JPH073640Y2 - 加熱ランプ付搬送室 - Google Patents
加熱ランプ付搬送室Info
- Publication number
- JPH073640Y2 JPH073640Y2 JP1989147348U JP14734889U JPH073640Y2 JP H073640 Y2 JPH073640 Y2 JP H073640Y2 JP 1989147348 U JP1989147348 U JP 1989147348U JP 14734889 U JP14734889 U JP 14734889U JP H073640 Y2 JPH073640 Y2 JP H073640Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- heating lamp
- transfer chamber
- chamber
- transfer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この考案は、半導体製造装置、特に化合物半導体製造装
置に用いられる加熱ランプ付搬送室に関するものであ
る。
置に用いられる加熱ランプ付搬送室に関するものであ
る。
（従来の技術） 従来の加熱ランプ付搬送室は第２図に示され、同図にお
いて、搬送室１の室内にはチェーンローラ２が配設さ
れ、このチェーンローラ2a上には基板（図示せず）を置
いたトレイ３が載せられ、このトレイ３はチェーンロー
ラ2aによって搬送されるようになっている。また、搬送
室１内のトレイ３の上方にはハロゲンランプ４が配置さ
れ、ハロゲンランプ４からの光がトレイ３上の基板に照
射され、それによって基板が予備加熱されるようになっ
ている。なお、搬送室１は仕切弁５を介して反応室６が
連接されている。反応室６は、その室内において、反応
ガスを噴出することのできるRF電極７と、ヒータ８を内
蔵した基板加熱電極９とが対向して配設されているとと
もに、チェーンローラ2bも配設されている。
いて、搬送室１の室内にはチェーンローラ２が配設さ
れ、このチェーンローラ2a上には基板（図示せず）を置
いたトレイ３が載せられ、このトレイ３はチェーンロー
ラ2aによって搬送されるようになっている。また、搬送
室１内のトレイ３の上方にはハロゲンランプ４が配置さ
れ、ハロゲンランプ４からの光がトレイ３上の基板に照
射され、それによって基板が予備加熱されるようになっ
ている。なお、搬送室１は仕切弁５を介して反応室６が
連接されている。反応室６は、その室内において、反応
ガスを噴出することのできるRF電極７と、ヒータ８を内
蔵した基板加熱電極９とが対向して配設されているとと
もに、チェーンローラ2bも配設されている。
次に、作用について説明する。
搬送室１を真空排気した後、ハロゲンランプ４からの光
をトレイ３上の基板に照射して、基板を100〜200℃に加
熱する。次に、仕切弁５を開け、チェーンローラ2a、2b
によって、トレイ３上の基板を搬送室１から反応室６に
搬送すする。その後、仕切弁５を閉じ、反応室６内で基
板に薄膜を形成する。
をトレイ３上の基板に照射して、基板を100〜200℃に加
熱する。次に、仕切弁５を開け、チェーンローラ2a、2b
によって、トレイ３上の基板を搬送室１から反応室６に
搬送すする。その後、仕切弁５を閉じ、反応室６内で基
板に薄膜を形成する。
（考案が解決しようとする課題） 従来の加熱ランプ付搬送室は、上記のように室内のハロ
ゲンランプ４からの光をトレイ３上の基板に照射して、
基板を加熱するようにしている。
ゲンランプ４からの光をトレイ３上の基板に照射して、
基板を加熱するようにしている。
したがって、ハロゲンランプ４と基板との距離を十分に
とることができないため、基板の温度分布が悪くなる問
題が起きた。また、ハロゲンランプ４が室内に配設され
ているため、ハロゲンランプ４が破損したときには、そ
の保守に時間がかかる問題も起きた。更に、基板以外の
チェーンローラ2a等の加熱の不要な部分が加熱されるた
め、これらの冷却をしなければならない問題も起きた。
とることができないため、基板の温度分布が悪くなる問
題が起きた。また、ハロゲンランプ４が室内に配設され
ているため、ハロゲンランプ４が破損したときには、そ
の保守に時間がかかる問題も起きた。更に、基板以外の
チェーンローラ2a等の加熱の不要な部分が加熱されるた
め、これらの冷却をしなければならない問題も起きた。
この考案の目的は、従来の問題を解決して、基板の温度
