KR102300359B1 - 기판 처리 장치 및 그 구동 방법 - Google Patents

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Abstract

스윙 노즐의 진동을 최소화할 수 있는 기판 처리 장치 및 그 구동 방법이 제공된다. 상기 기판 처리 장치는 기판을 지지하고, 스윙 가능한 지지 모듈; 상기 지지 모듈의 일측에 배치되고, 스윙 방식으로 이동하며 상기 기판에 약액을 분사하는 스윙 노즐; 상기 스윙 노즐의 일측에 배치되어, 상기 스윙 노즐의 움직임을 센싱하는 센서; 상기 스윙 노즐의 타측에, 서로 상대적인 간격 조정이 가능하도록 설치되는 전자석과 마그네트; 및 상기 센서의 센싱 결과를 제공받아, 상기 전자석에 전원을 제공하여 상기 전자석과 상기 마그네트 사이의 인력 또는 척력을 발생시켜 상기 스윙 노즐에 대한 댐핑 동작을 수행하는 컨트롤러를 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 그 구동 방법{Apparatus for processing substrate and operating method thereof}
본 발명은 기판 처리 장치 및 그 구동 방법에 관한 것이다.
반도체 장치 또는 디스플레이 장치를 제조할 때에는, 사진, 식각, 애싱, 이온주입, 박막증착, 세정 등 다양한 공정이 실시된다. 여기서, 세정공정은 기판 표면에 잔류하는 파티클, 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염물질 등을 제거한다. 이러한 세정 공정은 건식 세정(dry cleaning)과 습식 세정(wet cleaning)으로 구분된다. 습식 세정은 약액 중에 기판을 침적시켜 화학적 용해 등에 의해서 오염 물질을 제거하는 배스(bath)식과, 스핀 척 위에 기판을 놓고 기판을 회전시키는 동안 노즐을 통해서 기판의 표면에 약액을 공급하여 오염 물질을 제거하는 매엽식으로 나누어진다.
한편, 매엽식 세정 장치의 경우, 약액을 공급하는 노즐의 진동으로 인해서, 수율 및 공정 최적화에 어려움이 있다. 노즐이 진동하면, 노즐 내의 약액이 기설정된 값보다 많이 기판 상에 분사될 수 있다. 이에 따라, 기판의 일부 패턴이 무너지는 문제가 발생할 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 노즐의 진동을 최소화할 수 있는 댐퍼를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 노즐의 진동을 최소화할 수 있는 댐퍼를 포함하는 기판 처리 장치의 구동 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 일 면(aspect)은, 기판을 지지하고, 회전 가능한 지지 모듈; 상기 지지 모듈로부터 상측으로 이격되어 배치되고, 일 방향으로 연장된 노즐 바디와, 상기 노즐 바디의 일측에 배치된 노즐팁을 포함하고, 상기 노즐 바디는 축을 기준으로 스윙 방식으로 이동하며 상기 노즐팁은 상기 기판에 약액을 분사하는 스윙 노즐; 상기 스윙 노즐의 노즐 바디의 일측에 배치되어, 상기 스윙 노즐의 움직임을 센싱하는 센서; 상기 스윙 노즐의 노즐 바디의 타측에, 상기 축을 기준으로 상기 노즐팁이 배치된 부분과 반대 방향으로 연장되어 배치되고, 서로 상대적인 간격 조정이 가능하도록 설치되는 전자석과 마그네트; 및 상기 센서의 센싱 결과를 제공받아, 상기 전자석에 전원을 제공하여 상기 전자석과 상기 마그네트 사이의 인력 또는 척력을 발생시켜 상기 스윙 노즐에 대한 댐핑 동작을 수행하는 컨트롤러를 포함한다.
상기 전자석은 상기 스윙 노즐의 타측과 제1 스프링을 통해서 연결되고, 상기 마그네트는 상기 스윙 노즐의 타측과 제2 스프링을 통해서 연결된다.
상기 전자석과 마그네트 사이에 인력이 발생하는 경우, 상기 제1 스프링 또는 상기 제2 스프링이 휘어지면서 상기 전자석과 상기 마그네트 사이의 거리가 가까워지고, 상기 전자석과 마그네트 사이에 척력이 발생하는 경우, 상기 제1 스프링 또는 상기 제2 스프링이 휘어지면서 상기 전자석과 상기 마그네트 사이의 거리가 멀어진다.
상기 센서는 가속도 센서이고, 상기 컨트롤러는 상기 가속도 센서에 의해 센싱된 가속도를 기초로, 상기 전자석에 제공하는 전류의 주파수와 진폭 중 적어도 하나를 제어할 수 있다.
상기 가속도 센서에 의해 센싱된 가속도의 절대값이 커짐에 따라, 상기 전자석과 상기 마그네트 사이의 척력을 크게 할 수 있다.
상기 스윙 노즐이 등속도 운동할 때, 상기 스윙 노즐에는 제1 크기의 진동이 발생하고, 상기 스윙 노즐이 정지할 때, 상기 스윙 노즐에는 상기 제1 크기보다 큰 제2 크기의 진동이 발생할 수 있다.
상기 스윙 노즐은 약액을 상기 기판에 분사하면서 제1 위치에서 제2 위치까지 이동하되, 상기 제1 위치는 상기 기판의 에지에 대응되고, 상기 제2 위치는 상기 기판의 센터에 대응되고, 상기 스윙 노즐은 상기 제1 위치와 상기 제2 위치 사이에서 적어도 2회 멈출 수 있다.
상기 스윙 노즐의 상기 타측은 노즐 샤프트와 연결되고, 상기 노즐 샤프트는 제1 풀리에 연결되고, 모터는 제2 풀리에 연결되고, 상기 제1 풀리와 상기 제2 풀리는 타이밍 벨트에 의해서 연결될 수 있다.
