리속도 향상과 보다 안정된 공정구현을 위한 히터(134)가 실장되고, 이러한 서셉터(130)의 하단에는 다수의 리프트 핀(142)이 수직 설치된 리프트 핀 베이스(140)가 위치하여, 상기 다수의 리프트 핀(142)이 서셉터(130)를 관통하게 된다.
이때 바람직하게는 상기 서셉터(130) 및 리프트 핀 베이스(140)는 각각 챔버(120)의 외부에 장치되는 공기 실린더(air cylinder) 또는 모터 등의 구동수단(152, 154)을 통해 독립적으로 승강 가능하도록 이루어지는 것이 유리하다.
따라서, 다수의 리프트 핀(142)이 상승하여 서셉터(130)의 상면으로 돌출된 상태에서 리프트 핀(142)의 상부에 웨이퍼(1)가 안착된 후, 다시 다수의 리프트 핀(142)이 하강함으로써 서셉터(130)의 상면에 웨이퍼(1)를 로딩(loading)하면, 챔버(120)가 밀폐되어 배출관(124)의 말단에 부설된 펌프(P)를 통해 챔버(120)의 내부 압력을 제어하고, 이어서 소스 및 반응물질 공급부(150)에 연결된 공급관(142)을 통해 챔버(120) 내로 유입된 소스 및 반응물질의 화학반응으로 웨이퍼(1)를 가공, 처리하게 된다.
이러한 웨이퍼(1)의 처리 및 가공이 완료되면, 다시 리프트 핀(142)이 상승하여 웨이퍼(1)를 서셉터(130)의 상부로 들어올려 외부로 반출시키는 언로딩(unloading)을 통해 웨이퍼의 해당 처리 공정을 완료하는 것이다.
이때 도 5 및 도 5의 VI-VI 선을 따라 절단한 단면을 도시한 도 6을 참조하면, 바람직하게는 상기 서셉터(130)는 서로 대응되도록 관통된 제 1 리프트 핀 홀(132a)과 제 2 리프트 핀 홀(132b)을 각각 동수(同數)로 다수 개 가지고 상하로 결합되는 상부 서셉터(130a) 및 하부 서셉터 베이스(130b)와, 이러한 상부 서셉터(130a) 및 하부 서셉터 베이스(130b)의 사이에 위치한 상태에서 전술한 다수의 제 1 및 제 2 리프트 핀 홀(132a, 132b)에 각각 대응되도록 관통된 다수의 제 3 리프트 핀 홀(134a)을 가지는 히터가 결합되어 구성된다.
이때 바람직하게는 각각의 리프트 핀(142)의 상단에는 걸림단(142a)이 형성되고, 제 1 리프트 핀 홀(132a)의 상단에는 이러한 걸림단(142a)에 대응되도록 우묵하게 설치되어, 상기 걸림단(142a)이 그 내부로 완전히 인입될 수 있을 정도의 크기를 가지는 걸림턱(132a-1)이 설치되는 것이 유리하다.
특히 본 발명은 전술한 서로 대응하는 제 1, 제 2, 제 3 리프트 핀 홀(132a, 132b, 134a)을 각각 연결하도록 끼워지는 원통 형상의 다수의 리프트 핀 튜브(136)를 제공하여, 이러한 리프트 핀 튜브(136)가 가지는 튜브홀(138a)에 각각 리프트 핀이 삽입되어 상하로 승강하는 것을 특징으로 한다.
다시 말해서 본 발명은 그 내부에 길이방향으로 관통된 튜브 홀(138a)을 각각 가지는 원통형상의 리프트 핀 튜브(136)를 다수 개 구비하여, 이들을 각각 서로 대응되는 제 1, 제 2, 제 3 리프트 핀 홀(132a, 132b, 134a) 즉, 서로 위치 맞춤된 상부 서셉터(130a)의 제 1 리프트 핀 홀(132a)과, 그 하단의 히터(134)의 제 3 리프트 핀 홀(134a) 및 하부 서셉터 베이스(130b)의 제 2 리프트 핀 홀(132b)을 순서대로 관통하도록 삽입하고, 상기 리프트 핀 튜브(136)가 각각 가지는 튜브 홀(138a)에 리프트 핀(142)이 끼워지는 구성을 가지고 있다.
