JPH07161797A - 処理装置 - Google Patents
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- JPH07161797A JPH07161797A JP33952993A JP33952993A JPH07161797A JP H07161797 A JPH07161797 A JP H07161797A JP 33952993 A JP33952993 A JP 33952993A JP 33952993 A JP33952993 A JP 33952993A JP H07161797 A JPH07161797 A JP H07161797A
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Abstract
設置可能とすることにより作業室間用クリーンルームの
クリーン度を低く設定することができる処理装置を提供
する。 【構成】 被処理体Wに処理を施す処理室1と、これに
連結されて被処理体を収容した保持体7を挿脱するロー
ドロック室10と、このロードロック室に対して、カセ
ットC内に収容されている被処理体を搬出入する搬出入
室30とを備えた処理装置において、上記搬出入室に、
内部が清浄空気や不活性ガスにより充填されて密閉可能
になされたカセット収容容器53を設置するカセット収
容容器用ポート51を設ける。これにより、外部との間
でカセットを搬出入する時にこれを作業領域の雰囲気に
晒されなくて済むので、この領域の雰囲気のクリーン度
を高く維持する必要がなく、クリーンルームの建設コス
トを削減することができる。
Description
の被処理体に所定の処理を施す処理装置に関するもので
ある。
被処理体である半導体ウエハ(以下にウエハという)へ
の酸化膜の形成や熱CVD法による薄膜形成や熱拡散法
による不純物濃度領域の形成等を行う各種の処理装置が
使用されている。
て、従来の横型のものから、最近では縦型の熱処理装置
が多く採用されている。従来のこの種の縦型熱処理装置
としては、多数枚のウエハを収容した保持体であるウエ
ハボートをほぼ円筒形の縦型処理室(プロセスチュー
ブ)内に挿入し、プロセスチューブ内を所定の処理ガス
下で加熱することにより、ウエハの各種処理を行うもの
が知られている。
ように、例えば石英製のプロセスチューブ1の下側にマ
ニホールド2を設置し、このマニホールド2に設けられ
た排気管3及びガス導入管4によって、プロセスチュー
ブ1内のガスの排気及び導入が行われるようになってい
る。また、このプロセスチューブ1の外側には、プロセ
スチューブ1を囲んでヒータ5が設けられており、プロ
セスチューブ1内を所望の温度に加熱制御し得るように
なっている。
7は、移送機構を構成するボートエレベータ11aによ
ってロードロック室10からプロセスチューブ1に挿入
される。この際、ウエハボート7のフランジ7aがマニ
ホールド2に当接してプロセスチューブ1内が密閉され
るように構成されている。
される真空室40内に、図示しないキャリア搬送手段に
よって搬送されたウエハキャリアCに収納されたウエハ
Wをウエハボート7に搬送または搬出するための搬出入
手段50が設置されている。
てウエハWに処理を施す場合は、まず、例えば窒素(N
2 )等の不活性ガス雰囲気(非酸素雰囲気)下でウエハ
をウエハボート7に収納し、このウエハボート7をボー
トエレベータ11aによって上昇させてプロセスチュー
ブ1内に挿入する。その後、排気管3を用いてプロセス
チューブ1内のN2 ガスを排出し、プロセスチューブ1
内が真空度に達すると、ガス導入管4により処理ガスを
導入して所望の処理を行う。
いてプロセスチューブ1内の処理ガスを排出し、プロセ
スチューブ1内が所定の真空度に達すると、ガス導入管
4によりN2 ガスを導入する。その後、N2 ガスの圧力
がロードロック室10のN2ガスの圧力と同じになる
と、ウエハボート7を下降させてウエハWを取り出す。
いて、ロードロック室10からウエハWをウエハボート
7と共に上昇させてプロセスチューブ1内へ挿入すると
きや、その処理後にプロセスチューブ1内から下降させ
て引き出すとき、その途中炉口付近でもかなりの高温度
雰囲気状態にあることから、そこに大気が存在すると、
この大気中の酸素(O2 )によってウエハW表面に自然
酸化膜が形成されてしまうという問題がある。このた
め、ウエハボート7の挿脱時は、N2 ガス等の不活性ガ
ス雰囲気(非酸素雰囲気)下で行うべく装置本体、特に
ロードロック室10を大気と隔離したクローズドシステ
ム構造として、ガス給排手段によりN2 ガス雰囲気に置
換・維持する方法が採られている。
