KR101036592B1 - 처리액 공급 유닛과, 이를 이용한 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 처리액 공급 유닛과, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 방법을 개시한 것으로서, 노즐 암과 대기 포트 간의 열 전달, 그리고 노즐 암과 노즐 이동 유닛 간의 열 전달을 통해, 대기 위치에서의 대기시, 공정 위치에서의 공정 진행시, 대기 위치와 공정 위치 간의 이동시에 노즐 암에 내장된 처리액 배관 내의 처리액의 온도를 조절하는 것을 특징으로 가진다.
이러한 특징에 의하면, 노즐로 공급되는 처리액을 일정 온도로 유지할 수 있는 처리액 공급 유닛과, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 방법을 제공할 수 있다.
노즐 암, 처리액 배관, 온도 조절, 대기 포트, 노즐 이동 유닛

Description

처리액 공급 유닛과, 이를 이용한 기판 처리 장치{UNIT FOR PROVIDING CHEMICAL LIQUID, APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE USING THE SAME}
본 발명은 반도체 제조 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛과, 이를 이용하여 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 디바이스는 기판상에 여러 가지 물질을 박막 형태로 증착하고 이를 패터닝하여 제조된다. 이를 위하여 증착 공정, 사진 공정, 식각 공정 및 세정 공정 등 여러 단계의 서로 다른 공정이 요구된다.
이들 공정 중 사진 공정 중에는 기판상에 감광액을 도포하는 도포 공정과, 기판상에 현상액을 공급하는 현상 공정이 포함되며, 식각 공정은 기판상에 식각액을 공급하여 기판상에 형성된 막질을 제거하는 공정이고, 세정 공정은 기판상에 세정액을 공급하여 기판 표면에 잔류하는 오염 물질을 제거하는 공정이다.
도포, 현상, 식각 및 세정 공정은 스핀 척 위에 기판을 놓고 기판을 회전시키는 동안 기판의 표면에 처리액(감광액, 현상액, 식각액, 세정액)을 공급하는 스 핀 타입의 방식에 의해 진행된다.
본 발명은 노즐 암의 대기 위치에서의 대기시, 공정 위치에서의 공정 진행시, 그리고 대기 위치와 공정 위치 간의 이동시 노즐 암을 통해 노즐로 공급되는 처리액을 일정 온도로 유지할 수 있는 처리액 공급 유닛과, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명에 의한 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 기판 지지 유닛; 상기 기판 지지 유닛에 놓인 상기 기판으로 처리액을 토출하는 노즐이 장착되고, 상기 노즐에 상기 처리액을 공급하는 처리액 배관이 내장된 노즐 암; 및 상기 노즐 암이 공정 진행을 위해 대기하는 장소를 제공하며, 상기 노즐 암과의 열전달을 통해 상기 노즐 암에 내장된 상기 처리액 배관 내의 상기 처리액의 온도를 조절하는 대기 포트를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 대기 포트는 상기 노즐 암이 놓이는 암 지지 부재; 및 상기 암 지지 부재에 제공되며, 상기 암 지지 부재의 온도를 조절하는 제 1 온도 조절 부재를 포함할 수 있다.
상기 제 1 온도 조절 부재는 히팅 코일, 온도 조절 유체 배관, 열전 소자, 그리고 이들의 조합 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 암 지지 부재는 상기 노즐 암의 길이 방향을 따라 상기 노즐 암의 하단부와 면 접촉하여 열 전도에 의해 상기 노즐 암에 열을 전달하도록 상기 노즐 암에 대응하는 길이를 가지는 블록 형상을 가지고, 상기 제 1 온도 조절 부재는 상기 암 지지 부재에 내장될 수 있다.
상기 대기 포트의 대기 위치와 상기 기판 상부의 공정 위치 간에 상기 노즐 암을 이동시키며, 이동되는 상기 노즐 암과의 열전달을 통해 상기 노즐 암에 내장된 상기 처리액 배관 내의 상기 처리액의 온도를 조절하는 노즐 이동 유닛을 더 포함할 수 있다.
상기 대기 포트는 상기 기판 지지 유닛의 일 측에 나란하게 복수 개 제공되고, 각각의 상기 대기 포트들에는 상기 노즐이 장착된 상기 노즐 암이 위치하며, 상기 노즐 이동 유닛은 상기 복수 개의 노즐 암들 중 어느 하나를 선택하여 상기 대기 포트의 대기 위치로부터 상기 기판 상부의 공정 위치로 이동시킬 수 있다.
상기 노즐 이동 유닛은 상기 노즐 암을 파지하는 파지 부재; 상기 파지 부재에 제공되며, 상기 파지 부재의 온도를 조절하는 제 2 온도 조절 부재; 및 상기 파지 부재를 상기 대기 위치와 상기 공정 위치 간에 이동시키는 이동 부재를 포함할 수 있다.
상기 파지 부재는 상기 노즐 암의 길이 방향에 수직한 방향을 따라 서로 간에 멀어지거나 가까워지도록 이동하면서 상기 노즐 암을 홀딩하는 제 1 및 제 2 홀더; 그리고 상기 제 1 및 제 2 홀더를 구동시키는 제 1 구동기를 포함할 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 홀더 각각은 상기 노즐 암의 측부와 접촉하도록 수직하게 배치된 측벽과, 상기 노즐 암의 하단부와 접촉하도록 상기 측벽으로부터 수평하게 연장되는 하부 벽을 가지며, 상기 제 2 온도 조절 부재는 상기 제 1 및 제 2 홀더의 상기 측벽에 내장될 수 있다.
상기 제 2 온도 조절 부재는 히팅 코일, 온도 조절 유체 배관, 열전 소자, 그리고 이들의 조합 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 이동 부재는 상기 파지 부재를 지지하는 수평 지지대; 상기 수평 지지대에 수직하게 연결되며, 상기 수평 지지대를 상하 방향으로 이동시키는 제 2 구동기가 설치된 이동 로드; 상기 이동 로드를 상기 대기 위치와 상기 공정 위치 간에 이동시키는 제 3 구동기를 포함할 수 있다.
상기 노즐 암의 내벽과 상기 처리액 배관 사이에 배치되며, 상기 노즐 암과 상기 처리액 배관 간에 열을 전달하는 전열관(傳熱管, Heat Pipe)을 더 포함할 수 있다.
상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명에 의한 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 기판 지지 유닛; 상기 기판 지지 유닛에 놓인 상기 기판으로 처리액을 토출하는 노즐이 장착되고, 상기 노즐에 상기 처리액을 공급하는 처리액 배관이 내장된 노즐 암; 상기 노즐 암을 이동시키며, 상기 노즐 암과의 열전달을 통해 상기 노즐 암에 내장된 상기 처리액 배관 내의 상기 처리액의 온도를 조절하는 노즐 이동 유닛를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 노즐 이동 유닛은 상기 노즐 암을 파지하는 파지 부재; 상기 파지 부재에 제공되며, 상기 파지 부재의 온도를 조절하는 온도 조절 부재; 및 상기 파지 부재를 상기 대기 위치와 상기 공정 위치 간에 이동시키는 이동 부재를 포함할 수 있다.
