JPH04102325A - 拡散装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体製造装置に使用する拡散装置に関し、特
に半導体基板を熱処理酸化する前に自然酸化膜や半導体
基板界面をエツチングするエツチング室を有する拡散装
置に関する。

〔従来の技術〕

従来の拡散装置は、第２図の断面図に示すように、半導
体基板１０を支持ステージ９にのせて石英チューブ１４
内に置き、石英チューブ１４の外側に設置されたハロゲ
ンランプ７により、シリコンが吸収するような高周波光
を半導体基板１０に照射して熱エネルギーに変換させ、
赤外線放射温度計８により石英チューブ１４内を所定の
温度にコントロールし、半導体基板１０を酸化させる機
構のみを有していた。

〔発明が解決しようとする課題〕

この従来の拡散装置では、半導体基板を洗浄処理後から
本拡散装置で酸化するまでの間に、半導体基板を空気中
に放置するため、半導体基板表面に自然酸化膜が形成さ
れ、この自然酸化膜を付けたまま酸化させるために、酸
化膜中及び半導体基板界面を汚染し、製造歩留りを低下
させるという問題があった。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の拡散装置は、半導体基板を酸化室内で熱処理酸
化する前に、半導体基板表面の自然酸化膜又は半導体基
板界面をエツチングするエッチング室を前記酸化室に隣
接して設けている。

〔実施例〕

次に本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明の一実施例の断面図である６半導体基板
１０は搬送ベルト１３によりロードロック室ｌに搬送さ
れ、支持ステージ９にのせられる。

次に半導体基板１０はエツチング室２に搬送され、ガス
導入口１１がらエツチングガスを導入し、必要に応じて
高周波電圧をがけてプラズマを発生させ、支持ステージ
９上の半導体基板表面の自然酸化膜又は半導体基板１ｏ
の界面をエツチングする。１２は排気口である。エツチ
ング終了後、エツチング室２を高真空にし、開閉バルブ
５を開き、搬送機構６を用いて酸化室３に半導体基板１
０を搬送し、開閉バルブ５を閉める。

次に酸化室３に搬送された半導体基板１ｏにハロゲンラ
ンプ７がらのシリコンが吸収するような高周波光を照射
して熱エネルギーに変換させ、赤外線放射温度計８によ
り石英チューブ１４内の温度を所定の温度にコントロー
ルし酸化させる。酸化終了後、半導体基板１０はアンロ
ードロック室４に搬送される。このように、酸化直前に
自然酸化膜及び半導体基板界面をエツチングすることに
より、汚染のないすぐれた膜質の酸化膜を形成できると
いう利点がある。

〔発明の、効果〕

以上説明したように本発明は、半導体基板を熱処理酸化
する酸化室に隣接し、半導体基板の表面の自然酸化膜及
び半導体基板界面をエツチングするエツチング室を有し
ているので、半導体基板表面の自然酸化膜を除去した直
後に酸化することができ、汚染のない酸化膜を形成でき
るという効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は従来の拡
散装置の断面図である。 １・・・ロードロック室、２・・・エツチング室、３・
・・酸化室、４・・・アンロードロック室、５・・・開
閉バルブ、６・・・搬送機構、７・・・ハロゲンランプ
、８・・・赤外線放射温度計、９・・・支持ステージ、
１ｏ・・・半導体基板、１１・・・ガス導入口、１２・
・・排気口、１３・・・搬送ベルト、１４・・・石英チ
ューブ。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体基板を熱処理酸化する拡散装置において、半導体
   基板を酸化室内で熱処理酸化する前に、半導体基板表面
   の自然酸化膜又は半導体基板界面をエッチングするエッ
   チング室を前記酸化室に隣接して設けたことを特徴とす
   る拡散装置。