JP3372581B2 - 処理装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】本発明は、例えば半導体デバイスの製造工
程等において利用される、処理装置及び処理方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】例えば、半導体プロセスにおいては、半
導体ウエハへの酸化膜の形成や、熱ＣＶＤ法による薄膜
形成や、熱拡散法による高不純物濃度領域の形成などの
を行う、各種の処理装置が使用されている。

【０００３】これら各種処理装置に適用されるものとし
て、従来の横型のものから、最近では縦型の熱処理装置
が多く採用されて来ている。以下この縦型熱処理装置を
例にあげて説明する。

【０００４】この縦型熱処理装置は、箱体状の装置本体
内に、被処理物としての半導体ウエハに所定の処理を施
す処理室と、この処理室に対し下方から半導体ウエハを
挿脱するローディング機構を備えたローディングエリア
と、半導体ウエハを収納したキャリアの装置本体内への
搬入出用エリア（Ｉ／Ｏエリア）と、このキャリアを一
時的に受ける移載用ステージと、この移載用ステージの
キャリア内の半導体ウエハを前記ローディングエリアの
ローディング機構に移載する移載機（ウエハトランスフ
ァ）とを備えてなる構成である。

【０００５】前記処理室にはヒーターを備えた縦長状の
石英製プロセス容器（加熱炉）が下向きに開口可能に設
置されている。この処理室の真下にローディングエリア
があり、ここにローディング機構としてのウエハボート
とボートエレベータが設置されている。

【０００６】こうした縦型熱処理装置では、多数枚の半
導体ウエハを整列収納したキャリアを装置本体の搬入出
用エリアに入れると、このキャリアがキャリアトランス
ファなどにより移載用ステージ上に載せられる。この移
載ステージ上のキャリア内の半導体ウエハを、移載機が
一枚ずつ又は５枚ずつローディングエリアのウエハボー
トに移載して多段状態に収納保持させる。この状態のま
まウエハボートをボートエレベータにより上昇させて半
導体ウエハをプロセス容器内に搬入し、そのプロセス容
器内を密封して所定の処理ガス雰囲気に置換しながら加
熱することにより、該半導体ウエハに所要の処理を施
す。

【０００７】その処理済みの半導体ウエハは、ウエハボ
ートと一緒にボートエレベータによりプロセス容器内か
ら下降して真下のローディングエリアに引き出し、そこ
から移載機により移載用ステージ上のキャリア内に戻
し、そのキャリアごと搬入出用エリアから装置本体外に
取り出したり、或いは連接された次の工程の処理装置に
移送する。

【０００８】こうした縦型熱処理装置での処理作業にお
いて、ローディングエリアから半導体ウエハをウエハボ
ートと共に上昇させてプロセス容器内へ挿入するとき
や、その処理後にプロセス容器内から下降させて引き出
すとき、その途中炉口付近でもかなりの高温度雰囲気状
態にあることから、そこに大気が存在すると、この大気
中のＯ₂ によって半導体ウエハ表面に自然酸化膜が形成
されてしまう問題がある。このために、そうしたロード
／アンロード時は、例えばＮ₂ ガス等の不活性ガス雰囲
気（非酸素雰囲気）下で行うべく、装置本体内、特にロ
ーディングエリアを大気と隔離したクローズドシステム
構造として、ガス給排手段によりＮ₂ ガス雰囲気に置換
・維持することが望まれている。

【０００９】しかも、その装置本体内のガス雰囲気は外
部からの大気の侵入を阻止すべく常に陽圧に保持しなけ
ればならないこと、半導体ウエハ処理作業を繰り返し行
うために装置本体内のガス雰囲気中にカーボン等のガス
状不純物が発生したり、オイルミストやごみなどの粒子
状不純物（パーティクル）が発生し、それら不純物が半
導体ウエハに付着したり化学反応（ケミカルコンタミネ
ーション）を起こして、半導体素子の特性や歩留まりの
悪化の原因となる。また、その同時に処理室からの熱気
の放出や、高温に加熱された処理済み半導体ウエハから
の輻射熱等により、ローディングエリア内のＮ₂ ガス雰
囲気が異常に昇温することなどから、パージガスとして
清浄な不活性ガスを装置本体内に常時導入する一方、そ
の装置本体内の不活性ガスを不純物と一緒に絶えず外部
に排出して、該装置本体内の不活性ガス雰囲気を陽圧で
高純度に維持することが望まれている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
ようなクローズドシステム構造の縦型熱処理装置とした
場合、装置本体内をＮ₂ ガス等の不活性ガス雰囲気に置
換・維持すると共に異常昇温を防止するには、大量の不
活性ガスを消費する問題がある。

【００１１】つまり、この種の装置本体は幅並びに奥行
き寸法が１メートル程度で高さが２メートル程度の大型
箱状をなしているので、この内部を最初に大気から不活
性ガスに置換するときには、不活性ガスを大量に導入す
る必要があると共に、十分なガス置換までに長い時間が
必要で、処理作業の能率低下を招く。いきおい、真空ポ
ンプにより真空引きしてから不活性ガスを導入する手法
を取ると、装置本体のハウジングパネル構造を、負圧に
負けない気密性・肉厚高剛性のものとする必要があり、
制作コストの高騰を招く。

