CN101750897B - 供应处理液的单元以及使用该单元处理基材的设备和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供处理液供应单元和使用该单元的基材处理设备和方法。当喷嘴臂在等待位置等待的同时、在处理位置执行处理的同时以及在等待位置和处理位置之间移动的过程中，通过喷嘴臂和等待口之间的热传递以及喷嘴臂和喷嘴移动单元之间的热传递，可以维持内置在喷嘴臂中的处理液管道内的处理液温度。因此，通过该处理液供应单元和使用该单元的基材处理设备和方法可以将从喷嘴供应的处理液维持在预定温度。

Description

供应处理液的单元以及使用该单元处理基材的设备和方法
相关申请的交叉引用
本申请要求享有2008年11月28日提交的韩国专利申请No.10-2008-0119904的优先权，在此引入该韩国专利申请的全部内容作为参考。
技术领域
本发明涉及一种半导体制作设备和方法，更具体而言，涉及向基材供应处理液的单元以及使用该单元处理基材的设备和方法。
背景技术
半导体器件的制作通常如下：在基材上堆叠薄膜形式的多种不同材料并图案化。为此，需要许多阶段的不同工艺，如沉积、光刻、蚀刻和清洁工艺。
在这些工艺中，光刻工艺包括在基材上沉积感光液的沉积工艺和在基材上供应显影液的显影工艺，蚀刻工艺包括在基材上供应蚀刻液和从基材上除去被显影的膜的工艺，清洁过程包括在基材上供应清洁液和从基材表面除去残留杂质的工艺。
沉积、显影、蚀刻、清洁工艺采用旋转式方法进行，其中基材放置在旋转卡盘上，并且在基材旋转的同时将处理液(感光液、显影液、蚀刻液或清洁液)供应到基材表面上。
发明内容
本发明提供一种供应处理液的单元，当喷嘴臂在等待位置等待的同时、在处理位置执行处理的同时以及在等待位置和处理位置之间移动的过程中，该单元可以将从喷嘴供应的处理液维持在预定温度，还提供使用该供应处理液的单元的基材处理设备和方法。
然而，本发明可以体现为多种不同形式，并且不应当认为本发明受限于在此提出的实施例。相反，提供这些实施例是为了使本发明的公开内容清楚和完整，并向本领域技术人员全面地表达本发明的范围。
本发明的实施例提供基材处理设备，其包括：支撑基材的基材支撑单元；具有喷嘴和处理液管道的喷嘴臂，所述喷嘴安装在其上用于将处理液排放到置于所述基材支撑单元上的基材上，所述处理液管道内置在其中用于将处理液供应到所述喷嘴；和等待口，其提供所述喷嘴臂等待执行处理的位置，并通过利用所述喷嘴臂的热传递调节内置在所述喷嘴臂中的处理液管道内的处理液温度。
在一些实施例中，所述等待口可以包括：其上放置所述喷嘴臂的臂支撑元件；和设置在所述臂支撑元件上的第一温度调节元件，用于调节所述臂支撑元件的温度。
在其他实施例中，所述第一温度调节元件可以包括加热盘管、温度调节液管道、热电元件和其组合中的一种。
在其他实施例中，所述臂支撑元件可以呈长度方向相应于所述喷嘴臂的块状并沿着所述喷嘴臂的长度与所述喷嘴臂的下端表面接触，以通过热传导将热量传递到所述喷嘴臂，和所述第一温度调节元件可以内置在所述臂支撑元件中。
在其他实施例中，所述基材处理设备还可以包括喷嘴移动单元，用于在所述等待口的等待位置与所述基材上部的处理位置之间移动所述喷嘴臂，并用于通过传递移动的所述喷嘴臂的热量调节内置在所述喷嘴臂中的处理液管道内的处理液温度。
在其他实施例中，多个等待口可以沿着所述基材支撑单元的侧面并排设置，多个其上安装有喷嘴的喷嘴臂可以分别设置在每个等待口处，和所述喷嘴移动单元可以从多个喷嘴臂中选择一个喷嘴臂并将所选择的喷嘴臂从所述等待口的等待位置移动到所述基材上部的处理位置。
在其他实施例中，所述喷嘴移动单元可以包括：保持所述喷嘴臂的保持元件；设置在所述保持元件上的第二温度调节元件，用于调节所述保持元件的温度；和移动元件，用于在所述等待位置和所述处理位置之间移动所述保持元件。
在其他实施例中，所述保持元件可以包括：第一保持架和第二保持架，用于通过沿着垂直于所述喷嘴臂长度方向的方向彼此远离或接近地移动来保持所述喷嘴臂；和第一驱动器，用于驱动第一保持架和第二保持架。
