JP3988676B2 - 塗布装置、薄膜の形成方法、薄膜形成装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
塗布装置、薄膜の形成方法、薄膜形成装置及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3988676B2 JP3988676B2 JP2003126317A JP2003126317A JP3988676B2 JP 3988676 B2 JP3988676 B2 JP 3988676B2 JP 2003126317 A JP2003126317 A JP 2003126317A JP 2003126317 A JP2003126317 A JP 2003126317A JP 3988676 B2 JP3988676 B2 JP 3988676B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid material
- liquid
- coating
- chamber
- supply system
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 160
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims description 151
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 113
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 98
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 claims description 227
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 145
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 145
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 112
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 63
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 60
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 50
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 claims description 49
- 239000002699 waste material Substances 0.000 claims description 47
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 33
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 25
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 19
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 13
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 11
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 8
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 176
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 85
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 28
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 28
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 20
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 16
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 13
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 12
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 11
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 11
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 10
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 description 10
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 8
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 8
- ICSWLKDKQBNKAY-UHFFFAOYSA-N 1,1,3,3,5,5-hexamethyl-1,3,5-trisilinane Chemical compound C[Si]1(C)C[Si](C)(C)C[Si](C)(C)C1 ICSWLKDKQBNKAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 5
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 5
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 4
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 4
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- -1 gas is used Chemical compound 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 3
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011538 cleaning material Substances 0.000 description 2
- 238000004320 controlled atmosphere Methods 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 2
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007991 Si-N Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006294 Si—N Inorganic materials 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- LUXIMSHPDKSEDK-UHFFFAOYSA-N bis(disilanyl)silane Chemical compound [SiH3][SiH2][SiH2][SiH2][SiH3] LUXIMSHPDKSEDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
- B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02623—Liquid deposition
- H01L21/02628—Liquid deposition using solutions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1292—Multistep manufacturing methods using liquid deposition, e.g. printing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
- H01L29/6675—Amorphous silicon or polysilicon transistors
- H01L29/66757—Lateral single gate single channel transistors with non-inverted structure, i.e. the channel layer is formed before the gate
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液状材料を用いて薄膜を形成する技術に係るもので、特に塗布装置、薄膜の形成方法、薄膜形成装置、半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、各種電子機器に採用されている半導体装置は、半導体膜、絶縁膜、及び導電膜等の薄膜で構成されているのが一般的である。これらの薄膜形成には、主にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やスパッタ法が採用されている。ＣＶＤ法には常圧ＣＶＤ、減圧ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ等がある。また、スパッタ法にはＡＣ型とＤＣ型があり、ＡＣ型は絶縁膜形成に、ＤＣ型は導電膜形成に用いられている。
【０００３】
従来のＣＶＤ法やスパッタ法には、真空装置、プラズマ等を発生させるための電源装置、薄膜形成のためのガス供給装置、基板温度の制御等が必要である。また、薄膜形成に用いるガスとしては、毒性、可燃性、自然発火性などの性質を有するものが多く、ガスの漏洩検知器、排ガスを無害化するための除害装置、ガス容器やガス配管部の排気装置など、安全性を確保するために様々な付帯設備が必要となる。従って、従来の薄膜形成装置は高価でかつ大掛かりなものとなってしまうという問題を有している。また、膜厚や膜質の制御に関与する装置条件が非常に多く、均一性や再現性を確保するのが難しいという問題を有している。さらにまた、これらの方法では、気相から固相の薄膜を形成するため、生産性がよくないと云う問題も有している。このような問題を解決する方法として、近年、従来の前記成膜法とは異なる手法により薄膜を形成し、半導体装置などを製造する方法が提案されている。
【０００４】
例えば、液状材料を基板に塗布して塗布膜を形成し、該塗布膜を熱処理することにより所望の薄膜を形成する方法がある。該薄膜の基本形成工程は、基板上に液状材料を塗布して塗布膜を形成する塗布工程と、該塗布膜を熱処理して所望の薄膜を得るための熱処理工程からなる。この工程によれば、小型で安価な装置により、生産性が高く、低コストで薄膜形成ができ、結果的に低コストの薄膜デバイスを製造することが可能となる。
【０００５】
前記塗布工程としては、スピンコート法又は液体吐出法（インクジェット法）による塗布方法が一般に採用される。スピンコート法では、例えば、処理液の変更等に伴って必要となるカバーの着脱作業が容易なスピナー（例えば、特許文献１参照。）や、回転容器の蓋体を閉じたまま塗布液を被処理基板に供給できる塗布装置（例えば、特許文献２参照。）等が提案されている。また、インクジェット法では、近年、角速度や移動速度を制御しながら、被塗布基板とインクジェットヘッドとを相対的に回転しつつ、回転軸側の領域とそれから遠くなる側の領域との間で相対移動し、インクジェットヘッドの微小ノズルから、被塗布基板へ液体を吐出し、均一性の良い状態の塗布膜を被塗布基板上に形成する装置（例えば、特許文献３参照。）等が提案されている。
【０００６】
また、前記熱処理工程としては、酸素濃度が一定値以下に調整された焼成炉内で絶縁膜を焼成する方法（例えば、特許文献４参照。）等が提案されている。さらに、塗布工程と熱処理工程との一連の工程としては、例えば、被処理物表面に塗布された塗布液を滴下し、被処理物表面に塗布液を均一に拡げ、被処理物の外端部下面に被膜形成用塗布液の一部が廻り込んだままの被処理物をそのまま減圧乾燥装置に搬送し、ある程度まで乾燥させた後、加熱乾燥する被膜形成方法が提案されている（例えば、特許文献５参照。）。
【０００７】
【特許文献１】
特開平５−１５４４３０号公報
【特許文献２】
特開平８−８３７６２号公報
【特許文献３】
特開平９−１０６５７号公報
【特許文献４】
特開平９−２１３６９３号公報
【特許文献５】
特開平１１−２６２７２０号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来技術に示すように、塗布工程及び熱処理工程を連続的に処理する薄膜形成装置や、各工程で使用される様々な塗布装置及び熱処理装置が提案されてはいるものの、特に前記塗布装置や熱処理装置の性能向上、かつ小型化及び低コスト化、ひいては薄膜形成装置全体の高性能化、かつ小型化及び低コスト化を進める上で、更なる改良が必要となっている。
【０００９】
また、塗布膜を形成するための液状材料に、安全上問題のあるものがある。例えば、液状材料は、通常有機溶剤を含むので可燃性である。このため、薄膜形成装置を構成する部材の材料には、可能な限り金属材料を用い、少なくとも塗布工程が行われるチャンバには、プラスチック材料等の可燃性材料を使用せず、さらに、有機溶剤の蒸気を排気する構造を設けるなどの措置が施されるべきである。ところが、従来の塗布装置や薄膜形成装置では必ずしもそのようにはなっていない。
また、液状材料が、毒性の気体を発生させる、あるいは酸素の存在下において自然発火性を有するなど、安全上特に注意を要するものの場合には、このような液状材料を、従来の塗布装置や薄膜形成装置では実質的に使用することができなかった。
【００１０】
さらにまた、半導体膜や金属膜を液状材料から形成する場合には、塗布工程や熱処理工程において、その処理雰囲気を厳密に管理する必要がある。しかしながら、従来の薄膜形成装置では処理雰囲気の管理が不充分であった。例えば、Ｓｉ膜を形成する場合、酸素が少しでも存在している雰囲気で塗布工程や熱処理工程を行うと、Ｓｉ膜中にシリコン酸化膜が形成されてしまい、半導体膜としての性能が損なわれてしまう結果となる。このような薄膜形成においては、酸素濃度を例えば１０ｐｐｍ以下に制御するなどの必要があるが、そのための具体的な装置構成は従来提案されていなかった。
また、液状材料を長時間放置すると、溶剤の揮発や化学的な反応などによって粘度上昇や固形成分の析出などを起こすので、液状材料の供給系統や制御系統に支障が出たり、欠陥を多く含む薄膜になったりするという問題が生じるが、従来の塗布装置や薄膜形成装置ではこれらの問題に対して十分な対策が講じられていなかった。
【００１１】
本発明は、前記事情を鑑みてなされたもので、欠陥が少なく高性能の薄膜を得ることができ、また装置のメンテナンスを効率よく行うことができ、さらに安全性の高い薄膜形成を行うことができる、塗布装置、薄膜の形成方法、薄膜形成装置、半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するため本発明の塗布装置は、塗布室内にて基板上に液状材料を塗布する塗布装置であって、前記塗布室に前記液状材料を供給する第１の液供給系が設けられ、該第１の液供給系に第２の液供給系が複数設けられ、前記第２の液供給系は、そのうちの少なくとも一つが前記塗布室内または第１の液供給系内に残留する液状材料を洗浄するための洗浄剤を供給する系であり、他の少なくとも一つが前記塗布室内または第１の液供給系内に残留する液状材料の活性を失わせるための失活剤を供給する系であることを特徴としている。
この塗布装置によれば、洗浄剤または失活剤により、第１の液供給系内に残留している液状材料を除去しあるいはこれを無害化することが可能となる。
【００１３】
塗布膜を例えばスピンコート法で形成した場合、滴下した液状材料のうち９０％以上が基板の回転によって基板周辺に飛散する。この飛散した液状材料は、基板周辺に設けた受け皿で捕集し、廃液系に導かれるが、塗布室内に残留してしまうものもある。この残留液状材料は、長時間の放置で乾燥し固形の粉末となり、次に塗布膜を形成するときの欠陥要因となってしまう。
しかし、前記の塗布装置によれば、残留液状材料を洗浄しあるいは無害化し、さらに廃液系に導くこともできるので、欠陥の少ない薄膜を形成することが可能となる。
また、メンテナンスや非定常作業のために塗布室を大気解放しなければならないこともあるが、多くの液状材料は可燃性であり、液状材料によっては毒性や発火性を有するものもあることから、メンテナンスや非定常作業は危険な作業となる。
しかし、前記の塗布装置によれば、これらの作業も安全に行うことが可能となる。
【００１４】
また、前記塗布装置においては、前記塗布室に、該塗布室内の雰囲気を独立して制御するための制御機構が設けられているのが好ましい。
このようにすれば、液状材料の塗布を制御された雰囲気下で連続して実施できるので、液状材料や基板上に形成された塗布膜が大気に晒されることがなく、したがって例えば得られる薄膜への酸化物の含有を極力抑えることができ、これにより所望の特性を有する薄膜を良好に形成することが可能となる。
【００１５】
また、前記したように、第２の液供給系が複数設けられており、そのうちの少なくとも一つが前記塗布室内または第１の液供給系内に残留する液状材料を洗浄するための洗浄剤を供給する系であり、他の少なくとも一つが前記塗布室内または第１の液供給系内に残留する液状材料の活性を失わせるための失活剤を供給する系であるので、洗浄剤が失活剤としての機能を有していない場合や、洗浄と失活のそれぞれの機能を効率的に発揮できる液体材料が異なる場合に、それぞれ別の液供給系から洗浄剤および失活剤を供給することが可能となり、したがって塗布室内または第１の液供給系内の洗浄および失活の両方を容易に行うことができるようになる。
【００１６】
また、前記塗布装置においては、前記塗布室に、スピンコータが設けられていてもよい。
このようにすれば、液滴の塗布をスピンコート法で良好に行うことが可能になる。
【００１７】
また、前記塗布装置においては、前記第１の液供給系は、前記液状材料を貯留する容器と、該容器から導出される液状材料の量を制御する滴下量制御部と、液状材料を吐出するノズル部とを備えてなり、これら容器、滴下量制御部、ノズル部は、この順で鉛直方向に上から配置され、かつ、これら各部を接続する液状材料用配管は前記鉛直方向に対しての水平部分を有することなく全て鉛直方向に向けて配設されてなるのが好ましい。
このようにすれば、液状材料をその自重によって液状材料容器からノズル部にまで効率よく流動させることができるので、基板上に滴下する液状材料の量を正確に制御することが可能となり、従って塗布膜及び塗布膜を熱処理して得られる薄膜の膜厚を均一にすることが可能となる。
【００１８】
また、前記塗布装置においては、前記塗布室には、微小液滴を吐出する液滴吐出部が設けられ、該液滴吐出部は基板を保持するステージと相対的に移動することにより、該ステージ上に保持された基板の所望位置に微小液滴を滴下する機能を有していてもよい。
このようにすれば、液状材料を基板上の所望位置に微小液滴を滴下することができるので、微小液滴からなる塗布膜を任意の形状に形成することが可能となる。
【００１９】
また、前記塗布装置においては、前記塗布室に、該塗布室内に導入された後不要となった液を廃液として収容する廃液収容機構が設けられているのが好ましい。
このようにすれば、液状材料が例えば可燃性や毒性、自然発火性などの性質を有している場合に、これが塗布室内に残留した際、塗布室内から速やかに除去して収容することができ、したがって装置の安全性を向上させることができる。また、塗布室内に導入された洗浄剤や失活剤も同様に塗布室から除去することができるので、液状材料からなる塗布膜（薄膜）を良好に形成することができる。
【００２０】
本発明の薄膜の形成方法は、塗布室内にて基板上に液状材料を塗布し、該基板上に薄膜を形成する薄膜の形成方法であって、前記塗布室に、第１の液供給系より前記液状材料を供給して基板上に薄膜を形成する工程と、前記薄膜を形成した後に、第２の液供給系より、前記液状材料を洗浄するための液を第１の液供給系に供給して、前記塗布室内または第１の液供給系内に残留した液状材料を洗浄する工程と、前記薄膜を形成した後に、第２の液供給系より、前記液状材料の活性を失わせるための液を第１の液供給系に供給して、前記塗布室内または第１の液供給系内に残留した液状材料の活性を失わせる工程と、を有することを特徴としている。
この薄膜の形成方法によれば、洗浄剤または失活剤により、第１の液供給系内に残留している液状材料を除去しあるいはこれを無害化することが可能となる。また、残留した液状材料に起因して塗布膜（薄膜）に欠陥が形成されてしまうのを防止することができる。さらに、液状材料が例えば可燃性や毒性、自然発火性などの性質を有している場合にも、メンテナンスや非定常作業を安全に行うことができる。
【００２１】
本発明の薄膜形成装置は、前記塗布装置と、該塗布装置で液状材料が塗布された基板を加熱する熱処理装置とを備えてなり、前記塗布装置および前記熱処理装置には、前記基板に各処理を施す処理室内の雰囲気をそれぞれ独立して制御する制御機構が備えられていることを特徴としている。
この薄膜形成装置によれば、特に塗布装置において、前述したように洗浄剤または失活剤により、第１の液供給系内に残留している液状材料を除去しあるいはこれを無害化することができる。
また、液状材料の塗布や熱処理を制御された雰囲気下で連続して実施できるので、液状材料や基板上に形成された塗布膜が大気に晒されることがなく、したがって例えば得られる薄膜への酸化物の含有を極力抑えることができ、これにより所望の特性を有する薄膜を良好に形成することが可能となる。
【００２２】
また、前記薄膜形成装置においては、前記基板の表面洗浄等の前処理を行う前処理装置を備え、この前処理装置にも、その処理を施す処理室内の雰囲気を独立して制御する制御機構が備えられているのが好ましい。
このようにすれば、前処理装置についてもその処理室内の雰囲気を適宜な雰囲気に制御することが可能になり、したがって、前処理室の雰囲気ガスが、他の処理室（塗布室や熱処理室）の雰囲気に影響することなく、前処理の内容に応じた雰囲気を適宜選択して採用することができる。
【００２３】
また、前記薄膜形成装置においては、前記各装置の処理室に連通する連接室が備えられ、この連接室にも、該連接室内の雰囲気を独立して制御する制御機構が備えられているのが好ましい。
このようにすれば、前記の各装置の処理室から別の処理室に移動させる際や一時保管する際に、基板を連接室内に入れるとともに、この連接室内の雰囲気を制御機構によって予め制御しておくことにより、基板を大気に晒すことなく所望の雰囲気に保持することができ、したがって大気中の酸素による酸化等を防止することができる。また、各処理室は連接室を介した接続となるので、各処理室の雰囲気ガスが他の処理室の雰囲気に影響することを少なくすることが出来る。
【００２４】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体装置を構成する各機能層のいずれかの機能層を、該機能層の構成成分を含有する液状材料を基板上に塗布することによって形成する半導体装置の形成方法において、前記機能層の形成を、前記の塗布装置、あるいは前記の薄膜形成装置を用いて行うことを特徴としている。
この半導体装置の製造方法によれば、塗布室内に残留した液状材料に起因して塗布膜（薄膜）に欠陥が形成されてしまうのを防止することができることなどにより、所望の特性を有する機能層（薄膜）を形成することができ、したがって高性能で低コストの半導体装置を製造することが可能となる。
【００２５】
本発明の電気光学装置は、前記の半導体装置を備えたことを特徴としている。なお、本発明でいう「電気光学装置」とは、電気的作用によって発光するあるいは外部からの光の状態を変化させる電気光学素子を備えた装置一般をいい、自ら光を発するものと外部からの光の通過を制御するもの双方を含む。例えば、電気光学素子として、液晶素子、電気泳動素子、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、電界の印加により発生した電子を発光板に当てて発光させる電子放出素子などが挙げられる。