【００１２】また、この大型な装置本体内の不活性ガス
雰囲気を陽圧で高純度に維持すると共に異常昇温を防止
するには、パージガスとして清浄な不活性ガスを常時多
量に導入する一方、その装置本体内の不活性ガスを不純
物と一緒に絶えず外部に排出してなければならず、不活
性ガスの消費量が多大となり、経費がかさみ不経済であ
る。

【００１３】本発明は、前記事情に鑑みなされたもの
で、不活性ガスの消費量が少なくて済み、しかも被処理
物の処理作業を繰り返し行っても、ローディングエリア
を陽圧で高純度の不活性ガス雰囲気に維持できると共
に、異常昇温を防止でき、被処理物の処理室へのロード
／アンロード時の自然酸化膜の発生や、被処理物への不
純物の付着や化学反応を抑制するのに大いに役立つ、非
常に経済的で高性能な処理装置及び処理方法を提供する
ことを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明に係わる処理装置
は、装置本体内に隔壁によって被処理物に所定の処理を
施す処理室、この処理室に被処理物を挿脱するローディ
ング機構を備えたローディングエリア及び被処理物を収
納するキャリアを支持する密閉されたパスボックスを有
するキャリア搬入出用エリアを区画構成すると共に、こ
のローディングエリア内を陽圧の不活性ガス雰囲気に置
換・維持する第１のガス給排手段及び前記パスボックス
内を不活性ガス雰囲気に置換する第２のガス給排手段を
備え、前記第１のガス給排手段は、前記ローディングエ
リア内の不活性ガスを導出して再度ローディングエリア
内に戻すガス循環経路と、このガス循環経路に、送風機
と、不活性ガスを浄化するガスフィルタと、不活性ガス
を冷却する冷却器とを備えたガス循環冷却浄化システム
を設け、前記第２のガス給排手段は、前記パスボックス
内にキャリアの側方からキャリア内の被処理物相互間に
水平流として不活性ガスを噴射する噴射器を設け、 さら
に、前記ローディングエリア内の前記処理室との境界部
に、前記処理室に対して被処理物を挿脱する際に、前記
不活性ガスの吹き出し風速より速い風速の不活性ガスを
被処理物の真横からその全幅に亘って吹き出し、被処理
物相互間の不純物や熱気を追い出すガスシャワー機構を
設けたことを特徴とする。

【００１５】

【００１６】

【作用】前記構成の処理装置であれば、装置本体内に区
画構成されたローディングエリアは比較的狭いので、ガ
ス給排手段からの比較的少ないガス供給量で大気から不
活性ガスに楽に置換可能となると共に、この置換後も、
ガス給排手段により不活性ガスを少量ずつ導入すること
で、該ローディングエリア内を陽圧の不活性ガス雰囲気
に維持可能となる。

【００１７】しかも、被処理物の処理作業を繰り返し行
っても、ローディングエリア内の不活性ガスは、ガス循
環冷却浄化システムのガス循環経路に送風機により導出
され、ガスフィルタにより浄化されると共に冷却器によ
り冷却されて、再度ローディングエリア内に戻されるの
で、ローディングエリア内を陽圧で高純度の不活性ガス
雰囲気に維持できると共に、異常昇温を防止できるよう
になり、全体的に不活性ガスの消費量が少なくて済み、
経費の節減が可能となると共に、被処理物の処理室への
ロード／アンロード時の自然酸化膜の発生や、被処理物
への不純物の付着や化学反応を抑制するのに大いに役立
つようになる。また、前記処理室に対して被処理物を挿
脱する際に、前記不活性ガスの吹き出し風速より速い風
速の不活性ガスを被処理物の真横からその全幅に亘って
吹き出すガスシャワー機構を設けることにより、被処理
物相互間の不純物や熱気を確実に追い出すことができ
る。さらに，本発明は，多段に，かつ水平に保持された
多数枚の被処理物を処理室に搬入し、被処理物に所定の
熱処理を施した後，被処理物をローディングエリアに搬
出し，所定温度の不活性ガスを前記被処理物に対して水
平層流状態に供給することを特徴とする。従って，被処
理物相互間の不純物や熱気が不活性ガスによって追い出
されるように除去される。

【００１８】

【実施例】以下、本発明に係わる処理装置を縦型熱処理
装置に適用した一実施例について図面を参照しながら説
明する。なお、図１は本実施例に係わる縦型熱処理装置
の構成を示す縦断面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿う縦
断面図、図３は同装置の横断面図、図４は図３のＢ−Ｂ
線に沿う断面図、図５は制御システムを示す概略図であ
る。この縦型熱処理装置は、被処理物としての半導体ウ
エハに絶縁膜を生成する酸化装置或いはＣＶＤ装置とし
て利用されるものである。

【００１９】まず、図１乃至図３に示す如く、本実施例
に係わる縦型熱処理装置は装置本体１を有する。この装
置本体１はハウジングパネル１ａを用いた幅１メ−トル
奥行き寸法が２メートル程度で高さが３メートル程度の
大型箱状をなす構造で、この前面部を工場内のクリーン
ルーム２に臨ませ、その他大部分を隔壁３により隔絶さ
れたメンテナンスルーム４内に納まるように設置されて
いる。