在其他实施例中，第一保持架和第二保持架可以分别包括与所述喷嘴臂的侧面垂直接触设置的侧壁和从所述侧壁水平延伸接触所述喷嘴臂底面的底壁，和所述第二温度调节元件可以收容在第一保持架和第二保持架的侧壁内。
在其他实施例中，所述第二温度调节元件可以是加热盘管、温度调节液管道、热电元件和其组合中的一种。
在其他实施例中，所述移动元件可以包括：支撑所述保持元件的水平支撑件；移动杆，其与所述水平支撑件垂直连接并且其上设置有用于垂直移动所述水平支撑件的第二驱动器；和第三驱动器，用于在所述等待位置和所述处理位置之间移动所述移动杆。
在其他实施例中，所述基材处理设备还可以包括设置在所述喷嘴臂的内壁和所述处理液管道之间的热管，用于在所述喷嘴臂和所述处理液管道之间传递热量。
在本发明的其他实施例中，基材处理设备包括：支撑基材的基材支撑单元；具有喷嘴和处理液管道的喷嘴臂，所述喷嘴安装在其上用于将处理液排放到置于所述基材支撑单元上的基材上，所述处理液管道内置在其中用于将处理液供应到所述喷嘴；和喷嘴移动单元，用于移动所述喷嘴臂，并通过利用所述喷嘴臂的热传递调节内置在所述喷嘴臂中的处理液管道内的处理液温度。
在一些实施例中，所述喷嘴移动单元可以包括：保持所述喷嘴臂的保持元件；设置在所述保持元件上的温度调节元件，用于调节所述保持元件的温度；和移动元件，用于在等待位置和处理位置之间移动所述保持元件。
在其他实施例中，所述保持元件可以包括：第一保持架和第二保持架，用于通过沿着垂直于所述喷嘴臂长度方向的方向彼此远离或接近地移动来保持所述喷嘴臂；和第一驱动器，用于驱动第一保持架和第二保持架。
在其他实施例中，第一保持架和第二保持架可以分别包括与所述喷嘴臂的侧面垂直接触设置的侧壁和从所述侧壁水平延伸接触所述喷嘴臂底面的底壁，和所述温度调节元件可以收容在第一保持架和第二保持架的侧壁内。
在其他实施例中，所述温度调节元件可以是加热盘管、温度调节液管道、热电元件和其组合中的一种。
在其他实施例中，所述移动元件可以包括：支撑所述保持元件的水平支撑件；移动杆，其与所述水平支撑件垂直连接并且其上设置有用于垂直移动所述水平支撑件的第二驱动器；和第三驱动器，用于在所述等待位置和所述处理位置之间移动所述移动杆。
在其他实施例中，所述基材处理设备还可以包括设置在所述喷嘴臂的内壁和所述处理液管道之间的热管，用于在所述喷嘴臂和所述处理液管道之间传递热量。
在其他实施例中，所述基材处理设备还可以包括等待口，其提供所述喷嘴臂等待执行处理的位置，其中所述喷嘴移动单元可以在所述等待口提供的等待位置与所述基材上部的处理位置之间移动所述喷嘴臂。
在其他实施例中，多个等待口可以沿着所述基材支撑单元的侧面并排设置，多个其上安装有喷嘴的喷嘴臂可以分别设置在每个等待口处，和所述喷嘴移动单元可以从多个喷嘴臂中选择一个喷嘴臂并将所选择的喷嘴臂从所述等待口提供的等待位置移动到所述基材上部的处理位置。
附图说明
附图用于进一步理解本发明，且被并入说明书中构成说明书的一部分。附图显示本发明的示例性实施例，并且与说明书一起用于说明本发明的原理。在附图中：
图1是设有根据本发明实施例的基材处理设备的半导体制作装置的平面图；
图2是图1的半导体制作装置的侧视图；
图3是显示图1的半导体制作装置的处理单元的示图；
图4是显示根据本发明的基材处理设备的一个例子的平面图；
图5是图4的基材处理设备的侧部视图；
图6～图8是显示等待口中设置的温度控制元件的实施例的示图；和
图9～图11是显示喷嘴移动单元上设置的温度控制元件的实施例的示图。
具体实施方式
下面参照附图更详细地说明根据本发明优选实施例的供应处理液的单元以及使用它处理基材设备和方法。关于附图中元件的附图标记，应该注意到，在所有附图中，相同附图标记用于指相同元件。此外，在对实施例的说明中，没有对公知的结构或功能进行详细说明，以避免这种说明使对本发明的解释不清楚。
实施例
在实施例中，尽管示例性说明了用于进行涂布和显影工艺的半导体制作装置，但是本发明的技术范围不限于此，本发明可适用于使用清洁液或蚀刻剂或者各种其他类型的化学品液处理基材的半导体制作装置。
图1是设有根据本发明实施例的基材处理设备的半导体制作装置的平面图，图2是图1的半导体制作装置的侧视图，图3是显示图1的半导体制作装置的处理单元的示图。
