JP6192773B1 - 金属表面改質装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】チタン製のインプラントの電子ビームによる表面改質を高効率に行なうようにする。【解決手段】金属表面改質装置は、チタン製のインプラントの被照射体8を収容する真空チャンバ1と、被照射体8を移動させる移動装置2と、被照射体8を載置するテーブル10と、大面積照射が可能な電子銃5Aと、各被照射体8を同時に任意の方向に所定の角度傾斜するように被照射体8を設置する被照射体設置装置6と、を含んでなる。被照射体設置装置6は、テーブル10の上に固定され被照射体8を保持する保持冶具7の底部位7Aの曲面形状と相対する曲面を有する複数の収容穴60Aを有する移動保持台6Aと、真空チャンバ1に固定され移動保持台6Aの上側に移動保持台6Aに対して相対移動可能に重なるように配置されて各収容穴60Aに対向する位置に貫通孔60Bを有する固定押出板6Bと、を含んでなる。【選択図】図1

Description

本発明は、金属の被照射体に電子ビームを照射して被照射体の表面を改質する金属表面改質装置に関する。特に、本発明は、チタン合金を含むチタン製のインプラントを表面改質する金属表面改質装置に関する。
チタンは、比重4.5の軽金属であり、比較的軽量である。特に、チタンは、安定金属であり、耐蝕性が高い。また、チタンは、生体物質と反応しにくいため、人体中で溶解しにくいとともに、生体必須元素ではないことから、摂取量が極めて少なく、毒性が低い。そのため、チタンないしチタン合金は、医療器具の材料として多用されている。生体用チタン合金は、例えば、TiNi,Ti−6Al−4V,Ti−6Al−7Nb,Ti−Nb−Snがある。チタンは、通常所定量以下の不純物を含んでいるが、以下の説明では、チタン合金を含めて単にチタンという。
チタンは、フッ化物によって腐蝕する。歯磨粉にフッ化物が含まれることがあるので、チタンを歯科用インプラントの素材とするときは、チタンが体内に摂取されるおそれがある。チタンは、毒性が極めて低いと認知されているものの、耐蝕性をより高くするために、チタン製のインプラントには、一般的に、被膜を生成するような表面処理が施されている。そのため、依然として、チタンは、耐蝕性と耐磨耗性が高い歯科用インプラントの材料として適している。
チタン製のインプラントの表面処理方法は、水溶液中で表面処理する方法と、真空または空気中で表面処理する方法とに大きく分類することができる。水溶液中で表面処理する方法は、要求される設備が比較的簡単な構成であり、複雑な形状のインプラントの表面処理が可能である利点がある。真空中または空気中で処理する方法は、化学薬品を使用しないで表面処理を行なうことができ、また、より薄い被膜を形成することが可能である利点を有する。
水溶液による表面処理を行なう場合に使用する化学薬品がインプラントに残留している場合があり、インプラントを長期間使用しているときに、化学薬品が少しずつ溶解して体内に吸収されるおそれがあることを考慮する必要がある。また、一般に、チタン製の成形品の表面を鏡面のように平滑にするためには、表面をある程度の仕上面粗さまで機械的に研磨をしておくことが要求され、表面処理による被膜が薄いほど、表面処理後のインプラントの表面に機械加工に依存する粗面が残りやすい。そのため、治療を受けた人が痛みを感じやすくなる。
例えば、特許文献1ないし特許文献3に示されるような電子ビームによるチタン製の義歯またはインプラントの表面改質方法が知られている。電子ビームによる表面改質方法は、化学薬品を使用しない。また、電子ビームによる表面改質方法は、物理的な原理として被照射体の表層を微細結晶化させるものであり、被覆に比べて薄い改質層で耐蝕性と耐磨耗性がより高く、より高い耐久性を得ることができる。また、機械加工では得ることができない平滑面を得ることができる利点がある。とりわけ、比較的大きい面積で低密度エネルギの電子ビームを照射できる場合は、照射ムラが少なく、極めて浅い改質層を得ることができる。
特開2003−111778号公報 特表2011−510810号公報 特表2002−535109号公報
電子ビームによる表面改質の場合、被照射体であるインプラントの全面に連続的に満遍なく電子ビームを照射することが難しい。また、電子ビームを複数のインプラントに対して同時に均一のエネルギで繰返し照射することが難しく、作業効率の向上が望まれている。とりわけ、電子ビーム柱の直径が比較的小さく、高エネルギ密度の電子ビームをインプラントに照射すると、改質層の厚さが10μm以上に及ぶ可能性があり、エッジが損傷して許容できない程度まで部分的に原形を失うおそれがある。