この電気光学装置によれば、高性能の半導体装置を備えているので、この電気光学装置自体も高性能のものとなる。
【００２６】
本発明の電子機器は、前記の半導体装置、あるいは前記の電気光学装置を備えたことを特徴としている。なお、本発明でいう「電子機器」とは、複数の素子または回路の組み合わせにより一定の機能を奏する機器一般をいい、例えば電気光学装置やメモリを備えて構成される。ここで電子機器は、回路基板を一枚または複数備えることが可能である。その構成に特に限定が無いが、例えば、ＩＣカード、携帯電話、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、リア型またはフロント型のプロジェクター、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ等が含まれる。
この電子機器によれば、高性能の半導体装置あるいは電気光学装置を備えているので、この電子機器自体も高性能で低コストのものとなる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳しく説明する。
〔第１の実施形態〕
（薄膜形成装置）
図１に、本発明の薄膜形成装置の第１の実施形態を示す。この薄膜形成装置は、本発明の薄膜の形成方法を実施するのに好適なもので、薄膜を形成するための基板を導入するローダ（ＬＤ）１０と、該ローダ１０から導入された基板に各種の薄膜形成工程を実施する処理部１１と、該処理部１１にて薄膜が形成された基板を収納するアンローダ（ＵＬ）１２と、ローダ１０、処理部１１、及びアンローダ１２に連接されて基板の搬送が行われる連接室１３と、から構成されたものである。ローダ１０、処理部１１の各処理室、及びアンローダ１２は、連接室１３に対してそれぞれゲートバルブ１５を介して連通するよう構成されたものである。また、処理部１１における各部２０〜２４には、後述するように各種（酸化性、還元性、不活性）のガスを供給する供給系及び排気設備に接続される排気系がそれぞれに設けられており、これによって各部２０〜２４は、その内部圧力及び雰囲気が独立して制御されるようになっている。なお、ローダ１０、アンローダ１２及び連接室１３についても、処理部１１における各部２０〜２４の雰囲気に大気が巻き込まれないように、その内部の雰囲気を制御できる機構を具備しているのが望ましい。
【００２８】
処理部１１は、前処理部２０と塗布部２１と熱処理部とを備えてなり、さらに熱処理部は第１熱処理部２２と第２熱処理部２３と第３熱処理部２３との３部からなっている。前処理部２０では、基板に液状材料を塗布する前の前処理を施すようになっており、塗布部２１ではスピンコート法などにより液状材料を基板に塗布して塗布膜を形成するようになっている。また、第１熱処理室２２では塗布膜に含まれる溶剤などの比較的低温で揮発する成分を除去するようになっており、第２熱処理室２３では溶剤が除去された塗布膜をより高い温度で焼成するようになっており、第３熱処理部２４では更に高温の熱処理を行い、膜質の改善を図って所望の薄膜を形成するようになっている。
【００２９】
ここで、前記の各処理部、すなわち前処理部２０、塗布部２１、第１熱処理部２２、第２熱処理部２３、第３熱処理部２４、さらには前記連接室１３には、後述するようにそれぞれに排気装置や真空装置（図示せず）と各種（酸化性、還元性、不活性）のガス導入装置等からなる制御機構が設けられており、これによって各処理部及び連接室１３の雰囲気、すなわち各工程の処理雰囲気は、その雰囲気ガス種や圧力などがそれぞれ独立して制御されるようになっている。
【００３０】
前記の各処理部についてさらに具体的に説明すると、前処理部２０では、基板に対する前処理として、基板表面を洗浄するクリーニング処理や、基板表面の親液性又は撥液性を適宜調整する表面処理がなされるようになっている。これらの処理としては、紫外線光を基板表面に照射して処理室（チャンバ）内にオゾンを発生させ、表面処理を行う方法や、大気圧プラズマを発生させて基板表面の表面処理を行う方法等が採用される。これらの処理方法においては、基板の加熱が有効である場合もあることから、必要に応じて基板の加熱を行うようにしてもよい。なお、これらの異なる表面処理をするため、処理室を複数有していてもよい。
【００３１】
図２に、紫外光を照射して表面処理を行うようにした、前処理部２０の概略構成を示す。
前処理部２０は、図１に示したようにゲートバルブ１５を介して連接室１３に接続されたもので、内部の雰囲気を気密に保持するチャンバ３０と、基板Ｗを保持し、加熱機構（図示せず）を備えた基板ステージ３１と、チャンバ３０内部に向かって紫外光を照射するＵＶランプ３２と、チャンバ３０内の雰囲気制御のためにその内部に各種雰囲気ガスを供給するガス供給系３３と、チャンバ３０内を排気する排気系３４とから構成されている。基板ステージ３１には昇降機構（図示せず）が設けられており、基板とＵＶランプとの距離を変化させることができるようになっている。なお、ガス供給系３３は複数のガスを供給することが可能となっており、前処理として目的に合ったガスを供給することができるようになっている。また、チャンバ３０にチャンバ３０内の圧力を検出するための圧力センサ（図示せず）や、処理雰囲気のガス種やその濃度を検出するための雰囲気センサなどを取り付け、これらセンサの出力をガス供給系３３及び排気系３４にフィードバックすることにより、より精度良く雰囲気制御を行うようにしてもよい。
【００３２】
基板ステージ３１に備えられた加熱機構は、例えばホットプレート等の加熱装置を有してなるもので、基板Ｗ上に吸着している水分を除去することができるように構成されたものである。また、ＵＶランプ３２には、例えば１７２ｎｍの波長を含むエキシマランプが採用され、ガス供給系３３から供給された酸素を紫外光によって分解してオゾンを発生させ、基板Ｗ上の有機系不純物を分解し、基板表面を親水性或いは親液性とすることができる。また、１７２ｎｍのＵＶ光は、基板上に付着している有機物を直接分解除去する作用を有しているので、基板とＵＶランプ３２との距離や雰囲気ガスやその圧力制御により、基板の洗浄効果をより高めることができる。
【００３３】
ガス供給系３３からは、前記酸素（酸化性ガス）の他に、還元性ガス（例えば水素等）や不活性ガス（例えば窒素等）、或いはフッ素を有するガスも適宜チャンバ３０内に供給することができるようになっている。また、排気系３４には、排気装置または真空装置（図示せず）が接続されており、チャンバ３０内に供給されたガス量に応じて可変バルブ３５を制御することにより、チャンバ３０内の圧力をほぼ大気圧に保持させることが可能となっている。さらに、排気系３４は、処理後の基板Ｗを他の処理チャンバへ移動させる際に、一旦チャンバ３０内に充満した酸化性ガスを排気し、その後、チャンバ３０内に不活性ガスを供給することにより、酸化性ガスが他の処理チャンバに漏洩することを抑止する役割も有している。
【００３４】
なお、本実施形態では、前処理部２０が紫外光を照射して表面処理を行う場合について説明したが、本発明はこれに限定されることなく、前処理部２０としては、基板の周辺部にオゾンを発生させ、紫外線光を基板表面に照射して表面洗浄を行う工程や、大気圧プラズマを発生させて基板表面の表面洗浄や表面改質を行う工程を有するものであってもよい。このような工程であっても、基板表面の洗浄等の処理を施すことにより、液状材料塗布時の濡れ性や密着性を向上させることや、逆に濡れ性や密着性を低下させることができる。具体的には、例えば大気圧プラズマにより基板表面を表面処理する場合、酸素プラズマを用いることにより、基板表面の有機物汚染の除去や、基板表面を親液性にすることができる。また、ＣＦ４ガスなどのフッ素を含有したプラズマを用いれば、基板表面を撥液性にすることができる。
【００３５】
図３に、塗布部２１の概略構成を示す。
塗布部２１は、図１に示したようにゲートバルブ１５を介して連接室１３に接続されたもので、内部の雰囲気を気密に保持するチャンバ（塗布室）４０と、基板Ｗを保持し、回転機構（図示せず）を備えた基板ステージ４１と、液体供給系４２と、基板ステージ４１の回転力によって飛散する液状材料を捕捉し、廃液として収集する廃液処理系（廃液収容機構）４３と、チャンバ４０内部に各種雰囲気ガスを供給するガス供給系４４と、チャンバ４０内を排気する排気系４５とを備えて構成されたものである。ここで、この塗布部２１は本発明における塗布装置の一実施形態となるものであり、特に本実施形態では、スピンコータ法で塗布を行うよう構成されたものとなっている。
【００３６】
液体供給系４２は、基板Ｗに薄膜形成用の液状材料を供給する液状材料供給系（第１の液供給系）５０と、洗浄剤供給系（第２の液供給系）５２および失活剤供給系（第２の液供給系）９２と、パージ機構４７、５４とを備えて構成されたものである。
液状材料供給系５０は、ガスを導入して液状材料を押し出す役目を果たすガス供給部５５と、液状材料容器５１と、ノズル（ノズル部）５３と、液状材料容器５１とノズル５３との間に設けられる液状材料の滴下量制御部と、それら各部を接続する配管５６及び各バルブ（Ｖ１〜Ｖ３）とを備えて構成されたものである。滴下量制御部は、液状材料の流量を制御する流量制御装置（マスフローコントローラ：以下、ＭＦＣと表記する。）５７及び該ＭＦＣ５７の上下に設けられたバルブＶ２、Ｖ３からなっている。尚、液状材料の流量制御装置は、ノズル５３から基板上に滴下する液体材料の滴下量を制御することが目的であるため、ＭＦＣの替わりにニードルバルブでもよいし、単にバルブＶ３の開閉動作の時間制御だけで前記滴下量を制御するようにしてもよい。
【００３７】
ここで、この液状材料供給系５０においては、液状材料容器５１とＭＦＣ５７とノズル５３とが、この順で鉛直方向に上から配置されており、さらにこれら各部を接続する配管５６は水平部分を有することなく全て鉛直方向に向けて配設されている。このような構成のもとに液状材料供給系５０は、液状材料をその自重で液状材料容器５１からノズル５３にまで効率よく流動させることができるので、基板Ｗ上に滴下する液状材料の量を正確に制御することができるようになっている。また、メンテナンス時などにおいて液状材料容器５１内あるいは配管５６内の液状材料が不測に流れてしまっても、その自重によってチャンバ４０内に導かれることから、液状材料は塗布装置の外には流れ出ないようになっている。
なお、液状材料容器５１は、第１バルブＶ１及び第２バルブＶ２を閉じた後、液体供給系４２から取り外しが可能になっている。
【００３８】
洗浄剤供給系５２は、液状材料供給系５０だけでなく、この液状材料供給系５０を通じてチャンバ４０内や廃液処理系４３も洗浄する機能を有したもので、本実施形態では液状材料供給系５０における液状材料容器５１の上部に接続されてなるものである。すなわち、この洗浄剤供給系５２は、ガスを導入して洗浄剤を押し出す役目を果たすガス導入部５８と、液状材料供給系５０の配管５６とを連設する配管５９中に設けられて、一旦洗浄剤を貯留して液状材料供給系５０に洗浄剤を供給するための洗浄剤容器６０と、該洗浄剤容器６０に接続される配管５９の２カ所の両接続部に設置される第４バルブＶ４及び第５バルブＶ５とから構成されたものである。なお、洗浄剤容器６０は、第４バルブＶ４及び第５バルブＶ５を閉じた後、配管５９から取り外すことができるようになっている。
【００３９】
失活剤供給系９２も、前記洗浄剤供給系５２と同様、液状材料供給系５０だけでなく、この液状材料供給系５０を通じてチャンバ４０内や廃液処理系４３に残留している液状材料の活性を失わせる機能を有したものである。すなわち、この失活剤供給系９２も、前記洗浄剤供給系５２と同様、液状材料供給系５０における液状材料容器５１の上部に接続されてなるもので、ガスを導入して失活剤を押し出す役目を果たすガス導入部９３と、液状材料供給系５０の配管５６とを連設する配管９４中に設けられて、一旦洗浄剤を貯留して液状材料供給系５０に失活剤を供給するための失活剤容器９５と、該失活剤容器９５に接続される配管９４の２カ所の両接続部に設置される第９バルブＶ９及び第１０バルブＶ１０とから構成されたものである。なお、この失活剤容器９５も、第９バルブＶ９及び第１０バルブＶ１０を閉じた後、配管９４から取り外すことができるようになっている。
【００４０】
ここで、前記洗浄剤供給系５２で用いられる洗浄剤としては、使用する液状材料に応じて適宜選択されるが、具体的には、アルコール系溶液等の洗浄剤が用いられる。一方、失活剤供給系９２で用いられる失活剤としても、使用する液状材料に応じて適宜選択されるが、例えば液状材料がシリコン膜形成用としてのシクロシラン（ＳｉｎＨ２ｎ；ｎ≧５）や高次シラン（ＳｉｎＨ２ｎ＋２；ｎ≧３）である場合、例えばＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）やＩＰＡ（イソプロパノール）が好適に用いられる。すなわち、シクロシランや高次シランは空気に触れると自然発火したり、人体に有害なガスを発生することがあるので、失活剤としてはこれらを分解して不燃化及び無害化することで、結果としてその活性、すなわち発火性や毒性を失わせることができるものが用いられるが、前記のＴＭＡＨやＩＰＡはシクロシランや高次シランを良好に分解する性質を有しているためである。尚、シクロシランなどにはＩＰＡよりＴＭＡＨの方が失活効果が高く、ＩＰＡは容易に揮発するのでガスでパージし易いという特徴を有している。したがって、ＩＰＡを洗浄剤とし、ＴＭＡＨを失活剤として用いるのがより好ましい。
【００４１】
なお、本実施形態では、第２の液供給系として洗浄剤供給系５２および失活剤供給系９２の二つを備えたが、洗浄剤が失活剤としても機能する場合にはこの洗浄剤で失活剤を兼ねさせ、第２の液供給系を洗浄剤供給系５２あるいは失活剤供給系９２のいずれか一つにし、これから失活剤としても機能する洗浄剤を液状材料供給系５０に供給するようにしてもよい。また、洗浄剤や失活剤を複数種用意したい場合には、第２の液供給系を二つでなく、三つ以上備えてもよいのはもちろんである。
【００４２】
また、本実施形態では、洗浄剤供給系５２および失活剤供給系９２を、それぞれ液状材料供給系５０における液状材料容器５１の上部に接続させ、洗浄剤あるいは失活剤を液状材料供給系５０全体、すなわち液状材料容器５１、ＭＦＣ５７、ノズル５３、チャンバ４０、およびこれらを連通させる配管５６に供給できるようにしたが、本発明は特にこれに限定されることなく、第１の液供給系である液状材料供給系５０の任意の箇所に液を供給することができるよう、その接続点を任意の箇所に設けることができる。具体的には、第２バルブＶ２とＭＦＣ５７との間に接続してＭＦＣ５７以下に液を供給することができるようにしてもよく、また第３バルブＶ３とノズル５３との間に接続してノズル５３以下に液を供給することができるようにしてもよい。
【００４３】
図３に示した実施形態では、洗浄剤供給系５２、失活剤供給系９２を第１バルブＶ１と液状材料容器５１との間に接続し、洗浄剤、失活剤を液状材料容器５１に通すようにしているため、液状材料容器５１中に使用可能な液状材料が残っている場合、この液状材料をそのままにしては洗浄処理や失活処理を行うことができないが、第２バルブＶ２以下に接続することにより、液状材料容器５１中に液状材料が残っているか否かに関係なく、液状材料供給系５０の洗浄処理や失活処理を行うことができる。
【００４４】
なお、特に第２の液供給系を複数設けた場合、一つをチャンバ４０に直接接続し、チャンバ４０内を直接洗浄処理または失活処理できるようにしてもよい。
また、液状材料供給系５０には、その経路中にフィルタを設けておき、液状材料中に存在する異物や液状材料が固化した固形分等が基板Ｗ上に塗布されるのを防止しておくのが好ましい。このような目的でフィルタを設ける場合、特にノズル５３の先端側（吐出側）に設けるのが、基板Ｗ上への異物等の塗布をより確実に防止することができ、好ましい。
【００４５】
パージ機構４７は、液状材料供給系５０における第２バルブＶ２とＭＦＣ５７との間に接続されたもので、パージ機構４７へのガス導入部６３と液状材料供給系５０の配管５６とを連設する配管６４と、該配管６４に設置された第１１バルブＶ１１とから構成されたものである。
また、パージ機構５４は、液状材料供給系５０におけるノズル５３と第３バルブＶ３との間に接続されたもので、パージ機構５４へのガス導入部６１と液状材料供給系５０の配管５６とを連設する配管６２と、該配管６２に設置された第６バルブＶ６とから構成されたものである。
これらパージ機構４７、５４は、特に液状材料中の有機溶剤蒸気が経路中に残留している場合や、液状材料中の有機溶剤の揮発や液状材料の硬化に起因する液詰まりを防止する場合などに、ガス導入部６１、６３から導入された窒素等の不活性ガスを前記経路中に供給し、経路中の前記液状材料を不活性ガスに置換し、あるいは液詰まりを起こす異物等を除去するためのものである。
【００４６】
廃液処理系４３は、チャンバ４０内において、基板ステージ４１の外周及び下面部を覆うように設置され、これにより基板ステージ４１の回転力によって飛散した液状材料を収集するカバー７０と、該カバー７０に接続され、カバー７０で収集した液状材料を一時収容する１次容器７１と、該１次容器７１に第７バルブＶ７を介して連設された２次容器７２とを備えて構成されたものである。該２次容器７２は、第７バルブＶ７を閉じた後、取り外しが可能となっている。カバー７０はノズル５３から意図しない液の滴下や、ノズル５３からの滴下量の確認などのためのダミー滴下を受ける部分も兼ねて構成されている。なお、この廃液処理系３は、本発明における廃液収容機構を構成するものとなっている。
【００４７】
ガス供給系４４は、前記の前処理部２０の場合と同様に、酸化性ガス、還元性ガス及び不活性ガスを適宜選択してチャンバ４０内に供給することができるよう構成されたものである。
また、排気系４５は、ドライポンプ等の真空装置（図示せず）を備えて構成されたもので、チャンバ４０内に供給されたガス量に応じて可変バルブ(図示せず)を制御し、チャンバ４０内の圧力をほぼ大気圧に保持させるようにしたものである。さらに、この排気系４５は、処理後の基板Ｗを他の処理チャンバへ移動させる際に、一旦チャンバ４０内に充満した雰囲気ガスを排気し、その後、前記ガス供給系４４よりチャンバ４０内に不活性ガスを導入することで、雰囲気ガス中に含まれている酸化性ガスや液状材料から発生する有機系ガスが他の処理チャンバに漏洩することを防止する役割も有している。
【００４８】
また、チャンバ４０には、雰囲気ガス中の各種ガス濃度、例えば酸素濃度を調整する調整手段が設けられており、これによって酸素濃度等の各種ガス濃度を任意に調整できるようになっている。このような構成のもとにチャンバ４０は、その内部の酸素濃度や水等の酸化物濃度を共に１０ｐｐｍ以下、実際には１ｐｐｍ以下に保持できるようになっている。なお、チャンバ４０にはチャンバ４０内の圧力を検出するための圧力センサ（図示せず）や、処理雰囲気のガス種やその濃度を検出するための雰囲気センサ（図示せず）などが取り付けられており、これらセンサの出力をガス供給系４４及び排気系４５にフィードバックすることにより、より精度良く雰囲気制御が行われるようになっている。そして、このように精度良く雰囲気制御が行われることにより、形成する薄膜の膜質を向上させることができるようになっている。また、前記の圧力センサや雰囲気センサなどについては、チャンバ４０内の上部側に設けられているのが好ましい。このように上部側に設けられることにより、前記センサに液状材料が付着して汚染され、機能が低下するといったことが防止される。
【００４９】
このような構成の塗布部２１、すなわち本発明の塗布装置によって基板Ｗ上に液状材料を塗布するには、基板ステージ４１上に基板Ｗを真空吸着し、ノズル５３から液状材料を基板Ｗ上に滴下する。液状材料は、液状材料容器５１に一旦貯留された後、ガス導入部５５から窒素ガス等の不活性ガスが導入されて液状材料容器５１内が加圧されることにより、該液状材料容器５１内から導出される。そして、ＭＦＣ５７でその流量が調整されつつノズル５３から吐出され、基板Ｗ上に塗布される。塗布された液状材料は、基板Ｗの中央部に拡がり、さらに基板ステージ４１の回転によって基板Ｗの全面に引き延ばされ、塗布膜となる。
【００５０】
このとき、基板Ｗ上に留まらずに塗布膜とならなかった液状材料は、基板ステージ４１の回転力によって基板ステージ４１の外周部に向かって飛散する。飛散した液状材料は、チャンバ４０内に備えられたカバー７０によって収集された後、１次容器７１に導入され、ここで一時収容される。１次容器７１に溜まった液状材料は、第７バルブＶ７が開放され、かつ第２容器７２内が減圧されることによって第２容器７２に導入される。カバー７０から第２容器７２までの配管部分は、総ての箇所で傾斜を有している。したがって、カバー７０で捕集された液状材料は、自重でも第２容器７２に達することが出来るので、より効率よく廃液容器に収容することができる。そして、第７バルブＶ７が閉じられた後、第２容器７２が取り外されることにより、この第２容器７２内の液状材料は廃棄等の処分がなされるようになっている。なお、液状材料を１次容器７１から第２容器７２に移動する作業は、塗布膜を形成する合間に行うのが望ましい。そうすることによって、廃液雰囲気が塗布膜に影響することを防ぐことができる。また、第２容器７２は有機溶剤を含む液が溜まるので、この第２容器７２には排気系を接続しておくのが望ましく、その場合、この第２容器７２にバルブを介して排気系４６に接続するようにしてもよい。
【００５１】
次に、塗布部２１におけるスピンコータを一時休止させる際、液状材料の種類を変更させる際、または液状材料容器５１が空になり交換が必要な際などに、洗浄剤供給機構５２によって液状材料容器５１の内部を洗浄する方法について説明する。
まず、洗浄剤を収容した洗浄剤容器６０を洗浄剤供給系５２の配管５９に取り付ける。そして、液状材料容器５１内の液状材料を排出してこれをほぼ空にした後、第２バルブＶ２を閉じる。その後、第４バルブＶ４と第５バルブＶ５とを開放し、ガス導入部５８から不活性ガスを導入して洗浄剤容器６０内を加圧し、これによりこの洗浄剤容器６０から洗浄剤を導出させ、液状材料容器５１に流入させる。
【００５２】
ここで、液状材料として例えばシリコン膜を形成するシクロシラン等を使用しており、洗浄液ではこのシクロシランの活性を失わせることができない場合には、洗浄剤供給系５２から洗浄剤を液状材料容器５１に流入させ、洗浄処理を行うのに代えて、失活剤供給系９２から洗浄剤供給系５２による場合と同様にして失活剤を液状材料容器５１の内部に流入させ、該液状材料容器５１内に残留した液状材料の活性を失わせるようにする。なお、このようにして失活処理を行った後、あるいはこれに先立ち、前記洗浄剤供給系５２から洗浄剤を液状材料容器５１に流入させ、洗浄処理を行うようにしてもよいのはもちろんである。
【００５３】
また、スピンコータ２１を一時休止させる際、または液状材料の種類を変更させる際などに、液状材料供給系５０内、特にノズル５３内において、液状材料中の有機溶剤の揮発や液状材料の硬化に起因する液詰まりを防止するため、パージ機構４７あるいはパージ機構５４によって液状材料供給系５０内、特にノズル５３内をパージすることができる。このパージ処理は、例えばパージ機構４７で行う場合、第２バルブＶ２を閉じた後、第１１バルブＶ１１を開放し、ガス導入部６３から不活性ガスを導入することで行うことができる。また、パージ機構５４で行う場合には、第３バルブＶ３を閉じた後、第６バルブＶ６を開放し、ガス導入部６１から不活性ガスを導入することで行うことができる。
【００５４】
このような塗布装置（塗布部２１）にあっては、洗浄剤供給系５２または失活剤供給系９２によって残留した液状材料を洗浄しあるいは無害化することができるので、装置のメンテナンスなどの作業を安全に行うことができるだけでなく、欠陥の少ない薄膜を形成することができる。
また、塗布膜をスピンコート法で形成した際、滴下した液状材料のうちの９０％以上が基板Ｗの回転によって基板Ｗの周辺側に飛散し、その一部がそのままチャンバ４０内に残留し乾燥して固形の粉末となってしまい、次の塗布膜形成時の欠陥の原因となることがある。しかし、前記塗布装置（塗布部２１）にあっては、残留した液状材料を無害化すると同時に廃液処理系４３に導くことができるので、欠陥の少ない薄膜を形成することができる。
また、メンテナンスや非定常作業のためにチャンバ（塗布室）４０を大気解放しなければならないこともあるが、多くの液状材料は可燃性であり、液状材料によっては毒性や発火性を有するものもあることから、メンテナンスや非定常作業は危険な作業となる。しかし、前記の塗布装置によれば、これらの作業も安全に行うことができる。