参照图1～图3，半导体制作装置10包括分度部20、处理单元30和交接部50。分度部20、处理单元30和交接部50沿着第一方向12并排设置。分度部20沿着第一方向12设置在靠近处理单元30的前端。交接部50沿着第一方向12设置在靠近处理单元30的后端。分度部20和交接部50都设置成其长度方向垂直于第一方向12。处理单元30具有沿着上下方向堆叠起来的多层结构。第一处理单元32a设置在下层中，第二处理单元32b设置在上层中。分度部20和交接部50分别将基材送到处理单元30和将基材从处理单元30取出。
第一处理单元32a包括第一传送通道34a、第一主自动装置36a和处理模块40。第一传送通道34a从靠近分度部20的位置到靠近交接部50的位置延伸设置。处理模块40沿着第一传送通道34a的长度方向设置在第一传送通道34a的两侧，第一主自动装置36a设置在第一传送通道34a中。第一主自动装置36a在分度部20、处理模块40和交接部50之间传送基材。
第二处理单元32b包括第二传送通道34b、第二主自动装置36b和处理模块40。第二传送通道34b从靠近分度部20的位置到靠近交接部50的位置延伸设置。处理模块40沿着第二传送通道34b的长度方向设置在第二传送通道34b的两侧，第二主自动装置36b设置在第二传送通道34b中。第二主自动装置36b在分度部20、处理模块40和交接部50之间传送基材。
第一处理单元32a可以具有执行涂布工艺的模块，第二处理单元32b可以具有执行显影工艺的模块。相反，第一处理单元32a可以具有执行显影工艺的模块，第二处理单元32b可以具有执行涂布工艺的模块。此外，第一处理单元32a和第二处理单元32b还可以具有执行涂布工艺和显影工艺这两种工艺的模块。
执行涂布的模块的例子包括执行粘接的模块、执行基材冷却的模块、执行感光液涂布的模块以及执行软烤工艺的模块。执行显影的模块的例子包括将曝光后的基材加热到预定温度的模块、冷却基材的模块、在基材上供应显影液并除去曝光区域或未曝光区域的模块以及执行硬烤工艺的模块。
分度部20设置在处理单元30的前端。分度部20包括装载口22a、22b、22c和22d，在这些装载口中设有容纳基材的盒子C和分度自动装置100a。装载口22a、22b、22c和22d沿着第二方向14并排设置，分度自动装置100a设置在装载口22a、22b、22c和22d与处理单元30之间。容纳基材的盒子C通过输送装置(图未示)设置在装载口22a、22b、22c和22d上，传送器例如是架空传送器、架空运输带或自动导向车等。使用的盒子C可以是密封的容器，例如前开式晶片盒(FOUP)。分度自动装置100a在置于装载口22a、22b、22c和22d中的盒子C与处理单元30之间传送基材。
交接部50设置在处理单元30的后端，与分度部20相对于处理单元30对称设置。交接部50具有交接自动装置100b。交接自动装置100b在连接至交接部50后端的曝光单元60与处理单元30之间传送基材。
分度自动装置100a具有水平导轨110、垂直导轨120和自动装置臂130。自动装置臂130能够沿着第一方向12作直线运动，并可以绕着中心Z轴线转动。水平导轨110引导自动装置臂130沿着第二方向14作直线运动，垂直导轨120引导自动装置臂130沿着第三方向16作直线运动。交接自动装置100b可以具有与分度自动装置100a相同的结构。
下面说明具有上述构成的半导体制作装置10的工作过程。由操作者或输送装置(图未示)将容纳基材的盒子C设置在分度部20的装载口22a中。分度自动装置100a从设置在装载口22a中的盒子C装载基材，并将基材传递到第一处理单元32a的第一主自动装置36a上。第一主自动装置36a沿着第一传送通道34a移动，并在各个处理模块40中装载基材。当基材在处理模块40中的涂布工艺完成时，第一主自动装置36a从处理模块40卸载处理过的基材，并将卸载下来的基材传递到交接自动装置100b。交接自动装置100b将基材传送到曝光单元60。当在曝光单元60中完成曝光时，由交接自动装置100b将基材传递到第二处理单元32b的第二主自动装置36b。第二主自动装置36b沿着第二传送通道34b移动，并在各个处理模块40中装载基材。当基材在处理模块40中的显影工艺完成时，第二主自动装置36b从处理模块40卸载处理过的基材，并将卸载下来的基材传递到分度自动装置100a。分度自动装置100a将基材装载到置于装载口22a中的盒子C中。