상기 파지 부재는 상기 노즐 암의 길이 방향에 수직한 방향을 따라 서로 간에 멀어지거나 가까워지도록 이동하면서 상기 노즐 암을 홀딩하는 제 1 및 제 2 홀더; 그리고 상기 제 1 및 제 2 홀더를 구동시키는 제 1 구동기를 포함할 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 홀더 각각은 상기 노즐 암의 측부와 접촉하도록 수직하게 배치된 측벽과, 상기 노즐 암의 하단부와 접촉하도록 상기 측벽으로부터 수평하게 연장되는 하부 벽을 가지며, 상기 제 2 온도 조절 부재는 상기 제 1 및 제 2 홀더의 상기 측벽에 내장될 수 있다.
상기 제 2 온도 조절 부재는 히팅 코일, 온도 조절 유체 배관, 열전 소자, 그리고 이들의 조합 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 이동 부재는 상기 파지 부재를 지지하는 수평 지지대; 상기 수평 지지대에 수직하게 연결되며, 상기 수평 지지대를 상하 방향으로 이동시키는 제 2 구동기가 설치된 이동 로드; 상기 이동 로드를 상기 대기 위치와 상기 공정 위치 간에 이동시키는 제 3 구동기를 포함할 수 있다.
상기 노즐 암의 내벽과 상기 처리액 배관 사이에 배치되며, 상기 노즐 암과 상기 처리액 배관 간에 열을 전달하는 전열관(傳熱管, Heat Pipe)을 더 포함할 수 있다.
상기 노즐 암이 공정 진행을 위해 대기하는 장소를 제공하는 대기 포트를 더 포함하며, 상기 노즐 이동 유닛은 상기 대기 포트의 대기 위치와 상기 기판 상부의 공정 위치 간에 상기 노즐 암을 이동시킬 수 있다.
상기 대기 포트는 상기 기판 지지 유닛의 일 측에 나란하게 복수 개 제공되고, 각각의 상기 대기 포트들에는 상기 노즐이 장착된 상기 노즐 암이 위치하며, 상기 노즐 이동 유닛은 상기 복수 개의 노즐 암들 중 어느 하나를 선택하여 상기 대기 포트의 대기 위치로부터 상기 기판 상부의 공정 위치로 이동시킬 수 있다.
상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명에 의한 처리액 공급 유닛은 처리액을 토출하는 노즐이 장착되고, 상기 노즐에 상기 처리액을 공급하는 처리액 배관이 내장된 노즐 암; 상기 노즐 암이 공정 진행을 위해 대기하는 장소를 제공하는 대기 포트; 및 상기 대기 포트에서 대기하는 상기 노즐 암을 이동시키며, 상기 노즐 암과의 열전달을 통해 상기 노즐 암에 내장된 상기 처리액 배관 내의 상기 처리액의 온도를 조절하는 노즐 이동 유닛을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 처리액 공급 유닛에 있어서, 상기 노즐 이동 유닛은 상기 노즐 암을 파지하는 파지 부재; 상기 파지 부재에 제공되며, 상기 파지 부재의 온도를 조절하는 온도 조절 부재; 및 상기 파지 부재를 상기 대기 위치와 상기 공정 위치 간에 이동시키는 이동 부재를 포함할 수 있다.
상기 파지 부재는 상기 노즐 암의 길이 방향에 수직한 방향을 따라 서로 간에 멀어지거나 가까워지도록 이동하면서 상기 노즐 암을 홀딩하는 제 1 및 제 2 홀더; 그리고 상기 제 1 및 제 2 홀더를 구동시키는 제 1 구동기를 포함할 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 홀더 각각은 상기 노즐 암의 측부와 접촉하도록 수직하게 배치된 측벽과, 상기 노즐 암의 하단부와 접촉하도록 상기 측벽으로부터 수평하게 연장되는 하부 벽을 가지며, 상기 제 2 온도 조절 부재는 상기 제 1 및 제 2 홀더의 상기 측벽에 내장될 수 있다.
상기 제 2 온도 조절 부재는 히팅 코일, 온도 조절 유체 배관, 열전 소자, 그리고 이들의 조합 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 이동 부재는 상기 파지 부재를 지지하는 수평 지지대; 상기 수평 지지대에 수직하게 연결되며, 상기 수평 지지대를 상하 방향으로 이동시키는 제 2 구동기가 설치된 이동 로드; 상기 이동 로드를 상기 대기 위치와 상기 공정 위치 간에 이동시키는 제 3 구동기를 포함할 수 있다.
상기 대기 포트는 일 방향으로 나란하게 복수 개 제공되고, 각각의 상기 대기 포트들에는 상기 노즐이 장착된 상기 노즐 암이 위치하며, 상기 노즐 이동 유닛은 상기 복수 개의 노즐 암들 중 어느 하나를 선택하여 상기 대기 포트의 대기 위치로부터 공정 위치로 이동시킬 수 있다.
상기 노즐 암의 내벽과 상기 처리액 배관 사이에 배치되며, 상기 노즐 암과 상기 처리액 배관 간에 열을 전달하는 전열관(傳熱管, Heat Pipe)을 더 포함할 수 있다.
상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명에 의한 기판 처리 방법은 노즐에 연결되는 처리액 배관이 내장된 노즐 암에 열을 전달하거나 상기 노즐 암으로부터 열을 흡수하여 상기 처리액 배관 내의 상기 처리액의 온도를 조절하는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같은 특징을 가지는 본 발명에 의한 기판 처리 방법에 있어서, 일 예에 의하면, 상기 열 전달 및 열 흡수는 상기 노즐 암의 대기 위치에서 진행될 수 있다.
다른 예에 의하면, 상기 열 전달 및 열 흡수는 상기 노즐 암의 대기 위치와 공정 위치 간의 이동시에 진행될 수 있다.
다른 예에 의하면, 상기 열 전달 및 열 흡수는 상기 노즐 암의 대기 위치에서의 대기시, 그리고 상기 노즐 암의 대기 위치와 공정 위치 간의 이동시에 진행될 수 있다.
다른 예에 의하면, 상기 열 전달 및 열 흡수는 상기 노즐 암의 공정 위치에서 상기 노즐이 상기 처리액을 토출하는 동안 진행될 수 있다.
상기 열 전달 및 열 흡수는 상기 노즐 암을 파지하여 이동시키는 노즐 이동 유닛과 상기 노즐 암의 접촉에 의해 진행될 수 있다.
상기 노즐 암은 복수 개 제공되고, 상기 노즐 이동 유닛은 상기 복수 개의 노즐 암들 중 어느 하나를 선택하여 선택된 상기 노즐 암을 이동시킬 수 있다.
상기 노즐 이동 유닛에 구비되는 히팅 코일, 온도 조절 유체 배관, 열전 소자, 그리고 이들의 조합 중 어느 하나를 이용하여 상기 노즐 암에 열을 전달하거나 상기 노즐 암으로부터 열을 흡수할 수 있다.
본 발명에 의하면, 노즐 암의 대기 위치에서의 대기시, 공정 위치에서의 공 정 진행시, 그리고 대기 위치와 공정 위치 간의 이동시 노즐 암을 통해 노즐로 공급되는 처리액을 일정 온도로 유지할 수 있다.