【００５５】
なお、前記塗布装置（塗布部２１）においては、ノズル５３が２つの停止位置、すなわち前記液状材料を基板Ｗ上に滴下するための滴下位置と、該基板Ｗの搬送時や液状材料のダミー吐出時などのように液状材料を基板Ｗ上に滴下しないときの待機位置とを有し、これら停止位置間を移動可能になっており、かつその移動が制御可能になっているのが好ましい。また、その場合、特にノズル５３の待機位置に液受け部を設けておくのが望ましい。該液受け部をカバー７０と一体的な構造とするか、該液受け部で受けた液状材料を廃液処理系４３に導くように配管されているのが望ましい。
このような構成とすれば、ノズル５３が待機位置で待機できるため、基板Ｗをチャンバ４０に出し入れする際にノズル５３が邪魔になることなく、またノズル５３から不要な液状材料が基板Ｗ上に滴下されてしまうといったことも防止される。また、ノズル５３の待機位置に液受け部を設けた場合、基板Ｗへの液状材料を滴下する前にダミー滴下を行うことができ、したがってこのダミー滴下を一連の塗布作業の最初に行うことにより、液状材料を安定して滴下し、得られる薄膜の膜質、膜厚の均一性を確保することができる。さらに、洗浄処理や失活処理によって液状材料供給系５０に導入された洗浄剤や失活剤を、待機位置で滴下することもできる。
【００５６】
また、本発明の塗布装置における廃液収容機構としては、チャンバ４０（塗布室）内に導入された後不要となった液を廃液として収容するものであれば、前記の廃液処理系４３に限定されることなく適宜な構成のものを採用することができる。例えば、廃液容器と、該廃液容器とチャンバ４０とを接続する廃液配管とを備え、該廃液配管は該配管内を廃液が重力の働く方向に流れるよう配置され、該廃液容器とチャンバ４０とをアイソレートするアイソレートバルブを有し、前記廃液容器はその内部の気体を排気する排気配管と、内部の液体の量を検出する液量計（液面計）と、該廃液容器内の圧力が所定の圧力以上になると開いて前記圧力を解放するリリーフ弁と、を有して構成されたものでもよい。
【００５７】
このような構成とすれば、廃液収容機構の安全性の向上と廃液の影響を排除して膜質のよい薄膜を形成することができるようになる。また、廃液容器に液量計（液面計）を設けたので、該容器が一杯になる前に交換が可能となり、また、廃液容器に排気配管やリリーフ弁を設けたので、容器内に充満している有機溶剤などの気体を安全に排気することができ、万一容器内の圧力上昇があってもリリーフ弁によって一定圧力以上にはならないようにすることができる。したがって、廃液収容機構の安全性を確保することができる。
また、チャンバ４０と廃液容器との間を、重力の働く方向に廃液が流れるよう、水平方向でなく鉛直方向に向いてあるいは傾斜して配置された廃液配管で接続しているので、液状材料や洗浄剤、失活剤を速やかに廃液容器に導くことができる。さらに、廃液収容機構をチャンバ４０から遮断するアイソレートバルブを設けているので、塗布膜を形成する際、廃液収容機構に存在する廃液の影響を遮断することができ、薄膜の膜質が損なわれるのを防止することができる。
【００５８】
図４に、第１熱処理部２２の概略構成を示す。
第１熱処理部２２は、図１に示したようにゲートバルブ１５を介して連接室１３に接続されたもので、内部の雰囲気を気密に保持するチャンバ８０と、基板Ｗを保持し、かつ基板Ｗを加熱する加熱機構８１と、チャンバ８０内部に各種雰囲気ガスを供給する供給系８２と、チャンバ８０内部を排気する排気系８３とを有して構成されたものである。加熱機構８１としては、ホットプレートが好適に採用される。加熱機構８１による加熱によって、基板上の塗布膜に含まれる溶剤を除去し、膜の固体化を図ることができる。なお、本加熱機構８１により、基板温度を８０〜２００℃の範囲に制御することができ、また、排気系８３により、チャンバ８０内の酸素濃度及び水等の酸化物濃度は、１０ｐｐｍ以下、実際には１ｐｐｍ以下に維持することができるようになっている。また、チャンバ８０内部に各種雰囲気ガスを供給する供給系８２と、チャンバ８０内部を排気する排気系８３とは、第１熱処理部２２、すなわちチャンバ８０内の処理雰囲気を独立して制御するための、前記制御機構の主構成要素となっている。
【００５９】
図５に、第２熱処理部２３の概略構成を示す。
第２熱処理部２３は、加熱炉（ホットウォール型）を構成するもので、ゲートバルブ１５を介して連接室１３に接続され（図１参照）、かつ、内部の雰囲気を気密に保持する石英管（処理室）８５と、該石英管８５内部において基板Ｗを保持するための、複数段からなる石英製の基板ホルダ８６と、該基板ホルダ８６を載置し、加熱機構（図示せず）及び上下可動機構を備えたサセプター８７と、石英管８５内部に各種雰囲気ガスを供給する供給系８８と、石英管８５内部を排気する排気系８９とからなるものである。該加熱炉によって、第１熱処理部２２における加熱温度よりも高い温度で基板Ｗを加熱することにより、塗布膜の膜質を改善して、所望の膜質の塗布膜を形成することができる。また、排気系８９により、炉内の酸素濃度及び水等の酸化物濃度は、１０ｐｐｍ以下、実際には１ｐｐｍ以下に維持することができるようになっている。薄膜の特性として半導体膜や金属膜は、酸素の存在が膜質の低下をもたらすことが多いので、酸素や水分濃度を出来る限り低減した雰囲気で熱処理するのが望ましいが、絶縁膜、特に酸化膜を形成する場合は、酸素や水分の存在が膜質の向上に必要な場合もある。したがって、良好な膜質改善を行うために、雰囲気ガスは、酸化性ガス、水素ガス等の還元性ガス、不活性ガスなど薄膜によって選択されることになる。また、石英管８５内部に各種雰囲気ガスを供給する供給系８８と、石英管８５内部を排気する排気系８９とは、第２熱処理部２３の処理室、すなわち石英管８５の処理雰囲気を独立して制御するための、前記制御機構の主構成要素となっている。
【００６０】
第３熱処理部２４では、図示しないものの、加熱手段としてレーザアニール又はランプアニールが採用されている。この場合、第２熱処理部２４における加熱温度よりもさらに高い温度で加熱処理することにより、さらに良好な膜質改善を行うことができる。なお、この第３熱処理部２４にも、そのチャンバ（処理室）内部に各種雰囲気ガスを供給する供給系と、チャンバ内部を排気する排気系とが備えられており、これらは、チャンバ内の処理雰囲気を独立して制御するための、前記制御機構の主構成要素となっている。
【００６１】
連接室１３は、その内部の雰囲気ガスを制御するための制御手段（制御機構）を備えたもので、前記各処理部２０〜２４における各チャンバ（処理室）から別の処理部に移動させる際や一時保管する際に、基板Ｗを大気に晒すことなく所望の雰囲気に保持できるようにしたものである。前記制御手段（制御機構）は、雰囲気ガスの選択および選択されたガスの供給を担う供給手段と、ドライポンプ等による排気手段と、を有してなるものである。また、排気手段と十分純度の高い不活性ガス（例えば窒素ガス）の供給により、所定の処理室の雰囲気ガス中の酸素、もしくは水等の酸化物濃度を、１０ｐｐｍ以下、実際には１ｐｐｍ以下に制御することができるようになっている。さらに、処理部１１の各部と連接室１３内の圧力は、装置外部からの大気流入を防止するために、常時、大気圧より高めに維持されているのが望ましい。また、連接室１３には、図示しないものの、前記排気手段のドライポンプに加えてクライオポンプが備えられており、必要に応じて所定の処理室の雰囲気ガス中の水分除去を極限まで行うことができるようになっている。
ここで、この連接室１３と処理部１１の各部とには、それぞれＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）が備えられることにより、各部の雰囲気と圧力とを互いに独立して制御できるようになっている。
なお、前記制御手段、すなわち雰囲気ガスの選択と選択されたガスの供給手段と、ドライポンプ等による排気手段とを有してなる制御機構を、前述した各部２０〜２４のそれぞれに設けるようにしてもよく、また連接部１３の制御手段を用いて前記ＡＰＣを介して各部２０〜２４の雰囲気および圧力をそれぞれ独立して制御するようにしてもよい。
【００６２】
前記のような構成によれば、従来のＣＶＤ装置に比較して、装置構成が著しく簡単であり、従って、装置価格が格段に安価となる。しかもＣＶＤ装置に比較してスループットが高く、メンテナンスが簡単であり装置の可動率が高い。ＣＶＤ装置では成膜室の内壁にも薄膜が形成され、その薄膜が剥がれることによる欠陥が発生するが、本装置構成ではそのようなことがない。
更にまた、本発明の構成による薄膜形成は、従来の薄膜形成装置に比べて、制御すべき項目が少なく、且つ簡単な方法で制御できるので、均一で再現性の高い薄膜形成が可能である。従来の装置では、複数のガスの流量とその比率、圧力、基板の温度、プラズマのパワー、電極と基板間の距離、など非常に多くの制御項目があるのに対し、本発明による薄膜形成においては、塗布条件（例えばスピンコータの回転数と回転時間）と、熱処理条件（温度と時間）及び各処理室の雰囲気だけが制御項目となる。
また、例えば連接室１３に設けられた制御装置によって処理部１１の各部と連接室１３内の雰囲気ガスとをそれぞれ独立して制御するようにしたので、各工程における雰囲気ガスを所望の雰囲気に制御することができ、したがって得られる薄膜への酸化物の含有を極力抑えることができるなど、所望の特性を有する薄膜を形成することができる。
さらに、塗布部２１には、洗浄剤供給系５２、失活剤供給系９２、及び廃液処理系４３を備えたことにより、装置のメンテナンスを効率良く実施し、装置の高性能化と、高性能化による製品の低コスト化を実現することができる。
【００６３】
（塗布導電膜の形成方法）
次に、導電性粒子を含有した液状材料を塗布して塗布導電膜を形成する方法について説明する。
この塗布導電膜は、図１に示した薄膜形成装置を用いて製造することができる。この場合、液状材料としては、金属などの導電性物質の微粒子を液体、例えば有機溶媒に分散させたものを用いる。例えば、粒径８〜１０ｎｍの銀（Ａｇ）微粒子をテルピネオールやトルエン等の有機溶媒に分散させたものを、基板上にスピンコート法により塗布する。あるいは、液滴吐出法により、基板上に所望のパターンで塗布膜を形成する。
【００６４】
次に、第１の熱処理部２２で塗布膜中の揮発成分を除去した後、さらに、第２の熱処理部２３にて、約２５０〜３００℃で熱処理すれば、数百ｎｍの導電膜を得ることができる。導電性物質の微粒子には、そのほかにＡｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、又はＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）などがあり、前記の薄膜形成装置によって導電膜を形成することができる。これにより例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の導電膜や回路基板に形成される金属配線を、本発明を用いて低コストで製造することが可能になる。
【００６５】
また、塗布導電膜の抵抗値はバルクの抵抗値に比べると１桁程度高くなることがあるので、第３熱処理部２４にて、塗布導電膜を約３００〜５００℃で数１０分さらに熱処理し、導電膜の抵抗値を低下させるのが好ましい。熱処理時間が数秒あるいは数ｍ秒以下の場合は、薄膜デバイスや基板への影響がない範囲でより高温で熱処理することも出来る。このような加熱処理により、例えばＴＦＴのソース領域と、塗布導電膜で形成したソース配線とのコンタクト抵抗、さらにはドレイン領域と、塗布導電膜で形成したドレイン電極とのコンタクト抵抗を低減することができる。すなわち、この第３熱処理部２４にて、レーザアニールやランプアニール等の高温短時間の熱処理を行うことにより、塗布導電膜の低抵抗化とコンタクト抵抗の低減をより効果的に行うことができる。また、異種の金属を多層形成して、信頼性を向上させることもできる。なお、ＡｌやＣｕなどの卑金属膜は比較的空気中で酸化され易いので、ＡｇやＡｕなどの貴金属のように空気中で酸化されにくい金属膜を形成するのが好ましい。
【００６６】
（塗布絶縁膜の形成方法）
次に、塗布絶縁膜を形成する方法について説明する。
該塗布絶縁膜は、図１に示す装置を用いて製造することができる。塗布された後に熱処理されることで絶縁膜となる液体として、ポリシラザン（Ｓｉ−Ｎ結合を有する高分子の総称である）を挙げることができる。ポリシラザンのひとつは、［ＳｉＨ２ＮＨ］ｎ（ｎは正の整数）であり、ポリペルヒドロシラザンと言われる。この製品は、クラリアントジャパン（株）より市販されている。なお、［ＳｉＨ２ＮＨ］ｎ中のＨがアルキル基（例えばメチル基、エチル基など）で置換されると、有機ポリシラザンとなり、無機ポリシラザンとは区別されることがある。本実施形態では、無機ポリシラザンを使用することが好ましい。ポリシラザンをキシレンなどの液体に混合して、基板上に、スピンコートする。
【００６７】
また、塗布された後に熱処理することで絶縁膜となるものとして、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）膜を挙げることもできる。このＳＯＧ膜は、シロキサン結合を基本構造とするもので、アルキル基を有する有機ＳＯＧとアルキル基を持たない無機ＳＯＧがあり、アルコールなどが溶媒として使用される。ＳＯＧ膜は平坦化を目的としてＬＳＩの層間絶縁膜に使用されている。有機ＳＯＧ膜は酸素プラズマ処理に対してエッチングされ易く、無機ＳＯＧ膜は数百ｎｍの膜厚でもクラックが発生し易すいなどの問題があり、単層で層間絶縁膜などに使用されることは殆どなく、ＣＶＤ絶縁膜の上層や下層の平坦化層として利用される。これに対して、ポリシラザンはクラック耐性が高く、また耐酸素プラズマ性があり、単層でもある程度厚い絶縁膜として使用可能である。
【００６８】
液状材料が塗布された基板を、第１の熱処理部２０で塗布膜中の揮発成分を除去する熱処理を行った後、第２熱処理部２３に搬送し、酸素又は水蒸気雰囲気で温度約３００〜５００℃、約１０〜６０分間熱処理することにより、ＳｉＯ２に変成される。ここで、例えば、形成する絶縁膜がゲート絶縁膜である場合、ゲート絶縁膜は、ＴＦＴの電気的特性を左右する重要な絶縁膜であるので、膜厚、膜質と同時にシリコン膜との界面特性も制御されなければならない。従って、絶縁膜の塗布形成前のシリコン膜の表面状態を清浄にする前処理部での基板洗浄や、第３熱処理部２４では、第２の熱処理部２３での上述した熱処理の後に、レーザアニール又はランプアニールによって、第２熱処理部２３での熱処理温度より高い温度にて、短時間の熱処理を行うのが望ましい。
【００６９】
（塗布シリコン膜の形成方法）
次に、半導体膜としてシリコン膜を形成する方法について説明する。
このシリコン膜は、図１に示した薄膜形成装置を用いて製造することができる。塗布された後に熱処理されることでシリコン膜となる液体として、例えば、シクロシランを挙げることができる。また、そのほかに本発明におけるシリコン膜形成において使用可能な液状材料としては、一般式ＳｉｎＸｍ（ここで、ｎは５以上の整数を表し、ｍはｎ又は２ｎ−２、又は２ｎの整数を表し、Ｘは水素原子及び／又はハロゲン原子を表す）で表される環系を有するケイ素化合物を必須成分とする溶液が挙げられるが、該溶液に、ｎ−ペンタシラン、ｎ−ヘキサシラン、ｎ−ヘプタシラン等のケイ素化合物が含まれていてもよい。
【００７０】
塗布部２１にて前記液状材料を塗布された基板は、第１熱処理部で溶剤が除去され、次に第２熱処理部２３にて３００〜５００℃程度の温度で熱処理されることにより、金属シリコン膜が形成される。さらに、第３熱処理部２４にて熱処理される。この熱処理は、レーザアニール又はランプアニールにより高温短時間で行われ、結晶性のよいシリコン膜が形成される。レーザアニールではシリコン膜の溶融結晶化が起こり、ランプアニールでは高温での固相結晶化が起こる。このような高温短時間の熱処理を行うことにより、第２熱処理部２３のみで熱処理されたものと比較して、シリコン膜の結晶性、緻密性、及び他の膜との密着性を向上させることができる。
【００７１】
〔第２の実施形態〕
図６は、本発明の薄膜形成装置の第２の実施形態を示す図である。なお、図６中において図１と同一構成のものには同一の符号を付し、その説明を省略する。本実施形態における薄膜形成装置では、基本的な構成は図１に示す第１の実施の形態と同様であるが、処理部９０の、基板に液状材料を塗布する塗布部９１（塗布装置）、すなわち本発明における塗布装置の他の実施形態となる塗布部９１は、スピンコート法にて液状材料を塗布する代わりに、いわゆるインクジェット法にて液状材料を塗布するようになっている。
【００７２】
図７に、塗布部９１の概略構成を示す。
塗布部９１を構成する塗布装置は、ゲートバルブ１５を介して連接室１３に接続され、かつ、内部の雰囲気を気密に保持するチャンバ（塗布室）１００と、基板Ｗを保持する基板ステージ１０１と、基板Ｗに対して液状材料を供給する液体供給系１０２と、飛散した液状材料を確保し、廃液として収集する廃液処理系１０３と、チャンバ１００内部に各種雰囲気ガスを供給する供給系１０４と、チャンバ１００内部を排気する排気系１０５とを備えている。なお、チャンバ１００内部に各種雰囲気ガスを供給する供給系１０４と、チャンバ１００内部を排気する排気系１０５とは、塗布部９１の処理室、すなわちチャンバ１００の処理雰囲気を独立して制御するための、前記制御機構の主構成要素となっている。
ここで、液体供給系１０２、廃液処理系１０３、供給系１０４、及び排気系１０５については、それぞれ第１の実施形態で示した塗布部２１に備えられている液体供給系４２、廃液処理系４３、供給系４４、及び排気系４５とほぼ同一構成となっているので、その説明を省略し、塗布部２１と異なる点についてのみ説明する。
【００７３】
塗布部９１では、液状材料は、液状材料容器５１からＭＦＣ５７を介してディスペンサヘッド１１０に供給され、ディスペンサヘッド１１０に設けられた複数のノズル１１１から、基板Ｗ上に非常に多くのドット３００として塗布される。ここで、ディスペンサヘッド１１０は微小液滴を吐出する液滴吐出部となるものであり、このディスペンサヘッド１１０は、前記基板ステージ１０１に対して相対的に移動することにより、該基板ステージ１０１上に保持された基板Ｗの所望位置に微小液滴を滴下できるようになっている。尚、ＭＦＣ５７は必ずしも必要ではなく、ディスペンサヘッド１１０により所望の量の微小液滴を吐出することが出来れば不要である。
【００７４】
図８に、ディスペンサヘッド１１０の詳細断面を示す。
このディスペンサヘッド１１０は、インクジェットプリンタのヘッドと同様の構造のもので、ピエゾ素子の振動で液状材料を吐出するよう構成されたものである。液状材料は、入り口部３１１から供給口３１２を介してキャビティ部３１３に溜まる。振動板３１５に密着しているピエゾ素子３１４の伸縮によって該振動板３１５が動き、キャビティ３１３の体積が減少または増加する。すると、液状材料は、キャビティ３１３の体積が減少することでノズル口３１６から吐出され、また、キャビティ３１３の体積が増加することで供給口３１２からキャビティ３１３に供給される。ノズル口３１６は、例えば、図９に示すように、２次元的に複数個配列されており、図７に示したように、基板Ｗとディスペンサヘッド１１０とが相対的に移動することにより、基板の所望の位置に液状材料を吐出し、所望の形状に塗布膜を形成できるようになっている。
【００７５】
図９において、ノズル口３１６の配列ピッチは、横方向ピッチＰ１が数１０〜数１００μｍ、縦方向ピッチＰ２が数ｍｍである。ノズル口３１６の口径は数１０μｍ〜数１００μｍ程度である。一回の吐出量は数〜数１００ｎｇであり、吐出される液状材料の液滴の大きさは直径数〜数１００μｍである。、ノズル３０５から吐出された１つの液滴は基板上では数〜数１００μｍの円形のパターン（ドット３００）となる。前記ドット３００のピッチを小さくして隣り合うドットを互いに連続させるように吐出することで、基板上に線状パターンや島状パターンに塗布膜を形成することができる。従って、本方式による薄膜の形成方法では、必要な領域に必要な量の液体材料を塗布するので、材料の使用効率が著しく高くなり、コストを低減することができる。また、薄膜をエッチングする工程をなくすることが出来るので、エッチング装置も不要になり、エッチングに伴なうプラズマダメージやオーバエッチに起因する下地に対する問題もなくなることになる。従って、大幅なコストダウンと工程短縮、デバイスの高性能化や安定した品質のデバイスを作製することが可能となる。
【００７６】
また、このインクジェット方式の液体塗布方式では、基板全面に塗布膜を形成することもできる。このためには、ドット３００の間隔を狭くして互いに重なるようにドット３００を形成するか、ステージ１０１に回転機構を設けて、ドット状に形成された液体材料を、基板全面に広がるようにしてもよい。したがって液状材料を効率的に使用することができる。この方式は、第１の実施形態で説明した塗布膜にて形成される導電膜、絶縁膜、半導体膜の形成にも適用できるので、これらの薄膜を有して形成された薄膜デバイスを利用した画像表示装置や電子機器のコスト低減に非常に大きな効果をもたらすものとなる。
【００７７】
〔第３の実施形態〕
図１０は、本発明の薄膜形成装置の第３の実施形態を示す図である。なお、図１０中において図１及び図６と同一構成のものには同一の符号を付し、その説明を省略する。
本実施形態における薄膜形成装置では、基本的な構成は図１及び図６に示す第１及び第２の実施の形態と同様であるが、処理部１２０において、基板に液状材料を塗布する塗布工程として、スピンコート法にて液状材料を塗布する塗布部（塗布装置）２１と、インクジェット法にて液状材料を塗布する塗布部（塗布装置）９１とをそれぞれ有している。
【００７８】
このような構成によれば、薄膜の種類や形状によって、液状材料の塗布方法を選択することが可能となる。例えば、基板全面に薄膜を形成する場合には、塗布部２１にてスピンコート法を用いて効率良く塗布を行うことができる。それに対して、塗布部９１でのインクジェット法による液体塗布では、数〜数１０μｍ幅の線状のパターンに塗布することができる。この技術をシリコン膜や導電膜の形成に用いれば、例えばＴＦＴの薄膜形成において、フォトリソグラフィ工程が不要な直接描画が可能となる。ＴＦＴのデザインルールが数〜数１０μｍ程度であれば、この直接描画と塗布方式の薄膜形成技術を組み合わせることにより、ＣＶＤ装置、スパッタ装置、露光装置、エッチング装置を使用しない液晶表示装置の製造が可能となる。また、不純物がドープされた半導体材料を用いることにより、イオン打ち込みやイオンドーピング装置も不要となる。
【００７９】
〔第４の実施形態〕
（半導体装置の形成方法）
図１１〜１３に、半導体装置（例えば、ＴＦＴ）の基本的な製造工程を示す。図１１（ａ）に示すように、シリコン基板２００上に第１絶縁膜（下地絶縁膜）２０１が形成され、さらに、該第１絶縁膜２０１上に第２絶縁膜２０２が形成される。第１絶縁膜２０１及び第２絶縁膜２０２は、それぞれ、例えばポリシラザンを溶媒に混合した第１の液状材料がスピンコート法で塗布され、熱処理によってＳｉＯ２とされることで形成される。
【００８０】
次に、フォトエッチング工程によりシリコン膜形成領域がパターニングされる。第２絶縁膜２０２上には、第１レジスト膜２０３が形成され、該第１レジスト膜２０３のパターンに合わせて第２絶縁膜２０２のシリコン膜形成領域がエッチングされる。絶縁膜のエッチングにフッ素を含有したプラズマを用いると、レジスト表面が弗化され、撥液性を有するようになる。シリコン原子を含有した第２の液状材料は、インクジェット法によりシリコン膜形成領域に向けて滴下される。第１レジスト膜２０３の表面は、第２の液状材料が接触する第１絶縁膜２０１の表面に比べて、プラズマの作用で撥液性となっているので、第２の液状材料は、スムースにシリコン膜領域に進入することが可能となる。第２の液状材料の塗布の終了後、熱処理によって、第２の液状材料に含有していた有機溶剤が除去される。この熱処理の加熱温度は、約１５０℃、加熱時間は、約５分間である。
【００８１】
図１１（ｂ）に示すように、熱処理後、第１レジスト膜２０３は、剥離され、さらに、第２の熱処理によって、シリコン塗布膜は固体化され、シリコン膜２０４が形成される。尚、レジストに耐熱性があれば第１の熱処理をより高い温度で行ったり、あるいは第２の熱処理後に第１レジスト膜２０３を隔離してもよい。
【００８２】
図１１（ｃ）に示すように、シリコン膜２０４の形成後、該シリコン膜２０４及び第２絶縁膜２０２上にゲート絶縁膜となる第３絶縁膜２０５が形成される。第３絶縁膜２０５は、下層の絶縁膜と同様に、例えば、ポリシラザンを溶媒に混合した第１の液状材料をスピンコート法により塗布され、熱処理によりＳｉＯ２に転化されて形成される。
【００８３】