【００２０】この装置本体１内の後部略上半部には、被
処理物としての薄いディスク状の半導体ウエハ５に所定
の処理を施す処理室１０が隔壁１１，１２により区画構
成されていると共に、この処理室１０の丁度真下にロー
ディングエリア１３が隔壁１２，１４により気密性を持
つ状態に区画構成され、更に、装置本体１内の前側略半
分に複数枚例えば２５枚の半導体ウエハ５を並列状態に
収納保持したキャリア６の搬入出用エリア（Ｉ／Ｏエリ
ア）１５が隔壁１１，１４により前記処理室１０並びに
ローディングエリア１３と隔絶して区画構成されてい
る。

【００２１】また、その搬入出用エリア１５とローディ
ングエリア１３を仕切る隔壁１４の一部に嵌め込むよう
にして気密性を持つ小形のパスボックス１６がスタンド
１７を介し適当高さに支持されている。このパスボック
ス１６内に移載用ステージ１８が上下２段に配設され、
それぞれの上面に前記キャリア６を一個ずつ受け入れら
れるようになっている。

【００２２】更に各部の詳細を述べると、まず装置本体
１の前面パネル部には、複数枚の半導体ウエハ５を収納
したキャリア６を搬入出用エリア１５内に搬入したり逆
に取り出したりするための、前面扉２０が自動的に縦に
開閉するように設けられている。

【００２３】その内側の搬入出用エリア１５内には、キ
ャリア６を搭載できるＩ／Ｏポートとしての姿勢変換機
構２１が２台左右に配設されている。これら姿勢変換機
構２１は、この上面に載せられた上向き状態（半導体ウ
エハ５が立って保持された状態）のキャリア６を９０度
転換して横向きにしたり、逆に横向き状態から上向きに
したりする働きをなす構成である。

【００２４】また、搬入出用エリア１５内には、姿勢変
換機構２１の直ぐ後側位置にキャリアトランスファ２２
がエレベータ２３を介し昇降可能に設置されていると共
に、この後側で前記パスボックス１６の上方位置に、キ
ャリアストックステージ２４が設けられている。これは
前記姿勢変換機構２１からキャリアトランスファ２２に
より搬送されて来るキャリア６をそれぞれ横向きのまま
２列４段に保管できる複数の棚２４ａを有している。

【００２５】こうした搬入出用エリア１５内雰囲気は大
気であるが、ここで各キャリア６内の半導体ウエハ５の
主面のパーティクル（微小粒子）等の付着ダストをクリ
ーンエアにより出来るだけ除去するために、まず、該搬
入出用エリア１５内のキャリアストックステージ２４裏
面と隔壁１１との間にフィルタ並びにファンを内蔵した
縦長の第１のフィルタユニット２５が設置されている。
この第１のフィルタユニット２５は、上端に前記装置本
体１の天板部に開口するクリーンエア吸引口２５ａを有
し、ここからメンテナンスルーム４内のクリーンエアを
吸い込んで、フィルタを介し前記キャリアストックステ
ージ２４のキャリア６内の水平状態の半導体ウエハ５に
向けてサイドフローできる。このサイドフローを助ける
ために多数の孔を形成した整流板２６がキャリアストッ
クステージ２４の前面側に垂直に設置されている。

【００２６】また、その整流板２６の前側下端寄りにフ
ィルタとファンを内蔵した第２のフィルタユニット２７
が設置され、これで前記第１のフィルタユニット２５か
ら整流板２６を通して来たクリーンエアを再度清浄化し
ながら、真下の左右の姿勢変換機構２１上のキャリア６
内の垂直状態の半導体ウエハ５に向けてダウンフローで
きるようになっている。

【００２７】更に、その真下である装置本体１の床プレ
ートにスノコ状の排出口２８が形成されて、前記第２の
フィルタユニット２７から下流したクリーンエアを装置
本体１外のメンテナンスルーム４に放出するようになっ
ている。

【００２８】前記移載用ステージ１８を上下２段に配し
たパスボックス１６は、小型（小容量）の縦長箱状で、
この搬入出用エリア１５側面とローディングエリア１３
側面とにそれぞれオートドア３１，３２を備えている。
これらオートドア３１，３２は各々独自の開閉駆動部を
備え、交互に開閉して搬入出用エリア１５とローディン
グエリア１３と連通／遮断可能となっている。その搬入
出用エリア１５側のオートドア３１が開くことで、前記
キャリアトランスファ２２によりキャリア６が上下２段
の移載用ステージ１８上に一個ずつ搬入されたり、逆に
搬出される。

【００２９】一方、前記処理室１０内には縦型のプロセ
ス容器４１が設置されている。このプロセス容器４１は
例えば石英等によって形成されたプロセスチューブなど
と称される加熱炉で、断面逆Ｕ字形容器、即ち上端閉塞
の縦型略円筒形状をなす。このプロセス容器４１の外周
を取り囲むようにヒータ４２が設けられ、更にその周囲
には冷却パイプや断熱材等を組み込んだ保護カバー４３
が被せられている。

【００３０】また、このプロセス容器４１の開口下端に
はマニホールド４４が接続して設けられている。このマ
ニホールド４４は上下フランジ付き矩形円筒体状のもの
で、図１に示すように、この周壁部に前記プロセス容器
４１内のガスを排気するオートダンパー４５ａ付き排気
管４５が接続され、この先端が装置本体１外に導出され
て工場排気装置４６（図５参照）に接続されている。ま
た、そのマニホールド４４を介してプロセス容器４１内
に新たなガスを導入するガス導入管５６が設けられてい
る。このガス導入管５６は先端が装置本体１外に導出さ
れ、図５に示す如く自動切替えバルブ４７を介し所定の
プロセスガス（処理ガス）供給装置４８と不活性ガス装
置４９とに接続されて、交互にプロセスガスと不活性ガ
ス（この実施例では例えばＮ₂ ガス）をプロセス容器４
１内に導入できるようになっている。

【００３１】更に、前記プロセス容器４１下部のマニホ
ールド４４の周囲には、前記隔壁１２とこの下面に固定
した角皿状のケース５１ａとにより、環状室状のスカベ
ンジャー５１が構成され、このスカベンジャー５１内か
らプロセス容器４１下部周囲に滞留する熱や不要ガスを
常時排出する熱排気管５２が導出され、この先端が装置
本体１外に導出されて工場排気装置４６（図５参照）に
接続されている。また、この熱排気管５２の途中にはオ
ートダンパー５４ａ付き分岐管５４が処理室１０内に位
置して設けられている。

【００３２】なお、そのスカベンジャー５１のケース５
１ａ底面中央部が前記マニホールド４４下端と連通する
状態に開口されてプロセス容器４１の炉口４１ａを構成
している。この炉口４１ａを下面側からＯリングを介し
気密状態に閉塞するオートシャッター５５が前記ローデ
ィングエリア１３内に設置されている。このオートシャ
ッター５５は開閉駆動部５５ａにより上下動と横方向の
回動を行って炉口４１ａを開閉する。

【００３３】前記ローディングエリア１３内には前記処
理室１０のプロセス容器４１内に半導体ウエハ５を挿脱
するローディング機構としてのウエハボート６１とボー
トエレベータ６２とが設置されている。このウエハボー
ト６１は石英製の縦長やぐら状のもので、多数枚の半導
体ウェハ５をそれぞれ水平状態で上下に間隔を存して多
段に収納保持する構成である。

【００３４】このウエハボート６１がボートエレベータ
６２により前記プロセス容器４１の炉口４１ａの丁度真
下に垂直状態に支持されている。このウエハボート６１
が多数枚の半導体ウエハ５を収納した状態で、前記シャ
ッター５５の開放に伴い、ボートエレベータ６２により
上昇してプロセス容器４１内に挿入されたり、逆にプロ
セス容器４１内から下降して引き出されたりする。な
お、このウエハボート６１が上昇してプロセス容器４１
内に挿入されたとき、このウエハボート６１下部のフラ
ンジ６１ａが炉口４１ａを前記オートシャッター５５に
代わって閉塞してプロセス容器４１内を密閉状態にでき
る。

【００３５】また、ローディングエリア１３内のウエハ
ボート６１とパスボックス１６との間には、移載機（ウ
エハトランスファ）６３が移載用エレベータ６４に昇降
可能に支持されて設置されている。この移載機６３は昇
降しながら、前記パスボックス１６内の上下２段の移載
用ステージ１８上のキャリア６内の半導体ウエハ５を一
枚ずつ取り出して、ローディングエリア１３のウエハボ
ート６１に収納保持させたり、その逆にウエハボート６
１から半導体ウエハ５を移載用ステージ１８上のキャリ
ア６内に戻したりする働きをなす。

【００３６】ここで、前記装置本体１内に隔壁１２、１
４により区画されたローディングエリア１３内を陽圧の
不活性ガス雰囲気に置換・維持するために、第１のガス
給排手段としてのガス導入管７１と排気管７２とが備え
られている。

【００３７】そのガス導入管７１は、後述するガス循環
冷却浄化システムとして装置本体１の床下に設置された
ガス循環経路８１途中の送風ファン８２の一次側（吸い
込み側）に接続して設けられている。このガス導入管７
１は装置本体１外に導出され、図５に示す如く流量調整
バルブ７３並びにレギュレータ７４を介し不活性ガス供
給装置４９に接続されて、不活性ガスとしてＮ₂ ガスを
前記ガス循環経路８１を介しローディングエリア１３内
に導入できるようになっている。排気管７２はローディ
ングエリア１３内の下流側から導出され、途中にオート
ダンパー７２ａを備えて、前述した工場排気装置４６に
接続されている。

【００３８】ローディングエリア１３内の初期置換時に
は、そのオートダンパー７２ａが開いて、工場排気装置
４６によりローディングエリア１３内の排気を行うと共
に、Ｎ₂ ガスを２００〜４００リットル／min 程度で導
入する。その置換後の定常時は、Ｎ₂ ガス導入量を５０
リットル／min 程度に絞り、排気管７２のオートダンパ
ー７２ａは閉じて、ローディングエリア１３の隙間排気
或いは圧力調整ダンパーにより該ローディングエリア１
３内を適度な陽圧のＮ₂ ガス雰囲気に維持するようにな
っている。なお、その隙間排気による漏れガスは前記ス
カベンジャー５１の熱排気管５２のオートダンパー５４
ａ付き分岐管５４から工場排気される。

【００３９】前記ガス循環冷却浄化システムは、半導体
ウエハ５の処理作業を繰り返し行っても、ローディング
エリア１３内のＮ₂ ガス雰囲気を高純度に維持すると共
に異常な温度上昇を防止する。このシステム構成とし
て、まずローディングエリア１３内のＮ₂ ガスを一度系
外に取り出し、それを浄化・冷却した後に再びローディ
ングエリア１３内に還流させるガス循環経路８１が前記
装置本体１の床下に設けられ、この途中に送風機８２が
設置されていると共に、その送風機８２の二次側にガス
フィルタとしてのケミカル用フィルタ８３が設置され、
更にその二次側にガス冷却器８４が設置されている。な
お、そのケミカル用フィルタ８３はガス状不純物（水分
・酸素・炭化水素・その他）を吸収するジルコニア等の
金属ゲッターを用途に応じ交換可能に内蔵したガス浄化
器である。また、ガス冷却器８４は通水可能な冷却パイ
プに放熱フィンを設けたラジエータタイプのもので、二
次側吹き出しガス温度が５０℃以下となるような冷却能
力を有する。

【００４０】こうしたガス循環経路８１からのＮ₂ ガス
を受け入れてローディングエリア１３内に吹き出すガス
フィルタとしてのパーティクル用フィルタ８５が該ロー
ディングエリア１３内の一側面部に設けられている。こ
のパーティクル用フィルタ８５は、縦置き形のＵＬＰＡ
グレードのアブソリュートフィルタで、Ｎ₂ ガス中の微
粒子状不純物（ごみ等のパーティクル）をろ過捕集する
と共に、そのＮ₂ ガスをローディングエリア１３内に一
側方から水平層流状態に吹き出す。また、そのＮ₂ ガス
の水平層流状態をより確実なものにするために、ローデ
ィングエリア１３内の他側面に多数の孔を形成した整流
板８６がフィルタ８５と対向するように垂直に設けら
れ、この整流板８６を通してこの裏面空間８７からＮ₂
ガスが前記ガス循環経路８１に吸引導通されて行くよう
になっている。

【００４１】また、前記ローディングエリア１３内上部
にはガスシャワー機構９１が設けられている。このガス
シャワー機構９１は、図５に示す如くバルブ９２並びに
レギュレータ７３を介し不活性ガス供給装置４９に接続
されたガス導入管９４と、このガス導入管９４先端に接
続して前記スカベンジャー５１のケース５１ａ下面にブ
ラケット９５を介し固定された特殊ノズル９６を備えて
なる。

【００４２】その特殊ノズル９６は、偏平で、且つ直径
２００mmウエハ全域をカバーできる幅寸法と、出来るだ
けランディング（助走）距離を長くした形状で、前記ウ
エハボート６１をプロセス容器４１に挿脱（ロード／ア
ンロード）するとき、Ｎ₂ ガスを５０〜１００リットル
／min で前記プロセス容器４１の炉口４１ａの下側近傍
に真横から水平流にして且つ前記ＵＬＰＡフィルタ８５
からの吹き出し水平層流風より早い風速（０．７５ｍ／
sec ）で吹き出し、このＮ₂ シャワーにより該ウエハボ
ート６１に多段に配して保持されている半導体ウエハ５
相互間のＯ₂ 等の不純物や熱気を追い出すようになって
いる。

【００４３】前記パスボックス１６には該ボックス内を
不活性ガスに置換する第２のガス給排手段としてのガス
導入管１０１と噴射器１０２と排気管１０３とが備えら
れている。そのガス導入管１０１は図５に示す如くバル
ブ１０４並びにレギュレータ９３を介し不活性ガス供給
装置４９に接続されおり、この先端が図４に示す如く上
方からパスボックス１６内の噴射器１０２に接続されて
いる。その噴射器１０２によりパスボックス１６内にこ
の一側方から常時５０リットル／min のＮ₂ ガスを導入
噴射できる一方、これと対向する他側に前記排気管１０
３が接続され、この排気管１０３がオートダンパー１０
３ａを介し工場排気装置４６に接続されて、パスボック
ス１６内のガスを押し流す状態で常時排気できるように
なっている。

【００４４】この噴射器１０２は、パスボックス１６内
の一側寄りに上端から下端近傍までに亘り垂設したパイ
プ状のインジェクターで、周面に上下に間隔を存して多
数の小孔を穿設しており、この各小孔からＮ₂ ガスをパ
スボックス１６内の上下各段の移載用ステージ１８上空
間に一側方から水平流として導入噴射する。そのインジ
ェクターによるＮ₂ ガス吹き出し速度は０．７５ｍ／se
c が可能とされており、移載用ステージ１８上のキャリ
ア６が横に寝た状態で両側面に多数のスリットを有して
いることから、これらスリットを介しＮ₂ ガスが該キャ
リア６内を半導体ウエハ５の主面と平行する向き（水平
向き）で一側方から他側方に流れ抜けて、該半導体ウエ
ハ５相互間のＯ₂ 等の不純物を追い出すようになってい
る。

【００４５】また、図５に示す如く、前記ローディング
エリア１３内とパスボックス１６内との酸素濃度検知手
段としてのガス導通配管１１１と１１２とが設けられ、
これらが共通の一個の酸素濃度計（Ｏ₂ センサー）１１
３に接続されている。この酸素濃度計１１３は三方切替
えバルブとガス導出ポンプを内蔵したもので、前記ロー
ディングエリア１３内とパスボックス１６内との酸素濃
度が２０PPm 以下か否かを測定するようになっている。

【００４６】また、その酸素濃度計１１３からの信号
と、前記ローディングエリア１３内に気圧を測定する圧
力センサー１１４からの信号とを受けるコントローラ１
１５が設けられている。このコントローラ１１５からの
制御指令でもって、前記オートダンパー４５ａ，５４
ａ，７２ａ，１０３ａと、バルブ４７，７３，９２，１
０４と、前面扉２０及びオートドア３１，３２並びにオ
ートシャッター５５と、キャリアトランスファ２２及び
移載機６３と、ボートエレベータ６２等の各稼働部がそ
れぞれ自動的にシーケンス制御されるようになってい
る。

【００４７】このような構成の縦型熱処理装置の作用を
述べると、まず、装置本体１内に区画構成されたローデ
ィングエリア１３は比較的狭いので、初期置換時には、
第１のガス給排手段としての排気管７２のオートダンパ
ー７２ａが開いて、工場排気装置４６によりローディン
グエリア１３内の排気を行うと共に、ガス導入管７１か
らＮ₂ ガスを４００リットル／min 程度で導入する。こ
うした比較的少ないＮ₂ ガス供給量で大気から不活性ガ
スに楽に置換可能となる。

【００４８】その置換後の定常時は、ガス導入管７１か
らのＮ₂ ガス導入量を５０リットル／min 程度の少量に
絞り、排気管７２のオートダンパー７２ａは閉じて、ロ
ーディングエリア１３の隙間排気或いは圧力調整ダンパ
ーにより該ローディングエリア１３内を適度な陽圧（ク
リーンルーム２内とメンテナンスルーム４内との差圧が
０．６〜０．７mmＨ₂ Ｏの時に、クリーンルーム２の気
圧より０．２mmＨ₂ Ｏ程高い０．９mmＨ₂ Ｏ程度）のＮ
₂ ガス雰囲気に維持する。なお、その隙間排気による漏
れガスはスカベンジャー５１の熱排気管５２のオートダ
ンパー５４ａ付き分岐管５４から常時工場排気される。

【００４９】一方、移載用ステージ１８を囲むパスボッ
クス１６には、第２のガス給排手段としてのガス導入管
１０１から噴射器１０２を介し常時５０リットル／min
のＮ₂ ガスを一側方から水平流で噴射導入し、他側方の
排気管１０３から押し出すように排気する。こうするこ
とで、該パスボックス１６内は容量が小さいので、非常
に少ないＮ₂ ガス供給量で大気から不活性ガスに素早く
置換される。

【００５０】こうした状態で、まず、前面扉２０が自動
的に開き、外部から多数枚の半導体ウエハ５を収納した
キャリア６を搬入出用エリア１５内Ｉ／Ｏポートとして
の左右の姿勢変換機構２１にそれぞれ搬入搭載する。こ
れら姿勢変換機構２１がキャリア６を上向き状態から９
０度転換して横向きにし、これをキャリアトランスファ
２２が次々と受け取って、エレベータ２３を介し昇降し
ながら、一度上方のキャリアストックステージ２４に搬
送する。この状態で各キャリア６内の半導体ウエハ５の
主面のパーティクル（微小粒子）等の付着ダストをクリ
ーンエアにより除去する。

【００５１】こうした後に、タイミングを図って、前記
パスボックス１６の搬入出用エリア１５側のオートドア
３１が開き、キャリアトランスファ２２がキャリアスト
ックステージ２４からキャリア６を運んで該パスボック
ス１６内の上下各段の移載ステージ１８上に搬入する。
この作業時、一時的にパスボックス１６内に大気が入る
が、その後はオートドア３１が閉じてパスボックス１６
内を密閉状態とすることで、前述の如くガス導入管１０
１から噴射器１０２を介し供給されるＮ₂ ガスで短時間
で大気を追い出して不活性ガスに置換される。

【００５２】この際、第２のガス給排手段の噴射器１０
２であるインジェクターは、多数の小孔からＮ₂ ガスを
パスボックス１６内の上下各段の移載用ステージ１８上
空間に一側方から早い流速の水平流として導入噴射して
いるので、そのパスボックス１６内の各移載用ステージ
１８上に横に寝た状態のキャリア６の両側面の多数のス
リットを介し、該Ｎ₂ ガスが半導体ウエハ５の主面と平
行する向き（水平向き）で一側方から他側方に流れ抜け
て、ここでも該半導体ウエハ５相互間のＯ₂ 等の不純物
を追い出すようにして除去する。

【００５３】こうしてパスボックス１６内がＮ₂ ガス雰
囲気に置換された後、そのローディングエリア１３側の
オートドア３２が開き、そのパスボックス１６内の上下
各段の移載ステージ１８上のキャリア６内の半導体ウエ
ハ５を移載機６３が一枚ずつ取りだして、ローディング
機構のウエハボート６１に移載する。この作業中、パス
ボックス１６内がＮ₂ ガス雰囲気に置換されているの
で、ローディングエリア１３内に大気等が侵入する心配
がない。

【００５４】このローディングエリア１３内のウエハボ
ート６１に移載された多数枚の半導体ウエハ５は、オー
トシャッター５５が開き、ボートエレベータ６２により
ウエハボート６１ととも共に上昇せしめられて処理室１
０のプロセス容器４１内に挿入される。そして、下部フ
ランジ６１ａで炉口４１ａを閉じた状態で、プロセス容
器４１内のＮ₂ ガス雰囲気が排気管４５により排気され
ると共に、ガス導入管５６からプロセスガスがプロセス
容器４１内に導入されて、ヒーター４２の加熱により半
導体ウエハ５に所要の処理が施される。

【００５５】その処理後は、プロセス容器４１内のプロ
セスガスを排気管４５より排気すると共に、ガス導入管
５６からＮ₂ ガスを供給して、該プロセス容器４１内を
ローディングエリア１３内と同じＮ₂ ガス雰囲気に置換
する。こうしてからボートエレベータ６２により下降し
てウエハボート６１と共に処理済み半導体ウエハ５をロ
ーディングエリア１３内に引き戻す。その時点で再びオ
ートドア３２が開き、移載機６３が稼働してウエハボー
ト６１内の処理済み半導体ウエハ５を取り出してパスボ
ックス１６内の上下各段の移載ステージ１８上のキャリ
ア６内に戻す。そして、ローディングエリア１３側のオ
ートドア３２が閉じ、この反対のオートドア３１が開
き、キャリアトランスファ２２が稼働して該キャリア６
を取り出して一度上方のキャリアストックステージ２４
に搬送する。

【００５６】その後は、搬入出用エリア１５の前面扉２
０が開き、再びキャリアトランスファ２２が稼働して、
キャリアストックステージ２４のキャリア６を次々左右
の姿勢変換機構２１に受け渡し、これらが上向き状態に
９０度転換する。これで該処理済み半導体ウエハ５を収
納したキャリア６を外部に取り出せるようになる。

【００５７】こうすることで、半導体ウエハ５の搬入出
の際にローディングエリア１３内に大気が侵入して来る
ことがなくなり、全体的に不活性ガスの消費量が少なく
て済み、経費の節減が可能となると共に、ローディング
エリア１３内を陽圧で高純度の不活性ガス雰囲気に維持
できて、半導体ウエハ５のプロセス容器４１内へのロー
ド／アンロード時の自然酸化膜の発生や、半導体ウエハ
５への不純物の付着や化学反応を抑制するのに大に役立
つようになる。

【００５８】こうした半導体ウエハ処理作業を繰り返し
行っていると、特にウエハボート６１のプロセス容器４
１への挿脱（（ロード／アンロード）時、ローディング
エリア１３内のＮ₂ ガス雰囲気中にカーボン等のガス状
不純物が発生したり、オイルミストやごみなどの粒子状
不純物（パーティクル）が発生し、それら不純物が半導
体ウエハに付着したり化学反応（ケミカルコンタミネー
ション）を起こして、半導体素子の特性や歩留まりの悪
化の原因となる。また、同時に炉口４１ａの開放による
プロセス容器４１内からの熱気の放出や、高温（１００
０℃程度）に加熱された処理済み半導体ウエハ５からの
輻射熱等により、ローディングエリア１３内のＮ₂ ガス
雰囲気が異常に昇温する。

【００５９】こうしたことから、パージガスとして清浄
なＮ₂ ガスを前述の如くガス導入管７１から常時供給し
続ける一方、ガス循環冷却浄化システムが絶えず稼働
し、そのローディングエリア１３内のＮ₂ ガスを不純物
と一緒に送風機８２の作用により整流板８６を介し一度
ガス循環経路８１に導通し、これをケミカル用フィルタ
（ガス浄化器）８３によりガス状不純物（水分・酸素・
炭化水素・その他）を吸収しすると共に、そのＮ₂ ガス
をガス冷却器８４に通して５０℃以下となるように冷却
する。更にＵＬＰＡグレードのアブソリュートタイプの
パーティクル用フィルタ８５によりＮ₂ ガス中の微粒子
状不純物（ごみ等のパーティクル）をろ過捕集すると共
に、そのＮ₂ ガスをローディングエリア１３内に一側方
から水平層流状態に吹き出して還流させている。

【００６０】これで、該ローディングエリア１３内のＮ
₂ ガス雰囲気が高純度に維持されると共に、異常な温度
上昇が防止される。しかもそのフィルタ８５からＮ₂ ガ
スがローディングエリア１３内に一側方から水平層流
（ラミナーフロー）状態に吹き出されるので、ローディ
ングエリア１３内においても、ウエハボート６１に多段
に配して水平に保持された多数枚の半導体ウエハ５相互
間のＯ₂ 等の不純物が追い出すようにして除去されるよ
うになる。

【００６１】さらに、ウエハボート６１のプロセス容器
４１への挿脱（ロード／アンロード）時、ガスシャワー
機構９１が稼働し、スカベンジャー５１の下面の特殊ノ
ズル９６からＮ₂ ガスが高速で炉口４１ａの下側近傍に
真横から水平流にして吹き出され、このＮ₂ シャワーに
より該ウエハボート６１に多段に配して水平に保持され
ている半導体ウエハ５相互間のＯ₂ 等の不純物や熱気が
追い出されるようになる。

【００６２】なお、前述の実施例の処理装置は、被処理
物として半導体ウエハ５に絶縁膜を生成する酸化装置或
いはＣＶＤ装置として利用されるものとしたが、被処理
物の種類や処理の種類は特に限定されるものではなく、
他の種の処理を行う処理装置であってもよいことはもち
ろんである。これら処理の種類に応じて前述のＮ₂ ガス
以外の不活性ガスを供給するようにしても良い。

【００６３】

【発明の効果】本発明の処理装置は、前述の如く構成し
たので、不活性ガスの消費量が少なくて済み、しかも被
処理物の処理作業を繰り返し行っても、ローディングエ
リアを陽圧で高純度の不活性ガス雰囲気に維持できる共
に、異常昇温を防止でき、被処理物の処理室へのロード
／アンロード時の自然酸化膜の発生や、被処理物への不
純物の付着や化学反応を抑制するのに大いに役立ち、非
常に経済的で高性能化が図れる。さらに、前記処理室に
対して被処理物を挿脱する際に、前記不活性ガスの吹き
出し風速より速い風速の不活性ガスを被処理物の真横か
らその全幅に亘って吹き出すガスシャワー機構を設ける
ことにより、被処理物相互間の不純物や熱気を確実に追
い出すことができる。さらに、パスボックス内にキャリ
アの側方からキャリア内の被処理物相互間に水平流とし
て不活性ガスを噴射する噴射器を設けることにより、こ
こでも被処理物相互間の不純物を追い出すことができる
とともに、ローディング機構によって被処理物をローデ
ィングエリアに移載する際に、パスボックス内が不活性
ガス雰囲気に置換されているので、ローディングエリア
内に大気が侵入することはないという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係わる縦型熱処理装置の構
成を示す断面図。

【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う縦断面図。

【図３】同装置の横断面図。

【図４】図３のＢ−Ｂ線に沿う断面図。

【図５】制御システムを示す概略図。

【符号の説明】

１…装置本体、５…被処理物（半導体ウエハ）、１０…
処理室（４１…プロセス容器）、１３…ローディングエ
リア、６１，６２…ローディング機構（６１…ウエハボ
ート、６２…ボートエレベータ）、７１，７２…ガス給
排手段（７１…ガス導入管、７２…ガス排気管）、８１
〜８５…ガス循環冷却浄化システム（８１…ガス循環経
路、８２…送風機、８３，８５…ガスフィルタ、８４…
冷却器。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−269825（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−25926（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−185313（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−86122（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−280626（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−206826（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−174436（ＪＰ，Ｕ) 実開 平３−99433（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/22 H01L 21/205 H01L 21/31

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 装置本体内に隔壁によって被処理物に所
   定の処理を施す処理室、この処理室に被処理物を挿脱す
   るローディング機構を備えたローディングエリア及び被
   処理物を収納するキャリアを支持する密閉されたパスボ
   ックスを有するキャリア搬入出用エリアを区画構成する
   と共に、このローディングエリア内を陽圧の不活性ガス
   雰囲気に置換・維持する第１のガス給排手段及び前記パ
   スボックス内を不活性ガス雰囲気に置換する第２のガス
   給排手段を備え、 前記第１のガス給排手段は、 前記ローディングエリア内
   の不活性ガスを導出して再度ローディングエリア内に戻
   すガス循環経路と、このガス循環経路に、送風機と、不
   活性ガスを浄化するガスフィルタと、不活性ガスを冷却
   する冷却器とを備えたガス循環冷却浄化システムを設
   け、前記第２のガス給排手段は、前記パスボックス内にキャ
   リアの側方からキャリア内の被処理物相互間に水平流と
   して不活性ガスを噴射する噴射器を設け、 さらに、前記ローディングエリア内の前記処理室との境
   界部に、 前記処理室に対して被処理物を挿脱する際に、
   前記不活性ガスの吹き出し風速より速い風速の不活性ガ
   スを被処理物の真横からその全幅に亘って吹き出し、被
   処理物相互間の不純物や熱気を追い出すガスシャワー機
   構を設けたことを特徴とする処理装置。
2. 【請求項２】 前記ローディングエリア内の酸素濃度を
   検知する酸素濃度計を備えたことを特徴とする請求項１
   記載の処理装置。
3. 【請求項３】 前記ローディングエリア内の気圧を測定
   する圧力センサーを備えたことを特徴とする請求項１記
   載の処理装置。