JP3992601B2 - 薬液処理装置 - Google Patents

薬液処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP3992601B2
JP3992601B2 JP2002351415A JP2002351415A JP3992601B2 JP 3992601 B2 JP3992601 B2 JP 3992601B2 JP 2002351415 A JP2002351415 A JP 2002351415A JP 2002351415 A JP2002351415 A JP 2002351415A JP 3992601 B2 JP3992601 B2 JP 3992601B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing liquid
nozzle
temperature
processing
temperature control
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2002351415A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003297739A (ja
Inventor
茂宏 後藤
勝司 吉岡
実信 松永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd, Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP2002351415A priority Critical patent/JP3992601B2/ja
Priority to US10/353,151 priority patent/US6827782B2/en
Priority to EP03001858A priority patent/EP1332803A1/en
Priority to KR10-2003-0006262A priority patent/KR100509266B1/ko
Priority to CN03104302A priority patent/CN1435732A/zh
Publication of JP2003297739A publication Critical patent/JP2003297739A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3992601B2 publication Critical patent/JP3992601B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B7/00Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas
    • B05B7/16Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas incorporating means for heating or cooling the material to be sprayed
    • B05B7/166Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas incorporating means for heating or cooling the material to be sprayed the material to be sprayed being heated in a container
    • B05B7/1666Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas incorporating means for heating or cooling the material to be sprayed the material to be sprayed being heated in a container fixed to the discharge device
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/001Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work incorporating means for heating or cooling the liquid or other fluent material
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B12/00Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area
    • B05B12/14Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area for supplying a selected one of a plurality of liquids or other fluent materials or several in selected proportions to a spray apparatus, e.g. to a single spray outlet
    • B05B12/1472Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area for supplying a selected one of a plurality of liquids or other fluent materials or several in selected proportions to a spray apparatus, e.g. to a single spray outlet separate supply lines supplying different materials to separate outlets of the spraying apparatus