图4是显示根据本发明的基材处理设备的一个例子的平面图，图5是图4的基材处理设备的侧部视图。
参照图4和图5，处理模块40包括处理室400、基材支撑单元410、容器420和处理液供应单元。处理室400提供在其内部执行基材处理的空间。在处理室400的侧壁402中形成有用于将基材放入处理室400和从其中取出基材的开口402a。基材支撑单元410设置在处理室400的内部，容器420围绕着基材支撑单元410的外周设置。基材支撑单元410支撑基材，并被设置成能够转动。容器420收集因基材的旋转而飞溅的处理液。处理液供应单元将处理液供应到置于基材支撑单元410上的基材上，以便处理基材。
基材支撑单元410在处理过程中支撑基材W，并且在处理过程中由旋转驱动元件412(例如电动机)驱动旋转。基材支撑单元410包括具有圆形上表面的支撑板414，在支撑板414的上表面上设有支撑基材W的销形元件416。
容器420围绕着基材支撑单元410的外周设置。容器420整体上呈圆筒形，并在其下壁422上设有排出孔424，排出管426与排出孔424连通。排出元件428，例如泵，与排出管426连接。排出元件428提供负压，以将容器420内的空气以及因基材W的旋转而飞溅的处理液排出去。
处理液供应单元将处理液供应到置于基材支撑单元410上的基材W的上表面上。处理液供应单元包括处理液供应元件430a、430b和430c、等待口440a、440b和440c以及喷嘴移动单元500。处理液供应元件430a、430b和430c根据使用的处理液类型可以设置多个。等待口440a、440b和440c为处理液供应元件430a、430b和430c提供等待位置，以执行处理。喷嘴移动单元500选择处理液供应元件430a、430b和430c中的一个(例如，430a)，并在等待口440a的等待位置与基材支撑单元410上部的处理位置之间移动所选择的处理液供应元件430a。
处理液供应元件430a、430b和430c可以与基材支撑单元410的一侧平行地并排设置，并可以由等待口440a、440b和440c支撑着。在附图中，附图标记430a是第一处理液供应元件，附图标记430b是第二处理液供应元件，附图标记430c是第三处理液供应元件。处理液供应元件430a、430b和430c可以具有相同构成，因此下面仅示例性地描述处理液供应元件430a、430b和430c之一(例如，430c)。
如图6所示，处理液供应元件430c具有用于将处理液排放到位于基材支撑单元(图4中的附图标记410)上的基材上的喷嘴432。喷嘴432可以垂直于喷嘴臂434的端部设置。用于将处理液供应到喷嘴432的处理液管道436内置在喷嘴臂434中。此外，热管438可以设置在喷嘴臂434的内壁和处理液管道436之间的空间内。热管438在喷嘴臂434和处理液管道436之间传递热量。
等待口440a、440b和440c提供处理液供应元件430a、430b和430c等待以执行处理的位置。等待口440a、440b和440c沿着基材支撑单元410的一侧并排设置。第一处理液供应元件430a设置在第一等待口440a中，第二处理液供应元件430b设置在第二等待口440b中，第三处理液供应元件430c设置在第三等待口440c中。由于第一、第二第三等待口440a、440b和440c具有相同构成，因此下面示例性地说明第三等待口440c，省略对第一和第二等待口440a和440b的说明。
如图6所示，第三等待口440c具有在其上设置第三处理液供应元件430c的喷嘴臂434的臂支撑元件442。臂支撑元件442可以设置为长度相应于喷嘴臂434的块状，并沿着喷嘴臂434的长度方向与喷嘴臂434的下部表面接触。用于调节臂支撑元件442的温度的第一温度调节元件444可以设置在臂支撑元件442上。
第一温度调节元件444可以设置作为加热盘管。加热盘管内置在臂支撑元件442中，用于供应电力的电源445与加热盘管连接。