図１２（ｄ）に示すように、第３絶縁膜２０５形成後、図１１（ａ）と同様に、フォトエッチング工程によりゲート電極領域がパターニングされる。第３絶縁膜２０５上には、第２レジスト膜２０６が形成され、フォト工程によりゲート電極形成領域がパターニングされる。次に、第２レジスト膜２０６の表面を、フッ素含有ガスを用いたプラズマで処理することにより、レジスト表面を撥液性にさせる表面処理を行っても良い。該表面処理後、ＡｇやＣｕ等の金属粒子が含有された第３の液状材料は、材料吐出方式法によりゲート電極領域に向けて滴下される。第２レジスト膜２０６の表面は、プラズマ処理によるフッ化作用で撥液性を有しているので、第３の液状材料は、スムースにシリコン膜領域に進入することが可能となる。第３の液状材料の塗布の終了後、第１の熱処理によって、第３の液状材料に含有していた有機溶剤が除去される。この第１熱処理の加熱温度は、約１５０℃、加熱時間は、約３０分間である。
【００８４】
図１２（ｅ）に示すように、第１の熱処理後、第２レジスト膜２０６は、剥離され、さらに、第２の熱処理によって、ゲート電極膜は微密化され、ゲート電極２０７が形成される。ゲート電極２０７の形成後、シリコン膜２０４に向けて不純物のイオン注入が行われ、シリコン膜２０４には、不純物が高濃度にドープされたソース領域２０４Ｓ及びドレイン領域２０４Ｄと、ソース領域２０４Ｓとドレイン領域２０４Ｄとの間のチャネル領域２０４Ｃとが形成される。
【００８５】
図１２（ｆ）に示すように、シリコン膜２０４への不純物注入の終了後、第３絶縁膜２０５、及びゲート電極２０７上に、層間絶縁膜となる第４の絶縁膜２０８が形成される。第４絶縁膜２０８は、下層の絶縁膜と同様に、例えば、ポリシラザンを溶媒に混合した第１の液状材料をスピンコート法により塗布され、熱処理によりＳｉＯ２に転化されて形成される。ここで、さらに熱処理を加え、各種絶縁膜の緻密化と、注入した不純物の活性化を図る。
【００８６】
図１２（ｇ）に示すように、第４の絶縁膜２０８上には、コンタクトホールを形成するための第３レジスト膜２０９が形成され、シリコン膜２０４の表面までエッチングをし、コンタクトホールを開口する。
【００８７】
図１３（ｈ）に示すように、コンタクトホール形成後、さらに第３レジスト膜２０９上に追加露光してソース電極及びドレイン電極の形成領域をパターニング形成する。
【００８８】
図１３（ｉ）に示すように、電極パターン領域形成後、ＣｕやＡｌ等の金属粒子が含有された第４の液状材料は、材料吐出方式によりソース・ドレイン各電極領域に向けて滴下される。第３レジスト膜２０９の表面は、プラズマ処理により撥液性を有しているので、第４の液状材料は、スムースにソース・ドレイン各電極領域に進入することが可能となる。第４の液状材料の塗布の終了後、第１の熱処理によって、第４の液状材料に含有していた有機溶剤が除去され、固体状の金属膜が形成される。この熱処理の加熱温度は、約１５０℃、加熱時間は、約３０分間である。
【００８９】
図１３（ｊ）に示すように、熱処理後、第４レジスト膜２０９は、剥離され、さらに、第２の熱処理によって、金属膜は焼成され、低抵抗のソース電極２１１とドレイン電極２１０とが形成される。電極形成後、最上層に保護膜（保護用絶縁層）２１２が形成される。
【００９０】
なお、この第４の実施形態では、半導体装置の製造方法として説明したが、電気光学装置に用いられるアクティブマトリクス基板であるＴＦＴ基板や、同様にアクティブマトリクス基板としてＭＩＭ（金属−絶縁−金属）、ＭＩＳ（金属−絶縁−シリコン）などの他の２端子、３端子素子を画素スイッチング素子とするものにも適用できる。例えばＭＩＭを用いたアクティブマトリクス基板の薄膜積層構造は半導体層を含まず、導電層と絶縁層のみで構成されるが、この場合にも本発明を適用できる。
また、例えば有機ＥＬ装置などの電気光学装置の製造や、一般的なＬＳＩの製造にも適用可能であり、さらには、前記以外の半導体層を含む種々の薄膜積層構造を有する薄膜デバイスにも本発明は適用可能である。
【００９１】
〔第５の実施形態〕
（電気光学装置）
次に、本発明の電気光学装置の一例として、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置について説明する。
図１４は、前記薄膜形成装置によって形成された半導体装置を有する有機ＥＬ装置の側断面図であり、まずこの有機ＥＬ装置の概略構成を説明する。
図１４に示すようにこの有機ＥＬ装置３０１は、基板３１１、回路素子部３２１、画素電極３３１、バンク部３４１、発光素子３５１、陰極３６１（対向電極）、および封止基板３７１から構成された有機ＥＬ素子３０２に、フレキシブル基板（図示略）の配線および駆動ＩＣ（図示略）を接続したものである。回路素子部３２１は、ＴＦＴ等からなるアクティブ素子３２２を基板３１１上に形成し、複数の画素電極３３１を回路素子部３２１上に整列させて構成されたものである。ここで、ＴＦＴ等からなるアクティブ素子３２２は、その一部が前記の薄膜塗布装置によって形成されたものであり、具体的には図１１〜図１３に示したような工程で形成されたものである。
【００９２】
また、各画素電極３３１間にはバンク部３４１が格子状に形成されており、バンク部３４１により生じた凹部開口３４４に、発光素子３５１が形成されている。陰極３６１は、バンク部３４１および発光素子３５１の上部全面に形成され、陰極３６１の上には封止用基板３７１が形成されている。
有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬ装置３０１の製造プロセスは、バンク部３４１を形成するバンク部形成工程と、発光素子３５１を適切に形成するためのバンク表面処理工程と、発光素子３５１を形成する発光素子形成工程と、陰極３６１を形成する対向電極形成工程と、封止用基板３７１により発光素子全体を外界から保護するための封止工程とを備えている。
【００９３】
発光素子形成工程は、バンク部３４１に囲まれた凹部開口３４４、すなわち画素電極３３１上に正孔注入層３５２および発光層３５３を形成することにより発光素子３５１を形成するもので、正孔注入層形成工程と発光層形成工程とを具備している。そして、正孔注入層形成工程は、正孔注入層３５２を形成するための第１組成物（液状体）を各画素電極３３１上に吐出する第１吐出工程と、吐出された第１組成物を乾燥させて正孔注入層３５２を形成する第１乾燥工程とを有し、発光層形成工程は、発光層３５３を形成するための第２組成物（液状体）を正孔注入層３５２の上に吐出する第２吐出工程と、吐出された第２組成物を乾燥させて発光層３５３を形成する第２乾燥工程とを有している。
【００９４】
この有機ＥＬ装置３０１においては、そのアクティブ素子３２２として第４の実施形態で示したような半導体装置（ＴＦＴ）が用いられており、したがってこの有機ＥＬ装置３０１によれば、低コストで高性能の半導体装置を備えていることにより、この有機ＥＬ装置３０１自体も高性能のものとなる。
なお、本発明が適用される電気光学装置としては、前記のものに限定されることなく、例えば電気泳動装置や液晶表示装置、プラズマディスプレイ装置など種々のものにも適用可能である。
【００９５】
〔第６の実施形態〕
（電子機器）
第６の実施形態として、本発明の電子機器の具体例について説明する。
図１５は、携帯電話の一例を示した斜視図である。
図１５において、６００は内部に第４の実施形態の方法で製造された半導体装置を備えた携帯電話本体を示し、６０１は同じく第４の実施形態の方法で製造された半導体装置を備えた有機ＥＬ装置からなる表示部を示している。
図１５に示した電子機器（携帯電話）は、前記実施形態の半導体装置もしくは有機ＥＬ装置を備えたものであるので、高性能の半導体装置を備えていることにより、この電子機器自体も高性能のものとなる。
なお、電子機器としては、前記の携帯電話以外にも、ワープロ、パソコン、腕時計型電子機器など各種のものに適用可能である。
【００９６】
以上、本発明の塗布装置、薄膜の形成方法、薄膜形成装置、半導体装置の製造方法、電気光学装置、並びに電子機器について説明したが、本発明は前記実施形態に限定されることなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で設計自由に変更が可能である。
例えば、前記第１の実施形態の薄膜形成装置では、図１に示したように処理部１１に連接室１３を連接した構成としたが、本発明は、これに限定されることなく、図１６に示すように連接室を設けず、処理部１１をローダ１０からアンローダ１２まで直接連続（連通）させた構成としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】 第１実施形態による薄膜形成装置を示す概略構成図である。
【図２】 前処理部の概略構成図である。
【図３】 塗布部（塗布装置）の概略構成図である。
【図４】 第１熱処理部の概略構成図である。
【図５】 第２熱処理部の概略構成図である。
【図６】 第２実施形態による薄膜形成装置を示す概略構成図である。
【図７】 インクジェット処理部の概略図である。
【図８】 図７におけるディスペンサヘッドの部分拡大側面図である。
【図９】 図７におけるディスペンサヘッドの部分拡大底面図である。
【図１０】 第３実施形態による薄膜形成装置を示す概略構成図である。
【図１１】 半導体装置の製造工程図である。
【図１２】 半導体装置の製造工程図である。
【図１３】 半導体装置の製造工程図である。
【図１４】 有機ＥＬ装置の側断面図である。
【図１５】 第５の実施形態による電子機器の例を示す斜視図である。
【図１６】 他の実施形態による薄膜形成装置を示す概略構成図である。
【符号の説明】
１３…連接室、２０…前処理部、２１…塗布部（塗布装置）、
２２…第１熱処理部（熱処理装置）、２３…第２熱処理部（熱処理装置）、
２４…第３熱処理部（熱処理装置）、４０…チャンバ（塗布室）、
４２…液体供給系、４３…廃液処理系（廃液収容機構）、
５０…液状材料供給系（第１の液供給系）、５１…液状材料容器、
５２…洗浄剤供給系（第２の液供給系）、
５３、１１１…ノズル（ノズル部）、
５７…ＭＦＣ（マスフローコントローラ）、６０…洗浄剤容器（容器）、
９１…塗布部（塗布装置）、９２…失活剤供給系（第２の液供給系）、
Ｗ…基板
【発明の属する技術分野】
本発明は、液状材料を用いて薄膜を形成する技術に係るもので、特に塗布装置、薄膜の形成方法、薄膜形成装置、半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、各種電子機器に採用されている半導体装置は、半導体膜、絶縁膜、及び導電膜等の薄膜で構成されているのが一般的である。これらの薄膜形成には、主にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やスパッタ法が採用されている。ＣＶＤ法には常圧ＣＶＤ、減圧ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ等がある。また、スパッタ法にはＡＣ型とＤＣ型があり、ＡＣ型は絶縁膜形成に、ＤＣ型は導電膜形成に用いられている。
【０００３】
従来のＣＶＤ法やスパッタ法には、真空装置、プラズマ等を発生させるための電源装置、薄膜形成のためのガス供給装置、基板温度の制御等が必要である。また、薄膜形成に用いるガスとしては、毒性、可燃性、自然発火性などの性質を有するものが多く、ガスの漏洩検知器、排ガスを無害化するための除害装置、ガス容器やガス配管部の排気装置など、安全性を確保するために様々な付帯設備が必要となる。従って、従来の薄膜形成装置は高価でかつ大掛かりなものとなってしまうという問題を有している。また、膜厚や膜質の制御に関与する装置条件が非常に多く、均一性や再現性を確保するのが難しいという問題を有している。さらにまた、これらの方法では、気相から固相の薄膜を形成するため、生産性がよくないと云う問題も有している。このような問題を解決する方法として、近年、従来の前記成膜法とは異なる手法により薄膜を形成し、半導体装置などを製造する方法が提案されている。
【０００４】
例えば、液状材料を基板に塗布して塗布膜を形成し、該塗布膜を熱処理することにより所望の薄膜を形成する方法がある。該薄膜の基本形成工程は、基板上に液状材料を塗布して塗布膜を形成する塗布工程と、該塗布膜を熱処理して所望の薄膜を得るための熱処理工程からなる。この工程によれば、小型で安価な装置により、生産性が高く、低コストで薄膜形成ができ、結果的に低コストの薄膜デバイスを製造することが可能となる。
【０００５】
前記塗布工程としては、スピンコート法又は液体吐出法（インクジェット法）による塗布方法が一般に採用される。スピンコート法では、例えば、処理液の変更等に伴って必要となるカバーの着脱作業が容易なスピナー（例えば、特許文献１参照。）や、回転容器の蓋体を閉じたまま塗布液を被処理基板に供給できる塗布装置（例えば、特許文献２参照。）等が提案されている。また、インクジェット法では、近年、角速度や移動速度を制御しながら、被塗布基板とインクジェットヘッドとを相対的に回転しつつ、回転軸側の領域とそれから遠くなる側の領域との間で相対移動し、インクジェットヘッドの微小ノズルから、被塗布基板へ液体を吐出し、均一性の良い状態の塗布膜を被塗布基板上に形成する装置（例えば、特許文献３参照。）等が提案されている。
【０００６】
また、前記熱処理工程としては、酸素濃度が一定値以下に調整された焼成炉内で絶縁膜を焼成する方法（例えば、特許文献４参照。）等が提案されている。さらに、塗布工程と熱処理工程との一連の工程としては、例えば、被処理物表面に塗布された塗布液を滴下し、被処理物表面に塗布液を均一に拡げ、被処理物の外端部下面に被膜形成用塗布液の一部が廻り込んだままの被処理物をそのまま減圧乾燥装置に搬送し、ある程度まで乾燥させた後、加熱乾燥する被膜形成方法が提案されている（例えば、特許文献５参照。）。
【０００７】
【特許文献１】
特開平５−１５４４３０号公報
【特許文献２】
特開平８−８３７６２号公報
【特許文献３】
特開平９−１０６５７号公報
【特許文献４】
特開平９−２１３６９３号公報
【特許文献５】
特開平１１−２６２７２０号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来技術に示すように、塗布工程及び熱処理工程を連続的に処理する薄膜形成装置や、各工程で使用される様々な塗布装置及び熱処理装置が提案されてはいるものの、特に前記塗布装置や熱処理装置の性能向上、かつ小型化及び低コスト化、ひいては薄膜形成装置全体の高性能化、かつ小型化及び低コスト化を進める上で、更なる改良が必要となっている。
【０００９】
また、塗布膜を形成するための液状材料に、安全上問題のあるものがある。例えば、液状材料は、通常有機溶剤を含むので可燃性である。このため、薄膜形成装置を構成する部材の材料には、可能な限り金属材料を用い、少なくとも塗布工程が行われるチャンバには、プラスチック材料等の可燃性材料を使用せず、さらに、有機溶剤の蒸気を排気する構造を設けるなどの措置が施されるべきである。ところが、従来の塗布装置や薄膜形成装置では必ずしもそのようにはなっていない。
また、液状材料が、毒性の気体を発生させる、あるいは酸素の存在下において自然発火性を有するなど、安全上特に注意を要するものの場合には、このような液状材料を、従来の塗布装置や薄膜形成装置では実質的に使用することができなかった。
【００１０】
さらにまた、半導体膜や金属膜を液状材料から形成する場合には、塗布工程や熱処理工程において、その処理雰囲気を厳密に管理する必要がある。しかしながら、従来の薄膜形成装置では処理雰囲気の管理が不充分であった。例えば、Ｓｉ膜を形成する場合、酸素が少しでも存在している雰囲気で塗布工程や熱処理工程を行うと、Ｓｉ膜中にシリコン酸化膜が形成されてしまい、半導体膜としての性能が損なわれてしまう結果となる。このような薄膜形成においては、酸素濃度を例えば１０ｐｐｍ以下に制御するなどの必要があるが、そのための具体的な装置構成は従来提案されていなかった。
また、液状材料を長時間放置すると、溶剤の揮発や化学的な反応などによって粘度上昇や固形成分の析出などを起こすので、液状材料の供給系統や制御系統に支障が出たり、欠陥を多く含む薄膜になったりするという問題が生じるが、従来の塗布装置や薄膜形成装置ではこれらの問題に対して十分な対策が講じられていなかった。
【００１１】
本発明は、前記事情を鑑みてなされたもので、欠陥が少なく高性能の薄膜を得ることができ、また装置のメンテナンスを効率よく行うことができ、さらに安全性の高い薄膜形成を行うことができる、塗布装置、薄膜の形成方法、薄膜形成装置、半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するため本発明の塗布装置は、塗布室内にて基板上に液状材料を塗布する塗布装置であって、前記塗布室に前記液状材料を供給する第１の液供給系が設けられ、該第１の液供給系に第２の液供給系が複数設けられ、前記第２の液供給系は、そのうちの少なくとも一つが前記塗布室内または第１の液供給系内に残留する液状材料を洗浄するための洗浄剤を供給する系であり、他の少なくとも一つが前記塗布室内または第１の液供給系内に残留する液状材料の活性を失わせるための失活剤を供給する系であることを特徴としている。
この塗布装置によれば、洗浄剤または失活剤により、第１の液供給系内に残留している液状材料を除去しあるいはこれを無害化することが可能となる。
【００１３】
塗布膜を例えばスピンコート法で形成した場合、滴下した液状材料のうち９０％以上が基板の回転によって基板周辺に飛散する。この飛散した液状材料は、基板周辺に設けた受け皿で捕集し、廃液系に導かれるが、塗布室内に残留してしまうものもある。この残留液状材料は、長時間の放置で乾燥し固形の粉末となり、次に塗布膜を形成するときの欠陥要因となってしまう。
しかし、前記の塗布装置によれば、残留液状材料を洗浄しあるいは無害化し、さらに廃液系に導くこともできるので、欠陥の少ない薄膜を形成することが可能となる。
また、メンテナンスや非定常作業のために塗布室を大気解放しなければならないこともあるが、多くの液状材料は可燃性であり、液状材料によっては毒性や発火性を有するものもあることから、メンテナンスや非定常作業は危険な作業となる。
しかし、前記の塗布装置によれば、これらの作業も安全に行うことが可能となる。
【００１４】
また、前記塗布装置においては、前記塗布室に、該塗布室内の雰囲気を独立して制御するための制御機構が設けられているのが好ましい。
このようにすれば、液状材料の塗布を制御された雰囲気下で連続して実施できるので、液状材料や基板上に形成された塗布膜が大気に晒されることがなく、したがって例えば得られる薄膜への酸化物の含有を極力抑えることができ、これにより所望の特性を有する薄膜を良好に形成することが可能となる。
【００１５】
また、前記したように、第２の液供給系が複数設けられており、そのうちの少なくとも一つが前記塗布室内または第１の液供給系内に残留する液状材料を洗浄するための洗浄剤を供給する系であり、他の少なくとも一つが前記塗布室内または第１の液供給系内に残留する液状材料の活性を失わせるための失活剤を供給する系であるので、洗浄剤が失活剤としての機能を有していない場合や、洗浄と失活のそれぞれの機能を効率的に発揮できる液体材料が異なる場合に、それぞれ別の液供給系から洗浄剤および失活剤を供給することが可能となり、したがって塗布室内または第１の液供給系内の洗浄および失活の両方を容易に行うことができるようになる。
【００１６】
また、前記塗布装置においては、前記塗布室に、スピンコータが設けられていてもよい。
このようにすれば、液滴の塗布をスピンコート法で良好に行うことが可能になる。
【００１７】
また、前記塗布装置においては、前記第１の液供給系は、前記液状材料を貯留する容器と、該容器から導出される液状材料の量を制御する滴下量制御部と、液状材料を吐出するノズル部とを備えてなり、これら容器、滴下量制御部、ノズル部は、この順で鉛直方向に上から配置され、かつ、これら各部を接続する液状材料用配管は前記鉛直方向に対しての水平部分を有することなく全て鉛直方向に向けて配設されてなるのが好ましい。
このようにすれば、液状材料をその自重によって液状材料容器からノズル部にまで効率よく流動させることができるので、基板上に滴下する液状材料の量を正確に制御することが可能となり、従って塗布膜及び塗布膜を熱処理して得られる薄膜の膜厚を均一にすることが可能となる。
【００１８】
また、前記塗布装置においては、前記塗布室には、微小液滴を吐出する液滴吐出部が設けられ、該液滴吐出部は基板を保持するステージと相対的に移動することにより、該ステージ上に保持された基板の所望位置に微小液滴を滴下する機能を有していてもよい。
このようにすれば、液状材料を基板上の所望位置に微小液滴を滴下することができるので、微小液滴からなる塗布膜を任意の形状に形成することが可能となる。
【００１９】
また、前記塗布装置においては、前記塗布室に、該塗布室内に導入された後不要となった液を廃液として収容する廃液収容機構が設けられているのが好ましい。
このようにすれば、液状材料が例えば可燃性や毒性、自然発火性などの性質を有している場合に、これが塗布室内に残留した際、塗布室内から速やかに除去して収容することができ、したがって装置の安全性を向上させることができる。また、塗布室内に導入された洗浄剤や失活剤も同様に塗布室から除去することができるので、液状材料からなる塗布膜（薄膜）を良好に形成することができる。
【００２０】
本発明の薄膜の形成方法は、塗布室内にて基板上に液状材料を塗布し、該基板上に薄膜を形成する薄膜の形成方法であって、前記塗布室に、第１の液供給系より前記液状材料を供給して基板上に薄膜を形成する工程と、前記薄膜を形成した後に、第２の液供給系より、前記液状材料を洗浄するための液を第１の液供給系に供給して、前記塗布室内または第１の液供給系内に残留した液状材料を洗浄する工程と、前記薄膜を形成した後に、第２の液供給系より、前記液状材料の活性を失わせるための液を第１の液供給系に供給して、前記塗布室内または第１の液供給系内に残留した液状材料の活性を失わせる工程と、を有することを特徴としている。
この薄膜の形成方法によれば、洗浄剤または失活剤により、第１の液供給系内に残留している液状材料を除去しあるいはこれを無害化することが可能となる。また、残留した液状材料に起因して塗布膜（薄膜）に欠陥が形成されてしまうのを防止することができる。さらに、液状材料が例えば可燃性や毒性、自然発火性などの性質を有している場合にも、メンテナンスや非定常作業を安全に行うことができる。
【００２１】
本発明の薄膜形成装置は、前記塗布装置と、該塗布装置で液状材料が塗布された基板を加熱する熱処理装置とを備えてなり、前記塗布装置および前記熱処理装置には、前記基板に各処理を施す処理室内の雰囲気をそれぞれ独立して制御する制御機構が備えられていることを特徴としている。
この薄膜形成装置によれば、特に塗布装置において、前述したように洗浄剤または失活剤により、第１の液供給系内に残留している液状材料を除去しあるいはこれを無害化することができる。
また、液状材料の塗布や熱処理を制御された雰囲気下で連続して実施できるので、液状材料や基板上に形成された塗布膜が大気に晒されることがなく、したがって例えば得られる薄膜への酸化物の含有を極力抑えることができ、これにより所望の特性を有する薄膜を良好に形成することが可能となる。
【００２２】
また、前記薄膜形成装置においては、前記基板の表面洗浄等の前処理を行う前処理装置を備え、この前処理装置にも、その処理を施す処理室内の雰囲気を独立して制御する制御機構が備えられているのが好ましい。
このようにすれば、前処理装置についてもその処理室内の雰囲気を適宜な雰囲気に制御することが可能になり、したがって、前処理室の雰囲気ガスが、他の処理室（塗布室や熱処理室）の雰囲気に影響することなく、前処理の内容に応じた雰囲気を適宜選択して採用することができる。
【００２３】
また、前記薄膜形成装置においては、前記各装置の処理室に連通する連接室が備えられ、この連接室にも、該連接室内の雰囲気を独立して制御する制御機構が備えられているのが好ましい。
このようにすれば、前記の各装置の処理室から別の処理室に移動させる際や一時保管する際に、基板を連接室内に入れるとともに、この連接室内の雰囲気を制御機構によって予め制御しておくことにより、基板を大気に晒すことなく所望の雰囲気に保持することができ、したがって大気中の酸素による酸化等を防止することができる。また、各処理室は連接室を介した接続となるので、各処理室の雰囲気ガスが他の処理室の雰囲気に影響することを少なくすることが出来る。
【００２４】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体装置を構成する各機能層のいずれかの機能層を、該機能層の構成成分を含有する液状材料を基板上に塗布することによって形成する半導体装置の形成方法において、前記機能層の形成を、前記の塗布装置、あるいは前記の薄膜形成装置を用いて行うことを特徴としている。