따라서 챔버의 내부에서 이루어지는 웨이퍼의 처리공정에 있어서, 하부 서셉터 베이스(130b)에 형성된 제 2 리프트 핀 홀(132b)을 통하여 인입된 O2, O3등의 산소화합물은 화살표로 도시한 바와 같이 서셉터(130)의 내부로 침투하지 못하고, 튜브 홀(138a)을 경유하여 상부 서셉터(130a)의 제 1 리프트 핀 홀(132a)을 통해 챔버 내부로 빠져나가게 되는데, 이에 상기 각각의 리프트 핀 튜브(136)의 외면을 제 3 리프트 홀(132b) 내면에 유격없이 밀착시키기 위하여, 리프트 핀 튜브(136)의외면과 제 1 및 2 리프트 핀 홀(132a, 132b)의 내면에 각각 대응되는 나사산을 형성하여 결합하거나 또는 억지 끼움하여 실링(sealing)하는 방식 등이 사용될 수 있을 것이다.
또한 이러한 각각의 리프트 핀 튜브(136)의 재질로는 Al2O3등의 재질을 사용하는 것이 바람직한 데, 이는 히터의 고온에도 안정된 상태를 유지하기 위함이다.
도 7은 이러한 본 발명에 따른 서셉터에 실장되는 다수의 리프트 핀 튜브 및 여기에 삽입된 리프트 핀 중 선택된 하나만을 한정하여 도시한 도면으로 도시한 바와 같이 리프트 핀(142)을 감싸고 있는 원통형상의 리프트 핀 튜브(136)는 서셉터(도 6의 130)의 상하 방향으로 제 1, 제 2, 제 3 리프트 핀 홀(도 6의 132a, 132b, 134a)에 관통 삽입되어, 긴밀하게 고정되는 것이다.
본 발명은 그 내부에 길이방향으로 관통된 튜브 홀을 가지고 서셉터를 상하 방향으로 관통하는 다수의 원통 형상의 리프트 핀 튜브를 구비하여, 상기 튜브 홀에 리프트 핀이 끼워진 상태에서 승강 운동하게 함으로써 일반적인 서셉터에서 흔히 발생되는 공정가스의 서셉터 내부로 침투하는 현상을 효과적으로 제어할 수 있는 잇점을 가지고 있다.
즉, 챔버의 내부로 웨이퍼의 처리를 위해 유입된 산소화합물이 서셉터에 형성된 리프트 핀 홀을 통하여 유입되어도, 리프트 핀 튜브에 의하여 가로막혀 서셉터의 내부로 침투하지 못하므로, 히터의 산화 현상을 억제할 수 있어 웨이퍼의 균일한 가열을 가능하게 하며, 완성된 소자의 신뢰성을 향상시키게 된다.
특히 이러한 리프트 핀 튜브가 서셉터를 관통함에 있어서, 리프트 핀 튜브와 서셉터 간의 유격없는 긴밀한 결합을 위해 나사 결합방식이나 또는 씰링 등의 방법을 사용하고, 상기 리프트 핀 튜브의 재질로는 Al2O3등의 내열성이 강한 재질을 사용함으로써 보다 개선된 잔도체 소자의 제조를 가능하게 한다.

Claims (3)

  1. 서로 대응되도록 관통된 제 1 리프트 핀 홀과, 제 2 리프트 핀 홀을 각각 동수(同數)로 다수 개 가지고, 상하로 결합되는 상부 서셉터 및 하부 서셉터 베이스와;
    상기 상부 서셉터 및 하부 서셉터 베이스의 사이에 위치하며, 상기 다수의 제 1 및 제 2 리프트 핀 홀에 대응되도록 관통된 다수의 제 3 리프트 핀 홀을 가지는 히터와;
    상기 각각 대응하는 제 1, 제 2, 제 3 리프트 핀 홀을 연결하도록, 서셉터의 상하를 관통하여 끼워지는 원통 형상의 다수의 리프트 핀 튜브와;
    상기 각각의 리프트 핀 튜브를 관통하여 상하로 수직 운동하는 다수의 리프트 핀
    을 포함하는 서셉터
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 리프트 핀 튜브는 Al2O3를 포함하는 재질로 이루어지는 서셉터
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 리프트 핀 튜브의 외면과, 상기 1 및 제 2 리프트 핀 홀의 내면에는 서로 대응하는 나사산을 더욱 포함하여,
    상기 리프트 핀 튜브는 상기 제 1 및 제 2 리프트 핀 홀에 나사결합되는 서셉터
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Families Citing this family (373)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080006523A1 (en) * 2006-06-26 2008-01-10 Akihiro Hosokawa Cooled pvd shield
US8256754B2 (en) * 2007-12-12 2012-09-04 Applied Materials, Inc. Lift pin for substrate processing
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
KR20100100269A (ko) * 2009-03-06 2010-09-15 주식회사 코미코 리프트 핀 및 이를 포함하는 웨이퍼 처리 장치
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
AT11604U1 (de) * 2009-08-20 2011-01-15 Aichholzer Johann Ing Träger für wafer
CN101794719B (zh) * 2010-03-23 2011-06-15 中国电子科技集团公司第二研究所 晶圆片的自动升降吸附机构
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9341296B2 (en) 2011-10-27 2016-05-17 Asm America, Inc. Heater jacket for a fluid line
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9005539B2 (en) 2011-11-23 2015-04-14 Asm Ip Holding B.V. Chamber sealing member
US9167625B2 (en) 2011-11-23 2015-10-20 Asm Ip Holding B.V. Radiation shielding for a substrate holder
US9202727B2 (en) 2012-03-02 2015-12-01 ASM IP Holding Susceptor heater shim
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US8728832B2 (en) 2012-05-07 2014-05-20 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor device dielectric interface layer
US8933375B2 (en) 2012-06-27 2015-01-13 Asm Ip Holding B.V. Susceptor heater and method of heating a substrate
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9117866B2 (en) 2012-07-31 2015-08-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for calculating a wafer position in a processing chamber under process conditions
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9169975B2 (en) 2012-08-28 2015-10-27 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for mass flow controller verification
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
JP6131162B2 (ja) * 2012-11-08 2017-05-17 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US8894870B2 (en) 2013-02-01 2014-11-25 Asm Ip Holding B.V. Multi-step method and apparatus for etching compounds containing a metal
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
USD743357S1 (en) * 2013-03-01 2015-11-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9991153B2 (en) * 2013-03-14 2018-06-05 Applied Materials, Inc. Substrate support bushing
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9396934B2 (en) 2013-08-14 2016-07-19 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming films including germanium tin and structures and devices including the films
CN103454810B (zh) * 2013-09-09 2016-06-08 深圳市华星光电技术有限公司 用于液晶配向膜的烘烤装置
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US9605343B2 (en) 2013-11-13 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
US9624574B2 (en) * 2014-05-12 2017-04-18 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Platen with multiple shaped grounding structures
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN106607320B (zh) * 2016-12-22 2019-10-01 武汉华星光电技术有限公司 适用于柔性基板的热真空干燥装置
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) * 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
JP7038640B2 (ja) * 2018-10-26 2022-03-18 信越化学工業株式会社 ペリクルの剥離方法及びペリクルの剥離装置
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980884S1 (en) * 2021-03-02 2023-03-14 Applied Materials, Inc. Lift pin
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5352294A (en) * 1993-01-28 1994-10-04 White John M Alignment of a shadow frame and large flat substrates on a support
US5421893A (en) * 1993-02-26 1995-06-06 Applied Materials, Inc. Susceptor drive and wafer displacement mechanism
JP3165938B2 (ja) * 1993-06-24 2001-05-14 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置
US5562947A (en) 1994-11-09 1996-10-08 Sony Corporation Method and apparatus for isolating a susceptor heating element from a chemical vapor deposition environment
US5558717A (en) * 1994-11-30 1996-09-24 Applied Materials CVD Processing chamber
US6120609A (en) * 1996-10-25 2000-09-19 Applied Materials, Inc. Self-aligning lift mechanism
JP3602324B2 (ja) * 1998-02-17 2004-12-15 アルプス電気株式会社 プラズマ処理装置
JP3398936B2 (ja) * 1999-04-09 2003-04-21 日本エー・エス・エム株式会社 半導体処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
US6884319B2 (en) 2005-04-26
US20030092282A1 (en) 2003-05-15

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