気は外部からの大気の侵入を阻止すべく常に陽圧に保持
しなければならないこと、ウエハ処理作業を繰り返し行
うために装置本体内のガス雰囲気中にカーボン等のガス
状不純物が発生したり、オイルミストやごみ等の粒子状
不純物(パーティクル)が発生し、それら不純物がウエ
ハWに付着したり化学反応(ケミカルコンタミネーショ
ン)を起こして、半導体素子の特性や歩留まりの悪化の
原因となる。また、プロセスチューブ1からの熱気の放
出や高温に加熱された処理済みウエハWからの輻射熱等
により、ロードロック室10内のN2 ガス雰囲気が異常
に昇温することなどから、パージガスとして清浄な不活
性ガスを装置本体内に常時導入する一方、その装置本体
内の不活性ガスを不純物と一緒に絶えず外部に排出し
て、装置本体内の不活性ガス雰囲気を陽圧で高純度に維
持することが行われている。
ローズドシステム構造の縦型熱処理装置においては、一
般的は、ウエハキャリアCを収容する真空室40内への
ウエハキャリアCの搬出入は、これに設けたドア41を
開閉して行われ、このウエハキャリアはAGV(自動搬
送車)や人間により内部のウエハをクリーンエアに晒し
た状態で搬送されて真空室内に設置されたり、或いは処
理済みのウエハもクリーンエアに晒された状態で搬出さ
れる。
わちオペレータ等が作業を行うクリーンルーム内全体
は、ウエハへのパーティクルの付着を防止するために真
空室40やロードロック室10内と同等の或いはそれに
近い高いクリーン度、例えばクラス1に維持しなければ
ならない。クリーンルームを連設する場合にはそのクリ
ーン度が高ければ高くなる程、単位面積当たりの建設コ
ストが高くなり、従って上述のようにウエハキャリアC
を運んだり、オペレータが作業したりする空間全体を高
いクリーン度を目標として建設すると大幅なコスト高に
なるという問題があった。
これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明
の目的は、例えばSMIF(Standard Mec
hanical InterFace)ポットのような
カセット収容容器を設置可能とすることにより作業空間
用クリーンルームのクリーン度を従来程高くなくて済む
処理装置を提供することにある。
解決するために、被処理体に所定の処理を施す処理室
と、この処理室に対して前記被処理体を収容した保持体
を挿脱する移送機構を有するロードロック室と、このロ
ードロック室に対して、カセット内に収容されている被
処理体を搬出入する搬出入室とを具備する処理装置にお
いて、前記搬出入室は、外部との間で前記カセットを搬
出入するために、内部が清浄空気或いは不活性ガスによ
り充填されて密閉可能になされた搬送可能なカセット収
容容器を設置するためのカセット収容容器用ポートを備
えるようにしたものである。
室に対して被処理体を搬出入する時には、内部が外部雰
囲気と密閉隔離されたカセット収容容器を搬出入室のカ
セット収容容器用ポートに設定する。このポートに設定
されたカセット収容容器と搬出入室との間では外部の作
業領域の雰囲気から区画された状態でカセット毎に被処
理体の受け渡しが行われる。従って、カセットを装置間
同士で搬送したり、オペレータが作業する作業空間のク
リーン度をそれ程高く設定する必要もなく、クリーンル
ームの建設コストを削減することができる。
に説明する。ここでは、本発明の処理装置を半導体ウエ
ハの熱処理装置に適用した場合について説明する。尚、
従来の熱処理装置と同じ部分には同一符号を付して説明
する。
図2は図1の概略平面図、図3は保持体収容室の断面
図、図4はこの装置の前面側を示す斜視図、図5はカセ
ット収容容器用ポートを示す断面図、図6はカセット水
平移動機構を示す斜視図、図7はキャリアトランスファ
に設けた枚数カウンタを示す図、図8は搬出入室内の清
浄空気の流れを示す図である。
ハWに所定の処理を施す処理室であるプロセスチューブ
1と、このプロセスチューブ1に対して多数枚例えば1
00枚のウエハWを収納した保持体としてのウエハボー
ト7を挿脱する移送機構11を備えたロードロック室1
0と、このロードロック室10に対してウエハWを搬出
入する搬出入室30と、この搬出入室30に形成された
カセット収容容器用ポート51と、ロードロック室10
と搬出入室30との間に配置されるウエハボート7を収
容する保持体収容室20とで主要部が構成されている。
室30及びロードロック室10との間には、フロントオ
ートドア21,リアオートドア22がそれぞれ開閉可能
に配設されて、これらフロント及びリアオートドア2
1,22が閉塞されると、保持体収容室20内が密閉状
態に維持されるようになっている。また、保持体収容室
20には、図示しない真空ポンプに接続する真空配管2
3が接続されると共に、図示しない例えばN2 ガス供給
源に接続するN2 ガス導入管24及びN2 ガス排出管2
5が接続されている。従って、この保持体収容室20内
を所定の真空雰囲気またはN2 ガス等の雰囲気下に置換
することができる。
図3に示すように、例えばベローズシール26を介して
載置台27が上下動可能に配置され、この載置台27の
室外側にウエハボート7の有無を確認するための検出手
段28が設けられている。この検出手段28は、載置台
27に連結された可動検出体28aと、この可動検出体
28aの上下移動部に関して対峙される発光部28bと
受光部28cとからなる光センサー28dとで構成され
ている。従って、保持体収容室20内にウエハボート7
が収容されて載置台27上にウエハボート7が載置され
ると、その重量によって載置台27が下降すると共に、
可動検出体28aも下降して、発光部28bから受光部
28cへの光を遮断することにより、ウエハボート7の
有無を判断することができる。尚、ウエハボート7の有
無の検出は必ずしもこのような検出手段28で行う必要
はなく、例えば保持体収容室20の天井や床部或いは壁
部にシール機構を介して埋設されるセンサーによってウ
エハボート7の有無を判断するなど任意の検出手段を用
いることができる。
は、断面逆U字状の縦型略円筒状の石英製容器にて形成
されており、このプロセスチューブ1の外周にはヒータ
5が囲繞され、更にその周囲には冷却パイプや断熱材等
を組み込んだ保護カバー6が被覆されている。また、プ
ロセスチューブ1の開口下端にはマニホールド2が接続
して設けられている。このマニホールド2は上下フラン
ジ付き円筒状のもので、図1に示すように、このマニホ
ールド2の周壁部に、プロセスチューブ1内に所定の処
理用ガスを導入するガス導入管4と、処理後のガスを排
気する排気管3がそれぞれ接続されている。この場合、
ガス導入管4は図示しないガス切換弁を介して所定の処
理ガス供給源とN2 ガス供給源に接続されて、交互に処
理ガスとN2 ガスをプロセスチューブ1内に導入できる
ようになっている。
レス鋼製パネルを全周溶接するか、或いはOリングシー
ルにてシールした密閉構造となっており、その上部及び
下部の適宜位置には図示しない例えばN2 ガス供給源に
接続するN2 ガス導入管12及びN2 ガス排出管13が
それぞれ接続されて、事前にロードロック室10内に常
時所定量のN2 ガスが供給されコントロールされた雰囲
気になっている。このロードロック室10内に配置され
る移送機構11は、ウエハボート7を載置保持するボー
トエレベータ11aと、このボートエレベータ11aを
昇降移動するボールねじ装置11bとで構成されてい
る。この場合、ロードロック室10内は真空状態にする
必要がないため、ロードロック室10を構成するパネル
に高い剛性をもたせる必要がない。従って、移送機構1
1のボールねじ装置11bを自立式とせずにロードロッ
ク室10の壁に固定する構造であってもよい。また、ロ
ードロック室10内の保持体収容室側には、移送機構1
1のボートエレベータ11aと保持体収容室20の間で
ウエハボート7を搬送する搬送機構15が配置されてい
る。この搬送機構15は、ロードロック室10の外部に
設置される水平回転(旋回)及び昇降用の駆動部15a
と、ロードロック室10内に位置する駆動部15aの伝
達軸に連結され、ウエハボート7を保持する多間接アー
ム15bとで構成されている。尚、ロードロック室10
の上部に設けられた炉口部には、ロードロック室10と
プロセスチューブ1との開口部を開閉するオートシャッ
タ8が設けられている。
タ52を介して導入される清浄気体により大気雰囲気下
に設置されている。この搬出入室30内には、複数枚例
えば25枚のウエハWを収納するウエハキャリアCが内
部に納められたカセット収容容器53を設置する本発明
の特長とする前記カセット収容容器用ポート51が左右
2台配設されている(図4及び図5参照)。
明すると、この容器53は特開平1−222429号公
報や米国特許第4534389号公報等に開示されてい
るように1つのカセットCを収容し得る程度の大きさに
なされて下部が開口された容器本体54とこの開口部を
密閉可能に閉塞する容器底部55とにより主に構成さ
れ、内部にカセットCを収容した状態で大気圧に対して
陽圧になされた高いクリーン度の清浄空気或いは不活性
ガスが充填されている。このため、この容器底部55に
は清浄空気や不活性ガスを内部に導入するバルブ付きの
ガス導入路(図示せず)が形成されている。
ンジ部54AにOリング等のシール部材56を介して気
密に密閉可能に取り付けられる。この容器底部55の周
縁部の適宜箇所には外側へ出没可能になされたロックピ
ン57が設けられており、このロックピン57を容器底
部55の中央部に設けた回転リンク機構58に連結して
これを回転することにより容器本体54との接合離脱を
行い得るようになっている。このカセット収容容器53
としては、例えばSMIF−POD(商標)を用いるこ
とができる。
は、搬出入室30の側壁をこの内部へ凹部状にへこませ
るようにして成形されており、容器本体54を実際に載
置するポート載置台59には、容器本体54のフランジ
部54Aの内径よりも大きく且つその外径よりも小さく
なされたカセット挿通孔60が形成され、この挿通孔6
0には、周縁部をその外方へ下向き傾斜させてテーパ状
に形成することによりポート載置台59より下方向に着
脱可能とした容器底部載置台61が設けられる。この載
置台61の中央部には、上記容器底部55の回転リンク
機構60に係合する回転ピン62が設けられており、こ
れを回転することにより上記回転リンク機構60を作動
させてロックピン57を出没し得るようになっている。
も示すようにボールネジ63によって垂直方向(上下方
向)へ移動可能になされた垂直移動アーム64の先端に
取り付けられており、容器本体54を上方に残して容器
底部55とこの上面に載置されているカセットCのみを
沈み込ませて搬出入室30内に取り込むようになってい
る。
底部載置台61の下方に位置させて水平方向へ起倒して
屈曲可能になされた多関節アームよりなる水平移動アー
ム65が設けられており、その先端には常に水平状態に
なるように遊嵌状態で首振り可能になされたアーム補助
部材65Aが設けられ、その両端には開閉可能になされ
た爪部66が設けられている。水平移動アーム65を屈
曲させた状態でこの爪部66を開閉作動することにより
沈み込んだ上記カセットCの側壁を把持し得るようにな
っている。
用の多数のスリット67が形成されており、この上方に
設けたポート用HEPAフィルタ68から流下する清浄
空気のダウンフローをそのままスリット67を介してポ
ート51の下方へと導くようになっている。更には、ポ
ート51の入口には、この部分を開閉して作業エリアと
の連通・遮断を行うためのシャッタ機構69が設けられ
ている。
4の上部には把手部73が設けられており、例えばオペ
レータがこの把手部73を把持することによりこのカセ
ット収容容器全体を容易に持ち運べるようになってい
る。更に、カセット挿通孔60の周辺部のポート載置台
には起倒可能になされたカギ状の容器ホルダ74が複数
箇所設けられており、これを起倒させることにより容器
のフランジ部54Aのロック・アンロックを行い得るよ
うになっている。
容器用ポート51の直ぐ後側位置にキャリアトランスフ
ァ32がエレベータ33を介して昇降可能に設置されて
いる。このキャリアトランスファ33の後側にトランス
ファステージ34が設置されると共に、このトランスフ
ァステージ34の上方にキャリアストックステージ35
が設けられている。このキャリアストックステージ35
は、前記カセット収容容器用ポート51からキャリアト
ランスファ32により搬送されてくるウエハキャリアC
をそれぞれ横向きのまま2列4段に保管できる複数の棚
にて形成されている。
ウエハトランスファ36が移載用エレベータ37によっ
て昇降可能に支持されて設置されている。このウエハト
ランスファ36は、昇降しながら、トランスファステー
ジ34上のウエハキャリアC内のウエハWを1枚ずつ取
り出して、保持体収容室20内に収容されたウエハボー
ト7に収納保持させたり、その逆にウエハボート7から
ウエハWをトランスファステージ34上のウエハキャリ
アC内に戻す働きをなすように構成されている。
うに各キャリアトランスファの先端には、略同一水平面
上に配列された発光素子70Aと受光素子70Bよりな
る枚数カウンタとして例えば反射形のレーザビームセン
サ70が設けられており、キャリアトランスファ32の
上昇或いは降下時にウエハの縁部からの反射ビームを検
出することにより、そのカセット内のウエハの枚数情報
と位置情報とを検出し、これをウエハトランスファ36
における移載時のデータとして反映させるようになって
いる。尚、図7(B)は図7(A)中のB−B線矢視図
である。
リアストックステージ35に並設させて内部HEPAフ
ィルタ71が設けられており、この上方から導入したク
リーン度の高い清浄空気を水平方向及び下方向へ順次屈
曲させて前記ポート用HEPAフィルタ68を通過させ
た後、ポート51を通ってその下方へ流し、室内へ循環
させてワンスルーで排気するようになっている。尚、ワ
ンスルーではなくて一部を再循環させつつ排気を同時に
行うようにしてもよい。図中72は清浄空気を循環させ
る送風ファンである。
動作態様について説明する。最初に、既に搬出入室30
内へ収容されたウエハをロードロック室10を介してプ
ロセスチューブ1との間で搬送する場合について説明す
る。まず、保持体収容室20にウエハボート7を収容し
た状態で、保持体収容室20の搬出入側のフロントオー
トドア21を開いて保持体収容室20と搬出入室30と
を連通する(大気雰囲気)。この状態で、ウエハトラン
スファ36によってトランスファステージ34上のウエ
ハキャリアC内のウエハWを保持体収容室20内のウエ
ハボート7に収納して、所定枚数のウエハWがウエハボ
ート7に収納された後、フロントオートドア21を閉じ
て保持体収容室20内を密閉状態にする。そして、保持
体収容室20内を真空引きによって所定の真空圧状態に
したり、または、常圧でのN2 フロー,減圧でのN2 フ
ロー等によりウエハボート7及びウエハWを大気から完
全に遮断してウエハWへの自然酸化膜の形成を防止す
る。
定時間真空状態にした場合には、保持体収容室20内に
N2 ガスを導入して、常時N2 ガスが導入されているロ
ードロック室10と同雰囲気にした状態で、リアオート
ドア22を開く。そして、搬送機構15を駆動して保持
体収容室20内のウエハWを収納したウエハボート7を
ボートエレベータ11a上に移載保持させる。
て、ウエハボート7はプロセスチューブ1内に挿入さ
れ、ウエハボート7のフランジ7aがマニホールド2の
フランジ2aに当接してプロセスチューブ1内が密閉さ
れる。そして、排気管3を用いてプロセスチューブ1内
のN2 ガスを排出し、プロセスチューブ1内が真空度に
達した時点で、ガス導入管4により処理ガスを導入して
所望の処理を行う。
セスチューブ1内の処理ガスを排出し、プロセスチュー
ブ1内が所定の真空度に達した時点で、ガス導入管4に
よりN2 ガスを導入する。その後、N2 ガスの圧力がロ
ードロック室10のN2 ガスの圧力と同じになると、ウ
エハボート7を下降させ、上記搬入手順と逆の手順にて
処理済みのウエハWを取り出す。
0との間に保持体収容室20を配置して、搬出入室30
からプロセスチューブ1に搬入される未処理のウエハW
を保持体収容室20内に搬送して、大気と遮断される真
空雰囲気に晒すようにしたので、ウエハ表面への自然酸
化膜の形成は防止される。また、比較的小容量の保持体
収容室20内のみを真空状態にするので、ウエハWを短
時間で真空雰囲気下におくことができ、処理時間の短縮
が図られる。
30との間でウエハWの受け渡しを行う場合について説
明する。まず、前工程で処理されたウエハ或いは未処理
のウエハが例えば25枚収容することができるカセット
Cに収容された状態で、カセット収容容器53内に収納
されて、この状態でAGV或いはオペレータによりカセ
ット収容容器用ポート51のポート載置台59の所定の
位置にカセット収容容器53を載置する。この時、ポー
ト載置台59の容器ホルダ74を起こすことにより容器
本体のフランジ部54Aを強固に固定する。このカセッ
ト収容容器53内は予め例えばクラス1程度のかなり高
いクリーン度の清浄空気や或いは酸素レスとするために
N2 ガス等の不活性ガスが陽圧状態で充填されて周囲の
雰囲気から隔離されており、例えばクラス1000程度
の低いクリーン度の作業領域を搬送してきても、この雰
囲気にウエハWが晒されないようになっている。容器本
体54がポート載置台59側に固定されたならば、この
下方には設置した垂直移動アーム64を上昇させること
により容器底部載置台61をカセット収容容器53の容
器底部55に当接させると共に回転ピン62を回転する
ことによって容器底部55とそのフランジ部54Aとを
連結するロックピンを解除する。
とにより容器本体54を残したまま容器底部55とこの
上に載置されているカセットCとを沈み込ませてこれら
を搬出入室30内に取り込む。カセットCの取り込みが
完了したならば、次に水平移動フーム65を屈曲させる
ことにより先端の爪部66を取り込んだカセットCの上
方に位置させると共にこの爪部66を閉じることにより
カセットCの上部側面を把持する。そして、カセットを
把持した状態でこの水平移動アーム65を伸長させるこ
とによりカセットCを水平方向へ移動させて、これをエ
レベータ33により昇降移動するキャリアトランスファ
32上に移載することになる。尚、キャリアトランスフ
ァ32からウエハを装置外へ搬送する場合には上記した
手順と逆の操作を行えばよい。
リアCをキャリアトランスファ32に移載する直前に
は、このキャリアCの側方を上昇或いは降下するキャリ
アトランスファ32の先端に設けた枚数カウンタとして
のレーザセンサ70(図7参照)の発光素子70Aから
はレーザが発射されており、ウエハ端面からのレーザ反
射光を受光素子70Bが検知することによりこのキャリ
ア内のウエハの枚数情報及び位置情報が得られ、ここで
得られた情報は後段のウエハトランスファ36によりウ
エハをウエハボート7に移載する時に参照されて反映さ
れることになる。また、枚数情報と位置情報がとられた
カセットは、次に上昇或いは降下してくるキャリアトラ
ンスファ32に移載されることになる。
収容容器用ポート51を設けてここに内部雰囲気が高い
クリーン度に維持されて外部雰囲気と隔離されたカセッ
ト収容容器53を載置してウエハWの搬入・搬出を行う
ようにしたので、この装置の外側であってオペレータ等
が作業する作業領域Sのクリーン度を、ウエハを剥出し
状態で搬送していた従来の装置の場合と比較してそれ程
高くしなくて済む。例えば、従来装置にあっては作業領
域Sのクリーン度を1にしてウエハ搬送時のパーティク
ルの付着を防止しなければならなかったが、本実施例に
よればカセット収容容器53内の雰囲気のみをクリーン
度1にすれば良く、作業領域Sの雰囲気はこれよりも低
いクリーン度、例えばクリーン度1000程度に設定す
れば良い。従って、作業領域Sの雰囲気のクリーン度を
低く設定することができるので、その分、クリーンルー
ムの製造コストを削減させることができ、大幅なコスト
ダウンを図ることができる。
は大気圧(搬出入室内の圧力)に対して陽圧になされて
いるので容器内にクリーン度の低い雰囲気が侵入するこ
ともない。尚、上記の場合、搬出入室30、ロードロッ
ク室10内の雰囲気は、カセット収容容器53と同程度
のクリーン度が保たれている。
すようにその上方より取り込んだ清浄空気を内部で循環
させている。特に、カセット収容容器用ポート51の部
分にあっては、その上方に設けたポート用HEPAフィ
ルタ68を通過した清浄空気をポート載置台59に設け
たスリット67を介してそのまま下方へ流すことにより
清浄空気のダウンフローが生ぜしめられており、気流の
乱れがなく外部から侵入したパーティクルを効果的に排
除することができる。特に、この場合、ポート51の開
口部をシャッタ機構69によりこの内部を作業領域Sか
ら区画することにより、ポート内部のクリーン度を一層
高く維持することができる。
セットCを搬出入室30内に取り込んだ時にはウエハは
剥出しになるが、この場合にもこの上方に位置するスリ
ット67を流下するダウンフローにウエハは晒されてパ
ーティクルは効果的に排除されることになる。この場
合、可動部を有する水平移動アーム65は、上記容器底
部載置台61の下方に位置されるので、この可動部より
発生するパーティクルも上記ダウンフローによってその
まま下方に押し流されてしまうので、気流の乱れによっ
てパーティクルが舞い上がってウエハに付着することな
どをなくすことができる。
よれば、水平移動アーム65を、容器底部載置台61の
下方ではなくその側方に配置するような構成も採用する
こともできるが、この場合にはその水平移動アームから
発生したパーティクルが浮遊してウエハに付着する虞れ
が僅かに生ずる点及び水平移動アームを側方に配置する
ことから搬出入室30の前面区画壁がその分作業領域S
側に迫出ることになるためにクリーンルーム内の占有ス
ペースを余分に必要とする点を考慮すると前述した構成
の方が好ましい。
の構造はこれに限定されず、カセットを収容し得る密閉
構造の容器であればどのようなものでも良い。また、カ
セット収容容器からキャリアCを搬出入させる垂直移動
アーム64及び水平移動アーム65の構造もカセットを
搬出入し得るならばどのような構造を採用しても良い。
ガスの消費量の削減や操作時間の短縮を目的とした保持
体収容室20を設けた装置を例にとって説明したが、こ
れを設けない装置、例えば図9に示す従来型装置に本発
明を適用してもよい。また、本発明は、縦型CVD装
置、酸化拡散装置のみならず、半導体ウエハ以外のも
の、例えばガラス基板、LCD基板等の処理装置にも適
用することができる。
によれば、次のように優れた作用効果を発揮することが
できる。被処理体の収容されたカセットを納めたカセッ
ト収容容器を設置するためのカセット収容容器用ポート
を搬出入室に設けて作業領域の雰囲気に晒すことなく被
処理体を搬出入させるようにしたので、処理装置の外側
の作業領域の雰囲気のクリーン度を搬出入室内の雰囲気
のクリーン度程高くする必要がない。従って、クリーン
ルーム内の作業領域のクリーン度を低くした状態でクリ
ーンルームを形成できるので、クリーンルームの製造コ
ストを大幅に削減することができる。
る。
示す図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 被処理体に所定の処理を施す処理室と、
この処理室に対して前記被処理体を収容した保持体を挿
脱する移送機構を有するロードロック室と、このロード
ロック室に対して、カセット内に収容されている被処理
体を搬出入する搬出入室とを具備する処理装置におい
て、前記搬出入室は、外部との間で前記カセットを搬出
入するために、内部が清浄空気或いは不活性ガスにより
充填されて密閉可能になされた搬送可能なカセット収容
容器を設置するためのカセット収容容器用ポートを備え
たことを特徴とする処理装置。 - 【請求項2】 前記カセット収容容器用ポートには、清
浄空気のダウンフローを通過させるスリットが形成され
ており、前記ポートの下方に位置する前記カセットを清
浄空気のダウンフローに晒すように構成したことを特徴
とする請求項1記載の処理装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6419482B1 (en) | 1999-07-14 | 2002-07-16 | Kazunari Sakata | Opening and closing apparatus of an opening and closing lid of a box accommodating an object to be processed and a processing system of an object to be processed |
JP2009007075A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Dainippon Printing Co Ltd | 板状物保管移送装置および板状物保管移送方法 |
Families Citing this family (4)
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TW522482B (en) * | 2000-08-23 | 2003-03-01 | Tokyo Electron Ltd | Vertical heat treatment system, method for controlling vertical heat treatment system, and method for transferring object to be treated |
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---|---|---|---|---|
US5254170A (en) * | 1989-08-07 | 1993-10-19 | Asm Vt, Inc. | Enhanced vertical thermal reactor system |
US5766360A (en) * | 1992-03-27 | 1998-06-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
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- 1994-06-06 SG SG1996004460A patent/SG47806A1/en unknown
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6419482B1 (en) | 1999-07-14 | 2002-07-16 | Kazunari Sakata | Opening and closing apparatus of an opening and closing lid of a box accommodating an object to be processed and a processing system of an object to be processed |
JP2009007075A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Dainippon Printing Co Ltd | 板状物保管移送装置および板状物保管移送方法 |
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GB2284706B (en) | 1997-07-09 |
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GB9411291D0 (en) | 1994-07-27 |
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