この半導体装置の製造方法によれば、塗布室内に残留した液状材料に起因して塗布膜（薄膜）に欠陥が形成されてしまうのを防止することができることなどにより、所望の特性を有する機能層（薄膜）を形成することができ、したがって高性能で低コストの半導体装置を製造することが可能となる。
【００２５】
本発明の電気光学装置は、前記の半導体装置を備えたことを特徴としている。なお、本発明でいう「電気光学装置」とは、電気的作用によって発光するあるいは外部からの光の状態を変化させる電気光学素子を備えた装置一般をいい、自ら光を発するものと外部からの光の通過を制御するもの双方を含む。例えば、電気光学素子として、液晶素子、電気泳動素子、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、電界の印加により発生した電子を発光板に当てて発光させる電子放出素子などが挙げられる。
この電気光学装置によれば、高性能の半導体装置を備えているので、この電気光学装置自体も高性能のものとなる。
【００２６】
本発明の電子機器は、前記の半導体装置、あるいは前記の電気光学装置を備えたことを特徴としている。なお、本発明でいう「電子機器」とは、複数の素子または回路の組み合わせにより一定の機能を奏する機器一般をいい、例えば電気光学装置やメモリを備えて構成される。ここで電子機器は、回路基板を一枚または複数備えることが可能である。その構成に特に限定が無いが、例えば、ＩＣカード、携帯電話、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、リア型またはフロント型のプロジェクター、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ等が含まれる。
この電子機器によれば、高性能の半導体装置あるいは電気光学装置を備えているので、この電子機器自体も高性能で低コストのものとなる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳しく説明する。
〔第１の実施形態〕
（薄膜形成装置）
図１に、本発明の薄膜形成装置の第１の実施形態を示す。この薄膜形成装置は、本発明の薄膜の形成方法を実施するのに好適なもので、薄膜を形成するための基板を導入するローダ（ＬＤ）１０と、該ローダ１０から導入された基板に各種の薄膜形成工程を実施する処理部１１と、該処理部１１にて薄膜が形成された基板を収納するアンローダ（ＵＬ）１２と、ローダ１０、処理部１１、及びアンローダ１２に連接されて基板の搬送が行われる連接室１３と、から構成されたものである。ローダ１０、処理部１１の各処理室、及びアンローダ１２は、連接室１３に対してそれぞれゲートバルブ１５を介して連通するよう構成されたものである。また、処理部１１における各部２０〜２４には、後述するように各種（酸化性、還元性、不活性）のガスを供給する供給系及び排気設備に接続される排気系がそれぞれに設けられており、これによって各部２０〜２４は、その内部圧力及び雰囲気が独立して制御されるようになっている。なお、ローダ１０、アンローダ１２及び連接室１３についても、処理部１１における各部２０〜２４の雰囲気に大気が巻き込まれないように、その内部の雰囲気を制御できる機構を具備しているのが望ましい。
【００２８】
処理部１１は、前処理部２０と塗布部２１と熱処理部とを備えてなり、さらに熱処理部は第１熱処理部２２と第２熱処理部２３と第３熱処理部２３との３部からなっている。前処理部２０では、基板に液状材料を塗布する前の前処理を施すようになっており、塗布部２１ではスピンコート法などにより液状材料を基板に塗布して塗布膜を形成するようになっている。また、第１熱処理室２２では塗布膜に含まれる溶剤などの比較的低温で揮発する成分を除去するようになっており、第２熱処理室２３では溶剤が除去された塗布膜をより高い温度で焼成するようになっており、第３熱処理部２４では更に高温の熱処理を行い、膜質の改善を図って所望の薄膜を形成するようになっている。
【００２９】
ここで、前記の各処理部、すなわち前処理部２０、塗布部２１、第１熱処理部２２、第２熱処理部２３、第３熱処理部２４、さらには前記連接室１３には、後述するようにそれぞれに排気装置や真空装置（図示せず）と各種（酸化性、還元性、不活性）のガス導入装置等からなる制御機構が設けられており、これによって各処理部及び連接室１３の雰囲気、すなわち各工程の処理雰囲気は、その雰囲気ガス種や圧力などがそれぞれ独立して制御されるようになっている。
【００３０】
前記の各処理部についてさらに具体的に説明すると、前処理部２０では、基板に対する前処理として、基板表面を洗浄するクリーニング処理や、基板表面の親液性又は撥液性を適宜調整する表面処理がなされるようになっている。これらの処理としては、紫外線光を基板表面に照射して処理室（チャンバ）内にオゾンを発生させ、表面処理を行う方法や、大気圧プラズマを発生させて基板表面の表面処理を行う方法等が採用される。これらの処理方法においては、基板の加熱が有効である場合もあることから、必要に応じて基板の加熱を行うようにしてもよい。なお、これらの異なる表面処理をするため、処理室を複数有していてもよい。
【００３１】
図２に、紫外光を照射して表面処理を行うようにした、前処理部２０の概略構成を示す。
前処理部２０は、図１に示したようにゲートバルブ１５を介して連接室１３に接続されたもので、内部の雰囲気を気密に保持するチャンバ３０と、基板Ｗを保持し、加熱機構（図示せず）を備えた基板ステージ３１と、チャンバ３０内部に向かって紫外光を照射するＵＶランプ３２と、チャンバ３０内の雰囲気制御のためにその内部に各種雰囲気ガスを供給するガス供給系３３と、チャンバ３０内を排気する排気系３４とから構成されている。基板ステージ３１には昇降機構（図示せず）が設けられており、基板とＵＶランプとの距離を変化させることができるようになっている。なお、ガス供給系３３は複数のガスを供給することが可能となっており、前処理として目的に合ったガスを供給することができるようになっている。また、チャンバ３０にチャンバ３０内の圧力を検出するための圧力センサ（図示せず）や、処理雰囲気のガス種やその濃度を検出するための雰囲気センサなどを取り付け、これらセンサの出力をガス供給系３３及び排気系３４にフィードバックすることにより、より精度良く雰囲気制御を行うようにしてもよい。
【００３２】
基板ステージ３１に備えられた加熱機構は、例えばホットプレート等の加熱装置を有してなるもので、基板Ｗ上に吸着している水分を除去することができるように構成されたものである。また、ＵＶランプ３２には、例えば１７２ｎｍの波長を含むエキシマランプが採用され、ガス供給系３３から供給された酸素を紫外光によって分解してオゾンを発生させ、基板Ｗ上の有機系不純物を分解し、基板表面を親水性或いは親液性とすることができる。また、１７２ｎｍのＵＶ光は、基板上に付着している有機物を直接分解除去する作用を有しているので、基板とＵＶランプ３２との距離や雰囲気ガスやその圧力制御により、基板の洗浄効果をより高めることができる。
【００３３】
ガス供給系３３からは、前記酸素（酸化性ガス）の他に、還元性ガス（例えば水素等）や不活性ガス（例えば窒素等）、或いはフッ素を有するガスも適宜チャンバ３０内に供給することができるようになっている。また、排気系３４には、排気装置または真空装置（図示せず）が接続されており、チャンバ３０内に供給されたガス量に応じて可変バルブ３５を制御することにより、チャンバ３０内の圧力をほぼ大気圧に保持させることが可能となっている。さらに、排気系３４は、処理後の基板Ｗを他の処理チャンバへ移動させる際に、一旦チャンバ３０内に充満した酸化性ガスを排気し、その後、チャンバ３０内に不活性ガスを供給することにより、酸化性ガスが他の処理チャンバに漏洩することを抑止する役割も有している。
【００３４】
なお、本実施形態では、前処理部２０が紫外光を照射して表面処理を行う場合について説明したが、本発明はこれに限定されることなく、前処理部２０としては、基板の周辺部にオゾンを発生させ、紫外線光を基板表面に照射して表面洗浄を行う工程や、大気圧プラズマを発生させて基板表面の表面洗浄や表面改質を行う工程を有するものであってもよい。このような工程であっても、基板表面の洗浄等の処理を施すことにより、液状材料塗布時の濡れ性や密着性を向上させることや、逆に濡れ性や密着性を低下させることができる。具体的には、例えば大気圧プラズマにより基板表面を表面処理する場合、酸素プラズマを用いることにより、基板表面の有機物汚染の除去や、基板表面を親液性にすることができる。また、ＣＦ４ガスなどのフッ素を含有したプラズマを用いれば、基板表面を撥液性にすることができる。
【００３５】
図３に、塗布部２１の概略構成を示す。
塗布部２１は、図１に示したようにゲートバルブ１５を介して連接室１３に接続されたもので、内部の雰囲気を気密に保持するチャンバ（塗布室）４０と、基板Ｗを保持し、回転機構（図示せず）を備えた基板ステージ４１と、液体供給系４２と、基板ステージ４１の回転力によって飛散する液状材料を捕捉し、廃液として収集する廃液処理系（廃液収容機構）４３と、チャンバ４０内部に各種雰囲気ガスを供給するガス供給系４４と、チャンバ４０内を排気する排気系４５とを備えて構成されたものである。ここで、この塗布部２１は本発明における塗布装置の一実施形態となるものであり、特に本実施形態では、スピンコータ法で塗布を行うよう構成されたものとなっている。
【００３６】
液体供給系４２は、基板Ｗに薄膜形成用の液状材料を供給する液状材料供給系（第１の液供給系）５０と、洗浄剤供給系（第２の液供給系）５２および失活剤供給系（第２の液供給系）９２と、パージ機構４７、５４とを備えて構成されたものである。
液状材料供給系５０は、ガスを導入して液状材料を押し出す役目を果たすガス供給部５５と、液状材料容器５１と、ノズル（ノズル部）５３と、液状材料容器５１とノズル５３との間に設けられる液状材料の滴下量制御部と、それら各部を接続する配管５６及び各バルブ（Ｖ１〜Ｖ３）とを備えて構成されたものである。滴下量制御部は、液状材料の流量を制御する流量制御装置（マスフローコントローラ：以下、ＭＦＣと表記する。）５７及び該ＭＦＣ５７の上下に設けられたバルブＶ２、Ｖ３からなっている。尚、液状材料の流量制御装置は、ノズル５３から基板上に滴下する液体材料の滴下量を制御することが目的であるため、ＭＦＣの替わりにニードルバルブでもよいし、単にバルブＶ３の開閉動作の時間制御だけで前記滴下量を制御するようにしてもよい。
【００３７】
ここで、この液状材料供給系５０においては、液状材料容器５１とＭＦＣ５７とノズル５３とが、この順で鉛直方向に上から配置されており、さらにこれら各部を接続する配管５６は水平部分を有することなく全て鉛直方向に向けて配設されている。このような構成のもとに液状材料供給系５０は、液状材料をその自重で液状材料容器５１からノズル５３にまで効率よく流動させることができるので、基板Ｗ上に滴下する液状材料の量を正確に制御することができるようになっている。また、メンテナンス時などにおいて液状材料容器５１内あるいは配管５６内の液状材料が不測に流れてしまっても、その自重によってチャンバ４０内に導かれることから、液状材料は塗布装置の外には流れ出ないようになっている。
なお、液状材料容器５１は、第１バルブＶ１及び第２バルブＶ２を閉じた後、液体供給系４２から取り外しが可能になっている。
【００３８】
洗浄剤供給系５２は、液状材料供給系５０だけでなく、この液状材料供給系５０を通じてチャンバ４０内や廃液処理系４３も洗浄する機能を有したもので、本実施形態では液状材料供給系５０における液状材料容器５１の上部に接続されてなるものである。すなわち、この洗浄剤供給系５２は、ガスを導入して洗浄剤を押し出す役目を果たすガス導入部５８と、液状材料供給系５０の配管５６とを連設する配管５９中に設けられて、一旦洗浄剤を貯留して液状材料供給系５０に洗浄剤を供給するための洗浄剤容器６０と、該洗浄剤容器６０に接続される配管５９の２カ所の両接続部に設置される第４バルブＶ４及び第５バルブＶ５とから構成されたものである。なお、洗浄剤容器６０は、第４バルブＶ４及び第５バルブＶ５を閉じた後、配管５９から取り外すことができるようになっている。
【００３９】
失活剤供給系９２も、前記洗浄剤供給系５２と同様、液状材料供給系５０だけでなく、この液状材料供給系５０を通じてチャンバ４０内や廃液処理系４３に残留している液状材料の活性を失わせる機能を有したものである。すなわち、この失活剤供給系９２も、前記洗浄剤供給系５２と同様、液状材料供給系５０における液状材料容器５１の上部に接続されてなるもので、ガスを導入して失活剤を押し出す役目を果たすガス導入部９３と、液状材料供給系５０の配管５６とを連設する配管９４中に設けられて、一旦洗浄剤を貯留して液状材料供給系５０に失活剤を供給するための失活剤容器９５と、該失活剤容器９５に接続される配管９４の２カ所の両接続部に設置される第９バルブＶ９及び第１０バルブＶ１０とから構成されたものである。なお、この失活剤容器９５も、第９バルブＶ９及び第１０バルブＶ１０を閉じた後、配管９４から取り外すことができるようになっている。
【００４０】
ここで、前記洗浄剤供給系５２で用いられる洗浄剤としては、使用する液状材料に応じて適宜選択されるが、具体的には、アルコール系溶液等の洗浄剤が用いられる。一方、失活剤供給系９２で用いられる失活剤としても、使用する液状材料に応じて適宜選択されるが、例えば液状材料がシリコン膜形成用としてのシクロシラン（ＳｉｎＨ２ｎ；ｎ≧５）や高次シラン（ＳｉｎＨ２ｎ＋２；ｎ≧３）である場合、例えばＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）やＩＰＡ（イソプロパノール）が好適に用いられる。すなわち、シクロシランや高次シランは空気に触れると自然発火したり、人体に有害なガスを発生することがあるので、失活剤としてはこれらを分解して不燃化及び無害化することで、結果としてその活性、すなわち発火性や毒性を失わせることができるものが用いられるが、前記のＴＭＡＨやＩＰＡはシクロシランや高次シランを良好に分解する性質を有しているためである。尚、シクロシランなどにはＩＰＡよりＴＭＡＨの方が失活効果が高く、ＩＰＡは容易に揮発するのでガスでパージし易いという特徴を有している。したがって、ＩＰＡを洗浄剤とし、ＴＭＡＨを失活剤として用いるのがより好ましい。
【００４１】
なお、本実施形態では、第２の液供給系として洗浄剤供給系５２および失活剤供給系９２の二つを備えたが、洗浄剤が失活剤としても機能する場合にはこの洗浄剤で失活剤を兼ねさせ、第２の液供給系を洗浄剤供給系５２あるいは失活剤供給系９２のいずれか一つにし、これから失活剤としても機能する洗浄剤を液状材料供給系５０に供給するようにしてもよい。また、洗浄剤や失活剤を複数種用意したい場合には、第２の液供給系を二つでなく、三つ以上備えてもよいのはもちろんである。
【００４２】
また、本実施形態では、洗浄剤供給系５２および失活剤供給系９２を、それぞれ液状材料供給系５０における液状材料容器５１の上部に接続させ、洗浄剤あるいは失活剤を液状材料供給系５０全体、すなわち液状材料容器５１、ＭＦＣ５７、ノズル５３、チャンバ４０、およびこれらを連通させる配管５６に供給できるようにしたが、本発明は特にこれに限定されることなく、第１の液供給系である液状材料供給系５０の任意の箇所に液を供給することができるよう、その接続点を任意の箇所に設けることができる。具体的には、第２バルブＶ２とＭＦＣ５７との間に接続してＭＦＣ５７以下に液を供給することができるようにしてもよく、また第３バルブＶ３とノズル５３との間に接続してノズル５３以下に液を供給することができるようにしてもよい。
【００４３】
図３に示した実施形態では、洗浄剤供給系５２、失活剤供給系９２を第１バルブＶ１と液状材料容器５１との間に接続し、洗浄剤、失活剤を液状材料容器５１に通すようにしているため、液状材料容器５１中に使用可能な液状材料が残っている場合、この液状材料をそのままにしては洗浄処理や失活処理を行うことができないが、第２バルブＶ２以下に接続することにより、液状材料容器５１中に液状材料が残っているか否かに関係なく、液状材料供給系５０の洗浄処理や失活処理を行うことができる。
【００４４】
なお、特に第２の液供給系を複数設けた場合、一つをチャンバ４０に直接接続し、チャンバ４０内を直接洗浄処理または失活処理できるようにしてもよい。
また、液状材料供給系５０には、その経路中にフィルタを設けておき、液状材料中に存在する異物や液状材料が固化した固形分等が基板Ｗ上に塗布されるのを防止しておくのが好ましい。このような目的でフィルタを設ける場合、特にノズル５３の先端側（吐出側）に設けるのが、基板Ｗ上への異物等の塗布をより確実に防止することができ、好ましい。
【００４５】
パージ機構４７は、液状材料供給系５０における第２バルブＶ２とＭＦＣ５７との間に接続されたもので、パージ機構４７へのガス導入部６３と液状材料供給系５０の配管５６とを連設する配管６４と、該配管６４に設置された第１１バルブＶ１１とから構成されたものである。
また、パージ機構５４は、液状材料供給系５０におけるノズル５３と第３バルブＶ３との間に接続されたもので、パージ機構５４へのガス導入部６１と液状材料供給系５０の配管５６とを連設する配管６２と、該配管６２に設置された第６バルブＶ６とから構成されたものである。
これらパージ機構４７、５４は、特に液状材料中の有機溶剤蒸気が経路中に残留している場合や、液状材料中の有機溶剤の揮発や液状材料の硬化に起因する液詰まりを防止する場合などに、ガス導入部６１、６３から導入された窒素等の不活性ガスを前記経路中に供給し、経路中の前記液状材料を不活性ガスに置換し、あるいは液詰まりを起こす異物等を除去するためのものである。
【００４６】
廃液処理系４３は、チャンバ４０内において、基板ステージ４１の外周及び下面部を覆うように設置され、これにより基板ステージ４１の回転力によって飛散した液状材料を収集するカバー７０と、該カバー７０に接続され、カバー７０で収集した液状材料を一時収容する１次容器７１と、該１次容器７１に第７バルブＶ７を介して連設された２次容器７２とを備えて構成されたものである。該２次容器７２は、第７バルブＶ７を閉じた後、取り外しが可能となっている。カバー７０はノズル５３から意図しない液の滴下や、ノズル５３からの滴下量の確認などのためのダミー滴下を受ける部分も兼ねて構成されている。なお、この廃液処理系３は、本発明における廃液収容機構を構成するものとなっている。
【００４７】
ガス供給系４４は、前記の前処理部２０の場合と同様に、酸化性ガス、還元性ガス及び不活性ガスを適宜選択してチャンバ４０内に供給することができるよう構成されたものである。
また、排気系４５は、ドライポンプ等の真空装置（図示せず）を備えて構成されたもので、チャンバ４０内に供給されたガス量に応じて可変バルブ(図示せず)を制御し、チャンバ４０内の圧力をほぼ大気圧に保持させるようにしたものである。さらに、この排気系４５は、処理後の基板Ｗを他の処理チャンバへ移動させる際に、一旦チャンバ４０内に充満した雰囲気ガスを排気し、その後、前記ガス供給系４４よりチャンバ４０内に不活性ガスを導入することで、雰囲気ガス中に含まれている酸化性ガスや液状材料から発生する有機系ガスが他の処理チャンバに漏洩することを防止する役割も有している。
【００４８】
また、チャンバ４０には、雰囲気ガス中の各種ガス濃度、例えば酸素濃度を調整する調整手段が設けられており、これによって酸素濃度等の各種ガス濃度を任意に調整できるようになっている。このような構成のもとにチャンバ４０は、その内部の酸素濃度や水等の酸化物濃度を共に１０ｐｐｍ以下、実際には１ｐｐｍ以下に保持できるようになっている。なお、チャンバ４０にはチャンバ４０内の圧力を検出するための圧力センサ（図示せず）や、処理雰囲気のガス種やその濃度を検出するための雰囲気センサ（図示せず）などが取り付けられており、これらセンサの出力をガス供給系４４及び排気系４５にフィードバックすることにより、より精度良く雰囲気制御が行われるようになっている。そして、このように精度良く雰囲気制御が行われることにより、形成する薄膜の膜質を向上させることができるようになっている。また、前記の圧力センサや雰囲気センサなどについては、チャンバ４０内の上部側に設けられているのが好ましい。このように上部側に設けられることにより、前記センサに液状材料が付着して汚染され、機能が低下するといったことが防止される。
【００４９】
このような構成の塗布部２１、すなわち本発明の塗布装置によって基板Ｗ上に液状材料を塗布するには、基板ステージ４１上に基板Ｗを真空吸着し、ノズル５３から液状材料を基板Ｗ上に滴下する。液状材料は、液状材料容器５１に一旦貯留された後、ガス導入部５５から窒素ガス等の不活性ガスが導入されて液状材料容器５１内が加圧されることにより、該液状材料容器５１内から導出される。そして、ＭＦＣ５７でその流量が調整されつつノズル５３から吐出され、基板Ｗ上に塗布される。塗布された液状材料は、基板Ｗの中央部に拡がり、さらに基板ステージ４１の回転によって基板Ｗの全面に引き延ばされ、塗布膜となる。
【００５０】
このとき、基板Ｗ上に留まらずに塗布膜とならなかった液状材料は、基板ステージ４１の回転力によって基板ステージ４１の外周部に向かって飛散する。飛散した液状材料は、チャンバ４０内に備えられたカバー７０によって収集された後、１次容器７１に導入され、ここで一時収容される。１次容器７１に溜まった液状材料は、第７バルブＶ７が開放され、かつ第２容器７２内が減圧されることによって第２容器７２に導入される。カバー７０から第２容器７２までの配管部分は、総ての箇所で傾斜を有している。したがって、カバー７０で捕集された液状材料は、自重でも第２容器７２に達することが出来るので、より効率よく廃液容器に収容することができる。そして、第７バルブＶ７が閉じられた後、第２容器７２が取り外されることにより、この第２容器７２内の液状材料は廃棄等の処分がなされるようになっている。なお、液状材料を１次容器７１から第２容器７２に移動する作業は、塗布膜を形成する合間に行うのが望ましい。そうすることによって、廃液雰囲気が塗布膜に影響することを防ぐことができる。また、第２容器７２は有機溶剤を含む液が溜まるので、この第２容器７２には排気系を接続しておくのが望ましく、その場合、この第２容器７２にバルブを介して排気系４６に接続するようにしてもよい。
【００５１】
次に、塗布部２１におけるスピンコータを一時休止させる際、液状材料の種類を変更させる際、または液状材料容器５１が空になり交換が必要な際などに、洗浄剤供給機構５２によって液状材料容器５１の内部を洗浄する方法について説明する。
まず、洗浄剤を収容した洗浄剤容器６０を洗浄剤供給系５２の配管５９に取り付ける。そして、液状材料容器５１内の液状材料を排出してこれをほぼ空にした後、第２バルブＶ２を閉じる。その後、第４バルブＶ４と第５バルブＶ５とを開放し、ガス導入部５８から不活性ガスを導入して洗浄剤容器６０内を加圧し、これによりこの洗浄剤容器６０から洗浄剤を導出させ、液状材料容器５１に流入させる。
【００５２】
ここで、液状材料として例えばシリコン膜を形成するシクロシラン等を使用しており、洗浄液ではこのシクロシランの活性を失わせることができない場合には、洗浄剤供給系５２から洗浄剤を液状材料容器５１に流入させ、洗浄処理を行うのに代えて、失活剤供給系９２から洗浄剤供給系５２による場合と同様にして失活剤を液状材料容器５１の内部に流入させ、該液状材料容器５１内に残留した液状材料の活性を失わせるようにする。なお、このようにして失活処理を行った後、あるいはこれに先立ち、前記洗浄剤供給系５２から洗浄剤を液状材料容器５１に流入させ、洗浄処理を行うようにしてもよいのはもちろんである。
【００５３】
また、スピンコータ２１を一時休止させる際、または液状材料の種類を変更させる際などに、液状材料供給系５０内、特にノズル５３内において、液状材料中の有機溶剤の揮発や液状材料の硬化に起因する液詰まりを防止するため、パージ機構４７あるいはパージ機構５４によって液状材料供給系５０内、特にノズル５３内をパージすることができる。このパージ処理は、例えばパージ機構４７で行う場合、第２バルブＶ２を閉じた後、第１１バルブＶ１１を開放し、ガス導入部６３から不活性ガスを導入することで行うことができる。また、パージ機構５４で行う場合には、第３バルブＶ３を閉じた後、第６バルブＶ６を開放し、ガス導入部６１から不活性ガスを導入することで行うことができる。
【００５４】
このような塗布装置（塗布部２１）にあっては、洗浄剤供給系５２または失活剤供給系９２によって残留した液状材料を洗浄しあるいは無害化することができるので、装置のメンテナンスなどの作業を安全に行うことができるだけでなく、欠陥の少ない薄膜を形成することができる。
