JPH07122475A - レジスト塗布装置 - Google Patents
レジスト塗布装置Info
- Publication number
- JPH07122475A JPH07122475A JP26442593A JP26442593A JPH07122475A JP H07122475 A JPH07122475 A JP H07122475A JP 26442593 A JP26442593 A JP 26442593A JP 26442593 A JP26442593 A JP 26442593A JP H07122475 A JPH07122475 A JP H07122475A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- resist coating
- cup
- optical system
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
- B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 レジストの熱処理に好適する新規なレジスト
塗布装置を提供するする点。 【構成】 半導体単結晶基板に塗布したレジストを加熱
乾燥する本発明に係わるレジスト塗布装置はレジスト塗
布部と光学系とで構成し、レジストを感光しない波長に
より加熱乾燥する方式を採用してレジストのみを乾燥す
るべく環状マスクを被処理半導体基板に設置する。
塗布装置を提供するする点。 【構成】 半導体単結晶基板に塗布したレジストを加熱
乾燥する本発明に係わるレジスト塗布装置はレジスト塗
布部と光学系とで構成し、レジストを感光しない波長に
より加熱乾燥する方式を採用してレジストのみを乾燥す
るべく環状マスクを被処理半導体基板に設置する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレジスト塗布装置に関
し、特にレジストの熱処理に好適する。
し、特にレジストの熱処理に好適する。
【０００２】
【従来の技術】半導体単結晶基板に半導体素子を造込む
にはいわゆるホトリソグラフィ技術が利用されており、
これに不可欠な材料としてポジ型またはネガ型レジスト
が挙げられ、これを加熱する工程も実用化されている。
にはいわゆるホトリソグラフィ技術が利用されており、
これに不可欠な材料としてポジ型またはネガ型レジスト
が挙げられ、これを加熱する工程も実用化されている。
【０００３】半導体単結晶基板に塗布したレジストを加
熱するには、図２乃至図４に示す従来の塗布装置では、
レジスト塗布部５０、搬送部５１及び熱処理部５２で構
成するレジスト塗布装置を使用する。即ちレジスト塗布
部５０は被処理半導体基板５３にレジストを遠心分離方
式により固着するのに必要な部品から成る。即ち被処理
半導体基板５３を配置する支持台５４はモ−タ５５に直
結した回転軸５６に配置して回転自在とする。またこれ
を覆って一定の雰囲気とするためにカップ５７を配置す
るが、カップ５７と回転軸５６間には図示しない軸受機
構を配置して支持台５４を回転自在にする。レジスト塗
布工程用としてノズル５８を支持台５４の上方に配置
し、更にレジスト塗布後の洗浄用水や液状レジストの残
渣などを排出する孔部５９をカップ５７の底部に設置す
ると共に減圧機構に連結するのが通常である。
熱するには、図２乃至図４に示す従来の塗布装置では、
レジスト塗布部５０、搬送部５１及び熱処理部５２で構
成するレジスト塗布装置を使用する。即ちレジスト塗布
部５０は被処理半導体基板５３にレジストを遠心分離方
式により固着するのに必要な部品から成る。即ち被処理
半導体基板５３を配置する支持台５４はモ−タ５５に直
結した回転軸５６に配置して回転自在とする。またこれ
を覆って一定の雰囲気とするためにカップ５７を配置す
るが、カップ５７と回転軸５６間には図示しない軸受機
構を配置して支持台５４を回転自在にする。レジスト塗
布工程用としてノズル５８を支持台５４の上方に配置
し、更にレジスト塗布後の洗浄用水や液状レジストの残
渣などを排出する孔部５９をカップ５７の底部に設置す
ると共に減圧機構に連結するのが通常である。
【０００４】支持台５４に配置固定する被処理半導体基
板５３には液状レジストをノズル５８から滴下後、支持
台５４を高速回転して生ずる遠心力により余分なレジス
ト及びレジスト中に含まれる溶剤を除去すると共に被処
理半導体基板５３の所定の位置にレジストを塗布する。
板５３には液状レジストをノズル５８から滴下後、支持
台５４を高速回転して生ずる遠心力により余分なレジス
ト及びレジスト中に含まれる溶剤を除去すると共に被処
理半導体基板５３の所定の位置にレジストを塗布する。
【０００５】レジストの塗布工程を終えた被処理半導体
基板５３を取出して例えばベルトコンベア−６０などを
備える搬送部５１により熱処理部５２（図４参照）に送
り、加熱処理を行ってレジスト塗布の全工程を完了す
る。熱処理部５２は図４に明らかなように熱源６２を内
蔵するプレ−ト６１から成り、ここに被処理半導体基板
５３を載せて塗布したレジストを乾燥する。
基板５３を取出して例えばベルトコンベア−６０などを
備える搬送部５１により熱処理部５２（図４参照）に送
り、加熱処理を行ってレジスト塗布の全工程を完了す
る。熱処理部５２は図４に明らかなように熱源６２を内
蔵するプレ−ト６１から成り、ここに被処理半導体基板
５３を載せて塗布したレジストを乾燥する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前記レジスト塗布装置
にあってはレジストを塗布した被処理半導体基板５３を
熱処理部５２に搬送するには搬送部５１により行われる
が、搬送部５１の搬送時間、移動距離により乾燥時間が
違って乾燥ムラが生ずる難点がある。更に半導体基板の
裏側から加熱するホットプレ−ト方式では半導体基板と
レジストの熱膨脹率の差から熱によるストレスがレジス
トに発生し、後工程での感光程度にムラが発生する。し
かもプレ−ト６１面内に１５０±１℃〜２℃程度の温度
差が生じるためにレジスト中の溶剤の蒸発速度にも差が
でる難点がある。
にあってはレジストを塗布した被処理半導体基板５３を
熱処理部５２に搬送するには搬送部５１により行われる
が、搬送部５１の搬送時間、移動距離により乾燥時間が
違って乾燥ムラが生ずる難点がある。更に半導体基板の
裏側から加熱するホットプレ−ト方式では半導体基板と
レジストの熱膨脹率の差から熱によるストレスがレジス
トに発生し、後工程での感光程度にムラが発生する。し
かもプレ−ト６１面内に１５０±１℃〜２℃程度の温度
差が生じるためにレジスト中の溶剤の蒸発速度にも差が
でる難点がある。
【０００７】更にレジスト処理プロセスによっては装置
のインデックスを合わせるために、複数個のプレ−トを
使用することもあり、プレ−トからプレ−トへ移される
際に多少温度が下がる。従って決められた温度による加
熱ができない難点もある。
のインデックスを合わせるために、複数個のプレ−トを
使用することもあり、プレ−トからプレ−トへ移される
際に多少温度が下がる。従って決められた温度による加
熱ができない難点もある。
【０００８】本発明はこのような事情により成されたも
ので、特にレジストの熱処理に好適する新規なレジスト
塗布装置を提供する。
ので、特にレジストの熱処理に好適する新規なレジスト
塗布装置を提供する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】半導体基板を配置する支
持台と，前記支持台に取付けて回転可能にする駆動機構
と，前記支持台に対応して配置するレジスト滴下ノズル
と，前記支持台を囲むカップと，前記カップを覆って設
置する透光性の蓋と，前記蓋または前記カップの一方か
双方を移動させる駆動機構と，前記蓋より上方に配置す
る光学系部材とに本発明に係るレジスト塗布装置の特徴
がある。
持台と，前記支持台に取付けて回転可能にする駆動機構
と，前記支持台に対応して配置するレジスト滴下ノズル
と，前記支持台を囲むカップと，前記カップを覆って設
置する透光性の蓋と，前記蓋または前記カップの一方か
双方を移動させる駆動機構と，前記蓋より上方に配置す
る光学系部材とに本発明に係るレジスト塗布装置の特徴
がある。
【００１０】また、前記蓋を覆うマスクにも特徴があ
る。
る。
【００１１】
【作用】半導体単結晶基板に塗布したレジストを加熱乾
燥する本発明に係わるレジスト塗布装置はレジスト塗布
部と光学系とで構成し、塗布ムラのない高品質なレジス
ト膜を形成することができる。また環状マスクを使用す
ることにより感光したい部分を自由自在に制御できる。
燥する本発明に係わるレジスト塗布装置はレジスト塗布
部と光学系とで構成し、塗布ムラのない高品質なレジス
ト膜を形成することができる。また環状マスクを使用す
ることにより感光したい部分を自由自在に制御できる。
【００１２】
【実施例】本発明に係わる実施例を図１を参照して説明
する。半導体単結晶基板に塗布したレジストを加熱する
レジスト塗布装置は、図１に示すレジスト塗布部１と光
学系２だけで構成して従来のような搬送部及び熱処理部
を省略する。即ちレジスト塗布部１は被処理半導体基板
３にレジストを遠心分離方式により固着するのに必要な
支持台４は例えばスピンモ−タ５に直結した回転軸６に
固定して回転自在とする。これらを覆って一定の雰囲気
とするためにカップ７を設置するが、カップ７と回転軸
６間には図示しない軸受機構を配置して回転軸６と支持
台４を回転自在にする。レジスト塗布工程用としてノズ
ル８は支持台５の上方に配置し、更にレジスト塗布後の
洗浄用水や液状レジスト（図示せず）の残渣などを排出
する孔部９をカップ５の底部に設置すると共に減圧機構
に連結して排気を行う。
する。半導体単結晶基板に塗布したレジストを加熱する
レジスト塗布装置は、図１に示すレジスト塗布部１と光
学系２だけで構成して従来のような搬送部及び熱処理部
を省略する。即ちレジスト塗布部１は被処理半導体基板
３にレジストを遠心分離方式により固着するのに必要な
支持台４は例えばスピンモ−タ５に直結した回転軸６に
固定して回転自在とする。これらを覆って一定の雰囲気
とするためにカップ７を設置するが、カップ７と回転軸
６間には図示しない軸受機構を配置して回転軸６と支持
台４を回転自在にする。レジスト塗布工程用としてノズ
ル８は支持台５の上方に配置し、更にレジスト塗布後の
洗浄用水や液状レジスト（図示せず）の残渣などを排出
する孔部９をカップ５の底部に設置すると共に減圧機構
に連結して排気を行う。
【００１３】またノズル８は液状レジストを滴下後カッ
プ７外に移動できるようにロボット機構（図示せず）と
し更にカップ７に石英ガラス製の透光性の蓋１０を設置
する。
プ７外に移動できるようにロボット機構（図示せず）と
し更にカップ７に石英ガラス製の透光性の蓋１０を設置
する。
【００１４】この一面には液状レジストを塗布しない被
処理半導体基板３のレジスト塗布部以外をカバ−する環
状マスク１１を配置する。
処理半導体基板３のレジスト塗布部以外をカバ−する環
状マスク１１を配置する。
【００１５】このような構造のレジスト塗布部１にあっ
てはノズル８から液状レジストを滴下後、支持台４を高
速回転して生ずる遠心力により余分なレジスト及びレジ