本発明は、上記課題に鑑みて、同時に複数のチタン製のインプラントの表面を均一に改質できるとともに、それぞれのインプラントの表面の全面に連続的に電子ビームを照射することができる改良された金属表面処理装置を提供することを主たる目的とする。本発明によって得ることができるいくつかの利点は、本発明の実施の形態の説明において、その都度、具体的に既述される。
本発明の金属表面改質装置は、上記課題を解決するために、チタン製のインプラントの被照射体(8)を収容して真空の環境下に置く真空チャンバ(1)と、真空チャンバ(1)の中に設置され少なくとも水平1軸方向とその水平1軸方向に直交する他の水平1軸方向とに被照射体(8)を移動させる移動装置(2)と、移動装置(2)の上に設置され被照射体を載置するテーブル(10)と、所定の断面積を有するカソード電極(50A)とプラズマを生成するための環状のアノード電極(50B)と磁場を形成するソレノイド(50C)とを含んでなる電子銃(5A)と、を備えた金属表面改質装置であって、テーブル(10)の上に固定され被照射体(8)を保持する保持冶具(7)の底部位(7A)の曲面形状と相対する曲面を有する複数の収容穴(60A)が上面に形成された移動保持台(6A)と、真空チャンバ(1)に固定され移動保持台(6A)の上側に移動保持台(6A)に相対移動可能に重なるように配置されて各収容穴(60A)にそれぞれ対向する位置に複数の貫通孔(60B)が形成された固定押出板(6B)と、でなり、移動装置(2)が被照射体(8)を移動させるのにともなって各被照射体(8)を任意の方向に所定の角度傾斜するように被照射体(3)を設置する被照射体設置装置(6)と、を含んでなるようにする。
本発明の金属表面改質装置は、比較的大面積で低密度のエネルギで電子ビームを照射できる電子銃を備え、移動装置によって被照射体を移動させることにより、複数の被照射体を一斉に任意の方向に所定角度傾斜するように各被照射体を配設する被照射体保持装置を設けてなるので、複数のインプラントに対して同時に略均一に低密度のエネルギで電子ビームを照射することができるとともに、インプラントの前面にわたって繰返し連続的に電子ビームを照射することができる。その結果、高品質のインプラントをより容易に効率よく製作することができる。
本発明の金属表面改質装置の概容を示す側面図である。 本発明の金属表面改質装置の被照射体保持装置を示す斜視図である。 被照射体の保持冶具の実施の形態を示す三次元側面図である。 被照射保持装置の一部を拡大して示す側面の断面図である。
図1に、本発明の実施の形態の金属表面改質装置が示される。実施の形態の金属表面改質装置は、真空チャンバ1と、移動装置2と、真空装置3と、稀ガス供給装置4と、電子ビーム発生装置5と、被照射体設置装置6と、を含んでなる。被照射体設置装置6は、実質的に保持冶具7を含む。被照射体8は、チタン製の歯科用インプラントである。また、実施の形態の金属表面改質装置は、被照射体8の被照射面から生じた滓を含むチャンバ1の中の汚れたガスを強制的に排出することができる図示しない浄化装置を備えている。
真空チャンバ1は、インプラントの被照射体を収容して真空の環境下に置く手段である。本発明において、真空は、気圧が0.1Pa以下の真空に近い状態を含む。図1において、真空チャンバ1は、断面で示される。真空チャンバ1は、基台1Aの上に設定される。真空チャンバ1は、金属表面改質装置の前面で被照射体8を出し入れをするために開口している。真空チャンバ1には、開口を閉鎖する密閉扉1Bが設けられている。真空チャンバ1は、気圧を0.03Pa以上0.1Pa以下の範囲で真空状態を維持することができるように設計されている。
移動装置2は、水平1軸方向と、水平1軸方向に直交する他の水平1軸方向と、鉛直方向と、に被照射体8を移動させる手段である。移動装置2は、水平1軸方向に往復移動することができる移動体2Aと、水平1軸方向に直交する他の水平1軸方向に往復移動することができる移動体2Aと、上下方向に往復移動することができる昇降装置2Cと、図示しないモータを含む駆動装置と、でなる。昇降装置2Cの上に被照射体8を載置できる取付台であるテーブル10が設置されている。