また、塗布膜をスピンコート法で形成した際、滴下した液状材料のうちの９０％以上が基板Ｗの回転によって基板Ｗの周辺側に飛散し、その一部がそのままチャンバ４０内に残留し乾燥して固形の粉末となってしまい、次の塗布膜形成時の欠陥の原因となることがある。しかし、前記塗布装置（塗布部２１）にあっては、残留した液状材料を無害化すると同時に廃液処理系４３に導くことができるので、欠陥の少ない薄膜を形成することができる。
また、メンテナンスや非定常作業のためにチャンバ（塗布室）４０を大気解放しなければならないこともあるが、多くの液状材料は可燃性であり、液状材料によっては毒性や発火性を有するものもあることから、メンテナンスや非定常作業は危険な作業となる。しかし、前記の塗布装置によれば、これらの作業も安全に行うことができる。
【００５５】
なお、前記塗布装置（塗布部２１）においては、ノズル５３が２つの停止位置、すなわち前記液状材料を基板Ｗ上に滴下するための滴下位置と、該基板Ｗの搬送時や液状材料のダミー吐出時などのように液状材料を基板Ｗ上に滴下しないときの待機位置とを有し、これら停止位置間を移動可能になっており、かつその移動が制御可能になっているのが好ましい。また、その場合、特にノズル５３の待機位置に液受け部を設けておくのが望ましい。該液受け部をカバー７０と一体的な構造とするか、該液受け部で受けた液状材料を廃液処理系４３に導くように配管されているのが望ましい。
このような構成とすれば、ノズル５３が待機位置で待機できるため、基板Ｗをチャンバ４０に出し入れする際にノズル５３が邪魔になることなく、またノズル５３から不要な液状材料が基板Ｗ上に滴下されてしまうといったことも防止される。また、ノズル５３の待機位置に液受け部を設けた場合、基板Ｗへの液状材料を滴下する前にダミー滴下を行うことができ、したがってこのダミー滴下を一連の塗布作業の最初に行うことにより、液状材料を安定して滴下し、得られる薄膜の膜質、膜厚の均一性を確保することができる。さらに、洗浄処理や失活処理によって液状材料供給系５０に導入された洗浄剤や失活剤を、待機位置で滴下することもできる。
【００５６】
また、本発明の塗布装置における廃液収容機構としては、チャンバ４０（塗布室）内に導入された後不要となった液を廃液として収容するものであれば、前記の廃液処理系４３に限定されることなく適宜な構成のものを採用することができる。例えば、廃液容器と、該廃液容器とチャンバ４０とを接続する廃液配管とを備え、該廃液配管は該配管内を廃液が重力の働く方向に流れるよう配置され、該廃液容器とチャンバ４０とをアイソレートするアイソレートバルブを有し、前記廃液容器はその内部の気体を排気する排気配管と、内部の液体の量を検出する液量計（液面計）と、該廃液容器内の圧力が所定の圧力以上になると開いて前記圧力を解放するリリーフ弁と、を有して構成されたものでもよい。
【００５７】
このような構成とすれば、廃液収容機構の安全性の向上と廃液の影響を排除して膜質のよい薄膜を形成することができるようになる。また、廃液容器に液量計（液面計）を設けたので、該容器が一杯になる前に交換が可能となり、また、廃液容器に排気配管やリリーフ弁を設けたので、容器内に充満している有機溶剤などの気体を安全に排気することができ、万一容器内の圧力上昇があってもリリーフ弁によって一定圧力以上にはならないようにすることができる。したがって、廃液収容機構の安全性を確保することができる。
また、チャンバ４０と廃液容器との間を、重力の働く方向に廃液が流れるよう、水平方向でなく鉛直方向に向いてあるいは傾斜して配置された廃液配管で接続しているので、液状材料や洗浄剤、失活剤を速やかに廃液容器に導くことができる。さらに、廃液収容機構をチャンバ４０から遮断するアイソレートバルブを設けているので、塗布膜を形成する際、廃液収容機構に存在する廃液の影響を遮断することができ、薄膜の膜質が損なわれるのを防止することができる。
【００５８】
図４に、第１熱処理部２２の概略構成を示す。
第１熱処理部２２は、図１に示したようにゲートバルブ１５を介して連接室１３に接続されたもので、内部の雰囲気を気密に保持するチャンバ８０と、基板Ｗを保持し、かつ基板Ｗを加熱する加熱機構８１と、チャンバ８０内部に各種雰囲気ガスを供給する供給系８２と、チャンバ８０内部を排気する排気系８３とを有して構成されたものである。加熱機構８１としては、ホットプレートが好適に採用される。加熱機構８１による加熱によって、基板上の塗布膜に含まれる溶剤を除去し、膜の固体化を図ることができる。なお、本加熱機構８１により、基板温度を８０〜２００℃の範囲に制御することができ、また、排気系８３により、チャンバ８０内の酸素濃度及び水等の酸化物濃度は、１０ｐｐｍ以下、実際には１ｐｐｍ以下に維持することができるようになっている。また、チャンバ８０内部に各種雰囲気ガスを供給する供給系８２と、チャンバ８０内部を排気する排気系８３とは、第１熱処理部２２、すなわちチャンバ８０内の処理雰囲気を独立して制御するための、前記制御機構の主構成要素となっている。
【００５９】
図５に、第２熱処理部２３の概略構成を示す。
第２熱処理部２３は、加熱炉（ホットウォール型）を構成するもので、ゲートバルブ１５を介して連接室１３に接続され（図１参照）、かつ、内部の雰囲気を気密に保持する石英管（処理室）８５と、該石英管８５内部において基板Ｗを保持するための、複数段からなる石英製の基板ホルダ８６と、該基板ホルダ８６を載置し、加熱機構（図示せず）及び上下可動機構を備えたサセプター８７と、石英管８５内部に各種雰囲気ガスを供給する供給系８８と、石英管８５内部を排気する排気系８９とからなるものである。該加熱炉によって、第１熱処理部２２における加熱温度よりも高い温度で基板Ｗを加熱することにより、塗布膜の膜質を改善して、所望の膜質の塗布膜を形成することができる。また、排気系８９により、炉内の酸素濃度及び水等の酸化物濃度は、１０ｐｐｍ以下、実際には１ｐｐｍ以下に維持することができるようになっている。薄膜の特性として半導体膜や金属膜は、酸素の存在が膜質の低下をもたらすことが多いので、酸素や水分濃度を出来る限り低減した雰囲気で熱処理するのが望ましいが、絶縁膜、特に酸化膜を形成する場合は、酸素や水分の存在が膜質の向上に必要な場合もある。したがって、良好な膜質改善を行うために、雰囲気ガスは、酸化性ガス、水素ガス等の還元性ガス、不活性ガスなど薄膜によって選択されることになる。また、石英管８５内部に各種雰囲気ガスを供給する供給系８８と、石英管８５内部を排気する排気系８９とは、第２熱処理部２３の処理室、すなわち石英管８５の処理雰囲気を独立して制御するための、前記制御機構の主構成要素となっている。
【００６０】
第３熱処理部２４では、図示しないものの、加熱手段としてレーザアニール又はランプアニールが採用されている。この場合、第２熱処理部２４における加熱温度よりもさらに高い温度で加熱処理することにより、さらに良好な膜質改善を行うことができる。なお、この第３熱処理部２４にも、そのチャンバ（処理室）内部に各種雰囲気ガスを供給する供給系と、チャンバ内部を排気する排気系とが備えられており、これらは、チャンバ内の処理雰囲気を独立して制御するための、前記制御機構の主構成要素となっている。
【００６１】
連接室１３は、その内部の雰囲気ガスを制御するための制御手段（制御機構）を備えたもので、前記各処理部２０〜２４における各チャンバ（処理室）から別の処理部に移動させる際や一時保管する際に、基板Ｗを大気に晒すことなく所望の雰囲気に保持できるようにしたものである。前記制御手段（制御機構）は、雰囲気ガスの選択および選択されたガスの供給を担う供給手段と、ドライポンプ等による排気手段と、を有してなるものである。また、排気手段と十分純度の高い不活性ガス（例えば窒素ガス）の供給により、所定の処理室の雰囲気ガス中の酸素、もしくは水等の酸化物濃度を、１０ｐｐｍ以下、実際には１ｐｐｍ以下に制御することができるようになっている。さらに、処理部１１の各部と連接室１３内の圧力は、装置外部からの大気流入を防止するために、常時、大気圧より高めに維持されているのが望ましい。また、連接室１３には、図示しないものの、前記排気手段のドライポンプに加えてクライオポンプが備えられており、必要に応じて所定の処理室の雰囲気ガス中の水分除去を極限まで行うことができるようになっている。
ここで、この連接室１３と処理部１１の各部とには、それぞれＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）が備えられることにより、各部の雰囲気と圧力とを互いに独立して制御できるようになっている。
なお、前記制御手段、すなわち雰囲気ガスの選択と選択されたガスの供給手段と、ドライポンプ等による排気手段とを有してなる制御機構を、前述した各部２０〜２４のそれぞれに設けるようにしてもよく、また連接部１３の制御手段を用いて前記ＡＰＣを介して各部２０〜２４の雰囲気および圧力をそれぞれ独立して制御するようにしてもよい。
【００６２】
前記のような構成によれば、従来のＣＶＤ装置に比較して、装置構成が著しく簡単であり、従って、装置価格が格段に安価となる。しかもＣＶＤ装置に比較してスループットが高く、メンテナンスが簡単であり装置の可動率が高い。ＣＶＤ装置では成膜室の内壁にも薄膜が形成され、その薄膜が剥がれることによる欠陥が発生するが、本装置構成ではそのようなことがない。
更にまた、本発明の構成による薄膜形成は、従来の薄膜形成装置に比べて、制御すべき項目が少なく、且つ簡単な方法で制御できるので、均一で再現性の高い薄膜形成が可能である。従来の装置では、複数のガスの流量とその比率、圧力、基板の温度、プラズマのパワー、電極と基板間の距離、など非常に多くの制御項目があるのに対し、本発明による薄膜形成においては、塗布条件（例えばスピンコータの回転数と回転時間）と、熱処理条件（温度と時間）及び各処理室の雰囲気だけが制御項目となる。
また、例えば連接室１３に設けられた制御装置によって処理部１１の各部と連接室１３内の雰囲気ガスとをそれぞれ独立して制御するようにしたので、各工程における雰囲気ガスを所望の雰囲気に制御することができ、したがって得られる薄膜への酸化物の含有を極力抑えることができるなど、所望の特性を有する薄膜を形成することができる。
さらに、塗布部２１には、洗浄剤供給系５２、失活剤供給系９２、及び廃液処理系４３を備えたことにより、装置のメンテナンスを効率良く実施し、装置の高性能化と、高性能化による製品の低コスト化を実現することができる。
【００６３】
（塗布導電膜の形成方法）
次に、導電性粒子を含有した液状材料を塗布して塗布導電膜を形成する方法について説明する。
この塗布導電膜は、図１に示した薄膜形成装置を用いて製造することができる。この場合、液状材料としては、金属などの導電性物質の微粒子を液体、例えば有機溶媒に分散させたものを用いる。例えば、粒径８〜１０ｎｍの銀（Ａｇ）微粒子をテルピネオールやトルエン等の有機溶媒に分散させたものを、基板上にスピンコート法により塗布する。あるいは、液滴吐出法により、基板上に所望のパターンで塗布膜を形成する。
【００６４】
次に、第１の熱処理部２２で塗布膜中の揮発成分を除去した後、さらに、第２の熱処理部２３にて、約２５０〜３００℃で熱処理すれば、数百ｎｍの導電膜を得ることができる。導電性物質の微粒子には、そのほかにＡｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、又はＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）などがあり、前記の薄膜形成装置によって導電膜を形成することができる。これにより例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の導電膜や回路基板に形成される金属配線を、本発明を用いて低コストで製造することが可能になる。
【００６５】
また、塗布導電膜の抵抗値はバルクの抵抗値に比べると１桁程度高くなることがあるので、第３熱処理部２４にて、塗布導電膜を約３００〜５００℃で数１０分さらに熱処理し、導電膜の抵抗値を低下させるのが好ましい。熱処理時間が数秒あるいは数ｍ秒以下の場合は、薄膜デバイスや基板への影響がない範囲でより高温で熱処理することも出来る。このような加熱処理により、例えばＴＦＴのソース領域と、塗布導電膜で形成したソース配線とのコンタクト抵抗、さらにはドレイン領域と、塗布導電膜で形成したドレイン電極とのコンタクト抵抗を低減することができる。すなわち、この第３熱処理部２４にて、レーザアニールやランプアニール等の高温短時間の熱処理を行うことにより、塗布導電膜の低抵抗化とコンタクト抵抗の低減をより効果的に行うことができる。また、異種の金属を多層形成して、信頼性を向上させることもできる。なお、ＡｌやＣｕなどの卑金属膜は比較的空気中で酸化され易いので、ＡｇやＡｕなどの貴金属のように空気中で酸化されにくい金属膜を形成するのが好ましい。
【００６６】
（塗布絶縁膜の形成方法）
次に、塗布絶縁膜を形成する方法について説明する。
該塗布絶縁膜は、図１に示す装置を用いて製造することができる。塗布された後に熱処理されることで絶縁膜となる液体として、ポリシラザン（Ｓｉ−Ｎ結合を有する高分子の総称である）を挙げることができる。ポリシラザンのひとつは、［ＳｉＨ２ＮＨ］ｎ（ｎは正の整数）であり、ポリペルヒドロシラザンと言われる。この製品は、クラリアントジャパン（株）より市販されている。なお、［ＳｉＨ２ＮＨ］ｎ中のＨがアルキル基（例えばメチル基、エチル基など）で置換されると、有機ポリシラザンとなり、無機ポリシラザンとは区別されることがある。本実施形態では、無機ポリシラザンを使用することが好ましい。ポリシラザンをキシレンなどの液体に混合して、基板上に、スピンコートする。
【００６７】
また、塗布された後に熱処理することで絶縁膜となるものとして、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）膜を挙げることもできる。このＳＯＧ膜は、シロキサン結合を基本構造とするもので、アルキル基を有する有機ＳＯＧとアルキル基を持たない無機ＳＯＧがあり、アルコールなどが溶媒として使用される。ＳＯＧ膜は平坦化を目的としてＬＳＩの層間絶縁膜に使用されている。有機ＳＯＧ膜は酸素プラズマ処理に対してエッチングされ易く、無機ＳＯＧ膜は数百ｎｍの膜厚でもクラックが発生し易すいなどの問題があり、単層で層間絶縁膜などに使用されることは殆どなく、ＣＶＤ絶縁膜の上層や下層の平坦化層として利用される。これに対して、ポリシラザンはクラック耐性が高く、また耐酸素プラズマ性があり、単層でもある程度厚い絶縁膜として使用可能である。
【００６８】
液状材料が塗布された基板を、第１の熱処理部２０で塗布膜中の揮発成分を除去する熱処理を行った後、第２熱処理部２３に搬送し、酸素又は水蒸気雰囲気で温度約３００〜５００℃、約１０〜６０分間熱処理することにより、ＳｉＯ２に変成される。ここで、例えば、形成する絶縁膜がゲート絶縁膜である場合、ゲート絶縁膜は、ＴＦＴの電気的特性を左右する重要な絶縁膜であるので、膜厚、膜質と同時にシリコン膜との界面特性も制御されなければならない。従って、絶縁膜の塗布形成前のシリコン膜の表面状態を清浄にする前処理部での基板洗浄や、第３熱処理部２４では、第２の熱処理部２３での上述した熱処理の後に、レーザアニール又はランプアニールによって、第２熱処理部２３での熱処理温度より高い温度にて、短時間の熱処理を行うのが望ましい。
【００６９】
（塗布シリコン膜の形成方法）
次に、半導体膜としてシリコン膜を形成する方法について説明する。
このシリコン膜は、図１に示した薄膜形成装置を用いて製造することができる。塗布された後に熱処理されることでシリコン膜となる液体として、例えば、シクロシランを挙げることができる。また、そのほかに本発明におけるシリコン膜形成において使用可能な液状材料としては、一般式ＳｉｎＸｍ（ここで、ｎは５以上の整数を表し、ｍはｎ又は２ｎ−２、又は２ｎの整数を表し、Ｘは水素原子及び／又はハロゲン原子を表す）で表される環系を有するケイ素化合物を必須成分とする溶液が挙げられるが、該溶液に、ｎ−ペンタシラン、ｎ−ヘキサシラン、ｎ−ヘプタシラン等のケイ素化合物が含まれていてもよい。
【００７０】
塗布部２１にて前記液状材料を塗布された基板は、第１熱処理部で溶剤が除去され、次に第２熱処理部２３にて３００〜５００℃程度の温度で熱処理されることにより、金属シリコン膜が形成される。さらに、第３熱処理部２４にて熱処理される。この熱処理は、レーザアニール又はランプアニールにより高温短時間で行われ、結晶性のよいシリコン膜が形成される。レーザアニールではシリコン膜の溶融結晶化が起こり、ランプアニールでは高温での固相結晶化が起こる。このような高温短時間の熱処理を行うことにより、第２熱処理部２３のみで熱処理されたものと比較して、シリコン膜の結晶性、緻密性、及び他の膜との密着性を向上させることができる。
【００７１】
〔第２の実施形態〕
図６は、本発明の薄膜形成装置の第２の実施形態を示す図である。なお、図６中において図１と同一構成のものには同一の符号を付し、その説明を省略する。本実施形態における薄膜形成装置では、基本的な構成は図１に示す第１の実施の形態と同様であるが、処理部９０の、基板に液状材料を塗布する塗布部９１（塗布装置）、すなわち本発明における塗布装置の他の実施形態となる塗布部９１は、スピンコート法にて液状材料を塗布する代わりに、いわゆるインクジェット法にて液状材料を塗布するようになっている。
【００７２】
図７に、塗布部９１の概略構成を示す。
塗布部９１を構成する塗布装置は、ゲートバルブ１５を介して連接室１３に接続され、かつ、内部の雰囲気を気密に保持するチャンバ（塗布室）１００と、基板Ｗを保持する基板ステージ１０１と、基板Ｗに対して液状材料を供給する液体供給系１０２と、飛散した液状材料を確保し、廃液として収集する廃液処理系１０３と、チャンバ１００内部に各種雰囲気ガスを供給する供給系１０４と、チャンバ１００内部を排気する排気系１０５とを備えている。なお、チャンバ１００内部に各種雰囲気ガスを供給する供給系１０４と、チャンバ１００内部を排気する排気系１０５とは、塗布部９１の処理室、すなわちチャンバ１００の処理雰囲気を独立して制御するための、前記制御機構の主構成要素となっている。
ここで、液体供給系１０２、廃液処理系１０３、供給系１０４、及び排気系１０５については、それぞれ第１の実施形態で示した塗布部２１に備えられている液体供給系４２、廃液処理系４３、供給系４４、及び排気系４５とほぼ同一構成となっているので、その説明を省略し、塗布部２１と異なる点についてのみ説明する。
【００７３】
塗布部９１では、液状材料は、液状材料容器５１からＭＦＣ５７を介してディスペンサヘッド１１０に供給され、ディスペンサヘッド１１０に設けられた複数のノズル１１１から、基板Ｗ上に非常に多くのドット３００として塗布される。ここで、ディスペンサヘッド１１０は微小液滴を吐出する液滴吐出部となるものであり、このディスペンサヘッド１１０は、前記基板ステージ１０１に対して相対的に移動することにより、該基板ステージ１０１上に保持された基板Ｗの所望位置に微小液滴を滴下できるようになっている。尚、ＭＦＣ５７は必ずしも必要ではなく、ディスペンサヘッド１１０により所望の量の微小液滴を吐出することが出来れば不要である。
【００７４】
図８に、ディスペンサヘッド１１０の詳細断面を示す。
このディスペンサヘッド１１０は、インクジェットプリンタのヘッドと同様の構造のもので、ピエゾ素子の振動で液状材料を吐出するよう構成されたものである。液状材料は、入り口部３１１から供給口３１２を介してキャビティ部３１３に溜まる。振動板３１５に密着しているピエゾ素子３１４の伸縮によって該振動板３１５が動き、キャビティ３１３の体積が減少または増加する。すると、液状材料は、キャビティ３１３の体積が減少することでノズル口３１６から吐出され、また、キャビティ３１３の体積が増加することで供給口３１２からキャビティ３１３に供給される。ノズル口３１６は、例えば、図９に示すように、２次元的に複数個配列されており、図７に示したように、基板Ｗとディスペンサヘッド１１０とが相対的に移動することにより、基板の所望の位置に液状材料を吐出し、所望の形状に塗布膜を形成できるようになっている。
【００７５】
図９において、ノズル口３１６の配列ピッチは、横方向ピッチＰ１が数１０〜数１００μｍ、縦方向ピッチＰ２が数ｍｍである。ノズル口３１６の口径は数１０μｍ〜数１００μｍ程度である。一回の吐出量は数〜数１００ｎｇであり、吐出される液状材料の液滴の大きさは直径数〜数１００μｍである。、ノズル３０５から吐出された１つの液滴は基板上では数〜数１００μｍの円形のパターン（ドット３００）となる。前記ドット３００のピッチを小さくして隣り合うドットを互いに連続させるように吐出することで、基板上に線状パターンや島状パターンに塗布膜を形成することができる。従って、本方式による薄膜の形成方法では、必要な領域に必要な量の液体材料を塗布するので、材料の使用効率が著しく高くなり、コストを低減することができる。また、薄膜をエッチングする工程をなくすることが出来るので、エッチング装置も不要になり、エッチングに伴なうプラズマダメージやオーバエッチに起因する下地に対する問題もなくなることになる。従って、大幅なコストダウンと工程短縮、デバイスの高性能化や安定した品質のデバイスを作製することが可能となる。
【００７６】
また、このインクジェット方式の液体塗布方式では、基板全面に塗布膜を形成することもできる。このためには、ドット３００の間隔を狭くして互いに重なるようにドット３００を形成するか、ステージ１０１に回転機構を設けて、ドット状に形成された液体材料を、基板全面に広がるようにしてもよい。したがって液状材料を効率的に使用することができる。この方式は、第１の実施形態で説明した塗布膜にて形成される導電膜、絶縁膜、半導体膜の形成にも適用できるので、これらの薄膜を有して形成された薄膜デバイスを利用した画像表示装置や電子機器のコスト低減に非常に大きな効果をもたらすものとなる。
【００７７】
〔第３の実施形態〕
図１０は、本発明の薄膜形成装置の第３の実施形態を示す図である。なお、図１０中において図１及び図６と同一構成のものには同一の符号を付し、その説明を省略する。
本実施形態における薄膜形成装置では、基本的な構成は図１及び図６に示す第１及び第２の実施の形態と同様であるが、処理部１２０において、基板に液状材料を塗布する塗布工程として、スピンコート法にて液状材料を塗布する塗布部（塗布装置）２１と、インクジェット法にて液状材料を塗布する塗布部（塗布装置）９１とをそれぞれ有している。
【００７８】
このような構成によれば、薄膜の種類や形状によって、液状材料の塗布方法を選択することが可能となる。例えば、基板全面に薄膜を形成する場合には、塗布部２１にてスピンコート法を用いて効率良く塗布を行うことができる。それに対して、塗布部９１でのインクジェット法による液体塗布では、数〜数１０μｍ幅の線状のパターンに塗布することができる。この技術をシリコン膜や導電膜の形成に用いれば、例えばＴＦＴの薄膜形成において、フォトリソグラフィ工程が不要な直接描画が可能となる。ＴＦＴのデザインルールが数〜数１０μｍ程度であれば、この直接描画と塗布方式の薄膜形成技術を組み合わせることにより、ＣＶＤ装置、スパッタ装置、露光装置、エッチング装置を使用しない液晶表示装置の製造が可能となる。また、不純物がドープされた半導体材料を用いることにより、イオン打ち込みやイオンドーピング装置も不要となる。
【００７９】
〔第４の実施形態〕
（半導体装置の形成方法）
図１１〜１３に、半導体装置（例えば、ＴＦＴ）の基本的な製造工程を示す。図１１（ａ）に示すように、シリコン基板２００上に第１絶縁膜（下地絶縁膜）２０１が形成され、さらに、該第１絶縁膜２０１上に第２絶縁膜２０２が形成される。第１絶縁膜２０１及び第２絶縁膜２０２は、それぞれ、例えばポリシラザンを溶媒に混合した第１の液状材料がスピンコート法で塗布され、熱処理によってＳｉＯ２とされることで形成される。
【００８０】
次に、フォトエッチング工程によりシリコン膜形成領域がパターニングされる。第２絶縁膜２０２上には、第１レジスト膜２０３が形成され、該第１レジスト膜２０３のパターンに合わせて第２絶縁膜２０２のシリコン膜形成領域がエッチングされる。絶縁膜のエッチングにフッ素を含有したプラズマを用いると、レジスト表面が弗化され、撥液性を有するようになる。シリコン原子を含有した第２の液状材料は、インクジェット法によりシリコン膜形成領域に向けて滴下される。第１レジスト膜２０３の表面は、第２の液状材料が接触する第１絶縁膜２０１の表面に比べて、プラズマの作用で撥液性となっているので、第２の液状材料は、スムースにシリコン膜領域に進入することが可能となる。第２の液状材料の塗布の終了後、熱処理によって、第２の液状材料に含有していた有機溶剤が除去される。この熱処理の加熱温度は、約１５０℃、加熱時間は、約５分間である。
