JP2779536B2 - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
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- JP2779536B2 JP2779536B2 JP931690A JP931690A JP2779536B2 JP 2779536 B2 JP2779536 B2 JP 2779536B2 JP 931690 A JP931690 A JP 931690A JP 931690 A JP931690 A JP 931690A JP 2779536 B2 JP2779536 B2 JP 2779536B2
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- heating electrode
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は真空処理装置に関するものであって、特
に、化合物半導体を製造するプラズマCVD装置に係るも
のである。
に、化合物半導体を製造するプラズマCVD装置に係るも
のである。
（従来の技術） 従来の真空処理装置は第６図に示されている。同図に
おいて、反応室１内には反応室１の天板1aを貫通して取
り付けられた上下動自在な高周波電極２と、シーズヒー
タ３を内蔵した基板加熱電極４とが対向して配設されて
いる。高周波電極２の周囲にはアースシールド５が隙間
をもって取り付けられている。高周波電極２にはガス導
入管６が接続され、ガス導入管６を通ったガスが高周波
電極２内の通路（図示せず）を通って噴出口（図示せ
ず）より基板加熱電極４方向に噴出され、そして、反応
室１の側壁に設けられた排気口７より排気されるように
なっている。基板加熱電極４の中心軸回りの複数個の穴
（図示せず）内には昇降自在なリフタ（図示せず）が設
けられ、そのリフタによって後述するウェハ用トレイの
基板加熱電極４への受け渡しが行われる。基板加熱電極
４の少し上方にはチェーンローラ搬送機構8aが配設され
ている。反応室１の横には仕切り弁９を介して仕込・取
出室と兼用になった搬送室10が連接されている。この搬
送室10内にはチェーンローラ搬送機構8bが配設され、チ
ェーンローラ搬送機構8b上には、ウェハ（図示せず）を
載せたウェハ用トレイ11が載っている。また、搬送室10
内のチェーンローラ搬送機構8bの上方にはハロゲンラン
プ12が配設されている。なお、図中、13は高周波電極２
に接続された高周波電源、14はガス導入管６に設けられ
たガス導入バルブである。
おいて、反応室１内には反応室１の天板1aを貫通して取
り付けられた上下動自在な高周波電極２と、シーズヒー
タ３を内蔵した基板加熱電極４とが対向して配設されて
いる。高周波電極２の周囲にはアースシールド５が隙間
をもって取り付けられている。高周波電極２にはガス導
入管６が接続され、ガス導入管６を通ったガスが高周波
電極２内の通路（図示せず）を通って噴出口（図示せ
ず）より基板加熱電極４方向に噴出され、そして、反応
室１の側壁に設けられた排気口７より排気されるように
なっている。基板加熱電極４の中心軸回りの複数個の穴
（図示せず）内には昇降自在なリフタ（図示せず）が設
けられ、そのリフタによって後述するウェハ用トレイの
基板加熱電極４への受け渡しが行われる。基板加熱電極
４の少し上方にはチェーンローラ搬送機構8aが配設され
ている。反応室１の横には仕切り弁９を介して仕込・取
出室と兼用になった搬送室10が連接されている。この搬
送室10内にはチェーンローラ搬送機構8bが配設され、チ
ェーンローラ搬送機構8b上には、ウェハ（図示せず）を
載せたウェハ用トレイ11が載っている。また、搬送室10
内のチェーンローラ搬送機構8bの上方にはハロゲンラン
プ12が配設されている。なお、図中、13は高周波電極２
に接続された高周波電源、14はガス導入管６に設けられ
たガス導入バルブである。
次に、上記真空処理装置の動作について説明する。
まず、搬送室10内のチェーンローラ搬送機構8b上に、
ウェハを載せたウェハ用トレイ11を置いたのち、搬送室
10を真空排気する。
ウェハを載せたウェハ用トレイ11を置いたのち、搬送室
10を真空排気する。
次に、ハロゲンランプ12でウェハ用トレイ11上のウェ
ハを100〜200℃に加熱する。
ハを100〜200℃に加熱する。
その次に、仕切り弁９を開き、ウェハを載せたウェハ
用トレイ11は、搬送室10内のチェーンローラ搬送機構8b
より反応室１内のチェーンローラ搬送機構8aに搬送され
てから、リフタにによって基板加熱電極４上に置かれ
る。
用トレイ11は、搬送室10内のチェーンローラ搬送機構8b
より反応室１内のチェーンローラ搬送機構8aに搬送され
てから、リフタにによって基板加熱電極４上に置かれ
る。
その後、基板加熱電極４によってウェハ用トレイ10上
のウェハを200〜400℃に加熱する。
のウェハを200〜400℃に加熱する。
最後に、ガス導入バルブ14を開き、高周波電極２の噴
出口よりガスを噴出するとともに、高周波電極２と基板
加熱電極４との間にプラズマを発生させて、ウェハの表
面に薄膜を形成する。
出口よりガスを噴出するとともに、高周波電極２と基板
加熱電極４との間にプラズマを発生させて、ウェハの表
面に薄膜を形成する。
なお、薄膜の形成されたウェハを搬送室10に戻すとき
には、上述と逆の動作が行なわれる。
には、上述と逆の動作が行なわれる。
（発明が解決しようとする課題） 従来の真空処理装置は、上記のように高周波電極２の
周囲にはアースシールド５が隙間をもって囲むようにし
ているので、この隙間による浮容静電容量が大きく、電
力消費が多くなる問題が起きた。また、上記のように高
周波電極２の噴出口（図示せず）より基板加熱電極４方
向に噴出されたガスは、排気口７より排気されるように
なっているが、反応室１内でガスの流れを調整するため
の特別な手段が設けられていないため、ガスの流れに偏
りができ、ウェハの表面に形成される薄膜の膜厚分布が
悪くなる問題が起きた。更に、上記のように反応室１に
もチェーンローラ搬送機構8aを配設しているので、この
チェーンローラ搬送機構8a等からダストが発生する問題
が起きた。更にそのうえ、搬送室10内にハロゲンランプ
12を配設しているので、搬送室10が大型化する問題等が
起きた。
周囲にはアースシールド５が隙間をもって囲むようにし
ているので、この隙間による浮容静電容量が大きく、電
力消費が多くなる問題が起きた。また、上記のように高
周波電極２の噴出口（図示せず）より基板加熱電極４方
向に噴出されたガスは、排気口７より排気されるように
なっているが、反応室１内でガスの流れを調整するため
の特別な手段が設けられていないため、ガスの流れに偏
りができ、ウェハの表面に形成される薄膜の膜厚分布が
悪くなる問題が起きた。更に、上記のように反応室１に
もチェーンローラ搬送機構8aを配設しているので、この
チェーンローラ搬送機構8a等からダストが発生する問題
が起きた。更にそのうえ、搬送室10内にハロゲンランプ
12を配設しているので、搬送室10が大型化する問題等が
起きた。
この発明の目的は、従来の問題を解決して、電力消失
が少なく、しかも、ダストの発生も少なくて、薄膜の膜
厚分布を良くすることができ、搬送室の小型化等を可能
にする真空処理装置を提供することにある。
が少なく、しかも、ダストの発生も少なくて、薄膜の膜
厚分布を良くすることができ、搬送室の小型化等を可能
にする真空処理装置を提供することにある。
（課題を解決するための手段） 上記目的を達成するために、この発明は、反応室と搬
送室とを仕切弁を介して連接した真空処理装置におい
て、上記反応室は、その室壁の第１の開口にこれを閉塞
するように誘電率の低い絶縁物を介して取り付けられた
内部に反応ガス通路を有する高周波電極と、室壁の第２
の開口にこれを閉塞するように取り付けられ、室壁のそ
の他の部分と間隔をもって室内に突出したヒータ内蔵の
基板加熱電極とが室内で対向して配置されているととも
に、基板加熱電極と室壁のその他の部分との間にガス整
流板が設けられ、このガス整流板を通過した反応ガスを
排気する排気口が室壁に設けられ、上記基板加熱電極の
中心より偏心した位置に設けられた穴に、表面および裏
面をブラスト処理して梨地状に荒らしたウェハ用トレイ
を受け渡すためのリフターの昇降軸が設けられ、上記搬
送室は、その室内に上記ウェハ用トレイを搬送する搬送
機構が配設され、室壁に石英窓が設けられ、その石英窓
の近傍の室外に加熱ランプが配設され、上記搬送室の横
には上記ウェハ用トレイを収容するカセットを備えたカ
セット室が連通されていることを特徴とするものであ
る。
送室とを仕切弁を介して連接した真空処理装置におい
て、上記反応室は、その室壁の第１の開口にこれを閉塞
するように誘電率の低い絶縁物を介して取り付けられた
内部に反応ガス通路を有する高周波電極と、室壁の第２
の開口にこれを閉塞するように取り付けられ、室壁のそ
の他の部分と間隔をもって室内に突出したヒータ内蔵の
基板加熱電極とが室内で対向して配置されているととも
に、基板加熱電極と室壁のその他の部分との間にガス整
流板が設けられ、このガス整流板を通過した反応ガスを
排気する排気口が室壁に設けられ、上記基板加熱電極の
中心より偏心した位置に設けられた穴に、表面および裏
面をブラスト処理して梨地状に荒らしたウェハ用トレイ
を受け渡すためのリフターの昇降軸が設けられ、上記搬
送室は、その室内に上記ウェハ用トレイを搬送する搬送
機構が配設され、室壁に石英窓が設けられ、その石英窓
の近傍の室外に加熱ランプが配設され、上記搬送室の横
には上記ウェハ用トレイを収容するカセットを備えたカ
セット室が連通されていることを特徴とするものであ
る。
（作用） この発明においては、上記のように高周波電極が誘電
率の低い絶縁物を介して反応室の室壁の第１の開口にこ
れを閉塞するように取り付けられているので、浮容静電
容量が小さくなり、電力消失が少なくなる。また、基板
加熱電極と室壁のその他の部分との間にガス整流板が設
けられ、このガス整流板を通過した反応ガスが室壁に設
けられた排気口より排気されるので、反応室内を流れる
ガスの流れに偏りがなくなり、ウェハの表面に形成され
る薄膜の膜厚分布が良くなる。更に、基板加熱電極の中
心より偏心した位置に設けられた穴にリフターの昇降軸
を設けているので、基板加熱電極の中央部にシーズヒー
タを巻回して内蔵でき、そのため、基板加熱電極上に載
せられたウェハ用トレイ上の基板を十分に加熱でき、そ
の温度分布をよくすることができる。更にそのうえ、搬
送室の室壁に設けられた石英窓の近傍の室外に加熱ラン
プが配設されているので、搬送室を小型化することがで
きる。更に、搬送室の室内だけウェハ用トレイを搬送す
る搬送機構が配設されているので、反応室でのダストの
発生がすくなくなり、ウェハの表面に形成される薄膜の
膜質が良くなる。
率の低い絶縁物を介して反応室の室壁の第１の開口にこ
れを閉塞するように取り付けられているので、浮容静電
容量が小さくなり、電力消失が少なくなる。また、基板
加熱電極と室壁のその他の部分との間にガス整流板が設
けられ、このガス整流板を通過した反応ガスが室壁に設
けられた排気口より排気されるので、反応室内を流れる
ガスの流れに偏りがなくなり、ウェハの表面に形成され
る薄膜の膜厚分布が良くなる。更に、基板加熱電極の中
心より偏心した位置に設けられた穴にリフターの昇降軸
を設けているので、基板加熱電極の中央部にシーズヒー
タを巻回して内蔵でき、そのため、基板加熱電極上に載
せられたウェハ用トレイ上の基板を十分に加熱でき、そ
の温度分布をよくすることができる。更にそのうえ、搬
送室の室壁に設けられた石英窓の近傍の室外に加熱ラン
プが配設されているので、搬送室を小型化することがで
きる。更に、搬送室の室内だけウェハ用トレイを搬送す
る搬送機構が配設されているので、反応室でのダストの
発生がすくなくなり、ウェハの表面に形成される薄膜の
膜質が良くなる。
（実施例） 以下、この発明の実施例について図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図はこの発明の実施例の真空処理装置を示してお
り、同図において、仕切弁21を介して反応室22と搬送室
23とが連接され、そして、その搬送室23の横にはカセッ
ト室38が連通してる。まず、反応室22は、高周波電極24
が誘電率の低いテフロン（商標）製の絶縁物25を介して
天部の開口22aに取り付けられ、高周波電極24の一面側
が反応室22内に位置している。そして、高周波電極24の
外周の一部は誘電率の低いテフロン（商標）製の絶縁物
25で囲まれ、そのため、浮遊静電容量が小さくなり、電
力消費が少なくなっている。また、高周波電極24には高
周波電源26が接続されている一方で、ガス導入管27も接
続され、このガス導入管27内を流れたガスが高周波電極
24内の通路（図示せず）を通って噴出口（図示せず）よ
り基板加熱電極28方向に噴出される。基板加熱電極28は
反応室22の底部の開口22bに取り付けられ、反応室22の
側壁と間隔をもって反応室22内に突出し、高周波電極24
と所定の間隔をおいて対向している。基板加熱電極28は
第２図および第３図に詳細に示されるように中心より所
定の距離だけ偏心した位置に穴28aが設けられ、この穴2
8aには昇降機（図示せず）によって昇降されるリフタ29
の昇降軸29aが挿入される。リフタ29の昇降軸29aの先端
には、ニッケル製の基部29b1と、この両端よりそれぞれ
平行に伸びたアルミナ製の爪部29b2とによってコの字型
に形成されたフォーク部29bが取り付けられ、この爪部2
9b2間に基板加熱電極28の中心が位置するようになって
いる。基板加熱電極28の上面28bには、リフタ29が下降
したときに、フォーク部29bを埋没させる溝30が形成さ
れている。そのため、リフタ29が上昇したときには、フ
ォーク部29bが基板加熱電極28の上面28bより出没する
が、反対に、リフタ29が下降したときには、フォーク部
29bが溝30内に埋没するようになる。基板加熱電極28内
にはシーズヒータ31が内蔵されているが、そのシーズヒ
ータ31は基板加熱電極28の中央部においても内蔵されて
いる。そのため、基板加熱電極28上に載せられたウェハ
用トレイ（後述する）上のウェハ（図示せず）の温度が
十分に上昇し、その温度分布がよくなる。再び、第１図
に戻れば、基板加熱電極28と反応室22の側壁22cとの間
にはリング状のガス整流板32が設けられ、このガス整流
板32の下方の反応室22の側壁22cには排気口33が設けら
れ、ガス整流板32を通過したガス排気口33より排気され
るようになっている。
り、同図において、仕切弁21を介して反応室22と搬送室
23とが連接され、そして、その搬送室23の横にはカセッ
ト室38が連通してる。まず、反応室22は、高周波電極24
が誘電率の低いテフロン（商標）製の絶縁物25を介して
天部の開口22aに取り付けられ、高周波電極24の一面側
が反応室22内に位置している。そして、高周波電極24の
外周の一部は誘電率の低いテフロン（商標）製の絶縁物
25で囲まれ、そのため、浮遊静電容量が小さくなり、電
力消費が少なくなっている。また、高周波電極24には高
周波電源26が接続されている一方で、ガス導入管27も接
続され、このガス導入管27内を流れたガスが高周波電極
24内の通路（図示せず）を通って噴出口（図示せず）よ
り基板加熱電極28方向に噴出される。基板加熱電極28は
反応室22の底部の開口22bに取り付けられ、反応室22の
側壁と間隔をもって反応室22内に突出し、高周波電極24
と所定の間隔をおいて対向している。基板加熱電極28は
第２図および第３図に詳細に示されるように中心より所
定の距離だけ偏心した位置に穴28aが設けられ、この穴2
8aには昇降機（図示せず）によって昇降されるリフタ29
の昇降軸29aが挿入される。リフタ29の昇降軸29aの先端
には、ニッケル製の基部29b1と、この両端よりそれぞれ
平行に伸びたアルミナ製の爪部29b2とによってコの字型
に形成されたフォーク部29bが取り付けられ、この爪部2
9b2間に基板加熱電極28の中心が位置するようになって
いる。基板加熱電極28の上面28bには、リフタ29が下降
したときに、フォーク部29bを埋没させる溝30が形成さ
れている。そのため、リフタ29が上昇したときには、フ
ォーク部29bが基板加熱電極28の上面28bより出没する
が、反対に、リフタ29が下降したときには、フォーク部
29bが溝30内に埋没するようになる。基板加熱電極28内
にはシーズヒータ31が内蔵されているが、そのシーズヒ
ータ31は基板加熱電極28の中央部においても内蔵されて
いる。そのため、基板加熱電極28上に載せられたウェハ
用トレイ（後述する）上のウェハ（図示せず）の温度が
十分に上昇し、その温度分布がよくなる。再び、第１図
に戻れば、基板加熱電極28と反応室22の側壁22cとの間
にはリング状のガス整流板32が設けられ、このガス整流
板32の下方の反応室22の側壁22cには排気口33が設けら
れ、ガス整流板32を通過したガス排気口33より排気され
るようになっている。
次に、搬送室23内には搬送機構34が配設され、搬送機
構34は第４図および第５図に詳細に示されるように、そ
の回転軸34aの先端にアーム機構34bが取り付けられ、そ
のアーム機構34bの先端に支持台34cが取り付けられてい
る。支持台34c上にはウェハ（図示せず）を置いたウェ
ハ用トレイ35が載せられ、そのウェハ用トレイ35の表面
および裏面はブラスト処理によって梨地状に荒らされて
いる。搬送室23の室壁には透明な石英窓36が取り付けら
れ、この石英窓36付近の室外にはハロゲンランプ37が配
置され、このハロゲンランプ37からの光が石英窓36だけ
を通ってウェハ用トレイ35上のウェハに照射され、それ
によって、ウェハが搬送室23内で予備加熱されるように
なる。なお、加熱ランプの種類はハロゲンランプでなく
ても、もちろん構わない。
構34は第４図および第５図に詳細に示されるように、そ
の回転軸34aの先端にアーム機構34bが取り付けられ、そ
のアーム機構34bの先端に支持台34cが取り付けられてい
る。支持台34c上にはウェハ（図示せず）を置いたウェ
ハ用トレイ35が載せられ、そのウェハ用トレイ35の表面
および裏面はブラスト処理によって梨地状に荒らされて
いる。搬送室23の室壁には透明な石英窓36が取り付けら
れ、この石英窓36付近の室外にはハロゲンランプ37が配
置され、このハロゲンランプ37からの光が石英窓36だけ
を通ってウェハ用トレイ35上のウェハに照射され、それ
によって、ウェハが搬送室23内で予備加熱されるように
なる。なお、加熱ランプの種類はハロゲンランプでなく
ても、もちろん構わない。
その次に、カセット室38内にはカセット39が備えら
れ、そのカセット39内にはウェハ用トレイ35が収容され
ている。
れ、そのカセット39内にはウェハ用トレイ35が収容され
ている。
このような上記実施例の動作について説明する。
まず、反応室22を真空排気し、その次に、ウェハを置
いたウェハ用トレイ35をカセット38内に収容してから、
カセット室24と搬送室23とを真空排気する。
いたウェハ用トレイ35をカセット38内に収容してから、
カセット室24と搬送室23とを真空排気する。
次に、搬送機構34によってウェハ用トレイ35を搬送室
23内に搬送し、停止してから、ハロゲンランプ37からの
光を石英窓36を通してウェハ用トレイ35上のウェハに照
射し、30〜60秒でウェハを100〜200℃に予備加熱する。
この場合、搬送室23室壁に設けられた石英窓36の近傍の
室外にハロゲンランプ37が配設されているので、搬送室
23を小型化することができる。
23内に搬送し、停止してから、ハロゲンランプ37からの
光を石英窓36を通してウェハ用トレイ35上のウェハに照
射し、30〜60秒でウェハを100〜200℃に予備加熱する。
この場合、搬送室23室壁に設けられた石英窓36の近傍の
室外にハロゲンランプ37が配設されているので、搬送室
23を小型化することができる。
その次に、仕切弁21を開き、搬送機構34によってウェ
ハ用トレイ35を搬送室23から反応室22内に搬送してか
ら、リフタ29によってウェハ用トレイ35を基板加熱電極
28上に置く。そして、仕切弁21を閉じてから、基板加熱
電極28上に置かれたウェハ用トレイ35上のウェハを200
〜400℃に加熱する。このとき、基板加熱電極28の中心
より偏心した位置に設けられた穴28aにリフター29の昇
降軸29aを設けているので、基板加熱電極28の中央部に
シーズヒータ31を巻回して内蔵でき、そのため、基板加
熱電極28上に載せられたウェハ用トレイ35上のウェハを
十分に加熱でき、その温度分布をよくすることができ
る。
ハ用トレイ35を搬送室23から反応室22内に搬送してか
ら、リフタ29によってウェハ用トレイ35を基板加熱電極
28上に置く。そして、仕切弁21を閉じてから、基板加熱
電極28上に置かれたウェハ用トレイ35上のウェハを200
〜400℃に加熱する。このとき、基板加熱電極28の中心
より偏心した位置に設けられた穴28aにリフター29の昇
降軸29aを設けているので、基板加熱電極28の中央部に
シーズヒータ31を巻回して内蔵でき、そのため、基板加
熱電極28上に載せられたウェハ用トレイ35上のウェハを
十分に加熱でき、その温度分布をよくすることができ
る。
最後に、仕切弁21を閉じてから、基板加熱電極24の噴
出口よりガスを噴出し、高周波電極24と基板加熱電極28
との間に発生するプラズマによって、ウェハの表面に薄
膜を形成する。このとき、高周波電極24が誘電率の低い
絶縁物25を介して反応室22の室壁の第１の開口22aにこ
れを閉塞するように取り付けられているので、浮容静電
容量が小さくなり、電力消費が少なくなる。また、基板
加熱電極28と反応室22の側壁22cとの間にはリング状の
ガス整流板32が設けられ、このガス整流板32の下方の反
応室22の側壁22cには排気口33が設けられ、ガス整流板3
2を通過したガスが排気口33より排気されるので、反応
室22内を流れるガスの流れに偏りがなくなり、ウェハの
表面に形成される薄膜の膜厚分布が良くなる。更に、反
応室22内には搬送機構34が設けられていないので、反応
室22内でのダストの発生がすくなくなり、ウェハの表面
に形成される薄膜の膜質が良くなる。
出口よりガスを噴出し、高周波電極24と基板加熱電極28
との間に発生するプラズマによって、ウェハの表面に薄
膜を形成する。このとき、高周波電極24が誘電率の低い
絶縁物25を介して反応室22の室壁の第１の開口22aにこ
れを閉塞するように取り付けられているので、浮容静電
容量が小さくなり、電力消費が少なくなる。また、基板
加熱電極28と反応室22の側壁22cとの間にはリング状の
ガス整流板32が設けられ、このガス整流板32の下方の反
応室22の側壁22cには排気口33が設けられ、ガス整流板3
2を通過したガスが排気口33より排気されるので、反応
室22内を流れるガスの流れに偏りがなくなり、ウェハの
表面に形成される薄膜の膜厚分布が良くなる。更に、反
応室22内には搬送機構34が設けられていないので、反応
室22内でのダストの発生がすくなくなり、ウェハの表面
に形成される薄膜の膜質が良くなる。
なお、薄膜の形成されたウェハをカセット室24に戻す
ときには、上述と逆の動作が行なわれる。
ときには、上述と逆の動作が行なわれる。
ところで、上記実施例は化合物半導体用プラズマCVD
装置に多く用いられるが、その他に、シリコン用プラズ
マCVD装置、ガラス基板用真空処理装置、プラズマエッ
チング装置、プラズマ重合装置等にも用いられる。
装置に多く用いられるが、その他に、シリコン用プラズ
マCVD装置、ガラス基板用真空処理装置、プラズマエッ
チング装置、プラズマ重合装置等にも用いられる。
（発明の効果） この発明は、次のような効果を奏するようになる。
高周波電極が誘電率の低い絶縁物を介して反応室の室
壁の第１の開口に閉塞するように取り付けられているの
で、浮容静電容量が小さくなり、電力消費が少なくな
る。
壁の第１の開口に閉塞するように取り付けられているの
で、浮容静電容量が小さくなり、電力消費が少なくな
る。
基板加熱電極と室壁のその他の部分との間にガス整流
板が設けられ、このガス整流板を通過した反応ガスが室
壁に設けられた排気口より排気されるので、反応室内を
流れるガスの流れに偏りがなくなり、ウェハの表面に形
成される薄膜の膜厚分布が良くなる。
板が設けられ、このガス整流板を通過した反応ガスが室
壁に設けられた排気口より排気されるので、反応室内を
流れるガスの流れに偏りがなくなり、ウェハの表面に形
成される薄膜の膜厚分布が良くなる。
基板加熱電極の中心より偏心した位置に設けられた穴
にリフターの昇降軸を設けているので、基板加熱電極の
中央部にシーズヒータを巻回して内蔵でき、そのため、
基板加熱電極上に載せられたウェハ用トレイ上の基板を
十分に加熱でき、その温度分布をよくすることができ
る。
にリフターの昇降軸を設けているので、基板加熱電極の
中央部にシーズヒータを巻回して内蔵でき、そのため、
基板加熱電極上に載せられたウェハ用トレイ上の基板を
十分に加熱でき、その温度分布をよくすることができ
る。
送室の室壁に設けられた石英窓の近傍の室外に加熱ラ
ンプが配設されているので、搬送室を小型化することが
できる。
ンプが配設されているので、搬送室を小型化することが
できる。
搬送室の室内にだけウェハ用トレイを搬送する搬送機
構が配設され、反応室内には配設されていないので、反
応室でのダストの発生がすくなくなり、ウェハの表面に
形成される薄膜の膜質が良くなる。
構が配設され、反応室内には配設されていないので、反
応室でのダストの発生がすくなくなり、ウェハの表面に
形成される薄膜の膜質が良くなる。
第１図はこの発明の実施例の全体を示す全体図、第２図
はこの発明の実施例に用いられる基板加熱電極の詳細を
示す平面図、第３図は第２図のＩ−Ｉ線で切断した断面
図、第４図はこの発明の実施例に用いられる搬送機構の
平面図、第５図は搬送機構の立面図である。第６図は従
来の真空処理装置を示す全体図である。 図中、 21……仕切弁 22……反応室 22a……反応室の底部の開口（第１の開口） 22b……反応室の底部の開口（第２の開口） 23……搬送室 24……高周波電極 25……絶縁物 28……基板加熱電極 28a……基板加熱電極の穴 29……リフタ 29a……リフタの昇降軸 31……シーズヒータ 32……ガス整流板 33……排気口 34……搬送機構 35……ウェハ用トレイ 36……石英窓 37……ハロゲンランプ 38……カセット室
はこの発明の実施例に用いられる基板加熱電極の詳細を
示す平面図、第３図は第２図のＩ−Ｉ線で切断した断面
図、第４図はこの発明の実施例に用いられる搬送機構の
平面図、第５図は搬送機構の立面図である。第６図は従
来の真空処理装置を示す全体図である。 図中、 21……仕切弁 22……反応室 22a……反応室の底部の開口（第１の開口） 22b……反応室の底部の開口（第２の開口） 23……搬送室 24……高周波電極 25……絶縁物 28……基板加熱電極 28a……基板加熱電極の穴 29……リフタ 29a……リフタの昇降軸 31……シーズヒータ 32……ガス整流板 33……排気口 34……搬送機構 35……ウェハ用トレイ 36……石英窓 37……ハロゲンランプ 38……カセット室
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/31 H01L 21/302 C23C 16/50 C30B 25/02
Claims (1)
- 【請求項１】反応室と搬送室とを仕切弁を介して連接し
た真空処理装置において、上記反応室は、その室壁の第
１の開口にこれを閉塞するように誘電率の低い絶縁物を
介して取り付けられた内部に反応ガス通路を有する高周
波電極と、室壁の第２の開口にこれを閉塞するように取
り付けられ、室壁のその他の部分と間隔をもって室内に
突出したヒータ内蔵の基板加熱電極とが室内で対向して
配置されているとともに、基板加熱電極と室壁のその他
の部分との間にガス整流板が設けられ、このガス整流板
を通過した反応ガスを排気する排気口が室壁に設けら
れ、上記基板加熱電極の中心より偏心した位置に設けら
れた穴に、表面および裏面をブラスト処理して梨地状に
荒らしたウェハ用トレイを受け渡すためのリフターの昇
降軸が設けられ、上記搬送室は、その室内に上記ウェハ
用トレイを搬送する搬送機構が配設され、室壁に石英窓
が設けられ、その石英窓の近傍の室外に加熱ランプが配
設され、上記搬送室の横には上記ウェハ用トレイを収容
するカセットを備えたカセット室が連通されていること
を特徴とする真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP931690A JP2779536B2 (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP931690A JP2779536B2 (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | 真空処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03212932A JPH03212932A (ja) | 1991-09-18 |
| JP2779536B2 true JP2779536B2 (ja) | 1998-07-23 |
Family
ID=11717068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP931690A Expired - Lifetime JP2779536B2 (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2779536B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2536406B2 (ja) * | 1993-06-25 | 1996-09-18 | 日本電気株式会社 | 半導体製造装置 |
| JP2937846B2 (ja) * | 1996-03-01 | 1999-08-23 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | マルチチャンバウェハ処理システム |
| JP2000021788A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-01-21 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 薄膜成長装置およびこれを用いた薄膜成長方法 |
| JP4515550B2 (ja) * | 1999-03-18 | 2010-08-04 | 東芝モバイルディスプレイ株式会社 | 薄膜形成方法 |
| CN113818076B (zh) * | 2021-11-19 | 2022-03-15 | 华芯半导体研究院(北京)有限公司 | 一种承载装置及气相外延设备 |
-
1990
- 1990-01-18 JP JP931690A patent/JP2779536B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03212932A (ja) | 1991-09-18 |
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