상기 제1 전자석은 보이스 코일 모터를 포함할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 다른 면은, 일 방향으로 연장된 노즐 바디와, 상기 노즐 바디의 일측에 배치된 노즐팁을 포함하고, 상기 노즐 바디는 축을 기준으로 스윙 방식으로 이동하며 상기 노즐팁은 기판에 약액을 분사하는 스윙 노즐; 상기 스윙 노즐의 노즐 바디의 일측에 배치된 가속도 센서; 및 상기 스윙 노즐의 노즐 바디의 타측에, 상기 축을 기준으로 상기 노즐팁이 배치된 부분과 반대 방향으로 연장되어 배치되고, 상기 가속도 센서에 의해 센싱된 가속도에 따라 댐핑 동작을 수행하는 댐퍼를 포함하되, 상기 댐퍼는 상기 스윙 노즐의 타측에서 상기 반대 방향으로 연장된 제1 스프링과, 상기 스윙 노즐의 타측에서 상기 반대 방향으로 연장되고, 상기 제1 스프링과 마주보는 제2 스프링과,상기 제1 스프링과 연결된 전자석과, 상기 제2 스프링과 연결되며, 상기 전자석과 마주보도록 배치된 마그네트를 포함한다.
상기 전자석과 마그네트 사이에 인력이 발생하는 경우, 상기 제1 스프링 또는 상기 제2 스프링이 휘어지면서 상기 전자석과 상기 마그네트 사이의 거리가 가까워지고, 이에 따라 상기 댐퍼의 댐핑량이 작아지고, 상기 전자석과 마그네트 사이에 척력이 발생하는 경우, 상기 제1 스프링 또는 상기 제2 스프링이 휘어지면서 상기 전자석과 상기 마그네트 사이의 거리가 멀어지고, 이에 따라 상기 댐퍼의 댐핑량이 커질 수 있다.
상기 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 구동 방법의 일 면은, 일 방향으로 연장된 노즐 바디와, 상기 노즐 바디의 일측에 배치된 노즐팁을 포함하고, 상기 노즐 바디는 축을 기준으로 스윙 방식으로 이동하며 상기 노즐팁은 기판에 약액을 분사하는 스윙 노즐과, 상기 스윙 노즐의 노즐 바디의 일측에 배치되어 상기 스윙 노즐의 움직임을 센싱하는 가속도 센서와, 상기 스윙 노즐의 노즐 바디의 타측과 제1 스프링을 통해서 연결된 전자석과, 상기 스윙 노즐의 노즐 바디의 타측과 제2 스프링을 통해서 연결되고 상기 전자석과 마주보도록 배치된 마그네트를 포함하는 기판 처리 장치가 제공되고, 상기 가속도 센서를 통해서 상기 스윙 노즐의 진동을 센싱하고, 상기 가속도 센서의 센싱 결과에 따라, 상기 전자석과 상기 마그네트 사이에 척력을 발생시켜 상기 전자석과 상기 마그네트 사이의 거리가 멀어지게 하는 것을 포함한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 블록도이다.
도 2는 도 1에 도시된 댐퍼를 설명하기 위한 확대도이다.
도 3 및 도 4는 도 1에 도시된 댐퍼의 동작을 설명하기 위한 도면들이다.
도 5는 도 1에 도시된 스윙 노즐의 일측을 설명하기 위한 확대도이다.
도 6은 스윙 노즐이 등속도 운동할 때 발생하는 진동을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 스윙 노즐이 정지할 때 발생하는 진동을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면들이다.
도 11은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 12은 도 11의 매엽식 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 평면 구성도이다.
도 13은 도 12에 도시된 기판 처리 장치에서 처리 용기와 지지 모듈을 나타낸 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 블록도이다. 도 2는 도 1에 도시된 댐퍼를 설명하기 위한 확대도이다. 도 3 및 도 4는 도 1에 도시된 댐퍼의 동작을 설명하기 위한 도면들이다.
우선 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 스윙 노즐(N), 센서(950), 댐퍼(damper)(900), 컨트롤러(1000) 등을 포함한다.
기판(W)은 지지 모듈 상에 위치하고, 지지 모듈은 기판(W)을 일 방향(C)으로 회전시킬 수 있다.
스윙 노즐(N)은 스윙 방식(S)으로 이동하며, 기판(W)에 약액을 분사한다. 즉, 기판(W)이 회전하는 동안, 스윙 노즐(N)은 약액을 기판(W)에 분사하면서 제1 위치(P1)에서 제2 위치(PC)까지 이동할 수 있다. 예를 들어, 제1 위치(P1)는 기판(W)의 에지에 대응되고, 제2 위치(PC)는 기판의 센터에 대응될 수 있다.
또한, 스윙 노즐(N)의 일측에는 노즐팁(nozzle tip)이 배치되고, 스윙 노즐(N)의 타측은 노즐 샤프트와 연결된다. 노즐 샤프트를 기준으로, 스윙 노즐(N)이 스윙한다.
스윙 노즐(N)은 약액 공급부(1010)와 연결되고, 구동부(1020)와 연결된다. 스윙 노즐(N)은 구동부(1020)에 의해서 전원을 제공받아 스윙 동작을 수행하고, 약액 공급부(1010)로부터 약액을 제공받아 노즐팁을 통해서 약액을 분사한다. 약액은 기판 세정에 사용되는 약액(예를 들어, 초순수, 오존수, 이소프로필 알코올 등)일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
센서(950)는 스윙 노즐(N)의 일측에 배치되어, 스윙 노즐(N)의 움직임을 센싱한다. 센서(950)는 예를 들어, 가속도 센서일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 스윙 노즐(N)의 움직임(예를 들어, 진동)을 센싱할 수 있는 것이라면, 어떤 센서라도 가능하다. 센서(950)는 센싱 결과(예를 들어, 스윙 노즐(N)의 가속도)를 컨트롤러(1000)로 제공한다.