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板の表面に、レジスト液、現像液、リンス液等の処理液を供給して、基板に対して所要の処理を施す薬液処理装置に係り、特に、装置を大型化させることなく、効率良く処理液を温調するための技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、この種の薬液処理装置の一例として、基板の表面に処理液を吐出して薄膜を形成する回転式塗布装置がある。この従来例の回転式塗布装置について、図24,図25を用いて説明する。図24は、従来例の回転式塗布装置の処理液供給アーム110の断面図であり、図25は従来例の回転式塗布装置の側面図である。この回転式塗布装置は、図24,図25に示すように、基板Wを水平に保持して回転する回転保持部100と、基板に処理液を吐出する処理液供給アーム110とを備えている。
【0003】
処理液供給アーム110は、その基部が支持ブロック111に保持され、その先端のノズル112をX,Y,Z方向に移動可能に形成されている。処理液供給アーム110のアーム部113は、処理液配管114、温調配管115および金属配管116からなる3重管構造となっている。処理液供給アーム110の先端には、基板Wに処理液を吐出するノズル112が接続されている。処理液配管114は、その先端がノズル112に接続され、他端が処理液供給源(図示省略)に接続されている。
【0004】
例えば、処理液がレジスト液の場合、レジスト液の温度によっては、基板W上に形成されるレジスト膜の膜厚が基板の平面方向でばらつきを生じることが知られている。そこで、回転式塗布装置では、処理液配管114の周囲に温調配管115を配設して処理液配管114内の処理液の温度を調整している。
【0005】
すなわち、処理液配管114と金属配管116との間に温調配管115を挿入させることにより、処理液配管114と温調配管115との間に温調水の往路117を形成し、さらに温調配管115と金属配管116との間に温調水の復路118を形成している。そして、外部の恒温水槽から供給された温調水(一定温度に調整された水)を、往路117を通り処理液配管114に沿ってノズル112側に流動させて処理液配管114内の処理液を所定の温度に調整する。また、ノズル112側に達した温調水を復路118に導き、ノズル112側から恒温水槽側へ回収している。このような構造により、ノズル112から吐出される処理液の温度を所定の温度に調整し、基板W表面上に形成される薄膜の膜厚の均一化を図っている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、図24,図25に示すように、先端にノズル112を備えた処理液配管114の周囲を温調配管115で取り囲んで温調水を流動させる構造を用いた場合、温調配管115が大口径となり、ノズル112移動時の処理液配管114の曲率が大きくとれないので、基板Wの鉛直方向である上下方向の空間が必要となり、装置を上下方向に小型化することができないという問題がある。
【0007】
また、近年では、半導体素子の素子構造の微細化あるいは基板の大口径化に伴い、新たな種類の処理液が開発され、それによって基板に供給される処理液の種類が増加している。このため、処理液の種類ごとに温調配管115を設ける必要が生じ、配管経路が複雑化するとともに、各温調配管115内の温調水の温度調整を行うサーキュレータも増加し、装置が大型化および複雑化するという問題がある。
【0008】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、装置を大型化させることなく、効率良く処理液を温調できる薬液処理装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、基板の主面に処理液を吐出して所定の処理を施す薬液処理装置において、基板の主面に処理液を吐出する処理液吐出ノズルの先端部に処理液を貯める処理液だまり部を備え、前記処理液だまり部の両側面を直接的に挟み込んで処理液と熱交換して前記処理液だまり部内の処理液を温調する温調手段を備えていることを特徴とする。
【0010】
【作用】
(作用・効果)請求項1に記載の発明によれば、ノズルの先端部の処理液だまり部の両側面を直接的に挟み込んで処理液だまり部内の処理液と熱交換して温調し、この温調された処理液だまり部内の処理液を基板の主面に吐出して基板処理することができるので、従来例装置のような処理液配管に沿って温調配管を設けることを不必要にでき、処理液供給系を小型化できるし、処理液だまり部内の処理液の熱交換効率に優れており、効率良く処理液を温調できる。
【0011】
また、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の薬液処理装置において、前記温調手段は、前記処理液吐出ノズルが収納された状態で、前記処理液だまり部を挟み込んで処理液と熱交換して前記処理液だまり部内の処理液を温調する温調容器であることを特徴とする。
【0012】
(作用・効果)請求項2に記載の発明によれば、温調容器は、処理液吐出ノズルが収納された状態で、処理液だまり部を挟み込んで処理液と熱交換して処理液だまり部内の処理液を温調するので、従来例装置のような処理液配管に沿って温調配管を設けることを不必要にでき、処理液供給系を小型化できるし、処理液だまり部内の処理液の熱交換効率に優れており、効率良く処理液を温調できる。
【0013】
また、請求項3に記載の発明は、請求項1に記載の薬液処理装置において、前記温調手段は、前記処理液だまり部を挟み込んで処理液と熱交換して前記処理液だまり部内の処理液を温調し、なおかつ、前記処理液だまり部を挟み込んだ状態で、前記処理液吐出ノズルを基板の主面上の所定位置に移動させるノズル温調移動手段であることを特徴とする。
【0014】
(作用・効果)請求項3に記載の発明によれば、ノズル温調移動手段は、処理液だまり部を挟み込んだ状態で、処理液吐出ノズルを基板の主面上の所定位置に移動させるので、従来例装置のような処理液配管に沿って温調配管を設けることを不必要にでき、処理液供給系を小型化できるし、処理液だまり部内の処理液の熱交換効率に優れており、効率良く処理液を温調できる。さらに、処理液吐出ノズルを基板の主面上の所定位置に移動させる過程で処理液だまり部内の処理液温度が変化することも防止できる。
【0015】
また、請求項4に記載の発明は、請求項2に記載の薬液処理装置において、前記処理液吐出ノズルを保持して基板の主面上の所定位置に移動させるノズル移動手段を備え、前記処理液吐出ノズルは、前記温調容器で挟み込まれる前記処理液だまり部の熱交換部以外の箇所に、前記ノズル移動手段で保持される被保持部を備え、熱交換部と被保持部との間または被保持部に断熱部材を備えていることを特徴とする。
【0016】
(作用・効果)請求項4に記載の発明によれば、処理液吐出ノズルを保持して基板の主面上の所定位置に移動させるノズル移動手段を備え、処理液吐出ノズルは、温調容器で挟み込まれる処理液だまり部の熱交換部以外の箇所に、ノズル移動手段で保持される被保持部を備え、熱交換部と被保持部との間または被保持部に断熱部材を備えているので、ノズル移動手段が熱交換部に接触することが防止され、ノズル移動手段と処理液だまり部との間の熱移動を低減でき、処理液だまり部内の処理液の温度変化を低減できる。
【0017】
また、請求項5に記載の発明は、請求項2に記載の薬液処理装置において、前記処理液だまり部を挟み込む保持部を有し、前記保持部で前記処理液だまり部を挟み込むようにして前記処理液吐出ノズルを保持して基板の主面上の所定位置に移動させるノズル移動手段と、前記温調容器とは別に配設された、前記ノズル移動手段の前記保持部が着設されてこの保持部を温調するための保持部温調容器とを備えていることを特徴とする。
【0018】
(作用・効果)請求項5に記載の発明によれば、温調容器で処理液吐出ノズルの処理液だまり部を温調し、保持部温調容器で温調されたノズル移動手段の保持部で処理液だまり部を保持して処理液吐出ノズルを基板の主面上の所定位置に移動させることができるので、処理液吐出ノズルを基板の主面上の所定位置に移動させる過程で処理液だまり部内の処理液温度が変化することを防止できる。
【0019】
また、請求項6に記載の発明は、請求項1から請求項5のいずれかに記載の薬液処理装置において、前記処理液だまり部は、体積当りの表面積が大きくなるような形状であることを特徴とする。
【0020】
(作用・効果)請求項6に記載の発明によれば、処理液だまり部は体積当りの表面積が大きくなるような形状としているので、熱交換が速やかに行われる。
【0021】
また、請求項7に記載の発明は、請求項1から請求項6のいずれかに記載の薬液処理装置において、前記処理液だまり部は、次期吐出相当量の処理液を貯める大きさであることを特徴とする。
【0022】
(作用・効果)請求項7に記載の発明によれば、処理液だまり部は次期吐出相当量の処理液を貯める大きさとしているので、次期吐出に必要な最小限の処理液についての熱交換を行うだけで良いことから、熱交換が速やかに行われる。
【0023】
また、請求項8に記載の発明は、請求項1から請求項7のいずれかに記載の薬液処理装置において、前記処理液だまり部は、処理液を下方位置に導いた後にこの下方位置よりも高い上方位置に導いてから再び下方に導いて吐出口から吐出させる流路を備えていることを特徴とする。
【0024】
(作用・効果)請求項8に記載の発明によれば、処理液だまり部の流路は、処理液を下方位置に導いた後にこの下方位置よりも高い上方位置に導いてから再び下方に導いて吐出口から吐出させるようになっているので、エアの噛み込みを低減することができる。
【0025】
請求項9に記載の発明は、基板の主面に処理液を吐出して所定の処理を施す薬液処理装置において、処理液吐出ノズルの先端部に処理液を貯める処理液だまり部を備え、前記処理液だまり部を構成する面のうち少なくとも一面の大部分に直接的に接触又は近接し、処理液と熱交換して前記処理液だまり部内の処理液を温調する温調手段を備えていることを特徴とするものである。
【0026】
(作用・効果)処理液だまり部を構成する面のうちの少なくとも一面の大部分に直接的に接触又は近接することで、処理液だまり部内の処理液と熱交換して温調し、この温調された処理液だまり部内の処理液を基板の主面に吐出して基板処理することができる。したがって、従来例装置のような処理液配管に沿って温調配管を設けることを不必要にでき、処理液供給系を小型化できる。その上、処理液だまり部内の処理液の熱交換効率に優れ、効率良く処理液を温調できる。
【0027】
また、前記温調手段は、前記処理液供給ノズルが収納された状態で、前記処理液だまり部内の処理液を温調する温調容器や(請求項10)、前記処理液だまり部を保持した状態で、前記処理液吐出ノズルを基板の主面上の所定位置に移動させるノズル温調移動手段であることが好ましい(請求項11)。
【0028】
前記ノズル温調移動手段は、前記処理液だまり部を真空吸引で保持したり(請求項12)、磁力で保持したり(請求項13)、すくい上げて保持したり(請求項14)、磁力で上方から吸引して保持したり(請求項15)、下向き円錐形の外形状を呈する前記処理液だまり部を、前記下向き円錐形とは逆形状の開口によって係止して保持したり(請求項16)、観音開き式の開閉で保持したり(請求項17)する形態が好ましい。
【0029】
請求項18に記載の発明は、請求項9ないし17のいずれかに記載の薬液処理装置において、前記処理液だまり部の温調される部分又は温調手段の温調を施す部分に突起が形成されていることを特徴とするものである。
【0030】
(作用・効果)突起を設けておくことにより、処理液だまり部の温調される部分と温調手段の温調を施す部分との間に間隙をあけることができ、近接した状態で温調を施す構成を容易に実施できる。
【0031】
なお、本明細書は、次のような薬液処理方法および薬液処理装置に係る発明も開示している。
(1)基板の主面に処理液を吐出して所定の処理を施す薬液処理方法において、
基板の主面に処理液を吐出する処理液吐出ノズルの先端部の処理液だまり部に処理液を貯める貯留過程と、
前記処理液だまり部を挟み込んで処理液と熱交換して前記処理液だまり部内の処理液を温調する温調過程と、
前記温調過程で温調された処理液を基板の主面に吐出する吐出過程と
を備えていることを特徴とする薬液処理方法。
【0032】
前記(1)に記載の薬液処理方法によれば、処理液だまり部を挟み込んで処理液と熱交換して処理液だまり部内の処理液を温調し、この温調された処理液だまり部内の処理液を基板の主面に吐出して基板処理することができるので、従来例装置のような処理液配管に沿って温調配管を設けることを不必要にでき、処理液供給系を小型化できるし、処理液だまり部内の処理液の熱交換効率に優れており、効率良く処理液を温調できる。
【0033】
(2)基板の主面に処理液を吐出して所定の処理を施す薬液処理装置において、
基板の主面に処理液を吐出する処理液吐出ノズルの先端部に処理液を貯める処理液だまり部を備え、
前記処理液吐出ノズルが収納された状態で、前記処理液だまり部を挟み込んで処理液と熱交換して前記処理液だまり部内の処理液を温調する温調容器を備え、
前記温調容器に収納された前記処理液吐出ノズルの吐出口が差し入れられてこの吐出口を所定雰囲気中で待機させるための待機容器を、前記温調容器の下方位置に備えていることを特徴とする薬液処理装置。
【0034】
前記(2)に記載の薬液処理装置によれば、温調容器の下方位置に待機容器を備えているので、薬液処理装置の水平面内の占有面積を拡大することなく温調容器を設けることができ、待機容器で処理液吐出ノズルの吐出口を所定雰囲気中で待機させながら、温調容器で処理液だまり部内の処理液を温調することができる。
【0035】
(3)基板の主面に処理液を吐出して所定の処理を施す薬液処理装置において、
基板の主面に処理液を吐出する処理液吐出ノズルの先端部に処理液を貯める処理液だまり部を備え、
前記処理液吐出ノズルの吐出口が差し入れられてこの吐出口を所定雰囲気中で待機させるための待機容器を備え、
前記処理液吐出ノズルが収納された状態で、前記処理液だまり部を挟み込んで処理液を熱交換して前記処理液だまり部内の処理液を温調する温調容器を、前記待機容器とは別に備えていることを特徴とする薬液処理装置。
【0036】
前記(3)に記載の薬液処理装置によれば、待機容器にて処理液吐出ノズルの吐出口を所定雰囲気中で待機させることができ、これから使用すべき処理液吐出ノズルを待機容器から温調容器に移動させて収納し、温調容器で処理液だまり部内の処理液を温調することができるので、待機容器の数だけ温調容器を設ける必要がなく、少なくとも1個の温調容器があればよいことから、温調容器を複数個設けることに伴う装置の複雑化が低減できる。
【0037】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を、図面を参照しながら説明する。
<第1実施例>
図1は本発明の薬液処理装置の第1実施例に係る回転式塗布装置の概略構成を示す平面図であり、図2は、その側面図である。
【0038】
なお、この第1実施例では、薬液処理装置としての回転式塗布装置、つまり、半導体ウエハ(以下、単に「基板」と呼ぶ)に処理液であるレジスト液を吐出して基板にレジスト処理を施す回転式塗布装置を例に採って説明する。
【0039】
図1に示すように、この回転式塗布装置は、基板Wに処理液を供給して回転塗布する回転処理部10と、処理液を吐出するノズル20を把持するノズル把持部30と、このノズル把持部30を鉛直方向(Z軸方向)に移動させる垂直移動部40と、ノズル把持部30をY軸方向に移動させるY軸水平移動部50と、ノズル把持部30をX軸方向に移動させるX軸水平移動部60と、複数個(この第1実施例では、例えば6個)のノズル20を収納する待機部70とを備えている。
【0040】
回転処理部10は、基板Wを水平姿勢で保持して回転駆動する回転保持部11と、この回転保持部11の周囲を取り囲み、基板Wから飛散される処理液が外方へ拡散するのを防止する中空の飛散防止カップ12とを備えている。飛散防止カップ12は、図示しない昇降機構によって昇降可能に構成されていて、基板Wが回転駆動される際に上昇して、基板W上に吐出された処理液がこの飛散防止カップ12の外側の周囲に飛散するのを防止する。このとき、飛散防止カップ12内に飛び散った処理液は、この飛散防止カップ12に設けられている図示しない廃液回収構造によって回収される。
【0041】
図1,2に示すように、基板Wに異なる種類の処理液を吐出するための複数個(例えば6個)のノズル20が、待機部70にそれぞれ待機収納されている。使用時には、選択されたノズル20が待機部70から回転処理部10内の基板W上の所定位置に移動され、ノズル20の先端の吐出口から基板Wに向けて処理液を吐出するようになっている。
【0042】
ここで、このノズル20について、図3および図4を用いて詳細に説明する。なお、図3(a)はノズル20の外観を示す概略斜視図であり、図3(b)はノズル20の温調面を示す概略斜視図である。図4(a)はノズル20の縦断面図であり、図4(b)はノズル20の側面図であり、図4(c)はノズル20の底面図であり、図4(d)は図4(a)に示したノズル20のB−B線断面図である。
【0043】
図3(a)に示すように、ノズル20は、その先端部に、処理液配管21を通じて供給されてきた処理液を所定量貯める処理液だまり部22を備えている。処理液だまり部22は、次期吐出相当量の処理液を少なくとも貯めることができる程度の大きさとなっている。つまり、これから基板Wに吐出すべきワンショット分(例えば、1〜8cm3 )の処理液が処理液だまり部22に貯留されていて、処理液だまり部22に貯留された処理液が先端の吐出口25aから基板Wに向けて吐出されるようになっている。
【0044】
具体的には、図3(b)に示すように、ノズル20の処理液だまり部22は、例えば、熱伝導部材と断熱部材とからなる平板型のハウジング23を備えている。ハウジング23の正面板23aおよび背面板23bは熱伝導部材で形成されており、ハウジング23の上面板23c、底面板23d、左側面板23eおよび右側面板23fは断熱部材で形成されている。熱伝導部材としては、例えば、アルミニウムや銅やカーボンなどが挙げられる。なお、熱伝導部材としてアルミニウムや銅を採用した場合には、このアルミニウムや銅の処理液との接液部分に、耐薬性の高い素材で被覆(フッ素樹脂コーティング)を施す。また、熱伝導部材としてカーボンを採用した場合には、このカーボンの処理液との接液部分に、耐薬性の高い素材で被覆(ダイヤモンドコーティング)を施す。
【0045】
図4(a)〜(c)に示すように、ノズル20の処理液だまり部22は、上述の平板型のハウジング23で覆われている。図4(a)に示すように、処理液だまり部22は、体積当りの表面積が大きくなるようにするために、蛇行形状配管24で構成されており、曲がりくねった処理液流路を形成している。この蛇行形状配管24中に処理液を貯めることで、少なくとも次期吐出相当量の処理液が貯留されるようになっている。この処理液だまり部22の下端には、蛇行形状配管24に接続された突出部25が形成されており、この突出部25の先端には処理液を吐出するための吐出口25aが形成されている。また、図4(d)に示すように、ハウジング23と蛇行形状配管24との間には、熱伝導性の高い材料である高熱伝導充填材26が充填されている。
【0046】
図3(a)に示すように、ノズル20は、その基端部、つまり、処理液だまり部22の上方位置に、ノズル把持部30の一対の把持アーム31,31によって把持される被把持部27を備えている。ノズル20の被把持部27は、断熱部材で形成されている。ノズル把持部30がノズル20の被把持部27を把持して移動することにより、ノズル20が移動される。
【0047】
なお、上述したノズル20が本発明における処理液吐出ノズルに相当し、上述した処理液だまり部22の正面板23aおよび背面板23bが本発明における熱交換部に相当し、上述した被把持部27が本発明における被保持部に相当する。
【0048】
ここで、ノズル把持部30について、図5を用いて詳細に説明する。なお、図5はノズル把持部30の概略構成を示す平面図である。ノズル把持部30は、ノズル20の被把持部27を把持する一対の把持アーム31,31を備えている。各把持アーム31,31は、ベース部材32の上面に敷設されたレール33,33に沿ってY軸方向の互いに反対向きにスライド移動可能に取り付けられている。
【0049】
一対の把持アーム31,31の基端側には、この一対の把持アーム31,31を互いに反対方向に水平移動させるリンク機構34と、このリンク機構34を駆動する駆動シリンダ35とが備えられている。リンク機構34は4節リンク構造を有し、リンク34aの一端とリンク34bの一端とが回動自在に連結され、リンク34cとリンク34dとの連結部が駆動シリンダ35のロッドに連結されている。さらに、リンク34bとリンク34dとの連結部およびリンク34aとリンク34cとの連結部がそれぞれ把持アーム31,31に取り付けられている。そして、駆動シリンダ35のロッドを伸長させると、一対の把持アーム31,31が互いに離反してノズル20を開放し、駆動シリンダ35のロッドを後退させると、一対の把持アーム31,31が互いに接近してノズル20の被把持部27を把持する。
【0050】
図1,図2に示すように、ノズル把持部30は、このノズル把持部30を鉛直方向(Z軸方向)に移動させる垂直移動部40に取り付けられている。垂直移動部40は、ノズル把持部30を支持する支持部材41と、この支持部材41を昇降移動させる昇降駆動部42とを備えている。
【0051】
また、昇降駆動部42は、ノズル把持部30をY軸方向に移動させるY軸水平移動部50の水平移動部材51に接続されている。水平移動部材51の一端は、Y軸方向に延びる回動ねじ52に係合している。回動ねじ52は駆動モータ(図示省略)により回動される。これにより、回動ねじ52に係合した水平移動部材51がY軸方向に往復移動し、それによって垂直移動部40およびノズル把持部30がY軸方向に往復移動する。
【0052】
さらに、Y軸水平移動部50のスライド板61の一端は、X軸方向に延びるX軸水平移動部60の回動ねじ62に係合している。回動ねじ62は駆動モータ(図示省略)により回動される。回動ねじ62の回動により、スライド板61がガイド63に沿ってX軸方向に往復移動し、それによってY軸水平移動部50、垂直移動部40およびノズル把持部30がX軸方向に往復移動する。なお、上述したノズル把持部30、垂直移動部40、Y軸水平移動部50およびX軸水平移動部60が本発明におけるノズル移動手段に相当する。
【0053】
図1に示すように、待機部70には、例えば6個の後述する収納ポット71がY軸方向に並設されており、異なる種類の処理液を供給する処理液供給源(図示省略)に処理液配管21を介して接続された6個のノズル20をそれぞれの収納ポット71に収納している。なお、処理液配管21の処理液供給源(図示省略)側には、電磁弁およびポンプ(図示省略)が接続されており、所定量の処理液が処理液配管21を介してノズル20に供給されるようになっている。
【0054】
続いて、収納ポット71について、図6および図7を用いて詳細に説明する。なお、図6(a)は収納ポット71の概略構成を示す概略斜視図であり、図6(b)は温調ポット80の温調部でノズル20の処理液だまり部22を温調することを説明するための図である。図7(a)は図1に示した収納ポット71のA−A線断面図であり、図7(b)はノズル20の収納ポット71への収納状態でこのノズル20の突出部25が待機ポット90内に挿入されることを説明するための図である。
【0055】
図6(a),図7(a)に示すように、収納ポット71は、ノズル20の処理液だまり部22を温調するための温調ポット80と、ノズル20の突出部25を溶剤雰囲気中に収納するための待機ポット90とを備えている。収納ポット71は、待機ポット90上に温調ポット80を積み上げた2段構造になっている。
【0056】
まず、温調ポット80について説明する。図6に示すように、温調ポット80は、ノズル20を収納するための温調容器本体81と、この温調容器本体81内に配設された、ノズル20の処理液だまり部22を挟み込む一対の温調板82,82とを備えている。温調容器本体81の天部および底部は開口されており、温調容器本体81の天部の開口からノズル20が挿入されるようになっている。図6(b)に示すように、一対の温調板82,82は、温調動作時には、処理液だまり部22を挟み込むように互いに接近移動し、ノズル20の挿抜時などには、処理液だまり部22の挟み込みを解除するように互いに離反移動するようになっている。温調板82は、例えば、処理液だまり部22の熱交換部(正面板23aおよび背面板23b)と同等の大きさとしている。なお、温調板82を処理液だまり部22の熱交換部よりも大きくしてもよいし、処理液だまり部22の温調に問題がなければ、温調板82を処理液だまり部22の熱交換部よりも小さくしてもよい。
【0057】
図7(a)に示すように、一対の温調板82,82の挟持面側には、処理液だまり部22に当接される挟持板83が取り付けられている。また、挟持板83の挟持面側とは反対側の表面には、熱電冷却素子としてのペルチェ素子84が取り付けられている。ペルチェ素子84は、熱電冷却効果により、挟持板83を短時間で所定の温度に設定することができる。また、ペルチェ素子84の挟持板83とは反対側の表面には、ペルチェ素子84からの発熱分を除去する冷却水を供給する冷却水循環部材85が配設されている。冷却水循環部材85の一端には、内部に冷却水を送り込むための冷却水供給管86および冷却水を外方に取り出すための冷却水排出管87が接続されている。この冷却水供給管86および冷却水排出管87は外部に設けられた冷却水供給装置(図示省略)に接続されている。
【0058】
また、図2に示すように、回転式塗布装置内の所定位置には、ペルチェ素子84を駆動制御するための制御部88と、この制御部88に電源電圧を供給するための電源部89とが備えられている。温調ポット80の温調板82には温度センサ(例えば熱電対)が設けられており、温調ポット80の温度がその温度センサから制御部88に送られるようになっている。また、ノズル20の処理液だまり部22にも温度センサ(例えば熱電対)が設けられており、処理液だまり部22内の処理液の温度がその温度センサから制御部88に送られるようになっている。なお、処理液だまり部22の温度センサ(例えば熱電対)が処理液に触れる場合には、フッ素樹脂コーティングなどの被覆措置を施してもよい。制御部88は、温調ポット80の温度と処理液の温度とを比較し、処理液が所定温度に温調されるように温調板82のペルチェ素子84への温調パワーを制御する。温調ポット80の温度と処理液の温度とを検出することでその温度差を検知することができ、より高速な温度制御が可能となる。また、より処理液の実際の温度に近い温度を検出できる。
【0059】
温調ポット80は、温調動作時には、ノズル20が収納された状態で、このノズル20の処理液だまり部22を一対の温調板82,82で所定の押圧力で挟み込んで、つまり、処理液だまり部22の正面板23aおよび背面板23bと温調板82,82との接触圧を高めて当接させて、処理液だまり部22内の処理液を熱交換して温調する。なお、上述した温調ポット80が本発明における温調容器に相当する。
【0060】
続いて、温調ポット80の下側に位置する待機ポット90について説明する。待機ポット90は、ノズル20の突出部25が挿入される挿入孔91を上面側に形成した待機容器本体92を備え、待機中のノズル20の突出部25を溶剤雰囲気中に収納する。待機容器本体92の中央下部には溶剤を保持する溶剤貯留部93が形成され、その上方には溶剤空間94が形成されている。溶剤空間94には、溶剤を供給するための溶剤供給管95が接続されている。また、待機容器本体92におけるノズル20の突出部25の下方位置には、ノズル20から滴下する処理液を外方へ排出するための排出管96が接続されている。
【0061】
なお、ノズル20が収納ポット71から取り出された状態において、待機ポット90の挿入孔91から温調ポット80への溶剤雰囲気の流入を防止するために、この挿入孔91を適宜に閉塞するようにしてもよい。
【0062】
よって、図7(a)に示すように、収納ポット71にノズル20が収納されると、温調ポット80内の一対の温調板82,82で処理液だまり部22を挟み込み、温調板82のペルチェ素子84により挟持板83の温度を所定温度に調整することで、一対の温調板82,82に挟み込まれて接触している処理液だまり部22を熱伝達で温調し、これによって待機状態にあるノズル20の処理液だまり部22内の処理液を所定温度に温調保持するとともに、温調ポット80の下側の待機ポット90では、その挿入孔91にノズル20の突出部25が挿入されており、ノズル20の突出部25を溶剤雰囲気中に収納している。なお、上述した待機ポット90が本発明における待機容器に相当する。
【0063】
次に、この第1実施例の回転式塗布装置の動作について説明する。図1に示すように、待機部70には、異なる種類の処理液を供給する処理液供給源(図示省略)に処理液配管21を介して接続された複数個(第1実施例では6個)のノズル20が収納ポット71に収納された状態で収納され、各ノズル20が待機状態にある。
【0064】
図6に示すように、収納ポット71に収納された各ノズル20は、処理液供給源(図示省略)から処理液配管21を通じて処理液が供給されており、所定量の処理液が処理液だまり部22内に貯められた状態となっている。さらに、この処理液だまり部22が温調ポット80の一対の温調板82,82で挟み込まれており、制御部88は、温調ポット80の温度と処理液だまり部22内の処理液の温度とを比較し、その比較結果に応じて温調板82のペルチェ素子84を駆動し、処理液だまり部22の処理液を所定温度に温調する。なお、処理液をノズル20の処理液だまり部22に貯める過程が本発明の貯留過程に相当し、処理液だまり部22を挟み込んで処理液だまり部22内の処理液を熱交換して温調する過程が本発明の温調過程に相当する。
【0065】
回転式塗布装置は、予め定められた処理条件に従って基板Wに供給する処理液を選択し、これに対応したノズル20を選択する。ノズル20が選択されると、垂直移動部40、Y軸水平移動部50およびX軸水平移動部60が駆動され、ノズル把持部30が一対の把持アーム31,31を開いた状態でノズル20の被把持部27に接近する。
【0066】
一対の把持アーム31,31を駆動してノズル20の被把持部27を把持する。そして、垂直移動部40を駆動させて、把持したノズル20を上方に持ち上げ、Y軸水平移動部50およびX軸水平移動部60を駆動させて、ノズル20を回転処理部10の基板W上の所定位置、例えば基板Wの中央上方の位置に移動する。
【0067】
基板W上の所定位置に移動したノズル20は、所定の温度に調整された処理液だまり部22内の処理液を基板Wの表面に吐出する。その後、基板Wが回転され、これによって基板Wの表面に処理液が回転塗布される。処理液の温度は所定の値に調整されているため、不適当な処理液の温度による薄膜の膜厚ばらつきを抑制することができる。なお、温調された処理液を基板の主面に吐出する過程が本発明の吐出過程に相当する。
【0068】
上述したように第1実施例の回転式塗布装置によれば、温調ポット80は、ノズル20が収納された状態で、処理液だまり部22を挟み込んで処理液を熱交換して処理液だまり部22内の処理液を温調するので、図24に示した従来例装置のような処理液配管114に沿って温調配管115を設けることを不必要にでき、処理液供給系を小型化できるし、処理液だまり部22内の処理液の熱交換効率に優れており、効率良く処理液を温調できる。
【0069】
具体的には、従来例装置では処理液各系統に温調2重管(温調配管115)を具備しているが、本実施例装置ではそれらを不必要にすることができ、施工工数、部品点数などを削減できるし、ノズル配管径が小さくでき、つまり、処理液配管21のみとすることができ、ノズル移動時の処理液配管21の曲率を大きくとれるため、装置を上下方向に小型化することができる。また、多系統の場合は、ノズルが例えばY方向に横並びするが、温調2重管が撤去されることで、横方向(Y方向)の空間の削減できる。
【0070】
また、従来例装置では処理液各系統の温調2重管に恒温水を供給し、1回の吐出量である数cm3 (立方センチメートル)の処理液の温調のために数l(リットル)の水を温調していたが、本実施例装置では処理液だまり部22内の数cm3 の処理液のみの温調であるので、温調に要する消費電力が飛躍的に低減できる。これに付随して、処理液だまり部22内の処理液のみの温調なので温度変更時の時間が極めて短時間となる。
【0071】
また、ノズル20を保持して基板Wの主面上の所定位置に移動させるノズル移動手段(ノズル把持部30、垂直移動部40、Y軸水平移動部50およびX軸水平移動部60からなる)を備え、ノズル20は、温調ポット80で挟み込まれる処理液だまり部22の熱交換部(正面板23aおよび背面板23b)以外の箇所に、ノズル把持部30で把持される被把持部27を備え、被把持部27に断熱部材を備えているので、ノズル移動手段が熱交換部に接触することが防止でき、ノズル移動手段と処理液だまり部22との間の熱移動を低減でき、処理液だまり部22内の処理液の温度変化を低減できる。
【0072】
また、処理液だまり部22は、例えば蛇行形状配管24を採用しており、体積当りの表面積が大きくなるような形状としているので、熱交換が速やかに行われる。
【0073】
また、処理液だまり部22は次期吐出相当量の処理液を貯める大きさとしているので、次期吐出に必要な最小限の処理液についての熱交換を行うだけで良いことから、熱交換が速やかに行われる。
【0074】
<第2実施例>
図8を参照して第2実施例について説明する。図8は、本発明の薬液処理装置の第2実施例に係る回転式塗布装置の概略構成を示す平面図である。
【0075】
なお、上述した第1実施例では、温調ポット80と待機ポット90とを上下2段に構成した6個の収納ポット71を待機部70に設けているが、本第2実施例では、待機部70に6個の待機ポット90のみを設け、この待機ポット90とは別の位置に、単一の温調ポット80を設ける。また、上述した第1実施例と同じ構成には同じ符号を付すことで詳細な説明については省略する。
【0076】
この第2実施例の回転式塗布装置では、6個の待機ポット90と、単一の温調ポット80とを分離独立して配置しているところに1つの特徴点がある。
【0077】
次に、この第2実施例の回転式塗布装置の動作について説明する。待機部70には、異なる種類の処理液を供給する処理液供給源(図示省略)に処理液配管21を介して接続された6個のノズル20の突出部25がそれぞれの待機ポット90の挿入孔91に挿入された状態で収納され、各ノズル20が待機状態にある。
【0078】
図8に示すように、待機部70の待機状態にある6個のノズル20の中から選択された1個のノズル20をノズル把持部30で把持して単一の温調ポット80に移動させて収納する。温調ポット80は、収納されたノズル20の処理液だまり部22内の処理液を温調する。温調ポット80による処理液だまり部22内の処理液の温調後、温調ポット80に収納されたノズル20をノズル把持部30で把持して回転処理部10の基板W上の所定位置に移動し、温調された処理液を基板Wに吐出する。温調された処理液を基板Wに吐出した後にノズル20はノズル把持部30で待機部70の対応する待機ポット90に移動され、基板Wは温調された処理液により所定の処理が施される。
【0079】
上述したように第2実施例の回転式塗布装置によれば、待機ポット90にてノズル20の吐出口25aを所定雰囲気中で待機させることができ、これから使用すべきノズル20を待機ポット90から温調ポット80に移動させて収納し、温調ポット80で処理液だまり部22内の処理液を温調することができるので、待機ポット90の数だけ温調ポット80を設ける必要がなく、少なくとも1個の温調ポット80があればよいことから、温調ポット80を複数個設けることに伴う装置の複雑化が低減できる。
【0080】
<第3実施例>
図9〜図11を参照して第3実施例について説明する。図9は、本発明の薬液処理装置の第3実施例に係る回転式塗布装置の概略構成を示す平面図である。図10は、把持アーム温調部97の概略構成を示す平面図である。図11は、ノズル把持部30の概略構成を示す平面図である。
【0081】
なお、上述した第2実施例では、待機部70に6個の待機ポット90のみを設け、この待機ポット90とは別の位置に、単一の温調ポット80を設けており、ノズル把持部30でノズル20の被把持部27を把持しているが、本第3実施例では、図9に示すように、ノズル把持部30の把持アーム31を温調するための把持アーム温調部97を温調ポット80とは別に設け、図11に示すように、ノズル把持部30の把持アーム31でノズル20の処理液だまり部22の熱交換部(正面板23aおよび背面板23b)を把持する。また、上述した第1,第2実施例と同じ構成には同じ符号を付すことで詳細な説明については省略する。
【0082】
この第3実施例の回転式塗布装置では、図9に示すように、ノズル把持部30の把持アーム31を温調する把持アーム温調部97を、単一の温調ポット80とは別に設けているところに1つの特徴点がある。図10に示すように、把持アーム温調部97は、ノズル把持部30の一対の把持アーム31,31が着設されて、この一対の把持アーム31,31を温調する一対の温調板98を備えている。この温調板98は、把持アーム31と当接する当接板99と、上述の第1実施例と同様のペルチェ素子84および冷却水循環部材85とを備えている。なお、上述した把持アーム温調部97が本発明の保持部温調容器に相当する。
【0083】
また、図11に示すように、一対の把持アーム31,31は、ノズル20の処理液だまり部22の熱交換部(正面板23aおよび背面板23b)を把持する部分31aに熱伝導部材を採用し、この熱伝導部材以外の部分31bに断熱部材を採用し、熱伝導部材である部分31aと断熱部材である部分31bとを接続して形成されている。こうすることで、把持アーム31の熱伝導部材と断熱部材との間の熱伝達を防止している。なお、上述した一対の把持アーム31,31が本発明の保持部に相当する。
【0084】
一対の把持アーム31,31で、ノズル20の処理液だまり部22の熱交換部(正面板23aおよび背面板23b)を把持することから、この第3実施例のノズル20は、図3(a)に示す被把持部27を有さないものである。
【0085】
次に、この第3実施例の回転式塗布装置の動作について説明する。待機部70には、異なる種類の処理液を供給する処理液供給源(図示省略)に処理液配管21を介して接続された6個のノズル20の突出部25が待機ポット90の挿入孔91に挿入された状態で収納され、各ノズル20が待機状態にある。
【0086】
図9に示すように、待機部70の待機状態にある6個のノズル20の中から選択された1個のノズル20の処理液だまり部22の熱交換部(正面板23aおよび背面板23b)をノズル把持部30で把持して、このノズル20を単一の温調ポット80に移動させて収納する。ノズル把持部30は、温調ポット80に収納されたノズル20を離した後、把持アーム温調部97に移動させて収納される。ノズル把持部30の一対の把持アーム31,31は、把持アーム温調部97に着設される。温調ポット80は、収納されたノズル20の処理液だまり部22内の処理液を所定温度に温調する。把持アーム温調部97は、収納されたノズル把持部30の一対の把持アーム31,31を、温調板98で処理液だまり部22内の処理液と同一の温度に温調する。
【0087】
そして、温調ポット80による処理液だまり部22内の処理液の温調およびノズル把持部30の一対の把持アーム31,31を温調した後、温調ポット80に収納されたノズル20の処理液だまり部22の熱交換部(正面板23aおよび背面板23b)をノズル把持部30の一対の把持アーム31,31で把持して回転処理部10の基板W上の所定位置に移動し、温調された処理液を基板Wに吐出する。温調された処理液を基板Wに吐出した後にノズル20はノズル把持部30で待機部70の対応する待機ポット90に移動され、基板Wは温調された処理液により所定の処理が施される。
【0088】
上述したように第3実施例の回転式塗布装置によれば、温調ポット80でノズル20の処理液だまり部22を温調し、把持アーム温調部97で温調されたノズル把持部30の一対の把持アーム31,31で処理液だまり部22を保持してノズル20を基板Wの主面上の所定位置に移動させることができるので、ノズル20を基板Wの主面上の所定位置に移動させる過程で処理液だまり部22内の処理液温度が変化することを防止できる。
【0089】
なお、本発明は第1〜第3実施例に限定されることなく、以下のように変形実施することも可能である。
【0090】
(1)上述した第1,第2実施例装置では、ノズル20の被把持部27を断熱部材で形成しているが、ノズル20の処理液だまり部22と被把持部27との間、つまり、熱交換部である正面板23aおよび背面板23bと被把持部27との間に、断熱部材からなる部材を介装させて、処理液だまり部22と被把持部27との間の熱伝達を防止するようにしてもよい。
【0091】
(2)上述した各実施例装置では、基板Wが位置固定でノズル20が移動する構成であったが、逆に基板Wが移動する構成であっても本発明を適用可能である。
【0092】
(3)上述した各実施例装置では、待機部70に6個の待機ポット90を備え、ノズル20を6個としているが、1個または6個以外の複数個のノズル20を設けるようにしてもよい。
【0093】
(4)上述した各実施例装置では、図4に示すように、ノズル20の処理液だまり部22として平板型のものを採用しているが、図12(a),(b)に示すように、円管型の処理液だまり部22Aを採用してもよい。この処理液だまり部22Aは円筒形状となっている。さらに、図12(c),(d)に示すように、二重円管型の処理液だまり部22Bを採用してもよい。この処理液だまり部22Bは、内部に入子28を配設し、体積当りの表面積を大きくするとともに、外側に近い位置に処理液を貯めるようにしている。こうすることで、処理液だまり部22Bの処理液をより効果的に熱交換できる。また、図12(e),(f)に示すように、コイル型の処理液だまり部22Cを採用してもよい。この処理液だまり部22Cは、螺旋形状配管29を有しており、体積当りの表面積が大きくなっており、処理液だまり部22Cの処理液を効果的に熱交換できる。
【0094】
(5)上述した各実施例装置では、図7(a)に示すように、温調ポット81の温調板82のペルチェ素子84からの発熱分を除去するために、冷却水を供給する冷却水循環部材85をペルチェ素子84に隣接配設しているが、冷却水を供給する冷却水循環部材85に替えて、冷却気体を供給する冷却気体循環手段や、冷却フィンなどを備えるようにしてもよい。
【0095】
(6)上述した各実施例装置では、図7(a)に示すように、温調ポット81の温調板82を直接にノズル20の温調面(正面板23aおよび背面板23b)に当接させているが、温調板82とノズル20の温調面とが接触若しくは近接する界面に、熱伝導率の高いゲル状の物質や、磁性流体を介在させ、接触熱抵抗を低減し、熱交換速度を促進するようにしてもよい。また、上述した第3実施例装置の把持アーム31と温調板98とが接触若しくは近接する界面に、熱伝導率の高いゲル状の物質や、磁性流体を介在させ、接触熱抵抗を低減し、熱交換速度を促進するようにしてもよい。
【0096】
(7)上述した各実施例装置の処理液だまり部22では、図4(a),(d)に示すように、ハウジング23と、断面が円形である蛇行形状配管24との間に高熱伝導充填材26を充填しているが、図13に示すように、断面が四角形である蛇行形状配管24Aを採用することで、ハウジング23と内部配管との間のスペース、つまり、高熱伝導充填材26を充填するスペースを無くすようにしてもよい。
【0097】
(8)上述した各実施例装置では、図4(a)に示すように、処理液だまり部22の蛇行形状配管24として、蛇行しながら上から下に向かう処理液流路を採用しているが、図14に示すように、処理液だまり部22は、処理液を下方位置に導いた後にこの下方位置よりも高い上方位置に導いてから再び下方に導いて吐出口から吐出させる流路24Aを備えたものとしてもよい。図4(a)に示した処理液だまり部22の蛇行形状配管24では、処理液を通す際に、液送速度よりも自重による液落下が早くなる場合があり、その際に管内にエアを噛み込む可能性がある。しかしながら、図14に示す場合では、一度、処理液だまり部22の下部まで通路を落とし、そこから上方で処理液を通すような流路24Aとすることでエア噛み込みを低減することができる。なお、図12(a)〜(f)に示す各種の処理液だまり部にも適用可能である。
【0098】
(9)上述した各実施例装置では、処理液だまり部22を挟み込んで処理液だまり部22内の処理液を熱交換して温調する温調手段として、温調ポット80を採用しているが、温調ポット80を設けるのではなく、図15に示すように、ノズル把持部30Aの一対の把持アーム31,31に、処理液だまり部22を挟み込んで処理液だまり部22内の処理液を熱交換して温調する温調板82をそれぞれ備えるようにしてもよい。温調板82は、上述した第1実施例と同様に、挟持板83、ペルチェ素子84、冷却水循環部材85、冷却水供給管86および冷却水排出管87を備えている。図16に示すように、ノズル20の処理液だまり部22の熱交換部(正面板23aおよび背面板23b)をノズル把持部30Aの一対の把持アーム31,31で把持して、処理液だまり部22内の処理液を熱交換して温調するようになっている。なお、図15,図16に示したノズル把持部30Aが本発明のノズル温調移動手段に相当する。
【0099】
この場合には、図15に示すように、ノズル把持部30Aは、処理液だまり部22を挟み込んだ状態で、ノズル20を基板Wの主面上の所定位置に移動させるので、従来例装置のような処理液配管に沿って温調配管を設けることを不必要にでき、処理液供給系を小型化できるし、処理液だまり部22内の処理液の熱交換効率に優れており、効率良く処理液を温調できる。さらに、ノズル20を基板Wの主面上の所定位置に移動させる過程で処理液だまり部22内の処理液温度が変化することも防止できる。
【0100】
(10)上述した各実施例では処理液だまり部22の2面(正面板23aおよび背面板23b)で熱交換しているが、処理液だまり部22の外周全面(例えば、正面板23aおよび背面板23b並びに、熱伝導部材で構成した左側面板23eおよび右側面板23f)で熱交換してもよい。また、図12に示すように、処理液だまり部22A〜22Cの外周形状が円筒形等である場合には、処理液だまり部22A〜22Cの外周形状に応じた形状の温調板を採用したり、処理液だまり部22A〜22Cの外周形状に応じた形状の熱伝導部材を介して温調板で温調したりするようにしてもよい。
【0101】
(11)上述した各実施例では回転式塗布装置を例に採って説明したが、本発明はこのような装置に限定されるものではなく、非回転式塗布装置にも適用可能であるし、基板の処理面に適宜の処理液(例えば、現像液、リンス液等)を吐出して、基板に処理(現像処理、洗浄処理等)を行う種々の薬液処理装置に広く適用することができる。
【0102】