スト中に含まれる溶剤を除去すると共に被処理半導体基
板３の所定の位置にレジストを固定する。
てはノズル８から液状レジストを滴下後、支持台４を高
速回転して生ずる遠心力により余分なレジスト及びレジ
スト中に含まれる溶剤を除去すると共に被処理半導体基
板３の所定の位置にレジストを固定する。
【００１６】本発明に係わるレジスト塗布装置ではレジ
ストの塗布工程を終えた被処理半導体基板３のレジスト
の加熱乾燥を光学系２により行う。即ち、図１に明らか
なように白熱電球１２から放射する特定波長４３２ｎｍ
の光を光学系２により収束して被処理半導体基板５の特
定の場所に塗布されたレジストに照射して加熱乾燥す
る。
ストの塗布工程を終えた被処理半導体基板３のレジスト
の加熱乾燥を光学系２により行う。即ち、図１に明らか
なように白熱電球１２から放射する特定波長４３２ｎｍ
の光を光学系２により収束して被処理半導体基板５の特
定の場所に塗布されたレジストに照射して加熱乾燥す
る。
【００１７】この工程に先立ってノズル８をロボット機
構によりカップ７から除去後石英ガラス製の透光性の蓋
１０をカップ７に載せる必要がある。このために石英ガ
ラス製の透光性の蓋１はカップ７より長大に形成し、こ
こにガイド１３ならびに図示しない例えばスピンモ−タ
１４に直結したシリンダ−機構１５を設置する。モ−タ
の稼働に伴って垂直方向に移動するシリンダ−機構１５
により石英ガラス製の透光性の蓋１０がカップ７を開閉
する。レジストの加熱乾燥に際しては、石英ガラス製の
透光性の蓋１０をカップ７の開口面に載せてから光学系
２により白熱電球１２から放射する特定波長４３２ｎｍ
光を収束して被処理半導体基板３の特定の場所に塗布さ
れたレジストを加熱乾燥する。この加熱工程は被処理半
導体基板３を高速回転した状態で行う。従って従来技術
のような搬送系と加熱機構は必要なくなり、半導体素子
の製造コストを低下できる。
構によりカップ７から除去後石英ガラス製の透光性の蓋
１０をカップ７に載せる必要がある。このために石英ガ
ラス製の透光性の蓋１はカップ７より長大に形成し、こ
こにガイド１３ならびに図示しない例えばスピンモ−タ
１４に直結したシリンダ−機構１５を設置する。モ−タ
の稼働に伴って垂直方向に移動するシリンダ−機構１５
により石英ガラス製の透光性の蓋１０がカップ７を開閉
する。レジストの加熱乾燥に際しては、石英ガラス製の
透光性の蓋１０をカップ７の開口面に載せてから光学系
２により白熱電球１２から放射する特定波長４３２ｎｍ
光を収束して被処理半導体基板３の特定の場所に塗布さ
れたレジストを加熱乾燥する。この加熱工程は被処理半
導体基板３を高速回転した状態で行う。従って従来技術
のような搬送系と加熱機構は必要なくなり、半導体素子
の製造コストを低下できる。
【００１８】このようなレジスト塗布装置では石英ガラ
ス製の透光性の蓋１０を必要に応じて設置できるので、
プロセスの関係上複数段の加熱工程が必要な場合でも一
定の雰囲気下で処理でき、特定波長４３２ｎｍ光を必要
な位置だけに照射可能とする。
ス製の透光性の蓋１０を必要に応じて設置できるので、
プロセスの関係上複数段の加熱工程が必要な場合でも一
定の雰囲気下で処理でき、特定波長４３２ｎｍ光を必要
な位置だけに照射可能とする。
【００１９】
【発明の効果】このようなレジスト塗布装置ではレジス
トの塗布と加熱乾燥をカップ内で行うために、一定の雰
囲気で処理するので高品質のレジスト膜が得られる。更
に塗布したレジスト膜の表面から加熱するために半導体
基板に対するストレスが少ない利点がある。更にまた被
処理半導体基板３を高速回転した状態で加熱工程を行う
ので、均一加熱化が向上する。しかも加熱温度を変更す
るには、発熱電球の品種を変更することにより容易に行
える。
トの塗布と加熱乾燥をカップ内で行うために、一定の雰
囲気で処理するので高品質のレジスト膜が得られる。更
に塗布したレジスト膜の表面から加熱するために半導体
基板に対するストレスが少ない利点がある。更にまた被
処理半導体基板３を高速回転した状態で加熱工程を行う
ので、均一加熱化が向上する。しかも加熱温度を変更す
るには、発熱電球の品種を変更することにより容易に行
える。
【図１】本発明に係わるレジスト塗布装置の概略を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】従来のレジスト塗布装置のレジスト塗布部の要
部を明らかにする断面図である。
部を明らかにする断面図である。
【図３】従来のレジスト塗布装置の搬送部の断面図であ
る。
る。
【図４】従来のレジスト塗布装置の熱処理部の断面図で
ある。
ある。
１、５０：レジスト塗布部、 ２：光学系、 ３、５３：被処理半導体基板、 ４、５４：支持台、 ５、５５：モ−タ、 ６、５６：回転軸、 ７、５７：カップ、 ８、５８：ノズル、 ９、５９：孔部、 １０：蓋、 １１：マスク、 １２：白熱電球、 １３：ガイド、 １４：シリンダ−機構、 ６０：熱源、 ６１：プレ−ト。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/16 ５０２
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板を配置する支持台と，前記支
持台に取付けて回転可能にする駆動機構と，前記支持台
に対応して配置するレジスト滴下ノズルと，前記支持台
を囲むカップと，前記カップを覆って設置する透光性の
蓋と，前記蓋または前記カップの一方か双方を移動させ
る駆動機構と，前記蓋より上方に配置する光学系部材と
を具備することを特徴とするレジスト塗布装置。 - 【請求項２】 前記蓋を覆うマスクを具備することを特
