TWI392050B - 電漿處理裝置 - Google Patents
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Description
本發明係關於利用電漿以處理基板的電漿處理裝置。
自以往，就將矽晶圓等基板成膜處理或蝕刻處理者而言，使用利用例如微波的電漿處理裝置、或在上部電極與下部電極間附加高頻電壓以於處理室內產生電漿的電漿處理裝置。如以上之電漿處理裝置中，在設於處理容器內之載置台的頂面上，已知在複數處設置有用以定位基板周緣的突起(參照專利文獻1)。
【專利文獻1】日本特開2000-260851號公報
如以上之電漿處理裝置中，人們使用例如靜電吸盤以於載置台頂面吸附基板。如此使用靜電吸盤以於載置台頂面吸附基板時，為防止基板背面之損傷等，吸附時對基板背面成為密接之載置台頂面盡可能為平滑的形狀，係屬較佳。然而，載置台頂面設有基板定位用的突起時，該等突起造成妨礙，而難以將載置台頂面研磨處理，且變得不易將載置台頂面加工成平滑的形狀，為其問題點。
另一方面，也可考慮在研磨處理而加工成平滑之形狀的載置台頂面放置導環，使基板載置到該導環之內側，藉此將基板定位的方法。但是，以導環圍繞基板周緣時，處理時基板周緣部之溫度因導環的影響而下降，例如進行成膜處理時，基板周緣部之成膜速率變低，產生其另一個問題。
本發明之目的為：提供電漿處理裝置，可將載置台頂面輕易加工成平滑之形狀，也可防止基板周緣部之溫度下降。
為達成上述目的，依本發明，提供一種電漿處理裝置，藉由使所供應至處理容器內之處理氣體電漿化，以於該處理容器內處理基板；其特徵為：該處理容器內設有於頂面載置基板的載置台；於該載置台之頂面，用以定位基板周緣之定位銷在複數處突出；且該定位銷插入形成於該載置台之頂面的凹部。
該電漿處理裝置中，定位銷可輕易從形成於載置台頂面之凹部拆卸。因此，可於已拆卸定位銷之狀態下，將載置台頂面加工成平滑的形狀。又，由於載置台頂面所載置的基板之周緣附近僅存在定位銷，因此也可防止基板周緣部之溫度下降。
該電漿處理裝置中，該載置台可具有用以吸附載置於頂面之基板的靜電吸盤用的電極。
又，從上觀察的狀態下，該定位銷之面積總和可不大於從該載置台之頂面所載置基板的周緣距離周圍15mm之區域面積的5%。
又，該定位銷之上部周面可形成越往上變越細的推拔形狀。此時，該定位銷之下部周面形成圓筒形狀，位在該上部周面及該下部周面之邊界的角部可設於比該載置台之頂面較低的位置。
又，也可將該凹部之內周面上端形成曲面。又，也可於該載置台之頂面形成複數組該凹部，俾於因應大小不同的複數基板。
又，依本發明，提供一種電漿處理裝置，藉由使所供應至處理容器內之處理氣體電漿化，以於該處理容器內處理基板；其特徵為：該處理容器內設有於頂面載置基板的載置台；於該載置台之頂面的周緣部，從該載置台之頂面所載置基板的周緣離開而配置的環構件以可任意拆卸之方式載置；於該環構件之內周，用以定位基板周緣之定位部在複數處突出。
該載置台可具有用以吸附載置於頂面之基板的靜電吸盤用的電極。又，從上觀察的狀態下，該定位部之面積總和可不大於從該載置台之頂面所載置基板的周緣距離周圍15mm之區域面積的5%。
依本發明，可於已拆卸定位銷或環構件之狀態下，將載置台頂面進行研磨處理，並且可將吸附時對基板背面成為密接之載置台頂面輕易加工成平滑的形狀。又，於載置台頂面載置基板而進行處理時，由於基板之周緣附近僅存在定位銷或定位部，因此也可防止基板周緣部之溫度下降。