分布が良くなり、保守も容易で、不要な部分の加熱をな
くすること等の可能な加熱ランプ付搬送室を提供するこ
とにある。
分布が良くなり、保守も容易で、不要な部分の加熱をな
くすること等の可能な加熱ランプ付搬送室を提供するこ
とにある。
（課題を解決するための手段） 上記目的を達成するために、この考案は、反応室に仕切
弁を介して連接された加熱ランプ付搬送室において、該
加熱ランプ付搬送室の室内に基板搬送用の搬送機構を配
設し、該搬送機構の回転軸と反応室との間の天板部に基
板とほぼ同じ大きさの石英窓を設け、更に、該石英窓付
近の室外に加熱ランプを配設し、該加熱ランプからの光
を前記石英窓より、前記基板に照射して、これを予備加
熱することを特徴とするものである。
弁を介して連接された加熱ランプ付搬送室において、該
加熱ランプ付搬送室の室内に基板搬送用の搬送機構を配
設し、該搬送機構の回転軸と反応室との間の天板部に基
板とほぼ同じ大きさの石英窓を設け、更に、該石英窓付
近の室外に加熱ランプを配設し、該加熱ランプからの光
を前記石英窓より、前記基板に照射して、これを予備加
熱することを特徴とするものである。
（作用） この考案においては、室内の基板への光の照射に適切な
位置にまで室外の加熱ランプを離して取付けているの
で、加熱ランプからの光は基板に均等に照射され、基板
の温度分布が良くなる。また、加熱ランプが室外に配設
されているため、加熱ランプが破損したときには、その
保守が容易になるとともに、搬送室を小型化でき、搬送
室内の真空排気時間を短縮化することが可能になる。更
に、加熱ランプからの光は基板とほぼ同じ大きさの石英
窓を通ったものだけが基板に照射されるので、基板への
効率的な加熱ができ、それ以外の不要な部分の加熱がな
くなる。
位置にまで室外の加熱ランプを離して取付けているの
で、加熱ランプからの光は基板に均等に照射され、基板
の温度分布が良くなる。また、加熱ランプが室外に配設
されているため、加熱ランプが破損したときには、その
保守が容易になるとともに、搬送室を小型化でき、搬送
室内の真空排気時間を短縮化することが可能になる。更
に、加熱ランプからの光は基板とほぼ同じ大きさの石英
窓を通ったものだけが基板に照射されるので、基板への
効率的な加熱ができ、それ以外の不要な部分の加熱がな
くなる。
（実施例） 以下、この考案の実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図はこの考案の実施例の加熱ランプ付搬送室を示し
ており、同図において、仕切弁17を介して反応室18に連
接された搬送室11の室内には搬送機構12が配設されてい
る。搬送機構12は第１図の他に第２図および第３図に示
されるように回転軸12aの先端にアーム機構12bが取付け
られ、そのアーム機構12bの先端には支持台12cが取付け
られている。搬送機構12の支持台12c上には基板（図示
せず）を置いたトレイ13が載せられ、このトレイ13は搬
送機構12によって搬送されるようになっている。搬送室
11の室壁の反応室18と搬送機構12の回転軸12aとの間に
は基板とほぼ同じ大きさを持つ透明な石英窓14が取り付
けられ、この石英窓14の周囲には水冷管15が設けられ、
この水冷管15によって石英窓用Ｏリング（図示せず）が
冷却されるようになっている。石英窓14付近の室外には
ハロゲンランプ16が配置され、このハロゲンランプ16か
らの光は石英窓14だけを通って基板に照射され、それに
よって基板だけが予備加熱されるようになっている。搬
送室11と連接された反応室18は、その室内において、反
応ガスを噴出することのできるRF電極19と、ヒータ20を
内蔵した基板加熱電極21とが対向して配設されている。
基板加熱電極21には基板の受渡しに使用される昇降自在
なリフタ22が備わっている。搬送室11の横にはカセット
室23が連通され、そのカセット室23内には、基板を置い
たトレイ13を収容したカセット24が収容されている。
ており、同図において、仕切弁17を介して反応室18に連
接された搬送室11の室内には搬送機構12が配設されてい
る。搬送機構12は第１図の他に第２図および第３図に示
されるように回転軸12aの先端にアーム機構12bが取付け
られ、そのアーム機構12bの先端には支持台12cが取付け
られている。搬送機構12の支持台12c上には基板（図示
せず）を置いたトレイ13が載せられ、このトレイ13は搬
送機構12によって搬送されるようになっている。搬送室
11の室壁の反応室18と搬送機構12の回転軸12aとの間に