第一温度调节元件444通过从电源445传输的电力产生热量，由第一温度调节元件444产生的热量被传递到臂支撑元件442。传递到臂支撑元件442的热量被传递到与臂支撑元件442表面接触的喷嘴臂434。臂支撑元件442和喷嘴臂434之间的热传递是通过热传导实现的。通过热传导传递到喷嘴臂434的热量通过喷嘴臂434内的热管438被传递到处理液管道436。传递到处理液管道436的热量被传递到处理液管道436中。通过接收传递来的热量可以提高处理液的温度。通过该过程，尽管喷嘴臂434在等待口440c中等待，但是也可以调节处理液管道436内的处理液的温度。
根据另一个实施例，如图7所示，第一温度调节元件可以设置作为温度调节液管道444’。温度调节液管道444’可以内置在臂支撑元件442中，并且温度调节液可以通过温度调节液管道444’流动。液体供应管线446’a与温度调节管道444’的入口445’a连接，液体供应源447’与液体供应管线446’的另一端连接。温度调节器448’和泵449’可以设置在液体供应管线446’a上，在液体供应源447’和入口445’a之间。温度调节器448’加热或冷却从液体供应源447’来的液体，以调节液体的温度，泵449’将经过温度调节的液体抽吸到入口445’a。液体排放管线446’b与温度调节管道444’的出口445’b连接。
经过温度调节并流经温度调节液管道444’的液体将热量传递到臂支撑元件442或从臂支撑元件442接收热量。例如，当喷嘴臂434中的处理液管道436内部的处理液温度高于所需温度时，温度调节器448’将从液体供应源447’供应的液体冷却到低于处理液的温度。较冷的液体通过温度调节液管道444’流动，以从臂支撑元件442吸收热量。当热量从臂支撑元件442传递到较冷的液体时，按着从喷嘴臂434到臂支撑元件442、从热管438到喷嘴臂434和从处理液管道436到热管438的顺序传递热量，从而降低处理液管道436中的处理液温度。
此外，当喷嘴臂434中的处理液管道436内部的处理液温度低于所需温度时，温度调节器448’将从液体供应源447’供应的液体加热到高于处理液的温度。较热的液体通过温度调节液管道444’流动，以将热量传递到臂支撑元件442。当热量从较热的液体传递到臂支撑元件442时，按着从臂支撑元件442到喷嘴臂434、从喷嘴臂434到热管438和从热管438到处理液管道436的顺序传递热量，从而升高处理液管道436中的处理液温度。
在另一个实施例中，参照图8，第一温度调节元件可以设置作为热电元件444”-1和444”-2。热电元件444”-1和444”-2包括P-型元件444”-1和N-型元件444”-2，它们内置在臂支撑元件442中。P-型元件444”-1和N-型元件444”-2沿着臂支撑元件442的长度方向交替排列。邻近的P-型元件444”-1和N-型元件444”-2通过加热板445”连接，其中P-型元件444”-1和N-型元件444”-2在顶部和底部彼此交替地连接。电源446”与加热板445”连接，并且从电源446”供应到加热板445”的电流方向可以反转。
当从电源446”供应的电流方向反转时，与热电元件444”-1和444”-2的顶部连接的加热板445”可被加热或冷却。如果加热板445”被加热，则热量从加热板445”传递到臂支撑元件442，而当加热板445”被冷却时，热量则从臂支撑元件442传递到加热板445”。
例如，当喷嘴臂434中的处理液管道436内部的处理液温度高于所需温度时，电流被施加到热电元件444”-1和444”-2以冷却加热板445”。然后，加热板445”从臂支撑元件442吸收热量。当热量从臂支撑元件442传递到加热板445”时，按着从喷嘴臂434到臂支撑元件442、从热管438到喷嘴臂434和从处理液管道436到热管438的顺序传递热量，从而降低处理液管道436中的处理液温度。