以下，說明本發明之最佳實施態。又，本專利說明書及圖式中，針對實質上具有相同功能結構的結構要素，附加相同符號以省略重複之說明。
圖1係包含依本發明之實施形態之電漿處理裝置5的電漿處理系統1之俯視圖。該電漿處理系統1由下列部分構成：將作為基板之晶圓W與電漿處理系統1之間送入送出的送入送出部2；接鄰送入送出部2而設置的2個真空預備室3；各別接鄰各真空預備室3而設置的輸送室4；配置於輸送室4之周圍的複數個電漿處理裝置5。各電漿處理裝置5及輸送室4之間，設有閘閥6。
輸送室4設有輸送裝置10，該輸送裝置10用以在真空預備室3及各電漿處理裝置5間送入送出晶圓W。輸送裝置10具有用以支撐晶圓W的一對輸送臂11。輸送室4之內部可真空抽吸。亦即，藉由使輸送室4內成為真空狀態，可將從真空預備室3取出之晶圓W輸送到各電漿處理裝置5，並可將從各電漿處理裝置5送出之晶圓W送回真空預備室3。因此，將各電漿處理裝置5內維持於真空的狀態下，可送入送出晶圓W。
於送入送出部2，有基板匣盒15接鄰而配置；由送入送出部2從該基板匣盒15取出的晶圓W被傳遞到真空預備室3。又，由送入送出部2從真空預備室3取出的晶圓W被送回基板匣盒15。送入送出部2之側方設有進行晶圓W之定位的對準機構16。
圖2係顯示依本發明之實施形態的電漿處理裝置5之概略結構的縱剖面圖。圖3係該電漿處理裝置5包含之載置台21的俯視圖。
該電漿處理裝置5包含由例如鋁構成之上部形成開口的有底圓筒形狀的處理容器20。如後述，於該處理容器20內部，對晶圓W進行電漿處理；且處理容器20電接地。
處理容器20內之底部設有圓筒形狀的載置台(基座)21，將晶圓W載置於頂面。載置台21由例如氮化鋁(AlN，aluminum nitride)構成，其內部設有加熱器等之溫度調節機構22。以該溫度調節機構22，可將載置台21上的晶圓W調溫到既定溫度。
載置台21內建有靜電吸盤(ESC，Electrostatic Chuck)用之電極23。於載置台21頂面載置晶圓W時，對電極23施加電壓，使晶圓W及載置台21間產生正˙負電荷，俾於精度良好地進行溫度調節機構22所為之溫度調節。另外，因在晶圓W及載置台21間作用之J-R力(Johnsen-Rahbek force)，晶圓W牢固地吸附於載置台21頂面。
如上述，為使晶圓W背面整體密接載置台21頂面而載置，吸附時對晶圓W背面成為密接之載置台21頂面盡可能為平滑的形狀，係屬較佳。因此，載置台21頂面以研磨處理加工處理成平滑的形狀。
於載置台21頂面，複數個定位銷25從載置台21頂面突出上方而設置。此例中，3個定位銷25設於載置台21頂面。任一個定位銷25皆形成略圓柱形狀，並藉由插入形成於載置台21頂面之圓柱形狀的凹部26，於載置台21頂面固持在既定處。
如圖4所示，定位銷25之上部周面25a形成越往上變越細的推拔形狀，定位銷25之下部周面25b形成直徑一定的圓筒形狀。上部周面25a之傾斜角度(從水平之傾斜角度)例如為45～80°。形成於載置台21頂面之凹部26的內周面26a形成圓筒形狀，具有比定位銷25之下部周面25b的直徑較大的一定直徑。定位銷25藉由下半部插入凹部26，以固持於載置台21頂面；但由於定位銷25之下部周面25b的直徑比凹部26之內周面26a的直徑較小，因此定位銷25可從凹部26往上方拔出而輕易從載置台21頂面拆卸。
於定位銷25周面，位在上部周面25a及下部周面25b之邊界的角部25c設於比載置台21頂面較低的位置。
載置台21下方設有升降機構29，使放置於載置台21上的晶圓W適當升降。升降機構29中，任意突出於載置台21頂面之3根升降銷30垂直安裝在平板31頂面。升降機構29之平板31在貫通容器20底部之支柱部32的上端受支撐。支柱部32之下端裝有配置於處理容器20外部的升降裝置33。藉由該升降裝置33之運轉，貫通載置台21之3根升降銷30升降，將升降銷30之上端從載置台21頂面突出上方的狀態、與升降銷30之上端縮進載置台21內部的狀態作切換。
以升降機構29之3根升降銷30，將放在輸送臂11而送入載置台21上方的晶圓W從輸送臂11往上方舉升，藉此晶圓W由升降銷30承接。然後，輸送臂11退出後，升降銷30下降，藉此將晶圓W載置於載置台21頂面。
另外，升降銷30下降而載置晶圓W於載置台21頂面時，伴隨升降銷30之下降，晶圓W周緣由形成堆拔形狀之定位銷25的上部周面25a所導引，晶圓W被定位於載置台21頂面之中央而載置。
又，如此一來進行晶圓W之定位時，因晶圓W周緣抵接定位銷25之上部周面25a，故有定位銷25被往橫向推而於凹部26內傾斜之虞。如上述，由於位在定位銷25周面的角部25c設於比載置台21頂面較低的位置，因此如此定位銷25於凹部26內傾斜時，如圖5所示，定位銷25周面之角部25c成為抵接凹部26之內周面26a的狀態。此狀態下，即使定位銷25於凹部26內傾斜時，凹部26上端及載置台21頂面的角部21’也不抵接定位銷25之周面，而防止定位銷25的損傷。
處理容器20之上部開口透過用以確保氣密性之O型環等，設置由例如介電材料之石英構件構成的透射窗35。透射窗35為略圓盤形狀。又，不使用石英構件，也可使用其他介電材料，例如Al2
O3
、AlN等陶瓷。
透射窗35上方設有平面狀之天線構件，例如圓板狀之輻射狀槽孔天線(RLSA，radial line slot antenna)36。RLSA36由以帶有導電性之材質，如Ag、Au等所電鍍或塗佈之銅的較薄圓板構成。於RLSA36，使微波透射之多數狹縫呈例如漩渦狀或同心圓狀排列而形成。
RLSA36頂面配置用以縮短微波之波長的慢波板37。慢波板37由導電性之蓋部38覆蓋。蓋部38設有圓環狀之熱媒流道39，以流過此熱媒流道39之熱媒，將蓋部38及透射窗35維持在既定溫度。
蓋部38中央連接同軸導波管40。此同軸導波管40由內側導體41及外管42構成。內側導體41與上述RLSA36連接。內側導體41之RLSA36側形成圓錐形，以對RLSA36有效率地傳播微波。
於微波供應裝置45產生之例如2.45GHz的微波經由矩形導波管46、模式轉換器47、同軸導波管40、慢波板37、RLSA36，輻射到透射窗35。然後，藉由此時之微波能量在透射窗35背面形成電場，於處理容器20內產生電漿。
於處理容器20內，載置台21上部設有上噴淋板50及下噴淋板51，作為氣體供應機構。該等上噴淋板50及下噴淋板51由例如石英管等構成之中空管材構成。雖並未圖示，於上噴淋板50及下噴淋板51中，用以對載置台21上之晶圓W供應氣體的複數個開口部分布而設置。
於上噴淋板50，配置在處理容器20外部之產生電漿氣體供應源55透過配管56而連接。產生電漿氣體供應源55儲存有例如氮、Ar、氧等，作為產生電漿用的氣體。將產生電漿氣體從該產生電漿氣體供應源55，經由配管56導入上噴淋板50內，於處理容器20內均勻分散之狀態下，供應產生電漿氣體。
於下噴淋板51，配置在處理容器20外部之處理氣體供應源60透過配管61而連接。處理氣體供應源60儲存有例如四乙氧基矽烷(TEOS，tetra ethoxy silane)等，作為處理氣體。將處理氣體從該處理氣體供應源60，經由配管61導入下噴淋板51內，於處理容器20內均勻分散之狀態下，供應處理氣體。
處理容器20底部連接有排氣管66，供作以真空泵等之排氣裝置65將處理容器20內的環境排氣。
接著，說明如以上構成之電漿處理系統1的作用。又，電漿處理之一例，說明使用Ar、氧作為產生電漿氣體，使用TEOS作為處理氣體，而在晶圓W表面(頂面)將絕緣膜(SiO2
膜)成膜之例。
首先，於送入送出部2，將從基板匣盒15取出之晶圓W以對準機構16進行對位後，傳遞到真空預備室3。然後，於真空預備室3內及輸送室4內維持在真空的狀態下，以輸送裝置10之輸送臂11從真空預備室3內取出晶圓W，將晶圓W送入電漿處理裝置5。
晶圓W放置在輸送臂11上面之狀態下，被送入電漿處理裝置5的處理容器20內，而移動到載置台21上方。然後，藉由升降裝置33運轉，升降機構29之3根升降銷30上升，將輸送臂11所支撐的晶圓W向上頂，而往輸送臂11之上方舉升。如此一來，將晶圓W傳遞至升降機構29之3根升降銷30後，輸送臂11從載置台21上方退出，並回到輸送室4內。其後，輸送臂11退出後，藉由升降裝置33運轉，3根升降銷30下降，晶圓W被載置於載置台21頂面。
如上述載置晶圓W於載置台21頂面時，伴隨升降銷30之下降，晶圓W周緣被導引到形成堆拔形狀之定位銷25的上部周面25a，晶圓W被定位於載置台21頂面之中央而載置。此時，如前面於圖5說明，晶圓W周緣抵接定位銷25之上部周面25a，故有定位銷25被往橫向推而於凹部26內傾斜之虞。然而，由於位在定位銷25周面的角部25c設於比載置台21頂面較低的位置，因此凹部26上端及載置台21頂面的角部21，不抵接定位銷25之周面，而防止定位銷25的損傷。
於此狀態下，載置晶圓W於載置台21上時，處理容器20內為密閉狀態，從排氣管66進行排氣以將處理容器20內減壓。並且，從上噴淋板50供應產生電漿氣體(Ar、氧)到處理容器20內，從下噴淋板51供應電漿成膜用之處理氣體(TEOS)到處理容器20內。然後，藉由微波供應裝置45之作動，於透射窗35背面產生電場，將該產生電漿氣體電漿化，進而將處理氣體電漿化，而以此時產生的活性物質在晶圓W上進行成膜處理。
又，電漿處理中，對內建於載置台21之電極23施加電壓，而晶圓W被牢固地吸附於載置台21頂面。另外，藉由如此使晶圓W背面整體密接載置台21頂面，以精度良好地進行溫度調節機構22所為之溫度調節。
然後，進行既定時間之成膜處理後，停止微波供應裝置45的作動、及對處理容器20內的處理氣體供應。其後，藉由升降機構29之升降裝置33運轉，3根升降銷30上升，將載置於載置台21頂面之晶圓W往載置台21上方舉升。然後，將輸送裝置10之輸送臂11送入處理容器20內，輸送臂11進入載置台21上方。
其後，輸送臂11進入載置台21上方後，藉由升降裝置33運轉，3根升降銷30下降。因此，晶圓W成為放在輸送臂11的狀態。然後，將放在輸送臂11之晶圓W從電漿處理裝置5送出，送回真空預備室3。如此一來，送回真空預備室3之晶圓W透過送入送出部2，被送回基板匣盒15。
該電漿處理系統1中，從設在電漿處理裝置5之處理容器20內的載置台21頂面，可將定位銷25往上方拔出而輕易拆卸。因此，可於已拆卸定位銷25之狀態下，將載置台21頂面進行研磨處理，並可將吸附時密接晶圓W背面之載置台21頂面輕易加工成平滑的形狀。又，於載置台21頂面載置晶圓W而進行電漿處理時，由於晶圓W周緣附近僅存在定位銷25，因此也可防止晶圓W周緣部之溫度下降。其結果，可達到電漿處理效率提高，生產率提高。
在此，如圖6所示，針對於載置台21頂面載置放置習知的導環70時，載置台21、導環70及透射窗35間的熱移動進行探討。令載置台21之溫度為T21
，透射窗35之溫度為T35
，導環70之溫度為T70
時，依據於平衡狀態下，從載置台21流往導環70的熱、與從導環70流往透射窗35的熱將相等，下式(1)成立。
σ(T21 4
-T70 4
)/(1/ε 70
+1/ε 21
-1)=σ(T70 4
-T35 4
)/(1/ε 35
+1/ε 70
-1)....(1)
在此，各符號為：σ：斯特藩-玻茲曼常數(Stefan-Boltzmann constant)、ε 21
：載置台21之輻射率、ε 35
：透射窗35之輻射率、ε 70
：導環70之輻射率。
舉例而言，載置台21之材質為AlN(ε 21
=0.9)，透射窗35之材質為石英(ε 35
=0.9)，導環70之材質為氧化鋁(ε 70
=0.9)時，如令載置台21之溫度T21
為380℃，透射窗35之溫度T35
為200℃而計算，導環70之溫度T70
約成為310℃，與載置台21產生70℃左右的溫度差。
如上述與載置於載置台21頂面之晶圓W的周緣密接而配置導環70時，因載置台21及導環70產生70℃左右的溫度差，故晶圓W周緣部之溫度下降，對電漿處理造成不良影響。例如、若以使用Ar/C5
F8
作為處理氣體之CFx的成膜電漿處理為例，由於成膜前驅物對於物體溫度較低者容易沉積在物體表面，因此高溫物體及低溫物體中，較低溫物體表面者於氣相中之成膜前驅物較早被物體表面吸收而氣相密度變低。晶圓W周緣部之溫度下降時，於晶圓W周緣部附近成膜前驅物減少。
圖7係對於以靜電吸盤使晶圓W密接載置台21頂面而幾乎消除晶圓W及載置台21之溫度差的條件下，將導環70密接晶圓W周緣而配置的情況、以及將導環70與晶圓W周緣隔開15mm而配置的情況，比較於晶圓W周緣部之成膜速率的圖表。又，以使用Ar/C5
F8
作為處理氣體之CFx的成膜電漿處理進行比較。
依本發明人之見解，從以上觀察的情形可知，若定位銷25之面積總和不大於從載置台21頂面所載置之晶圓W的周緣距離周圍15mm之區域面積的5%，可防止周緣部之溫度下降而使晶圓W整體的溫度平均，並可以平均的比率在晶圓W表面整體成膜。
接下來，如圖8所示，針對插入形成於載置台21頂面之凹部26的定位銷25的溫度，進行探討。例如定位銷25之材質為氧化鋁時，定位銷25與凹部26之內面相對的面積(埋設表面積)及定位銷25突出載置台21頂面的面積(突出表面積)之比(埋設表面積/突出表面積)與定位銷25之溫度的關係，如圖9所示。定位銷25之材質為氧化鋁時，若使埋設表面積/突出表面積在5以上，能使載置台21及定位銷25的溫度差不大於20℃，可滿足要求之規格。又，定位銷25之材質為高電阻Si時，由於高電阻Si之輻射率比氧化鋁小，因此若使埋設表面積/突出表面積在2以上，能使載置台21及定位銷25的溫度差不大於20℃。
以上，說明本發明之最佳實施形態的一例，但本發明不限定於在此所提示之形態。很明顯地，只要是熟悉本技藝者，在記載於申請專利範圍的思想範圍內可思及各種之變形例或修正例，該等變形例或修正例，當然也屬於本發明之技術性範圍。
如圖5中所說明，進行晶圓W之定位時，因晶圓W周緣抵接定位銷25之上部周面25a，故有定位銷25被往橫向推而於凹部26內傾斜之虞。因此，如圖10所示，若將凹部26之內周面上端形成曲面即可。藉此，可更確實地防止定位銷25的損傷。
又，也可於載置台21頂面形成複數組凹部26，俾於能因應大小不同的複數晶圓W。如圖11所示，將用以定位8吋晶圓W’之凹部26’，於載置台21頂面呈同心圓狀配置在中心側；將用以定位12吋晶圓W”之凹部26”，於載置台21頂面呈同心圓狀配置在外側。此時，若將定位銷25插入內側之凹部26’，可定位8吋晶圓W’；若將定位銷25插入外側之凹部26”，可定位12吋晶圓W”。
又，以上說明於載置台21頂面以3個定位銷25導引晶圓W周緣之例；但定位銷25的數目可任意定之，也可使用4個以上之定位銷25導引晶圓W周緣。
圖12顯示使用內周具有複數個定位部80之環構件81，以將載置於載置台21頂面之晶圓W的周緣定位的實施形態。圖13係圖12中之X-X剖面圖。
環構件81外周設有環繞載置台21之周面上方的蓋部82。該環構件81能以可任意脫附之方式放置在形成平面的載置台21頂面，此時，藉由於載置台21之周面上方罩上蓋部82，可於載置台21頂面經常在一定位置安裝環構件81。環構件81內周於複數處設有定位部80，該等定位部80用以將載置於載置台21頂面之晶圓W的周緣定位。又，圖示之例中，3處設有定位部80。此時，從上觀察的狀態下，定位部80之面積總和不大於從載置台21頂面所載置之晶圓W的周緣距離周圍20mm之區域面積的5%。
藉由使用此種設在環構件81內周之定位部80，同樣可定位晶圓W周緣。又，環構件81可輕易從載置台21頂面拆卸。因此，可於已拆卸環構件81之狀態下，將載置台21之頂面進行研磨處理，且將吸附時密合於晶圓W底面之載置台21之頂面輕易加工成平滑的形狀。又，於載置台21頂面載置晶圓W而進行電漿處理時，由於晶圓W周緣附近僅存在定位部80，因此也可防止晶圓W周緣部之溫度下降。其結果，可達到電漿處理效率提高，生產率提高。
又，以上之實施形態中，以使用微波之電漿處理為例進行說明；但不限於此，使用高頻電壓之電漿處理亦可適用本發明，係屬當然。又，以上之實施形態中，將本發明適用於進行成膜處理的電漿處理；但本發明亦可適用於成膜處理以外之基板處理，例如進行蝕刻處理的電漿處理。另外，以本發明之電漿處理所處理的基板可為半導體晶圓、有機電致發光(Organic electro-luminescent)基板、平面顯示器(FPD，Flat Panel Display)用的基板等的其中之一。
本發明可適用於在處理容器內產生電漿之以處理基板的電漿處理。
1．．．電漿處理系統
2．．．送入送出部
3．．．真空預備室
4．．．輸送室
5．．．電漿處理裝置
6．．．閘閥
10．．．輸送裝置
11．．．輸送臂
15．．．基板匣盒
16．．．對準機構
20．．．處理容器
21．．．載置台
21’．．．角部
22．．．溫度調節機構
23．．．電極
25．．．定位銷
25a．．．上部周面
25b．．．下部周面
25c．．．角部
26．．．凹部
26’．．．定位8吋晶圓之凹部
26”．．．定位12吋晶圓之凹部
26a．．．內周面
29．．．升降機構
30．．．升降銷
31．．．平板
32．．．支柱部
33．．．升降裝置
35．．．透射窗
36．．．輻射狀槽孔天線
37．．．慢波板
38．．．蓋部
39．．．熱媒流道
40．．．同軸導波管
41．．．內側導體
42．．．外管
45‧‧‧微波供應裝置
46‧‧‧矩形導波管
47‧‧‧模式轉換器
50‧‧‧上噴淋板
51‧‧‧下噴淋板
55‧‧‧產生電漿氣體供應源
56、61‧‧‧配管
60‧‧‧處理氣體供應源
65‧‧‧排氣裝置
66‧‧‧排氣管
70‧‧‧導環
80‧‧‧定位部
81‧‧‧環構件
82‧‧‧蓋部
W‧‧‧晶圓
W’‧‧‧8吋晶圓
W”‧‧‧12吋晶圓
圖1係電漿處理系統的說明圖。
圖2係顯示依本發明之實施形態的電漿處理裝置之概略結構的縱剖面圖。
圖3係載置台的俯視圖。
圖4係凹部及定位銷的說明圖。
圖5係於凹部內傾斜之狀態之定位銷的說明圖。
圖6係載置台、導環及透射窗間之熱移動的說明圖。
圖7係對於將導環密接晶圓周緣而配置的情況、及將導環與晶圓周緣隔開15mm而配置的情況，比較於晶圓周緣部之成膜速率的圖表。
圖8係載置台、定位銷及透射窗間之熱移動的說明圖。
圖9係顯示面積比(埋設表面積/突出表面積)及定位銷溫度之關係的圖表。
圖10係依凹部之內周面上端形成曲面之實施形態的凹部及定位銷的說明圖。
圖11係依載置台頂面形成有複數組凹部之實施形態的載置台的俯視圖。
圖12係使用內周具有複數個定位部之環構件以定位晶圓周緣之實施形態的說明圖。
圖13係圖12中之X-X剖面圖。
5．．．電漿處理裝置
20．．．處理容器
21．．．載置台
22．．．溫度調節機構
23．．．電極
25．．．定位銷
26．．．凹部
29．．．升降機構
30．．．升降銷
31．．．平板
32．．．支柱部
33．．．升降裝置
35．．．透射窗
36．．．輻射狀槽孔天線
37．．．慢波板
38．．．蓋部
39．．．熱媒流道
40．．．同軸導波管
41．．．內側導體
42．．．外管
45．．．微波供應裝置
46．．．矩形導波管
47．．．模式轉換器
50．．．上噴淋板
51．．．下噴淋板
55．．．產生電漿氣體供應源
56、61．．．配管
60．．．處理氣體供應源
65．．．排氣裝置
66．．．排氣管
W．．．晶圓
Claims (5)
- 一種電漿處理裝置，藉由使所供應至處理容器內之處理氣體電漿化，以於該處理容器內處理基板；其特徵為：該處理容器內設有於頂面載置基板的載置台；於該載置台之頂面，用以定位基板周緣之定位銷在複數處突出；該定位銷插入形成於該載置台之頂面的凹部；該定位銷之上部周面形成越往上變越細的推拔形狀；該定位銷之下部周面形成圓筒形狀；形成於該載置台之頂面的凹部的內周面，形成具有比該定位銷之下部周面的直徑更大之一定直徑的圓筒形狀；位在該上部周面及該下部周面之邊界的角部設於比該載置台之頂面更低的位置；且當該定位銷於該凹部內傾斜時，該凹部之上端及該載置台之頂面的角部不會與該定位銷抵接。
- 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，該載置台具有用以吸附載置於頂面之基板的靜電吸盤用的電極。
- 如申請專利範圍第1或2項之電漿處理裝置，其中，從上觀察的狀態下，該定位銷之面積總和不大於從該載置台之頂面所載置基板的周緣距離周圍15mm之區域面積的5%。
- 如申請專利範圍第1或2項之電漿處理裝置，其中，該凹部之內周面上端形成曲面。
- 如申請專利範圍第1或2項之電漿處理裝置，其中，於該載置台之頂面形成複數組該凹部，俾於因應大小不同的複數基板。
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|---|---|---|---|
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