真空装置3は、密閉された真空チャンバ1の中を所定の気圧まで減圧して真空に近い状態にする手段である。真空装置3は、真空ポンプによって真空チャンバ1の中の空気を外に排出する、いわゆる真空引きを行なう。真空ポンプは、スクロールポンプまたはロータリポンプの第1ポンプ3Aと、ターボ分子ポンプまたは油拡散ポンプの第2ポンプ3Bとでなる。所定の気圧まで減圧した後は、流量調整弁3Cと流量調整弁3Dを閉鎖する。真空ポンプ3は、電子ビームを照射している間稼働しており、真空チャンバ1の排気を継続して真空チャンバ1の中の減圧状態を維持している。
稀ガス供給装置4は、真空チャンバ1の中に稀ガスを供給する手段である。稀ガスは、長周期表第18族元素であるヘリウム,ネオン,アルゴン,クリプトン,キセノン,ラドンを示す。実施の形態の表面改質装置においては、稀ガス供給装置4は、アルゴンガスを供給する。アルゴンガスは、プラズマの生成を促す。稀ガス供給装置4は、液化アルゴンを封入したボンベ4と、真空チャンバ1とボンベ4Aとを接続する配管4Bと、ボンベ4Aを開閉するバルブ4Cと、を含んでなる。
本発明において、稀ガスと窒素ガスのような化学反応性の低い気体とを含めて不活性ガスという。実施の形態の金属表面改質装置においては、窒素ガスは、図示しない浄化装置において、電子ビームの照射によって汚れたアルゴンガスを真空チャンバ1の外に追い出して真空チャンバ1の中を正常化するときに使用される。
電子ビーム発生装置5は、電子銃5Aと電源装置5Bとでなる。実施の形態の電子ビーム発生装置5における電子銃5Aは、カソード電極50Aと、環状のアノード電極5Bと、磁場を形成するソレノイド50Cと、を含んでなる。被照射体8に通電するコレクタ50Dは、実質的にテーブル10である。テーブル10は、グランドライン50Eによって真空チャンバ1にアースする。
実施の形態の電子ビーム発生装置5における電源装置5Bは、電子ビーム発生用電源装置50Fと、プラズマ発生用電源装置50Gと、スイッチ50Hと、を含んでなる。電子ビーム発生用電源装置50Fは、カソード電極50Aとテーブル10に通電する被照射体8との両極間に電子ビームを発生させるための電圧パルスを印加する高圧電源を含む。プラズマ発生用電源装置50Gは、カソード電極50Aとアノード電極50Bとの間に設けられ、アノード電極50Bの環内にプラズマを発生させる電圧を供給する。スイッチ50Hは、カソード電極50Aとアノード電極50Bにおける電源の接続を切り換える。
カソード電極50Aは、所定の断面積を有する断面円形の基板にチタンの多数の針状突起が設けられてなる。断面積が比較的大きいカソード電極50Aによって直径が大きくエネルギ密度がより小さい電子の粒子線束を発生させることができる。そのため、一度の照射においてより広範囲に均一に被照射面に電子ビームを衝突させることができ、表面から数μm程度の極浅い深さで被照射体8の表面を改質させることができる。
カソード電極50Aは、密閉された真空チャンバ1内の上側に固定される。カソード電極50Aの上側の密閉空間の中には、カソードのギャップスイッチが存在する。カソード電極50Aは、電子が被照射体8を破壊しない速度で被照射体8と衝突して被照射体8の表面を改質するように決められている所定距離だけテーブル10の上に載置される被照射体8から離れている。実施の形態の金属表面改質装置は、断面積の大きい電子ビーム柱を重力方向に直線的にばらつきなく照射することができる。
アノード電極50Bは、カソード電極50Aの断面積よりも大きい内径を有するリング形状を有している。実施の形態の金属表面改質装置においては、例えば、カソード電極50Aの直径が60mmφであるときに、アノード電極50Bの内径が210mmφである。アノード電極50Bは、円環内に比較的存在期間が短いプラズマを生成する。プラズマの電離層は、カソード電極50Aから放出される電子を収束する。
被照射体設置装置6は、移動装置2が被照射体8を移動させるのにともなって各被照射体8を任意の方向に所定の角度傾斜するように被照射体8を設置する手段である。被照射体設置装置6は、テーブル10の上に設けられる。被照射体設置装置6は、移動保持台6Aと固定押出板6Bとでなる。被照射体設置装置6は、広義には、補助手段である保持冶具7を含む。移動保持体6Aと固定押出板6Bは、共に非磁性体材料で形成されている。具体的に、実施の形態の被照射体設置装置6においては、移動保持体6Aと固定押出板6の材質は、ステンレス(SUS304)である。被照射体設置装置6は、被照射体8に通電する。
