JP6924614B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
ここで、基板の周縁付近に対向する吐出口が単位時間あたりに回転方向に基板の上面を移動する距離は、基板の中心付近に対向する吐出口が単位時間あたりに回転方向に基板の上面を移動する距離よりも大きい。そのため、基板の周縁付近に供給する薬液の流量を、基板の中心付近に供給する薬液の流量よりも多くしなければ、基板の中心付近の処理が基板の周縁付近よりも進んでしまう。その結果、基板の上面が均一に処理されないおそれがある。
また、アームや薬液吐出ヘッドの温度は周囲の空間と同程度の温度(常温程度)であるため、薬液は、アーム内や薬液吐出ヘッド内で冷却される。そのため、充分に加熱した薬液を薬液吐出ヘッドに向けて供給しても、吐出口から吐出されるまでに薬液の温度が低下するおそれがある。
この発明の一実施形態では、前記第1流路は、前記基板の上面と平行に延びる。そのため、吐出口と基板の上面と間の距離の、複数の吐出口間での差を低減することができる。したがって、処理液が吐出口から吐出されてから基板の上面に着液するまでに処理液が失う熱量の差を、複数の吐出口間で低減することができる。これにより、基板の上面の処理むらを低減することができる。
この発明の一実施形態では、前記第2流路が、前記処理液ノズルに形成されている。そのため、第1流路に一層近接した位置に第2流路を位置させることができる。これにより、第1流路内の処理液が第2流路内の処理液によって一層効率良く保温される。
この発明の一実施形態では、複数の前記吐出口は、前記基板の上面において前記第1流路の前記他端部付近に対向する領域に供給される処理液の流量の方が、前記基板の上面において前記第1流路の前記一端部付近に対向する領域に供給される処理液の流量よりも大きくなるように設けられている。ここで、前述したように、処理液供給ユニットが処理位置に位置する状態では、第1流路の一端部は基板の中央領域に対向し、第1流路の他端部は基板の外周領域に対向している。そのため、基板の上面の外周領域に供給される処理液の流量を、基板の上面の中心領域に供給される処理液の流量よりも一層増大させることができる。これにより、基板の上面の外周領域における処理液の温度の低下を抑制することができるので、基板の上面の外周領域におけるエッチングレートの低下を防止できる。
ここで、第2流路から第1流路に処理液が供給されていないときには、複数の吐出口が形成された第1流路内に処理液が残ることがある。第1流路内には処理液が残った状態で移動ユニットが処理液供給ユニットを移動させた際には、第1流路内に残った処理液は、液滴となって、基板の上面に落下することがある。このような意図しない処理液の落下によって、基板の上面にパーティクルが発生するおそれがある。そこで、吸引ユニットに第1流路内の処理液を吸引させることで、処理液の供給の停止時に第1流路内に処理液が残ることを防止できる。したがって、処理液の供給の停止時に基板上に処理液の落下を抑制することができる。
この構成によれば、第2流路から第1流路に処理液が供給されていないときには、液溜まり部と吐出流路とに処理液が残ることがある。吐出流路が液溜まり部から側方に延びているため、吐出流路内の処理液は、液溜まり部内の処理液の重量を受けにくい。したがって、処理液の供給の停止時に、処理液が吐出流路を介して吐出口から基板上に落下するのを抑制することができる。
この発明の一実施形態では、前記吐出流路の流路断面積が、前記液溜まり部の流路断面積よりも小さい。そのため、吐出流路内の処理液に作用する表面張力を増大させることができるので、処理液が吐出流路内に留まりやすい。したがって、処理液の供給の停止時に基板上に処理液の落下を抑制することができる。
<第1実施形態>
図1は、この発明の第1実施形態に係る基板処理装置1の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。
基板処理装置1は、シリコンウエハなどの基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この実施形態では、基板Wは、円板状の基板である。基板処理装置1は、薬液やリンス液などの処理液で基板Wを処理する複数の処理ユニット2と、処理ユニット2で処理される複数枚の基板Wを収容するキャリヤCが載置されるロードポートLPと、ロードポートLPと処理ユニット2との間で基板Wを搬送する搬送ロボットIRおよびCRと、基板処理装置1を制御する制御装置3とを含む。搬送ロボットIRは、キャリヤCと搬送ロボットCRとの間で基板Wを搬送する。搬送ロボットCRは、搬送ロボットIRと処理ユニット2との間で基板Wを搬送する。複数の処理ユニット2は、たとえば、同様の構成を有している。
処理ユニット2は、一枚の基板Wを水平な姿勢で保持しながら基板Wの中央部を通る鉛直な回転軸線A1まわりに基板Wを回転させるスピンチャック5と、スピンチャック5を取り囲む筒状のカップ6と、基板Wの上面(表面)に薬液を供給する薬液供給ユニット7と、薬液供給ユニット7を少なくとも水平方向に移動させる移動ユニット8と、基板Wの上面に脱イオン水(Deionized Water:DIW)などのリンス液を供給するリンス液供給ユニット9と、平面視でカップ6のまわりに配置された待機ポット10とを含む。
スピンチャック5は、チャックピン20と、スピンベース21と、スピンベース21の下面中央に結合された回転軸22と、回転軸22に回転力を与える電動モータ23とを含む。回転軸22は、回転軸線A1に沿って鉛直方向に延びている。回転軸22の上端に、スピンベース21が結合されている。
電動モータ23によって回転軸22が回転されることにより、基板Wが回転軸線A1のまわりに回転される。電動モータ23は、基板Wを回転軸線A1のまわりに回転させる基板回転ユニットに含まれる。
待機ポット10は、基板Wの上面から退避している第1薬液ノズル30および第2薬液ノズル40から吐出される薬液を受け止めるためのポットである。待機ポット10は、有底筒状の形態を有する。薬液供給ユニット7が退避位置にある状態で、第1薬液ノズル30および第2薬液ノズル40は、待機ポット10の上方に位置する。待機ポット10の底部には、待機ポット10内の薬液を排出するための排液管55が接続されている。排液管55には、排液管55内の薬液の流路を開閉する排液バルブ56が介装されている。
図3は、薬液供給ユニット7およびその周辺の側面図である。図4は、薬液供給ユニット7の平面図である。図5は、図4のV−V線に沿った断面図である。図6は、第1薬液ノズル30およびその周辺の下面図である。
図3を参照して、第2薬液配管41は、旋回軸線A2から離れる方向に水平に延びる水平部41aと、水平部41aに連結され、旋回軸線A2から離れるにしたがって下方に向かうように水平方向に対して傾斜して延びる垂下部41bとを含む。第2薬液ノズル40は、垂下部41bに連結され、旋回軸線A2から離れるにしたがって下方に向かうように水平方向に対して傾斜して延びる。第2薬液ノズル40は、第2吐出口40aが形成された吐出部40bをその先端に有している。
図4を参照して、処理ユニット2は、第1薬液ノズル30内の薬液を吸引する吸引ユニット11をさらに含む。吸引ユニット11は、第1薬液配管31に分岐接続された吸引配管65と、吸引配管65内に形成された吸引流路65aを介して第1流路70の内部を吸引する吸引装置60とを含む。吸引装置60は、真空ポンプなどである。吸引配管65には、吸引流路65aを開閉する吸引バルブ66が介装されている。吸引配管65は、第1薬液配管31の上水平部31aと垂下部31bとの連結部分31dに連結されている。吸引配管65は、第1薬液配管31および第2薬液配管41と共にホルダ26の支持部26bによって支持されている。
第1薬液配管31内には、第1流路70の一端部70aから折り返して延びる第2流路80が形成されている。詳しくは、第1薬液配管31の上水平部31aには、第2流路80が形成されており、第1薬液配管31の垂下部31bおよび下水平部31cには、第1流路70の一端部70aおよび第2流路80を連結する折り返し流路85が形成されている。第1薬液配管31は、第2流路80が形成された流路形成配管の一例である。第1流路70では、処理液は、一端部70a側から他端部70b側に向けて流れる。処理液が流れる方向において、一端部70aは、他端部70bよりも上流側である。
図6に示すように、複数の第1吐出口30aは、第1薬液ノズル30の下面30dに形成されている。複数の第1吐出口30aは、長手方向Lに沿って配列されている。詳しくは、複数の第1吐出口30aは、互いに等間隔を隔てている。薬液供給ユニット7が処理位置に配置されているとき、一端部70a付近の第1吐出口30aは、第1流路70内の薬液を基板Wの上面の中央領域に向けて吐出し、他端部70b付近の第1吐出口30aは、第1流路70内の薬液を基板Wの上面の外周領域に向けて吐出する。
次に、図7を用いて第1流路70の構成について詳細に説明する。図7は、図5のVII−VII線に沿った断面図である。
図8は、基板処理装置1の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。制御装置3は、マイクロコンピュータを備えており、所定のプログラムに従って、基板処理装置1に備えられた制御対象を制御する。より具体的には、制御装置3は、プロセッサ(CPU)3Aと、プログラムが格納されたメモリ3Bとを含み、プロセッサ3Aがプログラムを実行することによって、基板処理のための様々な制御を実行するように構成されている。とくに、制御装置3は、搬送ロボットIR,CR、電動モータ23、移動ユニット8、吸引装置60、およびバルブ類32,42,52,56,66などの動作を制御する。
基板Wが搬入された後、基板Wの上面を薬液で処理する前に第1薬液ノズル30および第2薬液ノズル40から薬液を吐出させるプリディスペンス(S2)が開始される。処理ユニット2で基板Wを一枚ずつ連続処理する基板処理では、プリディスペンス(S2)を実行することによって、薬液処理(S3)において基板Wに供給される薬液の温度の、同一の処理ユニット2で処理される基板W間での差を低減することができる。そのため、基板W間での品質の差を低減することができる。第2薬液ノズル40の第2吐出口40aは、1つしか設けられていないのに対して、第1薬液ノズル30の第1吐出口30aは、複数設けられている。そのため、通常、第2薬液ノズル40から吐出される処理液の流量は、第1薬液ノズル30から吐出される処理液の流量よりも小さい。したがって、プリディスペンス(S2)による温度制御は、第1薬液ノズル30よりも第2薬液ノズル40において重要となる。
プリディスペンス(S2)では、図10Aに示すように、移動ユニット8が、薬液供給ユニット7を退避位置に配置する。そして、第1電動バルブ32および第2電動バルブ42が開かれる。これにより、第1薬液ノズル30の複数の第1吐出口30aおよび第2薬液ノズル40の第2吐出口40aから薬液が吐出される。第1吐出口30aおよび第2吐出口40aから吐出された薬液は、待機ポット10によって受けられる。排液バルブ56が開かれることによって待機ポット10内の薬液が待機ポット10から排除される。
具体的には、第1電動バルブ32および第2電動バルブ42が閉じられ、リンス液バルブ52が開かれる。これにより、リンス液ノズル50から基板Wの上面に向けてリンス液が供給(吐出)される。リンス液ノズル50から吐出されたリンス液は、基板Wの上面の中央領域に着液する。基板W上に供給されたリンス液は遠心力によって基板Wの上面の全体に行き渡る。このリンス液によって基板W上の薬液が洗い流される。この間に、移動ユニット8が、薬液供給ユニット7を退避位置へ退避させる。薬液供給ユニット7を移動させる前に、吸引装置60が第1薬液ノズル30の第1流路70内の薬液を吸引する。
次に、プリディスペンス(S2)の一例について図11を用いて詳細に説明する。図11は、図9に示す基板処理において第1薬液ノズル30から吐出される薬液の温度の時間的変化の一例を示すグラフである。図11では、横軸を処理時間tとし、縦軸を第1薬液ノズル30から吐出される薬液の温度、すなわち吐出温度Tとしている。吐出温度Tは、第1温度センサ34によって検出される温度である。そのため、吐出温度Tは、厳密には、第1薬液供給管35内の薬液の温度である。図11では、基板Wを連続処理する基板処理において1枚目〜3枚目に処理した基板Wのそれぞれについて、吐出温度Tの時間変化を示している。ここでは、第2薬液ノズル40の吐出温度の時間変化は、第1薬液ノズル30の吐出温度Tの時間変化とほぼ同様であるため、詳しい説明を省略する。
吐出温度Tが飽和温度T1に達した時刻をt1とする。プリディスペンスの開始(時刻t0)から、飽和温度T1の薬液が第1薬液ノズル30から吐出されるようになるまで(時刻t1)の期間(以下、「到達期間」という)は、プリディスペンスの開始前の薬液供給ユニット7およびその周辺の部材の温度に依存する。プリディスペンスの開始前の薬液供給ユニット7およびその周辺の部材の温度と飽和温度T1との差が大きいほど、到達期間は長くなる。プリディスペンスの開始前の薬液供給ユニット7およびその周辺の部材の温度と飽和温度T1との差が小さいほど、到達期間は短くなる。
すなわち、図11に示す例では、1枚目の基板Wのプリディスペンスの期間を2枚目の基板Wのプリディスペンスの期間よりも長くし、2枚目の基板Wのプリディスペンスの期間を3枚目の基板Wのプリディスペンスの期間よりも長くしている。4枚目以降の基板Wのプリディスペンスの期間は、3枚目の基板のプリディスペンスの期間とほぼ同じである。
次に、プリディスペンス(S2)の別の例について図12を用いて詳細に説明する。図12は、図9に示す基板処理において第1薬液ノズル30から吐出される薬液の温度の時間的変化の別の例を示すグラフである。図12では、横軸を処理時間tとし、縦軸を吐出温度Tとしている。図12では、基板Wを連続処理する基板処理において1枚目〜3枚目に処理した基板Wのそれぞれについて、吐出温度Tの時間変化を示している。ここでは、第2薬液ノズル40の吐出温度の時間変化は、第1薬液ノズル30の吐出温度Tの時間変化とほぼ同様であるため、詳しい説明を省略する。
ここで、一般に、一端が閉塞した流路を有するノズルでは、流路の一端付近における処理液の圧力が、流路におけるその他の部分と比較して大きくなる。そのため、流路の先端付近に位置する吐出口から吐出される処理液の流量が、流路の基端付近に位置する吐出口から吐出される処理液の流量よりも多くなる傾向にある。
また第1実施形態によれば、第1流路70は、基板Wの上面と平行に延びる。そのため、第1吐出口30aと基板Wの上面と間の距離の、複数の第1吐出口30a間での差を低減することができる。したがって、処理液が第1吐出口30aから吐出されてから基板Wの上面に着液するまでに処理液が失う熱量の差を、複数の第1吐出口30a間で低減することができる。これにより、基板Wの上面の処理むらを低減することができる。
また、第2流路80が、第1流路70の一端部70aから折り返されており、かつ、第1流路70と平行に延びている。そのため、第1流路70の他端部70bの周辺を流れる薬液は、第2流路80において上流側の部分を流れる薬液によって保温される。つまり、第1流路70の他端部70bの周辺を流れる薬液は、第1流路70の一端部70aの周辺を流れる薬液と比較して、高温の薬液によって保温される。これにより、第1流路70内での薬液の温度差を低減することができる。
また第1実施形態によれば、複数の第1吐出口30aは、基板Wの上面において第1流路70の他端部70b付近に対向する領域に供給される処理液の流量の方が、基板Wの上面において第1流路70の一端部70a付近に対向する領域に供給される処理液の流量よりも大きくなるように設けられている。そのため、基板Wの上面の外周領域に供給される薬液の流量を、基板Wの上面の中心領域に供給される薬液の流量よりも一層増大させることができる。これにより、基板Wの上面の外周領域における処理液の温度の低下を抑制することができるので、基板Wの上面の外周領域におけるエッチングレートの低下を防止できる。
そのため、第2流路80から第1流路70へ供給された薬液は、液溜まり部71および吐出流路72を順に経由して第1吐出口30aから吐出される。第2流路80から第1流路70への薬液の供給を停止すると、第1流路70内の薬液は、液溜まり部71および吐出流路72内に残る。吐出流路72は、液溜まり部71から側方に延びているため、吐出流路72内の処理液は、液溜まり部71内の処理液の重量を受けにくい。吐出流路72内の薬液は、吐出流路72が液溜まり部71から下方に延びる構成と比較して、液溜まり部71内の薬液の重量を受けにくい。したがって、薬液の供給の停止時に、薬液が吐出流路72を介して第1吐出口30aから基板W上に落下するのを抑制することができる。
また第1実施形態によれば、吐出流路72の流路断面積が、液溜まり部71の流路断面積よりも小さい。そのため、吐出流路72内の薬液に作用する表面張力を増大させることができるので、薬液が吐出流路72内に留まりやすい。したがって、薬液の供給の停止時に基板W上に薬液の落下を抑制することができる。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。図13は、第2実施形態に係る第1薬液ノズル30の断面図である。図13は、長手方向Lに対して直交する平面に沿って、第1薬液ノズル30切断したときの断面図である。図13では、今まで説明した部材と同じ部材には同じ参照符号を付して、その説明を省略する。
次に、本発明の第3実施形態について説明する。図14は、第3実施形態に係る第1薬液ノズル30の下面図である。図14では、今まで説明した部材と同じ部材には同じ参照符号を付して、その説明を省略する。
第3実施形態に係る第1薬液ノズル30では、第1実施形態とは異なり、第1流路70の他端部70b付近の第1吐出口30aが、第1流路70の一端部70a付近の第1吐出口30aよりも大きい。他端部70b付近の第1吐出口30aの直径d2は、第1流路70の一端部70a付近の第1吐出口30aの直径d1よりも大きい。すなわち、第1実施形態と同様に、複数の第1吐出口30aは、基板Wの上面の外周領域に供給される薬液の流量の方が、基板Wの上面の中央領域に供給される薬液の流量よりも大きくなるように構成されている。
第3実施形態によれば、基板Wの上面の外周領域に供給される薬液の流量を、基板Wの上面の中心領域に供給される薬液の流量よりも一層増大させることができる。これにより、基板Wの上面の外周領域における処理液の温度の低下を抑制することができるので、基板Wの上面の外周領域におけるエッチングレートの低下を防止できる。
次に、本発明の第4実施形態について説明する。図15は、本発明の第4実施形態に係る薬液供給ユニット7およびその周辺の側面図である。図16は、図15のXVI−XVI線に沿った断面図である。図15および図16では、今まで説明した部材と同じ部材には同じ参照符号を付して、その説明を省略する。図15では、説明の便宜上、第2薬液ノズル40および第2薬液配管41の図示を省略している。
外管92は、旋回軸線A2側とは反対側の一端部93aおよび旋回軸線A2側の他端部93bを有する円筒管93と、円筒管93の一端部93aを塞ぐ壁部94とを含む。円筒管93の他端部93bには、第1薬液供給管35が連結されている。外管92は、移動ユニット8のホルダ26によって支持されている。
突出管96は、吐出流路72を区画しており、先端を下方に向けるようにクランクしている。各突出管96の先端には、基板Wの上面に向けて薬液を吐出する複数の第1吐出口90aが形成されている。
薬液供給ユニット7が処理位置に配置されているとき、複数の第1吐出口90aは、基板Wの上面に対向する。詳しくは、一端部70a付近の第1吐出口90aは、第1流路70内の薬液を基板Wの上面の中央領域に対向し、他端部70b付近の第1吐出口90aは、第1流路70内の薬液を基板Wの上面の外周領域に対向する。
第4実施形態によれば、上述したように、第1薬液ノズル90が、内管91および外管92から構成される二重管構造を有する。また、内管91によって第1流路70が区画され、内管91と外管92とによって第2流路80が区画される。そのため、第1流路70に一層近接した位置に第2流路80を位置させることができる。これにより、第1流路70内の薬液が第2流路80内の薬液によって一層効率良く保温される。また、折り返された配管を有する構成と比較して、薬液供給ユニット7の小型化図ることができる。
次に、本発明の第5実施形態について説明する。図17は、第5実施形態に係る第1薬液ノズル30の断面図である。図17では、今まで説明した部材と同じ部材には同じ参照符号を付して、その説明を省略する。
第5実施形態に係る薬液供給ユニット7は、第1薬液配管31を含んでおらず、薬液供給ユニット7の第1薬液ノズル30には、第1流路70に加えて第2流路80および折り返し流路85が形成されている。折り返し流路85は、実際には図17に示す断面には現れないため、二点鎖線で示している。そのため、第1流路70に一層近接した位置に第2流路80を位置させることができる。これにより、第1流路70内の薬液が第2流路80内の薬液によって一層効率良く保温される。また、折り返された配管を有する構成(たとえば、第1実施形態の構成)と比較して、薬液供給ユニット7の小型化を図ることができる。
たとえば、上述の各実施形態は、任意に組み合わせることが可能である。たとえば、第1実施形態〜第4実施形態の薬液供給ユニット7が断熱部材100を含んでいてもよい。
また、薬液供給ユニット7の構成は、薬液以外の処理液(たとえばリンス液)を供給するユニットにも適用することができる。
また、基板処理では、基板搬入(S1)よりも前に、プリディスペンス(S2)が開始されていてもよい。そうすることによって、基板Wを処理ユニット2に搬入してから、基板Wの上面に薬液が供給され始めるまでの時間を短縮することができる。
この明細書および添付図面からは、特許請求の範囲に記載した特徴以外にも、以下のような特徴が抽出され得る。これらの特徴は、課題を解決するための手段の項に記載した特徴と任意に組み合わせ可能である。
A1.基板を水平に保持する基板保持ユニットと、
処理液を吐出する処理液ノズルを有し、前記基板の上面に処理液を供給する処理液供給ユニットと、
前記処理液ノズルが前記基板の上面に対向する処理位置と、前記処理液ノズルが前記基板の上面に対向する位置から退避した退避位置との間で前記処理液供給ユニットを移動させる移動ユニットとをさらに含み、
前記処理液供給ユニットは、
前記処理液ノズルが延びる方向に配列された複数の吐出口と、
処理液を溜める液溜まり部、および、前記液溜まり部から側方に延び、各前記吐出口と前記液溜まり部とを連結する吐出流路を有する第1流路とをさらに有する、基板処理装置。
ここで、第1流路へ処理液が供給されていないときには、第1流路内の処理液は、液溜まり部および吐出流路内に残る。吐出流路は、液溜まり部から側方に延びているため、吐出流路72は、液溜まり部71から側方に延びているため、吐出流路内の処理液は、液溜まり部内の処理液の重量を受けにくい。吐出流路内の処理液は、吐出流路が液溜まり部から下方に延びる構成と比較して、液溜まり部内の処理液の重量を受けにくい。したがって、処理液の供給を停止した後に、処理液ノズルから基板上への処理液の意図しない落下を抑制することができる。
前記処理液供給ユニットが、前記第1流路の前記一端部から折り返して延び、前記第1流路の前記一端部に処理液を供給する第2流路をさらに含む、A1に記載の基板処理装置。
7 :薬液供給ユニット(処理液供給ユニット)
8 :移動ユニット
11 :吸引ユニット
20 :チャックピン(基板保持ユニット)
21 :スピンベース(基板保持ユニット)
25 :旋回軸
30 :第1薬液ノズル(処理液ノズル)
30a :第1吐出口(吐出口)
31 :第1薬液配管(流路形成配管)
60 :吸引装置
65a :吸引流路
70 :第1流路
70a :一端部
70b :他端部
71 :液溜まり部
71a :底部
72 :吐出流路
72a :鉛直流路
72b :傾斜流路
80 :第2流路
80a :第1流路の一端部の近傍
90 :第1薬液ノズル(処理液ノズル)
90a :第1吐出口(吐出口)
91 :内管
92 :外管
100 :断熱部材
A2 :旋回軸線
L :長手方向
W :基板
Claims (16)
- 基板を水平に保持する基板保持ユニットと、
処理液を吐出する処理液ノズルを有し、前記基板の上面に処理液を供給する処理液供給ユニットと、
前記処理液ノズルが前記基板の上面に対向する処理位置と、前記処理液ノズルが前記基板の上面に対向する位置から退避した退避位置との間で前記処理液供給ユニットを移動させる移動ユニットとを備え、
前記処理液供給ユニットは、
前記処理液ノズルに形成され、前記処理液供給ユニットが前記処理位置に位置する状態で、一端部が前記基板の中央領域に対向し、かつ、他端部が前記基板の外周領域に対向する第1流路と、
前記第1流路の前記一端部から折り返して延び、前記第1流路の前記一端部に処理液を供給する第2流路と、
前記処理液ノズルに形成され、前記第1流路が延びる方向に沿って配列され、前記第1流路内の処理液を前記基板の上面へ向けて吐出する複数の吐出口とをさらに有し、
前記第1流路内の処理液を吸引する吸引ユニットをさらに備え、
前記吸引ユニットは、前記第1流路の前記一端部の近傍に連結された吸引流路と、前記吸引流路を介して前記第1流路の内部を吸引する吸引装置とを含む、基板処理装置。 - 前記第1流路は、前記基板の上面と平行に延びる、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記第2流路が前記第1流路と平行に延びる、請求項1または2に記載の基板処理装置。
- 前記処理液供給ユニットが、前記第2流路が形成された流路形成配管をさらに含み、
前記流路形成配管は、前記処理液ノズルと固定されている、請求項3に記載の基板処理装置。 - 前記第2流路が、前記処理液ノズルに形成されている、請求項3に記載の基板処理装置。
- 前記処理液ノズルが、内管および外管から構成される二重管構造を有し、
前記内管によって前記第1流路が区画され、前記内管と前記外管とによって前記第2流路が区画される、請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記移動ユニットが、鉛直方向に沿う旋回軸線まわりに前記処理液供給ユニットを旋回させる旋回ユニットを含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 複数の前記吐出口は、前記基板の上面において前記第1流路の前記他端部付近に対向する領域に供給される処理液の流量の方が、前記基板の上面において前記第1流路の前記一端部付近に対向する領域に供給される処理液の流量よりも大きくなるように設けられている、請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記第1流路は、前記第2流路から供給された処理液を溜める液溜まり部と、前記液溜まり部から側方に延び、各前記吐出口と前記液溜まり部とを連結する吐出流路とを含む、請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記吐出流路が、前記吐出口から上方に延びる鉛直流路と、前記鉛直流路と前記液溜まり部とを連結し、前記液溜まり部から前記鉛直流路に向かうにしたがって上方に向かうように水平方向に対して傾斜する傾斜流路とを含む、請求項9に記載の基板処理装置。
- 前記吐出口が、前記液溜まり部の底部よりも上方に位置する、請求項9または10に記載の基板処理装置。
- 前記吐出流路の流路断面積が、前記液溜まり部の流路断面積よりも小さい、請求項9〜11のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記処理液供給ユニットが、前記処理液ノズルを取り囲み、前記処理液ノズルの周囲の雰囲気から前記処理液ノズルを断熱する断熱部材を含む、請求項1〜12のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 基板を水平に保持する基板保持ユニットと、
処理液を吐出する処理液ノズルを有し、前記基板の上面に処理液を供給する処理液供給ユニットと、
前記処理液ノズルが前記基板の上面に対向する処理位置と、前記処理液ノズルが前記基板の上面に対向する位置から退避した退避位置との間で前記処理液供給ユニットを移動させる移動ユニットとを備え、
前記処理液供給ユニットは、
前記処理液ノズルに形成され、前記処理液供給ユニットが前記処理位置に位置する状態で、一端部が前記基板の中央領域に対向し、かつ、他端部が前記基板の外周領域に対向する第1流路と、
前記第1流路の前記一端部から折り返して延び、前記第1流路の前記一端部に処理液を供給する第2流路と、
前記処理液ノズルに形成され、前記第1流路が延びる方向に沿って配列され、前記第1流路内の処理液を前記基板の上面へ向けて吐出する複数の吐出口とをさらに有し、
前記第1流路は、前記第2流路から供給された処理液を溜める液溜まり部と、前記液溜まり部から側方に延び、各前記吐出口と前記液溜まり部とを連結する吐出流路とを含み、
前記吐出流路が、前記吐出口から上方に延びる鉛直流路と、前記鉛直流路と前記液溜まり部とを連結し、前記液溜まり部から前記鉛直流路に向かうにしたがって上方に向かうように水平方向に対して傾斜する傾斜流路とを含む、基板処理装置。 - 前記吐出口が、前記液溜まり部の底部よりも上方に位置する、請求項14に記載の基板処理装置。
- 前記吐出流路の流路断面積が、前記液溜まり部の流路断面積よりも小さい、請求項14または15に記載の基板処理装置。
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