此外，当喷嘴臂434中的处理液管道436内部的处理液温度低于所需温度时，电流被施加到热电元件444”-1和444”-2以加热加热板445”。然后，加热板445”将热量传递到臂支撑元件442。当热量从加热板445”传递到臂支撑元件442时，按着从臂支撑元件442到喷嘴臂434、从喷嘴臂434到热管438和从热管438到处理液管道436的顺序传递热量，从而升高处理液管道436中的处理液温度。
再次参照图4和图5，喷嘴移动单元500选择处理液供应元件430a、430b和430c中的一个(例如，430a)，并在等待口440a的等待位置与基材支撑单元410上部的处理位置之间移动所选择的处理液供应元件430a。
喷嘴移动单元500包括保持元件510、第二温度调节元件520和移动元件530。保持元件510可以保持处理液供应元件430a的喷嘴臂434。第二温度调节元件520设置在保持元件510上，以调节保持元件510的温度。内置在由保持元件510保持的喷嘴臂434中的处理液管道(图6中的附图标记436)内的处理液温度可以通过保持元件510的温度调节来调节。移动元件530在等待位置与处理位置之间移动保持元件510，从而移动由保持元件510保持的处理液供应元件430a。
如图9所示，保持元件510包括第一保持架512、第二保持架514和第一驱动器516。第一保持架512和第二保持架514可以通过沿着垂直于喷嘴臂434长度方向的方向彼此远离或接近地移动来保持喷嘴臂434。具体而言，第一保持架512和第二保持架514可以分别具有垂直于喷嘴臂434的侧面设置的侧壁和从侧壁水平延伸接触喷嘴臂434底面的底壁。第一保持架512和第二保持架514的侧壁的顶端与第一驱动器516连接。第一驱动器516可以沿着垂直于喷嘴臂434长度方向的方向直线移动第一保持架512和第二保持架514，使它们彼此远离或接近。
第二温度调节元件520调节保持元件510的温度。通过调节保持元件510的温度，保持元件510保持的喷嘴臂434和保持元件510之间发生热传导，使得可以调节内置在喷嘴臂434中的处理液管道(图6中的附图标记436)内的处理液温度。如图9所示，第二温度调节元件520可以收容在第一保持架512和第二保持架514内，加热盘管可以用作第二温度调节元件520。此外，图10和图11中的温度调节液管道520’或热电元件520”或者其组合可以用作第二温度调节元件。
由于使用第二温度调节元件520、520’和520”对于处理液管道(图6中的附图标记436)内的处理液的温度调节机制与使用第一温度调节元件444、444’、444”-1和444”-2的情况类似，因此省略了对它们的详细说明。然而，尽管第一温度调节元件444、444’、444”-1和444”-2设置在固定的等待口440a、440b和440c中，但是由于设置有在等待位置和处理位置之间移动的保持元件510，第二温度调节元件520、520’和520”可以在移动处理液供应元件430a、430b和430c的同时调节处理液管道内的处理液温度。
移动元件530具有支撑保持元件510的水平支撑件531。水平支撑件531水平设置，其长度方向朝着喷嘴臂434的长度方向。水平支撑件531与垂直于水平支撑件531设置的移动杆533联接，第二驱动器532设置在移动杆533上，以垂直移动水平支撑件531。
连接件534在移动杆533的下端联接，连接件534与导引件535连接。导引件535设置在基材支撑单元410的一侧，平行于等待口440a、440b和440c的排列方向。导引件535可以设置为导轨的形式，并导引移动杆533的直线运动。此外，与导引件535平行设置的导螺杆537可以与连接件534联接，第三驱动器536可以在导螺杆537的一端连接以转动导螺杆537。当第三驱动器536的旋转力传递到导螺杆537时，导螺杆537的转动使与导螺杆537联接的连接件534直线运动。然后，与连接件534联接的移动杆533和与移动杆533连接的水平支撑件531直线移动，并且由保持元件510保持的处理液供应元件430a可以在等待位置和处理位置之间移动。
如上所述，不仅当喷嘴臂在等待位置等待的同时，而且当喷嘴臂在等待位置和处理位置之间移动的同时，根据实施例的基材处理设备均可以调节设置于喷嘴臂内的处理液管道中的处理液温度。此外，通过上述构成，可以在处理位置的处理过程中调节处理液的温度。
通常，将恒水温管道设置在喷嘴臂中以调节处理液管道内部的处理液的温度，这样增大了恒水温管道的输送负荷并产生了从损坏管道泄漏的可能性。然而，在本实施例中，恒水温管道未设置在喷嘴臂中，相反，独立的温度调节元件安装在等待口和喷嘴移动单元中，使得当喷嘴臂输送时输送负荷下降，并且可以防止从喷嘴臂内的损坏管道泄漏。
根据本发明，当喷嘴臂在等待位置等待的同时、在处理位置执行处理的同时以及在等待位置和处理位置之间移动的过程中，通过喷嘴臂供应的处理液可以维持在预定温度。
尽管已经结合优选实施例具体地显示和描述了本发明，但是本领域技术人员应该理解，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以做出各种形式和细节上的变化。上述公开的主题应被认为是说明性的，而不是限制性的，并且所附权利要求书意图覆盖落入本发明真正精神和范围内的所有修改、增加和其他实施例。因此，在法律允许的最大程度内，本发明的范围应根据所附权利要求和其等同物的最宽可允许解释来确定，而不应受到上述详细说明的约束或限制。

Claims (11)

1.一种基材处理设备，包括：
支撑基材的基材支撑单元；
具有喷嘴和处理液管道的喷嘴臂，所述喷嘴安装在所述喷嘴臂上，用于将处理液排放到置于所述基材支撑单元上的基材上，所述处理液管道内置在所述喷嘴臂中，用于将处理液供应到所述喷嘴；和
等待口，其提供所述喷嘴臂等待执行处理的位置，并通过利用所述喷嘴臂的热传递调节内置在所述喷嘴臂中的处理液管道内的处理液温度，其中所述等待口包括：
其上放置所述喷嘴臂的臂支撑元件；和
设置在所述臂支撑元件上的第一温度调节元件，用于调节所述臂支撑元件的温度。
2.如权利要求1所述的基材处理设备，其中所述第一温度调节元件包括加热盘管、温度调节液管道、热电元件和其组合中的一种。
3.如权利要求2所述的基材处理设备，其中
所述臂支撑元件呈长度相应于所述喷嘴臂的块状并沿着所述喷嘴臂的长度方向与所述喷嘴臂的下端表面接触，以通过热传导将热量传递到所述喷嘴臂，和
所述第一温度调节元件内置在所述臂支撑元件中。
4.如权利要求1所述的基材处理设备，还包括喷嘴移动单元，用于在所述等待口的等待位置与所述基材上部的处理位置之间移动所述喷嘴臂，并用于通过传递移动的所述喷嘴臂的热量调节内置在所述喷嘴臂中的处理液管道内的处理液温度。
5.如权利要求4所述的基材处理设备，其中
多个等待口沿着所述基材支撑单元的侧面并排设置，
多个其上安装有喷嘴的喷嘴臂分别设置在每个等待口处，和
所述喷嘴移动单元从多个喷嘴臂中选择一个喷嘴臂并将所选择的喷嘴臂从所述等待口的等待位置移动到所述基材上部的处理位置。
6.如权利要求5所述的基材处理设备，其中所述喷嘴移动单元包括：
保持所述喷嘴臂的保持元件；
设置在所述保持元件上的第二温度调节元件，用于调节所述保持元件的温度；和
移动元件，用于在所述等待位置和所述处理位置之间移动所述保持元件。
7.如权利要求6所述的基材处理设备，其中所述保持元件包括：
第一保持架和第二保持架，用于通过沿着垂直于所述喷嘴臂长度方
向的方向彼此远离或接近地移动来保持所述喷嘴臂；和
第一驱动器，用于驱动第一保持架和第二保持架。
8.如权利要求7所述的基材处理设备，其中
第一保持架和第二保持架分别包括与所述喷嘴臂的侧面垂直接触设置的侧壁和从所述侧壁水平延伸接触所述喷嘴臂底面的底壁，和
所述第二温度调节元件收容在第一保持架和第二保持架的侧壁内。
9.如权利要求8所述的基材处理设备，其中所述第二温度调节元件是加热盘管、温度调节液管道、热电元件和其组合中的一种。
10.如权利要求6所述的基材处理设备，其中所述移动元件包括：
支撑所述保持元件的水平支撑件；
移动杆，其与所述水平支撑件垂直连接并且其上设置有用于垂直移动所述水平支撑件的第二驱动器；和
第三驱动器，用于在所述等待位置和所述处理位置之间移动所述移动杆。
11.如权利要求1所述的基材处理设备，还包括设置在所述喷嘴臂的内壁和所述处理液管道之间的热管，用于在所述喷嘴臂和所述处理液管道之间传递热量。
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