移動保持台6Aは、保持冶具7に保持される被照射体8を水平方向に移動させる。移動保持台6Aは、図示しない複数の取付ボルトによってテーブル10の上に強固に取付固定される。そのため、移動装置2の移動体2Aと移動体2Bが移動することによってテーブル10が水平方向に移動するとき、移動保持台6Aがテーブル10と同じ移動方向に同じ移動量移動する。
固定押出板6Bは、ブラケット6Cによって真空チャンバ1に吊り下げられるように固定される。固定押出板6Bは、水平方向に移動する移動保持台6Aの直上に移動保持台6Aに対して相対移動可能に重なるように配置される。固定押出板6Bは、固定押出板6Bに対して移動保持台6Aが摺動可能であるように移動保持台6Aに接触している。ただし、移動保持台6Aと固定押出板6Bとの間は、完全に離れていてもよい。
移動保持台6Aの上面には、例えば、図2に示されるように、被照射体8を保持する保持冶具7の底部位の曲面形状と相対する曲面を有する複数の収容穴60Aが形成されている。収容穴60Aは、移動保持台6Aに等間隔に複数設けられる。収容穴60Aの最大数は、複数の被照射体8に均一に電子ビームを照射するために、電子ビームの照射面積に依存する。言い換えると、カソード電極50Aとアノード電極50Bのサイズによって、一度に表面改質できる被照射体8の数が決まる。
固定押出板6Bには、移動保持台6Aの各収容穴60Aに対してそれぞれ対向する位置に複数の貫通孔60Bが等間隔で形成されている。固定押出板6Bは、移動保持台6Aが任意の水平方向に移動するとき、図4に示される保持冶具7の重心Oよりも上側を被照射体8が移動する方向に対して反対の方向に保持冶具7を押し出すようにして、被照射体8を所定の角度傾斜させる。
貫通孔60Bの直径は、固定押出板6Bの板厚に関連して被照射体8が固定押出板60Bに干渉することなく要求される最大の角度まで傾斜することができる大きさである。固定押出板6Bは、移動保持台6Aが移動するときに貫通孔60Bの内壁で保持冶具7と当接する。また、保持冶具7が最大の角度まで傾斜したときに、固定押出板6Bは、貫通孔60Bの他の内壁で傾斜した保持冶具7または被照射体8と当接する。
保持冶具7は、被照射体8を保持して移動保持台6Aと固定押出板6Bとによって被照射体8を傾斜させるための補助手段である。図3に示されるように、保持冶具7は、底部位7Aと、上部位7Bと、突出部位7Cと、でなる。円筒形の突出部位7Cの外周面に雄螺子が形成されている。被照射体8は、歯科用インプラント(人工歯根)であって、土台部位8Bと、歯根部位8Bとに分けられる。土台部位8Aは、図示しない円筒形の中空空間を有し、中空空間の内壁に雌螺子が形成されている。
実施の形態の保持冶具7は、被照射体8を引っくり返して土台部位8Aの雌螺子を突出部位7Cの雄螺子に螺合させて突出部位7Cに捩じ込んで固定して被照射体8を保持する。例えば、被照射体8を保持冶具7の突出部位7Cに単に被せるように挿嵌したり、被照射体8をネジで締め付けたりして保持冶具7に被照射体8を保持させることができ、保持冶具7が傾斜するときに脱落しない限り、被照射体8を保持する方法に格別の制約はない。
図1および図2に示されるように、被照射体8を保持した状態の保持冶具7は、被照射体8が固定押出板6Bの貫通孔60Bを通り抜けて移動保持台6Aの収容穴60Aに被照射体8が垂直になるように配置される。先に全ての被照射体8を移動保持台6Aの各保持穴60Aに垂直に配設し、その後で上側から固定押出板6Bを下ろして所定の高さに固定する。
図3に示されるように、保持冶具7の底部位7Aは曲面形状を有する。また、保持冶具7の上部位7Bは、固定押出板6Bが押し当てられたときに固定押出板6Bが当接面で引っかかることがなく、保持治具7の重心Oを中心に回動して傾斜することができるように、平滑な曲面または傾斜面が形成されている。
実施の形態における保持冶具7は、底部位7Aが半球形状であり、全体的に略球形に形成されている。点線で示される人工歯8Cは、被照射体8であるインプラントの歯根部位8Bが顎の骨と歯肉に完全に固着してから、後で土台部位8Aに取り付けられる。そのため、土台部位8Aの先端側は、表面にムラが残されていても問題はない。
例えば、図4に示される移動装置2によって移動保持台6Aが−Xで示される水平1軸方向に移動量Δを移動すると、保持冶具7の側面が固定押出板6Bの貫通孔60Bの内壁のエッジに点的に当接する。その状態で移動保持台6Aが−Xの方向に移動すると、保持冶具7が移動保持台6Aが移動する−Xの方向に対して反対の+Xの方向に押し出される。保持穴60Aが保持冶具7の底部位7Aの曲面形状と相対する曲面を有しているので、底部位7Aが保持穴60Aの曲面に沿って摺動するようにしながら、保持冶具7が重心Oを中心にして回動する。
保持冶具7が押し倒されるとき、保持冶具7に保持されている被照射体8は、+Xの方向に移動量Δに対応する所定の角度傾斜する。保持冶具7がある角度まで傾斜すると、傾斜する+Xの方向において貫通孔60Bと保持冶具7または被照射体8とが干渉して動けなくなる。そのため、実質的に、被照射体8の物理的な限界角度が設けられる。保持冶具7が傾斜できる最大の角度が所望の角度であるように被照射体設置装置6を設計して制作することによって、移動体2Aと移動体2Bとを位置決め制御して保持冶具7を所望の角度に傾斜させる必要がなく、被照射体8をより容易に所望の角度に傾斜させることができる。
実施の形態の被照射体設置装置6の場合は、20個の歯科用インプラントの被照射体8をセットして、各被照射体8を同時に同じ方向に同じ角度傾斜させることができる。被照射体8を傾斜させる方向を適宜変えながら、被照射体8に電子ビームを繰返し照射することができるので、一度に複数のチタン製の歯科用インプラントを連続的に全面にわたって改質することができる。
本発明は、上記実施の形態の表面改質装置に限定されず、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で、すでにいくつかの具体例が示されているが、種々の変形が可能である。また、本発明の作用効果を得る限りにおいて、他の発明との組合せが可能である。
本発明は、チタン製のインプラントの表面の改質に適用される。特に、歯科用インプラントの表面の改質に有効である。本発明によると、インプラントの表面処理を安全に容易に行なうことができる。本発明は、電子ビームによる表面の改質の技術の進歩に寄与するとともに、医療器具の進歩と発展を助ける。
1:チャンバ
2:移動装置
2A:移動体(Y軸)
2B:移動体(X軸)
2C:昇降装置
3:真空装置
4:稀ガス供給装置
5:電子ビーム発生装置
5A:電子銃
5B:電源装置
50A:カソード電極
50B:アノード電極
50C:ソレノイド
50D:コレクタ
50E:グランドライン
50F:電子ビーム発生用電源装置
50G:プラズマ発生用電源装置
50H:スイッチ
6:被照射体設置装置
7:保持冶具
7A:底部位
7B:上部位
7C:突出部位
8:被照射体
8A:土台部位
8B:歯根部位
10:テーブル

Claims (1)

  1. チタン製のインプラントの被照射体を収容して真空の環境下に置く真空チャンバと、前記真空チャンバの中に設置され少なくとも水平1軸方向と前記水平1軸方向に直交する他の水平1軸方向とに前記被照射体を移動させる移動装置と、前記移動装置の上に設置され前記被照射体を載置するテーブルと、所定の断面積を有するカソード電極とプラズマを生成するための環状のアノード電極と磁場を形成するソレノイドとを含んでなる電子銃と、を備えた金属表面改質装置であって、テーブルの上に固定され被照射体を保持する保持冶具の底部位の曲面形状と相対する曲面を有する複数の収容穴が上面に形成された移動保持台と、真空チャンバに固定され前記移動保持台の上側に前記移動保持台に相対移動可能に重なるように配置されて前記各収容穴にそれぞれ対向する位置に複数の貫通孔が形成された固定押出板と、でなり、前記移動装置が前記被照射体を移動させるのにともなって前記各被照射体を同時に任意の方向に所定の角度傾斜するように前記被照射体を設置する被照射体設置装置と、を含んでな金属表面改質装置。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102017500B1 (ko) * 2018-10-29 2019-09-03 (주)코비젼 인공치아 보철의 표면 처리장치
BR102022014113A2 (pt) * 2022-07-15 2024-01-23 M3 Health Indústria E Comércio De Produtos Médicos, Odontológicos E Correlatos S.A. Processo de fabricação de implante dentário, dispositivo para anodização de implante dentário e dispositivo para ataque ácido de implante dentário

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06225891A (ja) * 1992-12-07 1994-08-16 Nobelpharma Ab インプラント表面の加工方法
JPH09239564A (ja) * 1996-03-05 1997-09-16 Toshiba Corp イオンビーム加工装置、イオンビーム加工方法、マスク及びマスクの製造方法
US20150038899A1 (en) * 2011-08-22 2015-02-05 Exogenesis Corporation Medical device for bone implant and method for producing such a device

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5091217A (en) * 1989-05-22 1992-02-25 Advanced Semiconductor Materials, Inc. Method for processing wafers in a multi station common chamber reactor
IL128261A0 (en) 1999-01-27 1999-11-30 Disc O Tech Medical Tech Ltd Expandable element
EP1036406B1 (en) * 1997-11-03 2003-04-02 ASM America, Inc. Improved low mass wafer support system
US6763281B2 (en) * 1999-04-19 2004-07-13 Applied Materials, Inc Apparatus for alignment of automated workpiece handling systems
US6863531B2 (en) 2001-06-28 2005-03-08 Itac Ltd. Surface modification process on metal dentures, products produced thereby, and the incorporated system thereof
JP2009187990A (ja) * 2008-02-01 2009-08-20 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
DE102008007662A1 (de) 2008-02-06 2009-08-13 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Behandlung von Formteilen mittels energiereicher Elektronenstrahlen
DE102008049556B4 (de) * 2008-09-30 2011-07-07 Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
US10062599B2 (en) * 2015-10-22 2018-08-28 Lam Research Corporation Automated replacement of consumable parts using interfacing chambers

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06225891A (ja) * 1992-12-07 1994-08-16 Nobelpharma Ab インプラント表面の加工方法
JPH09239564A (ja) * 1996-03-05 1997-09-16 Toshiba Corp イオンビーム加工装置、イオンビーム加工方法、マスク及びマスクの製造方法
US20150038899A1 (en) * 2011-08-22 2015-02-05 Exogenesis Corporation Medical device for bone implant and method for producing such a device

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