그리고, 본 발명에 의하면, 노즐로 공급되는 처리액의 온도를 일정하게 유지하기 위한 노즐 암의 내부 구성을 간소화할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 노즐 암의 이송에 따른 이송 부하를 줄일 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 노즐 암에 내장된 배관의 파손에 따른 누수를 방지할 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 처리액 공급 유닛과, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 방법을 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
( 실시 예 )
본 실시 예서는 도포 및 현상 공정을 진행하는 반도체 제조 설비를 예로 들어 설명하나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명은 세정액이나 식각액, 기타 여러 종류의 화학 약액(Chemical Liquid)을 이용하여 기판 을 처리하는 반도체 제조 설비들에 적용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치가 구비된 반도체 제조 설비의 평면도이고, 도 2는 도 1의 반도체 제조 설비의 측면도이며, 도 3은 도 1의 반도체 제조 설비의 공정 처리부를 설명하기 위한 도면이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 반도체 제조 설비(10)는 인덱스(20), 공정 처리부(30) 그리고 인터페이스(50)를 포함한다. 인덱스(20), 공정 처리부(30) 및 인터페이스(50)는 제 1 방향(12)으로 나란하게 배치된다. 인덱스(20)는 제 1 방향(12)을 따라 공정 처리부(30)의 전단부에 인접하게 배치되고, 인터페이스(50)는 제 1 방향(12)을 따라 공정 처리부(30)의 후단부에 인접하게 배치된다. 인덱스(20) 및 인터페이스(50)는 길이 방향이 제 1 방향(12)에 수직한 제 2 방향(14)을 향하도록 배치된다. 공정 처리부(30)는 상하 방향으로 적층 배치된 복층 구조를 가진다. 하층에는 제 1 처리부(32a)가 배치되고, 상층에는 제 2 처리부(32b)가 배치된다. 인덱스(20)와 인터페이스(50)는 공정 처리부(30)로 기판을 반출입한다.
제 1 처리부(32a)는 제 1 이송로(34a), 제 1 메인 로봇(36a), 그리고 처리 모듈(40)들을 포함한다. 제 1 이송로(34a)는 인덱스(20)와 인접한 위치에서 인터페이스(50)와 인접한 위치까지 제 1 방향(12)으로 길게 제공된다. 제 1 이송로(34a)의 길이 방향을 따라 제 1 이송로(34a)의 양측에는 처리 모듈(40)들이 배치되고, 제 1 이송로(34a)에는 제 1 메인 로봇(36a)이 설치된다. 제 1 메인 로봇(36a)은 인 덱스(20), 처리 모듈(40)들, 그리고 인터페이스(50) 간에 기판을 이송한다.
제 2 처리부(32b)는 제 2 이송로(34b), 제 2 메인 로봇(36b), 그리고 처리 모듈(40)들을 포함한다. 제 2 이송로(34b)는 인덱스(20)와 인접한 위치에서 인터페이스(50)와 인접한 위치까지 제 1 방향(12)으로 길게 제공된다. 제 2 이송로(34b)의 길이 방향을 따라 제 2 이송로(34b)의 양측에는 처리 모듈(40)들이 배치되고, 제 2 이송로(34b)에는 제 2 메인 로봇(36b)이 설치된다. 제 2 메인 로봇(36b)은 인덱스(20), 처리 모듈(40)들, 그리고 인터페이스(50) 간에 기판을 이송한다.
제 1 처리부(32a)는 도포 공정을 진행하는 모듈들을 가지고, 제 2 처리부(32b)는 현상 공정을 진행하는 모듈들을 가질 수 있다. 이와 반대로 제 1 처리부(32a)가 현상 공정을 진행하는 모듈들을 가지고, 제 2 처리부(32b)가 도포 공정을 진행하는 모듈들을 가질 수 있다. 또한, 제 1 및 제 2 처리부(32a, 32b)가 도포 공정을 수행하는 모듈들과 현상 공정을 수행하는 모듈들을 모두 가질 수도 있다.
도포 공정을 진행하는 모듈로는, 어드히젼(Adhesion) 공정을 진행하는 모듈, 기판의 냉각 공정을 진행하는 모듈, 감광액 도포 공정을 진행하는 모듈, 그리고 소프트 베이크(Soft Bake) 공정을 진행하는 모듈 등을 예로 들 수 있다. 현상 공정을 진행하는 모듈로는, 노광된 기판을 소정 온도로 가열하는 모듈, 기판을 냉각하는 모듈, 기판상에 현상액을 공급하여 노광된 영역 또는 그 반대 영역을 제거하는 모듈, 하드 베이크(Hard Bake) 공정을 수행하는 모듈 등을 예로 들 수 있다.
인덱스(20)는 공정 처리부(30)의 전단부에 설치된다. 인덱스(20)는 기판들이 수용된 카세트(C)가 놓이는 로드 포트들(22a,22b,22c,22d)과, 인덱스 로봇(100a)을 가진다. 로드 포트들(22a,22b,22c,22d)은 제 2 방향(14)을 따라 일 방향으로 나란하게 배치되고, 인덱스 로봇(100a)은 로드 포트들(22a,22b,22c,22d)과 공정 처리부(30)의 사이에 위치한다. 기판들을 수용하는 용기(C)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(미도시)에 의해 로드 포트(22a,22b,22c,22d) 상에 놓인다. 용기(C)는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 인덱스 로봇(100a)은 로드 포트(22a,22b,22c,22d)에 놓인 용기(C)와 공정 처리부(30) 간에 기판을 이송한다.
인터페이스(50)는 공정 처리부(30)를 기준으로 인덱스(20)와 대칭을 이루도록 공정 처리부(30)의 후단부에 설치된다. 인터페이스(50)는 인터페이스 로봇(100b)을 가진다. 인터페이스 로봇(100b)은 인터페이스(50)의 후단에 연결되는 노광 처리부(50)와 공정 처리부(30) 간에 기판을 이송한다.
인덱스 로봇(100a)은 수평 가이드(110), 수직 가이드(120), 그리고 로봇 아암(130)을 가진다. 로봇 아암(130)은 제 1 방향(12)으로 직선 이동 가능하며, Z 축을 중심축으로 하여 회전할 수 있다. 수평 가이드(110)는 로봇 아암(130)의 제 2 방향(14)을 따른 직선 이동을 안내하고, 수직 가이드(120)는 로봇 아암(130)의 제 3 방향(16)을 따른 직선 이동을 안내한다. 로봇 아암(130)은 수평 가이드(110)를 따라 제 2 방향(14)으로 직선 이동하고, Z 축을 중심축으로 회전하고, 제 3 방향(16)으로 이동 가능한 구조를 가진다. 인터페이스 로봇(100b)은 인덱스 로봇(100a)과 동일한 구조를 가질 수 있다.
상술한 바와 같은 구성을 가지는 반도체 제조 설비(10)의 동작을 설명하면 다음과 같다. 기판들이 수용된 카세트(C)가 오퍼레이터 또는 이송 수단(미도시)에 의해 인덱스(20)의 로드 포트(22a)에 놓인다. 인덱스 로봇(100a)은 로드 포트(22a)에 놓인 카세트(C)로부터 기판을 인출하여 제 1 처리부(32a)의 제 1 메인 로봇(36a)으로 기판을 인계한다. 제 1 메인 로봇(36a)은 제 1 이송로(34a)를 따라 이동하면서 각각의 처리 모듈들(40)로 기판을 로딩하여 도포 공정을 수행한다. 처리 모듈들(40)에서 기판에 대한 처리 공정이 완료되면, 처리된 기판은 처리 모듈들(40)로부터 언로딩된다. 언로딩된 기판은 제 1 메인 로봇(36a)에 의해 인터페이스 로봇(100b)로 전달되고, 인터페이스 로봇(100b)는 이를 노광 처리부(50)으로 이송한다. 노광 처리부(50)에서 노광 공정이 완료된 기판은 인터페이스 로봇(100b)에 의해 제 2 처리부(32b)로 전달된다. 기판은 제 2 메인 로봇(36b)에 의해 처리 모듈들(40)로 이송되면서 현상 공정이 수행된다. 현상 공정이 완료된 기판은 인덱스(20)로 전달된다.
도 4는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일 예를 보여주는 평면도이고, 도 5는 도 4의 기판 처리 장치의 측단면도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 처리 모듈(40)은 처리실(400), 기판 지지 유닛(410), 용기(420), 그리고 처리액 공급 유닛을 포함한다. 처리실(400)은 기판 처리 공정이 진행되는 공간을 제공한다. 처리실(400)의 측벽(402)에는 처리실(400)로 기판을 반출입하기 위한 개구(402a)가 형성된다. 처리실(400)의 내측에는 기판 지지 유닛(410)이 배치되고, 기판 지지 유닛(410)의 둘레에는 용기(420)가 배치된다. 기판 지지 유닛(410)은 기판을 지지하며, 회전 가능하게 제공된다. 용기(420)는 회전하는 기판에 의해 처리액이 비산되는 것을 방지한다. 처리액 공급 유닛은 기판 지지 유닛(410)에 놓인 기판 상으로 처리액을 공급하여 기판을 처리한다.
기판 지지 유닛(410)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 동안 모터 등의 회전 구동 부재(412)에 의해 회전된다. 기판 지지 유닛(410)은 원형의 상부 면을 가지는 지지판(414)을 가지며, 지지판(414)의 상부 면에는 기판(W)을 지지하는 핀 부재(416)들이 설치된다.
기판 지지 유닛(410)의 둘레에는 용기(420)가 배치된다. 용기(420)는 대체로 원통 형상을 가지며, 하부 벽(422)에는 배기 홀(424)이 형성되고, 배기 홀(424)에는 배기관(426)이 연통 설치된다. 배기관(426)에는 펌프와 같은 배기 부재(428)가 연결되며, 배기 부재(428)는 기판(W)의 회전에 의해 비산된 처리액을 포함하는 용기(420) 내부의 공기를 배기시키도록 음압을 제공한다.
처리액 공급 유닛은 기판 지지 유닛(410) 상에 놓인 기판(W)의 상면으로 처리액을 공급한다. 처리액 공급 유닛은 처리액 공급 부재들(430a,430b,430c), 대기 포트들(440a,440b,440c) 및 노즐 이동 유닛(500)을 포함한다. 처리액 공급 부재들(430a,430b,430c)은 사용되는 처리액의 종류에 따라 복수 개가 제공될 수 있다. 대기 포트들(440a,440b,440c)은 처리액 공급 부재들(430a,430b,430c)이 공정 진행을 위해 대기하는 장소를 제공한다. 노즐 이동 유닛(500)은 처리액 공급 부재들(430a,430b,430c) 중 어느 하나(예 : 430a)를 취사 선택하고, 선택된 처리액 공급 부재(430a)를 대기 포트(440a)의 대기 위치와 기판 지지 유닛(410) 상부의 공정 위치 간에 이동시킨다.
처리액 공급 부재들(430a,430b,430c)은 기판 지지 유닛(410)의 일 측에 평행을 이루도록 나란하게 제공될 수 있으며, 대기 포트들(440a,440b,440c)에 의해 지지될 수 있다. 여기서, 도면 번호 430a은 제 1 처리액 공급 부재이고, 430b는 제 2 처리액 공급 부재이며, 430c는 제 3 처리액 공급 부재이다. 처리액 공급 부재들(430a,430b,430c)은 동일한 구성을 가질 수 있으며, 처리액 공급 부재들(430a,430b,430c) 중 하나의 처리액 공급 부재(430c)를 예로 들어 설명한다.
처리액 공급 부재(430c)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 기판 지지 유닛(도 4의 도면 번호 410)에 놓인 기판으로 처리액을 토출하는 노즐(432)을 가진다. 노즐(432)은 노즐 암(434)의 일단에 수직하게 설치될 수 있다. 노즐 암(434)의 내부에는 노즐(432)로 처리액을 공급하는 처리액 배관(436)이 내장된다. 그리고 노즐 암(434)의 내벽과 처리액 배관(436) 사이의 공간에는 전열관(傳熱管, Heat Pipe, 438)이 배치될 수 있다. 전열관(438)은 노즐 암(434)과 처리액 배관(436) 간에 열을 전달한다.
대기 포트들(440a,440b,440c)은 처리액 공급 부재들(430a,430b,430c)이 공정 진행을 위해 대기하는 장소를 제공한다. 대기 포트들(440a,440b,440c)은 기판 지지 유닛(410)의 일측에 나란하게 제공된다. 제 1 대기 포트(440a)에는 제 1 처리액 공급 부재(430a)가 위치하고, 제 2 대기 포트(440b)에는 제 2 처리액 공급 부재(430b)가 위치하며, 제 3 대기 포트(440c)에는 제 3 처리액 공급 부재(430c)가 위치한다. 제 1 내지 제 3 대기 포트들(440a,440b,440c)은 동일한 구성을 가지므로, 이하에서는 제 3 대기 포트(440c)를 예로 들어 설명하고, 제 1 및 제 2 대기 포트(440a,440b)에 대한 설명은 생략한다.
제 3 대기 포트(440c)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 제 3 처리액 공급 부재(430c)의 노즐 암(434)이 놓이는 암 지지 부재(442)를 가진다. 암 지지 부재(442)는 노즐 암(434)에 대응하는 길이의 블록 형상으로 제공될 수 있으며, 노즐 암(434)의 길이 방향을 따라 노즐 암(434)의 하단부와 면 접촉한다. 암 지지 부재(442)에는 암 지지 부재(442)의 온도를 조절하는 제 1 온도 조절 부재(444)가 제공될 수 있다.
제 1 온도 조절 부재(444)는 히팅 코일로 구비될 수 있다. 히팅 코일은 암 지지 부재(442)에 내장되며, 히팅 코일에는 전원을 공급하는 전원 공급부(445)가 연결된다.
제 1 온도 조절 부재(444)는 전원 공급부(445)로부터 전달되는 전력에 의해 열을 발생하고, 제 1 온도 조절 부재(444)가 발생시킨 열은 암 지지 부재(442)로 전달된다. 암 지지 부재(442)로 전달된 열은 암 지지 부재(442)와 면 접촉하는 노즐 암(434)으로 전달된다. 암 지지 부재(442)와 노즐 암(434) 간의 열 전달은 열 전도(Heat Conduction)에 의해 이루어진다. 열 전도에 의해 노즐 암(434)으로 전달된 열은 노즐 암(434) 내부의 전열관(438)을 통해 처리액 배관(436)으로 전달된다. 처리액 배관(436)으로 전달된 열은 처리액 배관(436) 내의 처리액으로 전달되며, 처리액의 온도는 전달받은 열에 의해 상승할 수 있다. 이와 같은 과정을 통해 노즐 암(434)이 대기 포트(440c)에서 대기 하는 동안, 처리액 배관(436) 내의 처리액의 온도가 조절될 수 있다.
다른 예에 의하면, 도 7에 도시된 바와 같이, 제 1 온도 조절 부재는 온도 조절 유체 배관(444')으로 구비될 수도 있다. 온도 조절 유체 배관(444')은 암 지지 부재(442)에 내장되고, 온도 조절 유체 배관(444')을 통해서는 온도가 조절된 유체가 흐를 수 있다. 온도 조절 유체 배관(444')의 유입구(445'a)에는 유체 공급 라인(446'a)이 연결되고, 유체 공급 라인(446'a)의 타단에는 유체 공급원(447')이 연결된다. 유체 공급원(447')과 유입구(445'a) 사이의 유체 공급 라인(446'a) 상에는 온도 조절기(448')와 펌프(449')가 배치될 수 있다. 온도 조절기(448')는 유체 공급원(447')으로부터 공급되는 유체를 가열하거나 냉각하여 유체의 온도를 조절하 고, 펌프(449')는 온도가 조절된 유체를 유입구(445'a)로 펌핑한다. 온도 조절 유체 배관(444')의 유출구(445'b)에는 유체 배수 라인(446'b)이 연결된다.
온도 조절 유체 배관(444')을 통해 흐르는 온도가 조절된 유체는 암 지지 부재(442)로 열을 전달되거나 암 지지 부재(442)로부터 열을 전달받는다. 예를 들어, 노즐 암(434)에 내장된 처리액 배관(436) 내의 처리액의 온도가 요구되는 온도보다 높은 경우, 온도 조절기(448')는 유체 공급원(447')으로부터 공급되는 유체를 처리액 보다 상대적으로 저온 상태로 냉각한다. 저온 상태의 유체는 온도 조절 유체 배관(444')을 통해 흐르면서, 암 지지 부재(442)로부터 열을 흡수한다. 암 지지 부재(442)의 열이 저온 상태의 유체로 전달되면, 노즐 암(434)으로부터 암 지지 부재(442)로, 전열관(438)으로부터 노즐 암(434)으로, 그리고 처리액 배관(436)으로부터 전열관(438)으로 순차적으로 열이 전달되어, 처리액 배관(436) 내의 처리액의 온도가 낮아지도록 조절된다.
그리고, 노즐 암(434)에 내장된 처리액 배관(436) 내의 처리액의 온도가 요구되는 온도보다 낮은 경우, 온도 조절기(448')는 유체 공급원(447')으로부터 공급되는 유체를 처리액 보다 상대적으로 고온 상태로 가열한다. 고온 상태의 유체는 온도 조절 유체 배관(444')을 통해 흐르면서, 암 지지 부재(442)로 열을 전달한다. 고온 상태의 유체의 열이 암 지지 부재(442)로 전달되면, 암 지지 부재(442)로부터 노즐 암(434)으로, 노즐 암(434)으로부터 전열관(438)으로, 그리고 전열관(438)으로부터 처리액 배관(436)으로 순차적으로 열이 전달되어, 처리액 배관(436) 내의 처리액의 온도가 높아지도록 조절된다.
또 다른 예에 의하면, 도 8에 도시된 바와 같이, 제 1 온도 조절 부재는 열전 소자(444"-1,444"-2)로 구비될 수도 있다. 열전 소자(444"-1,444"-2)는 P형 소자(444"-1)와 N형 소자(444"-2)를 가지며, 암 지지 부재(442)에 내장된다. P형 소자(444"-1)와 N형 소자(444"-2)는 암 지지 부재(442)의 길이 방향을 따라 교차되도록 배열된다. 이웃한 P형 소자(444"-1)와 N형 소자(444"-2)는 전열판(445")에 의해 연결되며, 이때 P형 소자(444"-1) 및 N형 소자(444"-2)의 상단과 하단이 번갈아가면서 서로 연결된다. 전열판(445")에는 전원(446")이 연결되며, 전원(446")으로부터 전열판(445")로 인가되는 전류의 방향은 전환될 수 있다.
전원(446")의 전류 인가 방향이 전환되면, 열전 소자들(444"-1,444"-2)의 상단을 연결하는 전열판(445")이 가열되거나 냉각된다. 전열판(445")이 가열되면, 전열판(445")으로부터 암 지지 부재(442)로 열이 전달되고, 전열판(445")이 냉각되면, 암 지지 부재(442)로부터 전열판(445")으로 열이 전달된다.
예를 들어, 노즐 암(434)에 내장된 처리액 배관(436) 내의 처리액의 온도가 요구되는 온도보다 높은 경우, 전열판(445")이 냉각되도록 열전 소자들(444"-1,444"-2)에 전류를 인가한다. 그러면, 전열판(445")은 암 지지 부재(442)로부터 열을 흡수한다. 암 지지 부재(442)의 열이 전열판(445")으로 전달되면, 노즐 암(434)으로부터 암 지지 부재(442)로, 전열관(438)으로부터 노즐 암(434)으로, 그리고 처리액 배관(436)으로부터 전열관(438)으로 순차적으로 열이 전달되어, 처리액 배관(436) 내의 처리액의 온도가 낮아지도록 조절된다.
그리고, 노즐 암(434)에 내장된 처리액 배관(436) 내의 처리액의 온도가 요구되는 온도보다 낮은 경우, 전열판(445")이 가열되도록 열전 소자들(444"-1,444"-2)에 전류를 인가한다. 그러면, 전열판(445")은 암 지지 부재(442)로 열을 전달한다. 전열판(445")의 열이 암 지지 부재(442)로 전달되면, 암 지지 부재(442)로부터 노즐 암(434)으로, 노즐 암(434)으로부터 전열관(438)으로, 그리고 전열관(438)으로부터 처리액 배관(436)으로 순차적으로 열이 전달되어, 처리액 배관(436) 내의 처리액의 온도가 높아지도록 조절된다.
다시, 도 4 및 도 5를 참조하면, 노즐 이동 유닛(500)은 처리액 공급 부재들(430a,430b,430c) 중 어느 하나(예 : 430a)를 취사 선택하고, 선택된 처리액 공급 부재(430a)를 대기 포트(440a)의 대기 위치와 기판 지지 유닛(410) 상부의 공정 위치 간에 이동시킨다.
노즐 이동 유닛(500)은 파지 부재(510), 제 2 온도 조절 부재(520), 그리고 이동 부재(530)를 포함한다. 파지 부재(510)는 처리액 공급 부재(430a)의 노즐 암(434)을 파지할 수 있다. 제 2 온도 조절 부재(520)는 파지 부재(510)에 제공되며, 파지 부재(510)의 온도를 조절한다. 파지 부재(510)의 온도 조절을 통해 파지 부재(510)에 파지된 노즐 암(434)에 내장되어 있는 처리액 배관(도 6의 도면 번호436) 내의 처리액의 온도가 조절될 수 있다. 이동 부재(530)는 파지 부재(510)를 이동시켜, 파지 부재(510)에 파지된 처리액 공급 부재(430a)를 대기 위치와 공정 위치 간에 이동시킨다.
파지 부재(510)는, 도 9에 도시된 바와 같이, 제 1 및 제 2 홀더(512,514)와, 제 1 구동기(516)를 포함한다. 제 1 및 제 2 홀더(512,514)는 노즐 암(434)의 길이 방향에 수직한 방향을 따라 서로 간에 멀어지거나 가까워지도록 이동하면서 노즐 암(434)을 파지할 수 있다. 구체적으로, 제 1 및 제 2 홀더(512,514) 각각은 노즐 암(434)의 측부와 접촉하도록 수직하게 배치된 측벽과, 노즐 암(434)의 하단부와 접촉하도록 측벽으로부터 수평하게 연장되는 하부 벽을 가질 수 있다. 제 1 및 제 2 홀더(512,514)의 측벽 상단은 제 1 구동기(516)에 연결된다. 제 1 구동기(516)는 노즐 암(434)의 길이 방향에 수직한 방향을 따라 서로 멀어지거나 서로 가까워지도록 제 1 및 제 2 홀더(512,514)를 직선 이동시킬 수 있다.
제 2 온도 조절 부재(520)는 파지 부재(510)의 온도를 조절한다. 파지 부재(510)의 온도 조절에 의해, 파지 부재(510)에 파지된 노즐 암(434)과 파지 부재(510) 간에 열전달이 이루어지고, 이를 통해 노즐 암(434)에 내장되어 있는 처리액 배관(도 6의 도면 번호436) 내의 처리액의 온도가 조절될 수 있다. 제 2 온도 조절 부재(520)는, 도 9에 도시된 바와 같이, 제 1 및 제 2 홀더(512,514)의 측벽에 내장될 수 있으며, 제 2 온도 조절 부재(520)로는 히팅 코일이 사용될 수 있다. 또한, 제 2 온도 조절 부재로는 도 10과 도 11에 도시된 바와 같이 온도 조절 유체 배관(520'), 또는 열전 소자(520")가 사용될 수 있으며, 이들의 조합 중 어느 하나를 제 2 온도 조절 부재로 사용할 수도 있다.
제 2 온도 조절 부재(520,520',520")에 의한 처리액 배관(도 6의 도면 번호436) 내의 처리액의 온도 조절 메커니즘은 제 1 온도 조절 부재들(444,444',444"- 1,444"-2)을 이용한 경우와 유사하므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. 다만, 제 1 온도 조절 부재들(444,444',444"-1,444"-2)은 고정된 대기 포트(440a,440b,440c)에 제공되는 반면에, 제 2 온도 조절 부재(520,520',520")는 대기 위치와 공정 위치 간에 이동되는 파지 부재(510)에 제공되므로, 처리액 공급 부재들(430a,430b,430c)의 이동 중에도 처리액 배관 내의 처리액의 온도를 조절할 수 있다.
이동 부재(530)는 파지 부재(510)를 지지하는 수평 지지대(531)를 가진다. 수평 지지대(531)는 길이 방향이 노즐 암(434)의 길이 방향을 향하도록 수평하게 제공된다. 수평 지지대(531)는 수평 지지대(531)에 수직하게 배치된 이동 로드(533)에 결합되며, 이동 로드(533)에는 수평 지지대(531)를 상하 방향으로 이동시키는 제 2 구동기(532)가 설치된다.
이동 로드(533)의 하단부에는 연결 부재(534)가 결합되고, 연결 부재(534)는 가이드 부재(535)에 연결된다. 가이드 부재(535)는 대기 포트들(440a,440b,440c)의 배열 방향과 평행을 이루도록 기판 지지 유닛(410)의 일 측에 배치된다. 가이드 부재(535)는 가이드 레일 형상으로 제공될 수 있으며, 이동 로드(533)의 직선 이동을 안내한다. 그리고, 연결 부재(534)에는 가이드 부재(535)와 평행을 이루도록 배치된 리드 스크류(537)가 연결될 수 있으며, 리드 스크류(537)의 일단에는 리드 스크류(537)를 회전시키기 위한 제 3 구동기(536)가 연결된다. 제 3 구동기(536)의 회전력이 리드 스크류(537)로 전달되면, 리드 스크류(537)의 회전에 의해 리드 스크류(537)에 결합된 연결 부재(534)가 직선 운동을 한다. 그러면, 연결 부재(534)가 결합된 이동 로드(533)와, 이동 로드(523)가 연결된 수평 지지대(531)가 직선 이동하여, 파지 부재(510)에 파지된 처리액 공급 부재(430a)가 대기 위치와 공정 위치 간에 이동될 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 기판 처리 장치는 노즐 암의 대기 위치에서의 대기시 뿐만 아니라, 대기 위치와 공정 위치 간의 이동시에도 노즐 암에 제공되는 처리액 배관 내의 처리액의 온도를 조절할 수 있다. 또한, 상기와 같은 구성에 의해 공정 위치에서의 공정 진행시에도 처리액의 온도 조절이 가능함은 물론이다.
종래에는 처리액 배관 내의 처리액의 온도 조절을 위해 노즐 암 내부에 항온수 배관을 설치하였으나, 항온수 배관으로 인해 이송 부하가 증가하고 배관의 파손에 따른 누수의 위험성이 있었다. 그러나, 본 발명은 노즐 암 내부에 항온수 배관을 설치하지 않고, 대기 포트와 노즐 이동 유닛에 별도의 온도 조절 부재를 설치함으로써, 노즐 암의 이송에 따른 이송 부하를 줄이고, 노즐 암에 내장된 배관의 파손에 따른 누수를 방지할 수 있는 이점을 가진다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이하에 설명된 도면들은 단지 예시의 목적을 위한 것이고, 본 발명의 범위를 제한하기 위한 것이 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치가 구비된 반도체 제조 설비의 평면도이다.
도 2는 도 1의 반도체 제조 설비의 측면도이다.
도 3은 도 1의 반도체 제조 설비의 공정 처리부를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 5는 도 4의 기판 처리 장치의 측단면도이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
430a,430b,430c : 처리액 공급 부재 432 : 노즐
434 : 노즐 암 436 : 처리액 배관
438 : 전열관 440a,440b,440c : 대기 포트
442 : 암 지지 부재
444,444',444"-1,444"-2 : 제 1 온도 조절 부재
500 : 노즐 이동 유닛 510 : 파지 부재
520, 520', 520" : 제 2 온도 조절 부재 530 : 이동 부재

Claims (37)

  1. 기판을 지지하는 기판 지지 유닛;
    상기 기판 지지 유닛에 놓인 상기 기판으로 처리액을 토출하는 노즐이 장착되고, 상기 노즐에 상기 처리액을 공급하는 처리액 배관이 내장된 노즐 암;
    상기 노즐 암이 공정 진행을 위해 대기하는 장소를 제공하며, 상기 노즐 암과의 열전달을 통해 상기 노즐 암에 내장된 상기 처리액 배관 내의 상기 처리액의 온도를 조절하는 대기 포트; 그리고
    상기 대기 포트의 대기 위치와 상기 기판 상부의 공정 위치 간에 상기 노즐 암을 이동시키는 노즐 이동 유닛을 포함하되,
    상기 대기 포트는 상기 노즐 암이 놓이는 암 지지 부재; 및 상기 암 지지 부재에 제공되며 상기 암 지지 부재의 온도를 조절하는 제 1 온도 조절 부재를 포함하고,
    상기 노즐 이동 유닛은 상기 노즐 암을 파지하는 파지 부재 및 상기 파지 부재를 상기 대기 위치와 상기 공정 위치 간에 이동시키는 이동 부재를 포함하고,
    상기 파지 부재는 상기 노즐 암의 길이 방향에 수직한 방향을 따라 서로 간에 멀어지거나 가까워지도록 이동하면서 상기 노즐 암을 홀딩하는 제 1 및 제 2 홀더; 그리고 상기 제 1 및 제 2 홀더를 구동시키는 제 1 구동기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 온도 조절 부재는 히팅 코일, 온도 조절 유체 배관, 열전 소자, 그리고 이들의 조합 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 암 지지 부재는
    상기 노즐 암의 길이 방향을 따라 상기 노즐 암의 하단부와 면 접촉하여 열 전도에 의해 상기 노즐 암에 열을 전달하도록 상기 노즐 암에 대응하는 길이를 가지는 블록 형상을 가지고,
    상기 제 1 온도 조절 부재는 상기 암 지지 부재에 내장되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 노즐 이동 유닛은 상기 파지 부재에 제공되며, 상기 파지 부재의 온도를 조절하는 제 2 온도 조절 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제 1 항, 제 3 항, 제 4 항, 그리고 제 5 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 대기 포트는 상기 기판 지지 유닛의 일 측에 나란하게 복수 개 제공되고,
    각각의 상기 대기 포트들에는 상기 노즐이 장착된 상기 노즐 암이 위치하며,
    상기 노즐 이동 유닛은 상기 복수 개의 노즐 암들 중 어느 하나를 선택하여 상기 대기 포트의 대기 위치로부터 상기 기판 상부의 공정 위치로 이동시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 홀더 각각은 상기 노즐 암의 측부와 접촉하도록 수직하게 배치된 측벽과, 상기 노즐 암의 하단부와 접촉하도록 상기 측벽으로부터 수평하게 연장되는 하부 벽을 가지며,
    상기 제 2 온도 조절 부재는 상기 제 1 및 제 2 홀더의 상기 측벽에 내장되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 2 온도 조절 부재는 히팅 코일, 온도 조절 유체 배관, 열전 소자, 그리고 이들의 조합 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 기판을 지지하는 기판 지지 유닛;
    상기 기판 지지 유닛에 놓인 상기 기판으로 처리액을 토출하는 노즐이 장착되고, 상기 노즐에 상기 처리액을 공급하는 처리액 배관이 내장된 노즐 암;
    상기 노즐 암이 공정 진행을 위해 대기하는 장소를 제공하며, 상기 노즐 암과의 열전달을 통해 상기 노즐 암에 내장된 상기 처리액 배관 내의 상기 처리액의 온도를 조절하는 대기 포트; 그리고
    상기 대기 포트의 대기 위치와 상기 기판 상부의 공정 위치 간에 상기 노즐 암을 이동시키는 노즐 이동 유닛을 포함하되,
    상기 대기 포트는 상기 노즐 암이 놓이는 암 지지 부재; 및 상기 암 지지 부재에 제공되며 상기 암 지지 부재의 온도를 조절하는 제 1 온도 조절 부재를 포함하고,
    상기 노즐 이동 유닛은 상기 노즐 암을 파지하는 파지 부재 및 상기 파지 부재를 상기 대기 위치와 상기 공정 위치 간에 이동시키는 이동 부재를 포함하고,
    상기 이동 부재는 상기 파지 부재를 지지하는 수평 지지대, 상기 수평 지지대에 수직하게 연결되며 상기 수평 지지대를 상하 방향으로 이동시키는 제 2 구동기가 설치된 이동 로드, 그리고 상기 이동 로드를 상기 대기 위치와 상기 공정 위치 간에 이동시키는 제 3 구동기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 제 1 항, 제 3 항, 제 4 항, 그리고 제 5 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 노즐 암의 내벽과 상기 처리액 배관 사이에 배치되며, 상기 노즐 암과 상기 처리액 배관 간에 열을 전달하는 전열관(傳熱管, Heat Pipe)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 기판을 지지하는 기판 지지 유닛;
    상기 기판 지지 유닛에 놓인 상기 기판으로 처리액을 토출하는 노즐이 장착되고, 상기 노즐에 상기 처리액을 공급하는 처리액 배관이 내장된 노즐 암;
    상기 노즐 암을 이동시키며, 상기 노즐 암과의 열전달을 통해 상기 노즐 암에 내장된 상기 처리액 배관 내의 상기 처리액의 온도를 조절하는 노즐 이동 유닛을 포함하고,
    상기 노즐 이동 유닛은,
    상기 노즐 암을 파지하는 파지 부재;
    상기 파지 부재에 제공되며, 상기 파지 부재의 온도를 조절하는 온도 조절 부재; 및
    상기 파지 부재를 상기 기판 지지 유닛에 놓인 기판의 상부인 공정 위치와 상기 공정 위치에서 벗어난 대기 위치 간에 이동시키는 이동 부재를 포함하고,
    상기 파지 부재는,
    상기 노즐 암의 길이 방향에 수직한 방향을 따라 서로 간에 멀어지거나 가까워지도록 이동하면서 상기 노즐 암을 홀딩하는 제 1 및 제 2 홀더; 그리고
    상기 제 1 및 제 2 홀더를 구동시키는 제 1 구동기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 홀더 각각은 상기 노즐 암의 측부와 접촉하도록 수직하게 배치된 측벽과, 상기 노즐 암의 하단부와 접촉하도록 상기 측벽으로부터 수평하게 연장되는 하부 벽을 가지며,
    상기 제 2 온도 조절 부재는 상기 제 1 및 제 2 홀더의 상기 측벽에 내장되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 2 온도 조절 부재는 히팅 코일, 온도 조절 유체 배관, 열전 소자, 그리고 이들의 조합 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  18. 기판을 지지하는 기판 지지 유닛;
    상기 기판 지지 유닛에 놓인 상기 기판으로 처리액을 토출하는 노즐이 장착되고, 상기 노즐에 상기 처리액을 공급하는 처리액 배관이 내장된 노즐 암;
    상기 노즐 암을 이동시키며, 상기 노즐 암과의 열전달을 통해 상기 노즐 암에 내장된 상기 처리액 배관 내의 상기 처리액의 온도를 조절하는 노즐 이동 유닛을 포함하고,
    상기 노즐 이동 유닛은,
    상기 노즐 암을 파지하는 파지 부재;
    상기 파지 부재에 제공되며, 상기 파지 부재의 온도를 조절하는 온도 조절 부재; 및
    상기 파지 부재를 상기 기판 지지 유닛에 놓인 기판의 상부인 공정 위치와 상기 공정 위치에서 벗어난 대기 위치 간에 이동시키는 이동 부재를 포함하고,
    상기 이동 부재는,
    상기 파지 부재를 지지하는 수평 지지대;
    상기 수평 지지대에 수직하게 연결되며, 상기 수평 지지대를 상하 방향으로 이동시키는 제 2 구동기가 설치된 이동 로드;
    상기 이동 로드를 상기 대기 위치와 상기 공정 위치 간에 이동시키는 제 3 구동기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  19. 제 15 항 내지 제 18 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 노즐 암의 내벽과 상기 처리액 배관 사이에 배치되며, 상기 노즐 암과 상기 처리액 배관 간에 열을 전달하는 전열관(傳熱管, Heat Pipe)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  20. 제 15 항 내지 제 18 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 노즐 암이 공정 진행을 위해 대기하는 장소를 제공하는 대기 포트를 더 포함하며,
    상기 노즐 이동 유닛은 상기 대기 포트의 대기 위치와 상기 기판 상부의 공정 위치 간에 상기 노즐 암을 이동시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 대기 포트는 상기 기판 지지 유닛의 일 측에 나란하게 복수 개 제공되고,
    각각의 상기 대기 포트들에는 상기 노즐이 장착된 상기 노즐 암이 위치하며,
    상기 노즐 이동 유닛은 상기 복수 개의 노즐 암들 중 어느 하나를 선택하여 상기 대기 포트의 대기 위치로부터 상기 기판 상부의 공정 위치로 이동시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  22. 삭제
  23. 삭제
  24. 처리액을 토출하는 노즐이 장착되고, 상기 노즐에 상기 처리액을 공급하는 처리액 배관이 내장된 노즐 암;
    상기 노즐 암이 공정 진행을 위해 대기하는 장소를 제공하는 대기 포트; 및
    상기 대기 포트에서 대기하는 상기 노즐 암을 이동시키며, 상기 노즐 암과의 열전달을 통해 상기 노즐 암에 내장된 상기 처리액 배관 내의 상기 처리액의 온도를 조절하는 노즐 이동 유닛을 포함하되,
    상기 노즐 이동 유닛은,
    상기 노즐 암을 파지하는 파지 부재;
    상기 파지 부재에 제공되며, 상기 파지 부재의 온도를 조절하는 온도 조절 부재; 및
    상기 파지 부재를 상기 대기 위치와 상기 공정 위치 간에 이동시키는 이동 부재를 포함하고,
    상기 파지 부재는
    상기 노즐 암의 길이 방향에 수직한 방향을 따라 서로 간에 멀어지거나 가까워지도록 이동하면서 상기 노즐 암을 홀딩하는 제 1 및 제 2 홀더; 그리고
    상기 제 1 및 제 2 홀더를 구동시키는 제 1 구동기를 포함하는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 유닛.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 홀더 각각은 상기 노즐 암의 측부와 접촉하도록 수직하게 배치된 측벽과, 상기 노즐 암의 하단부와 접촉하도록 상기 측벽으로부터 수평하게 연장되는 하부 벽을 가지며,
    상기 제 2 온도 조절 부재는 상기 제 1 및 제 2 홀더의 상기 측벽에 내장되는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 유닛.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 제 2 온도 조절 부재는 히팅 코일, 온도 조절 유체 배관, 열전 소자, 그리고 이들의 조합 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 유닛.
  27. 처리액을 토출하는 노즐이 장착되고, 상기 노즐에 상기 처리액을 공급하는 처리액 배관이 내장된 노즐 암;
    상기 노즐 암이 공정 진행을 위해 대기하는 장소를 제공하는 대기 포트; 및
    상기 대기 포트에서 대기하는 상기 노즐 암을 이동시키며, 상기 노즐 암과의 열전달을 통해 상기 노즐 암에 내장된 상기 처리액 배관 내의 상기 처리액의 온도를 조절하는 노즐 이동 유닛을 포함하되,
    상기 노즐 이동 유닛은,
    상기 노즐 암을 파지하는 파지 부재;
    상기 파지 부재에 제공되며, 상기 파지 부재의 온도를 조절하는 온도 조절 부재; 및
    상기 파지 부재를 상기 대기 위치와 상기 공정 위치 간에 이동시키는 이동 부재를 포함하고,
    상기 이동 부재는,
    상기 파지 부재를 지지하는 수평 지지대;
    상기 수평 지지대에 수직하게 연결되며, 상기 수평 지지대를 상하 방향으로 이동시키는 제 2 구동기가 설치된 이동 로드;
    상기 이동 로드를 상기 대기 위치와 상기 공정 위치 간에 이동시키는 제 3 구동기를 포함하는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 유닛.
  28. 제 24 항 내지 제 27 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 대기 포트는 일 방향으로 나란하게 복수 개 제공되고,
    각각의 상기 대기 포트들에는 상기 노즐이 장착된 상기 노즐 암이 위치하며,
    상기 노즐 이동 유닛은 상기 복수 개의 노즐 암들 중 어느 하나를 선택하여 상기 대기 포트의 대기 위치로부터 공정 위치로 이동시키는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 유닛.
  29. 제 28 항에 있어서,
    상기 노즐 암의 내벽과 상기 처리액 배관 사이에 배치되며, 상기 노즐 암과 상기 처리액 배관 간에 열을 전달하는 전열관(傳熱管, Heat Pipe)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 유닛.
  30. 기판을 지지하는 기판 지지 유닛;
    상기 기판 지지 유닛에 놓인 상기 기판으로 처리액을 토출하는 노즐이 장착되고, 상기 노즐에 상기 처리액을 공급하는 처리액 배관이 내장된 노즐 암;
    상기 기판 지지 유닛의 일 측에 위치되며 상기 노즐 암이 놓이는 암 지지 부재; 및
    상기 암 지지 부재에 제공되며 상기 암 지지 부재의 온도를 조절하는 제 1 온도 조절 부재를 포함하되,
    상기 노즐 암은 그 길이 방향이 수평 방향으로 제공되고,
    상기 암 지지 부재는 그 길이 방향이 상기 노즐 암의 길이 방향과 평행하게 위치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  31. 제 30 항에 있어서,
    상기 암 지지 부재는 상기 노즐 암의 아래에 위치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  32. 제 30 항 또는 제 31 항에 있어서,
    상기 암 지지 부재는 상기 노즐 암의 길이 방향을 따라 상기 노즐 암의 하단과 면 접촉하도록 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  33. 제 32 항에 있어서,
    상기 암 지지 부재는 블록 형상으로 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  34. 제 30 항 또는 제 31 항에 있어서,
    상기 노즐 암 내에는 상기 처리액 배관 아래에 위치되어 열 전달을 위한 전열관이 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  35. 제 32 항에 있어서,
    상기 암 지지 부재는 복수 개가 제공되고, 각각의 상기 암 지지 부재에는 상기 노즐 암이 각각 제공되며,
    상기 기판 처리 장치는 상기 암 지지 부재 상에 상기 노즐이 놓이는 대기 위치와 상기 기판 상부에 상기 노즐이 제공되는 공정 위치 간에 상기 노즐 암을 이동시키는 노즐 이동 유닛을 더 포함하되,
    상기 노즐 이동 유닛은 상기 노즐 암을 파지하는 파지 부재 및 상기 파지 부재를 상기 대기 위치와 상기 공정 위치 간에 이동시키는 이동 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  36. 제 30 항 또는 제 31 항에 있어서,
    상기 노즐은 상기 노즐 암의 일단에 상기 노즐 암에 수직하게 장착되고, 상기 암 지지 부재는 상기 노즐 암이 상기 암 지지 부재에 대기하는 상태에서 상기 기판 지지 유닛을 향하는 방향으로 상기 노즐과 이격되게 위치되도록 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  37. 기판을 지지하는 기판 지지 유닛;
    일단에 처리액을 토출하는 노즐이 장착되고 상기 노즐에 상기 처리액을 공급하는 처리액 배관이 내장되며, 그 길이 방향이 수평하게 제공되는 노즐 암;
    상기 기판 지지 유닛의 일 측에 위치되며, 그 길이 방향이 수평하게 제공되는 암 지지 부재와'
    상기 암 지지 부재에 제공되는 온도 조절 부재와; 그리고
    상기 노즐 암이 상기 암 지지 부재의 상면에 놓이도록 하는 위치와 상기 기판 지지 유닛에 놓인 기판으로 상기 노즐로부터 처리액이 공급되도록 하는 위치 간에 상기 노즐 암을 이동시키는 노즐 이동 유닛을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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