【００８１】
図１１（ｂ）に示すように、熱処理後、第１レジスト膜２０３は、剥離され、さらに、第２の熱処理によって、シリコン塗布膜は固体化され、シリコン膜２０４が形成される。尚、レジストに耐熱性があれば第１の熱処理をより高い温度で行ったり、あるいは第２の熱処理後に第１レジスト膜２０３を隔離してもよい。
【００８２】
図１１（ｃ）に示すように、シリコン膜２０４の形成後、該シリコン膜２０４及び第２絶縁膜２０２上にゲート絶縁膜となる第３絶縁膜２０５が形成される。第３絶縁膜２０５は、下層の絶縁膜と同様に、例えば、ポリシラザンを溶媒に混合した第１の液状材料をスピンコート法により塗布され、熱処理によりＳｉＯ２に転化されて形成される。
【００８３】
図１２（ｄ）に示すように、第３絶縁膜２０５形成後、図１１（ａ）と同様に、フォトエッチング工程によりゲート電極領域がパターニングされる。第３絶縁膜２０５上には、第２レジスト膜２０６が形成され、フォト工程によりゲート電極形成領域がパターニングされる。次に、第２レジスト膜２０６の表面を、フッ素含有ガスを用いたプラズマで処理することにより、レジスト表面を撥液性にさせる表面処理を行っても良い。該表面処理後、ＡｇやＣｕ等の金属粒子が含有された第３の液状材料は、材料吐出方式法によりゲート電極領域に向けて滴下される。第２レジスト膜２０６の表面は、プラズマ処理によるフッ化作用で撥液性を有しているので、第３の液状材料は、スムースにシリコン膜領域に進入することが可能となる。第３の液状材料の塗布の終了後、第１の熱処理によって、第３の液状材料に含有していた有機溶剤が除去される。この第１熱処理の加熱温度は、約１５０℃、加熱時間は、約３０分間である。
【００８４】
図１２（ｅ）に示すように、第１の熱処理後、第２レジスト膜２０６は、剥離され、さらに、第２の熱処理によって、ゲート電極膜は微密化され、ゲート電極２０７が形成される。ゲート電極２０７の形成後、シリコン膜２０４に向けて不純物のイオン注入が行われ、シリコン膜２０４には、不純物が高濃度にドープされたソース領域２０４Ｓ及びドレイン領域２０４Ｄと、ソース領域２０４Ｓとドレイン領域２０４Ｄとの間のチャネル領域２０４Ｃとが形成される。
【００８５】
図１２（ｆ）に示すように、シリコン膜２０４への不純物注入の終了後、第３絶縁膜２０５、及びゲート電極２０７上に、層間絶縁膜となる第４の絶縁膜２０８が形成される。第４絶縁膜２０８は、下層の絶縁膜と同様に、例えば、ポリシラザンを溶媒に混合した第１の液状材料をスピンコート法により塗布され、熱処理によりＳｉＯ２に転化されて形成される。ここで、さらに熱処理を加え、各種絶縁膜の緻密化と、注入した不純物の活性化を図る。
【００８６】
図１２（ｇ）に示すように、第４の絶縁膜２０８上には、コンタクトホールを形成するための第３レジスト膜２０９が形成され、シリコン膜２０４の表面までエッチングをし、コンタクトホールを開口する。
【００８７】
図１３（ｈ）に示すように、コンタクトホール形成後、さらに第３レジスト膜２０９上に追加露光してソース電極及びドレイン電極の形成領域をパターニング形成する。
【００８８】
図１３（ｉ）に示すように、電極パターン領域形成後、ＣｕやＡｌ等の金属粒子が含有された第４の液状材料は、材料吐出方式によりソース・ドレイン各電極領域に向けて滴下される。第３レジスト膜２０９の表面は、プラズマ処理により撥液性を有しているので、第４の液状材料は、スムースにソース・ドレイン各電極領域に進入することが可能となる。第４の液状材料の塗布の終了後、第１の熱処理によって、第４の液状材料に含有していた有機溶剤が除去され、固体状の金属膜が形成される。この熱処理の加熱温度は、約１５０℃、加熱時間は、約３０分間である。
【００８９】
図１３（ｊ）に示すように、熱処理後、第４レジスト膜２０９は、剥離され、さらに、第２の熱処理によって、金属膜は焼成され、低抵抗のソース電極２１１とドレイン電極２１０とが形成される。電極形成後、最上層に保護膜（保護用絶縁層）２１２が形成される。
【００９０】
なお、この第４の実施形態では、半導体装置の製造方法として説明したが、電気光学装置に用いられるアクティブマトリクス基板であるＴＦＴ基板や、同様にアクティブマトリクス基板としてＭＩＭ（金属−絶縁−金属）、ＭＩＳ（金属−絶縁−シリコン）などの他の２端子、３端子素子を画素スイッチング素子とするものにも適用できる。例えばＭＩＭを用いたアクティブマトリクス基板の薄膜積層構造は半導体層を含まず、導電層と絶縁層のみで構成されるが、この場合にも本発明を適用できる。
また、例えば有機ＥＬ装置などの電気光学装置の製造や、一般的なＬＳＩの製造にも適用可能であり、さらには、前記以外の半導体層を含む種々の薄膜積層構造を有する薄膜デバイスにも本発明は適用可能である。
【００９１】
〔第５の実施形態〕
（電気光学装置）
次に、本発明の電気光学装置の一例として、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置について説明する。
図１４は、前記薄膜形成装置によって形成された半導体装置を有する有機ＥＬ装置の側断面図であり、まずこの有機ＥＬ装置の概略構成を説明する。
図１４に示すようにこの有機ＥＬ装置３０１は、基板３１１、回路素子部３２１、画素電極３３１、バンク部３４１、発光素子３５１、陰極３６１（対向電極）、および封止基板３７１から構成された有機ＥＬ素子３０２に、フレキシブル基板（図示略）の配線および駆動ＩＣ（図示略）を接続したものである。回路素子部３２１は、ＴＦＴ等からなるアクティブ素子３２２を基板３１１上に形成し、複数の画素電極３３１を回路素子部３２１上に整列させて構成されたものである。ここで、ＴＦＴ等からなるアクティブ素子３２２は、その一部が前記の薄膜塗布装置によって形成されたものであり、具体的には図１１〜図１３に示したような工程で形成されたものである。
【００９２】
また、各画素電極３３１間にはバンク部３４１が格子状に形成されており、バンク部３４１により生じた凹部開口３４４に、発光素子３５１が形成されている。陰極３６１は、バンク部３４１および発光素子３５１の上部全面に形成され、陰極３６１の上には封止用基板３７１が形成されている。
有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬ装置３０１の製造プロセスは、バンク部３４１を形成するバンク部形成工程と、発光素子３５１を適切に形成するためのバンク表面処理工程と、発光素子３５１を形成する発光素子形成工程と、陰極３６１を形成する対向電極形成工程と、封止用基板３７１により発光素子全体を外界から保護するための封止工程とを備えている。
【００９３】
発光素子形成工程は、バンク部３４１に囲まれた凹部開口３４４、すなわち画素電極３３１上に正孔注入層３５２および発光層３５３を形成することにより発光素子３５１を形成するもので、正孔注入層形成工程と発光層形成工程とを具備している。そして、正孔注入層形成工程は、正孔注入層３５２を形成するための第１組成物（液状体）を各画素電極３３１上に吐出する第１吐出工程と、吐出された第１組成物を乾燥させて正孔注入層３５２を形成する第１乾燥工程とを有し、発光層形成工程は、発光層３５３を形成するための第２組成物（液状体）を正孔注入層３５２の上に吐出する第２吐出工程と、吐出された第２組成物を乾燥させて発光層３５３を形成する第２乾燥工程とを有している。
【００９４】
この有機ＥＬ装置３０１においては、そのアクティブ素子３２２として第４の実施形態で示したような半導体装置（ＴＦＴ）が用いられており、したがってこの有機ＥＬ装置３０１によれば、低コストで高性能の半導体装置を備えていることにより、この有機ＥＬ装置３０１自体も高性能のものとなる。
なお、本発明が適用される電気光学装置としては、前記のものに限定されることなく、例えば電気泳動装置や液晶表示装置、プラズマディスプレイ装置など種々のものにも適用可能である。
【００９５】
〔第６の実施形態〕
（電子機器）
第６の実施形態として、本発明の電子機器の具体例について説明する。
図１５は、携帯電話の一例を示した斜視図である。
図１５において、６００は内部に第４の実施形態の方法で製造された半導体装置を備えた携帯電話本体を示し、６０１は同じく第４の実施形態の方法で製造された半導体装置を備えた有機ＥＬ装置からなる表示部を示している。
図１５に示した電子機器（携帯電話）は、前記実施形態の半導体装置もしくは有機ＥＬ装置を備えたものであるので、高性能の半導体装置を備えていることにより、この電子機器自体も高性能のものとなる。
なお、電子機器としては、前記の携帯電話以外にも、ワープロ、パソコン、腕時計型電子機器など各種のものに適用可能である。
【００９６】
以上、本発明の塗布装置、薄膜の形成方法、薄膜形成装置、半導体装置の製造方法、電気光学装置、並びに電子機器について説明したが、本発明は前記実施形態に限定されることなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で設計自由に変更が可能である。
例えば、前記第１の実施形態の薄膜形成装置では、図１に示したように処理部１１に連接室１３を連接した構成としたが、本発明は、これに限定されることなく、図１６に示すように連接室を設けず、処理部１１をローダ１０からアンローダ１２まで直接連続（連通）させた構成としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】 第１実施形態による薄膜形成装置を示す概略構成図である。
【図２】 前処理部の概略構成図である。
【図３】 塗布部（塗布装置）の概略構成図である。
【図４】 第１熱処理部の概略構成図である。
【図５】 第２熱処理部の概略構成図である。
【図６】 第２実施形態による薄膜形成装置を示す概略構成図である。
【図７】 インクジェット処理部の概略図である。
【図８】 図７におけるディスペンサヘッドの部分拡大側面図である。
【図９】 図７におけるディスペンサヘッドの部分拡大底面図である。
【図１０】 第３実施形態による薄膜形成装置を示す概略構成図である。
【図１１】 半導体装置の製造工程図である。
【図１２】 半導体装置の製造工程図である。
【図１３】 半導体装置の製造工程図である。
【図１４】 有機ＥＬ装置の側断面図である。
【図１５】 第５の実施形態による電子機器の例を示す斜視図である。
【図１６】 他の実施形態による薄膜形成装置を示す概略構成図である。
【符号の説明】
１３…連接室、２０…前処理部、２１…塗布部（塗布装置）、
２２…第１熱処理部（熱処理装置）、２３…第２熱処理部（熱処理装置）、
２４…第３熱処理部（熱処理装置）、４０…チャンバ（塗布室）、
４２…液体供給系、４３…廃液処理系（廃液収容機構）、
５０…液状材料供給系（第１の液供給系）、５１…液状材料容器、
５２…洗浄剤供給系（第２の液供給系）、
５３、１１１…ノズル（ノズル部）、
５７…ＭＦＣ（マスフローコントローラ）、６０…洗浄剤容器（容器）、
９１…塗布部（塗布装置）、９２…失活剤供給系（第２の液供給系）、
Ｗ…基板
Claims (11)
- 塗布室内にて基板上に液状材料を塗布する塗布装置であって、
前記塗布室に前記液状材料を供給する第１の液供給系が設けられ、該第１の液供給系に第２の液供給系が複数設けられ、
前記第２の液供給系は、そのうちの少なくとも一つが前記塗布室内または第１の液供給系内に残留する液状材料を洗浄するための洗浄剤を供給する系であり、他の少なくとも一つが前記塗布室内または第１の液供給系内に残留する液状材料の活性を失わせるための失活剤を供給する系であることを特徴とする塗布装置。 - 前記塗布室には、該塗布室内の雰囲気を独立して制御するための制御機構が設けられていることを特徴とする請求項１記載の塗布装置。
- 前記塗布室には、スピンコータが設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の塗布装置。
- 前記第１の液供給系は、前記液状材料を貯留する容器と、該容器から導出される液状材料の量を制御する滴下量制御部と、液状材料を吐出するノズル部とを備えてなり、これら容器、滴下量制御部、ノズル部は、この順で鉛直方向に上から配置され、かつ、これら各部を接続する液状材料用配管は前記鉛直方向に対しての水平部分を有することなく全て鉛直方向に向けて配設されてなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の塗布装置。
- 前記塗布室には、微小液滴を吐出する液滴吐出部が設けられ、該液滴吐出部は基板を保持するステージと相対的に移動することにより、該ステージ上に保持された基板の所望位置に微小液滴を滴下する機能を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の塗布装置。
- 前記塗布室には、該塗布室内に導入された後不要となった液を廃液として収容する廃液収容機構が設けられていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の塗布装置。
- 塗布室内にて基板上に液状材料を塗布し、該基板上に薄膜を形成する薄膜の形成方法であって、
前記塗布室に、第１の液供給系より前記液状材料を供給して基板上に薄膜を形成する工程と、
前記薄膜を形成した後に、第２の液供給系より、前記液状材料を洗浄するための液を第１の液供給系に供給して、前記塗布室内または第１の液供給系内に残留した液状材料を洗浄する工程と、
前記薄膜を形成した後に、第２の液供給系より、前記液状材料の活性を失わせるための液を第１の液供給系に供給して、前記塗布室内または第１の液供給系内に残留した液状材料の活性を失わせる工程と、を有することを特徴とする薄膜の形成方法。 - 請求項１〜６のいずれか一項に記載の塗布装置と、該塗布装置で液状材料が塗布された基板を加熱する熱処理装置とを備えてなり、
前記塗布装置および前記熱処理装置には、前記基板に各処理を施す処理室内の雰囲気をそれぞれ独立して制御する制御機構が備えられていることを特徴とする薄膜形成装置。 - 前記基板の表面洗浄等の前処理を行う前処理装置を備え、この前処理装置にも、その処理を施す処理室内の雰囲気を独立して制御する制御機構が備えられていることを特徴とする請求項８記載の薄膜形成装置。
- 前記各装置の処理室に連通する連接室が備えられ、この連接室にも、該連接室内の雰囲気を独立して制御する制御機構が備えられていることを特徴とする請求項８又は９記載の薄膜形成装置。
- 半導体装置を構成する各機能層のいずれかの機能層を、該機能層の構成成分を含有する液状材料を基板上に塗布することによって形成する半導体装置の製造方法において、
前記機能層を形成する工程では、請求項７に記載の薄膜の形成方法を用いて、前記機能層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003126317A JP3988676B2 (ja) | 2003-05-01 | 2003-05-01 | 塗布装置、薄膜の形成方法、薄膜形成装置及び半導体装置の製造方法 |
| US10/816,894 US7294155B2 (en) | 2003-05-01 | 2004-04-05 | Coating apparatus, thin film forming method, thin film forming apparatus, and semiconductor device manufacturing method, electro-optic device and electronic instrument |
| TW093109999A TWI239271B (en) | 2003-05-01 | 2004-04-09 | Coating apparatus, thin film forming method, thin film forming apparatus, and semiconductor device manufacturing method, electro-optic device and electronic instrument |
| CNB2004100353796A CN1322936C (zh) | 2003-05-01 | 2004-04-22 | 涂敷设备、薄膜形成方法以及半导体器件制造方法 |
| KR1020040029685A KR100599545B1 (ko) | 2003-05-01 | 2004-04-28 | 도포 장치, 박막 형성 방법, 박막 형성 장치, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US11/905,713 US20080087217A1 (en) | 2003-05-01 | 2007-10-03 | Coating apparatus, thin film forming method, thin film forming apparatus, and semiconductor device manufacturing method, electro-optic device and electronic instrument |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003126317A JP3988676B2 (ja) | 2003-05-01 | 2003-05-01 | 塗布装置、薄膜の形成方法、薄膜形成装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004335571A JP2004335571A (ja) | 2004-11-25 |
| JP3988676B2 true JP3988676B2 (ja) | 2007-10-10 |
Family
ID=33503289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003126317A Expired - Fee Related JP3988676B2 (ja) | 2003-05-01 | 2003-05-01 | 塗布装置、薄膜の形成方法、薄膜形成装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7294155B2 (ja) |
| JP (1) | JP3988676B2 (ja) |
| KR (1) | KR100599545B1 (ja) |
| CN (1) | CN1322936C (ja) |
| TW (1) | TWI239271B (ja) |
Families Citing this family (57)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3988676B2 (ja) * | 2003-05-01 | 2007-10-10 | セイコーエプソン株式会社 | 塗布装置、薄膜の形成方法、薄膜形成装置及び半導体装置の製造方法 |
| KR101166358B1 (ko) * | 2003-10-28 | 2012-07-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 배선 형성 방법, 박막 트랜지스터 제조 방법, 및 액적 토출방법 |
| US7276385B1 (en) | 2003-11-24 | 2007-10-02 | Kovio, Inc. | Methods of laser repairing a circuit, compositions and equipment for such methods, and structures formed from such methods |
| US8240539B2 (en) * | 2004-05-28 | 2012-08-14 | Panasonic Corporation | Joining apparatus with UV cleaning |
| US20060047053A1 (en) * | 2004-08-27 | 2006-03-02 | Ivan Pawlenko | Thermoconductive composition for RF shielding |
| JP4636495B2 (ja) * | 2004-12-10 | 2011-02-23 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 有機ｅｌ表示装置を製造するための塗布装置 |
| JP2006185864A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| JP4151652B2 (ja) * | 2005-01-11 | 2008-09-17 | セイコーエプソン株式会社 | 識別コード描画方法 |
| US20100227480A1 (en) * | 2005-06-29 | 2010-09-09 | Nxp B.V. | Apparatus and method for maintaining a near-atmospheric pressure inside a process chamber |
| JP4251330B2 (ja) * | 2005-12-22 | 2009-04-08 | カシオ計算機株式会社 | 表示装置の製造装置及び表示装置の製造方法 |
| US7970483B2 (en) | 2006-03-16 | 2011-06-28 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for improving operation of an electronic device manufacturing system |
| JP2007330036A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Seiko Epson Corp | 振動体、圧電アクチュエータ、電子機器、および振動体の製造方法 |
| JP2007336685A (ja) * | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Seiko Epson Corp | 振動体、圧電アクチュエータ、電子機器、および振動体の製造方法 |
| JP5080043B2 (ja) * | 2006-08-31 | 2012-11-21 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造用治具、および半導体装置の製造装置 |
| JP4297943B2 (ja) * | 2007-01-26 | 2009-07-15 | 中外炉工業株式会社 | 板状材の塗工方法 |
| CN101678407A (zh) * | 2007-05-25 | 2010-03-24 | 应用材料股份有限公司 | 用于减量系统的有效操作的方法与装置 |
| JP2010528475A (ja) * | 2007-05-25 | 2010-08-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 電子デバイス製造システムを組み立てる及び運転する方法及び装置 |
| US20090018688A1 (en) * | 2007-06-15 | 2009-01-15 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems for designing and validating operation of abatement systems |
| DE102007040153A1 (de) * | 2007-08-24 | 2009-02-26 | Dürr Systems GmbH | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von Overspray eines flüssigen Beschichtungsmaterials |
| WO2009055750A1 (en) * | 2007-10-26 | 2009-04-30 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for smart abatement using an improved fuel circuit |
| US8246142B2 (en) | 2008-01-16 | 2012-08-21 | Zamtec Limited | Rotating printhead maintenance facility with symmetrical chassis |
| US7922279B2 (en) | 2008-01-16 | 2011-04-12 | Silverbrook Research Pty Ltd | Printhead maintenance facility with ink storage and driven vacuum drainage coupling |
| US8313165B2 (en) * | 2008-01-16 | 2012-11-20 | Zamtec Limited | Printhead nozzle face wiper with non-linear contact surface |
| US20090179944A1 (en) * | 2008-01-16 | 2009-07-16 | Silverbrook Research Pty Ltd | Printhead maintenance facilty with elongate nozzle face wiper |
| US20090179942A1 (en) * | 2008-01-16 | 2009-07-16 | Silverbrook Research Pty Ltd | Printhead maintenance facility with nozzle wiper movable parallel to media feed direction |
| US8277027B2 (en) | 2008-01-16 | 2012-10-02 | Zamtec Limited | Printer with fluidically coupled printhead cartridge |
| US8596769B2 (en) | 2008-01-16 | 2013-12-03 | Zamtec Ltd | Inkjet printer with removable cartridge establishing fluidic connections during insertion |
| US8277026B2 (en) | 2008-01-16 | 2012-10-02 | Zamtec Limited | Printhead cartridge insertion protocol |
| US8277025B2 (en) * | 2008-01-16 | 2012-10-02 | Zamtec Limited | Printhead cartridge with no paper path obstructions |
| US8118422B2 (en) | 2008-01-16 | 2012-02-21 | Silverbrook Research Pty Ltd | Printer with paper guide on the printhead and pagewidth platen rotated into position |
| JP5231028B2 (ja) * | 2008-01-21 | 2013-07-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布液供給装置 |
| JP5274557B2 (ja) * | 2008-07-04 | 2013-08-28 | シャープ株式会社 | 真空処理装置及びガス供給方法 |
| KR101036592B1 (ko) * | 2008-11-28 | 2011-05-24 | 세메스 주식회사 | 처리액 공급 유닛과, 이를 이용한 기판 처리 장치 |
| JP2010245251A (ja) * | 2009-04-06 | 2010-10-28 | Takamatsu Mekki:Kk | 絶縁皮膜付き電子部品の製造方法 |
| JP5639816B2 (ja) * | 2009-09-08 | 2014-12-10 | 東京応化工業株式会社 | 塗布方法及び塗布装置 |
| EP2319628B1 (de) * | 2009-11-09 | 2015-01-07 | J. Wagner AG | Beschichtungsvorrichtung für Werkstücke sowie Verfahren zum Betreiben der Beschichtungsvorrichtung |
| DE102009053806A1 (de) * | 2009-11-18 | 2011-05-19 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Siliciumschichten |
| US8481355B2 (en) * | 2009-12-15 | 2013-07-09 | Primestar Solar, Inc. | Modular system and process for continuous deposition of a thin film layer on a substrate |
| CN105214890B (zh) | 2010-04-02 | 2017-07-18 | 阿德文尼拉企业有限公司 | 辊涂机 |
| JP2012060000A (ja) * | 2010-09-10 | 2012-03-22 | Toshiba Corp | シリコン酸化膜の製造装置 |
| KR101065627B1 (ko) | 2011-01-06 | 2011-09-19 | (주)엠앤에스시스템 | 스핀 코터 |
| CN102179349B (zh) * | 2011-02-18 | 2013-04-24 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 涂布装置及其液体材料的更换方法 |
| RU2572999C2 (ru) | 2011-05-26 | 2016-01-20 | Адвенира Энтерпрайзис, Инк. | Система и способ для нанесения покрытий на объект |
| JP2012253343A (ja) * | 2011-06-02 | 2012-12-20 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP2013004614A (ja) * | 2011-06-14 | 2013-01-07 | Toshiba Corp | 塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置 |
| EP2808635A4 (en) * | 2012-01-23 | 2015-07-15 | Ngk Insulators Ltd | DRY OVEN UNIT AND DRY OVEN |
| JP5529220B2 (ja) * | 2012-08-16 | 2014-06-25 | 東京エレクトロン株式会社 | デバイス製造方法 |
| US20140363903A1 (en) * | 2013-06-10 | 2014-12-11 | Tokyo Ohta Kogyo Co., Ltd. | Substrate treating apparatus and method of treating substrate |
| CN105325056B (zh) | 2013-06-18 | 2017-09-08 | 柯尼卡美能达株式会社 | 有机发光元件 |
| SG11201600523PA (en) * | 2013-07-31 | 2016-02-26 | Hitachi Int Electric Inc | Substrate processing method, substrate processing apparatus, method for manufacturing semiconductor device, and recording medium |
| JP6211458B2 (ja) * | 2014-04-30 | 2017-10-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法 |
| CN104369551B (zh) * | 2014-11-25 | 2016-03-09 | 柳州钢铁股份有限公司 | 钢板在线自动喷标机 |
| CN107075767B (zh) * | 2014-11-26 | 2021-09-03 | 科迪华公司 | 环境受控的涂层系统 |
| CN105964488B (zh) * | 2016-05-30 | 2019-12-03 | 中国科学院半导体研究所 | 带基片加热和气氛处理的匀胶机 |
| CN110293021B (zh) * | 2019-07-22 | 2023-11-03 | 苏州百孝医疗科技有限公司 | 一种生物传感器电极自动覆膜机 |
| CN113289849A (zh) * | 2021-05-18 | 2021-08-24 | 杨万涛 | 一种tft基板制造用框胶涂布装置及基板制造工艺 |
| CN114178132B (zh) * | 2021-11-16 | 2023-05-23 | 深圳市曼恩斯特科技股份有限公司 | 涂覆系统及其涂布方法 |
Family Cites Families (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6058266A (ja) | 1983-09-09 | 1985-04-04 | Hitachi Ltd | 塗布装置 |
| JPS6459919A (en) | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Nec Corp | Coating device |
| JPH0381626A (ja) | 1989-08-24 | 1991-04-08 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 液晶シート温度計 |
| JP2646289B2 (ja) * | 1990-06-01 | 1997-08-27 | 富士写真フイルム株式会社 | レジスト組成物 |
| JP3036053B2 (ja) | 1990-11-06 | 2000-04-24 | 日本電気株式会社 | 塗布熱処理装置 |
| KR100230753B1 (ko) * | 1991-01-23 | 1999-11-15 | 도꾜 일렉트론 큐슈리미티드 | 액도포 시스템 |
| JP3100086B2 (ja) | 1991-12-09 | 2000-10-16 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | スピナー |
| JPH05226482A (ja) | 1992-02-10 | 1993-09-03 | Hitachi Ltd | Ｓｏｇ塗布装置 |
| JPH07122475A (ja) * | 1993-10-22 | 1995-05-12 | Toshiba Corp | レジスト塗布装置 |
| US5565034A (en) * | 1993-10-29 | 1996-10-15 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for processing substrates having a film formed on a surface of the substrate |
| JP3484815B2 (ja) | 1994-05-09 | 2004-01-06 | 昭和電工株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| KR100212089B1 (ko) * | 1994-09-09 | 1999-08-02 | 모리시타 요이찌 | 박막형성방법 및 그 장치 |
| JP3099054B2 (ja) | 1994-09-09 | 2000-10-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置及びその方法 |
| JP3232961B2 (ja) | 1995-07-03 | 2001-11-26 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜形成装置 |
| KR970063423A (ko) * | 1996-02-01 | 1997-09-12 | 히가시 데쓰로 | 막형성방법 및 막형성장치 |
| JP3209072B2 (ja) | 1996-02-07 | 2001-09-17 | ソニー株式会社 | 絶縁膜の形成方法 |
| KR0175048B1 (ko) * | 1996-03-19 | 1999-04-01 | 김광호 | 포토레지스트 분사장치 |
| KR100479000B1 (ko) | 1996-05-15 | 2005-08-01 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 박막디바이스,액정패널및전자기기및박막디바이스의제조방법 |
| JP3333121B2 (ja) * | 1996-12-25 | 2002-10-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置 |
| US6460552B1 (en) * | 1998-10-05 | 2002-10-08 | Lorimer D'arcy H. | Method and apparatus for cleaning flat workpieces |
| JP3309079B2 (ja) | 1999-02-02 | 2002-07-29 | 東京応化工業株式会社 | 被膜形成装置及び被膜形成方法 |
| US20030045098A1 (en) * | 2001-08-31 | 2003-03-06 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for processing a wafer |
| US6689218B2 (en) * | 2001-10-23 | 2004-02-10 | General Electric Company | Systems for the deposition and curing of coating compositions |
| KR100461845B1 (ko) * | 2002-01-07 | 2004-12-14 | 주성엔지니어링(주) | 액체운송장치의 안정성 확보 시스템 |
| JP4543617B2 (ja) * | 2002-04-22 | 2010-09-15 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、電子機器の製造方法、アクティブマトリクス基板の製造装置、電気光学装置の製造装置、及び電気機器の製造装置 |
| JP2004050119A (ja) * | 2002-07-23 | 2004-02-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 洗浄装置及び洗浄方法 |
| US20040060582A1 (en) * | 2002-09-18 | 2004-04-01 | Dainippon Screen Mfg.Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| US6846360B2 (en) * | 2003-01-13 | 2005-01-25 | Aptos Corporation | Apparatus and method for bubble-free application of a resin to a substrate |
| JP3988676B2 (ja) * | 2003-05-01 | 2007-10-10 | セイコーエプソン株式会社 | 塗布装置、薄膜の形成方法、薄膜形成装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP4667252B2 (ja) * | 2006-01-16 | 2011-04-06 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 基板処理装置 |
| JP2008147448A (ja) * | 2006-12-11 | 2008-06-26 | Toshiba Corp | 薬液供給装置及び薬液供給装置を用いた半導体装置の製造方法 |
| KR101337368B1 (ko) * | 2010-10-27 | 2013-12-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 코팅장치 및 이를 이용한 코팅막 형성방법 |
-
2003
- 2003-05-01 JP JP2003126317A patent/JP3988676B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-04-05 US US10/816,894 patent/US7294155B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-04-09 TW TW093109999A patent/TWI239271B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-04-22 CN CNB2004100353796A patent/CN1322936C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-04-28 KR KR1020040029685A patent/KR100599545B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-10-03 US US11/905,713 patent/US20080087217A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200502048A (en) | 2005-01-16 |
| TWI239271B (en) | 2005-09-11 |
| JP2004335571A (ja) | 2004-11-25 |
| KR100599545B1 (ko) | 2006-07-13 |
| KR20040094622A (ko) | 2004-11-10 |
| US20080087217A1 (en) | 2008-04-17 |
| CN1322936C (zh) | 2007-06-27 |
| CN1541781A (zh) | 2004-11-03 |
| US20040255848A1 (en) | 2004-12-23 |
| US7294155B2 (en) | 2007-11-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3988676B2 (ja) | 塗布装置、薄膜の形成方法、薄膜形成装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP4543617B2 (ja) | アクティブマトリクス基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、電子機器の製造方法、アクティブマトリクス基板の製造装置、電気光学装置の製造装置、及び電気機器の製造装置 | |
| KR101061891B1 (ko) | 배선의 제작 방법 | |
| JP5288639B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| US6451515B2 (en) | Substrate treating method | |
| TWI310972B (en) | Cluster processing apparatus | |
| WO2004070823A1 (ja) | 表示装置の作製方法 | |
| JP2003173871A (ja) | 有機電界発光素子の製造装置 | |
| JP4884227B2 (ja) | 素子配置基板の製造方法 | |
| US20060183036A1 (en) | Method of forming film pattern, method of manufacturing device, electro-optical device, and electronic apparatus | |
| JP2004335572A (ja) | 塗布装置、薄膜形成装置、半導体装置の製造方法、電気光学装置、並びに電子機器 | |
| JP2004133031A (ja) | 微細構造物の製造方法、光学素子、集積回路および電子機器 | |
| JP3951044B2 (ja) | 成膜方法、並びにその方法を用いて製造したデバイス | |
| TW200425813A (en) | Forming method of pattern, manufacturing method of apparatus, optoelectronic device and electronic machine | |
| JP4656843B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| US7973907B2 (en) | Method for treating substrate, method for conveying substrate, and apparatus for conveying substrate | |
| KR101610781B1 (ko) | 어닐링 장치 및 어닐링 방법 | |
| JP2004294878A (ja) | 微細構造物の製造方法、デバイス、光学素子、集積回路及び電子機器 | |
| KR100719674B1 (ko) | 페이스트 액 공급장치 및 페이스트 액 공급방법 | |
| JP2006128581A (ja) | 半導体膜の形成方法、半導体素子基板の製造方法、電気光学装置、電子デバイスおよび半導体膜形成装置 | |
| JP2004134446A (ja) | 微細構造物の製造方法、光学素子、集積回路および電子機器 | |
| JP2009218431A (ja) | 成膜方法、半導体装置の製造方法および電子機器の製造方法 | |
| JP2009218430A (ja) | 成膜方法、半導体装置の製造方法および電子機器の製造方法 | |
| JP2009218429A (ja) | 成膜方法、半導体装置の製造方法および電子機器の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050202 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20050203 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061212 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070201 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070227 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070328 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070626 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070709 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100727 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110727 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110727 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120727 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120727 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130727 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |