TWI764683B - 基板處理裝置 - Google Patents

基板處理裝置

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TWI764683B
TWI764683B TW110114554A TW110114554A TWI764683B TW I764683 B TWI764683 B TW I764683B TW 110114554 A TW110114554 A TW 110114554A TW 110114554 A TW110114554 A TW 110114554A TW I764683 B TWI764683 B TW I764683B
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山田邦夫
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日商斯庫林集團股份有限公司
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Abstract

本發明之基板處理裝置具備：基板保持單元，其水平地保持基板；處理液供給單元，其具有噴出處理液之處理液噴嘴，對前述基板之上表面供給處理液；及移動單元，其使前述處理液供給單元在前述處理液噴嘴與前述基板之上表面對向之處理位置、與前述處理液噴嘴自與前述基板之上表面對向之位置退避之退避位置之間移動；且前述處理液供給單元更具有：第1流路，其形成於前述處理液噴嘴，在前述處理液供給單元位於前述處理位置之狀態下，一端部與前述基板之中央區域對向，且另一端部與前述基板之外周區域對向；第2流路，其自前述第1流路之前述一端部折回且延伸，對前述第1流路之前述一端部供給處理液；及複數個噴出口，其等形成於前述處理液噴嘴，沿前述第1流路延伸之方向排列，朝向前述基板之上表面噴出前述第1流路內之處理液。

Description

基板處理裝置
本發明係關於一種處理基板之基板處理裝置。在成為處理對象之基板中包含例如：半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、有機EL(Electroluminescence，電致發光)顯示裝置等之FPD(Flat Panel Display，平板顯示器))用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、及太陽能電池用基板等之基板。
在日本特開2015-115492號公報中揭示有一種能夠執行以藥液處理基板之上表面之基板處理的基板處理裝置。該基板處理裝置具有形成有複數個噴出藥液之噴出口之藥液噴出頭。藥液噴出頭被安裝於臂，臂與支持軸結合。藉由支持軸由擺動驅動機構繞鉛直軸線轉動，而藥液噴出頭在基板之旋轉中心之正上方之位置(日本特開2015-115492號公報之圖7所示之第1位置)與基板之周緣之一部分之正上方之位置(日本特開2015-115492號公報之圖8所示之第2位置)之間移動。藥液自臂之內部被供給至藥液噴出頭。
如日本特開2015-115492號公報之圖2所示之藥液噴出頭般，於在流路延伸之方向排列有複數個噴出口之噴嘴中，有自位於流路之前端附近(離開臂之位置)之噴出口噴出之液體之流量多於自位於流路之基端附近(靠近臂之位置)之噴出口噴出之液體之流量之傾向。
此處，與基板之周緣區域對向之噴出口在基板之旋轉方向相對於基板之上表面每單位時間相對移動之距離大於與基板之中央區域對向之噴出口在基板之旋轉方向相對於基板之上表面每單位時間相對移動之距離。因而，若使供給至基板之周緣區域之藥液之流量不多於供給至基板之中央區域之藥液之流量，則基板之中央區域處理較基板之周緣區域程度更深。其結果為，有基板之上表面無法被均一地處理之虞。
在如日本特開2015-115492號公報之圖7所示般使藥液噴出頭之中心位於基板之旋轉中心之正上方並自藥液噴出頭朝向基板之上表面噴出藥液之情形下，無法使供給至基板之周緣區域之藥液之流量多於供給至基板之中央區域之藥液之流量。因而，當使用日本特開2015-115492號公報之藥液噴出頭時，有無法均一地處理基板之上表面之虞。
又，在未設置有加熱藥液噴出頭之構成之一般的藥液噴出頭中，由於臂與藥液噴出頭之溫度與周圍之空間為相同程度之溫度(常溫程度)，故藥液在臂內與藥液噴出頭內被冷卻。因而，即便朝向藥液噴出頭供給充分地加熱之藥液，仍有自噴出口噴出前藥液之溫度降低之虞。
因而，本發明之一個目的在於提供一種能夠以所期望之高溫之處理液處理基板之上表面且能夠減少基板之上表面之處理不均之基板處理裝置。
本發明之一個實施形態提供一種基板處理裝置，該基板處理裝置具備：基板保持單元，其水平地保持基板；處理液供給單元，其具有噴出處理液之處理液噴嘴，對前述基板之上表面供給處理液；移動單元，其使前述處理液供給單元在前述處理液噴嘴與前述基板之上表面對向之處理位置、與前述處理液噴嘴自與前述基板之上表面對向之位置退避之退避位置之間移動。而且，前述處理液供給單元更具有：第1流路，其形成於前述處理液噴嘴，在前述處理液供給單元位於前述處理位置之狀態下，一端部與前述基板之中央區域對向，且另一端部與前述基板之外周區域對向；第2流路，其自前述第1流路之前述一端部折回且延伸，對前述第1流路之前述一端部供給處理液；及複數個噴出口，其等形成於前述處理液噴嘴，沿前述第1流路延伸之方向排列，朝向前述基板之上表面噴出前述第1流路內之處理液。
根據該構成，自第2流路朝第1流路之一端部供給處理液。又，在第1流路延伸之方向排列有複數個噴出口。因而，在處理液噴嘴中，自位於第1流路之前端附近(另一端部附近)之噴出口噴出之處理液之流量大於自位於第1流路之基端附近(一端部附近)之噴出口噴出之處理液之流量。因而，在處理液噴嘴中，第1流路之另一端部側之噴出口之流量大於第1流路之一端部側之噴出口之流量。另一方面，在處理液供給單元位於處理位置之狀態下，第1流路之一端部與基板之中央區域對向，第1流路之另一端部與基板之外周區域對向。因而，能夠使被供給至基板之上表面之外周區域之處理液之流量較被供給至基板之上表面之中央區域之處理液之流量增大。因而，能夠減少基板之上表面之處理不均。
再者，對第1流路之一端部供給處理液之第2流路由於自第1流路之一端部折回且延伸，故能夠配置於將第1流路與第2流路彼此接近之位置。再者，由於處理液供給單元其整體由移動單元移動，故在處理液供給單元之移動中仍可維持第1流路與第2流路彼此接近之狀態。因而，能夠利用第2流路內之處理液對第1流路內之處理液保溫。因而，能夠抑制朝向噴出口之處理液之溫度之降低。其結果為，由於能夠將自噴出口噴出且噴附於基板之上表面之處理液之溫度維持為高溫，故能夠以所期望之高溫之處理液處理基板之上表面。
如以上般，能夠以所期望之高溫之處理液處理基板之上表面，且能夠減少基板之上表面之處理不均。
在本發明之一個實施形態中，前述第1流路與前述基板之上表面平行地延伸。因而，能夠減小在複數個噴出口間的噴出口與基板之上表面間之距離之差。因而，能夠減小在複數個噴出口間從處理液自噴出口噴出後至噴附於基板上表面為止處理液損失之熱量之差。藉此，能夠減小基板之上表面之處理不均。
在本發明之一個實施形態中，前述第2流路與前述第1流路平行地延伸。因而，能夠在第1流路延伸之方向之全域中使第1流路與第2流路接近。藉此，第1流路內之處理液由第2流路內之處理液有效地保溫。再者，藉由第1流路與第2流路平行地延伸，而第1流路內之處理液在其延伸方向之全域中被均勻地保溫。換言之，能夠防止產生第1流路內之處理液局部地未被保溫之狀況。因而，能夠減小在複數個噴出口間的從噴出口噴出之處理液之溫度差。因而，亦能夠減小基板之上表面之處理不均。
在本發明之一個實施形態中，前述處理液供給單元更包含形成有前述第2流路之流路形成配管。前述流路形成配管係與前述處理液噴嘴固定。亦即，形成有第2流路之流路形成配管兼作為支持處理液噴嘴之構件。因而，能夠追求處理液供給單元之小型化。
在本發明之一個實施形態中，前述第2流路形成於前述處理液噴嘴。因而，能夠使第2流路位於進一步接近第1流路之位置。藉此，第1流路內之處理液由第2流路內之處理液進一步有效地保溫。
在本發明之一個實施形態中，前述處理液噴嘴具有包含內管及外管之雙重管構造。又，由前述內管區劃前述第1流路，且由前述內管與前述外管區劃前述第2流路。因而，能夠使第2流路位於進一步接近第1流路之位置。藉此，第1流路內之處理液由第2流路內之處理液進一步有效地保溫。
在本發明之一個實施形態中，前述移動單元包含使前述處理液供給單元繞沿鉛直方向之迴旋軸線迴旋之迴旋單元。因而，能夠利用繞迴旋軸線之迴旋之簡單之動作使處理液供給單元在處理位置與退避位置之間移動。
在本發明之一個實施形態中，複數個前述噴出口設置為，對在前述基板之上表面與前述第1流路之前述另一端部附近對向之區域供給之處理液之流量，大於對在前述基板之上表面與前述第1流路之前述一端部附近對向之區域供給之處理液之流量。此處，如前述般，在處理液供給單元位於處理位置之狀態下，第1流路之一端部與基板之中央區域對向，第1流路之另一端部與基板之外周區域對向。因而，能夠使被供給至基板之上表面之外周區域之處理液之流量較被供給至基板之上表面之中央區域之處理液之流量進一步增大。藉此，由於能夠抑制基板之上表面之外周區域之處理液之溫度之降低，故能夠防止基板之上表面之外周區域之蝕刻速率之降低。
在本發明之一個實施形態中，前述基板處理裝置更具備吸引前述第1流路內之處理液之吸引單元。
此處，當停止處理液自第2流路朝第1流路之供給時，有處理液殘留於形成有複數個噴出口之第1流路內之情形。當在處理液殘留於第1流路內之狀態下移動單元使處理液供給單元移動時，有殘留於第1流路內之處理液成為液滴並滴落至基板之上表面之情形。有因此種非意圖之處理液之滴落，而在基板之上表面產生微粒之虞。因而，藉由使吸引單元吸引第1流路內之處理液，而能夠防止當處理液之供給停止時處理液殘留於第1流路內。因而，能夠抑制處理液之供給停止時之處理液朝基板上之滴落。
在本發明之一個實施形態中，前述吸引單元包含：吸引流路，其連結於前述第1流路之前述一端部之附近；及吸引裝置，其經由前述吸引流路吸引前述第1流路之內部。因而，吸引裝置能夠有效地吸引第1流路內之處理液。另一方面，能夠防止過度地吸引第2流路之處理液。因而，能夠抑制過度地吸引處理液而浪費處理液，且能夠有效地去除第1流路內之處理液。
在本發明之一個實施形態中，前述第1流路包含：液體積存部，其積存自前述第2流路供給之處理液；及噴出流路，其自前述液體積存部朝側方延伸，且連結各前述噴出口與前述液體積存部。
根據該構成，當停止處理液自第2流路朝第1流路之供給時，有處理液殘留於液體積存部與噴出流路之情形。由於噴出流路自液體積存部朝側方延伸，故噴出流路內之處理液不易接受液體積存部內之處理液之重量。因而，能夠抑制當處理液之供給之停止時，處理液經由噴出流路自噴出口滴落至基板上。
在本發明之一個實施形態中，前述噴出流路包含：鉛直流路，其自前述噴出口朝上方延伸；傾斜流路，其連結前述鉛直流路與前述液體積存部，且以自前述液體積存部越往前述鉛直流路則越朝上方之方式相對於水平方向傾斜。因而，即便在處理液殘留於噴出流路內之情形下，該處理液仍容易地經由傾斜流路返回液體積存部。因而，能夠進一步減輕噴出流路內之處理液接受之重量。
在本發明之一個實施形態中，前述噴出口位於較前述液體積存部之底部更為上方。因而，與噴出口位於液體積存部之下方之構成比較，能夠縮短噴出流路。因而，能夠進一步減輕噴出流路內之處理液接受之重量。
在本發明之一個實施形態中，前述噴出流路之流路剖面積小於前述液體積存部之流路剖面積。因而，由於能夠增大作用於噴出流路內之處理液之表面張力，故處理液易於殘留於噴出流路內。因而，能夠抑制處理液之供給之停止時之處理液朝基板上之滴落。
在本發明之一個實施形態中，前述處理液供給單元包含包圍前述處理液噴嘴且將前述處理液噴嘴與前述處理液噴嘴之周圍之氣體環境絕熱之絕熱構件。因而，能夠進一步對第1流路內之處理液保溫。
本發明之上述之或另外其他之目的、特徵及效果藉由參照附圖以下所述之實施形態之說明而為顯而易知。
＜第1實施形態＞
圖1係用於說明本發明之第1實施形態之基板處理裝置1之內部之配置的圖解性平面圖。
基板處理裝置1係一次處理一個矽晶圓等之基板W之單片式裝置。在本實施形態中，基板W係圓板狀之基板。基板處理裝置1包含：複數個處理單元2，其等以藥液或沖洗液等之處理液處理基板W；載入埠LP，其載置有收容由處理單元2處理之複數個基板W之載架C；搬送機器人IR及CR，其在載入埠LP與處理單元2之間搬送基板W；及控制器3，其控制基板處理裝置1。搬送機器人IR在載架C與搬送機器人CR之間搬送基板W。搬送機器人CR在搬送機器人IR與處理單元2之間搬送基板W。複數個處理單元2例如具有相同之構成。
圖2係用於說明處理單元2之構成例之示意圖。
處理單元2包含：旋轉卡盤5、筒狀之杯6、藥液供給單元7、移動單元8、沖洗液供給單元9、及待機罐槽10。旋轉卡盤5一面以水平之姿勢保持一個基板W一面使基板W繞通過基板W之中央部之鉛直之旋轉軸線A1旋轉。杯6包圍旋轉卡盤5。藥液供給單元7對基板W之上表面(表面)供給藥液。移動單元8使藥液供給單元7至少在水平方向移動。沖洗液供給單元9對基板W之上表面供給去離子水(Deionized Water：DIW)等之沖洗液。待機罐槽10在俯視下配置於杯6之周圍。
處理單元2更包含收容杯6之腔室14(參照圖1)。在腔室14中形成有用於將基板W搬入腔室14內或自腔室14內搬出基板W之出入口(未圖示)。在腔室14具備開閉該出入口之擋門單元(未圖示)。
旋轉卡盤5包含：卡盤銷20、旋轉基座21、與旋轉基座21之下表面中央結合之旋轉軸22、及對旋轉軸22賦予旋轉力之電動馬達23。旋轉軸22沿旋轉軸線A1在鉛直方向延伸。在旋轉軸22之上端結合有旋轉基座21。
旋轉基座21具有沿水平方向之圓板形狀。在旋轉基座21之上表面之周緣部於周向上隔以間隔地配置有複數個卡盤銷20。旋轉基座21及卡盤銷20包含於水平地保持基板W之基板保持單元。基板保持單元亦稱為基板保持器。
藉由由電動馬達23使旋轉軸22旋轉，而基板W繞旋轉軸線A1旋轉。電動馬達23包含於使基板W繞旋轉軸線A1旋轉之基板旋轉單元。
藥液供給單元7包含：噴出藥液之第1藥液噴嘴30、支持第1藥液噴嘴30之第1藥液配管31、噴出藥液之第2藥液噴嘴40、及支持第2藥液噴嘴40之第2藥液配管41。第1藥液噴嘴30具有朝向基板W之上表面噴出藥液之複數個第1噴出口30a。第2藥液噴嘴40具有朝向基板W之上表面噴出藥液之第2噴出口40a。藥液供給單元7係對基板W之上表面供給處理液之處理液供給單元之一例。第1藥液噴嘴30係處理液供給單元所具備之處理液噴嘴之一例。
藥液例如係蝕刻液之一例之磷酸。藥液可為磷酸以外之液體。具體而言，藥液例如可為包含硫酸、醋酸、硝酸、鹽酸、氟酸、磷酸、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸、草酸等)、有機堿(例如，TMAH：氫氧化四甲銨等)、表面活性劑、及防腐劑之至少一者之液體。
在第1藥液噴嘴30經由第1藥液配管31連接有第1藥液供給管35。在第1藥液供給管35介裝有第1電動閥32、第1流量計33及第1溫度感測器34。自藥液供給源對第1藥液供給管35供給磷酸等之藥液。第1電動閥32進行有無藥液朝第1藥液噴嘴30之供給之切換、及被供給至第1藥液噴嘴30之藥液之流量之變更。第1流量計33檢測在第1藥液供給管35流動之藥液之流量。第1溫度感測器34檢測第1藥液供給管35內之藥液之溫度。
在第2藥液噴嘴40經由第2藥液配管41連接有第2藥液供給管45。在第2藥液供給管45介裝有第2電動閥42、第2流量計43及第2溫度感測器44。自藥液供給源對第2藥液供給管45供給磷酸等之藥液。第2電動閥42進行有無藥液朝第2藥液噴嘴40之供給之切換、及被供給至第2藥液噴嘴40之藥液之流量之變更。第2流量計43檢測在第2藥液供給管45流動之藥液之流量。第2溫度感測器44檢測第2藥液供給管45內之藥液之溫度。
藥液供給單元7利用移動單元8在處理位置與退避位置之間移動。當藥液供給單元7位於處理位置時，第1藥液噴嘴30與基板W對向。當藥液供給單元7位於退避位置時，第1藥液噴嘴30自與基板W對向之位置退避。在藥液供給單元7位於處理位置之狀態下，與第1藥液噴嘴30相同地第2藥液噴嘴40亦與基板W對向。在藥液供給單元7位於退避位置之狀態下，第2藥液噴嘴40自與基板W對向之位置退避。
移動單元8包含：在鉛直方向延伸之迴旋軸25、連結於迴旋軸25之保持具26、及對迴旋軸25賦予繞迴旋軸線A2之驅動力之迴旋單元27。保持具26包含：在與迴旋軸線A2正交之方向延伸之臂26a、及支持第1藥液配管31及第2藥液配管41之支持部26b。藉由迴旋單元27使迴旋軸25迴旋，而保持具26、第1藥液配管31及第2藥液配管41繞迴旋軸線A2迴旋。藉此，第1藥液噴嘴30及第2藥液噴嘴40繞迴旋軸線A2迴旋。迴旋單元27例如係電動馬達。
移動單元8可包含：使迴旋軸25升降之滾珠螺桿(未圖示)、及對該滾珠螺桿賦予驅動力之電動馬達(未圖示)。藉由移動單元8使迴旋軸25升降，而保持具26、第1藥液配管31及第2藥液配管41升降。藉此，第1藥液噴嘴30及第2藥液噴嘴40升降。
沖洗液供給單元9包含對基板W之上表面供給沖洗液之沖洗液噴嘴50。在沖洗液噴嘴50連接有沖洗液配管51。在沖洗液配管51介裝有沖洗液閥52。自沖洗液供給源將DIW等之沖洗液供給至沖洗液配管51。沖洗液閥52開閉沖洗液之流路。沖洗液噴嘴50係固定噴嘴。與本實施形態不同地，沖洗液噴嘴50可為可在水平方向及鉛直方向移動之移動噴嘴。
所謂沖洗液並不限定於DIW，可為碳酸水、電解離子水、臭氧水、稀釋濃度(例如10 ppm～100 ppm左右)之鹽酸水、包含氨等之鹼性離子水、及還原水(含氫水)。
待機罐槽10係用於接收從自基板W之上表面退避之第1藥液噴嘴30及第2藥液噴嘴40噴出之藥液之罐槽。待機罐槽10具有有底筒狀之形態。在藥液供給單元7位於退避位置之狀態下，第1藥液噴嘴30及第2藥液噴嘴40位於待機罐槽10之上方。在待機罐槽10之底部連接有用於排出待機罐槽10內之藥液之排液管55。在排液管55介裝有開閉排液管55內之藥液之流路之排液閥56。
其次，使用圖3至圖6，針對藥液供給單元7之構成詳細地說明。
圖3係藥液供給單元7及其周邊之側視圖。圖4係藥液供給單元7之平面圖。圖5係沿圖4之V-V線之剖視圖。圖6係第1藥液噴嘴30及其周邊之仰視圖。
參照圖3，第2藥液配管41包含水平部41a及垂下部41b。水平部41a在離開迴旋軸線A2之方向水平地延伸。垂下部41b連結於水平部41a。垂下部41b以越離開迴旋軸線A2則越朝下方之方式相對於水平方向傾斜地延伸。第2藥液噴嘴40連結於垂下部41b。第2藥液噴嘴40以越離開迴旋軸線A2則越朝下方之方式相對於水平方向傾斜地延伸。第2藥液噴嘴40在其前端具有形成有第2噴出口40a之噴出部40b。
第1藥液噴嘴30水平地延伸。第1藥液噴嘴30具有：與迴旋軸線A2側為相反側之一端部30b、及迴旋軸線A2側之另一端部30c。第1藥液配管31自第1藥液噴嘴30之一端部30b折回且水平地延伸。第1藥液配管31包含上水平部31a、垂下部31b、及下水平部31c。上水平部31a在離開迴旋軸線A2之方向水平地延伸。垂下部31b自上水平部31a朝下方延伸。下水平部31c自垂下部31b之下端朝靠近迴旋軸線A2之方向水平地延伸。上水平部31a及下水平部31c與第1藥液噴嘴30平行地延伸。垂下部31b在鉛直方向延伸。下水平部31c連結於第1藥液噴嘴30之一端部30b。
第1藥液噴嘴30經由自第1藥液配管31之上水平部31a朝下方延伸之托架28而固定於第1藥液配管31。
參照圖4，處理單元2更包含吸引第1藥液噴嘴30內之藥液之吸引單元11。吸引單元11包含吸引配管65及吸引裝置60。吸引配管65分支連接於第1藥液配管31。吸引裝置60經由形成於吸引配管65內之吸引流路65a而吸引設置於第1藥液噴嘴30之第1流路70之內部。吸引裝置60為真空泵等。在吸引配管65介裝有開閉吸引流路65a之吸引閥66。吸引配管65連結於第1藥液配管31之上水平部31a與垂下部31b之連結部分31d。吸引配管65與第1藥液配管31及第2藥液配管41一起由保持具26之支持部26b支持。
參照圖5，在第1藥液噴嘴30內形成有在水平方向延伸之第1流路70。第1流路70延伸之方向係與第1藥液噴嘴30延伸之方向相同之方向。第1流路70與基板W之上表面平行地延伸。將第1流路70延伸之方向稱為長度方向L。第1流路70具有：與迴旋軸線A2側為相反側之一端部70a、及迴旋軸線A2側之另一端部70b。
在第1藥液配管31內形成有自第1流路70之一端部70a折回且延伸之第2流路80。詳細而言，在第1藥液配管31之上水平部31a形成有第2流路80，在第1藥液配管31之垂下部31b及下水平部31c形成有連結第1流路70之一端部70a及第2流路80之折回流路85。第1藥液配管31係形成有第2流路80之流路形成配管之一例。在第1流路70中，處理液自一端部70a側朝向另一端部70b側流動。在處理液流動之方向中，一端部70a係較另一端部70b更靠上游側。
第2流路80水平地延伸。第2流路80與第1流路70平行地延伸，且經由折回流路85連結於第1流路70。因而，第2流路80在俯視下與第1流路70重合。吸引流路65a連接於第2流路80與折回流路85交叉之部分(第1流路70之一端部70a之附近80a)。
第1藥液噴嘴30在藥液供給單元7位於處理位置之狀態(圖3及圖4所示之狀態)下與基板W之上表面對向。詳細而言，參照圖3，第1藥液噴嘴30之一端部30b與基板W之上表面之中央區域對向，第1藥液噴嘴30之另一端部30c與基板W之上表面之外周區域對向。因而，在藥液供給單元7位於處理位置之狀態下，第1流路70配置於基板W之上方。又，第1流路70之一端部70a與基板W之上表面之中央區域對向，第1流路70之另一端部70b與基板W之上表面之外周區域對向。
所謂基板W之上表面之中央區域係指包含基板W之上表面之旋轉中心之區域。所謂基板W之上表面之旋轉中心係指在基板W之上表面與旋轉軸線A1交叉之位置。所謂基板W之上表面之外周區域係指基板W之上表面之周緣附近之區域。
如圖6所示，複數個第1噴出口30a形成於第1藥液噴嘴30之下表面30d。複數個第1噴出口30a係沿長度方向L排列。詳細而言，複數個第1噴出口30a彼此隔以等間隔。當藥液供給單元7被配置於處理位置時，一端部70a附近之第1噴出口30a朝向基板W之上表面之中央區域噴出第1流路70內之藥液，另一端部70b附近之第1噴出口30a朝向基板W之上表面之外周區域噴出第1流路70內之藥液。
第1流路70之另一端部70b附近之第1噴出口30a彼此間之距離(第2節距P2)小於第1流路70之一端部70a附近之第1噴出口30a彼此間之距離(第1節距P1)。亦即，複數個第1噴出口30a構成為對在基板W之上表面中與第1流路70之另一端部70b附近對向之區域(基板W之上表面之外周區域)供給之藥液之流量大於對在基板W之上表面中與第1流路70之一端部70a附近對向之區域(基板W之上表面之中央區域)供給之藥液之流量。此外，節距P1、P2係相鄰之第1噴出口30a彼此之中心間距離。在本實施形態中，第1噴出口30a總計設置有12處。僅自最另一端部70b側數起至第4個為止之第1噴出口30a之總計4個第1噴出口30a之間之節距P2小於其他第1噴出口30a之間之節距P1。
與該實施形態不同地，可在第1流路70之一端部70a附近僅設置一個第1噴出口30a。又，在第1流路70之另一端部70b附近可僅設置一個第1噴出口30a。
其次，使用圖7針對第1流路70之構成詳細地說明。圖7係沿圖5之VII-VII線之剖視圖。
參照圖7，第1流路70包含：液體積存部71，其積存自第2流路80供給之藥液；及複數條噴出流路72，其等連結複數個第1噴出口30a及液體積存部71。液體積存部71在複數個第1噴出口30a之側方具有在第1流路70之長度方向L延伸之圓筒狀之形態。各噴出流路72自液體積存部71朝側方延伸。噴出流路72係就各第1噴出口30a各連接有1條。
各噴出流路72包含：圓筒狀之鉛直流路72a，其自對應之第1噴出口30a朝上方延伸；及傾斜流路72b，其連結對應之鉛直流路72a及液體積存部71。傾斜流路72b以自液體積存部71越往對應之鉛直流路72a則越朝上方之方式相對於水平方向傾斜。傾斜流路72b係圓筒狀。鉛直流路72a之直徑D1及傾斜流路72b之直徑D2小於液體積存部71之直徑D3。因而，噴出流路72之流路剖面積小於液體積存部71之流路剖面積。
第1藥液噴嘴30之下表面30d包含：位於液體積存部71之下方之第1面30e、及經由階差30g連結於第1面30e之第2面30f。第2面30f位於較液體積存部71之底部71a(下端)更靠上方。第2面30f係平坦面。第1噴出口30a形成於第2面30f。因而，第1噴出口30a位於較液體積存部71之底部71a(下端)更靠上方。
在第1藥液噴嘴30插通有在長度方向L延伸之補強構件36。補強構件36例如係由不銹鋼材形成之中空之棒。
圖8係用於說明基板處理裝置1之主要部分之電性構成之方塊圖。控制器3具備微電腦，根據特定之程式控制基板處理裝置1所具備之控制對象。更具體而言，控制器3構成為包含處理器(CPU)3A、及儲存程式之記憶體3B，且藉由處理器3A執行程式而執行用於基板處理之各種控制。尤其是，控制器3控制搬送機器人IR、CR、電動馬達23、移動單元8、吸引裝置60、及閥類32、42、52、56、66等之動作。
圖9係用於說明基板處理裝置1之基板處理之一例之流程圖。在圖9中顯示藉由控制器3執行程式而被執行之基板處理。在該基板處理中，基板W係一個接一個地被連續處理。在各基板W之基板處理中，例如，如圖9所示，基板搬入(S1)、預分配(S2)、藥液處理(S3)、沖洗處理(S4)、乾燥處理(S5)及基板搬出(S6)係按照上述順序執行。
在基板處理中，首先，利用搬送機器人IR、CR將未處理之基板WR自載架C搬入至處理單元2，並交接至旋轉卡盤5(S1)。之後，基板W在直至由搬送機器人CR搬出為止之期間係由卡盤銷20自旋轉基座21之上表面朝上方隔以間隔地保持為水平(基板保持步驟)。
在搬入基板W後，在以藥液處理基板W之上表面前開始自第1藥液噴嘴30及第2藥液噴嘴40噴出藥液之預分配(S2)。在以處理單元2對基板W一個接一個地連續處理之基板處理中，藉由執行預分配(S2)，而能夠減小在藥液處理(S3)中被供給至基板W之藥液之溫度的在由同一處理單元2處理之基板W間之差。因而，能夠減小在基板W間之品質之差。相對於第2藥液噴嘴40之第2噴出口40a僅設置有1個，而第1藥液噴嘴30之第1噴出口30a設置有複數個。因而，通常，自第2藥液噴嘴40噴出(在第2藥液噴嘴40流動)之處理液之流量小於自第1藥液噴嘴30噴出(在第1藥液噴嘴30流動)之處理液之流量。因而，在第2藥液噴嘴40內流動之處理液之溫度與在第1藥液噴嘴30內流動之處理液之溫度相比更容易因周圍之環境而變化。因而，預分配(S2)之溫度控制在第2藥液噴嘴40中較在第1藥液噴嘴30中更重要。
圖10A及圖10B係用於說明基板處理之預分配(圖9之S2)之圖解性側視圖。圖10C係用於說明基板處理之藥液處理(圖9之S3)之圖解性側視圖。
在預分配(S2)中，如圖10A所示，移動單元8將藥液供給單元7配置於退避位置。而後，打開第1電動閥32及第2電動閥42。藉此，自第1藥液噴嘴30之複數個第1噴出口30a及第2藥液噴嘴40之第2噴出口40a噴出藥液。自第1噴出口30a及第2噴出口40a噴出之藥液係由待機罐槽10接收。藉由打開排液閥56，而待機罐槽10內之藥液自待機罐槽10排除。
在自第1藥液噴嘴30之複數個第1噴出口30a及第2藥液噴嘴40之第2噴出口40a以特定時間噴出藥液後，關閉第1電動閥32及第2電動閥42。藉此，如圖10B所示，停止藥液自第1藥液噴嘴30之複數個第1噴出口30a及第2藥液噴嘴40之第2噴出口40a之噴出。
而後，在一定時間之預分配(S2)後，開始藥液處理(S3)。具體而言，如圖10C所示，電動馬達23使旋轉基座21旋轉。藉此，由卡盤銷20保持為水平之基板W旋轉(基板旋轉步驟)。而後，移動單元8使藥液供給單元7移動至處理位置。之後，打開第1電動閥32及第2電動閥42。藉此，自第1藥液噴嘴30之複數個第1噴出口30a及第2藥液噴嘴40之第2噴出口40a噴出藥液。自第1噴出口30a及第2噴出口40a噴出之藥液噴附於基板W之上表面。所供給之藥液因離心力而遍及基板W之上表面之整體。藉此，利用藥液處理基板W之上表面。
其次，在一定時間之藥液處理(S3)後，藉由將基板W上之藥液置換為DIW等之沖洗液，而執行用於自基板W上排除藥液之沖洗處理(S4)。
具體而言，關閉第1電動閥32及第2電動閥42，並打開沖洗液閥52。藉此，自沖洗液噴嘴50朝向基板W之上表面供給(噴出)沖洗液。自沖洗液噴嘴50噴出之沖洗液噴附於基板W之上表面之中央區域。供給至基板W上之沖洗液因離心力而遍及基板W之上表面之整體。利用該沖洗液沖洗基板W上之藥液。在此期間，移動單元8使藥液供給單元7朝退避位置退避。在使藥液供給單元7移動前，吸引裝置60吸引第1藥液噴嘴30之第1流路70內之藥液。
其次，進行使基板W乾燥之乾燥處理(S5)。具體而言，關閉沖洗液閥52。而後，電動馬達23以高旋轉速度(例如3000 rpm)使基板W旋轉。藉此，大的離心力作用於基板W上之沖洗液，而基板W上之沖洗液被甩至基板W之周圍。如此，自基板W去除沖洗液，而基板W乾燥。而且，若在開始基板W之高度旋轉後經過特定時間，則電動馬達23使旋轉基座21之基板W之旋轉停止。
之後，搬送機器人CR進入處理單元2，自旋轉卡盤5掬起完成處理之基板W，並將其朝處理單元2外搬出(S6)。該基板W自搬送機器人CR朝搬送機器人IR被交接，並由搬送機器人IR收納於載架C。而後，開始下一未處理之基板W之基板處理。
其次，針對預分配(S2)之一例，使用圖11詳細地說明。圖11係顯示在圖9所示之基板處理中自第1藥液噴嘴30噴出之藥液之溫度之時間性變化之一例的曲線圖。在圖11中，橫軸係處理時間t，縱軸係自第1藥液噴嘴30噴出之藥液之溫度、亦即噴出溫度T。噴出溫度T係由第1溫度感測器34檢測之溫度。因而，嚴格而言，噴出溫度T係第1藥液供給管35內之藥液之溫度。在圖11中，針對在連續處理基板W之基板處理中第1個至第3個處理之基板W各者顯示噴出溫度T之時間變化。此處，由於第2藥液噴嘴40之噴出溫度之時間變化與第1藥液噴嘴30之噴出溫度T之時間變化大致相同，故省略詳細之說明。
在預分配(S2)中，例如，藥液之噴出流量被設定為與藥液處理(S3)之藥液之噴出流量(處理流量)相同之噴出流量，開始藥液自第1藥液噴嘴30朝待機罐槽10之噴出。即，藥液之噴出流量被設為一定。藥液之噴出流量係第1流量計33檢測之流量。藥液之噴出流量之設定係藉由變更第1電動閥32之開度而進行。將開始藥液自第1藥液噴嘴30朝待機罐槽10之噴出時之時刻設為t0(預分配開始步驟)。
對藥液供給單元7持續供給新的藥液。因而，隨著處理時間t之經過，而藥液供給單元7(尤其是第1藥液噴嘴30及第1藥液配管31之管壁)及其周邊之構件之溫度上升。反言之，由藥液供給單元7及其周邊之構件奪走在第1藥液噴嘴30及第1藥液配管31之內部流動之藥液之熱。因而，預分配之開始時(時刻t0)之來自第1藥液噴嘴30之藥液之噴出溫度T較藥液供給單元7及其周邊之構件之溫度與在第1藥液噴嘴30及第1藥液配管31之內部流動之藥液之溫度達到平衡之溫度(飽和溫度T1)低得多。
伴隨著藥液自第1藥液噴嘴30之噴出之繼續進行，藥液供給單元7及其周邊之構件升溫，藉此，由藥液供給單元7及其周邊之構件奪走之熱量減少。藉由進一步繼續進行藥液自第1藥液噴嘴30之噴出，而飽和溫度T1之藥液自第1藥液噴嘴30噴出。
將噴出溫度T達到飽和溫度T1之時刻設為t1。自預分配之開始(時刻t0)起直至飽和溫度T1之藥液自第1藥液噴嘴30噴出為止(時刻t1)之期間(以下稱為「到達期間」)依存於預分配之開始前之藥液供給單元7及其周邊之構件之溫度。預分配開始前之藥液供給單元7及其周邊之構件之溫度與飽和溫度T1之差越大則到達期間越變長。預分配開始前之藥液供給單元7及其周邊之構件之溫度與飽和溫度T1之差越小，則到達期間越變短。
當在處理單元2中連續處理基板W時，在連續處理之開始時(例如，對第1個與第2個基板W之處理)，預分配開始前之藥液供給單元7及其周邊之構件之溫度比較低。尤其是，在對第1個基板W之處理中，有預分配開始前之藥液供給單元7及其周邊之構件之溫度下降至例如常溫(例如約25℃)之情形。
在圖11所示之例中，若自預分配開始經過到達期間噴出溫度T達到飽和溫度T1，則停止藥液自第1藥液噴嘴30之噴出(預分配停止步驟)。而後，移動單元8使藥液供給單元7朝向處理位置開始移動(藥液供給單元移動步驟)。由於在藥液供給單元7移動之期間，對藥液供給單元7不供給新的藥液，故藥液供給單元7之溫度逐漸降低，第1藥液噴嘴30及第1藥液配管31內之藥液之溫度降低。若藥液供給單元7到達處理位置，則再次打開第1電動閥32。藉此，開始藥液自第1藥液噴嘴30朝基板W之上表面之供給(藥液供給步驟)。將藥液供給單元7到達處理位置之時刻設為t2。
如圖11所示，時刻t1及時刻t2顯示就處理之順序而言越靠後之基板W越變早。雖未圖示，但第四個以後之基板W之處理之時刻t1及時刻t2與第3個基板W之處理之時刻t1及時刻t2分別大致相等。
亦即，在圖11所示之例中，使第1個基板W之預分配之期間長於第2個基板W之預分配之期間，使第2個基板W之預分配之期間長於第3個基板W之預分配之期間。第四個以後之基板W之預分配之期間係與第3個基板之預分配之期間大致相同。
藉由以該方法執行預分配，而能夠確實地減小藥液處理開始時之噴出溫度T之每一基板處理之差。
其次，針對預分配(S2)之另一例，使用圖12詳細地說明。圖12係顯示在圖9所示之基板處理中自第1藥液噴嘴30噴出之藥液之溫度之時間性變化之另一例的曲線圖。在圖12中，將橫軸設為處理時間t，將縱軸設為噴出溫度T。在圖12中，針對在連續處理基板W之基板處理中第1至第3處理之基板W各者顯示噴出溫度T之時間變化。此處，由於第2藥液噴嘴40之噴出溫度之時間變化與第1藥液噴嘴30之噴出溫度T之時間變化大致相同，故省略詳細之說明。
將開始藥液自第1藥液噴嘴30朝待機罐槽10之噴出時之時刻、亦即預分配之開始時刻設為t0。而且，將當在預分配之結束後藥液供給單元7移動至處理位置後開始藥液自第1藥液噴嘴30朝基板W之上表面之供給之時刻設為t3。無關於係第幾個基板W之處理，以自時刻t0至時刻t3之間之時間成為一定之方式設定開始藥液供給之時間(藥液供給時刻設定步驟)。而且，以在自預分配之開始經過一定期間之時點(成為時刻t3之時點)自第1藥液噴嘴30噴出之藥液之噴出溫度T成為低於飽和溫度T1之目標溫度T2之方式調整第1電動閥32之開度，而控制噴出流量。由於若噴出流量減少，則被供給至藥液供給單元7之藥液整體之熱量變少，故噴出溫度T降低。另一方面，由於若增大噴出流量，則被供給至藥液供給單元7之藥液整體之熱量變多，故噴出溫度T增高。
如前述般，當在處理單元2中連續處理基板W時，連續處理之開始時(例如對第1個與第2個基板W之處理)，預分配開始前之藥液供給單元7及其周邊之構件之溫度比較低。因而，使第1個基板W之預分配之噴出流量大於第2個基板W之預分配之噴出流量，使第2個基板W之預分配之噴出流量大於第3個基板W之預分配之噴出流量。第四個以後之基板W之預分配之噴出流量係與第3個基板之預分配之噴出流量大致相同。
在開始藥液自第1藥液噴嘴30朝基板W之上表面之供給後，例如，以減小每一基板處理之噴出溫度T之差之方式，控制器3調整第1電動閥32之開度(開度調整步驟)。控制器3基於第1流量計33檢測之流量執行回饋控制。在圖12中顯示在藥液處理(S3)中伴隨著處理時間t之經過而使藥液供給開始後之目標溫度T3變化之例。此時亦然，藉由利用第1流量計33常時檢測流量，並常時調整第1電動閥32之開度，而能夠減小每一基板處理之噴出溫度T之差。
根據該方法，由於目標溫度T2及目標溫度T3低於飽和溫度T1，故不僅能夠縮短預分配 (S2)之時間，還能夠減小藥液之消耗量。再者，藉由執行回饋控制，而能夠進一步減小每一基板處理之噴出溫度T之差。
此處，一般而言，在具有一端閉塞之流路之噴嘴中，流路之一端附近之處理液之壓力與流路之其他部分比較變大。因而，有自位於流路之前端附近之噴出口噴出之處理液之流量大於自位於流路之基端附近之噴出口噴出之處理液之流量之傾向。
根據第1實施形態，自第2流路80對第1流路70之一端部70a供給藥液。又，在第1流路70延伸之方向(長度方向L)排列有複數個第1噴出口30a。因而，在第1藥液噴嘴30中，位於第1流路70之另一端部70b附近之第1噴出口30a之流量大於位於第1流路70之一端部70a附近之第1噴出口30a之流量。
另一方面，在藥液供給單元7位於處理位置之狀態下，第1流路70之一端部70a與基板W之中央區域對向，第1流路70之另一端部70b與基板W之外周區域對向。因而，能夠使被供給至基板W之上表面之外周區域之藥液之流量較被供給至基板W之上表面之中心區域之藥液之流量增大。因而，能夠減少基板W之上表面之處理不均。
再者，對第1流路70之一端部70a供給藥液之第2流路80由於自第1流路70之一端部70a折回且延伸，故能夠位於使第1流路70與第2流路80彼此接近之位置。再者，由於藥液供給單元7其整體由移動單元8移動，故在藥液供給單元7之移動中仍可維持第1流路70與第2流路80彼此接近之狀態。因而，能夠利用第2流路80內之處理液對第1流路70內之處理液保溫。因而，能夠抑制朝向第1噴出口30a之藥液溫度之降低。其結果為，由於能夠將自第1噴出口30a噴出且噴附於基板W之上表面之處理液之溫度維持為高溫，故能夠以所期望之高溫之處理液處理基板W之上表面。
如以上般，能夠以所期望之高溫之處理液處理基板W之上表面，且能夠減少基板W之上表面之處理不均。
又，根據第1實施形態，第1流路70與基板W之上表面平行地延伸。因而，能夠減小第1噴出口30a與基板W之上表面間之距離的在複數個第1噴出口30a間之差。因而，能夠在複數個第1噴出口30a間減小從處理液自第1噴出口30a噴出後至噴附於基板W之上表面為止處理液損失之熱量之差。藉此，能夠減少基板W之上表面之處理不均。
又，根據第1實施形態，第2流路80與第1流路70平行地延伸。因而，能夠在第1流路70延伸之方向(長度方向L)之全域中使第1流路70與第2流路80接近。藉此，第1流路70內之處理液由第2流路80內之處理液有效地保溫。再者，藉由第1流路70與第2流路80平行地延伸，而第1流路70內之藥液在長度方向L之全域中被均勻地保溫。換言之，能夠防止產生第1流路70內之藥液局部地未被保溫之狀況。因而，能夠減小第1噴出口30a間之噴出藥液之溫度差。因而，能夠減少基板W之上表面之處理不均。
又，藉由使第1流路70與第2流路80接近，而能夠追求藥液供給單元7之小型化。
又，第2流路80自第1流路70之一端部70a折回，且與第1流路70平行地延伸。因而，在第1流路70之另一端部70b之周邊流動之藥液係由在第2流路8中在上游側之部分流動之藥液保溫。即，在第1流路70之另一端部70b之周邊流動之藥液與在第1流路70之一端部70a之周邊流動之藥液比較係由高溫之藥液保溫。藉此，能夠減小在第1流路70內之藥液之溫度差。
又，根據第1實施形態，藥液供給單元7更包含形成有第2流路80之第1藥液配管31(流路形成配管)。第1藥液配管31支持第1藥液噴嘴30。亦即，形成有第2流路80之第1藥液配管31兼作為支持第1藥液噴嘴30之構件。因而，能夠追求藥液供給單元7之小型化。
又，根據第1實施形態，移動單元8包含使藥液供給單元7繞沿鉛直方向之迴旋軸線A2迴旋之迴旋單元27。因而，能夠利用繞迴旋軸線A2之迴旋之簡單之動作使藥液供給單元7在處理位置與退避位置之間移動。
又，根據第1實施形態，複數個第1噴出口30a設置為，對在基板W之上表面與第1流路70之另一端部70b附近對向之區域供給之處理液之流量，大於對在基板W之上表面與第1流路70之一端部70a附近對向之區域供給之處理液之流量。因而，能夠將被供給至基板W之上表面之外周區域之藥液之流量較被供給至基板W之上表面之中央區域之藥液之流量更加增大。藉此，能夠抑制基板W之上表面之外周區域之處理液之溫度降低，故能夠防止基板W之上表面之外周區域之蝕刻速率降低。
又，根據第1實施形態，處理單元2包含吸引第1流路70內之藥液之吸引單元11。此處，當從自第2流路80朝第1流路70供給藥液之狀態切換為停止自第2流路80朝第1流路70供給藥液之狀態等情形時，藥液殘留於第1流路70內。若在該狀態下移動單元8使藥液供給單元7移動，則有殘留於第1流路70內之藥液成為液滴而滴落至基板W之上表面之情形。有因此種非意圖之藥液滴落，而在基板W之上表面產生微粒之虞。因而，藉由使吸引單元11吸引第1流路70內之藥液，而能夠防止當藥液之供給停止時藥液殘留於第1流路70內。因而，能夠抑制當藥液之供給停止時藥液滴落至基板W上。
又，根據第1實施形態，吸引單元11包含：吸引流路65a，其連結於第1流路70之一端部70a之附近80a；及吸引裝置60，其經由吸引流路65a吸引第1流路70之內部。因而，吸引裝置60能夠有效率地吸引第1流路70內之藥液。另一方面，能夠防止過度地吸引第2流路80之藥液。因而，能夠抑制過度地吸引藥液而浪費藥液，且能夠有效率地去除第1流路70內之藥液。
又，根據第1實施形態，第1流路70包含：液體積存部71，其積存自第2流路80供給之藥液；及噴出流路72，其自液體積存部71朝側方延伸。各噴出流路72連結對應之第1噴出口30a與液體積存部71。
因而，自第2流路80朝第1流路70供給之藥液依次經由液體積存部71及噴出流路72自第1噴出口30a噴出。若停止藥液自第2流路80朝第1流路70之供給，則第1流路70內之藥液殘留於液體積存部71及噴出流路72內。由於噴出流路72自液體積存部71朝側方延伸，故噴出流路72內之處理液不易接受液體積存部71內之藥液之重量。與噴出流路72自液體積存部71朝下方延伸之構成比較，噴出流路72內之藥液不易接受液體積存部71內之藥液之重量。因而，能夠抑制當藥液之供給之停止時，藥液經由噴出流路72自第1噴出口30a滴落至基板W上。
又，根據第1實施形態，噴出流路72包含：鉛直流路72a，其自第1噴出口30a朝上方延伸；及傾斜流路72b，其連結鉛直流路72a與液體積存部71。傾斜流路72b以自液體積存部71越往鉛直流路72a則越朝上方之方式相對於水平方向傾斜。因而，即便在藥液殘留於噴出流路72內之情形下，該藥液仍容易地經由傾斜流路72b返回液體積存部71。因而，能夠進一步減輕噴出流路72內之藥液接受之重量。
又，根據第1實施形態，第1噴出口30a位於較液體積存部71之底部71a更靠上方。因而，與第1噴出口30a位於液體積存部71之下方之構成比較，能夠縮短噴出流路72。因而，能夠進一步減輕噴出流路72內之藥液接受之重量。
又，根據第1實施形態，噴出流路72之流路剖面積小於液體積存部71之流路剖面積。因而，由於能夠增大作用於噴出流路72內之藥液之表面張力，故藥液容易殘留於噴出流路72內。因而，能夠抑制當藥液之供給之停止時藥液滴落至基板W上。 ＜第2實施形態＞
其次，針對本發明之第2實施形態進行說明。圖13係第2實施形態之第1藥液噴嘴30之剖視圖。圖13係沿相對於長度方向L正交之平面切斷第1藥液噴嘴30時之剖視圖。在圖13中，對與目前所說明之構件相同之構件賦予相同之參考符號，且省略其說明。
在第2實施形態之第1藥液噴嘴30中，與第1實施形態不同地，在第1藥液噴嘴30之下表面30d未設置有階差30g，下表面30d係平坦面。而且，第1噴出口30a形成於下表面30d。因而，第1噴出口30a位於較液體積存部71之底部71a更靠下方。由於第1藥液噴嘴30之下表面30d係平坦面，故能夠使第1藥液噴嘴30之加工(製造)步驟簡單化。 ＜第3實施形態＞
其次，針對本發明之第3實施形態進行說明。圖14係第3實施形態之第1藥液噴嘴30之仰視圖。在圖14中，對與目前所說明之構件相同之構件賦予相同之參考符號，且省略其說明。
在第3實施形態之第1藥液噴嘴30中，與第1實施形態不同地，第1流路70之另一端部70b附近之第1噴出口30a大於第1流路70之一端部70a附近之第1噴出口30a。另一端部70b附近之第1噴出口30a之直徑d2大於第1流路70之一端部70a附近之第1噴出口30a之直徑d1。亦即，與第1實施形態相同地，複數個第1噴出口30a構成為對基板W之上表面之外周區域供給之藥液之流量大於對基板W之上表面之中央區域供給之藥液之流量。
在第3實施形態中，第1噴出口30a總計設置有11處。自最另一端部70b側數起至第3個為止之第1噴出口30a之總計3個第1噴出口30a之直徑d2大於其他第1噴出口30a之直徑d1。
根據第3實施形態，能夠使被供給至基板W之上表面之外周區域之藥液之流量較被供給至基板W之上表面之中央區域之藥液之流量進一步增大。藉此，由於能夠抑制基板W之上表面之外周區域之藥液之溫度之降低，故能夠防止基板W之上表面之外周區域之蝕刻速率之降低。
在第3實施形態中，第1噴出口30a彼此間之距離彼此相等(P1=P2)。在本實施形態中亦然，與第1實施形態相同地，第1流路70之另一端部70b附近之第1噴出口30a彼此間之距離(節距P2)可小於第1流路70之一端部70a附近之第1噴出口30a彼此間之距離(節距P1)(P2＜P1)。如是，能夠使被供給至基板W之上表面之外周區域之藥液之流量較被供給至基板W之上表面之中央區域之藥液之流量進一步增大。 ＜第4實施形態＞
其次，針對本發明之第4實施形態進行說明。圖15係本發明之第4實施形態之藥液供給單元7及其周邊之側視圖。圖16係沿圖15之XVI-XVI線之剖視圖。在圖15及圖16中，對與目前所說明之構件相同之構件賦予相同之參考符號，且省略其說明。在圖15中，為了方便說明，省略第2藥液噴嘴40及第2藥液配管41之圖示。
第4實施形態之藥液供給單元7包含具有由內管91及外管92構成之雙重管構造之第1藥液噴嘴90而取代第1實施形態之第1藥液噴嘴30及第1藥液配管31。在第1藥液噴嘴90中，由內管91區劃第1流路70，由內管91與外管92區劃第2流路80。
外管92包含：筒管93，其具有與迴旋軸線A2側為相反側之一端部93a及迴旋軸線A2側之另一端部93b；及壁部94，其堵塞筒管93之一端部93a。在筒管93之另一端部93b連結有第1藥液供給管35。外管92係由移動單元8之保持具26支持。
內管91包含：筒管95，其區劃液體積存部71；複數條突出管96，其等自筒管95延伸至外管92之外側；及區劃壁97，其區劃第1流路70之另一端部70b。
突出管96區劃噴出流路72，以使前端朝向下方之方式彎曲。在各突出管96之前端形成有朝向基板W之上表面噴出藥液之複數個第1噴出口90a。
在筒管95之上部與壁部94之間設置有間隙98。經由該間隙98，第2流路80自第1流路70之一端部70a折回。
當藥液供給單元7被配置於處理位置時，複數個第1噴出口90a與基板W之上表面對向。詳細而言，一端部70a附近之第1噴出口90a與基板W之上表面之中央區域對向，另一端部70b附近之第1噴出口90a與基板W之上表面之外周區域對向。
在第4實施形態中，可行的是，在外管92之下端與內管91之下端之間未設置有間隙，但在外管92之下端與內管91之下端之間設置有間隙，該間隙構成第2流路80之一部分。
根據第4實施形態，如上述般，第1藥液噴嘴90具有由內管91及外管92構成之雙重管構造。又，由內管91區劃第1流路70，由內管91與外管92區劃第2流路80。因而，能夠使第2流路80位於進一步接近第1流路70之位置。藉此，第1流路70內之藥液由第2流路80內之藥液進一步有效地保溫。又，與具有折回之配管之構成比較，能夠追求藥液供給單元7之小型化。 ＜第5實施形態＞
其次，針對本發明之第5實施形態進行說明。圖17係第5實施形態之第1藥液噴嘴30之剖視圖。在圖17中，對與目前所說明之構件相同之構件賦予相同之參考符號，且省略其說明。
第5實施形態之藥液供給單元7不包含第1藥液配管31，在藥液供給單元7之第1藥液噴嘴30除形成有第1流路70外還形成有第2流路80及折回流路85。折回流路85由於實際上在圖17所示之剖面中未出現故以兩點鏈線表示。因而，能夠使第2流路80位於進一步接近第1流路70之位置。藉此，第1流路70內之藥液由第2流路80內之藥液進一步有效地保溫。又，與具有折回之配管之構成(例如第1實施形態之構成)比較，能夠追求藥液供給單元7之小型化。
又，第5實施形態之藥液供給單元7更包含包圍第1藥液噴嘴30，而將第1藥液噴嘴30與第1藥液噴嘴30之周圍之氣體環境絕熱之絕熱構件100。因而，能夠對第1流路70內之藥液進一步有效地保溫。第1藥液噴嘴30較佳的是由氟系樹脂等之熱傳導性比較高之材料形成。作為氟系樹脂，例如可舉出PTFE(聚四氟乙烯)等。若處理液之溫度為100℃以下，則可使用PE(聚乙烯)等。絕熱構件100不一定必須覆蓋第1藥液噴嘴30之全面。
本發明並不限定於以上所說明之實施形態，可以其他形態實施。
例如，上述之各實施形態可任意地組合。例如，第1實施形態～第4實施形態之藥液供給單元7可包含絕熱構件100。
又，藥液供給單元7之構成亦可應用於供給藥液以外之處理液(例如沖洗液)之單元。
又，第2流路80不一定必須與第1流路70平行地設置，可相對於第1流路70傾斜地延伸，亦可彎曲地延伸。又，可為不設置折回流路85，第2流路80直接連接於第1流路70之構成。又，第1流路70不一定必須水平地延伸，可以另一端部70b位於一端部70a較更靠下方之方式相對於水平方向傾斜。如是，能夠使自第1流路70之另一端部70b側之第1噴出口30a噴出之藥液之流量較自第1流路70之一端部70a側之第1噴出口30a噴出之藥液之流量進一步增大。
又，移動單元8不一定必須包含迴旋單元27，可包含使藥液供給單元7在水平方向直線地移動之滾珠螺桿機構、及對該滾珠螺桿機構賦予驅動力之電動馬達。
又，在基板處理中，可在較基板搬入(S1)更靠前開始預分配(S2)。藉此，能夠縮短自將基板W搬入至處理單元2起直至開始朝基板W之上表面供給藥液為止之時間。
自該說明書及附圖除抽出申請專利範圍所記載之特徵以外還可抽出如以下之特徵。該等特徵可與解決問題之技術手段之項所記載之特徵任意地組合。
A1.一種基板處理裝置，其更包含：
基板保持單元，其水平地保持基板； 處理液供給單元，其具有噴出處理液之處理液噴嘴，對前述基板之上表面供給處理液；及
移動單元，其使前述處理液供給單元在前述處理液噴嘴與前述基板之上表面對向之處理位置、與前述處理液噴嘴自與前述基板之上表面對向之位置退避之退避位置之間移動；且
前述處理液供給單元更具有：
複數個噴出口，其等在前述處理液噴嘴延伸之方向排列；及
第1流路，其具有：液體積存部，其積存處理液；及噴出流路，其自前述液體積存部朝側方延伸，且連結各前述噴出口與前述液體積存部。
根據A1所記載之發明，朝第1流路被供給之處理液依次經由液體積存部及噴出流路自噴出口被噴出。因而，藉由在使處理液供給單元移動至處理位置之狀態下自噴出口噴出處理液，而能夠使處理液噴附於基板之上表面。
此處，當未朝第1流路供給處理液時，第1流路內之處理液殘留於液體積存部及噴出流路內。由於噴出流路自液體積存部朝側方延伸，故噴出流路內之處理液不易接受液體積存部內之處理液之重量。與噴出流路自液體積存部朝下方延伸之構成比較，噴出流路內之處理液不易接受液體積存部內之處理液之重量。因而，在停止處理液之供給後，能夠抑制處理液自處理液噴嘴朝基板上之非意圖之滴落。
A2.如A1之基板處理裝置，其中前述第1流路構成為在前述處理液供給單元位於前述處理位置之狀態下，一端部與前述基板之中央區域對向，且另一端部與前述基板之外周區域對向；且
前述處理液供給單元更包含自前述第1流路之前述一端部折回且延伸，對前述第1流路之前述一端部供給處理液之第2流路。
根據A2所記載之發明，自第2流路對第1流路之一端部供給處理液。又，在第1流路延伸之方向排列有複數個噴出口。因而，在處理液噴嘴中，第1流路之另一端部附近之噴出口之流量大於第1流路之一端部附近之噴出口之流量。另一方面，在處理液供給單元位於處理位置之狀態下，第1流路之一端部與基板之中央區域對向，第1流路之另一端部與基板之外周區域對向。因而，能夠使被供給至基板之上表面之外周區域之處理液之流量較被供給至基板之上表面之中央區域之處理液之流量增大。因而，能夠減少基板之上表面之處理不均。
再者，由於對第1流路之一端部供給處理液之第2流路自第1流路之一端部折回且延伸，故能夠配置於將第1流路與第2流路彼此接近之位置。再者，由於處理液供給單元其整體由移動單元移動，故在處理液供給單元之移動中仍可維持第1流路與第2流路彼此接近之狀態。因而，能夠利用第2流路內之處理液對第1流路內之處理液保溫。因而，能夠抑制朝向噴出口之處理液之溫度之降低。其結果為，由於能夠將自噴出口噴出且噴附於基板之上表面之處理液之溫度維持為高溫，故能夠以所期望之高溫之處理液處理基板之上表面。
如以上般，能夠以所期望之高溫之處理液處理基板之上表面，且能夠減少基板之上表面之處理不均。
雖然針對本發明之實施形態詳細地進行了說明，但其等僅僅是用於使本發明之技術性內容明確化之具體例，本發明並非必須限定於該等具體例而解釋，本發明之範圍僅由後附之申請之範圍限定。
本發明申請案係與2017年5月18日對日本專利廳提出之特願2017-099269號對應，藉由將該發明申請案之全揭示引用於此而併入。