(12)上述した各実施例では、ペルチェ素子84を用いて温調板82を構成していたが、例えばそれに代えて温調水を温調板82に引き回すように構成することもできる。
【0103】
(13)また、第2,第3の実施例においては、ノズル20の処理液だまり部22を温調ポット80に移動させる構成を採用していたが、逆に、温調ポット80を次に使用するノズル20の処理液だまり部22が待機する場所まで移動して温調を行うようにしてもよい。
【0104】
<第4実施例>
本実施例では、処理液だまり部22を吸着や把持等によって温調する、上記実施例とは異なる実施形態について説明する。
【0105】
▲1▼真空吸着式
図17を参照する。なお、図17は、本実施例に係る回転式塗布装置における保持アーム及びノズルの概略構成を示す斜視図である。また、上記実施例等と同じ構成については以下の説明において同符号を付すことで詳細な説明は省略する。
【0106】
ノズル保持部30Bは、部分31aの先端部に保持アーム31Aを備えている。この保持アーム31Aは、上述した温調板82を兼ねており、さらにノズル20側の面に吸着溝31A1を備えている。保持アーム31A(温調板82)は、ノズル20に当接する面が、ノズル20の処理液だまり部22を構成する面のうち、二つの大面積部の一つとほぼ同じ大きさを有する。
【0107】
なお、上記のノズル保持部30Bが本発明におけるノズル温調移動手段に相当する。
【0108】
ノズル保持部30Bは、図示しない真空ポンプや吸引源からの吸引力が吸着溝31A1に作用した状態で、ノズル20に移動され、その処理液だまり部22を吸着するとともに、処理液だまり部22内の処理液に対して温調を施す。
【0109】
このように処理液だまり部22を構成する面のうちの大面積部分に接触することによっても、処理液だまり部22内の処理液と熱交換して温調し、この温調された処理液だまり部22内の処理液を基板Wに吐出して基板処理することができる。したがって、従来例装置のような処理液配管に沿って温調配管を設けることを不必要にでき、処理液供給系を小型化できる。その上、処理液だまり部22内の処理液の熱交換効率に優れ、効率良く処理液を温調できる。
【0110】
なお、図18に示すように、温調板82を処理液だまり部22に面接触させるのではなく、突起31A2を設けておき、微小間隔をあけるようにしてもよい。このように微小間隔をおいても温調を行うことが可能である。上記の突起31A2の突出高さとしては、例えば、0.1〜0.3mm程度が好ましい。この程度の微小間隔が好ましいのは、十分な温調応答性を得ることができるからである。
【0111】
また、上述した突起を温調板82側でなく、処理液だまり部22側に設けるようにしてもよい。
【0112】
▲2▼磁力吸着式
図19を参照する。なお、図19は、本実施例における別の構成を示した回転式塗布装置における保持アーム及びノズルの概略構成を示す斜視図である。
【0113】
この例では、保持アーム31Bが温調板82を兼用するとともに、ノズル20側の面に磁界発生部31A3を備えている。磁界発生部31A3は、例えば、永久磁石や電磁石等である。また、この場合は、処理液だまり部22の接触面が磁性体で構成されている。保持アーム31B(温調板82)は、ノズル20に当接する面が、ノズル20の処理液だまり部22を構成する面のうち、二つの大面積部の一つとほぼ同じ大きさを有する。
【0114】
ノズル保持部30Bは、磁界発生部31A3から磁力を発生させた状態で、ノズル20に移動され、その処理液だまり部22を磁力によって吸着した状態で所定位置に移動するとともに、処理液だまり部22内の処理液に対して温調を施す。
【0115】
▲3▼すくい上げ式
図20を参照する。なお、図20は、本実施例における別の構成を示した保持アーム及びノズルの概略構成を示す斜視図である。
【0116】
本実施例におけるノズル20は、上述した実施例とは異なり、処理液だまり部22が偏平状(横長状)に形成され、その下面の端部に突出部25が設けられている。保持アーム31Cは、大面積部が上面に位置するように構成されている。その面積は、処理液だまり部22を構成する面のうちの少なくとも一面の大部分に接触する大きさである。この場合には、突出部25との干渉を回避するために、保持アーム31Cの温調板82の面積が処理液だまり部22の大面積部よりも僅かに小さくなっている。
【0117】
このような構成では、ノズル保持部30Bがノズル20を下方からすくい上げて、ノズル20を温調しつつ所定の位置に移動させる。
【0118】
なお、ノズル20の横方向の位置ズレを防止する規制部材を温調板82に形成してもよい。
【0119】
▲4▼上方からの真空吸着式
図21を参照する。なお、図21は、本実施例における別の構成を示した保持アーム及びノズルの概略構成を示す斜視図である。
【0120】
この実施例は、上記▲1▼の構成と上記▲3▼の構成とを組み合わせたような構成を採用している。すなわち、保持アーム31Dは、上述した▲1▼同様の吸着溝31A1を下面に備え、ノズル20とノズル保持部30Bは、上記▲3▼同様の構成であって、ノズル20とノズル保持部30Bの上下関係を入れ替えたような構成である。
【0121】
このような構成の場合、吸着溝31A1に吸着力を発生させて、上方からノズル20に対して移動させ、その上面を吸着して所定位置に移動させるとともに、温調を施す。
【0122】
また、真空吸着に代えて上記▲2▼のように磁力による吸着を行うようにしてもよい。
【0123】
▲5▼観音開き式
図22を参照する。なお、図22は、本実施例における別の構成を示した保持アーム及びノズルの概略構成を示す斜視図である。
【0124】
ノズル20は円筒形を呈し、その下面に突出部25を備えている。保持アーム31Eは、一対のアーム部材31E1,31E2を備えているとともに、それらの内側にノズル20の短軸外径よりやや大きな内径を有する温調板82を備えている。保持アーム31Eは、一対のアーム部材31E1,31E2を観音開き式に開閉自在に構成されている。
【0125】
この構成では、一対のアーム部材31E1,31E2を開放した状態でノズル20に近接させ、それらを閉止することによりノズル20を挟み込むとともに、処理液に対する温調を行う。
【0126】
なお、上記のようにノズル20の側面全周を温調板82で囲う必要はなく、大部分を囲うように構成すればよい。
【0127】
▲6▼係止式
図23を参照する。なお、図23は、本実施例における別の構成を示した保持アーム及びノズルの概略構成を示す斜視図である。
【0128】
ノズル20は処理液だまり部22を含む外形が下向き円錐形を呈し、その下部に突出部25を備えている。保持アーム31Fは、外観矩形状を呈し、その上面中央部付近に、ノズル20の外形よりやや大なる下向き円錐形の温調板82を備えている。なお、温調板82の最下部には、開口が形成されており、ノズル20の突出部25がその開口に位置するように構成されている。
【0129】
この構成においては、ノズル20の下方に保持アーム31Fを位置させ、保持アーム31Fを上昇させることにより温調板82にノズル20を係止し、ノズル20の処理液を温調するとともに、所定位置に移動させる。
【0130】
なお、本発明は上述した第4実施例に限定されることなく、以下のように変形実施することも可能である。
【0131】
保持アームに温調機能を備える代わりに、その機能をポットに備え、その温調板82が処理液だまり部22を挟み込むように配置されているのではなく、処理液だまり部22を構成する面のうち少なくとも一面の大部分に接触又は近接するように構成してもよい。
【0132】
このような構成を採用しても、上述した保持アームに温調機能を備える構成と、温調に関しては同等の効果を奏することができる。
【0133】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、ノズルの先端部の処理液だまり部の両側面を直接的に挟み込んで処理液だまり部内の処理液を熱交換して温調し、この温調された処理液だまり部内の処理液を基板の主面に吐出して基板処理することができるので、従来例装置のような処理液配管に沿って温調配管を設けることを不必要にでき、処理液供給系を小型化できるし、処理液だまり部内の処理液の熱交換効率に優れており、効率良く処理液を温調できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の薬液処理装置の第1実施例に係る回転式塗布装置の概略構成を示す平面図である。
【図2】図1に示した薬液処理装置の側面図である。
【図3】(a)はノズルの外観を示す概略斜視図であり、(b)はノズルの温調面を示す概略斜視図である。
【図4】(a)はノズルの縦断面図であり、(b)はその側面図であり、(c)はその底面図であり、(d)は(a)に示したノズルのB−B線断面図である。
【図5】ノズル把持部の概略構成を示す平面図である。
【図6】(a)は収納ポットの概略構成を示す概略斜視図であり、(b)は温調ポットの温調部でノズルの処理液だまり部を温調することを説明するための図である。
【図7】(a)は図1に示した収納ポットのA−A線断面図であり、(b)はノズルの収納ポットへの収納状態でこのノズルの突出部が待機ポット内に挿入されることを説明するための図である。
【図8】本発明の薬液処理装置の第2実施例に係る回転式塗布装置の概略構成を示す平面図である。
【図9】本発明の薬液処理装置の第3実施例に係る回転式塗布装置の概略構成を示す平面図である。
【図10】把持アーム温調部の概略構成を示す平面図である。
【図11】ノズル把持部の概略構成を示す平面図である。
【図12】(a)〜(f)は本実施例とは別の実施例のノズルの処理液だまり部を示す断面図並びに底面図である。
【図13】本実施例とは別の実施例の処理液だまり部を示す断面図である。
【図14】本実施例とは別の実施例の処理液だまり部を示す断面図である。
【図15】本実施例とは別の実施例のノズル把持部を示す断面図である。
【図16】図15に示したノズル把持部の把持動作を説明するための図である。
【図17】第4実施例に係る回転式塗布装置における保持アーム及びノズルの概略構成を示す斜視図である。
【図18】近接して温調する場合の一例を示す要部拡大図である。
【図19】本実施例における別の構成を示した保持アーム及びノズルの概略構成を示す斜視図である。
【図20】本実施例における別の構成を示した保持アーム及びノズルの概略構成を示す斜視図である。
【図21】本実施例における別の構成を示した保持アーム及びノズルの概略構成を示す斜視図である。
【図22】本実施例における別の構成を示した保持アーム及びノズルの概略構成を示す斜視図である。
【図23】本実施例における別の構成を示した保持アーム及びノズルの概略構成を示す斜視図である。
【図24】従来例の回転式塗布装置の処理液供給アームを示す断面図である。
【図25】従来例の回転式塗布装置の側面図である。
【符号の説明】
20 … ノズル(処理液吐出ノズル)
22 … 処理液だまり部
23a … 正面板(熱交換部)
23b … 背面板(熱交換部)
27 … 被把持部(被保持部)
30 … ノズル把持部(ノズル移動手段)
30A … ノズル把持部(ノズル温調移動手段)
31 … 把持アーム(保持部)
40 … 垂直移動部(ノズル移動手段)
50 … Y軸水平移動部(ノズル移動手段)
60 … X軸水平移動部(ノズル移動手段)
80 … 温調ポット(温調容器)
90 … 待機ポット(待機容器)
97 … 把持アーム温調部(保持部温調容器)
W … 基板
30B … ノズル保持部(ノズル温調移動手段)
31A … 保持アーム(真空吸着)
31A1 … 吸着溝
31A2 … 突起
31B … 保持アーム(磁力吸着)
31A3 … 磁界発生部
31C … 保持アーム(すくい上げ)
31D … 保持アーム(上方から真空吸着)
31E … 保持アーム(観音開き式)
31F … 保持アーム(係止)

Claims (18)

  1. 基板の主面に処理液を吐出して所定の処理を施す薬液処理装置において、
    基板の主面に処理液を吐出する処理液吐出ノズルの先端部に処理液を貯める処理液だまり部を備え、
    前記処理液だまり部の両側面を直接的に挟み込んで処理液と熱交換して前記処理液だまり部内の処理液を温調する温調手段を備えていることを特徴とする薬液処理装置。
  2. 請求項1に記載の薬液処理装置において、
    前記温調手段は、前記処理液吐出ノズルが収納された状態で、前記処理液だまり部を挟み込んで処理液と熱交換して前記処理液だまり部内の処理液を温調する温調容器であることを特徴とする薬液処理装置。
  3. 請求項1に記載の薬液処理装置において、
    前記温調手段は、前記処理液だまり部を挟み込んで処理液と熱交換して前記処理液だまり部内の処理液を温調し、なおかつ、前記処理液だまり部を挟み込んだ状態で、前記処理液吐出ノズルを基板の主面上の所定位置に移動させるノズル温調移動手段であることを特徴とする薬液処理装置。
  4. 請求項2に記載の薬液処理装置において、
    前記処理液吐出ノズルを保持して基板の主面上の所定位置に移動させるノズル移動手段を備え、
    前記処理液吐出ノズルは、前記温調容器で挟み込まれる前記処理液だまり部の熱交換部以外の箇所に、前記ノズル移動手段で保持される被保持部を備え、熱交換部と被保持部との間または被保持部に断熱部材を備えていることを特徴とする薬液処理装置。
  5. 請求項2に記載の薬液処理装置において、
    前記処理液だまり部を挟み込む保持部を有し、前記保持部で前記処理液だまり部を挟み込むようにして前記処理液吐出ノズルを保持して基板の主面上の所定位置に移動させるノズル移動手段と、
    前記温調容器とは別に配設された、前記ノズル移動手段の前記保持部が着設されてこの保持部を温調するための保持部温調容器と
    を備えていることを特徴とする薬液処理装置。
  6. 請求項1から請求項5のいずれかに記載の薬液処理装置において、
    前記処理液だまり部は、体積当りの表面積が大きくなるような形状であることを特徴とする薬液処理装置。
  7. 請求項1から請求項6のいずれかに記載の薬液処理装置において、
    前記処理液だまり部は、次期吐出相当量の処理液を貯める大きさであることを特徴とする薬液処理装置。
  8. 請求項1から請求項7のいずれかに記載の薬液処理装置において、
    前記処理液だまり部は、処理液を下方位置に導いた後にこの下方位置よりも高い上方位置に導いてから再び下方に導いて吐出口から吐出させる流路を備えていることを特徴とする薬液処理装置。
  9. 基板の主面に処理液を吐出して所定の処理を施す薬液処理装置において、
    処理液吐出ノズルの先端部に処理液を貯める処理液だまり部を備え、
    前記処理液だまり部を構成する面のうち少なくとも一面の大部分に直接的に接触又は近接し、処理液と熱交換して前記処理液だまり部内の処理液を温調する温調手段を備えていることを特徴とする薬液処理装置。
  10. 請求項9に記載の薬液処理装置において、
    前記温調手段は、前記処理液供給ノズルが収納された状態で、前記処理液だまり部内の処理液を温調する温調容器であることを特徴とする薬液処理装置。
  11. 請求項9に記載の薬液処理装置において、
    前記温調手段は、前記処理液だまり部を保持した状態で、前記処理液吐出ノズルを基板の主面上の所定位置に移動させるノズル温調移動手段であることを特徴とする薬液処理装置。
  12. 請求項11に記載の薬液処理装置において、
    前記ノズル温調移動手段は、前記処理液だまり部を真空吸引で保持することを特徴とする薬液処理装置。
  13. 請求項11に記載の薬液処理装置において、
    前記ノズル温調移動手段は、前記処理液だまり部を磁力で保持することを特徴とする薬液処理装置。
  14. 請求項11に記載の薬液処理装置において、
    前記ノズル温調移動手段は、前記処理液だまり部をすくい上げて保持することを特徴とする薬液処理装置。
  15. 請求項11に記載の薬液処理装置において、
    前記ノズル温調移動手段は、前記処理液だまり部を磁力で上方から吸引して保持することを特徴とする薬液処理装置。
  16. 請求項11に記載の薬液処理装置において、
    前記ノズル温調移動手段は、下向き円錐形の外形状を呈する前記処理液だまり部を、前記下向き円錐形とは逆形状の開口によって係止して保持することを特徴とする薬液処理装置。
  17. 請求項11に記載の薬液処理装置において、
    前記ノズル温調移動手段は、前記処理液だまり部を観音開き式の開閉で保持することを特徴とする薬液処理装置。
  18. 請求項9ないし17のいずれかに記載の薬液処理装置において、
    前記処理液だまり部の温調される部分又は温調手段の温調を施す部分に突起が形成されていることを特徴とする薬液処理装置。
JP2002351415A 2002-01-31 2002-12-03 薬液処理装置 Expired - Fee Related JP3992601B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002351415A JP3992601B2 (ja) 2002-01-31 2002-12-03 薬液処理装置
US10/353,151 US6827782B2 (en) 2002-01-31 2003-01-28 Chemical treating apparatus
EP03001858A EP1332803A1 (en) 2002-01-31 2003-01-29 Chemical treating apparatus
KR10-2003-0006262A KR100509266B1 (ko) 2002-01-31 2003-01-30 약액처리장치
CN03104302A CN1435732A (zh) 2002-01-31 2003-01-31 化学处理装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002-24103 2002-01-31
JP2002024103 2002-01-31
JP2002351415A JP3992601B2 (ja) 2002-01-31 2002-12-03 薬液処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003297739A JP2003297739A (ja) 2003-10-17
JP3992601B2 true JP3992601B2 (ja) 2007-10-17

Family

ID=26625664

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002351415A Expired - Fee Related JP3992601B2 (ja) 2002-01-31 2002-12-03 薬液処理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6827782B2 (ja)
EP (1) EP1332803A1 (ja)
JP (1) JP3992601B2 (ja)
KR (1) KR100509266B1 (ja)
CN (1) CN1435732A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111886677A (zh) * 2018-03-09 2020-11-03 株式会社斯库林集团 基板处理装置以及基板处理方法

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NO20025836D0 (no) * 2002-12-04 2002-12-04 Dynea Chemicals Oy Fremgangsmåte og anordning for separatpåföring
US7267723B2 (en) * 2003-05-13 2007-09-11 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Treating solution supply nozzle, a substrate treating apparatus having this nozzle, and a method of manufacturing a treating solution supply nozzle
US7232079B2 (en) * 2003-09-12 2007-06-19 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Determining whether thermal fluid-ejection nozzle ejected fluid upon firing based on temperature and/or resistance
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US7396412B2 (en) 2004-12-22 2008-07-08 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with shared dispense
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
DE102005005924B4 (de) * 2005-02-09 2009-07-16 Steag Hamatech Ag Vorrichtung zum Abgeben von Lack zum Verkleben von Substratscheiben
JP2006278966A (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Toshiba Corp 半導体製造装置
KR101036592B1 (ko) * 2008-11-28 2011-05-24 세메스 주식회사 처리액 공급 유닛과, 이를 이용한 기판 처리 장치
US20110014367A1 (en) * 2009-07-17 2011-01-20 Dennis Ray Wells Epoxy Applicator with Temperature Control
DE202011050452U1 (de) 2011-06-15 2012-03-16 Baumer Hhs Gmbh Vorrichtung zum Auftrag eines Mediums auf ein Substrat
DE102012109524A1 (de) * 2012-10-08 2014-04-10 Baumer Hhs Gmbh Heißauftragssystem
JP6043600B2 (ja) * 2012-11-21 2016-12-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
KR20150037453A (ko) * 2013-09-30 2015-04-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102117353B1 (ko) * 2013-10-24 2020-06-01 세메스 주식회사 약액공급유닛 및 이를 가지는 기판처리장치
CN105280785B (zh) * 2014-07-15 2018-05-22 首尔半导体股份有限公司 波长转换部制造装置及利用其的波长转换部制造方法
JP6385864B2 (ja) * 2015-03-18 2018-09-05 株式会社東芝 ノズルおよび液体供給装置
KR102385264B1 (ko) * 2015-08-28 2022-04-13 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6737689B2 (ja) * 2016-11-11 2020-08-12 トヨタ自動車株式会社 引上式連続鋳造装置
JP6847726B2 (ja) * 2017-03-24 2021-03-24 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6924614B2 (ja) * 2017-05-18 2021-08-25 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP7117923B2 (ja) * 2018-07-13 2022-08-15 株式会社Screenホールディングス 塗布処理装置および塗布処理方法
KR102300359B1 (ko) * 2019-08-07 2021-09-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 그 구동 방법
KR102677969B1 (ko) * 2020-12-30 2024-06-26 세메스 주식회사 노즐 대기 포트와 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 노즐 세정 방법
JP2022124070A (ja) * 2021-02-15 2022-08-25 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置、および、筒状ガードの加工方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2114661A (en) 1935-12-21 1938-04-19 George E West Spraying device
FR1115928A (fr) 1954-07-22 1956-05-02 Pistolet de projection de peinture
US3877610A (en) * 1974-02-01 1975-04-15 Ornsteen Chemicals & Textiles Hot melt cartridge adhesive gun
US4326343A (en) * 1980-06-10 1982-04-27 Rathmell Richard K Apparatus and method for recovering volatile compounds
FR2495024A1 (fr) 1980-12-03 1982-06-04 Thenance Jean Claude Dispositif concernant une chambre de fusion mobile pour pistolets a colle thermo-fusible
US5094398A (en) 1990-09-13 1992-03-10 Nordson Corporation Quick-adjusting, multiple dispenser positioner
US5105987A (en) 1990-11-14 1992-04-21 Minnesota Mining And Manufacturing Company Hot melt applicator having flexible retention element for storage receptacle
JP3717264B2 (ja) 1997-03-12 2005-11-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US6170709B1 (en) 2000-02-25 2001-01-09 Hsiu-O Huang Hot-melted adhesive gun

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111886677A (zh) * 2018-03-09 2020-11-03 株式会社斯库林集团 基板处理装置以及基板处理方法
US20210028032A1 (en) * 2018-03-09 2021-01-28 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
US11569104B2 (en) * 2018-03-09 2023-01-31 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method

Also Published As

Publication number Publication date
EP1332803A1 (en) 2003-08-06
US20030141314A1 (en) 2003-07-31
JP2003297739A (ja) 2003-10-17
KR100509266B1 (ko) 2005-08-19
US6827782B2 (en) 2004-12-07
KR20030066410A (ko) 2003-08-09
CN1435732A (zh) 2003-08-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3992601B2 (ja) 薬液処理装置
JP4985998B2 (ja) 基板処理装置及び方法
US7485346B2 (en) Methods and apparatus for dispensing semiconductor processing solutions with multi-syringe fluid delivery systems
CN100373529C (zh) 具有可旋转分配臂的流体分配装置和方法
US7628862B2 (en) Treating solution supply nozzle, a substrate treating apparatus having this nozzle, and a method of manufacturing a treating solution supply nozzle
KR102385264B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP3717264B2 (ja) 基板処理装置
US11456198B2 (en) Transfer unit and substrate treating apparatus including ihe same
JP4093916B2 (ja) 処理液供給ノズルおよびこれを用いた基板処理装置、並びに処理液供給ノズルの製造方法
JP4454317B2 (ja) 基板処理装置
JP3808072B2 (ja) 基板処理装置
KR102493572B1 (ko) 기판 처리 장치 및 위치 안내 방법
JP2004344774A (ja) 基板処理装置
JP4286054B2 (ja) 基板処理装置
JPH11176910A (ja) 基板搬送装置およびそれを備えた基板処理装置
KR102606575B1 (ko) 액 공급 장치, 그리고 이를 포함하는 기판 처리 장치
TWI317416B (en) Micro liquid cooling device and droplet generator thereof
JP2005044836A (ja) 基板処理装置
JP7431920B2 (ja) 液供給ユニット、基板処理装置及びボトル交替方法
TW200402130A (en) Apparatus and method for thermally controlled processing of microelectronic workpieces
JP2023004984A (ja) 支持ユニット、これを含むベーク装置及び基板処理装置
KR20240043848A (ko) 기판 처리 장치 및 냉각 플레이트 제조 방법
KR20240107281A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
CN117790358A (zh) 用于处理基板的设备
JPH11237923A (ja) 温度制御装置および温度制御方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050224

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20061031

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061121

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070118

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070313

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070511

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070724

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070724

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3992601

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100803

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100803

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100803

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110803

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110803

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120803

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120803

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120803

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130803

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees