JP2937846B2 - マルチチャンバウェハ処理システム - Google Patents
マルチチャンバウェハ処理システムInfo
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- JP2937846B2 JP2937846B2 JP8044896A JP4489696A JP2937846B2 JP 2937846 B2 JP2937846 B2 JP 2937846B2 JP 8044896 A JP8044896 A JP 8044896A JP 4489696 A JP4489696 A JP 4489696A JP 2937846 B2 JP2937846 B2 JP 2937846B2
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- wafer
- lock chamber
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マルチチャンバウ
ェハ処理システムに関し、特にそのウェハ搬送装置に関
する。
ェハ処理システムに関し、特にそのウェハ搬送装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、マルチチャンバウェハ処理シス
テムの中には、ウェハ搬送装置として、ウェハを収納し
たウェハカセットを配置するロードステーションと、ウ
ェハに薄膜形成等の表面処理を行う複数のプロセスチャ
ンバを隣設し、ウェハの搬送を行うトランスファロボッ
トを具備したトランスファチャンバと、ロードステーシ
ョンとトランスファチャンバとの間に配置され、ロード
ステーションから受け取ったウェハをトランスファロボ
ットに受け渡すロードロックチャンバを備えたものが知
られている。
テムの中には、ウェハ搬送装置として、ウェハを収納し
たウェハカセットを配置するロードステーションと、ウ
ェハに薄膜形成等の表面処理を行う複数のプロセスチャ
ンバを隣設し、ウェハの搬送を行うトランスファロボッ
トを具備したトランスファチャンバと、ロードステーシ
ョンとトランスファチャンバとの間に配置され、ロード
ステーションから受け取ったウェハをトランスファロボ
ットに受け渡すロードロックチャンバを備えたものが知
られている。
【０００３】従来、このようなマルチチャンバウェハ処
理システムのウェハ搬送装置において、ロードステーシ
ョンからプロセスチャンバにウェハを搬送するには、例
えば２５枚のウェハを収納したウェハカセットをロード
ステーション内に用意する。そして、ロードステーショ
ンに設けたロードステーションロボットにより、そのウ
ェハカセットからロードロックチャンバ内に用意したウ
ェハカセットに一枚ずつ２５枚全てのウェハを搬送す
る。その後、ロードロックチャンバ内を１０ー2〜１０ー3
Torr程度の真空状態としてから、トランスファロボット
によりロードロックチャンバとは別個に設けたウェハの
デガス用チャンバにウェハを一枚ずつ搬送し、デガスを
行った後、各プロセスチャンバにウェハを搬送してい
る。
理システムのウェハ搬送装置において、ロードステーシ
ョンからプロセスチャンバにウェハを搬送するには、例
えば２５枚のウェハを収納したウェハカセットをロード
ステーション内に用意する。そして、ロードステーショ
ンに設けたロードステーションロボットにより、そのウ
ェハカセットからロードロックチャンバ内に用意したウ
ェハカセットに一枚ずつ２５枚全てのウェハを搬送す
る。その後、ロードロックチャンバ内を１０ー2〜１０ー3
Torr程度の真空状態としてから、トランスファロボット
によりロードロックチャンバとは別個に設けたウェハの
デガス用チャンバにウェハを一枚ずつ搬送し、デガスを
行った後、各プロセスチャンバにウェハを搬送してい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のウェハ搬送
装置では、ロードロックチャンバは、真空室が一室で構
成され、２５枚のウェハを一枚ずつ全てロードロックチ
ャンバに搬送することができる容積となっている。ま
た、ロードロックチャンバには、ロードロックチャンバ
内を１０ー2〜１０ー3Torr程度に排気するラフポンプが接
続されている。さらに、ウェハは、ロードロックチャン
バからトランスファチャンバを経てデガス用チャンバに
搬送され、デガスを行った後、このデガス用チャンバか
らトランスファチャンバを経てプロセスチャンバに搬送
される構成となっている。
装置では、ロードロックチャンバは、真空室が一室で構
成され、２５枚のウェハを一枚ずつ全てロードロックチ
ャンバに搬送することができる容積となっている。ま
た、ロードロックチャンバには、ロードロックチャンバ
内を１０ー2〜１０ー3Torr程度に排気するラフポンプが接
続されている。さらに、ウェハは、ロードロックチャン
バからトランスファチャンバを経てデガス用チャンバに
搬送され、デガスを行った後、このデガス用チャンバか
らトランスファチャンバを経てプロセスチャンバに搬送
される構成となっている。
【０００５】したがって、ロードステーションからプロ
セスチャンバにウェハを搬送するのに、プロセスチャン
バでの処理時間よりも長時間を要し、スループットが悪
かった。また、トランスファチャンバ内にガスコンタミ
ネーションを生じ、それがプロセスチャンバ内へ影響し
て良好な表面処理を行うことができなかった。
セスチャンバにウェハを搬送するのに、プロセスチャン
バでの処理時間よりも長時間を要し、スループットが悪
かった。また、トランスファチャンバ内にガスコンタミ
ネーションを生じ、それがプロセスチャンバ内へ影響し
て良好な表面処理を行うことができなかった。
【０００６】さらに、ロードロックチャンバとデガス用
チャンバとは別個に設けられているので、ロードロック
チャンバの排気系とは別個にデガス用チャンバ独自の排
気系を設けなければならず、マルチチャンバウェハ処理
システムが高価になるという問題があった。
チャンバとは別個に設けられているので、ロードロック
チャンバの排気系とは別個にデガス用チャンバ独自の排
気系を設けなければならず、マルチチャンバウェハ処理
システムが高価になるという問題があった。
【０００７】本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてな
されたもので、スループットが向上し、良好な表面処理
を行うことができる安価なマルチチャンバウェハ処理シ
ステムを提供することを目的とする。
されたもので、スループットが向上し、良好な表面処理
を行うことができる安価なマルチチャンバウェハ処理シ
ステムを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、ウェハを収納したウェハカセットを配置
するロードステーションと、ウェハに所定の処理を行う
プロセスチャンバを隣設するとともに、ウェハの搬送を
行うトランスファロボットを具備したトランスファチャ
ンバと、ロードステーションとトランスファチャンバと
の間に配置され、ロードステーションから受け取ったウ
ェハをトランスファロボットに受け渡すロードロックチ
ャンバとを備えたマルチチャンバウェハ処理システムの
ウェハ搬送装置において、ロードロックチャンバの真空
室をロードステーションに接続される第１のロードロッ
クチャンバとトランスファチャンバに接続される第２の
ロードロックチャンバとに分割構成するとともに、第１
のロードロックチャンバと第２のロードロックチャンバ
とを遮断および連通可能とし、第１のロードロックチャ
ンバを第２のロードロックチャンバより小さな容積に形
成し、第２のロードロックチャンバを第１のロードロッ
クチャンバより高真空に減圧可能とし、搭載した一枚の
ウェハを第１のロードロックチャンバから第２のロード
ロックチャンバに移動するステージを設け、ロードロッ
クチャンバにウェハのデガスを行うデガスヒータを設け
た。
に、本発明は、ウェハを収納したウェハカセットを配置
するロードステーションと、ウェハに所定の処理を行う
プロセスチャンバを隣設するとともに、ウェハの搬送を
行うトランスファロボットを具備したトランスファチャ
ンバと、ロードステーションとトランスファチャンバと
の間に配置され、ロードステーションから受け取ったウ
ェハをトランスファロボットに受け渡すロードロックチ
ャンバとを備えたマルチチャンバウェハ処理システムの
ウェハ搬送装置において、ロードロックチャンバの真空
室をロードステーションに接続される第１のロードロッ
クチャンバとトランスファチャンバに接続される第２の
ロードロックチャンバとに分割構成するとともに、第１
のロードロックチャンバと第２のロードロックチャンバ
とを遮断および連通可能とし、第１のロードロックチャ
ンバを第２のロードロックチャンバより小さな容積に形
成し、第２のロードロックチャンバを第１のロードロッ
クチャンバより高真空に減圧可能とし、搭載した一枚の
ウェハを第１のロードロックチャンバから第２のロード
ロックチャンバに移動するステージを設け、ロードロッ
クチャンバにウェハのデガスを行うデガスヒータを設け
た。
【０００９】本発明のマルチチャンバウェハ処理システ
ムのウェハ搬送装置によれば、ロードステーションから
一枚のウェハをロードロックチャンバ内のステージで受
け取り、容積の小さな第１のロードロックチャンバで粗
く排気する。次に、第１のロードロックチャンバと常時
高真空に排気している第２のロードロックチャンバとを
連通するとともに、ウェハを第２のロードロックチャン
バに移動させ、デガスヒータを作動させてウェハ表面上
のアウトガスのデガスを行う。その後、デガスを終了し
たウェハをトランスファロボットに受け渡し、トランス
ファロボットはウェハをプロセスチャンバに搬送する。
ムのウェハ搬送装置によれば、ロードステーションから
一枚のウェハをロードロックチャンバ内のステージで受
け取り、容積の小さな第１のロードロックチャンバで粗
く排気する。次に、第１のロードロックチャンバと常時
高真空に排気している第２のロードロックチャンバとを
連通するとともに、ウェハを第２のロードロックチャン
バに移動させ、デガスヒータを作動させてウェハ表面上
のアウトガスのデガスを行う。その後、デガスを終了し
たウェハをトランスファロボットに受け渡し、トランス
ファロボットはウェハをプロセスチャンバに搬送する。
【００１０】プロセスチャンバでウェハの表面処理を行
っている間に、次に搬送するウェハのデガスは終了す
る。また、トランスファチャンバ内へウェハを搬送する
前にデガスは終了している。したがって、スループット
が向上し、トランスファチャンバ側へのガスコンタミネ
ーションがなくなり、良好な表面処理を行うことができ
る。
っている間に、次に搬送するウェハのデガスは終了す
る。また、トランスファチャンバ内へウェハを搬送する
前にデガスは終了している。したがって、スループット
が向上し、トランスファチャンバ側へのガスコンタミネ
ーションがなくなり、良好な表面処理を行うことができ
る。
【００１１】また、本発明のマルチチャンバウェハ処理
システムは、大気圧の圧力レベルの下に複数枚のウェハ
を収納するためのウェハカセットが設けられるロードス
テーションと、ロードステーションと選択的に通気状態
または非通気状態となるように設けられた、一枚のウェ
ハを収納するに必要な容積を有する第１のロードロック
チャンバと、第１のロードロックチャンバを第１の圧力
レベルまで減圧するための第１の排気手段と、第１のロ
ードロックチャンバと選択的に通気状態または非通気状
態となるように設けられた、第２のロードロックチャン
バと、第２のロードロックチャンバを第１の圧力レベル
より真空度の高い第２の圧力レベルまで減圧するための
第２の排気手段と、第２のロードロックチャンバと選択
的に通気状態または非通気状態となるように設けられ、
第２のロードロックチャンバから転送されてくるウェハ
を所要のチャンバに転送するためのトランスファチャン
バと、トランスファチャンバと選択的に通気状態または
非通気状態となるように設けられ、トランスファチャン
バから転送されてくるウェハに対して所要の処理を行う
プロセスチャンバとを備え、ロードステーションと第１
のロードロックチャンバとの間のウェハの転送およびチ
ャンバ間のウェハの転送はウェハ一枚ずつ行われること
を特徴とする。
システムは、大気圧の圧力レベルの下に複数枚のウェハ
を収納するためのウェハカセットが設けられるロードス
テーションと、ロードステーションと選択的に通気状態
または非通気状態となるように設けられた、一枚のウェ
ハを収納するに必要な容積を有する第１のロードロック
チャンバと、第１のロードロックチャンバを第１の圧力
レベルまで減圧するための第１の排気手段と、第１のロ
ードロックチャンバと選択的に通気状態または非通気状
態となるように設けられた、第２のロードロックチャン
バと、第２のロードロックチャンバを第１の圧力レベル
より真空度の高い第２の圧力レベルまで減圧するための
第２の排気手段と、第２のロードロックチャンバと選択
的に通気状態または非通気状態となるように設けられ、
第２のロードロックチャンバから転送されてくるウェハ
を所要のチャンバに転送するためのトランスファチャン
バと、トランスファチャンバと選択的に通気状態または
非通気状態となるように設けられ、トランスファチャン
バから転送されてくるウェハに対して所要の処理を行う
プロセスチャンバとを備え、ロードステーションと第１
のロードロックチャンバとの間のウェハの転送およびチ
ャンバ間のウェハの転送はウェハ一枚ずつ行われること
を特徴とする。
【００１２】マルチチャンバウェハ処理システムにおけ
るウェハ搬入方法は、大気圧の圧力レベルの下に複数枚
のウェハを収納するためのウェハカセットが設けられる
ロードステーションから、ロードステーションと選択的
に通気状態または非通気状態となるように設けられた、
一枚のウェハを収納するのに必要な容積を有する第１の
ロードロックチャンバへ一枚のウェハを転送し、第１の
ロードロックチャンバを第１の圧力レベルまで減圧し、
第１のロードロックチャンバから、第１のロードロック
チャンバと選択的に通気状態または非通気状態となるよ
うに設けられるとともに、第１の圧力レベルより真空度
の高い第２の圧力レベルまで減圧された第２のロードロ
ックチャンバへ、一枚のウェハを転送し、第２のロード
ロックチャンバから、第２のロードロックチャンバと選
択的に通気状態または非通気状態となるように設けられ
るとともに、第２の圧力レベルより真空度の高い第３の
圧力レベルまで減圧されたトランスファチャンバへ、一
枚のウェハを転送し、第２のロードロックチャンバとト
ランスファチャンバとの間を非通気状態とし、トランス
ファチャンバから、トランスファチャンバと選択的に通
気状態または非通気状態となるように設けられたプロセ
スチャンバへ、一枚のウェハを転送することを特徴とす
る。
るウェハ搬入方法は、大気圧の圧力レベルの下に複数枚
のウェハを収納するためのウェハカセットが設けられる
ロードステーションから、ロードステーションと選択的
に通気状態または非通気状態となるように設けられた、
一枚のウェハを収納するのに必要な容積を有する第１の
ロードロックチャンバへ一枚のウェハを転送し、第１の
ロードロックチャンバを第１の圧力レベルまで減圧し、
第１のロードロックチャンバから、第１のロードロック
チャンバと選択的に通気状態または非通気状態となるよ
うに設けられるとともに、第１の圧力レベルより真空度
の高い第２の圧力レベルまで減圧された第２のロードロ
ックチャンバへ、一枚のウェハを転送し、第２のロード
ロックチャンバから、第２のロードロックチャンバと選
択的に通気状態または非通気状態となるように設けられ
るとともに、第２の圧力レベルより真空度の高い第３の
圧力レベルまで減圧されたトランスファチャンバへ、一
枚のウェハを転送し、第２のロードロックチャンバとト
ランスファチャンバとの間を非通気状態とし、トランス
ファチャンバから、トランスファチャンバと選択的に通
気状態または非通気状態となるように設けられたプロセ
スチャンバへ、一枚のウェハを転送することを特徴とす
る。
【００１３】マルチチャンバウェハ処理システムにおけ
るウェハ搬出方法は、トランスファチャンバとロードス
テーションとの間に配置されるアンロードロックチャン
バを第１の圧力レベルとされる第１のアンロードロック
チャンバと第２の圧力レベルとされる第２のアンロード
ロックチャンバとで構成し、プロセスチャンバから、プ
ロセスチャンバと選択的に通気状態または非通気状態と
なるように設けられたトランスファチャンバへ一枚のウ
ェハを転送し、プロセスチャンバとトランスファチャン
バとの間を非通気状態とし、トランスファチャンバか
ら、トランスファチャンバと選択的に通気状態または非
通気状態となるように設けられるとともに、トランスフ
ァチャンバ内の圧力レベルより真空度の低い第２の圧力
レベルまで減圧された第２のアンロードロックチャンバ
へ、一枚のウェハを転送し、第２のアンロードロックチ
ャンバから、第２のアンロードロックチャンバと選択的
に通気状態または非通気状態となるように設けられた第
１のアンロードロックチャンバへ、一枚のウェハを転送
し、第１のアンロードロックチャンバと第２のアンロー
ドロックチャンバとの間を非通気状態とし、第１のアン
ロードロックチャンバの第１の圧力レベルを大気圧の圧
力レベルまで昇圧し、第１のアンロードロックチャンバ
から、第１のアンロードロックチャンバと選択的に通気
状態または非通気状態となるように設けられたロードス
テーションへ、一枚のウェハを転送することを特徴とす
る。
るウェハ搬出方法は、トランスファチャンバとロードス
テーションとの間に配置されるアンロードロックチャン
バを第１の圧力レベルとされる第１のアンロードロック
チャンバと第２の圧力レベルとされる第２のアンロード
ロックチャンバとで構成し、プロセスチャンバから、プ
ロセスチャンバと選択的に通気状態または非通気状態と
なるように設けられたトランスファチャンバへ一枚のウ
ェハを転送し、プロセスチャンバとトランスファチャン
バとの間を非通気状態とし、トランスファチャンバか
ら、トランスファチャンバと選択的に通気状態または非
通気状態となるように設けられるとともに、トランスフ
ァチャンバ内の圧力レベルより真空度の低い第２の圧力
レベルまで減圧された第２のアンロードロックチャンバ
へ、一枚のウェハを転送し、第２のアンロードロックチ
ャンバから、第２のアンロードロックチャンバと選択的
に通気状態または非通気状態となるように設けられた第
１のアンロードロックチャンバへ、一枚のウェハを転送
し、第１のアンロードロックチャンバと第２のアンロー
ドロックチャンバとの間を非通気状態とし、第１のアン
ロードロックチャンバの第１の圧力レベルを大気圧の圧
力レベルまで昇圧し、第１のアンロードロックチャンバ
から、第１のアンロードロックチャンバと選択的に通気
状態または非通気状態となるように設けられたロードス
テーションへ、一枚のウェハを転送することを特徴とす
る。
【００１４】また、本発明のマルチチャンバウェハ処理
システムは、大気圧の圧力レベルの下に複数枚のウェハ
を収納するためのウェハカセットが設けられるロードス
テーションと、ロードステーションと選択的に通気状態
または非通気状態となるように設けられ、ロードステー
ションから転送されてくる一枚のウェハを収容するため
のロードロックチャンバと、ロードロックチャンバを大
気圧より真空度の高い圧力レベルまで減圧するための排
気手段と、ロードロックチャンバ内に収容されたウェハ
に対してデガス処理を行うデガス手段と、ロードロック
チャンバと選択的に通気状態または非通気状態となるよ
うに設けられ、ロードロックチャンバから転送されてく
る一枚のウェハを所要のチャンバに転送するためのトラ
ンスファチャンバと、トランスファチャンバと選択的に
通気状態または非通気状態となるように設けられ、トラ
ンスファチャンバから転送されてくる一枚のウェハに対
してい所要の処理を行うプロセスチャンバとを備えたこ
とを特徴とする。
システムは、大気圧の圧力レベルの下に複数枚のウェハ
を収納するためのウェハカセットが設けられるロードス
テーションと、ロードステーションと選択的に通気状態
または非通気状態となるように設けられ、ロードステー
ションから転送されてくる一枚のウェハを収容するため
のロードロックチャンバと、ロードロックチャンバを大
気圧より真空度の高い圧力レベルまで減圧するための排
気手段と、ロードロックチャンバ内に収容されたウェハ
に対してデガス処理を行うデガス手段と、ロードロック
チャンバと選択的に通気状態または非通気状態となるよ
うに設けられ、ロードロックチャンバから転送されてく
る一枚のウェハを所要のチャンバに転送するためのトラ
ンスファチャンバと、トランスファチャンバと選択的に
通気状態または非通気状態となるように設けられ、トラ
ンスファチャンバから転送されてくる一枚のウェハに対
してい所要の処理を行うプロセスチャンバとを備えたこ
とを特徴とする。
【００１５】このマルチチャンバウェハ処理システムに
おけるウェハ搬入方法は、大気圧の圧力レベルの下に複
数枚のウェハを収納するためのウェハカセットが設けら
れるロードステーションから、ロードステーションと選
択的に通気状態または非通気状態となるように設けられ
た、一枚のウェハを収納するのに必要な容積を有するロ
ードロックチャンバへ一枚のウェハを転送し、ロードス
テーションとロードロックチャンバとの間を非通気状態
とし、ロードロックチャンバを大気圧の圧力レベルより
真空度の高い第１の圧力レベルまで減圧し、ロードロッ
クチャンバ内のウェハに対し、デガス処理を行い、ロー
ドロックチャンバから、ロードロックチャンバと選択的
に通気状態または非通気状態となるように設けられると
ともに、第１の圧力レベルより真空度の高い第２の圧力
レベルまで減圧されたトランスファチャンバへ、一枚の
ウェハを転送し、ロードロックチャンバとトランスファ
チャンバとの間を非通気状態とし、トランスファチャン
バから、トランスファチャンバと選択的に通気状態また
は非通気状態となるように設けられたプロセスチャンバ
へ、一枚のウェハを転送することを特徴とする。
おけるウェハ搬入方法は、大気圧の圧力レベルの下に複
数枚のウェハを収納するためのウェハカセットが設けら
れるロードステーションから、ロードステーションと選
択的に通気状態または非通気状態となるように設けられ
た、一枚のウェハを収納するのに必要な容積を有するロ
ードロックチャンバへ一枚のウェハを転送し、ロードス
テーションとロードロックチャンバとの間を非通気状態
とし、ロードロックチャンバを大気圧の圧力レベルより
真空度の高い第１の圧力レベルまで減圧し、ロードロッ
クチャンバ内のウェハに対し、デガス処理を行い、ロー
ドロックチャンバから、ロードロックチャンバと選択的
に通気状態または非通気状態となるように設けられると
ともに、第１の圧力レベルより真空度の高い第２の圧力
レベルまで減圧されたトランスファチャンバへ、一枚の
ウェハを転送し、ロードロックチャンバとトランスファ
チャンバとの間を非通気状態とし、トランスファチャン
バから、トランスファチャンバと選択的に通気状態また
は非通気状態となるように設けられたプロセスチャンバ
へ、一枚のウェハを転送することを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】図２は、本実施形態のウェハ搬送
装置１を備えたマルチチャンバ型のスパッタリング装置
２を平面的に示す概略構成図である。ウェハ搬送装置１
は、ウェハ３を収納したウェハカセット４を複数配置し
たロードステーション５と、ウェハ３に薄膜を形成する
プロセスチャンバ６を複数隣設したトランスファチャン
バ７と、ロードステーション５とトランスファチャンバ
７との間にそれぞれ配置されたロードロックチャンバ８
およびアンロードロックチャンバ９とから概略構成され
ている。
装置１を備えたマルチチャンバ型のスパッタリング装置
２を平面的に示す概略構成図である。ウェハ搬送装置１
は、ウェハ３を収納したウェハカセット４を複数配置し
たロードステーション５と、ウェハ３に薄膜を形成する
プロセスチャンバ６を複数隣設したトランスファチャン
バ７と、ロードステーション５とトランスファチャンバ
７との間にそれぞれ配置されたロードロックチャンバ８
およびアンロードロックチャンバ９とから概略構成され
ている。
【００１７】ロードステーション５の中央部には、オリ
エンテーションフラットが形成されているウェハ３の位
置決めを行うオリエンタ１１が配置されている。ロード
ステーション５におけるオリエンタ１１の両側には、そ
れぞれ未処理のウェハ３を２５枚収納したウェハカセッ
ト４が複数配置されている。一方、ロードステーション
５のロードロックチャンバ８およびアンロードロックチ
ャンバ９側には、複数のウェハカセット４が配置された
方向（ロードステーション５の長手方向）に沿って形成
された案内部１２に案内されながら移動し、ウェハ３の
搬送を行うロードステーションロボット１３が設けられ
ている。ロードステーションロボット１３は、遠隔操作
により伸縮自在のリンク機構１３ａを備え、そのリンク
機構１３ａの先端には、ウェハ３を水平に搭載する細長
い平板状のブレード１３ｂが取り付けられている。
エンテーションフラットが形成されているウェハ３の位
置決めを行うオリエンタ１１が配置されている。ロード
ステーション５におけるオリエンタ１１の両側には、そ
れぞれ未処理のウェハ３を２５枚収納したウェハカセッ
ト４が複数配置されている。一方、ロードステーション
５のロードロックチャンバ８およびアンロードロックチ
ャンバ９側には、複数のウェハカセット４が配置された
方向（ロードステーション５の長手方向）に沿って形成
された案内部１２に案内されながら移動し、ウェハ３の
搬送を行うロードステーションロボット１３が設けられ
ている。ロードステーションロボット１３は、遠隔操作
により伸縮自在のリンク機構１３ａを備え、そのリンク
機構１３ａの先端には、ウェハ３を水平に搭載する細長
い平板状のブレード１３ｂが取り付けられている。
【００１８】ロードロックチャンバ８およびアンロード
ロックチャンバ９は、それぞれ大気圧の圧力レベルであ
るロードステーション５に連結されるとともに、１０ー7
〜１０ー8Torr程度に排気されるトランスファチャンバ７
にスリットバルブ２０を介して連結されている。スリッ
トバルブ２０は、ロードロックチャンバ８およびアンロ
ードロックチャンバ９とトランスファチャンバ７とを連
通したり、気密に遮断したりすることができるようにな
っている。
ロックチャンバ９は、それぞれ大気圧の圧力レベルであ
るロードステーション５に連結されるとともに、１０ー7
〜１０ー8Torr程度に排気されるトランスファチャンバ７
にスリットバルブ２０を介して連結されている。スリッ
トバルブ２０は、ロードロックチャンバ８およびアンロ
ードロックチャンバ９とトランスファチャンバ７とを連
通したり、気密に遮断したりすることができるようにな
っている。
【００１９】トランスファチャンバ７には、ウェハ３の
搬送を行うトランスファロボット２１が設けられてい
る。トランスファロボット２１は、トランスファチャン
バ７の中心に設置された支持軸２１ａと、この支持軸２
１ａの外周に設けられた伸縮自在のリンク機構２１ｂ
と、リンク機構２１ｂの先端で水平に支持された細長い
平板状のブレード２１ｃとを備えている。ブレード２１
ｃは、リンク機構２１ｂを遠隔操作することで、支持軸
２１ａを中心として旋回および径方向に前後動し、その
先端部をロードロックチャンバ８、プロセスチャンバ６
およびアンロードロックチャンバ９内にそれぞれ差し入
れることができ、ウェハ３を搬送することができるよう
になっている。
搬送を行うトランスファロボット２１が設けられてい
る。トランスファロボット２１は、トランスファチャン
バ７の中心に設置された支持軸２１ａと、この支持軸２
１ａの外周に設けられた伸縮自在のリンク機構２１ｂ
と、リンク機構２１ｂの先端で水平に支持された細長い
平板状のブレード２１ｃとを備えている。ブレード２１
ｃは、リンク機構２１ｂを遠隔操作することで、支持軸
２１ａを中心として旋回および径方向に前後動し、その
先端部をロードロックチャンバ８、プロセスチャンバ６
およびアンロードロックチャンバ９内にそれぞれ差し入
れることができ、ウェハ３を搬送することができるよう
になっている。
【００２０】トランスファチャンバ７の周囲には、複数
（本実施形態では５個）のプロセスチャンバ６がそれぞ
れスリットバルブ２０を介して連結されている。本実施
形態におけるプロセスチャンバ６は、スパッタリングに
よりウェハ３に薄膜形成の処理を行うもので、１０ー9To
rr程度に排気される。スリットバルブ２０は、プロセス
チャンバ６とトランスファチャンバ７とを連通したり、
気密に遮断したりすることができるようになっている。
（本実施形態では５個）のプロセスチャンバ６がそれぞ
れスリットバルブ２０を介して連結されている。本実施
形態におけるプロセスチャンバ６は、スパッタリングに
よりウェハ３に薄膜形成の処理を行うもので、１０ー9To
rr程度に排気される。スリットバルブ２０は、プロセス
チャンバ６とトランスファチャンバ７とを連通したり、
気密に遮断したりすることができるようになっている。
【００２１】ロードロックチャンバ８は、図１〜図７に
示すように構成されている。図１は図３におけるＩーＩ
線断面矢視図、図３はロードロックチャンバ８の平面
図、図４は図３におけるＩＶーＩＶ線断面矢視図、図５
は図３におけるＶ−Ｖ線断面矢視図、図６および図７は
それぞれロードロックチャンバ８の動作状態を示す縦断
面図である。
示すように構成されている。図１は図３におけるＩーＩ
線断面矢視図、図３はロードロックチャンバ８の平面
図、図４は図３におけるＩＶーＩＶ線断面矢視図、図５
は図３におけるＶ−Ｖ線断面矢視図、図６および図７は
それぞれロードロックチャンバ８の動作状態を示す縦断
面図である。
【００２２】ロードロックチャンバ８の真空室３０は、
ロードステーション５に接続される第１のロードロック
チャンバ（第１の真空室）３１と、トランスファチャン
バ７にスリットバルブ２０を介して接続される第２のロ
ードロックチャンバ（第２の真空室）３２とに分割構成
されている。第１のロードロックチャンバ３１は、第２
のロードロックチャンバ３２の上部に位置し、第２のロ
ードロックチャンバ３２より小さな容積に形成されてい
る。すなわち、第１のロードロックチャンバ３１は、ウ
ェハ３を一枚分収納することができ、短時間に減圧する
ことができるように、０．５〜０．８リットル程度の容
積に形成されている。また、第１のロードロックチャン
バ３１には、図１に示すように、第２のロードロックチ
ャンバ３２の真空容器３２ａの側壁に形成した排気管路
３３を介してラフポンプ３４が接続されており、第１の
ロードロックチャンバ３１を５０ｍTorr程度まで真空排
気することができるようになっている。
ロードステーション５に接続される第１のロードロック
チャンバ（第１の真空室）３１と、トランスファチャン
バ７にスリットバルブ２０を介して接続される第２のロ
ードロックチャンバ（第２の真空室）３２とに分割構成
されている。第１のロードロックチャンバ３１は、第２
のロードロックチャンバ３２の上部に位置し、第２のロ
ードロックチャンバ３２より小さな容積に形成されてい
る。すなわち、第１のロードロックチャンバ３１は、ウ
ェハ３を一枚分収納することができ、短時間に減圧する
ことができるように、０．５〜０．８リットル程度の容
積に形成されている。また、第１のロードロックチャン
バ３１には、図１に示すように、第２のロードロックチ
ャンバ３２の真空容器３２ａの側壁に形成した排気管路
３３を介してラフポンプ３４が接続されており、第１の
ロードロックチャンバ３１を５０ｍTorr程度まで真空排
気することができるようになっている。
【００２３】一方、第２のロードロックチャンバ３２
は、約１０リットルの容積に形成されている。第２のロ
ードロックチャンバ３２には、真空容器３２ａの底板に
設けた開口部３５を介してターボポンプ３６およびラフ
ポンプ３７がそれぞれ接続されており、第２のロードロ
ックチャンバ３２を１０ー6Torr程度まで真空排気するこ
とができるようになっている。
は、約１０リットルの容積に形成されている。第２のロ
ードロックチャンバ３２には、真空容器３２ａの底板に
設けた開口部３５を介してターボポンプ３６およびラフ
ポンプ３７がそれぞれ接続されており、第２のロードロ
ックチャンバ３２を１０ー6Torr程度まで真空排気するこ
とができるようになっている。
【００２４】第１のロードロックチャンバ３１と第２の
ロードロックチャンバ３２とは、ウェハ３を一枚だけ搭
載することができるように形成されたディスク状のステ
ージ４０により遮断および連通可能に構成されている。
すなわち、第１のロードロックチャンバ３１と第２のロ
ードロックチャンバ３２とは、円形の開口部３８により
連通して構成されており、この開口部３８をステージ４
０で気密に塞ぐことにより両ロードロックチャンバ３
１、３２を遮断することができるようになっている。
ロードロックチャンバ３２とは、ウェハ３を一枚だけ搭
載することができるように形成されたディスク状のステ
ージ４０により遮断および連通可能に構成されている。
すなわち、第１のロードロックチャンバ３１と第２のロ
ードロックチャンバ３２とは、円形の開口部３８により
連通して構成されており、この開口部３８をステージ４
０で気密に塞ぐことにより両ロードロックチャンバ３
１、３２を遮断することができるようになっている。
【００２５】ステージ４０の下面中央部には、第２のロ
ードロックチャンバ３２の底面に取り付けられたステー
ジ駆動装置４１の上下駆動部４１ａの上端が固着されて
おり、ステージ４０は上下駆動部４１ａの上下動に伴っ
て移動される。このステージ４０の上下動により、第１
のロードロックチャンバ３１と第２のロードロックチャ
ンバ３２とを遮断および連通することができるととも
に、ステージ４０上の突起４０ａで支持したウェハ３を
第１のロードロックチャンバ３１から第２のロードロッ
クチャンバ３２に移動させることができるようになって
いる。
ードロックチャンバ３２の底面に取り付けられたステー
ジ駆動装置４１の上下駆動部４１ａの上端が固着されて
おり、ステージ４０は上下駆動部４１ａの上下動に伴っ
て移動される。このステージ４０の上下動により、第１
のロードロックチャンバ３１と第２のロードロックチャ
ンバ３２とを遮断および連通することができるととも
に、ステージ４０上の突起４０ａで支持したウェハ３を
第１のロードロックチャンバ３１から第２のロードロッ
クチャンバ３２に移動させることができるようになって
いる。
【００２６】第１のロードロックチャンバ３１の真空容
器３１ａの上板の一部には、円形の開口部３９が形成さ
れており、この開口部３９は、石英からなる透明な円板
状の窓５１により気密に閉塞されている。窓５１上に
は、リング部材５２を介して逆有底円筒状のカバー５３
が設けられている。そして、窓５１とリング部材５２と
カバー５３とで形成される密閉空間には、ウェハ３のデ
ガス用のデガスヒータ５４が配設されている。このデガ
スヒータ５４は、ハロゲンランプからなり、ランプ加熱
方式となっている。
器３１ａの上板の一部には、円形の開口部３９が形成さ
れており、この開口部３９は、石英からなる透明な円板
状の窓５１により気密に閉塞されている。窓５１上に
は、リング部材５２を介して逆有底円筒状のカバー５３
が設けられている。そして、窓５１とリング部材５２と
カバー５３とで形成される密閉空間には、ウェハ３のデ
ガス用のデガスヒータ５４が配設されている。このデガ
スヒータ５４は、ハロゲンランプからなり、ランプ加熱
方式となっている。
【００２７】第１のロードロックチャンバ３１の真空容
器３１ａ、窓５１、リング部材５２、カバー５３および
デガスヒータ５４によりロードロックカバーユニット５
０が構成されている。このロードロックカバーユニット
５０は、ステージ駆動装置４１の下部に設けられたユニ
ット駆動装置６０により上下に駆動される。すなわち、
図４に示すように、ユニット駆動装置６０の上下駆動軸
６０ａの下端には、水平軸６１が連結されている。水平
軸６１の両端には、それぞれ垂直方向に延在する２本の
支持軸６２の下端が固着されている。これら支持軸６２
は、第２のロードロックチャンバ３２の真空容器３２ａ
壁内に設けられた上下の各スライダ６３を貫通し、支持
軸６２の上端は、第１のロードロックチャンバ３１の真
空容器３１ａの下面に固着されている。これにより、ロ
ードロックカバーユニット５０全体は、支持軸６２に支
持され、第２のロードロックチャンバ３２と分離して上
下に移動できるようになっている。
器３１ａ、窓５１、リング部材５２、カバー５３および
デガスヒータ５４によりロードロックカバーユニット５
０が構成されている。このロードロックカバーユニット
５０は、ステージ駆動装置４１の下部に設けられたユニ
ット駆動装置６０により上下に駆動される。すなわち、
図４に示すように、ユニット駆動装置６０の上下駆動軸
６０ａの下端には、水平軸６１が連結されている。水平
軸６１の両端には、それぞれ垂直方向に延在する２本の
支持軸６２の下端が固着されている。これら支持軸６２
は、第２のロードロックチャンバ３２の真空容器３２ａ
壁内に設けられた上下の各スライダ６３を貫通し、支持
軸６２の上端は、第１のロードロックチャンバ３１の真
空容器３１ａの下面に固着されている。これにより、ロ
ードロックカバーユニット５０全体は、支持軸６２に支
持され、第２のロードロックチャンバ３２と分離して上
下に移動できるようになっている。
【００２８】ロードロックカバーユニット５０の上動に
より、ウェハ３をステージ４０に搭載できるようにな
る。ロードステーション５からのウェハ３の搬送レベル
Ａは、図６に示すように、開口部３８を閉塞するように
移動したステージ４０の突起４０ａのやや上方位置とな
る。また、図５から図７に示すように、第２のロードロ
ックチャンバ３２の真空容器３２ａの側壁には、スリッ
トバルブ２０を介してトランスファチャンバ７へウェハ
３を搬送するための出入口３２ｂが形成されており、こ
の出入口３２ｂの位置がトランスファチャンバ７へのウ
ェハ３の搬送レベルＢとなる。
より、ウェハ３をステージ４０に搭載できるようにな
る。ロードステーション５からのウェハ３の搬送レベル
Ａは、図６に示すように、開口部３８を閉塞するように
移動したステージ４０の突起４０ａのやや上方位置とな
る。また、図５から図７に示すように、第２のロードロ
ックチャンバ３２の真空容器３２ａの側壁には、スリッ
トバルブ２０を介してトランスファチャンバ７へウェハ
３を搬送するための出入口３２ｂが形成されており、こ
の出入口３２ｂの位置がトランスファチャンバ７へのウ
ェハ３の搬送レベルＢとなる。
【００２９】図８はアンロードロックチャンバ９の縦断
面図である。
面図である。
【００３０】図８において、アンロードロックチャンバ
９は、ロードロックチャンバ８と同様に、真空室７０
が、ロードステーション５に接続される第１のアンロー
ドロックチャンバ（第１の真空室）７１と、トランスフ
ァチャンバ７にスリットバルブ２０を介して接続される
第２のアンロードロックチャンバ（第２の真空室）７２
とに分割構成されている。第１のアンロードロックチャ
ンバ７１は、第２のアンロードロックチャンバ７２の上
部に位置し、第２のアンロードロックチャンバ７２より
小さな容積に形成されている。すなわち、第１のアンロ
ードロックチャンバ７１は、０．５〜０．８リットル程
度の容積に形成されており、ロードステーション５側へ
ウェハ３を受け渡す際には、室内は最終的に大気圧とさ
れる。
９は、ロードロックチャンバ８と同様に、真空室７０
が、ロードステーション５に接続される第１のアンロー
ドロックチャンバ（第１の真空室）７１と、トランスフ
ァチャンバ７にスリットバルブ２０を介して接続される
第２のアンロードロックチャンバ（第２の真空室）７２
とに分割構成されている。第１のアンロードロックチャ
ンバ７１は、第２のアンロードロックチャンバ７２の上
部に位置し、第２のアンロードロックチャンバ７２より
小さな容積に形成されている。すなわち、第１のアンロ
ードロックチャンバ７１は、０．５〜０．８リットル程
度の容積に形成されており、ロードステーション５側へ
ウェハ３を受け渡す際には、室内は最終的に大気圧とさ
れる。
【００３１】一方、第２のアンロードロックチャンバ７
２は、約１０リットルの容積に形成されている。また、
図示は省略したが、第２のアンロードロックチャンバ７
２には、真空容器の底板に設けた開口部を介してポンプ
が接続されており、第２のアンロードロックチャンバ７
２を１０ー6Torr程度まで真空排気することができるよう
になっている。
２は、約１０リットルの容積に形成されている。また、
図示は省略したが、第２のアンロードロックチャンバ７
２には、真空容器の底板に設けた開口部を介してポンプ
が接続されており、第２のアンロードロックチャンバ７
２を１０ー6Torr程度まで真空排気することができるよう
になっている。
【００３２】第１のアンロードロックチャンバ７１と第
２のアンロードロックチャンバ７２とは、ロードロック
チャンバ８のステージ４０と同様に、ウェハ３を一枚だ
け搭載することができるように形成されたディスク状の
ステージ８０により遮断および連通可能に構成されてい
る。すなわち、第１のアンロードロックチャンバ７１と
第２のアンロードロックチャンバ７２とは、円形の開口
部７３により連通して構成されており、この開口部７３
をステージ８０で気密に塞ぐことにより両アンロードロ
ックチャンバ７１、７２を遮断することができるように
なっている。
２のアンロードロックチャンバ７２とは、ロードロック
チャンバ８のステージ４０と同様に、ウェハ３を一枚だ
け搭載することができるように形成されたディスク状の
ステージ８０により遮断および連通可能に構成されてい
る。すなわち、第１のアンロードロックチャンバ７１と
第２のアンロードロックチャンバ７２とは、円形の開口
部７３により連通して構成されており、この開口部７３
をステージ８０で気密に塞ぐことにより両アンロードロ
ックチャンバ７１、７２を遮断することができるように
なっている。
【００３３】ステージ８０の下面中央部には、第２のア
ンロードロックチャンバ７２の底面に取り付けられたス
テージ駆動装置８１の上下駆動部８１ａの上端が固着さ
れており、ステージ８０は上下駆動部８１ａの上下動に
伴って移動される。このステージ８０の上下動により、
第１のアンロードロックチャンバ７１と第２のアンロー
ドロックチャンバ７２とを遮断および連通することがで
きるとともに、ステージ８０上の突起８０ａで支持した
ウェハ３を第２のアンロードロックチャンバ７２から第
１のアンロードロックチャンバ７１に移動させることが
できるようになっている。第２のアンロードロックチャ
ンバ７２の真空容器７２ａの側壁には、トランスファチ
ャンバ７からウェハ３が搬入される出入口７２ｂが形成
されている。
ンロードロックチャンバ７２の底面に取り付けられたス
テージ駆動装置８１の上下駆動部８１ａの上端が固着さ
れており、ステージ８０は上下駆動部８１ａの上下動に
伴って移動される。このステージ８０の上下動により、
第１のアンロードロックチャンバ７１と第２のアンロー
ドロックチャンバ７２とを遮断および連通することがで
きるとともに、ステージ８０上の突起８０ａで支持した
ウェハ３を第２のアンロードロックチャンバ７２から第
１のアンロードロックチャンバ７１に移動させることが
できるようになっている。第２のアンロードロックチャ
ンバ７２の真空容器７２ａの側壁には、トランスファチ
ャンバ７からウェハ３が搬入される出入口７２ｂが形成
されている。
【００３４】また、プロセスチャンバ６内で表面処理後
のウェハ３は、スパッタされて高温になっているので、
ウェハ３を冷却すべく、第１のアンロードロックチャン
バ７１の真空容器７１ａおよびステージ８０の内部に
は、それぞれ冷却水による冷却機構９０が設けられてい
る。
のウェハ３は、スパッタされて高温になっているので、
ウェハ３を冷却すべく、第１のアンロードロックチャン
バ７１の真空容器７１ａおよびステージ８０の内部に
は、それぞれ冷却水による冷却機構９０が設けられてい
る。
【００３５】このような構成の本実施形態のウェハ搬送
装置１によりウェハ３を搬送するには、まず、大気圧の
圧力レベルであるロードステーション５内にウェハ３を
２５枚収納したウェハカセット４を用意する。そして、
ロードステーションロボット１３によりウェハ３を取り
出し、オリエンタ１１にウェハ３を入れてオリエンテー
ションフラットに基づきウェハ３の位置決めを行う。次
に、ロードステーションロボット１３によりウェハ３を
ロードロックチャンバ８の第１のロードロックチャンバ
３１内に搬送する。このとき、ロードロックカバーユニ
ット５０は、ユニット駆動装置６０（図４参照）の駆動
により支持軸６２に支持されながら上方に移動し、第２
のロードロックチャンバ３２と分離されてウェハ３の搬
送路を形成する。ステージ４０の突起４０ａ上にウェハ
３が受け渡されてから、ロードロックカバーユニット５
０は、ユニット駆動装置６０の駆動によりステージ４０
を蓋するように第２のロードロックチャンバ３２の真空
容器３２ａ上面まで下動し、第１のロードロックチャン
バ３１を構成する。
装置１によりウェハ３を搬送するには、まず、大気圧の
圧力レベルであるロードステーション５内にウェハ３を
２５枚収納したウェハカセット４を用意する。そして、
ロードステーションロボット１３によりウェハ３を取り
出し、オリエンタ１１にウェハ３を入れてオリエンテー
ションフラットに基づきウェハ３の位置決めを行う。次
に、ロードステーションロボット１３によりウェハ３を
ロードロックチャンバ８の第１のロードロックチャンバ
３１内に搬送する。このとき、ロードロックカバーユニ
ット５０は、ユニット駆動装置６０（図４参照）の駆動
により支持軸６２に支持されながら上方に移動し、第２
のロードロックチャンバ３２と分離されてウェハ３の搬
送路を形成する。ステージ４０の突起４０ａ上にウェハ
３が受け渡されてから、ロードロックカバーユニット５
０は、ユニット駆動装置６０の駆動によりステージ４０
を蓋するように第２のロードロックチャンバ３２の真空
容器３２ａ上面まで下動し、第１のロードロックチャン
バ３１を構成する。
【００３６】その後、ロードステーション５と第１のロ
ードロックチャンバ３１とを非通気状態とし、第１のロ
ードロックチャンバ３１を、ラフポンプ３４により５〜
６秒で５０ｍTorrに排気する。次に、ステージ駆動装置
４１の駆動によりステージ４０を下動させ、ウェハ３を
第２のロードロックチャンバ３２内に移動する。このと
き、第２のロードロックチャンバ３２内は、ラフポンプ
３７およびターボポンプ３４によりすでに１０ー6Torrま
で真空排気されており、この第２のロードロックチャン
バ３２と第１のロードロックチャンバ３１とは連通され
る。これと同時、つまり第１のロードロックチャンバ３
１から第２のロードロックチャンバ３２へのウェハ３の
転送を開始した後、デガスヒータ５４を作動させ、ウェ
ハ３表面上のアウトガスのデガスを行う。
ードロックチャンバ３１とを非通気状態とし、第１のロ
ードロックチャンバ３１を、ラフポンプ３４により５〜
６秒で５０ｍTorrに排気する。次に、ステージ駆動装置
４１の駆動によりステージ４０を下動させ、ウェハ３を
第２のロードロックチャンバ３２内に移動する。このと
き、第２のロードロックチャンバ３２内は、ラフポンプ
３７およびターボポンプ３４によりすでに１０ー6Torrま
で真空排気されており、この第２のロードロックチャン
バ３２と第１のロードロックチャンバ３１とは連通され
る。これと同時、つまり第１のロードロックチャンバ３
１から第２のロードロックチャンバ３２へのウェハ３の
転送を開始した後、デガスヒータ５４を作動させ、ウェ
ハ３表面上のアウトガスのデガスを行う。
【００３７】ここで、あるプロセスチャンバ６での処理
時間を、例えば６０秒であるとすると、表面処理後のウ
ェハ３を取り出したプロセスチャンバ６内に効率よく直
ちに新たなウェハ３を搬送するには、トランスファロボ
ット２１のウェハ３搬送に要する時間が１０秒程度であ
るので、処理時間から搬送時間を引いた約５０秒の間に
デガスまで終了していればよい。第１のロードロックチ
ャンバ３１での排気時間は５〜６秒であり、ステージ４
０の移動時間が４秒程度であるので、５０秒−６秒−４
秒＝４０秒以内にデガスが終了していればよいこととな
る。デガスを行うには２０秒程度あればよいので、本実
施形態では、十分にデガスを行うことができる。
時間を、例えば６０秒であるとすると、表面処理後のウ
ェハ３を取り出したプロセスチャンバ６内に効率よく直
ちに新たなウェハ３を搬送するには、トランスファロボ
ット２１のウェハ３搬送に要する時間が１０秒程度であ
るので、処理時間から搬送時間を引いた約５０秒の間に
デガスまで終了していればよい。第１のロードロックチ
ャンバ３１での排気時間は５〜６秒であり、ステージ４
０の移動時間が４秒程度であるので、５０秒−６秒−４
秒＝４０秒以内にデガスが終了していればよいこととな
る。デガスを行うには２０秒程度あればよいので、本実
施形態では、十分にデガスを行うことができる。
【００３８】デガス終了後は、第２のロードロックチャ
ンバ３２とトランスファチャンバ７とを通気状態とし、
トランスファチャンバ７のトランスファロボット２１を
駆動させ、ブレード２１ａによりステージ４０上のウェ
ハ３を受け取り、ウェハ３をトランスファチャンバ７内
に搬送した後、第２のロードロックチャンバ３２とトラ
ンスファチャンバ７とを非通気状態とし、スリットバル
ブ２０を開いて所定のプロセスチャンバ６内にウェハ３
を搬送する。その後、プロセスチャンバ６内で薄膜を形
成する。
ンバ３２とトランスファチャンバ７とを通気状態とし、
トランスファチャンバ７のトランスファロボット２１を
駆動させ、ブレード２１ａによりステージ４０上のウェ
ハ３を受け取り、ウェハ３をトランスファチャンバ７内
に搬送した後、第２のロードロックチャンバ３２とトラ
ンスファチャンバ７とを非通気状態とし、スリットバル
ブ２０を開いて所定のプロセスチャンバ６内にウェハ３
を搬送する。その後、プロセスチャンバ６内で薄膜を形
成する。
【００３９】プロセスチャンバ６で表面処理が施された
ウェハ３は、プロセスチャンバ６とトランスファチャン
バ７とを通気状態とした後、トランスファロボット２１
によりプロセスチャンバ６からトランスファチャンバ７
内に搬送し、さらにトランスファチャンバ７と第２のア
ンロードロックチャンバ７２とを通気状態とし、出入口
７２ｂを介して第２のアンロードロックチャンバ７２内
に搬送する。このとき、第２のアンロードロックチャン
バ７２は、図示を省略したポンプにより１０ー6Torr程度
に排気されている。第２のアンロードロックチャンバ７
２でステージ８０上に受け取ったウェハ３は、トランス
ファチャンバ７と第２のアンロードロックチャンバ７２
とを非通気状態とした後、ステージ駆動装置８１の駆動
によるステージ８０の上動により、第１のアンロードロ
ックチャンバ内７１に転送する。ステージ８０の移動に
より、第１のアンロードロックチャンバ７１と第２のア
ンロードロックチャンバ７２とは、気密に遮断される。
ウェハ３は、プロセスチャンバ６とトランスファチャン
バ７とを通気状態とした後、トランスファロボット２１
によりプロセスチャンバ６からトランスファチャンバ７
内に搬送し、さらにトランスファチャンバ７と第２のア
ンロードロックチャンバ７２とを通気状態とし、出入口
７２ｂを介して第２のアンロードロックチャンバ７２内
に搬送する。このとき、第２のアンロードロックチャン
バ７２は、図示を省略したポンプにより１０ー6Torr程度
に排気されている。第２のアンロードロックチャンバ７
２でステージ８０上に受け取ったウェハ３は、トランス
ファチャンバ７と第２のアンロードロックチャンバ７２
とを非通気状態とした後、ステージ駆動装置８１の駆動
によるステージ８０の上動により、第１のアンロードロ
ックチャンバ内７１に転送する。ステージ８０の移動に
より、第１のアンロードロックチャンバ７１と第２のア
ンロードロックチャンバ７２とは、気密に遮断される。
【００４０】次に、第１のアンロードロックチャンバ７
１内を窒素等のガスの供給により大気圧までベントし、
熱伝導の効率を高めて冷却機構９０によりウェハ３を冷
却する。これらの動作をロードロックチャンバ８と同様
に、約５０秒程度で終了させ、その後完全に大気開放し
て、更に冷却しながらロードステーション５のロードス
テーションロボット１３により、ウェハ３をウェハカセ
ット４内に収納する。この場合、ウェハ３を戻すウェハ
カセット４は、処理前にウェハ３が収納されていたウェ
ハカセット４に戻してもよく、また別のウェハカセット
４に収納するようにしてもよい。
１内を窒素等のガスの供給により大気圧までベントし、
熱伝導の効率を高めて冷却機構９０によりウェハ３を冷
却する。これらの動作をロードロックチャンバ８と同様
に、約５０秒程度で終了させ、その後完全に大気開放し
て、更に冷却しながらロードステーション５のロードス
テーションロボット１３により、ウェハ３をウェハカセ
ット４内に収納する。この場合、ウェハ３を戻すウェハ
カセット４は、処理前にウェハ３が収納されていたウェ
ハカセット４に戻してもよく、また別のウェハカセット
４に収納するようにしてもよい。
【００４１】以上のように、本実施形態のウェハ搬送装
置１によれば、ロードロックチャンバ８の真空室３０
は、第１のロードロックチャンバ３１と第２のロードロ
ックチャンバ３２とに分割され、２重のロードロックと
なっているので、トランスファチャンバ７内への大気の
持ち込みは、激減される。さらに、プロセスチャンバ６
での処理時間中にロードロックチャンバ８内でウェハ３
のデガスまで行うので、スループットを落とすことな
く、トランスファチャンバ７側へのガスコンタミネーシ
ョンを従来のウェハ搬送装置の１／１００，０００程度
にすることができる。
置１によれば、ロードロックチャンバ８の真空室３０
は、第１のロードロックチャンバ３１と第２のロードロ
ックチャンバ３２とに分割され、２重のロードロックと
なっているので、トランスファチャンバ７内への大気の
持ち込みは、激減される。さらに、プロセスチャンバ６
での処理時間中にロードロックチャンバ８内でウェハ３
のデガスまで行うので、スループットを落とすことな
く、トランスファチャンバ７側へのガスコンタミネーシ
ョンを従来のウェハ搬送装置の１／１００，０００程度
にすることができる。
【００４２】また、デガス用のチャンバを別個に設ける
必要がなく、それに伴ってデガス用の排気系を設ける必
要もないので、安価となる。
必要がなく、それに伴ってデガス用の排気系を設ける必
要もないので、安価となる。
【００４３】
【発明の効果】以上のように、本発明の半導体製造装置
のウェハ搬送装置によれば、スループットが向上し、ガ
スコンタミネーションによる表面処理への悪影響を防ぐ
ことができ、半導体製造装置を安価に構成することがで
きる。
のウェハ搬送装置によれば、スループットが向上し、ガ
スコンタミネーションによる表面処理への悪影響を防ぐ
ことができ、半導体製造装置を安価に構成することがで
きる。
【図１】本発明の一実施形態のウェハ搬送装置のロード
ロックチャンバを示すもので、図３におけるＩーＩ線断
面矢視図である。
ロックチャンバを示すもので、図３におけるＩーＩ線断
面矢視図である。
【図２】同実施形態のウェハ搬送装置を備えたスパッタ
リング装置を示す概略構成図である。
リング装置を示す概略構成図である。
【図３】同実施形態のウェハ搬送装置のロードロックチ
ャンバを示す平面図である。
ャンバを示す平面図である。
【図４】同実施形態のウェハ搬送装置のロードロックチ
ャンバを示すもので、図３におけるＩＶーＩＶ線断面矢
視図である。
ャンバを示すもので、図３におけるＩＶーＩＶ線断面矢
視図である。
【図５】同実施形態のウェハ搬送装置のロードロックチ
ャンバを示すもので、図３におけるＶーＶ線断面矢視図
である。
ャンバを示すもので、図３におけるＶーＶ線断面矢視図
である。
【図６】同実施形態のウェハ搬送装置のロードロックチ
ャンバを示す縦断面図である。
ャンバを示す縦断面図である。
【図７】同実施形態のウェハ搬送装置のロードロックチ
ャンバを示す縦断面図である。
ャンバを示す縦断面図である。
【図８】同実施形態のウェハ搬送装置のアンロードロッ
クチャンバを示す縦断面図である。
クチャンバを示す縦断面図である。
１…ウェハ搬送装置、２…スパッタリング装置、３…ウ
ェハ、４…ウェハカセット、５…ロードステーション、
６…プロセスチャンバ、７…トランスファチャンバ、８
…ロードロックチャンバ、９…アンロードロックチャン
バ、１３…ロードステーションロボット、２０…スリッ
トバルブ、２１…トランスファロボット、３０…真空
室、３１…第１のロードロックチャンバ、３２…第２の
ロードロックチャンバ、４０…ステージ、４１…ステー
ジ駆動装置、５０…ロードロックカバーユニット、５４
…デガスヒータ、６０…ユニット駆動装置、７１…第１
のアンロードロックチャンバ、７２…第２のアンロード
ロックチャンバ
ェハ、４…ウェハカセット、５…ロードステーション、
６…プロセスチャンバ、７…トランスファチャンバ、８
…ロードロックチャンバ、９…アンロードロックチャン
バ、１３…ロードステーションロボット、２０…スリッ
トバルブ、２１…トランスファロボット、３０…真空
室、３１…第１のロードロックチャンバ、３２…第２の
ロードロックチャンバ、４０…ステージ、４１…ステー
ジ駆動装置、５０…ロードロックカバーユニット、５４
…デガスヒータ、６０…ユニット駆動装置、７１…第１
のアンロードロックチャンバ、７２…第２のアンロード
ロックチャンバ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−86171（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−145482（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−134176（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−273606（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−58184（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−212932（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−102325（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−220716（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/68 H01L 21/205
Claims (18)
- 【請求項１】 ウェハを収納したウェハカセットを配置
するロードステーションと、前記ウェハに所定の処理を
行うプロセスチャンバを隣設するとともに、前記ウェハ
の搬送を行うトランスファロボットを具備したトランス
ファチャンバと、前記ロードステーションと前記トラン
スファチャンバとの間に配置され、前記ロードステーシ
ョンから受け取った前記ウェハを前記トランスファロボ
ットに受け渡すロードロックチャンバとを備えたマルチ
チャンバウェハ処理システムのウェハ搬送装置であっ
て、 前記ロードロックチャンバの真空室を前記ロードステー
ションに接続される第１のロードロックチャンバと前記
トランスファチャンバに接続される第２のロードロック
チャンバとに分割構成するとともに、 前記第１のロードロックチャンバと前記第２のロードロ
ックチャンバとを遮断および連通可能とし、 前記第１のロードロックチャンバを前記第２のロードロ
ックチャンバより小さな容積に形成し、 前記第２のロードロックチャンバを前記第１のロードロ
ックチャンバより高真空に減圧可能とし、 搭載した一枚の前記ウェハを前記第１のロードロックチ
ャンバから前記第２のロードロックチャンバに移動する
ステージを設け、 前記ロードロックチャンバに前記ウェハのデガスを行う
デガスヒータを設けたことを特徴とするマルチチャンバ
ウェハ処理システムのウェハ搬送装置。 - 【請求項２】 前記第１および第２のロードロックチャ
ンバを上下に配置し、前記ステージにより前記第１のロ
ードロックチャンバと前記第２のロードロックチャンバ
とを遮断および連通可能としたことを特徴とする請求項
１記載のマルチチャンバウェハ処理システムのウェハ搬
送装置。 - 【請求項３】 前記デガスヒータはハロゲンランプであ
ることを特徴とする請求項１または２記載のマルチチャ
ンバウェハ処理システムのウェハ搬送装置。 - 【請求項４】 大気圧の圧力レベルの下に複数枚のウェ
ハを収納するためのウェハカセットが設けられるロード
ステーションと、 前記ロードステーションと選択的に通気状態または非通
気状態となるように設けられ、前記ロードステーション
から転送されてくる一枚のウェハを収容するためのロー
ドロックチャンバと、 前記ロードロックチャンバを大気圧より真空度の高い圧
力レベルまで減圧するための排気手段と、 前記ロードロックチャンバ内に収容されたウェハに対し
てデガス処理を行うデガス手段と、 前記ロードロックチャンバと選択的に通気状態または非
通気状態となるように設けられ、前記ロードロックチャ
ンバから転送されてくる一枚のウェハを所要のチャンバ
に転送するためのトランスファチャンバと、 前記トランスファチャンバと選択的に通気状態または非
通気状態となるように設けられ、前記トランスファチャ
ンバから転送されてくる一枚のウェハに対して所要の処
理を行うプロセスチャンバとを備えたことを特徴とする
マルチチャンバウェハ処理システム。 - 【請求項５】 前記ロードロックチャンバは第１のロー
ドロックチャンバと第２のロードロックチャンバとを含
み、前記第１のロードロックチャンバは前記ロードステ
ーションおよび前記第２のロードロックチャンバの各々
に選択的に通気状態または非通気状態となるように設け
られるとともに、前記ロードステーションから転送され
てくる一枚のウェハを収容し、前記第２のロードロック
チャンバは前記第１のロードロックチャンバおよび前記
トランスファチャンバの各々に選択的に通気状態または
非通気状態となるように設けられるとともに、前記第１
のロードロックチャンバから転送されてくる一枚のウェ
ハを収容することを特徴とする請求項４記載のマルチチ
ャンバウェハ処理システム。 - 【請求項６】 前記排気手段は前記ロードステーション
と前記第１のロードロックチャンバとが非通気状態とな
った後に、前記第１のロードロックチャンバを大気圧よ
り真空度の高い第１の圧力レベルとなるまで減圧するこ
とを特徴とする請求項５記載のマルチチャンバウェハ処
理システム。 - 【請求項７】 前記排気手段は前記第２のロードロック
チャンバを前記第１の圧力レベルより真空度の高い第２
の圧力レベルとなるまで減圧することを特徴とする請求
項６記載のマルチチャンバウェハ処理システム。 - 【請求項８】 前記ロードステーションと前記第１のロ
ードロックチャンバとが非通気状態となった後に、前記
第１のロードロックチャンバと前記第２のロードロック
チャンバとは通気状態となることを特徴とする請求項７
記載のマルチチャンバウェハ処理システム。 - 【請求項９】 前記デガス手段はハロゲンランプからな
るランプ加熱手段を含むことを特徴とする請求項４記載
のマルチチャンバウェハ処理システム。 - 【請求項１０】 前記第１のロードロックチャンバは
０．５〜０．８リットルの容積を有することを特徴とす
る請求項５記載のマルチチャンバウェハ処理システム。 - 【請求項１１】 前記排気手段は前記第１のロードロッ
クチャンバの側壁に形成された排気管路を介して接続さ
れたラフポンプを含むことを特徴とする請求項５記載の
マルチチャンバウェハ処理システム。 - 【請求項１２】 前記第１の圧力レベルは５０ｍTorr程
度の真空状態であることを特徴とする請求項６記載のマ
ルチチャンバウェハ処理システム。 - 【請求項１３】 前記第２のロードロックチャンバは約
１０リットルの容積を有することを特徴とする請求項５
記載のマルチチャンバウェハ処理システム。 - 【請求項１４】 前記排気手段は前記第２のロードロッ
クチャンバの底板に形成された開口部を介して接続され
たターボポンプおよびラフポンプを含むことを特徴とす
る請求項５記載のマルチチャンバウェハ処理システム。 - 【請求項１５】 前記第２の圧力レベルは１０ー 6Torr程
度の真空状態であることを特徴とする請求項７記載のマ
ルチチャンバウェハ処理システム。 - 【請求項１６】 前記トランスファチャンバは１０ー 7〜
１０ー 8Torr程度まで真空排気されていることを特徴とす
る請求項４記載のマルチチャンバウェハ処理システム。 - 【請求項１７】 前記プロセスチャンバは１０ー 9Torr程
度まで真空排気されていることを特徴とする請求項４記
載のマルチチャンバウェハ処理システム。 - 【請求項１８】 大気圧の圧力レベルの下に複数枚のウ
ェハを収納するためのウェハカセットが設けられるロー
ドステーションから、前記ロードステーションと選択的
に通気状態または非通気状態となるように設けられた、
一枚のウェハを収納するのに必要な容積を有するロード
ロックチャンバへ一枚のウェハを転送し、 前記ロードステーションと前記ロードロックチャンバと
の間を非通気状態とし、 前記ロードロックチャンバを大気圧の圧力レベルより真
空度の高い第１の圧力レベルまで減圧し、 前記ロードロックチャンバ内のウェハに対し、デガス処
理を行い、 前記ロードロックチャンバから、前記ロードロックチャ
ンバと選択的に通気状態または非通気状態となるように
設けられるとともに、前記第１の圧力レベルより真空度
の高い第２の圧力レベルまで減圧されたトランスファチ
ャンバへ、前記一枚のウェハを転送し、 前記ロードロックチャンバと前記トランスファチャンバ
との間を非通気状態とし、 前記トランスファチャンバから、前記トランスファチャ
ンバと選択的に通気状態または非通気状態となるように
設けられたプロセスチャンバへ、前記一枚のウェハを転
送するマルチチャンバウェハ処理システムにおけるウェ
ハ搬入方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8044896A JP2937846B2 (ja) | 1996-03-01 | 1996-03-01 | マルチチャンバウェハ処理システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8044896A JP2937846B2 (ja) | 1996-03-01 | 1996-03-01 | マルチチャンバウェハ処理システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09246347A JPH09246347A (ja) | 1997-09-19 |
| JP2937846B2 true JP2937846B2 (ja) | 1999-08-23 |
Family
ID=12704252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8044896A Expired - Fee Related JP2937846B2 (ja) | 1996-03-01 | 1996-03-01 | マルチチャンバウェハ処理システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP4695297B2 (ja) * | 2001-06-26 | 2011-06-08 | キヤノンアネルバ株式会社 | 薄膜形成装置及びロードロックチャンバー |
| US7006888B2 (en) | 2002-01-14 | 2006-02-28 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor wafer preheating |
| US6896513B2 (en) * | 2002-09-12 | 2005-05-24 | Applied Materials, Inc. | Large area substrate processing system |
| JP2004200329A (ja) * | 2002-12-17 | 2004-07-15 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| SG115629A1 (en) | 2003-03-11 | 2005-10-28 | Asml Netherlands Bv | Method and apparatus for maintaining a machine part |
| SG115630A1 (en) | 2003-03-11 | 2005-10-28 | Asml Netherlands Bv | Temperature conditioned load lock, lithographic apparatus comprising such a load lock and method of manufacturing a substrate with such a load lock |
| SG115631A1 (en) | 2003-03-11 | 2005-10-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection assembly, load lock and method for transferring objects |
| US7010388B2 (en) * | 2003-05-22 | 2006-03-07 | Axcelis Technologies, Inc. | Work-piece treatment system having load lock and buffer |
| US20070020890A1 (en) * | 2005-07-19 | 2007-01-25 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for semiconductor processing |
| JP4635972B2 (ja) * | 2006-06-29 | 2011-02-23 | 株式会社ニコン | ロードロック装置、それを使用した方法及びウエハ接合システム |
| JP2009290177A (ja) * | 2008-06-02 | 2009-12-10 | Japan Steel Works Ltd:The | 半導体処理装置 |
| TW201135845A (en) * | 2009-10-09 | 2011-10-16 | Canon Anelva Corp | Acuum heating and cooling apparatus |
| JP6024372B2 (ja) | 2012-10-12 | 2016-11-16 | Tdk株式会社 | 基板処理装置および基板処理チャンバモジュール |
| JP7394554B2 (ja) * | 2019-08-07 | 2023-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2767142B2 (ja) * | 1989-10-18 | 1998-06-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置用ユニット |
| JP2779536B2 (ja) * | 1990-01-18 | 1998-07-23 | 日本真空技術株式会社 | 真空処理装置 |
| JPH03220716A (ja) * | 1990-01-26 | 1991-09-27 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
| JP2646821B2 (ja) * | 1990-02-17 | 1997-08-27 | 富士電機株式会社 | 半導体製造装置 |
| JPH0458184A (ja) * | 1990-06-28 | 1992-02-25 | Toshiba Corp | ウラン計量管理システムおよびウラン計量管理方法 |
| JPH04102325A (ja) * | 1990-08-22 | 1992-04-03 | Nec Kyushu Ltd | 拡散装置 |
| JPH07145482A (ja) * | 1991-12-30 | 1995-06-06 | Sony Corp | マルチチャンバー装置 |
| JP2963973B2 (ja) * | 1993-09-17 | 1999-10-18 | 東京エレクトロン株式会社 | バッチ式コールドウォール処理装置及びそのクリーニング方法 |
-
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- 1996-03-01 JP JP8044896A patent/JP2937846B2/ja not_active Expired - Fee Related
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