1:基板處理裝置 2:處理單元 3:控制器 3A:處理器/CPU 3B:記憶體 5:旋轉卡盤 6:杯 7:藥液供給單元 8:移動單元 9:沖洗液供給單元 10:待機罐槽 11:吸引單元 14:腔室 20:卡盤銷 21:旋轉基座 22:旋轉軸 23:電動馬達 25:迴旋軸 26:保持具 26a:臂 26b:支持部 27:迴旋單元 28:托架 30:第1藥液噴嘴 30a:第1噴出口 30b:一端部 30c:另一端部 30d:下表面 30e:第1面 30f:第2面 30g:階差 31:第1藥液配管/流路形成配管 31a:上水平部 31b:垂下部 31c:下水平部 31d:連結部分 32:第1電動閥/閥 33:第1流量計 34:第1溫度感測器 35:第1藥液供給管 36:補強構件 40:第2藥液噴嘴 40a:第2噴出口 40b:噴出部 41:第2藥液配管 41a:水平部 41b:垂下部 42:閥類/第2電動閥 43:第2流量計 44:第2溫度感測器 45:第2藥液供給管 50:沖洗液噴嘴 51:沖洗液配管 52:閥類/沖洗液閥 55:排液管 56:閥類/排液閥 60:吸引裝置 65:吸引配管 65a:吸引流路 66:閥類/吸引閥 70:第1流路 70a:一端部 70b:另一端部 71:液體積存部 71a:底部 72:噴出流路 72a:鉛直流路 72b:傾斜流路 80:第2流路 80a:附近 85:折回流路 90:第1藥液噴嘴 90a:第1噴出口 91:內管 92:外管 93:筒管 93a:一端部 93b:另一端部 94:壁部 95:筒管 96:突出管 97:區劃壁 98:間隙 100:絕熱構件 A1:旋轉軸線 A2:迴旋軸線 C:載架 CR:搬送機器人 D1:直徑 D2:直徑 D3:直徑 d1:直徑 d2:直徑 IR:搬送機器人 L:長度方向 LP:載入埠 P1:第1節距/節距 P2:第2節距/節距 T1:飽和溫度 T2:目標溫度 T3:目標溫度 t0:時刻 t1:時刻 t2:時刻 t3:時刻 V-V:線 VII-VII:線 W:基板 XVI-XVI:線
圖1係用於說明本發明之第1實施形態之基板處理裝置之內部之配置的示意性平面圖。
圖2係前述基板處理裝置所具備之處理單元之示意圖。
圖3係前述處理單元所具備之處理液供給單元及其周邊之側視圖。
圖4係前述處理液供給單元之平面圖。
圖5係沿圖4之V-V線之剖視圖。
圖6係前述處理液供給單元所具備之處理液噴嘴及其周邊之仰視圖。
圖7係沿圖5之VII-VII線之剖視圖。
圖8係用於說明前述基板處理裝置之主要部分之電性構成之方塊圖。
圖9係用於說明前述基板處理裝置之基板處理之一例之流程圖。
圖10A係用於說明前述基板處理之預分配(圖9之S2)之圖解性側視圖。
圖10B係用於說明前述基板處理之預分配(圖9之S2)之圖解性側視圖。
圖10C係用於說明前述基板處理之藥液處理(圖9之S3)之圖解性側視圖。
圖11係顯示在圖9所示之基板處理中被供給至處理液噴嘴之處理液之溫度之時間性變化之一例的曲線圖。
圖12係顯示在圖9所示之基板處理中被供給至處理液噴嘴之處理液之溫度之時間性變化之另一例的曲線圖。
圖13係本發明之第2實施形態之處理液噴嘴之剖視圖。
圖14係本發明之第3實施形態之處理液噴嘴之仰視圖。
圖15係本發明之第4實施形態之處理液供給單元及其周邊之側視圖。
圖16係沿圖15之XVI-XVI線之剖視圖。
圖17係本發明之第5實施形態之處理液噴嘴之剖視圖。
2:處理單元
5:旋轉卡盤
7:藥液供給單元
8:移動單元
20:卡盤銷
21:旋轉基座
25:迴旋軸
26:保持具
26a:臂
26b:支持部
28:托架
30:第1藥液噴嘴
30a:第1噴出口
30b:一端部
30c:另一端部
31:第1藥液配管/流路形成配管
31a:上水平部
31b:垂下部
31c:下水平部
31d:連結部分
35:第1藥液供給管
40:第2藥液噴嘴
40a:第2噴出口
40b:噴出部
41:第2藥液配管
41a:水平部
41b:垂下部
45:第2藥液供給管
70:第1流路
70a:一端部
70b:另一端部
80:第2流路
A1:旋轉軸線
A2:迴旋軸線
L:長度方向
W:基板

Claims (12)

  1. 一種基板處理裝置，其具備：基板保持單元，其水平地保持基板；處理液供給單元，其具有噴出處理液之第1處理液噴嘴及噴出處理液之第2處理液噴嘴，且對前述基板之上表面供給處理液；及移動單元，其使前述處理液供給單元在前述第1處理液噴嘴與前述基板之上表面對向之處理位置、與前述第1處理液噴嘴自與前述基板之上表面對向之位置退避之退避位置之間移動；且前述處理液供給單元更具有：第1流路，其形成於前述第1處理液噴嘴，在前述處理液供給單元位於前述處理位置之狀態下，一端部與前述基板之上表面之中央區域對向，且另一端部與前述基板之上表面之外周區域對向；第2流路，其自前述第1流路之前述一端部折回且延伸，且對前述第1流路之前述一端部供給處理液；複數個噴出口，其等形成於前述第1處理液噴嘴，且沿前述第1流路延伸之方向排列，朝向前述基板之上表面噴出前述第1流路內之處理液；及側方配管，其設於前述第1流路及前述第2流路之側方，且對前述第2處理液噴嘴供給處理液；且前述側方配管具有在水平方向延伸之水平部、及與前述水平部連結，且以越離開前述水平部則越往下方之方式相對於前述水平方向傾斜地延伸之垂下部； 前述第2處理液噴嘴連結於前述垂下部之前端。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中前述第1流路與前述基板之上表面平行地延伸。
  3. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中前述第2流路與前述第1流路平行地延伸。
  4. 如請求項3之基板處理裝置，其中前述處理液供給單元進一步包含形成有前述第2流路之流路形成配管；且前述流路形成配管係與前述第1處理液噴嘴固定。
  5. 如請求項4之基板處理裝置，其中前述移動單元進一步具有將前述流路形成配管及前述側方配管共同地支持之保持具。
  6. 如請求項5之基板處理裝置，其中前述移動單元包含使前述處理液供給單元繞沿鉛直方向之迴旋軸線迴旋之迴旋單元。
  7. 如請求項6之基板處理裝置，其中前述第1流路之前述另一端部側係前述迴旋軸線側，前述第1流路之前述一端部側係與前述迴旋軸線側相反之側；在前述處理液供給單元位於前述處理位置之狀態下，前述第1流路之前述一端部及前述第2處理液噴嘴係與前述基板之上表面之前述中央區域 對向，且前述第1流路之前述另一端部係與前述基板之上表面之前述外周區域對向。
  8. 如請求項6之基板處理裝置，其中前述移動單元進一步包含在前述鉛直方向延伸之迴旋軸；前述迴旋單元對前述迴旋軸賦予繞前述迴旋軸線之驅動力；藉由前述迴旋單元使前述迴旋軸迴旋，前述保持具、前述流路形成配管及前述側方配管繞前述迴旋軸線迴旋。
  9. 如請求項8之基板處理裝置，其中前述移動單元包含使前述迴旋軸升降之滾珠螺桿、及對前述滾珠螺桿賦予驅動力之電動馬達。
  10. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中當前述處理液供給單元位於前述處理位置時，前述第2處理液噴嘴係與前述基板之上表面對向；當前述處理液供給單元位於前述退避位置時，前述第2處理液噴嘴係自與前述基板之上表面對向之位置退避。
  11. 如請求項3之基板處理裝置，其中前述第2流路形成於前述第1處理液噴嘴。
  12. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中前述第2處理液噴嘴在其前端具有形成有噴出處理液之噴出口之噴出部。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7190892B2 (ja) * 2018-12-12 2022-12-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および処理液濃縮方法
CN111276431A (zh) * 2020-01-22 2020-06-12 长江存储科技有限责任公司 槽式湿法刻蚀装置
JP7441706B2 (ja) * 2020-03-31 2024-03-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
CN115362381A (zh) 2020-07-31 2022-11-18 株式会社Lg新能源 用于电池的过电压特性评估设备和过电压特性评估方法
JP7546418B2 (ja) * 2020-09-09 2024-09-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP2023045549A (ja) * 2021-09-22 2023-04-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120164572A1 (en) * 2010-12-28 2012-06-28 Tokyo Electron Limited Coating method, coating device, and storage medium
TW201351534A (zh) * 2012-03-29 2013-12-16 Dainippon Screen Mfg 基板處理裝置
TW201410338A (zh) * 2012-05-31 2014-03-16 Tokyo Electron Ltd 噴嘴清洗裝置、噴嘴清洗方法及基板處理裝置
TW201418017A (zh) * 2012-09-11 2014-05-16 Baxter Int 含微球體之聚合物膜
WO2016147440A1 (ja) * 2015-03-18 2016-09-22 株式会社東芝 ノズルおよび液体供給装置

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5571560A (en) * 1994-01-12 1996-11-05 Lin; Burn J. Proximity-dispensing high-throughput low-consumption resist coating device
JPH07245287A (ja) * 1994-03-04 1995-09-19 Fuji Xerox Co Ltd ウエットエッチング装置
JPH08279484A (ja) 1995-04-07 1996-10-22 Hitachi Cable Ltd 半導体ウェハのエッチング方法及び装置
JP3250090B2 (ja) * 1995-06-27 2002-01-28 東京エレクトロン株式会社 洗浄処理装置及び洗浄処理方法
US5962070A (en) * 1997-09-25 1999-10-05 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating method and apparatus
JP3633775B2 (ja) 1998-02-12 2005-03-30 大日本スクリーン製造株式会社 処理液吐出ノズルおよび基板処理装置
JPH11156278A (ja) 1997-11-27 1999-06-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液吐出ノズル及びそれを備えた基板処理装置
JP3633774B2 (ja) * 1998-02-12 2005-03-30 大日本スクリーン製造株式会社 処理液吐出ノズルおよび基板処理装置
US6382849B1 (en) * 1999-06-09 2002-05-07 Tokyo Electron Limited Developing method and developing apparatus
JP2001234399A (ja) * 2000-02-24 2001-08-31 Electroplating Eng Of Japan Co カップ式めっき装置用クリーナー
JP2002177840A (ja) * 2000-12-07 2002-06-25 Sumitomo Precision Prod Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP3980840B2 (ja) * 2001-04-25 2007-09-26 東京エレクトロン株式会社 気相成長装置および気相成長膜形成方法
JP2003170086A (ja) * 2001-12-11 2003-06-17 Sumitomo Precision Prod Co Ltd ノズル装置及びこれを備えた基板処理装置
JP3992601B2 (ja) * 2002-01-31 2007-10-17 大日本スクリーン製造株式会社 薬液処理装置
JP4035035B2 (ja) * 2002-12-03 2008-01-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板への処理液供給用ノズルおよび基板処理装置
US6770424B2 (en) * 2002-12-16 2004-08-03 Asml Holding N.V. Wafer track apparatus and methods for dispensing fluids with rotatable dispense arms
US8530359B2 (en) 2003-10-20 2013-09-10 Novellus Systems, Inc. Modulated metal removal using localized wet etching
US7241342B2 (en) * 2003-12-22 2007-07-10 Asml Holding N.V. Non-dripping nozzle apparatus
JP2008060299A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP5317505B2 (ja) 2008-03-24 2013-10-16 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
KR101041872B1 (ko) 2008-11-26 2011-06-16 세메스 주식회사 노즐 및 이를 이용한 기판 처리 장치 및 방법
JP5045741B2 (ja) 2009-12-25 2012-10-10 東京エレクトロン株式会社 薬液供給ノズル及び薬液供給方法
KR101395212B1 (ko) * 2010-07-29 2014-05-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP2012164896A (ja) 2011-02-08 2012-08-30 Tokyo Electron Ltd 流体供給部材、液処理装置、および液処理方法
KR101298220B1 (ko) 2012-01-20 2013-08-22 주식회사 엠엠테크 콤팩트한 기판 표면처리 시스템 및 기판 표면처리 방법
JP5788349B2 (ja) 2012-03-19 2015-09-30 東京エレクトロン株式会社 めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体
US20140261572A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Dainippon Screen Mfg.Co., Ltd. Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
US10464107B2 (en) * 2013-10-24 2019-11-05 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP5909477B2 (ja) 2013-10-25 2016-04-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び液供給装置
JP2015115492A (ja) 2013-12-12 2015-06-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
TWI661479B (zh) 2015-02-12 2019-06-01 日商思可林集團股份有限公司 基板處理裝置、基板處理系統以及基板處理方法
JP6418555B2 (ja) 2015-06-18 2018-11-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120164572A1 (en) * 2010-12-28 2012-06-28 Tokyo Electron Limited Coating method, coating device, and storage medium
TW201351534A (zh) * 2012-03-29 2013-12-16 Dainippon Screen Mfg 基板處理裝置
TW201410338A (zh) * 2012-05-31 2014-03-16 Tokyo Electron Ltd 噴嘴清洗裝置、噴嘴清洗方法及基板處理裝置
TW201418017A (zh) * 2012-09-11 2014-05-16 Baxter Int 含微球體之聚合物膜
WO2016147440A1 (ja) * 2015-03-18 2016-09-22 株式会社東芝 ノズルおよび液体供給装置

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