또한, 스윙 노즐(N)의 타측에는, 댐퍼(900)가 설치된다.
도 2를 참조하면, 댐퍼(900)는 서로 상대적인 간격 조정이 가능하도록 설치되는 전자석(910)과 마그네트(920)을 포함할 수 있다. 서로 상대적인 간격 조정이 가능할 수 있도록, 전자석(910)은 제1 스프링(912)을 통해서 스윙 노즐(N)의 타측에 연결되고, 마그네트(920)는 제2 스프링(922)을 통해서 스윙 노즐(N)의 타측에 연결된다. 예를 들어, 제1 스프링(912)과 제2 스프링(922)은 판 스프링일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 전자석(910)과 마그네트(920)가 서로 마주보도록 배치되고, 제1 스프링(912)과 제2 스프링(922)의 상대적 간격을 조절할 수 있는 것이라면, 어떤 것이든 가능하다.
전자석(910)은 전원 공급부(1030)로부터 전원(예를 들어, 전류)을 제공받는다. 제공받는 전원의 주파수/진폭 등에 따라, 전자석(910)에서 생성하는 자력의 형태는 변경된다.
전자석(910)은 예를 들어, 보이스 코일 모터(VCM, Voice Coil Motor)일 수 있다. 보이스 코일 모터는 빠른 응답성과 선형성, 소형 사이즈에 저전력 구동이 가능하여, 정밀 제어 용도로 사용된다. 보이스 코일 모터는 예를 들어, 연자성체와 영구자석으로 자기 회로가 형성되고, 자기 회로 안에 에어갭(airgap)에 코일을 위치시키는 구조일 수 있다.
마그네트(920)는 전자석일 수도 있고 영구자석일 수도 있다. 마그네트(920)가 전자석이라면, 전원 공급부(1030)로부터 전원을 제공받을 수 있다. 이하에서는 설명의 편의상, 마그네트(920)가 영구자석인 경우로 설명한다.
컨트롤러(1000)는 센서(950)의 센싱 결과(예를 들어, 스윙 노즐(N)의 가속도)를 제공받아, 센싱 결과를 기초로 전원 공급부(1030)가 전자석(910)에 전원을 제공하도록 하여 전자석(910)과 마그네트(920) 사이의 인력 또는 척력을 발생시켜 스윙 노즐(N)에 대한 댐핑 동작을 수행할 수 있다.
여기서 도 3을 참고하면, 전자석(910)과 마그네트(920) 사이에 인력(F1)이 발생하는 경우, 제1 스프링(912) 또는 제2 스프링(922)이 휘어지면서 전자석(910)과 마그네트(920) 사이의 거리가 가까워진다. 전자석(910)과 마그네트(920) 사이의 거리가 가까워지면, 댐퍼(900)의 댐핑량이 작아진다.
도 4를 참고하면, 전자석(910)과 마그네트(920) 사이에 척력(F2)이 발생하는 경우, 제1 스프링(912) 또는 제2 스프링(922)이 휘어지면서 전자석(910)과 마그네트(920) 사이의 거리가 멀어진다. 전자석(910)과 마그네트(920) 사이의 거리가 멀어지면, 댐퍼(900)의 댐핑량이 커진다. 스윙 노즐(N)이 진동할 경우, 댐핑량이 커지게 하여 스윙 노즐(N)의 진동을 약화시킬 수 있다.
여기서, 제1 스프링(판 스프링)(912)과 제2 스프링(판 스프링)(922)의 강도를 다르게 할 수 있다. 챔버 내의 다른 모듈(또는 구성부품)의 배치를 고려하여, 제1 스프링(912)/제2 스프링(922)의 강도를 조절한다. 도 3 및 도 4에 도시된 것과 같이, 제1 스프링(912)의 강도가 제2 스프링(922)의 강도보다 클 수 있다. 이와 같이 하면, 인력/척력이 발생했을 때, 제1 스프링(912)보다 제2 스프링(922)이 더 많이 휘어진다. 반대로, 도 3 및 도 4에 도시한 것과는 달리, 제2 스프링(922)의 강도가 제1 스프링(912)의 강도보다 클 수 있다.
도 5 내지 도 7을 참고하여, 댐퍼(900)의 댐핑 동작을 추가적으로 설명한다.
도 5는 도 1에 도시된 스윙 노즐의 일측을 설명하기 위한 확대도이다. 도 6은 스윙 노즐이 등속도 운동할 때 발생하는 진동을 설명하기 위한 도면이다. 도 7은 스윙 노즐이 정지할 때 발생하는 진동을 설명하기 위한 도면이다.
우선, 도 5를 참조하면, 기판(W) 상에 약액을 일정하게 제공하기 위해서, 컨트롤러(1000)는 스윙 노즐(N)이 등속도로 이동하도록 제어한다. 그런데, 스윙 노즐(N)은 모터(770)에서 제공되는 회전력이, 타이밍 벨트 및 풀리 등을 통해서 스윙 노즐(N)에 제공되고, 이에 따라 스윙 노즐(N)이 이동할 수 있다. 그런데, 이러한 구조로 인해서, 스윙 노즐(N)은 동작시 진동이 발생할 수 있다. 도 5에 도시된 것과 같이, 스윙 노즐(N)의 일측이 제1 방향(a)과 제2 방향(b)으로 진동할 수 있다.
도 6을 참조하면, x축은 시간이고, y축은 변위를 나타낸다. 스윙 노즐(N)이 등속도 운동하더라도, 스윙 노즐(N)은 도 6에 도시된 것과 같은 미세한 진동(즉, 제1 크기의 진동)이 발생한다. 도면부호 991은 등속도 운동시 스윙 노즐(N)의 일측에서 발생하는 진동을 나타낸다. 도 6에 제2 방향(b)으로의 진폭(Ab)와, 제1 방향(a)으로의 진폭(Aa)을 도시하였다. 댐퍼(900)를 이용함으로써, 진폭(Aa, Ab)을 줄일 수 있다.