は基板とほぼ同じ大きさを持つ透明な石英窓14が取り付
けられ、この石英窓14の周囲には水冷管15が設けられ、
この水冷管15によって石英窓用Ｏリング（図示せず）が
冷却されるようになっている。石英窓14付近の室外には
ハロゲンランプ16が配置され、このハロゲンランプ16か
らの光は石英窓14だけを通って基板に照射され、それに
よって基板だけが予備加熱されるようになっている。搬
送室11と連接された反応室18は、その室内において、反
応ガスを噴出することのできるRF電極19と、ヒータ20を
内蔵した基板加熱電極21とが対向して配設されている。
基板加熱電極21には基板の受渡しに使用される昇降自在
なリフタ22が備わっている。搬送室11の横にはカセット
室23が連通され、そのカセット室23内には、基板を置い
たトレイ13を収容したカセット24が収容されている。
次に、上記実施例の作用について説明する。搬送室11室
を真空排気した後、ハロゲンランプ16からの光を、石英
窓14だけを通ってトレイ13上の基板に照射して、基板を
100〜200℃に加熱する。このとき、基板への光の照射に
適切な位置にまでハロゲンランプ16を離すことができる
ので、ハロゲンランプ16からの光は基板に均等に照射さ
れ、基板の温度分布を良くする。また、ハロゲンランプ
15が搬送室11の室外に配設されているため、ハロゲンラ
ンプ16が破損したときには、その保守が容易になるとと
もに、搬送室を小型化でき、搬送室内の真空排気時間を
短縮化することが可能になる。更に、ハロゲンランプ16
からの光は石英窓14を通ったものだけが基板に照射され
るので、基板への効率的な加熱ができ、不要な部分の加
熱がなくなる。次に、仕切弁17を開け、搬送機構によっ
て、トレイ13上の基板を搬送室11から反応室18に搬送す
る。その後、仕切弁17を閉じ、反応室18内で基板に薄膜
を形成する。
を真空排気した後、ハロゲンランプ16からの光を、石英
窓14だけを通ってトレイ13上の基板に照射して、基板を
100〜200℃に加熱する。このとき、基板への光の照射に
適切な位置にまでハロゲンランプ16を離すことができる
ので、ハロゲンランプ16からの光は基板に均等に照射さ
れ、基板の温度分布を良くする。また、ハロゲンランプ
15が搬送室11の室外に配設されているため、ハロゲンラ
ンプ16が破損したときには、その保守が容易になるとと
もに、搬送室を小型化でき、搬送室内の真空排気時間を
短縮化することが可能になる。更に、ハロゲンランプ16
からの光は石英窓14を通ったものだけが基板に照射され
るので、基板への効率的な加熱ができ、不要な部分の加
熱がなくなる。次に、仕切弁17を開け、搬送機構によっ
て、トレイ13上の基板を搬送室11から反応室18に搬送す
る。その後、仕切弁17を閉じ、反応室18内で基板に薄膜
を形成する。
ところで、上記実施例ではハロゲンランプを使用してい
るが、その代わりに、赤外線ランプ等を使用してもよ
い。また、基板は化合物半導体基板、シリコン基板ある
いはガラス基板等を使用してもよい。更に、搬送室11内
に水素ガスを流して、基板表面を急速に加熱してもよ
い。
るが、その代わりに、赤外線ランプ等を使用してもよ
い。また、基板は化合物半導体基板、シリコン基板ある
いはガラス基板等を使用してもよい。更に、搬送室11内
に水素ガスを流して、基板表面を急速に加熱してもよ
い。
（考案の効果） この考案は、上記のように室内の基板への光の照射に適
切な位置にまで室外の加熱ランプを離し取付けているの
で、加熱ランプからの光は基板に均等に照射され、基板
の温度分布が良くなる。また、加熱ランプが室外に配設
されているため、加熱ランプが破損したときには、その
保守が容易になるとともに、搬送室を小型化でき、搬送
室内の真空排気時間を短縮化することが可能になる。更
に、加熱ランプからの光は基板とほぼ同じ大きさの石英
窓を通ったものだけが基板に照射されるので、基板への
効率的な加熱ができ、その以外の不要な部分の加熱がな
くなる。
切な位置にまで室外の加熱ランプを離し取付けているの
で、加熱ランプからの光は基板に均等に照射され、基板
の温度分布が良くなる。また、加熱ランプが室外に配設
されているため、加熱ランプが破損したときには、その
保守が容易になるとともに、搬送室を小型化でき、搬送
室内の真空排気時間を短縮化することが可能になる。更
に、加熱ランプからの光は基板とほぼ同じ大きさの石英
窓を通ったものだけが基板に照射されるので、基板への