徴とする請求項１記載のレジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26442593A JPH07122475A (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | レジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26442593A JPH07122475A (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | レジスト塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07122475A true JPH07122475A (ja) | 1995-05-12 |
Family
ID=17403004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26442593A Withdrawn JPH07122475A (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | レジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07122475A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997043689A1 (en) * | 1996-05-15 | 1997-11-20 | Seiko Epson Corporation | Thin film device having coating film, liquid crystal panel, electronic apparatus and method of manufacturing the thin film device |
| US6821553B2 (en) | 1996-11-25 | 2004-11-23 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing organic EL element, organic EL element, and organic EL display device |
| CN1322936C (zh) * | 2003-05-01 | 2007-06-27 | 精工爱普生株式会社 | 涂敷设备、薄膜形成方法以及半导体器件制造方法 |
-
1993
- 1993-10-22 JP JP26442593A patent/JPH07122475A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997043689A1 (en) * | 1996-05-15 | 1997-11-20 | Seiko Epson Corporation | Thin film device having coating film, liquid crystal panel, electronic apparatus and method of manufacturing the thin film device |
| US5989945A (en) * | 1996-05-15 | 1999-11-23 | Seiko Epson Corporation | Thin film device provided with coating film, liquid crystal panel and electronic device, and method for making the thin film device |
| US6593591B2 (en) | 1996-05-15 | 2003-07-15 | Seiko Epson Corporation | Thin film device provided with coating film, liquid crystal panel and electronic device, and method the thin film device |
| US6821553B2 (en) | 1996-11-25 | 2004-11-23 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing organic EL element, organic EL element, and organic EL display device |
| US6838192B2 (en) | 1996-11-25 | 2005-01-04 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing organic EL element, organic EL element, and organic EL display device |
| US6863961B2 (en) | 1996-11-25 | 2005-03-08 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing organic EL element, organic EL element, and organic EL display device |
| CN1322936C (zh) * | 2003-05-01 | 2007-06-27 | 精工爱普生株式会社 | 涂敷设备、薄膜形成方法以及半导体器件制造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001226 |