도 7을 참조하면, x축은 시간이고, y축은 변위를 나타낸다. 스윙 노즐(N)이 정지할 때, 스윙 노즐(N)은 상대적으로 큰 진동(즉, 제2 크기의 진동)이 발생한다. 여기서, 제2 크기는 제1 크기보다 클 수 있다. 여기서, 제2 크기는 정지시 발생하는 가장 큰 진폭이고, 제1 크기는 등속도 운동시 발생하는 가장 큰 진폭을 나타낸다.
도면부호 992은 정지시 스윙 노즐(N)의 일측에서 발생하는 진동을 나타낸다. 예를 들어, 스윙 노즐(N)이 제2 방향(b)으로 이동하다가 정지하면, 제2 방향(b)으로 관성이 발생한다. 따라서, 컨트롤러(1000)가 스윙 노즐(N)을 정지시키려고 하더라도, 스윙 노즐(N)은 정지목표 위치보다 제2 방향(b)으로 약간 더 움직인다. 그 후, 스윙 노즐(N)은 정지목표 위치로 돌아오는데, 이 때도 정지목표 위치보다 제1 방향(a)으로 약간 더 움직이게 된다. 도 7에 도시된 것과 같이, 결과적으로 스윙 노즐(N)은 진동을 하면서 정지하게 된다. 이러한 진동 과정에서 스윙 노즐(N) 내에 있는 약액이 기판(W) 상에 토출될 수 있다. 따라서, 이러한 진동을 최소화할 필요가 있다.
반면, 본원 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에서는, 스윙 노즐(N)의 일측에 가속도 센서(950)가 설치되어 있기 때문에, 센싱 결과에 따라 댐퍼(900)의 댐핑력을 조절한다. 예를 들어, 가속도 센서(950)에 의해 센싱된 가속도의 절대값이 커짐에 따라, 전자석(910)과 마그네트(920) 사이의 척력을 크게 한다(즉, 댐핑력을 크게 한다.). 따라서, 이러한 스윙 노즐(N)의 진동을 최소화할 수 있다.
도 7에서, 도면부호 992은 댐퍼(900)가 없는 경우(또는, 댐퍼(900)를 동작시키지 않는 경우), 정지시 스윙 노즐(N)의 일측에서 발생하는 진동을 나타낸다. 예를 들어, 스윙 노즐(N)은 접선(992a)를 따라서 진동이 줄어들 수 있다.
반면, 도면부호 993은 댐퍼(900)를 동작시키는 경우, 정지시 스윙 노즐(N)의 일측에서 발생하는 진동을 나타낸다. 예를 들어, 스윙 노즐(N)은 접선(993a)를 따라서 진동이 줄어들 수 있다. 접선(993a)의 기울기는, 접선(992a)의 기울기에 비해 더 가파름을 알 수 있다. 즉, 댐퍼(900)를 동작시키는 경우, 정지시 스윙 노즐(N)의 진동을 최소화할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에 따르면, 가속도 센서(950)를 통해서 실시간으로 스윙 노즐(N)의 진동을 알 수 있고, 진동을 최소화하기 위해(진동을 없애기 위해) 댐퍼를 동작시킨다. 가속도 센서(950)의 센싱 결과를 기초로, 컨트롤러(1000)는 전자석(910)에 제공되는 전류의 주파수 및/또는 진폭을 실시간으로 조절할 수 있다.
스윙 노즐(N)의 진동(즉, 도면부호 991, 992 참조)에 정확하게 매칭하여, 컨트롤러(1000)는 댐퍼(900)의 댐핑량을 상보적으로 조정할 수 있다.
또는, 스윙 노즐(N)의 진동에 댐퍼(900)의 댐핑량을 정확하게/상보적으로 매칭하지 않고, 가속도 센서(950)의 가속도가 기설정된 기준보다 크면, 전자석(910)과 마그네트(920) 사이에 척력을 발생시켜 전자석(910)과 마그네트(920) 사이의 거리가 멀어지게 할 수도 있다(즉, 기설정된 댐핑량 이상을 구현).
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다. 설명의 편의상, 도 1 내지 도 7을 이용하여 설명한 것과 다른 점을 위주로 설명한다.
도 8을 참조하면, 스윙 노즐(N)은 약액을 기판(W)에 분사하면서 제1 위치(P1)에서 제2 위치(PC)까지 이동하되, 스윙 노즐(N)은 제1 위치(P1)와 제2 위치(PC) 사이에서 적어도 2회 멈출 수 있다. 도 8에서는 예시적으로, P2, P3, P4 위치에서 멈출 수 있다. 이와 같이 멈추는 이유는 다음과 같다. 기판(W) 상면에 약액을 균일하게 도포하기 위해 스윙 노즐(N)을 사용하지만, 기판(W)과 스윙 노즐(N)의 상대적인 운동방향이 달라서, 등속도의 구동 프로파일을 구현하기 위해 스윙 노즐(N)을 중간에 여러 번 멈추게 한다. 이와 같이 스윙 노즐(N)이 멈추는 횟수가 많아지면 많아질수록, 본원 발명의 기판 처리 장치의 댐핑 동작은 효과가 극대화될 수 있다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면들이다. 도 9는 도 1 내지 도 8을 이용하여 설명한 기판 처리 장치의 구현예이고, 도 10은 도 9의 모터, 풀리, 타이밍 벨트 사이의 관계를 설명하기 위한 도면이다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 스윙 노즐(N)의 일측에는 노즐팁(720)이 배치된다. 또한, 스윙 노즐(N)의 일측 상면에는 센서(950)가 설치된다. 스윙 노즐(N)의 타측에는 댐퍼(900)(즉, 전자석(910), 마그네트(920), 제1 스프링(912), 제2 스프링(922) 등)가 설치된다. 또한, 스윙 노즐(N)의 타측은 노즐 샤프트와 연결된다. 노즐 샤프트는 제1 풀리(780)에 연결되고, 모터(770)는 제2 풀리(771)에 연결되고, 제1 풀리(780)와 제2 풀리(771)는 타이밍 벨트(790)에 의해서 연결된다. 스윙 노즐(N)은 모터(770)에서 제공되는 회전력이, 제2 풀리(771), 타이밍 벨트(790), 제1 풀리(780), 노즐 샤프트 등을 통해서 스윙 노즐(N)에 제공된다. 그런데, 이러한 구조로 인해서, 스윙 노즐(N)은 동작시(즉, 등속도 운동시, 정지시) 진동이 발생할 수 있다. 컨트롤러(1000)는 센서(950)를 이용하여 스윙 노즐(N)의 진동을 감지하여, 진동을 상쇄시킬 수 있도록 댐퍼(900)를 구동시킨다. 이와 같이 함으로써 진동을 최소화한다.
도 11은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 1 내지 도 10을 이용하여 설명한 기판 처리 장치가 구현될 수 있는 시스템이다.
도 11을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 시스템은 인덱스부(10)와 공정 처리부(20)를 포함할 수 있다. 인덱스부(10)와 공정 처리부(20)는 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스부(10)와 공정 처리부(20)가 배열된 방향을 제2 방향(2)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제2 방향(2)의 수직인 방향을 제1 방향(1)이라 하며, 제1 방향(1)과 제2 방향(2)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3 방향(3)이라 정의한다.
인덱스부(10)는 기판 처리 시스템의 전방에 배치된다. 인덱스부(10)는 로드 포트(12) 및 이송 프레임(14)을 포함한다.
로드 포트(12)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(11)가 안착된다. 로드 포트(12)는 복수 개가 제공되며 이들은 제1 방향(1)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(12)의 개수는 기판 처리 장치(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(11)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. 캐리어(11)에는 기판들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯이 형성된다.
이송 프레임(14)은 로드 포트(12)와 이웃하여 제2 방향(2)으로 배치된다. 이송 프레임(14)은 로드 포트(12)와 공정 처리부(20)의 버퍼부(30) 사이에 배치된다. 이송 프레임(14)은 인덱스 레일(15) 및 인덱스 로봇(17)을 포함한다. 인덱스 레일(15) 상에 인덱스 로봇(17)이 안착된다. 인덱스 로봇(17)은 버퍼부(30)와 캐리어(11)간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 로봇(17)은 인덱스 레일(210)을 따라 제2 방향으로 직선 이동하거나, 제3 방향(3)을 축으로 하여 회전한다.
공정 처리부(20)는 인덱스부(10)에 이웃하여 제2 방향(2)을 따라 기판 처리 시스템의 후방에 배치된다. 공정 처리부(20)은 버퍼부(30), 이동 통로(40), 메인 이송 로봇(50) 그리고 기판 처리 장치(60)를 포함한다.
버퍼부(30)는 제2 방향(2)을 따라 공정 처리부(20)의 전방에 배치된다. 버퍼부(30)는 기판 처리 장치(60)와 캐리어(11) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 일시적으로 수납되어 대기하는 장소이다. 버퍼부(30)는 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3 방향(3)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다.
이동 통로(40)는 버퍼부(30)와 대응되게 배치된다. 이동 통로(40)는 그 길이방향이 제2 방향(2)에 따라 나란하게 배치된다. 이동 통로(40)은 메인 이송 로봇(50)이 이동하는 통로를 제공한다. 이동 통로(40)의 양측에는 기판 처리 장치(60)들이 서로 마주보며 제2 방향(2)을 따라 배치된다. 이동 통로(40)에는 메인 이송 로봇(50)이 제2 방향(2)을 따라 이동하며, 기판 처리 장치(60)의 상하층, 그리고 버퍼부(30)의 상하층으로 승강할 수 있는 이동 레일이 설치된다.
메인 이송 로봇(50)은 이동 통로(40)에 설치되며, 기판 처리 장치(60) 및 버퍼부(30) 간에 또는 각 기판 처리장치(60) 간에 기판(W)을 이송한다. 메인 이송 로봇(50)은 이동 통로(400)을 따라 제2 방향(2)으로 직선 이동하거나, 제3 방향(3)을 축으로 하여 회전한다.
기판 처리 장치(60)는 복수개 제공되며, 제2 방향(2)을 따라 이동 통로(30)을 중심으로 양측에 배치된다. 기판 처리 장치(60)들 중 일부는 이동 통로(30)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 기판 처리 장치(60)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이동 통로(30)의 일측에는 기판 처리 장치(60)들이 A×B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1 방향(1)을 따라 일렬로 제공된 기판 처리 장치(60)의 수이고, B는 제2 방향(2)을 따라 일렬로 제공된 기판 처리 장치(60)의 수이다. 이동 통로(30)의 일측에 기판 처리 장치(60)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 기판 처리 장치(60)들은 2×2 또는 3×2의 배열로 배치될 수 있다. 기판 처리 장치(60)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 기판 처리 장치(60)는 이동 통로(30)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 기판 처리 장치(60)는 이동 통로(30)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
기판 처리 장치(60)는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(60)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 기판 처리 장치(60)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 기판 처리 장치(60)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 기판 처리 장치(60)들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 기판 처리 장치(60)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다. 선택적으로 이송 챔버(240)의 양측에서 하층에는 제1 그룹의 기판 처리 장치(60)들이 제공되고, 상층에는 제2 그룹의 기판 처리 장치(60)들이 제공될 수 있다. 제1 그룹의 기판 처리 장치(60)와 제2 그룹의 기판처리 장치(60)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다. 이와 달리, 제1 그룹의 기판 처리 장치(60)와 제2 그룹의 기판 처리 장치(60)는 하나의 기판(W)에 대해 순차적으로 공정을 수 행하도록 제공될 수 있다.
도 12은 본 발명에 따른 매엽식 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 평면 구성도이고, 도 13은 도 12에 도시된 기판 처리 장치에서 처리 용기와 지지 모듈을 나타낸 단면도이다.
본 실시예에서는 매엽식 기판 처리 장치(1)가 처리하는 기판으로 반도체 기판을 일례로 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 액정표시장치요 유리 기판과 같은 다양한 종류의 기판에도 적용될 수 있다.
도 12 내지 도 13을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 다양한 처리유체들을 사용하여 기판 표면에 잔류하는 이물질 및 막질을 제거하는 장치로써, 챔버(10), 처리 용기(100), 지지 모듈(200), 제1스윙노즐유닛(300)들, 고정노즐(500), 제2스윙노즐유닛(700) 및 배기부재(400)를 포함한다.
챔버(10)는 밀폐된 내부 공간을 제공하며, 상부에는 팬필터유닛(12)이 설치된다. 팬필터유닛(12)은 챔버(10)내부에 수직기류를 발생시킨다.
팬필터유닛(12)은 필터와 공기공급팬이 하나의 유니트로 모듈화된 것으로, 청정공기를 필터링하여 챔버 내부로 공급해주는 장치이다. 청정공기는 팬 필터 유닛(12)을 통과하여 챔버 내부로 공급되어 수직기류를 형성하게 된다. 이러한 공기의 수직기류는 기판 상부에 균일한 기류를 제공하게 되며, 처리유체에 의해 기판 표면이 처리되는 과정에서 발생되는 오염물질(흄)들은 공기와 함께 처리 용기(100)의 흡입덕트들을 통해 배기부재(400)로 배출되어 제거됨으로써 처리 용기 내부의 고청정도를 유지하게 된다.
챔버(10)는 수평 격벽(14)에 의해 공정 영역(16)과 유지보수 영역(18)으로 구획된다. 도면에는 일부만 도시하였지만, 유지보수 영역(18)에는 처리 용기(100)와 연결되는 배출라인(141, 143, 145), 서브배기라인(410) 이외에도 승강유닛의 구동부과, 제1스윙노즐유닛(300)의 구동부(300b), 공급라인 등이 위치되는 공간으로, 이러한 유지 보수 영역(18)은 기판 처리가 이루어지는 공정 영역으로부터 격리되는 것이 바람직하다.
처리 용기(100)는 상부가 개구된 원통 형상을 갖고, 기판(W)을 처리하기 위한 공정 공간을 제공한다. 처리 용기(100)의 개구된 상면은 기판(W)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 처리 용기(100) 내측에는 지지 모듈(200)가 위치된다. 지지 모듈(200)는 공정 진행시 기판(W)을 지지하고, 기판을 회전시킨다.
도 13을 참조하면, 처리 용기(100)는 스핀헤드(210)가 위치되는 상부공간(132a)과, 상부공간(132a)과는 스핀헤드(210)에 의해 구분되며 강제 배기가 이루어지도록 하단부에 배기덕트(190)가 연결된 하부공간(132b)을 제공한다. 처리 용기(100)의 상부공간(132a)에는 회전되는 기판상에서 비산되는 처리유체와 기체, 흄을 유입 및 흡입하는 환형의 제1, 제2 및 제3 흡입덕트(110, 120, 130)가 다단으로 배치된다. 환형의 제1, 제2 및 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 하나의 공통된 환형공간(용기의 하부공간에 해당)과 통하는 배기구(H)들을 갖는다. 하부공간(132b)에는 배기부재(400)와 연결되는 배기덕트(190)가 제공된다.
구체적으로, 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 각각 환형의 링 형상을 갖는 바닥면 및 바닥면으로부터 연장되어 원통 형상을 갖는 측벽을 구비한다. 제2 흡입덕트(120)는 제1 흡입덕트(110)를 둘러싸고, 제1 흡입덕트(110)로부터 이격되어 위치한다. 제3 흡입덕트(130)는 제2 흡입덕트(120)를 둘러싸고, 제2 흡입덕트(120)로부터 이격되어 위치한다.
제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 기판(W)으로부터 비산된 처리유체 및 흄이 포함된 기체가 유입되는 제1 내지 제3 회수공간(RS1, RS2, RS3)을 제공한다. 제1 회수 공간(RS1)은 제1 흡입덕트(110)에 의해 정의되고, 제2 회수공간(RS2)은 제1 흡입덕트(110)와 제2 흡입덕트(120) 간의 이격 공간에 의해 정의되며, 제3 회수공간(RS3)은 제2 흡입덕트(120)와 제3 흡입덕트(130) 간의 이격 공간에 의해 정의된다.
제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)의 각 상면은 중앙부가 개구되고, 연결된 측벽으로부터 개구부측으로 갈수록 대응하는 바닥면과의 거리가 점차 증가하는 경사면으로 이루어진다. 이에 따라, 기판(W)으로부터 비산된 처리유체는 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)의 상면들을 따라 회수 공간들(RS1, RS2, RS3) 안으로 흘러간다.
제1 회수공간(RS1)에 유입된 제1 처리액은 제1 회수라인(141)을 통해 외부로 배출된다. 제2 회수공간(RS2)에 유입된 제2 처리액은 제2 회수라인(143)을 통해 외부로 배출된다. 제3 회수공간(RS3)에 유입된 제3 처리액은 제3회수라인(145)을 통해 외부로 배출된다.
한편, 처리 용기(100)는 처리 용기(100)의 수직 위치를 변경시키는 승강 유닛(600)와 결합된다. 승강 유닛(600)은 처리 용기(100)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(100)가 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(210)에 대한 처리 용기(100)의 상대 높이가 변경된다. 기판(W)이 스핀 헤드(210)에 로딩 또는 스핀 헤드(210)로부터 언로딩될 때 스핀 헤드(210)가 처리 용기(100)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(100)는 하강한다.
또한, 공정이 진행시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 흡입덕트(110, 120, 130)로 유입될 수 있도록 처리 용기(100)의 높이가 조절된다. 이에 따라, 처리 용기(100)와 기판(W) 간의 상대적인 수직 위치가 변경된다. 따라서, 처리 용기(100)는 상기 각 회수공간(RS1, RS2, RS3) 별로 회수되는 처리액과 오염 가스의 종류를 다르게 할 수 있다.
이 실시예에 있어서, 기판 처리장치(1)는 처리 용기(100)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 지지 모듈(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킨다. 그러나, 기판 처리장치(1)는 지지 모듈(200)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 지지 모듈(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킬 수도 있다.
기판 지지 부재(200)는 처리 용기(100)의 내측에 설치된다. 기판 지지 부재(200)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 동안 후술할 구동부(240)에 의해 회전될 수 있다. 기판 지지 부재(200)는 원형의 상부면을 갖는 스핀헤드(210)를 가지며, 스핀헤드(210)의 상부 면에는 기판(W)을 지지하는 지지 핀(212)들과 척킹핀(214)들을 가진다. 지지 핀(212)들은 스핀헤드(210)의 상부 면 가장자리부에 소정 간격 이격되어 일정 배열로 배치되며, 스핀헤드(210)으로부터 상측으로 돌출되도록 구비된다. 지지 핀(212)들은 기판(W)의 하면을 지지하여 기판(W)이 스핀헤드(210)로부터 상측 방향으로 이격된 상태에서 지지되도록 한다. 지지 핀(212)들의 외 측에는 척킹 핀(214)들이 각각 배치되며, 척킹 핀(214)들은 상측으로 돌출되도록 구비된다. 척킹 핀(214)들은 다수의 지지 핀(212)들에 의해 지지된 기판(W)이 스핀헤드(210) 상의 정 위치에 놓이도록 기판(W)을 정렬한다. 공정 진행시 척킹 핀(214)들은 기판(W)의 측부와 접촉되어 기판(W)이 정 위치로부터 이탈되는 것을 방지한다.
스핀헤드(210)의 하부에는 스핀헤드(210)를 지지하는 지지축(220)이 연결되며, 지지축(220)은 그 하단에 연결된 구동부(230)에 의해 회전한다. 구동부(230)는 모터 등으로 마련될 수 있다. 지지축(220)이 회전함에 따라 스핀 헤드(210) 및 기판(W)이 회전한다.
배기부재(400)는 공정시 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)에 배기압력(흡입압력)을 제공하기 위한 것이다.배기부재(400)는 배기덕트(190)와 연결되는 서브배기라인(410), 댐퍼(420)를 포함한다. 서브배기라인(410)은 배기펌프(미도시됨)로부터 배기압을 제공받으며 반도체 생산라인(팹)의 바닥 공간에 매설된 메인배기라인과 연결된다.
고정노즐유닛(500)들은 처리용기(100)의 상단에 고정 설치되어 기판의 중앙으로 초순수, 오존수, 질소가스 등을 각각 공급한다.
본 실시예에서 제1스윙노즐유닛과 제2스윙노즐유닛은 처리액 분사 유닛일 수 있다.
제2스윙노즐유닛(700)은 스윙 이동을 통해 기판의 중심 상부로 이동되어 기판상에 기판 건조를 위한 유체를 공급한다. 건조를 위한 유체는 이소프로필 알코올과 고온의 질소 가스를 포함할 수 있다.
제1스윙노즐유닛(300)들은 처리 용기(100)의 외측에 위치된다. 제1스윙노즐유닛(300)들 붐 스윙 방식으로 회전운동하며 스핀헤드(210)에 놓여진 기판으로 기판(W)을 세정 또는 식각하기 위한 처리유체(산성액, 알칼리성액,중성액, 건조가스)를 공급한다. 도시된 것과 같이, 제1스윙노즐유닛(300)들은 나란히 배치되며, 각각의 제1스윙노즐유닛(300)들은 처리용기(100)와의 거리가 상이하기 때문에 각자의 회전반경에 따라 그 길이가 서로 상이한 것을 알 수 있다.
도 1 내지 도 10을 이용하여 설명한, 댐퍼(900) 및 센서(950)가 설치된 스윙 노즐(N)은 제1스윙노즐유닛(300), 제2스윙노즐유닛(700)에 적용될 수 있다.
이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
900: 댐퍼 910: 전자석
912: 제1 스프링 920: 마그네트
922: 제2 스프링 950: 센서
1000: 컨트롤러 1010: 약액 공급부
1020: 구동부 1030: 전원 공급부

Claims (12)

  1. 기판을 지지하고, 회전 가능한 지지 모듈;
    상기 지지 모듈로부터 상측으로 이격되어 배치되고, 일 방향으로 연장된 노즐 바디와, 상기 노즐 바디의 일측에 배치된 노즐팁을 포함하고, 상기 노즐 바디는 축을 기준으로 스윙 방식으로 이동하며 상기 노즐팁은 상기 기판에 약액을 분사하는 스윙 노즐;
    상기 스윙 노즐의 노즐 바디의 일측에 배치되어, 상기 스윙 노즐의 움직임을 센싱하는 센서;
    상기 스윙 노즐의 노즐 바디의 타측에, 상기 축을 기준으로 상기 노즐팁이 배치된 부분과 반대 방향으로 연장되어 배치되고, 서로 상대적인 간격 조정이 가능하도록 설치되는 전자석과 마그네트; 및
    상기 센서의 센싱 결과를 제공받아, 상기 전자석에 전원을 제공하여 상기 전자석과 상기 마그네트 사이의 인력 또는 척력을 발생시켜 상기 스윙 노즐에 대한 댐핑 동작을 수행하는 컨트롤러를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 전자석은 상기 스윙 노즐의 타측과 제1 스프링을 통해서 연결되고,
    상기 마그네트는 상기 스윙 노즐의 타측과 제2 스프링을 통해서 연결되는, 기판 처리 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 전자석과 마그네트 사이에 인력이 발생하는 경우, 상기 제1 스프링 또는 상기 제2 스프링이 휘어지면서 상기 전자석과 상기 마그네트 사이의 거리가 가까워지고,
    상기 전자석과 마그네트 사이에 척력이 발생하는 경우, 상기 제1 스프링 또는 상기 제2 스프링이 휘어지면서 상기 전자석과 상기 마그네트 사이의 거리가 멀어지는, 기판 처리 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 센서는 가속도 센서이고,
    상기 컨트롤러는 상기 가속도 센서에 의해 센싱된 가속도를 기초로, 상기 전자석에 제공하는 전류의 주파수와 진폭 중 적어도 하나를 제어하는, 기판 처리 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 가속도 센서에 의해 센싱된 가속도의 절대값이 커짐에 따라, 상기 전자석과 상기 마그네트 사이의 척력을 크게 하는, 기판 처리 장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 스윙 노즐이 등속도 운동할 때, 상기 스윙 노즐에는 제1 크기의 진동이 발생하고,
    상기 스윙 노즐이 정지할 때, 상기 스윙 노즐에는 상기 제1 크기보다 큰 제2 크기의 진동이 발생하는, 기판 처리 장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 스윙 노즐은 약액을 상기 기판에 분사하면서 제1 위치에서 제2 위치까지 이동하되, 상기 제1 위치는 상기 기판의 에지에 대응되고, 상기 제2 위치는 상기 기판의 센터에 대응되고, 상기 스윙 노즐은 상기 제1 위치와 상기 제2 위치 사이에서 적어도 2회 멈추는, 기판 처리 장치.
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 스윙 노즐의 상기 타측은 노즐 샤프트와 연결되고,
    상기 노즐 샤프트는 제1 풀리에 연결되고, 모터는 제2 풀리에 연결되고, 상기 제1 풀리와 상기 제2 풀리는 타이밍 벨트에 의해서 연결되는, 기판 처리 장치.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 전자석은 보이스 코일 모터를 포함하는, 기판 처리 장치.
  10. 일 방향으로 연장된 노즐 바디와, 상기 노즐 바디의 일측에 배치된 노즐팁을 포함하고, 상기 노즐 바디는 축을 기준으로 스윙 방식으로 이동하며 상기 노즐팁은 기판에 약액을 분사하는 스윙 노즐;
    상기 스윙 노즐의 노즐 바디의 일측에 배치된 가속도 센서; 및
    상기 스윙 노즐의 노즐 바디의 타측에, 상기 축을 기준으로 상기 노즐팁이 배치된 부분과 반대 방향으로 연장되어 배치되고, 상기 가속도 센서에 의해 센싱된 가속도에 따라 댐핑 동작을 수행하는 댐퍼를 포함하되,
    상기 댐퍼는
    상기 스윙 노즐의 타측에서 상기 반대 방향으로 연장된 제1 스프링과,
    상기 스윙 노즐의 타측에서 상기 반대 방향으로 연장되고, 상기 제1 스프링과 마주보는 제2 스프링과,상기 제1 스프링과 연결된 전자석과,
    상기 제2 스프링과 연결되며, 상기 전자석과 마주보도록 배치된 마그네트를 포함하는, 기판 처리 장치.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 전자석과 마그네트 사이에 인력이 발생하는 경우, 상기 제1 스프링 또는 상기 제2 스프링이 휘어지면서 상기 전자석과 상기 마그네트 사이의 거리가 가까워지고, 이에 따라 상기 댐퍼의 댐핑량이 작아지고,
    상기 전자석과 마그네트 사이에 척력이 발생하는 경우, 상기 제1 스프링 또는 상기 제2 스프링이 휘어지면서 상기 전자석과 상기 마그네트 사이의 거리가 멀어지고, 이에 따라 상기 댐퍼의 댐핑량이 커지는, 기판 처리 장치.
  12. 일 방향으로 연장된 노즐 바디와, 상기 노즐 바디의 일측에 배치된 노즐팁을 포함하고, 상기 노즐 바디는 축을 기준으로 스윙 방식으로 이동하며 상기 노즐팁은 기판에 약액을 분사하는 스윙 노즐과, 상기 스윙 노즐의 노즐 바디의 일측에 배치되어 상기 스윙 노즐의 움직임을 센싱하는 가속도 센서와, 상기 스윙 노즐의 노즐 바디의 타측과 제1 스프링을 통해서 연결된 전자석과, 상기 스윙 노즐의 노즐 바디의 타측과 제2 스프링을 통해서 연결되고 상기 전자석과 마주보도록 배치된 마그네트를 포함하는 기판 처리 장치가 제공되고,
    상기 가속도 센서를 통해서 상기 스윙 노즐의 진동을 센싱하고,
    상기 가속도 센서의 센싱 결과에 따라, 상기 전자석과 상기 마그네트 사이에 척력을 발생시켜 상기 전자석과 상기 마그네트 사이의 거리가 멀어지게 하는 것을 포함하는, 기판 처리 장치의 구동 방법.




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