効率的な加熱ができ、その以外の不要な部分の加熱がな
くなる。
第１図はこの考案の実施例の加熱ランプ付搬送室を示す
説明図、第２図は搬送機構の平面図、第３図は搬送機構
の立面図である。第４図は従来の加熱ランプ付搬送室を
示す説明図である。 図中、 11……搬送室 12……搬送機構 12a……搬送機構の回転軸 14……石英窓 16……ハロゲンランプ
説明図、第２図は搬送機構の平面図、第３図は搬送機構
の立面図である。第４図は従来の加熱ランプ付搬送室を
示す説明図である。 図中、 11……搬送室 12……搬送機構 12a……搬送機構の回転軸 14……石英窓 16……ハロゲンランプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3065
Claims (1)
- 【請求項１】反応室に仕切弁を介して連接された加熱ラ
ンプ付搬送室において、該加熱ランプ付搬送室の室内に
基板搬送用の搬送機構を配設し、該搬送機構の回転軸と
反応室との間の天板部に基板とほぼ同じ大きさの石英窓
を設け、更に、該石英窓付近の室外に加熱ランプを配設
し、該加熱ランプからの光を前記石英窓より、前記基板
に照射して、これを予備加熱することを特徴とする加熱
ランプ付搬送室。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989147348U JPH073640Y2 (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | 加熱ランプ付搬送室 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989147348U JPH073640Y2 (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | 加熱ランプ付搬送室 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0385634U JPH0385634U (ja) | 1991-08-29 |
| JPH073640Y2 true JPH073640Y2 (ja) | 1995-01-30 |
Family
ID=31693868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989147348U Expired - Lifetime JPH073640Y2 (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | 加熱ランプ付搬送室 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH073640Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109309037A (zh) * | 2018-08-30 | 2019-02-05 | 陈凯辉 | 一种同时支持多个半导体材料加工设备的自动传送系统 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6074633A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | Fujitsu Ltd | ロ−ドロツク装置の試料加熱方法 |
| US4584045A (en) * | 1984-02-21 | 1986-04-22 | Plasma-Therm, Inc. | Apparatus for conveying a semiconductor wafer |
| JPS611017A (ja) * | 1984-06-13 | 1986-01-07 | Kokusai Electric Co Ltd | 半導体基板の熱処理装置 |
| JPS62106637A (ja) * | 1985-11-05 | 1987-05-18 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
-
1989
- 1989-12-20 JP JP1989147348U patent/JPH073640Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0385634U (ja) | 1991-08-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |